JP2001237347A - ベアチップ実装基板およびそれを用いた実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装するチップ数が極めてが多い場合や、基
板内の実装密度を大きくする場合、基板寸法が大型にす
る場合における、チップ実装後の基板全体の強度が低下
しない実装基板とその実装方法を提供する。 【解決手段】 成型法により樹脂基板に、ベアチップの
外寸法より大きな穴を形成し、この穴にベアチップを埋
没させて、ベアチップ電極の対応する基板配線に接続さ
せる実装方法と成型法により作製した樹脂実装基板によ
り、チップ実装後の基板強度の低下を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップの実装
方法に関し、詳しくは平面型表示装置やＩＣカード等の
装置、器具、ＬＥＤ表示装置などであって、薄いことを
特徴とする装置等に用いられる回路基板に適したベアチ
ップ実装基板およびそれを用いた実装方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップを実装する場合、従来は、ワ
イヤボンデイングやバンプ接続により基板の表面上にＩ
Ｃチップが搭載される。図６に、特開平６−３７１４０
号に示す薄いことを特徴とする装置等に用いられる回路
に適したベアチップ実装方法の断面図を示す。このチッ
プ実装方法は、表面に配線が形成された基板に対しその
裏面側から配線に至るＩＣチップよりも径の大きな穴が
設けられ、ＩＣチップが穴の中で基板の裏面側から電極
の対応する配線にバンプを介して接続されることによ
り、ＩＣチップが基板に実装されるものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ベアチップ実装方法では、最近の平面型表示装置等に対
する大型化、薄型化の要求には対応できず、これらの装
置用の回路は、一層大型で且つ薄く実装する必要に迫ら
れている。例えば、平面型表示装置では１．１ｍｍ以
下、セルラーホンでは０．５mm以下、ＩＣカードでは
０．２mm以下が求められている。これは、従来の一般的
な基板単体の厚さ或はＩＣチップの厚さである１mm〜
０．３mmよりも薄いかほぼ同等の厚さである。

【０００４】この要求に応えるためには、基板およびＩ
Ｃチップを共に薄くする必要があり、例えばそれぞれが
許容厚さの半分以下の厚さになるようにしなければなら
ない。ところが、特開平６−３７１４０号に示すベアチ
ップ実装方法は、表面に配線が形成された基板に対しそ
の裏面側から前記配線に至る経路を形成するために表面
から裏面に貫通する穴を形成する。そのために、ベアチ
ップ数が多い場合や、実装密度が大きな場合、基板が大
型化した場合等では、基板の強度が低下して簡単に壊れ
てしまう問題点があった。

【０００５】本発明は、上記問題点を解決するものであ
って、例えば、大型平面型表示装置のアクティブマトリ
クス基板のスイッチング素子を実装する場合のように、
数十万から数メガピクセルの画素数有する大型平面型表
示装置のアクティブマトリクス基板に実装するＴＦＴト
ランジスタのように、極めてチップ数が多い場合や、基
板内の実装密度が大きくした場合、基板寸法が大型化し
た場合、例えば基板寸法が３６０ｍｍ×４６５ｍｍ程度
であっても、チップ実装後の基板全体の強度が低下しな
いチップの実装方法を実現することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
ベアチップ実装基板は、ベアチップの外寸法より大きな
穴と配線が形成された成型基板において、成型された穴
にベアチップを埋没させて、基板の表面側からベアチッ
プ電極と対応する基板側の配線部とを接続したことを特
徴とする。

【０００７】本発明の請求項２記載のベアチップ実装基
板は、ベアチップ実装基板にベアチップの外寸法より大
きな穴と配線が形成された成型基板において、配線が形
成された成型基板の穴壁の一部分がテーパ状に傾斜した
ことを特徴とする。

【０００８】本発明の請求項３記載のベアチップ実装基
板は、ベアチップが球状形状であることを特徴とする。

【０００９】本発明の請求項４記載のアクティブマトリ
クス基板は、ベアチップの外寸法より大きな穴の中にベ
アチップを埋没させて、基板の表面側からチップ電極の
対応するバスライン配線に接続されることを特徴とす
る。

【００１０】本発明の請求項５記載のベアチップ実装方
法は、ベアチップの電極パッドと基板の配線部とを接続
する際に、基板をベアチップより高い温度に加熱して、
前記チップよりも寸法の大きな穴にチップを挿入し、基
板に実装されることを特徴とする。

【００１１】以下、上記構成による作用を説明する。

【００１２】このような構成のベアチップ実装基板およ
びそれを用いた実装方法では、チップが基板に設けられ
た穴に埋設されて実装される。これにより、チップを実
装した基板等全体の厚さが、基板とチップの厚さの和と
はならず、基本的には基板厚さと電極厚さの和により決
定される。したがって、実装後の基板のトータル厚さ
は、チップ厚さ依存せず、実装前の基板厚さとなる。そ
こで、ベアチップ実装後の基板強度は実装前の基板強度
と比較して低下することがない。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。

【００１４】（実施の形態１）本発明のベアチップ実装
方法の一実施例について説明する。図１は、その処理手
順を説明するための断面図群であり、（ａ）から（ｅ）
まで時系列的に各断面を示す。ここで、１は成型基板、
２は配線、３はベアチップ、５は接続電極（バンプにす
る場合もある）、２０は小穴、５０は樹脂である。

【００１５】先ず、工程１では（図１（ａ）参照）、ベ
アチップ３を実装する対象である基板１の具体的なもの
として、ポリエーテルスルホンフィルム（以下ＰＥＳと
略称する）または透光性を有する熱硬化性エポキシ樹脂
等のプラスチック基板である。その厚さは、例えば１．
１ｍｍである。凹み或は溝ともいえる小穴２０は成型金
型を用いて成型された凹み或は溝である。上記以外の成
型可能な耐熱性プラスチック樹脂として、ポリアセター
ル（ＰＯＭ）樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢ
Ｔ）樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）樹脂、ポリフェニレ
ンサルファイド（ＰＰＳ）等が使用可能である。

【００１６】次に、工程２では（図１（ｂ）参照）、基
板１の表面に配線２がスパッタリングまたは導体ペース
トの印刷等により形成される。ベアチップ実装基板にベ
アチップの外寸法より大きな穴と配線が形成された成型
基板１において、配線が形成された成型基板の穴２０壁
の一部分がテーパ状に傾斜したベアチップ実装基板を用
いることができる。図１（ａ）に示すベアチップ実装基
板を用いた場合は、次工程で、基板１の表面に配線２を
スパッタリングまたは導体ペーストの印刷等により形成
した場合に、穴壁の一部分がテーパ状に傾斜しているた
めに、配線の膜厚が２００ｎｍ程度であっても、断面に
対するステップカバレッジが良好になるために、断線不
良が起こらず、電極材料費用と加工の寸法精度が著しく
向上させることができた。

【００１７】例えば、配線材料はＴｉ、Ｃｒを下地とす
るＣｕとＮｉとＡｕの４層構造配線であり、その合計厚
さはテーパ状に傾斜している度合いが急峻であればある
ほど、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で厚くしないと
断線不良率が大きくなる。これは、その後フォトレジス
トを用いてパターニング、エッチング処理等によって形
成される過程で、ステップカバレッジに起因する、断線
不良と加工の寸法精度の関係から生じる現象である。

【００１８】配線2は、Ｔｉ、Ｃｒを下地とするＣｕと
ＮｉとＡｕの４層構造配線であり、その合計厚さは２０
０ｎｍ〜１０００ｎｍである。その後フォトレジスト４
を用いてパターニング，エッチング処理等によって形成
される。その位置は実装すべきベアチップの電極の配置
に対応している。図１（ｂ）は、エッチング処理によっ
て形成された配線２のパターンの断面図である。通常、
その厚さは２００ｎｍから１０００ｎｍである。

【００１９】工程３では（図１（ｃ）参照）穴２０の中
にベアチップ３が挿入される。ベアＩＣチップ３の厚さ
は、０．５mmである。その外部接続用の電極がそれぞれ
対応する電極の接続部分に接するように位置合わせがな
されて、穴20の中にベアチップ３を挿入する。

【００２０】前記ベアチップ３を挿入する際に、例え
ば、１００℃〜２００℃に基板１を、加熱して基板をベ
アチップより高い温度に加熱すれば、穴２０はエッチン
グで加工した寸法より拡大するために穴20の中にベアチ
ップ３を挿入する場合のクリアランスが大きくなり実装
時の生産性が向上する効果がある。

【００２１】工程４では（図１（ｄ）参照）その外部接
続用の電極がそれぞれ対応するバンプ状凸電極の接続部
分に接するように位置合わせがなされて、導電接着剤等
によりこれらが接続される。

【００２２】工程５では（図１（ｅ）参照）、最後に、
シリコン樹脂等の絶縁性樹脂５０が穴２０の中に充填さ
れ、電気的絶縁や機械的保持に加えて防水や熱放散等に
よって、ベアチップ３の保護が図られる。または、シリ
コン樹脂５０等をコーテングして、電気的絶縁や機械的
保持に加えて防水や熱放散等によって、ベアチップ３の
保護が図られる。

【００２３】なお、図１では各断面図の対比を明瞭にす
べく図示されている。このようにして、基板１内にベア
チップ３が埋設される。そこで、ベアチップ実装後の基
板全体の厚さは、基板１の厚さと配線２の厚さの和に等
しく、約１．１〜１．２ｍｍで済む。ベアＩＣチップの
厚さ０．５mmは、全体の厚さには何ら影響しない。

【００２４】また、ベアチップ３０として直径１．０ｍ
ｍ以下の球状のシリコン半導体ＩＣチップ３１を用いて
もよい。図３は、本発明の球状のシリコン半導体ＩＣベ
アチップ３１を用いた実装方法の一実施例を示す断面図
である。このような場合も、穴２０内に完全に埋没す
る。球状のチップ３１を実装する基板は、断面を球状と
する必要があるが、このような断面構造を得るために
は、本実施の形態１で用いた凹み或は溝を球状のチップ
３１と外接する円弧の断面となるように、成型金型を用
いて成型する。凹み或は溝となる穴２０が円弧の断面と
なるようにするには、成型金型を用いてプラスチック樹
脂を成型する方法が、寸法精度を確保する点、基板コス
トを低減させる点、大型化を行う点等の要請に対して好
適な方法である。

【００２５】（実施の形態２）この発明のベアチップ実
装方法を用いた液晶表示装置用アクティブマトリクス基
板の作製方法の一実施例について説明する。図２は、そ
の処理手順を説明するための断面図群であり、（ａ）か
ら（ｅ）まで時系列的に各断面を示す。ここで、１は樹
脂基板、４０はソースまたはゲートバスライン配線、３
０、３１はＴＦＴ（スイッチング用）ベアチップ、５は
接続電極（バンプにする場合もある）、２０は小穴、５
０は樹脂である。

【００２６】工程１では（図２（ａ）参照）、ベアチッ
プ３を実装する成型樹脂基板の断面図である。樹脂基板
１０は、ポリエーテルスルホンフィルム（以下ＰＥＳと
略称する）または透光性を有する熱硬化性エポキシ樹脂
等のプラスチック基板である。その厚さは、例えば１．
１mmである。凹み或は溝ともいえる小穴２０は成型金型
を用いて成型された凹み或は溝である。

【００２７】先ず、工程２では（図２（ｂ）参照）、ベ
アチップ３を実装する成型樹脂基板１０の表面に ソー
スまたはゲートバスライン配線４０をＴｉ、Ｃｒを下地
とするＣｕとＮｉとＡｕの４層連続スパッタリングによ
り形成される。その厚さは２００ｎｍ〜１０００ｎｍで
ある。その後フォトレジスト４を用いてパターニング，
エッチング処理等によって形成される。その位置は実装
すべきスイッチング用（ＴＦＴ）ベアチップ３０の電極
の配置に対応している。

【００２８】次に、工程３では（図２（ｃ）参照）、基
板１０の表面にエッチング処理等によって形成されるた
配線４０が、その外部接続用の配線と電極４０が、それ
ぞれ対応する接続部分５に接するように位置合わせがな
されて、穴20の中にスイッチング用（ＴＦＴ）ベアチッ
プ３０を挿入する。

【００２９】前記スイッチング用（ＴＦＴ）ベアチップ
３０を挿入する際に、例えば、１００℃〜２００℃に基
板１を、加熱して基板をベアチップより高い温度に加熱
すれば、穴２０はエッチングで加工した寸法より拡大す
るために穴20の中にベアチップ３０を挿入する場合のク
リアランスが大きくなり実装時の生産性が向上する効果
がある。

【００３０】工程４では（図２（ｄ）参照）その外部接
続用の電極がそれぞれ対応する電極の接続部分に接する
ように位置合わせがなされて、導電接着剤からなる接続
部分５により外部接続用の電極とＴＦＴアクティブマト
リクス基板のバスラインとスイッチング用（ＴＦＴ）ベ
アチップ３０の電極とが接続される。

【００３１】工程５では（図２（ｅ）参照）、最後に、
シリコン樹脂等の絶縁性樹脂５０が穴２０の中に充填さ
れ、電気的絶縁や機械的保持に加えて防水や熱放散等に
よって、ベアチップ３の保護が図られる。または、シリ
コン樹脂５０等をコーテングして、電気的絶縁や機械的
保持に加えて防水や熱放散等によって、ベアチップ３の
保護が図られる。

【００３２】なお、図２では各断面図の対比を明瞭にす
べく図示されている。このようにして、基板１内にスイ
ッチング用（ＴＦＴ）ベアチップ３０や直径１．０ｍｍ
以下の球状のＴＦＴベアチップ３１が埋設される。そこ
で、ベアチップ実装後の基板全体の厚さは、基板１の厚
さとソースまたはゲートバスライン配線４０の厚さの和
に等しく、約１．１〜１．２ｍｍで済む。スイッチング
用（ＴＦＴ）ベアチップ３０や直径１．０ｍｍ以下の球
状のＴＦＴベアチップ３１寸法は、全体の厚さには何ら
影響しない。このようにして、表面にソースまたはゲー
トバスライン配線４０が形成された基板に対し、その表
面側から配線部の一部分の直下に、チップよりも外寸法
より大きな穴を設け、チップを穴の中に埋没させて、基
板表面側の穴２０の中に、チップ電極の対応するソース
またはゲートバスライン配線４０に接続されることによ
り、大型液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基
板が得られた。

【００３３】ベアチップ３０として直径１mm以下の球状
のＴＦＴベアチップ３１を用いた場合について説明す
る。図３は、本発明の球状のＴＦＴベアチップ３１を用
いた実装方法の一実施例を示す断面図である。このよう
な場合も、穴２０内に完全に埋没する。球状のチップ３
１を実装する基板は、断面を球状とする必要があるが、
このような断面構造を得るためには、本実施の形態２で
用いた凹み或は溝を球状のチップ３１と外接する円弧の
断面となるように、成型金型を用いて成型する。

【００３４】凹み或は溝が円弧の断面となるようにする
には、成型金型を用いてプラスチック樹脂を成型する方
法が、穴の加工寸法精度を確保する点、基板コストを低
減させる点、大型化を行う点等の要請に対して好適な方
法である。

【００３５】（実施の形態３）本発明のベアチップ実装
方法を用いた発光ダイオード（以下ＬＥＤと記す）アレ
イ基板の作製方法の一実施例について説明する。実施の
形態２で説明したベアチップ実装方法を用いた液晶表示
装置用アクティブマトリクス基板の作製方法と略類似し
ているため図２を用いて、その一実施例について繰り返
して説明する。図２は、その処理手順を説明するための
断面図群であり、（ａ）から（ｅ）まで時系列的に各断
面を示す。ここで、１は基板、４０はアノードまたはカ
ソード配線、３０、３１はＬＥＤベアチップ、５は接続
電極（バンプにする場合もある）、２０は小穴、５０は
樹脂である。

【００３６】先ず、工程１では（図２（ａ）参照）、Ｌ
ＥＤベアチップ３０を実装する対象である樹脂基板１の
具体的なものとして、ポリエーテルスルホンフィルム
（以下ＰＥＳと略称する）または透光性を有する熱硬化
性エポキシ樹脂等のプラスチック基板である。その厚さ
は、例えば１．１mmである。凹み或は溝ともいえる小穴
２０は成型金型を用いて成型された凹み或は溝である。

【００３７】次に、工程２では（図２（ｂ）参照）、基
板１の表面に ソースまたはゲートバスライン配線４０
をＴｉ、Ｃｒを下地とするＣｕ電極の２層連続スパッタ
リングにより形成される。その厚さは２００ｎｍ〜１０
００ｎｍである。その後フォトレジスト４を用いてパタ
ーニング，エッチング処理等によって形成される。その
位置は実装すべきＬＥＤベアチップ３０の電極の配置に
対応している。

【００３８】図２（ｂ）はエッチング処理等によって形
成されるた後のアノードまたはカソード配線４０の断面
図である。通常、その厚さは２００ｎｍから１０００ｎ
ｍである。

【００３９】工程３では（図２（ｃ）参照）穴２０の中
にＬＥＤベアチップ３０が挿入される。その外部接続用
の電極がそれぞれ対応するバンプ状凸電極の接続部分に
接するように位置合わせがなされる。ＬＥＤベアチップ
３０の場合は、その厚さは０．３から０．５mmであり、
穴２０内に完全に埋没する。また、ＬＥＤベアチップ３
０として直径１．０ｍｍ以下の球状のＬＥＤチップ３１
を用いても、穴２０内に完全に埋没する。

【００４０】工程４では（図２（ｄ）参照）その外部接
続用の接続電極５がそれぞれ対応するベアチップ電極の
接続部分に接するように位置合わせがなされて、導電接
着剤等により接続電極５と接続される。例えば、１００
℃〜２００℃に加熱して、１バンプ当たり約１００ｇ重
で１〜２秒ほど加圧する。

【００４１】工程５では（図２（ｅ）参照） 最後に、
シリコン等の絶縁性樹脂５０が穴２０の中に充填され、
電気的絶縁や機械的保持に加えて防水や熱放散等によっ
て、ベアチップ３の保護が図られる。または、ポリイミ
ド等の樹脂５０をコーテングして、電気的絶縁や機械的
保持に加えて防水や熱放散等によって、ＬＥＤ直方体の
ベアチップ３０が保護される。

【００４２】また、ベアチップ３０として直径０．５mm
の球状のＬＥＤチップ３１を用いてもよい。図３は、本
発明の球状のＬＥＤベアチップを用いた実装方法の一実
施例を示す断面図である。このような場合も、穴２０内
に完全に埋没する。球状のチップ３１を実装する基板
は、断面を球状とする必要があるが、このような断面構
造を得るためには、本実施の形態１で用いた凹み或は溝
を球状のチップ３１と外接する円弧の断面となるよう
に、成型金型を用いて成型する。

【００４３】凹み或は溝が円弧の断面となるようにする
には、成型金型を用いてプラスチック樹脂を成型する方
法が、寸法精度を確保する点、基板コストを低減させる
点、大型化を行う点等の要請に対して好適な方法であ
る。凹み或は溝が円弧の断面となるようにすることによ
り、球状ＬＥＤベアチップ３１に対してより優れた保護
ができる。

【００４４】このようにして、基板１内にＬＥＤベアチ
ップ３０や球状のＬＥＤベアチップ３１が埋設される。
そこで、ベアチップ実装後の基板全体の厚さは、基板１
の厚さとアノードまたはカソード配線４０の厚さの和に
等しく、約１．１〜１．２mmで済む。ＬＥＤベアチップ
３０や直径１ｍｍ以下の球状のＬＥＤベアチップ３１
は、全体の厚さには何ら影響しない。このようにして、
表面にアノードまたはカソード配線４０が形成された基
板に対し、その表面側から配線部の一部分の直下に、チ
ップよりも外寸法より大きな穴を設け、チップを穴の中
に埋没させて、基板表面側の穴２０の中にてチップ電極
の対応するアノードまたはカソード配線４０に接続し
た。このようにして、大型表示装置に用いる発光ダイオ
ードアレイ基板が得られた。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のベアチッ
プ実装基板および実装方法においては、チップが基板に
設けられた穴に埋設されて実装される。これにより、チ
ップを実装した基板等全体の厚さは、基板とチップの厚
さの和とはならず、基本的には基板厚さと電極厚さの和
により決定される。したがって、基板の厚さを、チップ
の厚さに関係なく略基板厚さ、すなわち実装前の基板厚
さにほぼ等しくすることができる。また、ベアチップ実
装後の基板に実装するベアチップの数が多くなった場合
や、実装密度が大きくまた基板寸法が大きくなった場合
であっても、基板強度は低下しない効果を奏する。

【００４６】穴壁の一部分をテーパ状に傾斜させると断
線不良が起こらず、電極膜厚を小さくできるために電極
材料として使用する材料費を低減できる他に加工時の寸
法精度を向上させる効果を奏する。

【００４７】ベアチップを挿入する際に、基板をベアチ
ップより高い温度に加熱すれば、穴は成型加工した寸法
より拡大するために、ベアチップを挿入する場合のクリ
アランスが大きくなり、実装時の生産性が向上する効果
を奏する。

【００４８】球状のチップを実装する基板断面を円弧と
なる断面構造を得るためには、凹み或は溝状の穴を球状
のチップと外接する円弧形状の断面を、成型金型を用い
て成型して実現する。成型する方法は、円弧形状の断面
加工寸法精度を確保する点、基板コストを低減させる
点、大型化を行う点で効果を奏する。

【００４９】又、球状チップの保護のために、凹み或は
溝が円弧の断面となるようにすることにより、樹脂の使
用量が節減され、コストパフォーマンスが良好となる効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のベアチップ実装方法の一実施例につい
て、そのプロセスフローを示す断面図群と実装基板であ
る。

【図２】本発明のベアチップ実装方法の一実施例を用い
た、アクティブマトリクスもしくは発光ダイオードアレ
イ基板の断面図群である。

【図３】本発明の球状のベアチップを用いた実装基板の
実装部分の一部を示す断面図である。

【図４】穴壁の一部分がテーパ状に傾斜しているベアチ
ップ実装状態についての断面図である。

【図５】従来の他の実装方法によるベアチップ実装状態
についての断面図である。

【符号の説明】

１ 樹脂基板 ２ 配線 ３ ベアチップ ５ 接続電極 ６ ベアチップの電極 ７ ＴＦＴベアチップのソースまたはゲート電極ま
たはＬＥＤアノードまたはカソード電極 ２０ 穴 ３０ ＴＦＴベアチップまたはＬＥＤベアチップ ３１ 球形ベアチップ（シリコン半導体ＩＣまたは
ＴＦＴまたはＬＥＤの球状ベアチップ） ４０ ＴＦＴソースまたはゲートバスライン配線ま
たはＬＥＤアノードまたはカソード配線 ５０ 樹脂

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA04 BA05 CA02 CA06 DA03 DA09 DB16 DB17 EA10 GA03 5E336 AA08 BB01 BB12 BB16 BC26 CC38 CC57 CC58 EE08 EE20 GG01 GG12 GG16 GG26

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベアチップの外寸法より大きな穴と配線
   が形成された成型基板において、 成型された穴にベアチップを埋没させて、基板の表面側
   からベアチップ電極と対応する基板側の配線部とを接続
   したことを特徴とするベアチップ実装基板。
2. 【請求項２】 ベアチップ実装基板にベアチップの外寸
   法より大きな穴と配線が形成された成型基板において、 配線が形成された成型基板の穴壁の一部分がテーパ状に
   傾斜したことを特徴とする請求項１に記載のベアチップ
   実装基板。
3. 【請求項３】 ベアチップが球状形状であることを特徴
   とする請求項１に記載のベアチップ実装基板。
4. 【請求項４】 ベアチップの外寸法より大きな穴の中に
   ベアチップを埋没させて、基板の表面側からチップ電極
   の対応するバスライン配線に接続されることを特徴とす
   る請求項１に記載の実装基板を用いたアクティブマトリ
   クス基板。
5. 【請求項５】 ベアチップの電極パッドと基板の配線部
   とを接続する際に、基板をベアチップより高い温度に加
   熱して、前記チップよりも寸法の大きな穴にチップを挿
   入し、基板に実装されることを特徴とする請求項１に記
   載の実装基板を用いたベアチップ実装方法。