JP2002075889A

JP2002075889A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2002075889A
Application number: JP2000265806A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Kato; 和彦加藤; Kenichi Yamaga; 健一山賀
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-09-01
Filing date: 2000-09-01
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒータの冷却ムラを低減することができ、被
処理体の温度均一性に影響を与えることなく冷媒通路の
入側と出側の温度差の設定幅を大きくすることができ、
排熱利用性および熱回収効率の向上が図れる熱処理装置
を提供する。【解決手段】被処理体ｗを収容して熱処理するための
処理容器２と、該処理容器２の周囲に設けられたヒータ
１０と、該ヒータ１０の外周に設けられた冷却部２１と
を備え、前記冷却部２１は、冷媒を互いに逆方向に流す
ための少なくとも二列の冷媒通路２３，２４を有してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造においては、被処理体
例えば半導体ウエハに酸化、拡散、アニール、ＣＶＤ等
の処理を施す半導体製造装置として、例えば一度に多数
枚の半導体ウエハの処理が可能なバッチ式の縦型の熱処
理装置が用いられている。この熱処理装置においては、
多数枚のウエハを所定間隔で配列支持した状態で処理容
器内に収容し、この処理容器の周囲に設けた円筒状のヒ
ータにより前記ウエハを加熱して所定の熱処理を施すよ
うに構成されている。

【０００３】前記ヒータは、円筒状の断熱材の内周に線
状の抵抗発熱体を螺旋状もしくは蛇行状に配設してな
る。また、ヒータの外周には、ヒータの冷却と外部への
放熱による熱影響の抑制を行うために、冷却ジャケット
が設けられている。この冷却ジャケットは、例えば図７
に展開図で示すように、側板２２の内側に沿って冷却水
をその一側の入側から他側の出側に向って蛇行状に流す
べく冷却管２３を蛇行状に配設してなる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
熱処理装置においては、前記ヒータの冷却部（冷却ジャ
ケット）において、冷却水の流れが一方向のみであった
ので、冷却管２３の入側２３ａと出側２３ｂの温度差分
の冷却ムラが発生していた。このため、例えばヒータの
排熱利用や熱回収効率の向上等の目的により前記冷却管
２３の入側２３ａと出側２３ｂの温度差を大きく設定す
る必要性が生じた場合、ウエハ上の温度均一性に影響を
与える可能性があった。また、ヒータの冷却レートおよ
びヒータからの放熱量は、供給される冷却水の温度や流
量に左右され易く、排熱利用に使い難く、排熱利用性に
劣る問題があった。

【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、ヒータの冷却ムラを低減することができ、被処理
体の温度均一性に影響を与えることなく冷媒通路の入側
と出側の温度差の設定幅を大きくすることができ、排熱
利用性および熱回収効率の向上が図れる熱処理装置を提
供することを目的とする。また、供給される冷媒の温度
や流量が変動してもヒータの冷却レートおよび放熱量を
一定にすることができ、排熱利用性の向上が図れる熱処
理装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の熱処理装置は、被処理体を収容して熱処理するための
処理容器と、該処理容器の周囲に設けられたヒータと、
該ヒータの外周に設けられた冷却部とを備え、前記冷却
部は、冷媒を互いに逆方向に流すための少なくとも二列
の冷媒通路を有していることを特徴とする。

【０００７】請求項２の熱処理装置は、被処理体を収容
して熱処理するための処理容器と、該処理容器の周囲に
設けられたヒータと、該ヒータの外周に設けられ冷媒を
流すための冷媒通路を有する冷却部と、その冷媒通路の
出側に設けられた温度センサと、冷媒通路の入側に設け
られた制御弁と、前記温度センサにより冷媒の出側温度
を検出して所定の設定温度にすべく前記制御弁の開度を
調節する制御部とを備えたことを特徴とする。

【０００８】請求項３の熱処理装置は、被処理体を収容
して熱処理するための処理容器と、該処理容器の周囲に
設けられたヒータと、該ヒータの外周に設けられ冷媒を
互いに逆方向に流すための少なくとも二列の冷媒通路を
有する冷却部と、少なくとも一方の冷媒通路に接続され
た排熱利用ラインと、該排熱利用ラインに接続された冷
媒通路の出側に設けられた温度センサと、冷媒通路の入
側に設けられた制御弁と、前記温度センサにより冷媒の
出側温度を検出して所定の設定温度にすべく前記制御弁
の開度を調節する制御部とを備えたことを特徴とする。

【０００９】請求項４の熱処理装置は、被処理体を収容
して熱処理するための処理容器と、該処理容器の周囲に
設けられたヒータと、該ヒータの外周に設けられ冷媒を
流すための冷媒通路を有する冷却部と、その冷媒通路の
出側に接続された冷媒導入管と、前記冷媒通路の出側に
設けられた温度センサと、前記冷媒導入管に設けられた
制御弁と、前記温度センサにより冷媒の出側温度を検出
して所定の設定温度にすべく前記制御弁の開度を調節す
る制御部とを備えたことを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明が適用される縦
型の熱処理装置を示す縦断面図、図２は同熱処理装置の
冷却ジャケットの概略的斜視図、図３は本発明の第１の
実施の形態を示す冷却ジャケットの展開図である。

【００１１】図１において、１は縦型の熱処理装置で、
この熱処理装置１は複数枚の被処理体例えば半導体ウエ
ハｗを収容して所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を施す縦
型の処理容器（プロセスチューブ）２を備えている。こ
の処理容器２は、耐熱性および耐食性を有する材料例え
ば石英ガラスにより形成されている。

【００１２】処理容器２は、本実施の形態では、内管２
ａと外管２ｂの二重管構造になっている。内管２ａは上
端および下端が開放されている。外管２ｂは、上端が閉
塞され、下端が開放されている。なお、処理容器２は、
外管２ｂのみからなっていてもよく、この場合、外管２
ｂの頂部に排気部が設けられていてもよい。

【００１３】処理容器２の下部には、本実施の形態で
は、処理容器２内に処理ガスや不活性ガスを導入するガ
ス導入部３と、処理容器２内を排気する排気部４とを有
する短円筒状のマニホールド５が設けられている。この
マニホールド５は、耐熱性および耐食性を有する材料例
えばステンレス鋼により形成されている。

【００１４】ガス導入部３には、ガス源に通じるガス供
給系の配管が接続される。排気部４には、真空ポンプお
よび圧力制御機構を有する排気系が接続され、処理容器
２内を所定の処理圧力に制御し得るようになっている。
この処理圧力に制御された状態で、ガス導入部３から導
入された処理ガスが処理容器２の内管２ａ内を上昇して
ウエハｗの所定の熱処理に供された後、内管２ａと外管
２ｂとの間の環状通路を下降して排気部４から排気され
るようになっている。

【００１５】前記マニホールド５の上端には、フランジ
部５ａが形成されており、この上端フランジ部５ａの上
面には、外管２ｂの下端フランジ部２ｆが載置され、フ
ランジ押え６により接合固定されている。マニホールド
５の上端フランジ部５ｆと外管２ｂの下端フランジ部２
ｆとの間には、シール手段である例えばＯリング７が介
設されている。マニホールド５の内側には、内管２ａを
支持するための内管支持部８が設けられている。

【００１６】前記マニホールド５は、ベースプレート９
の下部に取付けられており、このベースプレート９の上
部には、処理容器２の周囲を取り囲み処理容器２内のウ
エハｗを所定の熱処理温度に加熱昇温するためのヒータ
１０が設置されている。このヒータ１０は、処理容器２
の周囲を取囲む筒状（円筒状）の断熱材１１を備え、こ
の筒状断熱材１１の内周に線状の抵抗発熱体１２が螺旋
状または蛇行状に配設されている。前記ヒータ１０は、
高さ方向に複数の領域に分けて温度制御が可能に構成さ
れている。

【００１７】ヒータ１０の筒状断熱材１１の上部には、
ヒータ１０の頂部断熱材である円板状の板状断熱材１３
が被せられ（載置され）ている。ヒータ１０本体の筒状
断熱材１１およびヒータ１０頂部の板状断熱材１３は、
所定の断熱材料例えばシリカ（ＳｉＯ₂）およびアルミ
ナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の混合材料により形成されている。

【００１８】前記ヒータ１０の筒状断熱材１１の外周お
よび板状断熱材１３の上方は、金属板からなる覆いであ
るアウターシェル１４により覆われており、ヒータ１０
の外周、図示例ではアウターシェル１４の外周には、ヒ
ータ１０の冷却と外部への放熱による熱影響の抑制を行
うために、後述する冷却部例えば冷却ジャケット２１が
設けられている。

【００１９】処理容器２内に複数枚例えば１５０枚程度
の半導体ウエハｗを高さ方向に所定間隔で搭載保持する
ために、ウエハｗは保持具である例えば石英ガラス製の
ボート１５に保持され、このボート１５はマニホールド
５の下端開口部（炉口）を密閉する例えばステンレス鋼
製の蓋体１６の上部に炉口断熱手段である保温筒１７を
介して載置されている。前記処理容器２の下方には、蓋
体１６を昇降させて蓋体１６の開閉および処理容器２に
対するボート１５の搬入搬出を行うための昇降機構１８
が設けられていると共にその作業領域であるローディン
グエリア１９が設けられている。

【００２０】マニホールド５の下端（開口端）と蓋体１
６との接合部には、シール手段である例えばＯリングが
設けられている（図示省略）。また、蓋体１６には、ウ
エハｗの面内均一な熱処理を可能とするためにボート１
５を回転するための回転機構２０が設けられている。

【００２１】前記冷却ジャケット２１は、図２（概略的
斜視図）もしくは図３（展開図）に示すように、例えば
アルミニウム製の板金により円筒状に形成される側板２
２と、この側板２２の内面に沿って冷媒例えばおば冷却
水を互いに逆方向に流すための二列の冷媒通路を形成す
る２本の蛇行状の冷却管２３，２４とから主に構成され
ている。図示例では、上下で対をなす２本の冷却管２
３，２４が、側板２２の内面に周方向ないし水平方向に
沿って平行蛇行状に形成配置され、側板２２に対して図
示しないクリップ（止め具）で適宜固定されている。

【００２２】上側の冷却管２３は左側の入側（イン）２
３ａから右側の出側（アウト）２３ｂへ冷却水を流し、
下側の冷却管２４は右側の入側（イン）２４ａから左側
の出側（アウト）２４ｂへ冷却水を流すように構成され
ている。冷却ジャケット２１の冷却管２３，２４の出側
２３ｂ、２４ｂには、出側２３ｂ、２４ｂから排出され
る昇温した冷却水を熱交換により冷却する図示しない冷
却器（チラー）もしくは冷却水の熱を例えば暖房等の熱
源として利用する排熱利用ラインが接続され、冷却器も
しくは排熱利用ラインから降温した冷却水が冷却管２
３，２４の入側２３ａ，２４ａに供給されて循環される
ようになっている（図示省略）。

【００２３】次に、以上の構成からなる熱処理装置の作
用を述べる。先ず、ウエハｗの移載が終了したボート１
５は、ローディングエリア１９において、蓋体１６上の
保温筒１７上に載置される。次に、昇降機構１８による
蓋体１６の上昇によってボート１５を処理容器２内にそ
の下端開口（マニホールド５の下端開口部）から搬入
し、その開口を蓋体１６で気密に閉塞する。そして、処
理容器２内を、排気部４からの排気系による減圧排気に
より所定の圧力ないし真空度に制御すると共にヒータ１
０の昇温により所定の処理温度に制御し、回転機構２０
によりボート１５を回転させながらガス導入部３より処
理ガスを処理容器２内に導入してウエハｗに所定の熱処
理例えばＣＶＤ処理を開始する。

【００２４】所定の熱処理が終了したなら、先ず、ヒー
タ１０の電源を切ってヒータ１０内を降温させ、処理ガ
スの導入を停止し不活性ガスの導入により処理容器２内
をパージする。次に、回転機構２０を停止し、蓋体１６
を下降させて処理容器２内を開放すると共にボート２を
ローディングエリア３７に搬出すればよい。

【００２５】一方、前記ヒータ１０の外周の冷却ジャケ
ット２１においては、２列の冷媒通路を形成する冷却管
２３，２４内にそれぞれ冷却水が逆方向から流通されて
冷却されており、これにより、ヒータ１０の外周が冷却
されていると共に外部への放熱による熱影響が低減ない
し抑制されている。特に、冷却ジャケット２１によるヒ
ータ１０の外周の冷却により、熱処理終了後のヒータ１
０内および処理容器２内の降温ひいてはウエハｗの降温
を促進することができる。

【００２６】このように前記熱処理装置１によれば、ウ
エハｗを収容して熱処理するための処理容器２と、この
処理容器２の周囲に設けられたヒータ１０と、このヒー
タ１０の外周に設けられた冷却ジャケット２１とを備
え、前記冷却ジャケット２１は冷媒例えば冷却水を互い
に逆方向に流すための少なくとも二列の冷却管（冷媒通
路）２３，２４を有しているため、対向して流れる冷却
水の相反する温度勾配による冷却の平均化によりヒータ
１０の冷却ムラ（図示例では周方向の温度勾配による冷
却ムラ）を低減することができ、これによりウエハｗの
温度均一性に影響を与えることなく冷却管（冷媒通路）
２３，２４の入側２３ａ，２４ａと出側２３ｂ，２４ｂ
の温度差の設定幅を大きくすることができ、排熱利用性
および熱回収効率の向上が図れる。

【００２７】また、冷却水による熱回収効率を上げられ
るので、ヒータ１０からクリーンルーム内への放熱を低
減することができ、クリーンルームの熱排気温度を低減
することができ、半導体製造工場設備全体の省エネルギ
ー化に寄与することができる。更に、冷却ムラ低減によ
りウエハの温度均一性への影響が無くなり、冷却管（冷
媒通路）２３，２４の入側２３ａ，２４ａと出側２３
ｂ，２４ｂの温度差を上げられるので、冷却水の流量を
絞り込むことができ、冷却水量の低減ないし節減が図
れ、省エネルギー化に寄与し得る。また、冷却水の流量
の減少により、冷却水ポンプの小型化および設備コスト
の低減が図れる。

【００２８】図４は本発明の第２の実施の形態を示す冷
却制御システムの構成図である。図４において、１０は
熱処理装置における図示しない処理容器の周囲に設けら
れたヒータで、このヒータ１０の外周には冷却部である
冷却ジャケット２１が設けられている。この冷却ジャケ
ット２１は、冷媒である冷却水を流すための冷媒通路２
３を有し、その出側２３ｂには冷却水の出側温度を検出
する例えば熱電対からなる温度センサ２５が設けられ、
冷媒通路２３の入側２３ａには冷却水の流量を調節する
制御弁２６が設けられている。そして、前記温度センサ
２５により冷却水の出側温度を検出して所定の設定温度
にすべく制御弁２６の開度を調節する制御部（コントロ
ーラ）２７が設けられ、これらにより冷却制御システム
２８が構成されている。

【００２９】このように構成される熱処理装置によれ
ば、ウエハを収容して熱処理する処理容器の周囲に設け
られたヒータ１０と、このヒータ１０の外周に設けられ
冷却水を流すための冷媒通路２３を有する冷却ジャケッ
ト２１と、その冷媒通路２３の出側２３ｂに設けられた
温度センサ２５と、冷媒通路２３の入側２３ａに設けら
れた制御弁２６と、前記温度センサ２５により冷却水の
出側温度を検出して所定の設定温度にすべく前記制御弁
２６の開度を調節する制御部２７とを備えているため、
供給される冷却水の温度や流量が変動してもヒータ１０
の冷却レートおよび放熱量を一定にすることができる。
すなわち、ヒータ１０の使用温度の変化、入側２３ａの
冷却水の温度や流量に関らず一定の排水温度が得られる
ため、排熱利用等に使い易くなり、排熱利用性の向上が
図れる。

【００３０】また、一定の排水温度が得られるため、工
場設備への負荷を安定させることができる。また、ヒー
タ温度が高い時を基準に設定した冷却水一定流量より
は、トータル流量を減少させることが可能となり、冷却
水量の低減による省エネルギー化、ポンプの小型化およ
び設備コストの低減が図れる。

【００３１】図５は本発明の第３の実施の形態を示す構
成図である。図５の実施の形態は、図３の実施の形態と
図４の実施の形態を組み合わせ、二重化した冷媒通路の
一つを排熱利用ライン専用に使用するようにしたもので
ある。図５の実施の形態において、図３の実施の形態お
よび図４の実施の形態と同じ部分は、同じ参照符号を付
して説明を省略する。ヒータの外周に設けられた冷却部
である冷却ジャケット２１は、冷媒例えば冷却水を互い
に逆方向に流すための二列の冷媒通路２３，２４を有
し、その一方の冷媒通路２４にはその排熱を例えば暖房
等に利用するための排熱利用ライン２９が接続されてい
る。

【００３２】前記排熱利用ライン２９に接続された冷媒
通路２４の出側２４ｂには温度センサ２５が設けられ、
冷媒通路２４の入側２４ａには制御弁２６が設けられて
いる。そして、前記温度センサ２５により冷却水の出側
温度を検出して所定の設定温度にすべく前記制御弁２６
の開度を調節する制御部２７が設けられ、これらにより
冷却制御システム２８が構成されている。

【００３３】このような構成を有する熱処理装置によれ
ば、ウエハを収容して熱処理するための処理容器の周囲
に設けられたヒータと、このヒータの外周に設けられ冷
媒例えば冷却水を互いに逆方向に流すための二列の冷媒
通路２３，２４を有する冷却ジャケット２１と、一方の
冷媒通路２４を循環するように接続された排熱利用ライ
ン２９と、この排熱利用ライン２９に接続された冷媒通
路２４の出側２４ｂに設けられた温度センサ２５と、冷
媒通路２４の入側２４ａに設けられた制御弁２６と、前
記温度センサ２５により冷却水の出側温度を検出して所
定の設定温度にすべく前記制御弁２６の開度を調節する
制御部２７とを備えているため、対向して流れる冷却水
の相反する温度勾配による冷却の平均化によりヒータの
冷却ムラを低減することができると共に排熱利用性およ
び熱回収効率の向上が図れる。なお、図５の実施の形態
では、２列の冷媒通路２３，２４のうちの一方の冷媒通
路２４にのみ排熱利用ライン２９が接続されているが、
各冷媒通路２３，２４に排熱利用ライン２９が接続され
ていてもよい。排熱利用ライン２９に接続された冷媒通
路２４に流す冷媒としては、冷却水以外に、例えば熱搬
送能力の高いものであってもよい。

【００３４】図６は本発明の第４の実施の形態を示す冷
却制御システムの構成図である。図６において、２１は
熱処理装置のヒータ１０の外周に設けられた冷却ジャケ
ット（冷却部）２１で、冷媒例えば冷却水を流す冷媒通
路２３を有している。この冷媒通路２３の出側２３ｂに
は、他の冷媒例えば冷却水を導入する冷媒導入管３０が
接続されている。

【００３５】前記冷媒通路２３の出側には温度センサ２
５が設けられ、前記冷媒導入管３０には制御弁２６が設
けられている。そして、前記温度センサ２５により冷媒
通路２３の出側温度を検出して所定の設定温度にすべく
前記制御弁２６の開度を調節する制御部２７が設けら
れ、これらにより冷却制御システム２８が構成されてい
る。

【００３６】このような構成を有する熱処理装置によれ
ば、ウエハを収容して熱処理するための処理容器の周囲
に設けられたヒータ１０と、このヒータ１０の外周に設
けられ冷却水を流すための冷媒通路２３を有する冷却ジ
ャケット２１と、その冷媒通路２３の出側に接続された
冷媒導入管３０と、前記冷媒通路２３の出側２３ｂに設
けられた温度センサ２５と、前記冷媒導入管３０に設け
られた制御弁２６と、前記温度センサ２５により冷却ジ
ャケット２１の出側温度を検出して所定の設定温度にす
べく前記制御弁２５の開度を調節する制御部２７とを備
えているため、供給される冷却水の温度や流量が変動し
ても冷媒通路２３の出側温度を一定にすることができ、
これにより排熱利用等に使い易くなり、排熱利用性の向
上が図れる。

【００３７】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、熱処理の一例としてＣＶＤ処理が例示されている
が、本発明の熱処理装置は、ＣＶＤ処理以外に、例えば
拡散処理、酸化処理、アニール処理等を行うことが可能
である。また、前記実施の形態では、処理容器にマニホ
ールドを備えた熱処理装置が例示されているが、本発明
の熱処理装置は、処理容器にマニホールドを備えていな
くてもよい。

【００３８】また、熱処理装置としては、縦型に限定さ
れず、横型であってもよい。被処理体としては、半導体
ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であっ
てもよい。冷却ジャケットに設けられた冷媒通路は、３
列以上であってもよい。また、冷却ジャケットの冷媒通
路は、必ずしも冷却管により形成されている必要はな
く、例えば二重管構造体の環状空間内を仕切板で仕切る
ことにより形成することもできる。ヒータは、必ずしも
断熱材を有している必要はない。冷媒としては、冷却水
が好適であるが、必ずしも冷却水に限定されるものでは
ない。

【００３９】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００４０】（１）請求項１の熱処理装置によれば、被
処理体を収容して熱処理するための処理容器と、該処理
容器の周囲に設けられたヒータと、該ヒータの外周に設
けられた冷却部とを備え、前記冷却部は冷媒を互いに逆
方向に流すための少なくとも二列の冷媒通路を有してい
るため、対向して流れる冷媒の相反する温度勾配による
冷却の平均化によりヒータの冷却ムラを低減することが
でき、これにより被処理体の温度均一性に影響を与える
ことなく冷媒通路の入側と出側の温度差の設定幅を大き
くすることができ、排熱利用性および熱回収効率の向上
が図れる。

【００４１】（２）請求項２の熱処理装置によれば、被
処理体を収容して熱処理するための処理容器と、該処理
容器の周囲に設けられたヒータと、該ヒータの外周に設
けられ冷媒を流すための冷媒通路を有する冷却部と、そ
の冷媒通路の出側に設けられた温度センサと、冷媒通路
の入側に設けられた制御弁と、前記温度センサにより冷
媒の出側温度を検出して所定の設定温度にすべく前記制
御弁の開度を調節する制御部とを備えているため、供給
される冷媒の温度や流量が変動してもヒータの冷却レー
トおよび放熱量を一定にすることができ、これにより排
熱利用等に使い易くなり、排熱利用性の向上が図れる。

【００４２】（３）請求項３の熱処理装置によれば、被
処理体を収容して熱処理するための処理容器と、該処理
容器の周囲に設けられたヒータと、該ヒータの外周に設
けられ冷媒を互いに逆方向に流すための少なくとも二列
の冷媒通路を有する冷却部と、少なくとも一方の冷媒通
路に接続された排熱利用ラインと、該排熱利用ラインに
接続された冷媒通路の出側に設けられた温度センサと、
冷媒通路の入側に設けられた制御弁と、前記温度センサ
により冷媒の出側温度を検出して所定の設定温度にすべ
く前記制御弁の開度を調節する制御部とを備えているた
め、対向して流れる冷媒の相反する温度勾配による冷却
の平均化によりヒータの冷却ムラを低減することができ
ると共に排熱利用性および熱回収効率の向上が図れる。

【００４３】（４）請求項４の熱処理装置によれば、被
処理体を収容して熱処理するための処理容器と、該処理
容器の周囲に設けられたヒータと、該ヒータの外周に設
けられ冷媒を流すための冷媒通路を有する冷却部と、そ
の冷媒通路の出側に接続された冷媒導入管と、前記冷媒
通路の出側に設けられた温度センサと、前記冷媒導入管
に設けられた制御弁と、前記温度センサにより冷媒の出
側温度を検出して所定の設定温度にすべく前記制御弁の
開度を調節する制御部とを備えているため、供給される
冷媒の温度や流量が変動しても冷媒通路の出側温度を一
定にすることができ、これにより排熱利用等に使い易く
なり、排熱利用性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される熱処理装置を示す縦断面図
である。

【図２】同熱処理装置の冷却ジャケットの概略的斜視図
である。

【図３】本発明の第１の実施の形態を示す冷却ジャケッ
トの展開図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態を示す冷却制御シス
テムの構成図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
る。

【図６】本発明の第４の実施の形態を示す冷却制御シス
テムの構成図である。

【図７】従来の熱処理装置における冷却ジャケットの展
開図である。

【符号の説明】

ｗ半導体ウエハ（被処理体）１熱処理装置２処理容器１０ヒータ２１冷却ジャケット（冷却部）２３，２４冷却管（冷媒通路）２５温度センサ２６制御弁２７制御部２９排熱利用ライン３０冷媒導入管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K058 AA72 AA86 AA87 BA19 CB01 4K061 AA01 BA11 CA08 DA09 FA07 GA10 5F045 AA03 AA06 AA20 BB08 DP19 EJ04 EJ06 EJ09 EK06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を収容して熱処理するための処
理容器と、該処理容器の周囲に設けられたヒータと、該
ヒータの外周に設けられた冷却部とを備え、前記冷却部
は、冷媒を互いに逆方向に流すための少なくとも二列の
冷媒通路を有していることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】被処理体を収容して熱処理するための処
理容器と、該処理容器の周囲に設けられたヒータと、該
ヒータの外周に設けられ冷媒を流すための冷媒通路を有
する冷却部と、その冷媒通路の出側に設けられた温度セ
ンサと、冷媒通路の入側に設けられた制御弁と、前記温
度センサにより冷媒の出側温度を検出して所定の設定温
度にすべく前記制御弁の開度を調節する制御部とを備え
たことを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】被処理体を収容して熱処理するための処
理容器と、該処理容器の周囲に設けられたヒータと、該
ヒータの外周に設けられ冷媒を互いに逆方向に流すため
の少なくとも二列の冷媒通路を有する冷却部と、少なく
とも一方の冷媒通路に接続された排熱利用ラインと、該
排熱利用ラインに接続された冷媒通路の出側に設けられ
た温度センサと、冷媒通路の入側に設けられた制御弁
と、前記温度センサにより冷媒の出側温度を検出して所
定の設定温度にすべく前記制御弁の開度を調節する制御
部とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】被処理体を収容して熱処理するための処
理容器と、該処理容器の周囲に設けられたヒータと、該
ヒータの外周に設けられ冷媒を流すための冷媒通路を有
する冷却部と、その冷媒通路の出側に接続された冷媒導
入管と、前記冷媒通路の出側に設けられた温度センサ
と、前記冷媒導入管に設けられた制御弁と、前記温度セ
ンサにより冷媒の出側温度を検出して所定の設定温度に
すべく前記制御弁の開度を調節する制御部とを備えたこ
とを特徴とする熱処理装置。