JP2001237334A - マイクロシステムをインサイチュで気密的にカプセル封入する方法 - Google Patents

マイクロシステムをインサイチュで気密的にカプセル封入する方法

Info

Publication number
JP2001237334A
JP2001237334A JP2000381733A JP2000381733A JP2001237334A JP 2001237334 A JP2001237334 A JP 2001237334A JP 2000381733 A JP2000381733 A JP 2000381733A JP 2000381733 A JP2000381733 A JP 2000381733A JP 2001237334 A JP2001237334 A JP 2001237334A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
metal
microsystem
passage
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000381733A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4777510B2 (ja
Inventor
Francois Gueissaz
フランソワ・ゲイサーズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asulab AG
Original Assignee
Asulab AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asulab AG filed Critical Asulab AG
Publication of JP2001237334A publication Critical patent/JP2001237334A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4777510B2 publication Critical patent/JP4777510B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J13/00—Colloid chemistry, e.g. the production of colloidal materials or their solutions, not otherwise provided for; Making microcapsules or microballoons
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00293—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with processes not provided for in B81C1/00285
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H10W74/124—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed the encapsulations having cavities other than that occupied by chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60—Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Auxiliary Devices For And Details Of Packaging Control (AREA)
  • Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 インサイチュでマイクロシステムを気密的に
カプセル封入するための方法を提供する。 【解決手段】 基板１に堆積された金属接着層４により
囲まれたいくつかのマイクロシステム６を共通基板１の
上に装着する。次に、各マイクロシステムを完全に覆う
ように、各マイクロシステム６とそれを囲む接着層４の
環状ゾーンに第１の金属層７を堆積する。続いて、第１
の層の大部分を覆うように第１の金属層７と接着層に第
２の金属層９を堆積する。その際、第２の金属層には第
１の層７へ達する少なくとも１つの通路１０を形成す
る。通路１０を介して第１の層７を選択的な化学エッチ
ングにより除去し、通路１０が各マイクロシステムを気
密的に封入する金属カプセルを得るために密閉する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインサイチュ（in s
itu）でマイクロシステムを気密的にカプセル封入する
ための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板に装着された少なくとも１つのマイ
クロシステムがインサイチュに製作された金属カプセル
にカプセル封入される。「装着」は予め製作したマイク
ロシステムを基板の上に置くこと、または基板にインサ
イチュにマイクロシステムを製作することのいずれかを
意味する。好ましくは、いくつかのミクロン単位の寸法
のマイクロシステムが同一の基板の上に共に製造され
る。マイクロシステムを封入するカプセル封入は気密的
に密封され、かつ、前記マイクロシステムがカプセル内
で自由に動くことができるようにしておく必要がある。
【０００３】「マイクロシステム」は、カプセル封入さ
れた後も自由に動作することができるようにしておく必
要がある３次元構造、すなわちリード接触器（reed con
tactor）、加速度計、マイクロモータ、ミクロン単位の
センサのような、マイクロ光電子機械装置（ＭＯＥＭ
Ｓ）またはマイクロ電子機械装置（ＭＥＭＳ）を意味す
る。マイクロシステムの構造は絶縁基板の上、または予
め製作されている集積回路を含む基板の上に製作されて
もよい。後者の場合には、集積回路の金属接触パッドを
用いてマイクロシステムの一部を形成する金属層を堆積
させ、前記集積回路にマイクロシステムを電気的に接続
することが可能である。
【０００４】同一出願人によるスイス特許第６８８２１
３号に、リード接触器すなわちミクロン単位のストリッ
プを持つ接触器およびその製造方法がある。接触器は、
静止状態で互いにある距離にある金属ストリップを含
み、ストリップは電解的手段によりいくつかの段階によ
って作られ基準設置面に取り付けられている。ストリッ
プは、電解法で堆積された鉄とニッケルとの合金で形成
されている。その合金は強磁性であるという特性を持つ
ため、磁場が通過して引き合う力が生じるとストリップ
は互いに接触することができる。この接触器は、例えば
エポキシ接着材料を用いて基準設置面上に固定されてい
る中空のカバーの下にカプセル封入されている。基準設
置面は、ガラス基板またはシリコン基板の表面を酸化す
ることにより得られる絶縁層でよい。カバーは、化学エ
ッチングで空隙を形成したガラス板で形成される。この
板は、エッチングした空隙それぞれに各接触器を密閉で
きる。板は、基準設置面上に接着されるか、共晶はんだ
または陽極はんだによりはんだ付けされてよい。最終処
理において、製作され密封された多数の接触器は、切断
つまりダイシング処理により分離される。
【０００５】この型の実施形態において、接触器を製造
する基板とは別にガラス板を機械加工することが必要で
ある。これは欠点を生み出す。更に板は、エポキシ接着
材料を用いて基板面に正確に接合される必要がある。エ
ポキシ樹脂は、水を吸収して接触器の作動を妨げる可能
性のある物質を脱気するため、密封は長期間に亘って気
密的ではない。他の実施形態において、接触器をカプセ
ル封入する熱処理は、破壊的なこともある。
【０００６】スイス特許第６８８２１３号において、金
属ストリップ間の接触抵抗を測定する際に、接触器をカ
プセル封入する前には同一の基板に製作された全ての接
触器の接触抵抗の平均が１０オーム付近に集中すること
にも留意されたい。そのカプセル封入の後、接触抵抗の
平均は、１０から６０オームに上昇するのが測定され
た。
【０００７】欧州特許第０ ３０２ １６５号には、打
抜き加工により形成され、集積回路の金属ドームとして
働くスズ薄板が開示されている。打抜き薄板は、次に、
集積回路をドームの下に閉じ込めるように、集積回路が
配置されているベースプレート上に接合される。続い
て、組立体全体はポリスチレンの層で被覆される。上に
説明したように、接着材料は、マイクロシステムに対し
て汚染を引き起こすことがある。その結果、接着材料
は、気密的カプセル封入を保証できない。また、打抜き
加工ではインサイチュでドームを設計することができな
い。更にこのような打抜き薄板は、各マイクロシステム
に個々に配置する必要があり、同一の基板に装着された
数個のマイクロシステムのカプセル封入が複雑になる。
【０００８】マイクロ機械と電子との複合装置の分野に
おいて、犠牲層を用いることはすでに知られている。例
えば集積回路とセンサとの間に金属橋を製作したいと考
える場合を挙げることができる。一方、マイクロシステ
ムを気密的に金属でカプセル封入する場合に、犠牲層を
用いることは知られていない。
【０００９】米国特許第５，７９８，２８３号は、少な
くとも１つの電子回路を持つマイクロ電子機械装置を製
造する方法を開示している。例えばシリコンで製作され
た基板に、マイクロ機械を収容するために空隙がエッチ
ングされる。マイクロ機械は、自由に動くことができる
部材を得るために、異なるポリシリコンの層を用いて組
み立てられる。装置は、集積回路を製作する次に続く段
階を実行することができるように、シリコン酸化物また
は窒化物の層を用いて保護される必要がある。マイクロ
機械装置の保護は、７００℃より高いこともあるドープ
剤拡散温度（例えばホウ素、リン）からそれを保護する
ために必要である。このような温度は、融点が低いある
特定の金属で設計された前記マイクロ機械装置の部材を
部分的に破壊することもある。このような保護層はま
た、ポリシリコンが回避するべく関わっていれば、前記
部材のドーピングを避けることを可能にする。
【００１０】集積回路の作業が終了すれば、ＳｉＯ２ま
たはＳｉ３Ｎ４層の上に置かれた保護層に配置された２
つの開口部により、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４層が化学
エッチングで部分的に除去される。このようにして、マ
イクロ機械装置を解放し、自由に動くことができるよう
にしておくことができる。除去の際には、集積回路がマ
イクロ機械装置に隣接して組み立てられているため。側
方のエッチングが大きくなりすぎないように事前の対策
が必要がある。
【００１１】保護層に２つの開口部を設ける代わりに、
１つの多孔性ポリシリコン層のみを用いて、化学エッチ
ング、特にフッ化水素酸を用いることによりポリシリコ
ン層を介してＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４層を除去し、そ
の後脱イオン水ですすぐことが考えられても良いであろ
う。
【００１２】前記特許の方法にはいくつか欠点を挙げる
ことができる。まず、カプセル封入に非金属層が用いら
れている。更に、マイクロ電子の分野で用いられるのと
類似のエッチング技術により、マイクロシステムを収容
するために予め基板に空隙を設ける必要がある。また、
マイクロシステムは、対応する集積回路が高温に耐え得
る層で製作される際に保護される必要がある。従って、
気密的に金属でカプセル封入するために、金属層を特に
電解的手段を用いて前記マイクロ機械装置に堆積させる
ことは当然である。
【００１３】欧州特許第０ ４３５ ５３０号は、金属
層の１つが電解的手段により堆積された金属層により気
密密封された電子システムを開示している。電子システ
ムは、高密度相互接続（ＨＤＩ）を持つ異なる集積回路
の組み合わせである。このような回路は、ガラスまたは
セラミックの基板のマイクロ機械処理された空隙に収容
され、ポリマーを用いて接合される。第１の金属層、特
にクロムまたはスズの層は、異なる回路の相互接続のた
めに張り出している誘電体層上にスパッタリングされ
る。第１の層は、構造全体を被覆し、基板の表面に接触
することになる。続いて、第１の層の上に第２の金属層
が電解的手段で堆積され、回路を妨害する可能性のある
種々の汚染部材に対して厚い保護層を生成する。
【００１４】欧州特許第０ ４３５ ５３０号は、リー
ド型接触器のようなマイクロシステムのカプセル封入の
製作を教示していない。欠点の１つは、回路を接合する
のに用いられているポリマーが気体を生成、すなわち脱
気することである。このため、それは、接触器の適切な
作動に関して目立つであろう欠点を生じる。更に、カプ
セルを形成する次の金属層の堆積の後に除去される犠牲
金属層を介して金属カプセルを生成することは考えられ
ていないことに留意されたい。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の１つ
は、前述の先行技術の欠点を克服する、インサイチュで
マイクロシステムを気密的にカプセル封入する方法を提
供することである。本発明の他の目的は、最高３５０℃
より低い温度でマイクロシステムをカプセル封入するた
めに、金属層の電着により金属カプセルを製作できるよ
うにすることである。これにより、特に７００℃を超
え、１３００℃になることもある温度で集積回路に対し
てリンまたはホウ素の拡散が起こる先行技術の方法の欠
点を克服する。本発明の他の目的は、気密的にカプセル
封入した後に接触抵抗値のばらつきが大きくなるのを避
けることである。マイクロシステムは、不活性または還
元ふん囲気内になければならない接触器である可能性も
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】他の目的に加えこのよう
な目的は、第１フェーズで、基板に堆積した金属接着層
で囲まれるいくつかのマイクロシステムが共通の基板に
装着されているマイクロシステムをインサイチュで気密
的にカプセル封入するための方法の結果として達成され
る。この方法は、第２フェーズで、共通の堆積操作で、
オーバーラップさせて各マイクロシステムを完全に覆う
ために、第１の金属層が各マイクロシステムおよび各マ
イクロシステムを囲む接着層の環状ゾーンに堆積される
段階と、前記第１の層の表面の大部分を覆うように、第
２の金属層が電解的手段で第１の層および接着層に堆積
される段階であって、第１の層の金属が接着層、第２の
層、及び、マイクロシステムの金属とは異なり、また前
記第２の層が第１の層へ達するマイクロシステム１つ当
たり少なくとも１つの通路を残している堆積される段階
と、第１の層が第２の層に配置されている各通路を介し
て選択的な化学エッチングにより除去される段階と、第
２の層の各通路が閉じられるか密封されて、各マイクロ
システムを気密的に密閉する金属カプセルを得る段階と
を含むことを特徴とする。
【００１７】本発明の方法の有利な点の１つは、いくつ
かのマイクロ構造が装着されている基板を同時に処理で
きる手段を用いて、気密的に金属でカプセル封入するこ
とである。したがって、マイクロ構造は例えばインサイ
チュで基板上に製作される。しかし、予め製作され、後
に基板上に配置されてもよい。
【００１８】本発明の方法の他の有利な点は、基板上に
製作されてマイクロシステムを密閉している金属カプセ
ルが、接着材料を用いずに保持されていることにある。
その接着材料は、一般的にマイクロシステムを妨害しが
ちな金属カプセル内の汚染成分を脱気できるポリマーを
包含している。
【００１９】こうして、金属層の堆積を用いてマイクロ
システムの金属カプセル封入を作り出すことが考えられ
た。金属層の１つは犠牲層として働く。更に、少なくと
も最終的な金属層は、電解的手段により、基板の絶縁層
に良好に接着する金属接着層に堆積される。
【００２０】このカプセルを製作するために、犠牲層と
呼ばれる第１の金属層が、好ましくは電解的手段によ
り、マイクロシステム全体および各マイクロシステムを
囲む接着層の環状ゾーンに堆積される。第１の層は、オ
ーバーラップにより各マイクロシステムを完全に覆うこ
とができる。第１の層を堆積した後には、覆われたマイ
クロシステムはドーム形に見える。次に、第２の金属層
が電解的手段により第１の層上に堆積され、前記第２の
層は、第１の層へ達する通路を持つ。
【００２１】第１の層は、第２の層、接着層、及び、マ
イクロシステムを形成する金属とも異なる金属で形成さ
れる。第１の層は、犠牲層として働き、第２の層にある
少なくとも１つの通路を介して化学エッチングすること
により選択的に除去され、金属カプセルを製作すること
ができる。最終的なカプセル封入段階において、気密的
にカプセルを密封するために、カプセルの内部でマイク
ロシステムを不活性または還元ふん囲気の中に保ちつ
つ、第２の層にある１つまたは複数の通路を密封する必
要がある。
【００２２】「金属」は、ある特定の金属に依存してい
る全ての金属合金を含む。電着技術は、マイクロシステ
ムの高品質なカプセル封入を低価格でもたらす。本発明
の他の有利な点は、米国特許第５，７９８，２８３号に
記載のようにマイクロシステムに隣接して配置される集
積回路を続いて製造する際に、マイクロシステムを保護
する必要がないことである。例えば、マイクロ接触器の
場合には、このようなカプセル封入の段階は周囲温度で
も行える。
【００２３】方法の準備フェーズにおいて、例えば、少
なくとも１つの表面が絶縁性である基板上に、マイクロ
システムを外面と電気的に接続するための導電ストリッ
プを形成してもよい。次にストリップの中央部分に絶縁
体を製作する。更に表面の金属被覆は、ストリップの１
つの端部と接続し、ストリップの絶縁体の上を通過す
る。また、この方法の第１フェーズにおいて、カプセル
封入されることになっているマイクロシステムが基板に
装着される。第２フェーズにおいて、オリフィスを閉じ
ることにより金属カプセルが形成される。その後基板を
切断して多数のカプセル封入されたマイクロシステムを
得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明は、本発明による方法の非
限定的実施形態例を示す図面を参照して更に理解される
であろう。
【００２５】図１から図５は、本発明の方法の第１の実
施形態による、マイクロシステムをインサイチュで気密
的にカプセル封入する種々の段階を示す。単純化するた
めに、これらの図には単一のマイクロシステムを示して
いるが、実際には、共通の基板の上に同時にカプセル封
入されるいくつかのマイクロシステムが装着されてい
る。
【００２６】図１ａおよび図１ｂは、基板１の一部を示
しており、この基板は、ガラスまたはセラミック板のよ
うな完全な絶縁体、または、例えば表面が酸化されて絶
縁性になっているシリコン製の基板でよい。基板の寸法
は、集積回路が製作されているシリコン基板の大きさ、
例えば、６インチ（１５２．４ミリメートル）でもよ
い。図１ａおよび図１ｂに見られる基板の一部は、同一
の基板に共通して製作されたマイクロシステムの１つの
寸法に対応している。
【００２７】図１ａおよび図１ｂに示す方法の第１フェ
ーズにおいて、まず第１に、基板１の絶縁表面に導電層
を堆積し、導電ストリップ２を形成させる。次に、絶縁
層３が導電ストリップ２の中央部のみに堆積され、絶縁
された電気通路を形成する。最後に、金属接着層４を絶
縁層３の上から更に基板に堆積する。この接着層によ
り、基板をのこ引き、つまりダイシングした後に、マイ
クロシステムの電気的接続用に、導電ストリップの１つ
の端部にのみ接続されている電気的端子５を形成するこ
とが可能な金属被覆表面が得られる。この接着層は、マ
イクロシステムおよびカプセルの組立に耐えることがで
きる。接着層は最終的に、相当な厚さの金属層とするこ
とができる電着段階のための導電面を形成する。
【００２８】導電ストリップ２を形成する導電層は、基
板にしっかりと接着し、次の絶縁層３をしっかりと接着
させる必要がある。導電層は、金属接着層４と調和し、
かつ、２つの金属層を接続する接続点での電気抵抗が小
さいことが必要である。絶縁層が先端を完全に覆うため
に、先端は負の勾配を持たないか、コーニス（cornic
e）を形成することが重要である。導電ストリップ２
は、アルミニウム、金、チタン、銅、クロム、タングス
テン、または、チタン−タングステンの合金などの材料
で製作さる。ストリップはカプセル封入の後、マイクロ
システムを外部と電気的に接続するのに有用である。
【００２９】絶縁層は絶縁基板１や導電ストリップ２
に、例えばシリコンまたは窒化シリコンＳｉ３Ｎ４のよ
うにしっかりと接着される必要がある。更に絶縁層は、
内部応力がほとんどなく、基板の熱膨張係数に近い熱膨
張係数を持ち、導電ストリップの先端を完全に覆う必要
がある。
【００３０】金属接着層４は、基板１および絶縁層３に
しっかりと接着される必要がある。金属接着層４は、ス
イス特許第６８８２１３号に具体的に記載されているよ
うに、すなわち、まず第１にチタンまたはクロムを堆積
し、次に、酸化に対する保護層として働く金で覆うよう
に、製作してもよい。第２の金属層は次の金属層を電着
するための金属ベース表面として働く。第１の金属層を
整形するための化学エッチング製品は知られているた
め、説明しないことにする。環状ゾーン７ａは、図１ａ
および図１ｂに点線で示されており、次の金属層を堆積
する位置を示す。
【００３１】接着層上にはんだ付けを使用する場合に
は、接着層のベース層を準備することが必要である。そ
のベース層は、３つの金属層で製作される。第１の金属
層は、チタンまたはクロムで形成され、ベース層を基板
に固定することを可能にする。第２の金属層は、ニッケ
ルまたはパラジウムまたはロジウムまたはルテニウムま
たはプラチナまたはモリブデンまたは他の材料で形成さ
れ、はんだがある場合には拡散障壁として働く。最後に
第３の金属層は、金で形成され、特に第１の金属層の酸
化に対する保護層として働く。
【００３２】図１ｂにおいて、金とスズの合金（Ａｕ−
Ｓｎ）またはスズと鉛の合金（Ｓｎ−Ｐｂ）のはんだ隆
起１３を所定の位置で接着層の一部として形成すること
もある。このようなはんだ隆起は以下に示すように、カ
プセルの一部を隆起上に熱圧縮する際に、金属カプセル
内にある通路をしっかりと閉じるのに用いられる。金と
スズの合金は、重量でスズ２０％および金８０％から形
成され、スズと鉛の合金は、重量でスズ６０％および鉛
４０％から形成される。
【００３３】図面に示していない実施形態において導電
ストリップ２の代わりに、基板の絶縁部分か、全体が絶
縁体の場合は基板を通過する導電性の孔を設けるか、ま
たは導電基板に絶縁された導電性の孔を設けてもよい。
絶縁基板は、ガラス板またはセラミック板でよい。この
ような孔は基板の１つの側面ではマイクロシステム６に
接続し、反対側では金属パッドに電気的に接続して、マ
イクロシステムがカプセル封入されても外部と接続する
ことができる。
【００３４】上に示した実施形態のように、導電孔が基
板を通って作られている場合には、導電ストリップ２の
絶縁段階３が考慮されないことは明らかである。
【００３５】導電ストリップ２を導電孔、特に金属被覆
孔に置き換えた場合は、接着層は、マイクロシステムの
電気的接続金属パッドを持つ金属通路を備えるようには
整形されない。この場合、パッドは基板の裏側に作られ
る。その場合、接着層は、カプセルを作る金属層を電解
的手段で堆積するために各マイクロシステムを囲むだけ
でよい。
【００３６】マイクロシステムを支持するためにシリコ
ン基板を用いる場合には、基板に堆積される導電ストリ
ップは、シリコンの導電通路で置き換えてもよい。この
ような通路は、ｎ型基板にｐ型のドーパントを用いる
か、ｐ型基板にｎ型のドーパントを用いる拡散で製作さ
れる。その導電通路の各端部は、酸化シリコン製の絶縁
層に設けられた窓により金属的に接続される。この実施
形態の有利な点の１つは、静電気保護が約束されること
である。
【００３７】マイクロシステム６は、例えばリード接触
器でもよく、以前に堆積された層を損傷することなく構
築または装着される。金属ストリップを持つ接触器を構
築するために、例えばスイス特許第６８８ ２１３号に
記載されているように、フォトレジストおよびそれを露
光するマスクを用いるいくつかの段階によって金属層を
構築する、電着技術もまた用いられる。これにより形成
されたマイクロシステムは、導電孔または導電ストリッ
プ２の１つの端部に接続される。
【００３８】インサイチュで前記マイクロシステムを製
作する代わりに、別に製造して、その後、電気接続のた
めに準備された導電ストリップまたは導電孔の一端に電
気接続して同じ基板に各々取り付けてもよい。
【００３９】図２ａおよび図２ｂにおいて、第１の犠牲
金属被覆層７が、特に電解的手段でマイクロシステム上
に、及び、図１ａおよび図１ｂにおいて各マイクロシス
テムの周囲に図示した環状ゾーン７ａ上に堆積される。
この第１の金属層は、特に銅または銅合金で作られてお
り、各マイクロシステムを完全に覆っている。
【００４０】金属接着層は、１つのマイクロシステムか
他のマイクロシステムへと分離されていない。このた
め、金属接着層は、全てのマイクロシステムを覆ってい
る第１の層の種々の部分の電着に使用することができ
る。基板上の接着層の１つの位置が電源端子に接続され
る。また、この実施形態において、第１の層の各部分に
ある１つまたは２つの開口部８が環状ゾーン内に設けら
れている。その開口部は、次の金属層を堆積する際に、
１つまたは２つの金属支持柱を形成するために接着層４
に連結するのに使用される。
【００４１】この第１の犠牲層７は、銅または銅合金な
どの金属でできており、異なる金属でできている他の金
属層に対して選択的に溶解させることができる。第１の
犠牲層７は、内部応力をほとんど含まず、優れたレベリ
ング特性を持つ必要がある。
【００４２】犠牲層を電着するために、マイクロシステ
ムおよび接着層は、まず最初にフォトレジスト層で覆わ
れる。フォトレジストはマスクを介して露光される。フ
ォトレジストの種類に応じてフォトレジストの露光部分
または非露光部分が除去される。フォトレジストの除去
部分は、マイクロシステムおよび各マイクロシステムを
囲む接着層の環状ゾーンに金属層を残す箇所である。こ
れにより、第１の金属層は、各マイクロシステムおよび
それを取り囲む環状ゾーンの上にのみ堆積することがで
きる。続いて、フォトレジストの残りが除去され、第１
の層で覆われた各マイクロシステムの周りに設けた開口
部８を介して接着層へ接近できるようにする。接着層の
環状部分の一部は、導電ストリップの絶縁体３の上に位
置する。このため、犠牲金属層の堆積は、マイクロシス
テムに接続するストリップの端部を短絡するのみであ
る。
【００４３】このような各マイクロシステムを覆う金属
のドームを生成するために、金属層は、電解的手段とは
異なる方法で堆積してもよい。例えば前記金属層は、温
度限界である３５０℃を超えることを必要としない熱蒸
着または陰極スパッタリングにより堆積してもよい。し
かし、このような他の方法は時間がかかり、従って費用
もかかる。
【００４４】図２ａおよび図２ｂに見られる第１の金属
層の開口部８は、第１の層で完全に囲まれている。しか
し開口部８は、前記第１の層の端から始まり平面的にＵ
字形の開口部の形態に設計されてもよかったことは当然
理解されるであろう。当業者は、第２の金属層を堆積す
る際に、柱または補強部分を生成することができる開口
部の全ての形を見つける方法を知るであろう。
【００４５】図３ａおよび図３ｂにおいて、金属カプセ
ルは、電解的手段で第２の金属層９を第１の犠牲金属層
７および接着層４上に、または、第１の層の一部を取り
囲む接着層の環状ゾーン上に堆積することにより製作さ
れる。前記第２の層９は、好ましくは金または金合金、
または可能性としてはクロムまたはクロム合金のような
他の金属で形成される。１つまたは２つの向かい合う通
路１０が前記第２の層４に設けられ、他の金属層に対し
て第１の犠牲層７を選択的に溶解させるために、第１の
犠牲層７へ接触することができる。前記通路１０は、長
楕円形で示されているが、円形でも正方形でもよいこと
は明らかである。
【００４６】前記第２の層９の堆積で作られた各柱１４
つまり補強部分は、通路１０の１つと、対応するマイク
ロシステム６との間に配置されている。このカプセルは
結果的に、２つの通路１０を除いてその周縁部で気密に
密封されている。更に、カプセルの２つの支持柱１４
は、カプセルの通路を閉じる最終的な段階で生じること
がある如何なる変形も阻止することができる。カプセル
の金属は、展性があり、内部ひずみがほとんどなく、良
好な被覆特性および極めて低い気孔率を持つ必要があ
る。
【００４７】各支持柱１４を囲んでいる第１の犠牲層７
は、以下に図４ａおよび図４ｂで説明するように、化学
エッチング液により除去することができる。第１の層を
溶解するために、各カプセルの通路１０を通過して、前
記柱１４の周りに化学エッチング液を通す。前述の通り
当然、第１の層７のみが各柱つまり補強部分の少なくと
も１つの側面上を通る必要があり、化学エッチングの段
階の間にその層を除去することができる。
【００４８】カプセルを製作するために１つの通路１０
および単一の支持柱１４のみを考えることができるが、
犠牲層７を除去するために２つまたはそれ以上の通路を
持つことが好ましい。例えば、２つの向かい合う通路１
０を持つことにより、処理液を流して犠牲層を除去し、
カプセルの内部をきれいにするのが容易になる。
【００４９】第１の金属層７の堆積に関して図２ａおよ
び図２ｂを参照して説明したように、フォトレジスト層
（図示しない）もまた使用される。このフォトレジスト
は、マスクを介して露光され、第１の層および第１の層
の各部分を囲んでいる接着層の環状ゾーンへ達するよう
にフォトレジストの一部を除去することができる。環状
ゾーンは、絶縁層３の上方に位置し、マイクロシステム
６が外部と電気接続するための導電ストリップ２の末端
とは接触しない。
【００５０】基板１を通る導電孔がマイクロシステム６
の外部との接続に用いられる場合には、第２の金属層９
の堆積は、当然、環状ゾーンを超えて基板全体に起こっ
てもよい。しかし通路１０は、犠牲層７へ達するように
形成される必要がある。
【００５１】図４ａおよび図４ｂにおいて、マイクロシ
ステム６の金属、例えば鉄およびニッケルをエッチング
することなく、犠牲被覆層７は、２つの通路１０を介し
て選択的に化学エッチングすることにより溶解される。
化学エッチング液は、化学エッチングによっても、犠牲
被覆層７との激しい反応によっても、マイクロシステム
６または金属カプセル９に損傷を与えるものであっては
ならない。また、金属カプセルを最終的に密封した後
に、金属カプセル内に脱気する傾向のある如何なる反応
生成物もあってはならない。
【００５２】図５ａおよび図５ｂにおいて、カプセル封
入されたマイクロシステム６は、依然として基板に固定
されている。この段階において、金属カプセルの通路１
０は、不活性または還元性ふん囲気で密封される必要が
ある。カプセル内に保護気体を噴霧する適切な器具１２
を近づける。カプセルの元の雰囲気が除去されれば、器
具が各通路１０の周りの部分１１を圧縮する。次に、器
具が熱圧着または超音波により部分１１を接着層４のベ
ース層の上に接合する。この作業の後、金属カプセルは
不透水的に密封される。支持柱１４はこの段階におい
て、マイクロシステム６の方向に伝わる変形を防ぐため
に用いられる。このように、金属カプセル９は、マイク
ロシステム６の上方に気密保護を形成する。
【００５３】図５ｃにおいて、カプセルを閉じるのに必
要な力を減少させるために、上記のように接着層の一部
を形成するはんだ隆起１３が用意される。前記はんだ隆
起上にある金属層９の通路１０の周囲の部分１１を熱圧
着すると、前記隆起の溶融と通路１０の不透水的密封と
を確実にする。
【００５４】最後の段階は、図面には示していないが、
多数のカプセル封入されたマイクロシステムを切断また
はダイシングすることにより基板から分離する段階から
成る。このように、カプセル封入されたマイクロシステ
ムは、例えば通常の周囲条件で使用することができる。
機械的保護を更に確実にするために、切断する前か後
に、各マイクロシステムを樹脂層で被覆することさえ可
能である。
【００５５】最後の金属層９がクロムから作られている
場合には、支持柱を製作しなくてもよい。クロムは延性
がないため、通路１０が閉じられている時にクロムの変
形を避ける必要がある。その場合、はんだ滴を各通路に
堆積させて固めることにより、不透水的に各金属カプセ
ルを閉じることが可能になるであろう。しかし、金また
は金合金がカプセルを製作するのにより適切である。な
ぜなら、それらは、延性があって種々の化学エッチング
液に抵抗性を有するためである。
【００５６】マイクロシステム６は、シリコンウェーハ
の上に作られた酸化シリコンの層であることが可能な板
または絶縁基板の上に組み立てられており、最終的なカ
プセル封入の前には全体の高さが５０ミクロン程度であ
る。金属カプセルが完成すると、全体の高さは１００ミ
クロンまたは更に最大１５０ミクロン程度になることも
あり、カプセルの金属の厚さは１５から２０ミクロン程
度である。このように、コンパクトな構成部品が本発明
の方法により製造される。
【００５７】方法の全段階が単一の面に実施される場合
には、カプセル封入の後、基板が切断またはダイシング
される前に、基板の背面を化学エッチングすることによ
り基板の厚さを減少させることを考えてもよい。これを
実行するためには、カプセル封入したマイクロシステム
を持つ側の基板を損傷しないように、必要な予防措置を
とる必要がある。しかし、基板が初めから薄ければ、カ
プセル封入する方法の最後で厚さを減少させる必要性が
生じない。
【００５８】電着技術の結果、厚い金属層を堆積するこ
とができ、この厚さは熱蒸着または陰極スパッタリング
では達成するのが困難である。電着技術は、カプセルを
作るのに金が使用されているにもかかわらず、そのよう
な厚さに対して費用がかからず、製造時間も短い。これ
に比較してみると、マイクロシステムを設置または構築
して次に密閉するための陥凹が設けられる先行技術によ
る基板に独立したガラス板の設計は、時間と費用がかか
る。
【００５９】図６から図９は、本発明の方法の第２の実
施形態により、マイクロシステムをインサイチュで気密
的にカプセル封入する段階を示す。このような図面の部
材は、図１から図５の部材に対応しており、同一の参照
番号を持つことに留意されたい。
【００６０】図６ａおよび図６ｂにおいては導電ストリ
ップおよび絶縁層は示されていない。特に銅または銅合
金で作られた第１の犠牲金属層７は、マイクロシステム
６を完全に覆うように、特に電解的手段で接着層４の環
状ゾーンおよびマイクロシステム６の上に堆積される。
犠牲層７の２つの延長部１５は、マイクロシステム８を
覆っている部分より幅が狭く、接着層４のはんだ隆起１
３の上を通る。この２つの延長部１５は、以下で検討す
る第２の金属層の通路を生成するのに用いられ、２つの
はんだ隆起１３と同じく、犠牲層７の両側に配置され
る。
【００６１】図７ａおよび図７ｂにおいて、特に金また
は金合金で作られた第２の金属層９は、電解的手段で犠
牲層７の上に、及び、接着層の一部の上に堆積される。
この層９は、各延長部１５を完全には覆わないように、
平面図においては各延長部１５の端部付近で終結する矩
形となっている。このようにして通路１０が、延長部１
５が第２の層９から延びた結果として作り出される。
【００６２】図７ｃは、図７ａの線ＶＩＩ−ＶＩＩで切
った断面図であり、種々の層の重ね合わせを示す。絶縁
基板の上において金属接着層４は、特に金とスズとの合
金で形成されたはんだ隆起１３を含む。犠牲層の延長部
１５は、はんだ隆起１３の上を通る。第２の金属層９
は、犠牲層の上を通り、延長部の各々の側ではんだ隆起
１３にも接続される。
【００６３】図８は、通路１０を介して化学エッチング
を用い、犠牲層を除去したところを示す。通路は、第２
の層から延びる犠牲層の延長部により得られる。そのよ
うに除去すると、マイクロシステム８は、金属カプセル
９の内部で自由である。
【００６４】図９は、器具１２を用いてはんだ隆起１３
の上に位置する第２の層の一部を圧縮し、カプセル９を
密閉するところを示す。これら部分を圧縮する間に、は
んだ隆起１３は熱せられて溶融し、そして通路１０を密
封する。通路の寸法が第２の層９の２つの補強された側
においてより小さい場合は、第１の実施形態と同様に、
補強柱を準備する必要はなくなる。通路１０の境界とな
る部分を圧縮してもマイクロシステム６を損傷すること
には決してならない。
【００６５】図１０から図１５は、本発明の方法の第３
の実施形態により、インサイチュでマイクロシステムを
気密的にカプセル封入するための段階を示す。このよう
な図面の部材は、図１から図５の部材に対応しており同
一の参照番号を持つことに留意されたい。
【００６６】図１０は、特に銅または銅合金でできてい
る犠牲金属層７が、特に電解的手段でマイクロシステム
６を完全に覆うために、マイクロシステム６を囲む金属
接着層４の環状ゾーンおよび前記マイクロシステムに堆
積したところを示す。マイクロシステム６の上に堆積し
ている犠牲層７は、それぞれのマイクロシステムの周り
の限られた環状ゾーンにのみ堆積されるため、同一基板
１上にある隣接するマイクロシステムの犠牲層と電気的
には接続しているが、接触してはいない。
【００６７】図１１は、特に金または金合金でできた第
２の金属層９、及び、特に銅または銅合金でできた、犠
牲層に類似の第３の金属層１６を電解的手段で連続して
堆積したところを示す。このような層は、犠牲層７の上
方、及び、犠牲層７を囲む環状ゾーン上に堆積される。
犠牲層７へ達する２つの通路１０が２つの層９および１
６に作られる。通路の形は、長楕円、円形、または、正
方形で可能であろう。
【００６８】連続する２つの金属堆積には、同一のフォ
トレジスト層が用いられる。第２の金属層９は、厚さが
薄く、０．５ミクロン程度であるが、第３の金属層１６
は、厚さが２０ミクロン程度であり、最終的な金属カプ
セルが機械的な応力に抵抗するようにしている。これに
より、第２の層が金または金合金で作られることが好ま
しい場合にも、費用がかからず、十分に厚いカプセルを
作ることができる。
【００６９】第３の金属層１６は、犠牲層と同一の電解
漕を使用するために犠牲層と同一の金属で作ることが好
ましい。しかし、如何なる化学エッチング剤からも第３
の金属層１６を保護することが必要である。このため図
１２に示すように、第２の層と同一の金属でできた第４
の金属層１７が、第３の層および第３の層を囲む環状ゾ
ーンに堆積される。第４の金属層は、通路１０を開放し
たまま第２の層と接続する。第３の層は、結果的に第２
の金属層と第４の金属層との間に完全に挿入されるた
め、犠牲層７を除去するための如何なる化学エッチング
液からも保護される。第４の層の厚さは、０．５ミクロ
ン程度である。
【００７０】図１３は、化学エッチング液を通路１０に
通すことにより犠牲層７を除去したところを示してお
り、第３の層は、第２および第４の層により保護されて
いる。
【００７１】図１４および図１５は、犠牲層を除去した
後の構造を示しており、マイクロシステム６は、カプセ
ル内で自由に動くことができる。例えば接触器の場合に
は、接触器の金属ストリップが自由に動くことができ
る。次にはんだ滴１８は、器具（図示しない）で各通路
１０上に矢印ｆの方向にもたらされ、通路を密封し、カ
プセルを気密的に密閉するために固まる。
【００７２】図１６から図１９は、本発明の方法の第４
の実施形態により、マイクロシステムをインサイチュで
気密的にカプセル封入する段階を示す。図面の部材は、
図１から図５の部材に対応しており、同一の参照番号を
持つことに留意されたい。
【００７３】図１６ａ、１６ｂ、及び、１６ｃにおい
て、この方法の準備段階としてマイクロシステム６の周
りに接着層４の一連のはんだ隆起１３が作られ、同じ
く、一連のはんだ隆起の内側の、マイクロシステムの隅
の部分に案内部材２０が置かれる。これらの案内部材２
０は、はんだ隆起１３および犠牲層７と異なる金属で形
成されており、特に、はんだ隆起１３より高温に耐える
ようになっている。案内部材２０は、以下に検討するよ
うに、カプセルを密閉する時に第２の層９を案内するの
に使用される。
【００７４】はんだ隆起は、マイクロシステム６に直接
接触することなく、マイクロシステムの周縁部全体に亘
って規則的に間隔をおいて配置することができる。犠牲
層７は、はんだ隆起１３の上を通らないように、電解的
手段でマイクロシステムおよび接着層４の環状ゾーンに
堆積される。そのために、フォトレジスト・マスクが事
前に設けられる。しかし、犠牲層の部分１９は、第２の
金属層に通路を生成できるように、はんだ隆起の間の空
間に配置される。図１６ｃにおいてその通路が図１６ａ
を線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩで切った断面図で示されてい
る。
【００７５】図１７において第２の金属層９は、電解的
手段により犠牲層７およびはんだ隆起１３に堆積され
る。第２の層は、犠牲層７の周縁部を超えて延びないた
め、接着層４のベース層とは接触しない。その結果、は
んだ隆起１３の間の空間に図１８に見ることができる通
路１０を備えることができるように、犠牲層の部分１９
が第２の金属層９からはみ出される。
【００７６】図１８において犠牲層７は、部分１９つま
り第２の層９の通路１０を介して、化学エッチング液を
使用することにより除去されている。この第２の層９
は、犠牲層を除去すると、一連のはんだ隆起１３の上に
載ってマイクロシステム６を保護している屋根のように
見える。
【００７７】金属カプセルを気密的に密閉するところを
図１９に示す。各々のカプセルに入った全てのマイクロ
システムを持つ基板１をオーブンに入れ、熱波２１をは
んだ隆起１３に当てて溶かす。はんだ隆起１３が溶ける
とすぐに、カプセル９は、それ自身の重みおよび毛細管
現象によりｖ方向に下がり、通路をすべて密封すること
によりマイクロシステムを気密的に密閉する。はんだ隆
起１３が溶けると、カプセルは、固定された支持点を失
うため、水平方向に移動してマイクロシステムに接触す
ることもある。図１６から図１９に４つ示されている案
内部材２０は、カプセルが水平方向に大幅に移動し、マ
イクロシステム６の適切な作動を妨害する可能性のある
位置で、はんだ隆起１３により接着層に固定されるのを
防ぐために設けられている。
【００７８】図１６から図１９には、説明のために案内
部材２０が棒の形で示されているが、この部材は他の形
を取ることもできるため、限定的なものではない。例え
ば、マイクロシステム６の２つの対向する隅部に近接し
て配置された２つの案内部材２０のみを使用してもよ
い。これらの２つの案内部材は、円筒形でもＬ字形でも
よい。当然、第２の層９の下降が確実に垂直方向だけに
起こるようにできれば、案内部材は、必ずしも使用しな
くてもよい。
【００７９】はんだ隆起１３は、金とスズの合金または
スズと鉛の合金でできており、前記隆起に載っている第
２の層９は、金または金合金でできているため、熱波２
１によってはんだ隆起１３が溶けると、隆起の合金が第
２の層に拡散する危険がある。その結果、溶融材料の量
が多すぎると、もはやマイクロシステムに十分な広さを
確保できなくなりやすい。そのような拡散を防ぐため
に、はんだ隆起１３と第２の層９との間に拡散障壁を設
置する方法を当業者は知っているであろう。
【００８０】図２０および図２１は、本発明の方法の第
５の実施形態による、マイクロシステムをインサイチュ
で気密的にカプセル封入するための２つの最終段階を示
す。図面の部材は、図１から図５の部材に対応してお
り、同一の参照番号を持つことに留意されたい。
【００８１】図２０ａおよび図２０ｂは、第２の金属層
９で形成された金属カプセルを示しており、第２の金属
層は、特に金または金合金で作られ、頂上部分上方に多
数の通路１０を持つ。犠牲層は、通路１０を介して選択
的化学エッチング液を用いることにより除去されてい
る。カプセルは、マイクロシステムの周りの接着層４の
環状ゾーンに堆積されており、前記マイクロシステム８
に接触することなく封入している。
【００８２】通路１０は寸法が十分に小さいため、カプ
セルの頂上部分に設置することができ、液体はんだ２３
により密封することができる。前記はんだの波は、図２
１に示されるように基板１の上でｈ方向に移動する回転
シリンダ器具２２によるか、連続するはんだによりもた
らされる。毛細管効果により液体はんだ２３は、マイク
ロシステム６に接触する恐れなく、前記通路１０を密封
することになる。
【００８３】シリンダ器具２２は内側に、図２１では見
えないが、液体はんだ２３のための１つまたはそれ以上
の供給路を含む。液体はんだは、バイアを開き、シリン
ダの外周に設けられているオリフィスを共に閉じ、液体
はんだの波２３を作り出す。器具の幅は、基板の上方を
一度通過すれば、全てのカプセル封入されたマイクロシ
ステムの第２の層に設けられた通路１０を密封すること
ができるような幅である。第２の層の上層部の表面の平
坦さは、１０ミクロン前後の程度であり、さほど困難を
伴わずに１度で全ての通路を密封できるようになってい
ることに留意されたい。
【００８４】通路１０を密封するために器具２２を回転
させる代わりに、第２の層９でカプセル封入された全て
のマイクロシステムを支持する基板１をはんだ槽の上方
に持ってくることもできる。そのためには、図１から図
５で説明した導電ストリップに接続された接触パッドは
覆われる必要がない。この操作のために、前記パッドを
保護する第２の層を形成するために用いたフォトレジス
トのほか、導電ストリップの端部を残すことも可能であ
る。
【００８５】第５の実施形態において、通路１０は、多
孔性ポリシリコン層を用いて当業者が達成できるであろ
う方法と同じ方法で、第２の層９の上層部にグリッドの
ように配置される。参考までに、「マイクロ電子機械シ
ステム」と題する１９９９年１月１７日から２１日開催
の１２回米国電子電気工学会国際会議ＭＥＭＳ９９の記
事４７０ページから４７５ページを参照することができ
る。このポリシリコン層は、化学エッチング剤を前記多
孔性ポリシリコンに通すことによって犠牲層を除去する
ために、ある特定のマイクロシステムのカプセル封入に
おいて使用されている。
【００８６】上記で説明されたカプセル封入方法はま
た、基板に装着された単一のマイクロシステムのカプセ
ル封入にも応用することができるであろう。しかし、こ
のミクロン単位の装置の分野では、できるだけ製造費用
を減少させるために、いくつかのマイクロカプセルを共
通の基板に同時にカプセル封入する方が経済的である。
【００８７】上記で説明はしていないが、マイクロシス
テムを気密的に金属カプセル封入するための前記実施形
態の他の変形または組み合わせもまた、当業者は理解す
るであろうし、本発明の範囲から逸脱することなく考え
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】絶縁体を持つ導電ストリップ、接着層、及
び、マイクロシステムが設けられている基板の一部と共
に本発明による方法の第１の段階を示す図である。
【図１ｂ】絶縁体を持つ導電ストリップ、はんだ隆起を
持つ接着層、及び、マイクロシステムが設けられている
基板の一部と共に本発明による方法の第１の段階を示す
図である。
【図２ａ】第１の実施形態により、犠牲金属層をマイク
ロシステムおよび接着層の上に堆積した後の平面図であ
る。
【図２ｂ】図２ａをＩＩ−ＩＩで切った断面図である。
【図３ａ】第１の実施形態により、異なる金属で形成さ
れた第２の金属層を犠牲層の上方に堆積した後の平面図
である。
【図３ｂ】図３ａをＩＩＩ−ＩＩＩで切った断面図であ
る。
【図４ａ】第１の実施形態により、化学エッチングで作
られたカプセルの通路を介して化学エッチングにより犠
牲層を除去した後の平面図である。
【図４ｂ】図４ａをＩＶ−ＩＶで切った断面図である。
【図５ａ】第１の実施形態により、マイクロシステムを
気密的にカプセル封入するために金属カプセルの通路を
閉じた後の平面図である。
【図５ｂ】図５ａをＶ−Ｖで切った断面図である。
【図５ｃ】図５ａをＶ−Ｖで切った断面図である。
【図６ａ】第２の実施形態により、犠牲層をマイクロシ
ステムおよびはんだ隆起を含む接着層に堆積した後の平
面図である。
【図６ｂ】図６ａをＶＩ−ＶＩで切った断面図である。
【図７ａ】第２の実施形態により、第２の金属層を異な
る金属で形成された犠牲層の上方に堆積した後の平面図
である。
【図７ｂ】図７ａをＶＩＩ−ＶＩＩで切った断面図であ
る。
【図７ｃ】図７ａをＶＩＩＩ−ＶＩＩＩで切った断面図
である。
【図８】第２の実施形態により、第２の層の通路を介し
て化学エッチングし、犠牲層を除去した後の図７ａをＶ
ＩＩ−ＶＩＩで切った断面図である。
【図９】第２の実施形態により、マイクロシステムの金
属カプセルの通路を閉じた後の図７ａをＶＩＩ−ＶＩＩ
で切った断面図である。
【図１０】第３の実施形態により、犠牲層をマイクロシ
ステムおよび接着層に堆積した後の垂直断面図である。
【図１１】第３の実施形態により、第２および第３の金
属層を犠牲層に堆積した後の垂直断面図である。
【図１２】第３の実施形態により、第２の層と同じ金属
である第４の金属層を第３の金属層に堆積した後の垂直
断面図である。
【図１３】第３の実施形態により、第２の層の通路を介
して化学エッチングし、犠牲層を除去した後の垂直断面
図である。
【図１４】第３の実施形態により、金属カプセルを閉じ
るために第２の層の通路にはんだ滴を付加する前の垂直
断面図である。
【図１５】第３の実施形態により、はんだ滴を固めて金
属カプセルを閉じた後の垂直断面図である。
【図１６ａ】第４の実施形態により、マイクロシステム
および接着層の上に接着層のはんだ隆起の周りを通過し
ながら犠牲層を堆積した後の平面図である。
【図１６ｂ】図１６ａをＸＶＩ−ＸＶＩで切った断面図
である。
【図１６ｃ】図１６ａをＸＶＩＩ−ＸＶＩＩで切った断
面図である。
【図１７】第４の実施形態により、第２の金属層を犠牲
層の上および接着層のはんだ隆起の上に堆積した後の図
１６ａをＸＶＩ−ＸＶＩで切った断面図である。
【図１８】第４の実施形態により、はんだ隆起の間の第
２の層の通路を介して犠牲層を除去した後の図１６ａを
ＸＶＩ−ＸＶＩで切った断面図である。
【図１９】第４の実施形態により、はんだ隆起を加熱し
て金属カプセルを閉じた後の図１６ａをＸＶＩ−ＸＶＩ
で切った断面図である。
【図２０ａ】第５の実施形態により、第２の層にある多
数の通路を介して犠牲層を除去した後の平面図である。
【図２０ｂ】図２０ａをＸＸ−ＸＸで切った断面図であ
る。
【図２１】第５の実施形態により、液体はんだの波で金
属カプセルを閉じた後の図２０ａをＸＸ−ＸＸで切った
断面図である。
【符号の説明】
１ 共通基板 ２ 導電ストリップ ３ 絶縁層 ４ 接着層 ５ 金属接触パッド ６ マイクロシステム ９ カプセル １０ 通路 １２ 器具 ｖ 切断線

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１フェーズにおいて、いくつかのマイ
    クロシステム（６）が共通基板（１）に装着され、前記
    マイクロシステムが基板に堆積された金属接着層（４）
    により囲まれているマイクロシステムをインサイチュで
    気密的にカプセル封入するにあたって、 第２フェーズにおける共通の堆積段階で、オーバーラッ
    プして各マイクロシステムを完全に覆うように、各マイ
    クロシステム（６）とその各マイクロシステム（６）を
    囲む接着層（４）の環状ゾーン（７ａ）に第１の金属層
    （７）を堆積させる段階と、 第２の金属層（９）を電解的手段により第１の層（７）
    および接着層（４）に堆積させる段位であって、第１の
    層（７）へ達するマイクロシステム（６）１つ当たり少
    なくとも１つの通路（１０）をその第２の層（９）に残
    して第１の層の表面の大部分に亘って第１の層（７）を
    覆うように堆積させ、前記第１の層の金属が接着層、第
    ２の層、及び、マイクロシステムの金属とは異なる堆積
    段階と、 第１の層（７）を、第２の層（９）の各通路（１０）を
    介して選択的な化学エッチングにより除去する段階と、 次に、各マイクロシステムを気密的に封入する金属カプ
    セルを得るために前記通路が閉じられる段階と、を含む
    ことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 第１の層（７）は、電解的手段により堆
    積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 各マイクロシステムを被覆する第１の層
    （７）は、マイクロシステム（６）と第２の層（９）の
    対応する通路（１０）との間に各々配置された少なくと
    も２つの開口部（８）を含み、第２の層（９）は、各通
    路（１０）と対応するマイクロシステム（６）との間に
    第２の層（９）のための支持柱（１４）を生成するよう
    に、各開口部（８）の中に接着層（４）の位置まで延長
    することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記通路（１０）は、各マイクロシステ
    ム（６）に対して第１の層（７）に向き、第２の層
    （９）の外側に出ており、通路（１０）の補強部分を生
    成するようにその幅が延長部（１５）の間で変動しない
    ２つの延長部（１５）を用いて形成されることを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 第２の層（９）は、各マイクロシステム
    の上の第２の層（９）の最上部に配置された減少した寸
    法の多数の通路（１０）を除いて、第１の層（７）を封
    入するために堆積されることを特徴とする請求項１に記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 第２の層の最上部に配置された通路（１
    ０）は、各通路で固まるはんだ滴（１８）を堆積させる
    か、または、全ての前記通路（１０）を閉じるために固
    まる液体はんだの波を形成することにより閉じられるこ
    とを特徴とする請求項３および請求項５のうちのいずれ
    か１つに記載の方法。
  7. 【請求項７】 通路（１０）は、各通路（１０）の周り
    の第２の層（９）の部分（１１）を加熱および圧縮する
    ことにより、及び、部分（１１）を接着層（４）にはん
    だ付けすることにより閉じられることを特徴とする請求
    項１から請求項４のうちのいずれかに記載の方法。
  8. 【請求項８】 接着層（４）は、第２の層の部分（１
    １）が熱圧縮される時に前記通路（１０）が閉じられる
    ように、前記接着層（４）の金属ベース層と、第２の層
    の通路（１０）の位置とに配置されたはんだ金属の隆起
    （１３）を含むことを特徴とする請求項７に記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 第２の層は、対応するマイクロシステム
    （６）を囲む各環状ゾーンの周囲に亘って分布された接
    着層（４）のはんだ金属隆起（１３）に載っており、第
    １の層（７）の部分は、第２の層（９）の外側に出てき
    て第２の層（９）のマイクロシステム（６）１つ当たり
    いくつかの通路（１０）を備えるために、隣接する金属
    隆起（１３）の間に配置されることを特徴とする請求項
    １に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 各マイクロシステム（６）のための通
    路（１０）は、第２の層（９）を接着層（４）のベース
    層の上に降下させ、カプセルをマイクロシステム（６）
    の上に気密的に密閉するために、はんだ金属隆起（１
    ３）を加熱することにより閉じられることを特徴とする
    請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 第１の層を除去した後も残っており、
    第２の層（９）が降下されて通路（１０）を閉じる時に
    カプセルを垂直方向に案内するのに使われる、カプセル
    のための案内部材（１２）が第１の層（７）で被覆され
    る前に接着層（４）に固定されることを特徴とする請求
    項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第１の層（７）の金属は、銅または銅
    合金であり、第２の層（９）の金属は、金または金合金
    であることを特徴とする請求項１から請求項１１のうち
    のいずれかに記載の方法。
  13. 【請求項１３】 接着層（４）の金属ベース層は、基板
    上のチタンまたはクロムから作られる第１の金属固定
    層、はんだの拡散障壁としてニッケルまたはパラジウム
    またはロジウムまたはルテニウムまたはモリブデンまた
    はプラチナから作られる第２の金属層、及び、酸化保護
    材として金から作られた第３の金属層から作られている
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のうちのいず
    れかに記載の方法。
  14. 【請求項１４】 第３の金属層（１６）が第２の層の通
    路（１０）を閉じることなく第２の層（９）に堆積さ
    れ、第２の層（９）の金属と同じ金属からなる第４の金
    属層（１７）が、第２の層（９）と第４の層（１７）と
    の間に第３の層（１６）を完全に封入しかつ第２の層の
    通路（１０）の内面を閉じるために第３の層（１６）の
    上に堆積され、第１の層（７）が、各通路（１０）を介
    して選択的な化学エッチングにより除去されることを特
    徴とする請求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 マイクロシステム（６）を装着する前
    に各マイクロシステム（６）の外部電気接続のための導
    電ストリップ（２）が基板上に作られ、絶縁層（３）が
    ストリップ（２）の長さの中央部分に堆積され、ストリ
    ップ（２）の端部を電気接続に対して自由にしておき、
    及び、接着層（４）が、次に、ストリップの絶縁層の上
    を通過するように堆積され、導電ストリップ（２）の他
    端が対応するマイクロシステム（６）に接続されている
    ような導電ストリップ（２）の一端に接続する金属通路
    を備えるように構築されることを特徴とする請求項１に
    記載の方法。
  16. 【請求項１６】 マイクロシステム（６）を装着する前
    に一連の導電孔が、各マイクロシステム（６）の外部電
    気接続のために基板（１）の絶縁部を通って作られ、金
    属パッドが、マイクロシステム（６）と反対側の基板の
    表面の導電孔に接続されることを特徴とする請求項１に
    記載の方法。
  17. 【請求項１７】 カプセルを閉じた後にカプセルは、樹
    脂の保護層で覆われることを特徴とする請求項１に記載
    の方法。
  18. 【請求項１８】 金属カプセルを閉じた後に基板は、外
    部からアクセス可能な金属接触パッド（５）を持つカプ
    セル封入された各マイクロシステム（６）の各々を分離
    するために切断またはダイシングされることを特徴とす
    る請求項１から請求項１７のうちのいずれか１つに記載
    の方法。
JP2000381733A 1999-12-15 2000-12-15 マイクロシステムをインサイチュで気密的にカプセル封入する方法 Expired - Fee Related JP4777510B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99125008A EP1108677B1 (fr) 1999-12-15 1999-12-15 Procédé d'encapsulation hermétique in situ de microsystèmes
EP99125008.5 1999-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001237334A true JP2001237334A (ja) 2001-08-31
JP4777510B2 JP4777510B2 (ja) 2011-09-21

Family

ID=8239618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000381733A Expired - Fee Related JP4777510B2 (ja) 1999-12-15 2000-12-15 マイクロシステムをインサイチュで気密的にカプセル封入する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6454160B2 (ja)
EP (1) EP1108677B1 (ja)
JP (1) JP4777510B2 (ja)
KR (1) KR100658264B1 (ja)
CN (1) CN1262468C (ja)
AT (1) ATE340761T1 (ja)
DE (1) DE69933380T2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006321017A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Rohm Co Ltd Ｍｅｍｓ素子およびその製造方法
JP2006321016A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Rohm Co Ltd Ｍｅｍｓパッケージ
JP2007036241A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Commiss Energ Atom 電子部品のパッケージング
JP2008072091A (ja) * 2006-07-13 2008-03-27 Commiss Energ Atom 少なくとも１つのゲッターを備えた密閉超小型部品
CN100422071C (zh) * 2005-10-27 2008-10-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微机械加速度计器件的圆片级封装工艺
CN100434354C (zh) * 2006-04-07 2008-11-19 美新半导体（无锡）有限公司 具有y形通孔的圆片级气密性封装工艺
CN100445195C (zh) * 2006-01-13 2008-12-24 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
WO2002100769A2 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 The Regents Of The University Of Michigan A circuit encapsulation technique utilizing electroplating
US6771859B2 (en) * 2001-07-24 2004-08-03 3M Innovative Properties Company Self-aligning optical micro-mechanical device package
US6798954B2 (en) 2001-07-24 2004-09-28 3M Innovative Properties Company Packaged optical micro-mechanical device
US6834154B2 (en) 2001-07-24 2004-12-21 3M Innovative Properties Co. Tooling fixture for packaged optical micro-mechanical devices
DE10200869A1 (de) * 2002-01-11 2003-07-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement
US20030183916A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-02 John Heck Packaging microelectromechanical systems
JP2005537661A (ja) * 2002-08-28 2005-12-08 シリコン・ライト・マシーンズ・コーポレーション 非シリコン系素子のウエハー段階でのシール
AU2003286572A1 (en) * 2002-10-23 2004-05-13 Rutgers, The State University Of New Jersey Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
US20050189621A1 (en) * 2002-12-02 2005-09-01 Cheung Kin P. Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
US20050250253A1 (en) * 2002-10-23 2005-11-10 Cheung Kin P Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
DE10256116B4 (de) * 2002-11-29 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
US20040166606A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 David Forehand Low temperature wafer-level micro-encapsulation
DE10316777B4 (de) * 2003-04-11 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
DE10353767B4 (de) * 2003-11-17 2005-09-29 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Häusung einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
US6946728B2 (en) * 2004-02-19 2005-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and methods for hermetic sealing of post media-filled MEMS package
KR100575363B1 (ko) * 2004-04-13 2006-05-03 재단법인서울대학교산학협력재단 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공실장된 미소기계소자
US7368803B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7573547B2 (en) 2004-09-27 2009-08-11 Idc, Llc System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7344907B2 (en) * 2004-11-19 2008-03-18 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for encapsulating microelectromechanical (MEM) devices on a wafer scale
EP1843971B1 (en) * 2005-02-04 2016-04-13 Imec Method for encapsulating a device in a microcavtiy
JP4791766B2 (ja) * 2005-05-30 2011-10-12 株式会社東芝 Ｍｅｍｓ技術を使用した半導体装置
US20060273065A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Method for forming free standing microstructures
DE102005053722B4 (de) 2005-11-10 2007-08-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Deckelwafer, in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement mit einem solchen Wafer sowie Lötverfahren zum Verbinden entsprechender Bauelement-Teile
FR2897503B1 (fr) * 2006-02-16 2014-06-06 Valeo Sys Controle Moteur Sas Procede de fabrication d'un module electronique par fixation sequentielle des composants et ligne de production correspondante
US7746537B2 (en) 2006-04-13 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices and processes for packaging such devices
DE102006031772A1 (de) 2006-07-10 2008-01-17 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements sowie Sensorelement
US20080042223A1 (en) * 2006-08-17 2008-02-21 Lu-Lee Liao Microelectromechanical system package and method for making the same
US20080075308A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-27 Wen-Chieh Wei Silicon condenser microphone
US20080083957A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
US7894622B2 (en) 2006-10-13 2011-02-22 Merry Electronics Co., Ltd. Microphone
US8007286B1 (en) 2008-03-18 2011-08-30 Metrospec Technology, Llc Circuit boards interconnected by overlapping plated through holes portions
US8851356B1 (en) 2008-02-14 2014-10-07 Metrospec Technology, L.L.C. Flexible circuit board interconnection and methods
US10334735B2 (en) 2008-02-14 2019-06-25 Metrospec Technology, L.L.C. LED lighting systems and methods
US8143631B2 (en) 2008-03-06 2012-03-27 Metrospec Technology Llc Layered structure for use with high power light emitting diode systems
US11266014B2 (en) 2008-02-14 2022-03-01 Metrospec Technology, L.L.C. LED lighting systems and method
US8410720B2 (en) 2008-04-07 2013-04-02 Metrospec Technology, LLC. Solid state lighting circuit and controls
US20090323170A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Groove on cover plate or substrate
US7875482B2 (en) * 2009-03-19 2011-01-25 Robert Bosch Gmbh Substrate with multiple encapsulated pressures
US8379392B2 (en) 2009-10-23 2013-02-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light-based sealing and device packaging
FR2955999B1 (fr) * 2010-02-04 2012-04-20 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un microcomposant par un capot renforce mecaniquement
JP5204171B2 (ja) * 2010-08-25 2013-06-05 株式会社東芝 電気部品およびその製造方法
FR2970111B1 (fr) * 2011-01-03 2013-01-11 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un micro-contacteur actionnable par un champ magnetique
CN102738093A (zh) * 2011-04-06 2012-10-17 苏州文迪光电科技有限公司 陶瓷基片
CN102303842A (zh) * 2011-08-15 2012-01-04 上海先进半导体制造股份有限公司 与半导体工艺兼容的盖板预封装方法
DE102011112476A1 (de) * 2011-09-05 2013-03-07 Epcos Ag Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements
EP2597067A1 (fr) * 2011-11-23 2013-05-29 Micro Crystal AG Procédé de fabrication d'un dispositif d'encapsulage
SE537584C2 (sv) 2011-12-15 2015-06-30 Silex Microsystems Ab Tunnfilmskapsling
CN103072941B (zh) * 2013-01-14 2015-09-23 北京大学 基于表面牺牲层工艺的mems器件自封装制备方法
US10196745B2 (en) * 2014-10-31 2019-02-05 General Electric Company Lid and method for sealing a non-magnetic package
US10131540B2 (en) 2015-03-12 2018-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and method to mitigate soldering offset for wafer-level chip scale package (WLCSP) applications
AU2015387246B2 (en) * 2015-03-16 2019-01-31 Halliburton Energy Services, Inc. Geometric shaping of radio-frequency tags used in wellbore cementing operations
DE102017125140B4 (de) * 2017-10-26 2021-06-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil
US10849200B2 (en) 2018-09-28 2020-11-24 Metrospec Technology, L.L.C. Solid state lighting circuit with current bias and method of controlling thereof
US11626343B2 (en) 2018-10-30 2023-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with enhanced thermal dissipation and method for making the same
CN111792621B (zh) * 2020-07-06 2024-04-16 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148467A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Murata Mfg Co Ltd 動作素子の真空封止の構造およびその製造方法
JPH10148643A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Tdk Corp 加速度センサ及びその製造方法
JPH10148644A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Tdk Corp 微小機械素子の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4696851A (en) * 1985-03-25 1987-09-29 Olin Corporation Hybrid and multi-layer circuitry
US4727633A (en) * 1985-08-08 1988-03-01 Tektronix, Inc. Method of securing metallic members together
US4661886A (en) * 1985-10-03 1987-04-28 Burroughs Corporation Magnetically sealed multichip integrated circuit package
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
JP2631287B2 (ja) * 1987-06-30 1997-07-16 日本メクトロン 株式会社 混成多層回路基板の製造法
US5196377A (en) * 1990-12-20 1993-03-23 Cray Research, Inc. Method of fabricating silicon-based carriers
US5336928A (en) * 1992-09-18 1994-08-09 General Electric Company Hermetically sealed packaged electronic system
ATE269588T1 (de) * 1993-02-04 2004-07-15 Cornell Res Foundation Inc Mikrostrukturen und einzelmask, einkristall- herstellungsverfahren
US5651900A (en) * 1994-03-07 1997-07-29 The Regents Of The University Of California Microfabricated particle filter
US5548099A (en) * 1994-09-13 1996-08-20 Martin Marietta Corporation Method for making an electronics module having air bridge protection without large area ablation
US5535296A (en) * 1994-09-28 1996-07-09 Optobahn Corporation Integrated optoelectronic coupling and connector
US5841190A (en) * 1995-05-19 1998-11-24 Ibiden Co., Ltd. High density multi-layered printed wiring board, multi-chip carrier and semiconductor package
US5832585A (en) * 1996-08-13 1998-11-10 National Semiconductor Corporation Method of separating micro-devices formed on a substrate
US5863812A (en) * 1996-09-19 1999-01-26 Vlsi Technology, Inc. Process for manufacturing a multi layer bumped semiconductor device
FR2770339B1 (fr) * 1997-10-27 2003-06-13 Commissariat Energie Atomique Structure munie de contacts electriques formes a travers le substrat de cette structure et procede d'obtention d'une telle structure
TW421980B (en) * 1997-12-22 2001-02-11 Citizen Watch Co Ltd Electronic component device, its manufacturing process, and collective circuits
US6164837A (en) * 1998-12-30 2000-12-26 Mcdonnell Douglas Corporation Integrated microelectromechanical alignment and locking apparatus and method for fiber optic module manufacturing
US6300168B1 (en) * 1999-01-07 2001-10-09 Sony Corp Method of manufacturing a semiconductor device
US6181569B1 (en) * 1999-06-07 2001-01-30 Kishore K. Chakravorty Low cost chip size package and method of fabricating the same
US6356686B1 (en) * 1999-09-03 2002-03-12 International Business Machines Corporation Optoelectronic device encapsulant

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148467A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Murata Mfg Co Ltd 動作素子の真空封止の構造およびその製造方法
JPH10148643A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Tdk Corp 加速度センサ及びその製造方法
JPH10148644A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Tdk Corp 微小機械素子の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006321017A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Rohm Co Ltd Ｍｅｍｓ素子およびその製造方法
JP2006321016A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Rohm Co Ltd Ｍｅｍｓパッケージ
JP2007036241A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Commiss Energ Atom 電子部品のパッケージング
CN100422071C (zh) * 2005-10-27 2008-10-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微机械加速度计器件的圆片级封装工艺
CN100445195C (zh) * 2006-01-13 2008-12-24 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法
CN100434354C (zh) * 2006-04-07 2008-11-19 美新半导体（无锡）有限公司 具有y形通孔的圆片级气密性封装工艺
JP2008072091A (ja) * 2006-07-13 2008-03-27 Commiss Energ Atom 少なくとも１つのゲッターを備えた密閉超小型部品

Also Published As

Publication number Publication date
EP1108677A1 (fr) 2001-06-20
JP4777510B2 (ja) 2011-09-21
DE69933380D1 (de) 2006-11-09
CN1262468C (zh) 2006-07-05
ATE340761T1 (de) 2006-10-15
KR20010077941A (ko) 2001-08-20
US20010004085A1 (en) 2001-06-21
EP1108677B1 (fr) 2006-09-27
CN1305944A (zh) 2001-08-01
DE69933380T2 (de) 2007-08-02
US6454160B2 (en) 2002-09-24
KR100658264B1 (ko) 2006-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001237334A (ja) マイクロシステムをインサイチュで気密的にカプセル封入する方法
CN101243010B (zh) 集成电路传感器的封装及其制造方法
EP1405821B1 (en) Method of fabricating an integrated circuit and its precursor assembly
EP1167281B1 (en) Chip scale surface-mountable packaging method for electronic and MEMS devices
US8021906B2 (en) Hermetic sealing and electrical contacting of a microelectromechanical structure, and microsystem (MEMS) produced therewith
US20040266048A1 (en) Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices
JP2001068580A (ja) ウエハパッケージの製造方法
US8349660B2 (en) Cavity closure process for at least one microelectronic device
TW200816401A (en) Electronic component device
JP4539155B2 (ja) センサシステムの製造方法
JPH1167820A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2011522409A (ja) 電子素子のための密閉されたハウジングと製造方法
JP2023036718A (ja) Ｍｅｍｓ素子およびｍｅｍｓモジュール
US7351641B2 (en) Structure and method of forming capped chips
CN102164847B (zh) 用于在微结构化部件之间制造间隔的导电连接的接触装置
JP2012084681A (ja) 電子部品装置及びその製造方法と配線基板
US7919842B2 (en) Structure and method for sealing cavity of micro-electro-mechanical device
WO2006044040A1 (en) Assembly
JP2006186357A (ja) センサ装置及びその製造方法
TWI915944B (zh) 微機電構件及其製造方法
EP4530249A1 (en) Microelectromechanical component with gap-control structure and a method for manufacturing it
JP2012122838A (ja) Ｍｅｍｓ素子及びｍｅｍｓ素子の製造方法
JP2006126212A (ja) センサ装置
JP2006126213A (ja) センサシステム
JP2006133236A (ja) センサシステム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100930

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110607

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4777510

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees