JP2001237229A - 基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法Info
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- JP2001237229A JP2001237229A JP2000046984A JP2000046984A JP2001237229A JP 2001237229 A JP2001237229 A JP 2001237229A JP 2000046984 A JP2000046984 A JP 2000046984A JP 2000046984 A JP2000046984 A JP 2000046984A JP 2001237229 A JP2001237229 A JP 2001237229A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストのアッシング処理において、処理時
間が短くて、下地エッチング量も少ないプラズマアッシ
ングを実現する。 【解決手段】 プラズマ発生室１０内に、ガス供給管１
４から、水蒸気と、ＳＦ 6 等のフッ素系ガスを主成分と
する混合ガスを導入し、導波管１２から供給されたマイ
クロ波によって分解し、発生した混合ガスプラズマによ
ってウエハＷ上のレジストを除去する。イオン注入によ
る硬化層を有するレジストでも、フッ素ラジカルによっ
て効果的に剥離し、しかも下地酸化層のエッチング量を
数オングストローム以下に抑えることができる。
間が短くて、下地エッチング量も少ないプラズマアッシ
ングを実現する。 【解決手段】 プラズマ発生室１０内に、ガス供給管１
４から、水蒸気と、ＳＦ 6 等のフッ素系ガスを主成分と
する混合ガスを導入し、導波管１２から供給されたマイ
クロ波によって分解し、発生した混合ガスプラズマによ
ってウエハＷ上のレジストを除去する。イオン注入によ
る硬化層を有するレジストでも、フッ素ラジカルによっ
て効果的に剥離し、しかも下地酸化層のエッチング量を
数オングストローム以下に抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストのアッシ
ング工程、より詳しくは、主として半導体ウエハ等の加
工工程で、イオン注入によって硬化しているレジストを
効果的にアッシングすることのできる基板処理方法およ
び基板処理装置ならびにデバイス製造方法に関するもの
である。
ング工程、より詳しくは、主として半導体ウエハ等の加
工工程で、イオン注入によって硬化しているレジストを
効果的にアッシングすることのできる基板処理方法およ
び基板処理装置ならびにデバイス製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、ウエハ等基
板に塗布されたフォトレジストの剥離、除去が頻繁に行
なわれる。このレジストの剥離においては、安全性、低
コストを実現できる酸素プラズマを用いたアッシングが
主流である。
板に塗布されたフォトレジストの剥離、除去が頻繁に行
なわれる。このレジストの剥離においては、安全性、低
コストを実現できる酸素プラズマを用いたアッシングが
主流である。
【０００３】図５は、一従来例による基板処理方法を説
明するもので、同図の（ａ）に示すように、基板１０１
上には、レジスト１０２のパターンが形成されており、
このレジスト１０２のパターンをマスクとする基板１０
１にイオン注入するには、例えばリンイオンＰをイオン
加速エネルギー８０ＫｅＶ、注入量１×１０16ｉｏｎｓ
／ｃｍ2 の条件で注入する（図５の（ｂ）参照）。この
イオン注入時にイオンの運動エネルギーが熱エネルギー
に変換されて熱変化を起こし、図５の（ｃ）に示すよう
に硬化層１０３が形成される。
明するもので、同図の（ａ）に示すように、基板１０１
上には、レジスト１０２のパターンが形成されており、
このレジスト１０２のパターンをマスクとする基板１０
１にイオン注入するには、例えばリンイオンＰをイオン
加速エネルギー８０ＫｅＶ、注入量１×１０16ｉｏｎｓ
／ｃｍ2 の条件で注入する（図５の（ｂ）参照）。この
イオン注入時にイオンの運動エネルギーが熱エネルギー
に変換されて熱変化を起こし、図５の（ｃ）に示すよう
に硬化層１０３が形成される。
【０００４】このように硬化層１０３が形成されたレジ
スト１０２を除去する際には、従来は、酸素プラズマを
用いて硬化層１０３を除去するとともに、硬化層１０３
の下方に存在する非硬化レジスト層も酸素プラズマによ
り除去していた。
スト１０２を除去する際には、従来は、酸素プラズマを
用いて硬化層１０３を除去するとともに、硬化層１０３
の下方に存在する非硬化レジスト層も酸素プラズマによ
り除去していた。
【０００５】酸素を主なガスとする酸素プラズマを用い
ると、硬化層１０３中に含まれるイオン注入種である、
リン、ヒソ等が、酸化物Ｍとして基板１０１上に大量に
残るため、これを、アッシング後の薬液工程によって除
去する。
ると、硬化層１０３中に含まれるイオン注入種である、
リン、ヒソ等が、酸化物Ｍとして基板１０１上に大量に
残るため、これを、アッシング後の薬液工程によって除
去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
酸素プラズマを用いたアッシングでは、イオン注入され
て硬化しているレジスト硬化層のアッシングには５分〜
１０分という長時間を要するという問題があった。これ
は、「Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．１
０，Ｏｃｔｏｂｅｒ，１９８９，ｐｐ．２１３０−２１
３６ Ａｓｈｉｎｇ ｏｆ Ｉｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔｅ
ｄ Ｒｅｓｉｓｔ Ｌａｙｅｒ」で開示されているよう
に、硬化層の構造は、レジストの主成分であるノボラッ
ク樹脂のベンゼン環の主鎖のメチル基がリン、ヒソ等に
置換され強固な結合になっているためと考えられる。
酸素プラズマを用いたアッシングでは、イオン注入され
て硬化しているレジスト硬化層のアッシングには５分〜
１０分という長時間を要するという問題があった。これ
は、「Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．１
０，Ｏｃｔｏｂｅｒ，１９８９，ｐｐ．２１３０−２１
３６ Ａｓｈｉｎｇ ｏｆ Ｉｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔｅ
ｄ Ｒｅｓｉｓｔ Ｌａｙｅｒ」で開示されているよう
に、硬化層の構造は、レジストの主成分であるノボラッ
ク樹脂のベンゼン環の主鎖のメチル基がリン、ヒソ等に
置換され強固な結合になっているためと考えられる。
【０００７】この硬化層を除去するために、特開平５−
２７５３２６号公報に記載されているように、Ｏ2 を主
成分とするガスに０．１〜５％程度のＣＦ4 を添加した
酸素プラズマを用いて、フッ素ラジカルにより、硬化層
のアッシングを行なう方法が提案されている。イオン注
入したレジストの剥離工程にフッ素ラジカルを用いるこ
とは、露出している基板のゲート酸化膜のフッ素ラジカ
ルによるエッチングが懸念されるので、上記の特開平５
−２７５３２６号の手法によれば、この懸念点を払拭す
るために、ＣＦ4 の添加量を０．１〜５％の少量にする
ことで１０オングストローム以下の下地エッチング量に
抑制し、１６ＭＤＲＡＭレベルの製造技術に適応すると
している。
２７５３２６号公報に記載されているように、Ｏ2 を主
成分とするガスに０．１〜５％程度のＣＦ4 を添加した
酸素プラズマを用いて、フッ素ラジカルにより、硬化層
のアッシングを行なう方法が提案されている。イオン注
入したレジストの剥離工程にフッ素ラジカルを用いるこ
とは、露出している基板のゲート酸化膜のフッ素ラジカ
ルによるエッチングが懸念されるので、上記の特開平５
−２７５３２６号の手法によれば、この懸念点を払拭す
るために、ＣＦ4 の添加量を０．１〜５％の少量にする
ことで１０オングストローム以下の下地エッチング量に
抑制し、１６ＭＤＲＡＭレベルの製造技術に適応すると
している。
【０００８】ところが、さらに微細加工の進んだ近時で
は、下地酸化膜のエッチング量を数オングストローム以
下のレベルにとどめることが必要とされている。
は、下地酸化膜のエッチング量を数オングストローム以
下のレベルにとどめることが必要とされている。
【０００９】また、さらには、新たな問題として、フッ
素ラジカルによる反応性の高いアッシングでは、下地酸
化膜のエッチング量が再現性良く制御できないという問
題がある。これは、フッ素ラジカル自身が比較的寿命が
長く、未反応の原子状のフッ素がウエハ等基板上に吸着
することにより、アッシング後も下地のエッチングを行
なっているためであると考えられる。
素ラジカルによる反応性の高いアッシングでは、下地酸
化膜のエッチング量が再現性良く制御できないという問
題がある。これは、フッ素ラジカル自身が比較的寿命が
長く、未反応の原子状のフッ素がウエハ等基板上に吸着
することにより、アッシング後も下地のエッチングを行
なっているためであると考えられる。
【００１０】特開平５−２７５３２６号公報は、第１ス
テップに硬化層を除去するための、（Ｏ2 ＋ＣＦ4 ）ア
ッシング、第２ステップとして、硬化していない下層の
レジストを剥離する（Ｏ2 ＋Ｎ2 ）アッシングを行な
い、下地のエッチング量が１０オングストローム以下
で、かつ剥離速度の速いアッシングを紹介している。と
ころが、この場合は、第１ステップと第２ステップの切
り替えに１０秒かかっており、本発明者らが確認したと
ころによると、これをほぼ０秒に近づけた場合、下地酸
化膜のエッチング量は数オングストロームから数百十オ
ングストローム程度増加する傾向が見られた。フッ素ラ
ジカルは一般に単独では有機物と反応しないことが知ら
れているが、本発明者らの実験では、酸素ラジカルの供
給が続くと、反応に寄与する可能性が高いことが判明し
ている。
テップに硬化層を除去するための、（Ｏ2 ＋ＣＦ4 ）ア
ッシング、第２ステップとして、硬化していない下層の
レジストを剥離する（Ｏ2 ＋Ｎ2 ）アッシングを行な
い、下地のエッチング量が１０オングストローム以下
で、かつ剥離速度の速いアッシングを紹介している。と
ころが、この場合は、第１ステップと第２ステップの切
り替えに１０秒かかっており、本発明者らが確認したと
ころによると、これをほぼ０秒に近づけた場合、下地酸
化膜のエッチング量は数オングストロームから数百十オ
ングストローム程度増加する傾向が見られた。フッ素ラ
ジカルは一般に単独では有機物と反応しないことが知ら
れているが、本発明者らの実験では、酸素ラジカルの供
給が続くと、反応に寄与する可能性が高いことが判明し
ている。
【００１１】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであって、イオン注入によっ
て硬化層が形成されたレジストを除去するプラズマアッ
シング工程において、剥離性を向上させるためにフッ素
ラジカルを用いつつも、フッ素ラジカルによる下地エッ
チング量をさらに少なくし、かつ再現性良くコントロー
ルすることのできる基板処理方法および基板処理装置な
らびにデバイス製造方法を提供することを目的とするも
のである。
課題に鑑みてなされたものであって、イオン注入によっ
て硬化層が形成されたレジストを除去するプラズマアッ
シング工程において、剥離性を向上させるためにフッ素
ラジカルを用いつつも、フッ素ラジカルによる下地エッ
チング量をさらに少なくし、かつ再現性良くコントロー
ルすることのできる基板処理方法および基板処理装置な
らびにデバイス製造方法を提供することを目的とするも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板処理方法は、イオン注入されたレジス
トのアッシング工程において、水蒸気とフッ素系ガスを
主成分とする混合ガスによるプラズマを用いて前記レジ
ストを除去することを特徴とする。
め、本発明の基板処理方法は、イオン注入されたレジス
トのアッシング工程において、水蒸気とフッ素系ガスを
主成分とする混合ガスによるプラズマを用いて前記レジ
ストを除去することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の基板処理装置は、排気手段
を有するチャンバと、該チャンバ内で基板を保持するた
めの基板保持手段と、前記チャンバに水蒸気とフッ素系
ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラ
ズマを発生させるためのプラズマ発生手段を有すること
を特徴とする。
を有するチャンバと、該チャンバ内で基板を保持するた
めの基板保持手段と、前記チャンバに水蒸気とフッ素系
ガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内にプラ
ズマを発生させるためのプラズマ発生手段を有すること
を特徴とする。
【００１４】
【作用】単体でもアッシング能力をもつ水蒸気と、レジ
ストの硬化層剥離に有効なフッ素ラジカルを供給可能と
考えられるフッ素系ガスであるＳＦ6 またはＮＦ3 を主
成分とする混合ガスを用いてプラズマを生成することに
より、適量のフッ素ラジカルを供給し、かつわずかな割
合であるが基板に残留すると考えられる原子状のフッ素
を気化もしくは排除する。これによって、下地エッチン
グ量を数オングストローム以下に再現性よく抑えるとと
もに、イオン注入レジストの剥離を迅速かつ効果的に行
なうことができる。
ストの硬化層剥離に有効なフッ素ラジカルを供給可能と
考えられるフッ素系ガスであるＳＦ6 またはＮＦ3 を主
成分とする混合ガスを用いてプラズマを生成することに
より、適量のフッ素ラジカルを供給し、かつわずかな割
合であるが基板に残留すると考えられる原子状のフッ素
を気化もしくは排除する。これによって、下地エッチン
グ量を数オングストローム以下に再現性よく抑えるとと
もに、イオン注入レジストの剥離を迅速かつ効果的に行
なうことができる。
【００１５】酸素プラズマを用いる場合のように、レジ
ストの硬化層に含まれるイオン注入種の酸化による残渣
が多量に残ることはない。
ストの硬化層に含まれるイオン注入種の酸化による残渣
が多量に残ることはない。
【００１６】なお、イオン注入種の酸化物残渣を、さら
に少なくするためには、酸素を構成分子とする水蒸気よ
りも、酸素を含まない水素のほうが有利に思われるが、
水素ガス、もしくは、酸素を含まない水素化合物を用い
た場合、アッシングレートが著しく低くなり、酸素のみ
のガスによるプラズマアッシングと同じ程度の速度にな
ってしまう。従って、水蒸気と、ＳＦ6 もしくはＮＦ3
の混合ガスのプラズマが望ましい。
に少なくするためには、酸素を構成分子とする水蒸気よ
りも、酸素を含まない水素のほうが有利に思われるが、
水素ガス、もしくは、酸素を含まない水素化合物を用い
た場合、アッシングレートが著しく低くなり、酸素のみ
のガスによるプラズマアッシングと同じ程度の速度にな
ってしまう。従って、水蒸気と、ＳＦ6 もしくはＮＦ3
の混合ガスのプラズマが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１８】図１は一実施の形態による基板処理装置で
あるマイクロ波プラズマアッシング処理装置を示すもの
で、これは、排気口１０ａを有するチャンバであるプラ
ズマ発生室１０と、該プラズマ発生室１０内で基板であ
るウエハＷを保持する基板保持手段であるウエハホルダ
１１と、プラズマ発生手段であるマイクロ波発振器１２
ａからプラズマ発生室１０内にマイクロ波を供給するた
めの導波管１２と、比誘電率ε＝３．８の平板状の石英
または比誘電率ε＝９．７のアルミナからなるマイクロ
波透過窓１３と、プラズマ発生室１０内に水蒸気とＳＦ
6 またはＮＦ3等のフッ素系ガスを主成分とする混合ガ
スを導入するためのガス導入手段であるガス供給管１４
と、前記混合ガスの供給量を制御するマスフローコント
ローラ１５を有する。
あるマイクロ波プラズマアッシング処理装置を示すもの
で、これは、排気口１０ａを有するチャンバであるプラ
ズマ発生室１０と、該プラズマ発生室１０内で基板であ
るウエハＷを保持する基板保持手段であるウエハホルダ
１１と、プラズマ発生手段であるマイクロ波発振器１２
ａからプラズマ発生室１０内にマイクロ波を供給するた
めの導波管１２と、比誘電率ε＝３．８の平板状の石英
または比誘電率ε＝９．７のアルミナからなるマイクロ
波透過窓１３と、プラズマ発生室１０内に水蒸気とＳＦ
6 またはＮＦ3等のフッ素系ガスを主成分とする混合ガ
スを導入するためのガス導入手段であるガス供給管１４
と、前記混合ガスの供給量を制御するマスフローコント
ローラ１５を有する。
【００１９】プラズマ発生室１０内を、排気口１０ａに
接続された排気手段である真空ポンプ１６によって排気
し、排気量を制御する調整バルブ１７と、混合ガスの供
給量を制御するマスフローコントローラ１５を調整し
て、プラズマ発生室１０内を所定の圧力に保ち、導波管
１２からマイクロ波をプラズマ発生室１０内に導入し、
ガス供給管１４から供給された水蒸気とフッ素系ガスの
混合ガスをマイクロ波エネルギーによって分解し、プラ
ズマ化する。
接続された排気手段である真空ポンプ１６によって排気
し、排気量を制御する調整バルブ１７と、混合ガスの供
給量を制御するマスフローコントローラ１５を調整し
て、プラズマ発生室１０内を所定の圧力に保ち、導波管
１２からマイクロ波をプラズマ発生室１０内に導入し、
ガス供給管１４から供給された水蒸気とフッ素系ガスの
混合ガスをマイクロ波エネルギーによって分解し、プラ
ズマ化する。
【００２０】このプラズマによって、ウエハホルダ１１
上のウエハＷのアッシング処理が行なわれる。
上のウエハＷのアッシング処理が行なわれる。
【００２１】図２は上記の基板処理装置を用いた基板処
理方法であるウエハ等基板のアッシングを説明するもの
で、同図の（ａ）に示すように、基板１上には、レジス
ト２のパターンが形成されており、このレジスト２のパ
ターンをマスクとして基板１にイオン注入するには、例
えば、リンイオンＰをイオン加速エネルギー８０Ｋｅ
Ｖ、注入量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の条件で注入す
る（図２の（ｂ）参照）。このイオン注入時にイオンの
運動エネルギーが熱エネルギーに変換されて熱変化を起
こし、図２の（ｃ）に示すように硬化層３が形成され
る。このように硬化層３を有するレジスト２を、適量の
水蒸気とＳＦ6 もしくは、ＮＦ3 を主成分とする混合ガ
スによるプラズマを用いたアッシングによって除去す
る。
理方法であるウエハ等基板のアッシングを説明するもの
で、同図の（ａ）に示すように、基板１上には、レジス
ト２のパターンが形成されており、このレジスト２のパ
ターンをマスクとして基板１にイオン注入するには、例
えば、リンイオンＰをイオン加速エネルギー８０Ｋｅ
Ｖ、注入量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の条件で注入す
る（図２の（ｂ）参照）。このイオン注入時にイオンの
運動エネルギーが熱エネルギーに変換されて熱変化を起
こし、図２の（ｃ）に示すように硬化層３が形成され
る。このように硬化層３を有するレジスト２を、適量の
水蒸気とＳＦ6 もしくは、ＮＦ3 を主成分とする混合ガ
スによるプラズマを用いたアッシングによって除去す
る。
【００２２】従来例のようにＯ2 とＣＦ4 の混合ガスプ
ラズマを用いた場合に比べて、基板１の表面の下地酸化
膜のエッチング量が少なくて、しかも、アッシング時間
が１／３〜２／３に短縮され、アッシング後の残渣も従
来例の１／３程度になる。
ラズマを用いた場合に比べて、基板１の表面の下地酸化
膜のエッチング量が少なくて、しかも、アッシング時間
が１／３〜２／３に短縮され、アッシング後の残渣も従
来例の１／３程度になる。
【００２３】このような効果が現れるメカニズムは、フ
ッ素ラジカルが、イオン注入により変質した硬化層３の
ポリマー主鎖、側鎖を切断し、切断した端面に、水素、
または、酸素、またはフッ素等が結合して、揮発するこ
とにより、効率的にレジスト除去が行なわれるものと考
えられる。
ッ素ラジカルが、イオン注入により変質した硬化層３の
ポリマー主鎖、側鎖を切断し、切断した端面に、水素、
または、酸素、またはフッ素等が結合して、揮発するこ
とにより、効率的にレジスト除去が行なわれるものと考
えられる。
【００２４】その際、イオン注入によって、硬化層３中
に進入したリン、ヒソ等のイオン注入種は、フッ素Ｆ、
水素Ｈと結合して気化するものと思われる。
に進入したリン、ヒソ等のイオン注入種は、フッ素Ｆ、
水素Ｈと結合して気化するものと思われる。
【００２５】また、酸素を主体とする酸素プラズマアッ
シングに比べて、酸素の絶対数が少ないため、図２の
（ｄ）に示すように、基板１の表面に残るリン、ヒソ等
の酸化物Ｍの量も少なく、後処理の薬液処理に与える負
担が少ない。
シングに比べて、酸素の絶対数が少ないため、図２の
（ｄ）に示すように、基板１の表面に残るリン、ヒソ等
の酸化物Ｍの量も少なく、後処理の薬液処理に与える負
担が少ない。
【００２６】さらに、水蒸気が、フッ素Ｆをトラップす
るため、フッ素濃度の微量のコントロールがしやすく、
基板１の表面にわずかの割合だが吸着すると考えられる
原子状のフッ素による下地酸化膜のエッチング量も、常
時数オングストローム以下に安定して抑えられる。
るため、フッ素濃度の微量のコントロールがしやすく、
基板１の表面にわずかの割合だが吸着すると考えられる
原子状のフッ素による下地酸化膜のエッチング量も、常
時数オングストローム以下に安定して抑えられる。
【００２７】通常、イオン注入したレジストをアッシン
グする場合、イオン注入レジストのバーストを避けるた
めに、１５０℃以下の低温でアッシングを行なう。量産
工程では装置の管理上、他のアッシング工程とアッシン
グ温度を揃え、１５０℃以上でアッシングする場合もあ
る。この場合、硬化層と非硬化層の熱膨張率の違いか
ら、レジストパターンがバーストを起こすことがあり、
バーストしたレジスト欠片が重なり合い、硬化層成分を
含んだ残渣がアッシング後も残ることがある。
グする場合、イオン注入レジストのバーストを避けるた
めに、１５０℃以下の低温でアッシングを行なう。量産
工程では装置の管理上、他のアッシング工程とアッシン
グ温度を揃え、１５０℃以上でアッシングする場合もあ
る。この場合、硬化層と非硬化層の熱膨張率の違いか
ら、レジストパターンがバーストを起こすことがあり、
バーストしたレジスト欠片が重なり合い、硬化層成分を
含んだ残渣がアッシング後も残ることがある。
【００２８】ウエハ温度が同じであれば、本実施の形態
による基板処理方法はアッシングレートが高く、下地酸
化膜のエッチング量が少ないため、従来技術に比べて優
っていると考えられる。
による基板処理方法はアッシングレートが高く、下地酸
化膜のエッチング量が少ないため、従来技術に比べて優
っていると考えられる。
【００２９】なお、本実施の形態によるプラズマアッシ
ングには、マイクロ波によるプラズマの他に、高周波に
よる平行平板プラズマ、もしくは、ＥＣＲプラズマ、ヘ
リコンプラズマ、ＩＣＰによるプラズマ、またはこれら
のプラズマの下流（ダウンフロー）で行なわれるアッシ
ング方法が用いられる。
ングには、マイクロ波によるプラズマの他に、高周波に
よる平行平板プラズマ、もしくは、ＥＣＲプラズマ、ヘ
リコンプラズマ、ＩＣＰによるプラズマ、またはこれら
のプラズマの下流（ダウンフロー）で行なわれるアッシ
ング方法が用いられる。
【００３０】また、本実施の形態によるプラズマアッシ
ングに用いられる混合ガスは、水蒸気とＳＦ6 、また
は、水蒸気とＮＦ3 の混合ガスを用いるのが望ましい。
ガスの混合比については、フッ素濃度が高すぎると、露
出した下地酸化膜を必要以上にエッチングする可能性が
あるので、エッチング量にあわせた適量範囲に調節す
る。
ングに用いられる混合ガスは、水蒸気とＳＦ6 、また
は、水蒸気とＮＦ3 の混合ガスを用いるのが望ましい。
ガスの混合比については、フッ素濃度が高すぎると、露
出した下地酸化膜を必要以上にエッチングする可能性が
あるので、エッチング量にあわせた適量範囲に調節す
る。
【００３１】（実施例１）レジストのバーストの起きな
いウエハ温度が１３０℃付近で処理する。図１のマイク
ロ波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホル
ダ上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整
バルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、所定の流量の混合ガスを導入する。この実施例
では、水蒸気すなわちＨ2 Ｏガスを４００ｓｃｃｍ程
度、ＳＦ6 を８０ｓｃｃｍ程度供給した。こうして、プ
ラズマ発生室内を大気圧より低い所定の圧力状態に保
つ。具体的には、６５．５Ｐａ程度に維持することが望
ましい。なお、ウエハ温度は、１３０℃に保たれてい
る。そして、マイクロ波出力の強度を調整する調整手段
をもつマイクロ波発振器を動作させて、マイクロ波を発
生させる。発生したマイクロ波を導波管に沿って伝播さ
せ、アルミナもしくは石英からなるマイクロ波透過窓を
介してプラズマ発生室内に供給する。供給されたマイク
ロ波エネルギーにより、処理ガスは、分解しプラズマ状
態になる。この結果、図２に示すようなアッシングが行
なわれ、アッシング時間は、１００秒であった。同条件
で、熱酸化膜のエッチングレートを調べたところ下地酸
化膜のエッチング量は、３オングストローム程度であっ
た。このときの残渣数を測定するため、パーティクルカ
ウンターで残渣数を調べたところ、０．２μｍ以上のパ
ーティクルが、７０個程度だった。
いウエハ温度が１３０℃付近で処理する。図１のマイク
ロ波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホル
ダ上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整
バルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、所定の流量の混合ガスを導入する。この実施例
では、水蒸気すなわちＨ2 Ｏガスを４００ｓｃｃｍ程
度、ＳＦ6 を８０ｓｃｃｍ程度供給した。こうして、プ
ラズマ発生室内を大気圧より低い所定の圧力状態に保
つ。具体的には、６５．５Ｐａ程度に維持することが望
ましい。なお、ウエハ温度は、１３０℃に保たれてい
る。そして、マイクロ波出力の強度を調整する調整手段
をもつマイクロ波発振器を動作させて、マイクロ波を発
生させる。発生したマイクロ波を導波管に沿って伝播さ
せ、アルミナもしくは石英からなるマイクロ波透過窓を
介してプラズマ発生室内に供給する。供給されたマイク
ロ波エネルギーにより、処理ガスは、分解しプラズマ状
態になる。この結果、図２に示すようなアッシングが行
なわれ、アッシング時間は、１００秒であった。同条件
で、熱酸化膜のエッチングレートを調べたところ下地酸
化膜のエッチング量は、３オングストローム程度であっ
た。このときの残渣数を測定するため、パーティクルカ
ウンターで残渣数を調べたところ、０．２μｍ以上のパ
ーティクルが、７０個程度だった。
【００３２】（比較例１）レジストのバーストの起きな
いウエハ温度が１３０℃付近で処理する。図１のマイク
ロ波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホル
ダ上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整
バルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、Ｏ2 ガスを５００ｓｃｃｍ程度、ＣＦ4 を１ｓ
ｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズマ発生室内を大
気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具体的には、６
５．５Ｐａ程度に維持することが望ましい。なお、ウエ
ハ温度は、１３０℃に保たれている。そして、マイクロ
波出力の強度を調整する調整手段をもつマイクロ波発振
器を動作させて、マイクロ波を発生させる。発生したマ
イクロ波を導波管に沿って伝播させ、アルミナもしくは
石英からなるマイクロ波透過窓を介してプラズマ発生室
内に供給する。供給されたマイクロ波エネルギーによ
り、処理ガスは、分解しプラズマ状態になる。この結果
アッシングが行なわれ、アッシング時間は、３００秒で
あった。同条件で、熱酸化膜のエッチングレートを調べ
たところ下地酸化膜のエッチング量は、５０オングスト
ローム程度であった。このときの残渣数を測定するた
め、パーティクルカウンターで残渣数を調べたところ、
０．２μｍ以上のパーティクルが、１５０個程度だっ
た。
いウエハ温度が１３０℃付近で処理する。図１のマイク
ロ波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホル
ダ上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整
バルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、Ｏ2 ガスを５００ｓｃｃｍ程度、ＣＦ4 を１ｓ
ｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズマ発生室内を大
気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具体的には、６
５．５Ｐａ程度に維持することが望ましい。なお、ウエ
ハ温度は、１３０℃に保たれている。そして、マイクロ
波出力の強度を調整する調整手段をもつマイクロ波発振
器を動作させて、マイクロ波を発生させる。発生したマ
イクロ波を導波管に沿って伝播させ、アルミナもしくは
石英からなるマイクロ波透過窓を介してプラズマ発生室
内に供給する。供給されたマイクロ波エネルギーによ
り、処理ガスは、分解しプラズマ状態になる。この結果
アッシングが行なわれ、アッシング時間は、３００秒で
あった。同条件で、熱酸化膜のエッチングレートを調べ
たところ下地酸化膜のエッチング量は、５０オングスト
ローム程度であった。このときの残渣数を測定するた
め、パーティクルカウンターで残渣数を調べたところ、
０．２μｍ以上のパーティクルが、１５０個程度だっ
た。
【００３３】（実施例２）レジストのバーストが起きる
ウエハ温度が１３０℃以上で処理する。図１のマイクロ
波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホルダ
上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整バ
ルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、所定の流量の混合ガスを導入する。この実施例
では、水蒸気すなわちＨ2 Ｏガス４００ｓｃｃｍ程度、
ＳＦ6を８０ｓｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズ
マ発生室内を大気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具
体的には、６５．５Ｐａ程度に維持することが望まし
い。なお、ウエハ温度は、２００℃に保たれている。そ
して、マイクロ波出力の強度を調整する調整手段をもつ
マイクロ波発振器を動作させて、マイクロ波を発生させ
る。発生したマイクロ波を導波管に沿って伝播させ、ア
ルミナもしくは石英からなるマイクロ波透過窓を介して
プラズマ発生室内に供給する。供給されたマイクロ波エ
ネルギーにより、処理ガスは、分解しプラズマ状態にな
る。この結果、図２に示すようなアッシングが行なわ
れ、アッシング時間は、５０秒であった。同条件で、熱
酸化膜のエッチングレートを調べたところ下地酸化膜の
エッチング量は、６オングストローム程度であった。こ
のときの残渣数を測定するため、パーティクルカウンタ
ーで残渣数を調べたところ、０．２μｍ以上のパーティ
クルが、３０００個程度だった。
ウエハ温度が１３０℃以上で処理する。図１のマイクロ
波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホルダ
上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整バ
ルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、所定の流量の混合ガスを導入する。この実施例
では、水蒸気すなわちＨ2 Ｏガス４００ｓｃｃｍ程度、
ＳＦ6を８０ｓｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズ
マ発生室内を大気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具
体的には、６５．５Ｐａ程度に維持することが望まし
い。なお、ウエハ温度は、２００℃に保たれている。そ
して、マイクロ波出力の強度を調整する調整手段をもつ
マイクロ波発振器を動作させて、マイクロ波を発生させ
る。発生したマイクロ波を導波管に沿って伝播させ、ア
ルミナもしくは石英からなるマイクロ波透過窓を介して
プラズマ発生室内に供給する。供給されたマイクロ波エ
ネルギーにより、処理ガスは、分解しプラズマ状態にな
る。この結果、図２に示すようなアッシングが行なわ
れ、アッシング時間は、５０秒であった。同条件で、熱
酸化膜のエッチングレートを調べたところ下地酸化膜の
エッチング量は、６オングストローム程度であった。こ
のときの残渣数を測定するため、パーティクルカウンタ
ーで残渣数を調べたところ、０．２μｍ以上のパーティ
クルが、３０００個程度だった。
【００３４】（比較例２）レジストのバーストが起きる
ウエハ温度が１３０℃以上で処理する。図１のマイクロ
波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホルダ
上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整バ
ルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、Ｏ2 ガスを５００ｓｃｃｍ程度、ＣＦ4 を１ｓ
ｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズマ発生室内を大
気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具体的には、６
５．５Ｐａ程度に維持することが望ましい。なお、ウエ
ハ温度は、２００に保たれている。そして、マイクロ波
出力の強度を調整する調整手段をもつマイクロ波発振器
を動作させて、マイクロ波を発生させる。発生したマイ
クロ波を導波管に沿って伝播させ、アルミナもしくは石
英からなるマイクロ波透過窓を介してプラズマ発生室内
に供給する。供給されたマイクロ波エネルギーにより、
処理ガスは、分解しプラズマ状態になる。この結果アッ
シングが行なわれ、アッシング時間は、１００秒であっ
た。同条件で、熱酸化膜のエッチングレートを調べたと
ころ下地酸化膜のエッチング量は、１００オングストロ
ーム程度であった。このときの残渣数を測定するため、
パーティクルカウンターで残渣数を調べたところ、０．
２μｍ以上のパーティクルが、１００００個程度だっ
た。
ウエハ温度が１３０℃以上で処理する。図１のマイクロ
波プラズマ処理装置のプラズマ発生室内のウエハホルダ
上にガラス基板や石英基板等のウエハを載置し、調整バ
ルブを開いて、プラズマ発生室内を排気口より排気す
る。次にガス供給管より処理ガスを導入する。排気口に
対して連通して設けられたマスフローコントローラを調
整して、Ｏ2 ガスを５００ｓｃｃｍ程度、ＣＦ4 を１ｓ
ｃｃｍ程度供給した。こうして、プラズマ発生室内を大
気圧より低い所定の圧力状態に保つ。具体的には、６
５．５Ｐａ程度に維持することが望ましい。なお、ウエ
ハ温度は、２００に保たれている。そして、マイクロ波
出力の強度を調整する調整手段をもつマイクロ波発振器
を動作させて、マイクロ波を発生させる。発生したマイ
クロ波を導波管に沿って伝播させ、アルミナもしくは石
英からなるマイクロ波透過窓を介してプラズマ発生室内
に供給する。供給されたマイクロ波エネルギーにより、
処理ガスは、分解しプラズマ状態になる。この結果アッ
シングが行なわれ、アッシング時間は、１００秒であっ
た。同条件で、熱酸化膜のエッチングレートを調べたと
ころ下地酸化膜のエッチング量は、１００オングストロ
ーム程度であった。このときの残渣数を測定するため、
パーティクルカウンターで残渣数を調べたところ、０．
２μｍ以上のパーティクルが、１００００個程度だっ
た。
【００３５】なお、実施例２のパーティクル数３０００
個は、比較的大きい数字に見えるが、酸素のみのアッシ
ングの場合、一般に数万個レベルであることから、剥離
性は良好であることがわかる。また、１９８８年（平成
元年）秋季第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会２７Ｐ−Ｌ−２の予稿に記載されているイ
オン注入レジストの剥離に特化したハードとプロセス
（水素イオンで硬化層ポリマーを破壊しその切片に水素
を供給し、有機成分、イオン注入種を水素と化合させ完
全に気化させる。）を用いている水素ＲＩＥ＋ダウンフ
ローアッシングのレベルでも０．２μｍのパーティクル
数は、２０００個レベルであり、本発明においては、専
用のプラズマ装置を用いなくても、通常のプラズマ装置
で同レベルの剥離性能がある。
個は、比較的大きい数字に見えるが、酸素のみのアッシ
ングの場合、一般に数万個レベルであることから、剥離
性は良好であることがわかる。また、１９８８年（平成
元年）秋季第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会２７Ｐ−Ｌ−２の予稿に記載されているイ
オン注入レジストの剥離に特化したハードとプロセス
（水素イオンで硬化層ポリマーを破壊しその切片に水素
を供給し、有機成分、イオン注入種を水素と化合させ完
全に気化させる。）を用いている水素ＲＩＥ＋ダウンフ
ローアッシングのレベルでも０．２μｍのパーティクル
数は、２０００個レベルであり、本発明においては、専
用のプラズマ装置を用いなくても、通常のプラズマ装置
で同レベルの剥離性能がある。
【００３６】ところで、ＳＦ6 の添加量は、上記の実施
例では、１６％程度であるが、これ以下の範囲では、ア
ッシング時間が多少長くなるが、下地酸化膜のエッチン
グ量は少なくなる。従って、添加量と下地酸化膜エッチ
ングの防止に関してはマージンの広いプロセスといえ
る。
例では、１６％程度であるが、これ以下の範囲では、ア
ッシング時間が多少長くなるが、下地酸化膜のエッチン
グ量は少なくなる。従って、添加量と下地酸化膜エッチ
ングの防止に関してはマージンの広いプロセスといえ
る。
【００３７】次に上記説明した基板処理方法を利用した
デバイス製造方法を説明する。図３は半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネル
やＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
原版であるマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５
（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
デバイス製造方法を説明する。図３は半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネル
やＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
原版であるマスクを製作する。ステップ３（ウエハ製
造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記
用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術に
よってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５
（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こ
うした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００３８】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では露光装置によってマスクの回路パ
ターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）
では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで
不要となったレジストを、前述の基板処理方法によっ
て、取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本発明のデバイス製造方法を用いれば、従来は製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造すること
ができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では露光装置によってマスクの回路パ
ターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）
では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで
不要となったレジストを、前述の基板処理方法によっ
て、取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本発明のデバイス製造方法を用いれば、従来は製造
が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造すること
ができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【００４０】フッ素を含むガスを用いるプラズマアッシ
ングにおいて、下地酸化膜のエッチング量を数オングス
トロームにとどめ、かつイオン注入レジストのアッシン
グ時間を大幅に短縮し、レジストの剥離性を向上させる
ことができる。これによって、アッシングに続く薬液処
理の負担を低下させてコストを削減し、半導体デバイス
等の歩留まり向上等に貢献できる。
ングにおいて、下地酸化膜のエッチング量を数オングス
トロームにとどめ、かつイオン注入レジストのアッシン
グ時間を大幅に短縮し、レジストの剥離性を向上させる
ことができる。これによって、アッシングに続く薬液処
理の負担を低下させてコストを削減し、半導体デバイス
等の歩留まり向上等に貢献できる。
【図１】一実施の形態による基板処理装置を示す模式図
である。
である。
【図２】一実施の形態による基板処理方法を説明する図
である。
である。
【図３】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図４】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図５】一従来例による基板処理方法を説明する図であ
る。
る。
１ 基板 ２ レジスト ３ 硬化層 １０ プラズマ発生室 １１ ウエハホルダ １２ 導波管 １４ ガス供給管 １５ マスフローコントローラ １６ 真空ポンプ １７ 調整バルブ
フロントページの続き (72)発明者 品川 啓介 東京都港区三田３丁目11番28号 キヤノン 販売株式会社内 (72)発明者 山本 仁 東京都港区三田３丁目11番28号 キヤノン 販売株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 HA30 JA04 LA08 5F004 AA16 BA20 BD01 DA00 DA01 DA17 DA18 DA25 DA26 DB26 FA02 5F046 MA05 MA12
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン注入されたレジストのアッシング
工程において、水蒸気とフッ素系ガスを主成分とする混
合ガスによるプラズマを用いて前記レジストを除去する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 フッ素系ガスが、ＳＦ6 またはＮＦ3 を
含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。 - 【請求項３】 排気手段を有するチャンバと、該チャン
バ内で基板を保持するための基板保持手段と、前記チャ
ンバに水蒸気とフッ素系ガスを導入するガス導入手段
と、前記チャンバ内にプラズマを発生させるためのプラ
ズマ発生手段を有する基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の基板処理方法に
よってウエハを処理する工程を有するデバイス製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046984A JP2001237229A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000046984A JP2001237229A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237229A true JP2001237229A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18569308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000046984A Pending JP2001237229A (ja) | 2000-02-24 | 2000-02-24 | 基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237229A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713707B1 (ko) | 2006-05-04 | 2007-05-04 | 한국기계연구원 | 반도체 웨이퍼 및 ｆｐｄ기판의 포토레지스트 제거용베이퍼 시스템 및 방법 |
| CN113272985A (zh) * | 2019-01-15 | 2021-08-17 | 应用材料公司 | 用于hmdso热稳定性的方法 |
| KR20210106622A (ko) | 2020-02-20 | 2021-08-31 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
-
2000
- 2000-02-24 JP JP2000046984A patent/JP2001237229A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713707B1 (ko) | 2006-05-04 | 2007-05-04 | 한국기계연구원 | 반도체 웨이퍼 및 ｆｐｄ기판의 포토레지스트 제거용베이퍼 시스템 및 방법 |
| CN113272985A (zh) * | 2019-01-15 | 2021-08-17 | 应用材料公司 | 用于hmdso热稳定性的方法 |
| US12041840B2 (en) | 2019-01-15 | 2024-07-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for HMDSO thermal stability |
| KR20210106622A (ko) | 2020-02-20 | 2021-08-31 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 애싱 장치 |
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