JPH07273101A

JPH07273101A - 枚葉式熱処理装置

Info

Publication number: JPH07273101A
Application number: JP8557494A
Authority: JP
Inventors: Harunori Ushigawa; 治憲牛川
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Priority date: 1994-03-31
Filing date: 1994-03-31
Publication date: 1995-10-20

Abstract

(57)【要約】【目的】１つの装置構成で、被処理体に対してＣＶＤ
処理とウエット酸化処理を可能にする。【構成】処理容器２内の載置部４上のウエハＷは加熱
ランプ１１で加熱される。シャワーヘッド２１の導入口
２５には、処理ガス導入管３１と水蒸気導入管４１が接
続されている。処理容器２自体の内部には、流路６１が
形成されており、この流路６１内を加熱ヒータ６６で加
熱された伝熱媒体が流通し、処理容器２内壁が結露温度
以上に加熱される。シャワーヘッド２１の支持板２２と
拡散板７３は発熱体７３によって結露温度以上に加熱さ
れる。シャワーヘッド２１を通じて水蒸気を処理容器２
内に導入しても、処理容器２内壁とシャワーヘッド２１
で結露しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、枚葉式熱処理装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスがその
表面に形成される半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）の製造工程を例にとって説明すると、従来からウエ
ハ表面に薄膜を形成する際に使用されている枚葉式の処
理装置は、いわゆるコールドウォール方式のＣＶＤ装置
として構成されており、処理室内に設けられた載置手段
にウエハを載置し、載置手段下部からの加熱によって前
記ウエハを所定の温度にまで加熱した状態で、この処理
室内に処理ガスを導入させることによってウエハ表面に
所定の薄膜を形成するように構成されていた。例えば処
理室内にＯ₂（酸素）を導入し、さらにウエハを例えば
１０００゜Ｃ〜１１００゜Ｃに加熱することにより、こ
のウエハ表面には酸化膜が形成されるが、このような酸
化膜形成方法は、一般的にドライ酸化方法と呼ばれてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところでウエハ表面に
酸化膜を形成する方法には、前記のドライ酸化方法の他
に、ウエット酸化方法と呼ばれる方法がある。このウエ
ット酸化方法は、処理室内に例えば高温の水蒸気を導入
し、比較的厚い酸化膜をウエハ表面に高速で形成する際
に用いられている。

【０００４】そして従来は前記したＣＶＤ処理を実施す
る装置と、このウエット酸化方法を実施する装置とで
は、その装置構成が全く異なっていた。換言すれば、従
来のＣＶＤ装置では、前記のウエット酸化方法を実施す
ることができなかったのである。即ち従来の枚葉式のコ
ールドウォールタイプのＣＶＤ装置においては、文字ど
おり、処理室内壁が比較的低温（例えば＋５０゜Ｃ）に
保つように構成してあり、処理中に反応性生物が処理室
内壁などに付着しないように配慮されていたのである。

【０００５】しかしながらかかる装置構成によって既述
のウエット酸化処理を行うと、処理室内壁がそのような
低温のため、当該内壁に結露が生じてウエハに悪影響を
与えてしまうのであった。そのため従来の枚葉式のＣＶ
Ｄ装置では、ウエット酸化処理を実施することができな
かったのである。

【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、基本的には従来の枚葉式のＣＶＤ処理が可能な熱
処理装置の構成を採るが、そのままの装置構成でウエッ
ト酸化処理も可能な、いわばハイブリット方式の熱処理
装置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的とす
るものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項１によれば、処理室内の載置手段に載置された被処
理体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉
式の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び
水蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成される
と共に、前記処理室を形成する処理容器自体は、その内
部に伝熱媒体が流通される如く構成され、この伝熱媒体
によって少なくとも当該処理室内壁表面が、１００゜Ｃ
以上に加熱自在となるように構成されたことを特徴とす
る、枚葉式熱処理装置が提供される。

【０００８】また処理室内壁とは、側壁のみならず、処
理室内雰囲気と直接接して結露するおそれのある部位、
例えば底板や天板、さらには処理室内で被処理体と対向
している処理ガス流出口や処理ガス拡散板などをも含む
意味である。

【０００９】また請求項２によれば、処理室内の載置手
段に載置された被処理体に対して、所定の熱処理を施す
如く構成された枚葉式の熱処理装置であって、前記処理
室内に処理ガス及び水蒸気が夫々独立して供給自在とな
るように構成されると共に、前記処理室を形成する処理
容器には加熱装置が設けられ、この加熱装置によって少
なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加熱自在
となるように構成されたことを特徴とする、枚葉式熱処
理装置が提供される。

【００１０】この場合の前記加熱装置は、請求項３に記
載したように、例えば抵抗発熱体を用いるなどして抵抗
加熱方式の加熱装置として構成してもよく、請求項４に
記載したように、処理容器外部を覆う形態の加熱ジャケ
ットとして構成し、その内部に伝熱媒体を流通させる如
く構成して、この伝熱媒体によって少なくとも処理室内
壁表面を加熱するように構成してもよい。

【００１１】請求項１、４に記載された枚葉式熱処理装
置に使用する伝熱媒体としては、請求項５に記載したエ
チレングリコールを主剤とした不揮発性の液体とした
り、あるいは請求項６に記載した油であってもよく、さ
らには請求項７に記載したように、気体であってもよ
い。

【００１２】また加熱する温度は、請求項８に記載した
ように、その上限を３００゜Ｃに設定するように構成し
てもよい。

【００１３】そして以上のように構成される枚葉式熱処
理装置において、請求項９に記載したように、処理室内
を所定の減圧度にまで真空引き自在となるように構成し
てもよい。

【００１４】

【作用】請求項１によれば、処理容器自体内部の伝熱媒
体によって、少なくとも当該処理室内壁表面が１００゜
Ｃ以上、即ち結露温度以上に加熱することができるの
で、処理室内に水蒸気を導入しても、当該処理室内壁表
面が結露することはない。従って既述したウエット酸化
方法や、さらにはＯ₂（酸素）とＨＣｌ（塩素）との混
合ガスによって酸化処理する塩素酸化処理を実施するこ
とが可能である。しかも処理室内壁表面がそのように１
００゜Ｃ以上になっているので、被処理体の周辺部は処
理室内壁からの輻射を受け、その結果、通常この種の熱
処理で問題となることが多い被処理体中央部との温度差
を、小さくすることができる。

【００１５】また請求項２によっても、加熱装置によっ
て少なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加熱
されるので、処理室内に水蒸気を導入しても、当該処理
室内壁表面が結露することはない。

【００１６】請求項３のように加熱装置を抵抗加熱方式
とした場合には、処理容器の設計、構成が容易であり、
請求項４に記載したように、処理容器外部を覆う形態の
加熱ジャケットとして構成し、その内部に伝熱媒体を流
通させる如く構成した場合には、処理室内壁を均等に加
熱させることができ、処理に悪影響を与える無用な対流
を処理室内に引き起こすおそれはない。

【００１７】前記した処理容器自体の内部や加熱ジャケ
ット内部に流通させる伝熱媒体に、請求項５に記載した
エチレングリコールを主剤とした不揮発性の液体を用い
れば、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱することが容
易である。しかもこの種の液体は例えばエンジン冷却用
の不凍液として用いられており、その入手、取扱が容易
であり、そのうえ沸点が約２００゜Ｃ前後であるので、
必要以上に加熱するおそれもない。さらに処理容器や加
熱ジャケットを伝熱製良好なアルミニウムで構成して
も、これらを腐食するおそれはない。

【００１８】請求項６に記載したように、伝熱媒体とし
て油を用いた場合にも、沸点は１００゜Ｃ以上であるの
で、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱することが可能
である。またその入手、取扱も容易であり、処理容器や
加熱ジャケットを腐食させることもない。

【００１９】請求項７に記載したように、伝熱媒体とし
て気体を用いれば、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に加熱
することは容易であり、例えば不活性ガスであるＮ
₂（窒素）、Ａｒ（アルゴン）を用いれば、入手、取扱
いが容易であり、また処理容器や加熱ジャケットを腐食
させることがない。

【００２０】また加熱する温度は、請求項８に記載した
ように、その上限を３００゜Ｃに設定すれば、例えば処
理容器の材質に一般的なアルミニウムを選択しても、こ
れを変形させるおそれはない。

【００２１】そして処理室内を所定の減圧度にまで真空
引き自在となるように構成すれば、減圧ＣＶＤ処理や減
圧酸化処理が可能な装置として構成でき、実施可能な熱
処理の種類が増加する。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明すると、図１は本実施例にかかる熱処理装置１の断
面を模式的に示しており、この熱処理装置１における処
理室を形成する処理容器２はアルミニウム製の略円筒状
の外形をなしており、その底部中央部は、上方に凸に成
形されており、当該中央部には、石英製の透過窓３が設
けられている。そして当該透過窓３の周縁部上方には、
環状の載置部４が形成されており、この載置部４には、
さらに上下動自在なプッシャーピン５が複数設けられて
いる。なお被処理体であるウエハＷは、このプッシャー
ピン５によって授受され、前記載置部４上に載置される
ようになっている。

【００２３】また前記処理容器２の底部には、処理容器
２外部に設置されている、例えばターボ分子ポンプなど
の真空引き手段６に通ずる排気管７が設けられており、
この真空引き手段６によって、処理容器２内は、所定の
減圧度、例えば１０^-6Ｔｏｒｒにまで真空引き可能なよ
うに構成されている。

【００２４】前記透過窓３の下方における処理容器２外
部には、前記ウエハＷを所定温度、例えば６００゜Ｃ〜
１２００゜Ｃにまで加熱するための、加熱ランプ１１が
ターンテーブル１２上に複数配設されており、さらにこ
のターンテーブル１２は、モータなどの回転駆動機構１
３によって所定の速度で回転自在となるように構成され
ており、前記ウエハＷを加熱する場合には、この回転駆
動機構１３によってターンテーブル１２が回転しながら
加熱するように構成されている。従って前記ウエハＷを
ムラなく均一に加熱することが可能である。

【００２５】前記処理容器２における、載置部４と対向
した上部には、処理容器２の一部を構成するシャワーヘ
ッド２１が設けられている。このシャワーヘッド２１
は、支持板２２とこの支持板２２の下面に設けられた拡
散板２３とによって構成された中空形状をなし、さらに
この拡散板２３の下面には、多数の拡散孔２４が穿設さ
れている。

【００２６】前記シャワーヘッド２１の支持板２２の中
央には、導入口２５が設けられており、この導入口２５
には、まず処理ガス導入管３１が一方で接続されてい
る。そしてこの処理ガス導入管３１は、３つに分岐さ
れ、さらに夫々管路を開閉自在なバルブ３２、流量を調
節するためのマスフローコントローラ３３を介して、各
分岐された管には、各々処理ガス供給源３４、３５、３
６が独立して接続されている。本実施例においては、処
理ガス供給源３４にはＯ₂（酸素ガス）、処理ガス供給
源３５にはＨ₂（水素ガス）、処理ガス供給源３６には
ＳｉＨ₄（モノシラン）が用意されている。

【００２７】他方前出導入口２５には、水蒸気導入管４
１が接続されており、シャワーヘッド２１内への導入
が、前出処理ガス導入管３１からの処理ガスとこの水蒸
気導入管４１からの水蒸気とが、任意に切り換えられる
構成となっている。そして前記水蒸気導入管４１には、
Ｈ₂（水素ガス）とＯ₂（酸素ガス）を燃焼（反応）させ
て水蒸気を発生させる燃焼装置４２が、水蒸気供給管路
４３を介して接続されている。この燃焼装置４２は、石
英製の燃焼容器を備えており、二重構造のガス導入管４
４を通じて夫々独立して供給されるＨ₂（水素ガス）と
Ｏ₂（酸素ガス）とを反応させて水蒸気を発生させる構
造を有している。

【００２８】本実施例においては、Ｈ₂（水素ガス）
は、切替バルブ４５、マスフローコントローラ４６を介
して接続されているガス供給源４７からガス導入管４４
の内管部分に供給され、これに対しＯ₂（酸素ガス）の
方は、マスフローコントローラ４８を介して接続されて
いるガス供給源４９からガス導入管４４の外管部分に供
給されるように構成されている。また本実施例では、前
記切替バルブ４５から分岐した管路に、マスフローコン
トローラ５０を介して、パージガスであるＮ₂（窒素ガ
ス）を供給するガス供給源５１が接続されている。

【００２９】そして前記ガス導入管４４の周囲には、Ｈ
₂（水素ガス）とＯ₂（酸素ガス）とを自然着火温度以上
に加熱するためのガス加熱ヒータ５２が設けられてお
り、そのようにして自然着火温度以上に加熱されたこれ
らＨ₂（水素ガス）とＯ₂（酸素ガス）とが、燃焼容器内
で混合されて燃焼し、それによって水蒸気が発生するよ
うになっている。

【００３０】他方燃焼装置４２の周囲には、前記発生し
た高温の水蒸気を、例えば５００゜Ｃ程度にまで冷却す
るための冷却機構５３が設けられている。さらに前記水
蒸気供給管路４３の途中には、絞り部５４が設けられて
水蒸気の圧力調整がなされ、この絞り部５４を通過する
際の断熱膨張によって降温した水蒸気を結露させないた
めに、前記絞り部５４の下流側には、絞り部５４通過直
後の水蒸気を、例えば２００゜Ｃにまで加熱するための
水蒸気加熱ヒータ５５が設けられている。

【００３１】そして本発明の特徴である処理容器内壁を
結露温度以上にするための構成は次のようになってい
る。まず処理容器３の内部には、伝熱媒体が流通するた
めの流路６１が形成されている。この流路６１は、例え
ば入口６２が処理容器２の上部に形成され、出口６３が
処理容器２の下部に形成された構造を有しており、例え
ば入口６２から流入した伝熱媒体は、処理容器２の上部
を巡り、側壁部分に移ってから順次螺旋状に下降して、
前出載置部４の下部を巡ってから出口６３から排出され
るようにしたり、あるいは環状の流路を上下平行に形成
し、これら各環状の流路を垂直流路で連通させるように
構成してもよい。要は流路６１内に淀みが生じないよう
に、処理容器２内に形成すればよい。

【００３２】そして出口６３から処理容器２外部に出た
伝熱媒体は、熱交換器６４を経て、ポンプ６５によって
再び入口６２へと供給される構成を有している。この熱
交換器６４において、前記伝熱媒体は加熱ヒータ６６を
介して、所定の温度に加熱されるようになっている。ま
た前記加熱ヒータ６６は、入口６２付近に設置された温
度センサ６７と、出口６３付近に設置された温度センサ
６８の各検出信号に基づいて制御を行うコントローラ６
９によって制御され、さらに前出ポンプ６５もこのコン
トローラ６９によって制御されるように構成されてい
る。かかる構成により、前記流路６１内での熱損失等が
勘案されて、前記加熱ヒータ６６による加熱程度、ポン
プ６５による流速が夫々調整されて、流路６１を流通す
る伝熱媒体による処理容器２の内壁温度が、所定温度に
制御されるようになっている。

【００３３】また本実施例で使用した伝熱媒体は、例え
ば自動車のエンジン冷却用に用いられている不凍液（沸
点が約２００゜Ｃ）を使用した。

【００３４】一方この処理容器２の一部を構成する前出
シャワーヘッド２１の拡散板２３を結露温度以上にする
ための構成は次のようになっている。即ち拡散板２３の
上面に、絶縁性を有する図２に示したような加熱板７１
が設置されている。この加熱板７１は、拡散板２３の内
側に合わせた大きさ、形態を有する円板形状をなし、さ
らに拡散板２３の拡散孔２４と適合した数、大きさ、位
置関係を有する透孔７２が穿設されており、前記拡散孔
２４の拡散を妨げない構造となっている。

【００３５】そしてこれら透孔７２を覆うことがないよ
うに、発熱体７３が加熱板７１の上部に巡らされてお
り、交流電源７４からの交流電流が通電されることによ
って、発熱するようになっており、加熱板７１を所定の
温度、例えば２００゜Ｃにまで加熱することが可能であ
る。また本実施例では、シャワーヘッド２１の支持板２
２内部にも前記発熱体７３が同時に配設されている。な
おこの発熱体７３に、例えば架橋した結晶性の熱可塑性
樹脂にカーボンブラックを配合した材質を使用すれば、
ある温度にまで上昇すれば極端に導電率が低下するの
で、発熱量が自己制御され、過度の加熱を自動的に防止
することが可能である。

【００３６】本実施例にかかる熱処理装置１は以上のよ
うに構成されており、次にその動作について説明する
と、例えば処理容器２の側壁部分に設けられたゲートバ
ルブ（図示せず）を介して、処理容器２内の載置部４に
載置されたウエハＷに対してウエット酸化を実施する場
合には、加熱ヒータ６６、交流電源７４を作動させず、
処理容器２内壁を常温にし、かつ処理容器２内を常圧に
したまま、加熱ランプ１１を作動させてこのウエハＷを
例えば１０００゜Ｃにまで加熱し、その状態で処理ガス
供給源３４からのＯ₂（酸素ガス）をシャワーヘッド２
１を通じて処理容器２に流出させれば、ウエハＷ表面
に、０．１μ以下の比較的薄い酸化膜を形成させること
ができる。かかる場合、シャワーヘッド２１、処理容器
２内壁は常温にされているから、処理中に反応生成物が
これらに付着することはない。

【００３７】また載置部４に載置されたウエハＷ表面
に、例えば多結晶シリコン膜を成膜する場合には、加熱
ヒータ６６、交流電源７４を作動させず、処理容器２内
壁を常温にし、かつ真空引き手段６を作動させて処理容
器２内を、例えば０．３Ｔｏｒｒ程度にまで減圧した状
態で、加熱ランプ１１を作動させてこのウエハＷを例え
ば６００゜Ｃにまで加熱しておく。その状態で処理ガス
供給源３６からＳｉＨ₄（モノシラン）を処理容器２内
に流出させれば、ＳｉＨ₄の熱分解によって、ウエハＷ
表面に多結晶シリコン膜を形成することができる。かか
る場合、前記ドライ酸化の場合と同様、シャワーヘッド
２１、処理容器２内壁は常温にされているから、処理中
に反応生成物がこれらに付着することはない。なお本実
施例においては、処理ガス供給源３５からＨ₂（水素ガ
ス）を同時に導入してＳｉＨ₄（モノシラン）に混合さ
せることも可能である。

【００３８】一方載置部４に載置されたウエハＷ表面
に、ウエット酸化によって酸化膜を形成する場合には、
まずポンプ６５、加熱ヒータ６６を作動させて、伝熱媒
体である不凍液を処理容器２内の流路６１内を循環さ
せ、処理容器２内壁の温度を結露温度以上、例えば２０
０゜Ｃに加熱する。また同時に交流電源７４を作動させ
て、加熱板７１によってシャワーヘッド２１の支持板２
２と拡散板２３も２００゜Ｃに加熱しておく。また処理
容器２内は常圧にしておく。

【００３９】そして加熱ランプ１１を作動させてこのウ
エハＷを例えば１１００゜Ｃにまで加熱し、この状態で
燃焼装置４２で発生した水蒸気を、シャワーヘッド２１
を通じて処理容器２内に流出させると、ウエハＷ表面
に、５０００オングストローム〜１００００オングスト
ロームの比較的厚い酸化膜を形成させることができる。

【００４０】かかる場合、処理容器２内壁、並びにシャ
ワーヘッド２１の支持板２２と拡散板２３は、夫々２０
０゜Ｃにまで加熱されているから、処理容器２内に導入
された水蒸気が、これら処理容器２内壁、並びにシャワ
ーヘッド２１の支持板２２表面で結露するおそれはな
い。従って、前記したウエット酸化による酸化膜の形成
に支障をきたすことはないものである。しかもこれら処
理容器２内壁、並びにシャワーヘッド２１の温度は２０
０゜Ｃに設定されているから、たとえこれらの材質がア
ルミニウムであっても、熱変形するおそれはないもので
ある。

【００４１】このように本実施例にかかる熱処理装置１
は、１つの装置構成でドライ酸化、減圧ＣＶＤ処理、さ
らにはウエット酸化の３つの種類の成膜処理を行うこと
が可能であり、極めて汎用性のある装置となっている。
従って、例えば１つの処理装置において連続した異なっ
た処理を施すことも可能である。

【００４２】なお前記した実施例では、処理容器２内の
流路を流通させる伝熱媒体として不凍液を用いたが、も
ちろんこれに限らず、沸点が１００゜Ｃ以上の例えば各
種の油剤を使用することもでき、もちろんこれら液体に
限らず、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体を伝熱媒体
として用いることができる。要するに、取扱が容易でコ
ンタミネーションのおそれがない沸点が１００゜Ｃ以上
の液体や気体を伝熱媒体として使用することが可能であ
る。

【００４３】また前記実施例においては、処理容器２内
壁を加熱するためにそのようないわば伝熱媒体流通方式
を用い、シャワーヘッド２１を加熱するため、発熱体７
３を用いたいわゆる抵抗加熱方式を用いたが、本発明は
このように部位によって加熱方式を適切なものに使い分
けてもよい。もちろんシャワーヘッド２１の支持板２２
や拡散板２３自体の内部に流路を設けて、全て伝熱媒体
流通方式を用いたり、逆に処理容器２に発熱体７３を適
宜張り巡らせて、全て抵抗加熱方式としてもよい。

【００４４】また伝熱媒体流通方式を採用する場合、前
記実施例のように処理容器２自体の内部に伝熱媒体の流
路を設けずとも、例えば処理容器２の外側に加熱ジャケ
ットを密着して設け、この加熱ジャケットの内部に伝熱
媒体の流路を設けるようにしてもよい。この場合には、
メンテナンス、装置の設計・製作が容易で、処理容器自
体が複雑化しない。またかかる加熱ジャケットに前記実
施例のような発熱体７３を設けてもよい。

【００４５】なお前記実施例では、処理容器２内壁及び
シャワーヘッド２１を加熱するようにしたが、もちろん
装置の構造によっては、他の部位、即ち水蒸気の導入に
よって結露が生ずるおそれがある部分、例えば吹出しノ
ズルなどを結露温度以上に加熱するようにすれば、本発
明の趣旨を実現できる。

【００４６】なお前述の実施例は、被処理体として半導
体ウエハを取りあげて構成した熱処理装置であった、本
発明はもちろんこれに限られるものではなく、ＬＣＤ基
板を始めとする各種の被処理体に対して適用できるもの
である。

【００４７】

【発明の効果】請求項１〜９にかかる枚葉式熱処理装置
によれば、処理室内に水蒸気を導入しても、少なくとも
処理室内壁が結露することはないので、既述したウエッ
ト酸化方法や、さらにはＯ₂（酸素）とＨＣｌ（塩素）
との混合ガスによって酸化処理する塩素酸化処理を実施
することが可能である。他方、処理ガスが独立して処理
室内に供給することも可能であるので、被処理体に対し
てドライ酸化によって酸化膜を形成したりすることもで
き、通常の熱ＣＶＤ処理装置としてもそのまま使用でき
る。従って、１つの装置でドライ酸化、ウエット酸化、
塩素酸化、さらにはＣＶＤ処理を行うことが可能であ
る。また従来のコールドウォールタイプの処理装置と比
べて、被処理体の中央部と周辺部との温度差を小さくし
て、被処理体に対してより均一な処理を行うことも可能
である。

【００４８】また請求項２では、処理容器に別途加熱装
置を設ける構成であるから、装置の設計、製造が容易で
あり、この場合請求項３では、抵抗加熱方式を採ってい
るので、処理容器の設計、構成が極めて容易となってい
る。請求項４によれば、処理室内壁を均等に加熱させる
ことが容易であり、必要最小限の熱エネルギーでムラな
く処理室内壁を結露温度以上に加熱することが可能であ
る。

【００４９】請求項５に記載したように、伝熱媒体とし
てエチレングリコールを主剤とした不揮発性の液体を用
いれば、その入手、取扱が容易であり、しかも沸点が約
２００゜Ｃ前後であるので、必要以上に加熱するおそれ
もなく、また被処理体や処理容器、加熱ジャケットを劣
化させるおそれはない。

【００５０】請求項６に記載したように、伝熱媒体とし
て油を用いた場合にも、処理室内壁を１００゜Ｃ以上に
加熱することが容易であり、またその入手、取扱が容易
であって、処理容器や加熱ジャケットを劣化させること
はない。請求項７に記載したように、伝熱媒体として気
体を用いても、例えば不活性ガスであるＮ₂（窒素）、
Ａｒ（アルゴン）を用いることにより、取扱いが容易な
装置構成とすることができる。

【００５１】また請求項８に記載したように、加熱上限
を３００゜Ｃに設定すれば、例えば処理容器の材質に一
般的なアルミニウムを選択しても、これを変形させるお
それはない。

【００５２】そして請求項９によれば、減圧ＣＶＤ処理
や減圧酸化処理が可能な装置として構成でき、実施可能
な熱処理の範囲が広がって、極めて汎用性のある枚葉式
熱処理装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかる熱処理装置の縦断面を
模式的に示した説明図である。

【図２】図１の熱処理装置に使用した加熱板の平面図で
ある。

【符号の説明】

１熱処理装置２処理容器３透過窓４載置部６真空引き手段７排気管１１加熱ランプ２１シャワーヘッド２２支持板２３拡散板３１処理ガス導入管４１水蒸気導入管４２燃焼装置６１流路６５ポンプ６６加熱ヒータ６７熱交換器７１加熱板７３発熱体Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/26 21/324 Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内の載置手段に載置された被処理
体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉式
の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び水
蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成されると
共に、前記処理を形成する処理容器自体は、その内部に
伝熱媒体が流通される如く構成され、この伝熱媒体によ
って少なくとも処理室内壁表面が、１００゜Ｃ以上に加
熱自在となるように構成されたことを特徴とする、枚葉
式熱処理装置。
【請求項２】処理室内の載置手段に載置された被処理
体に対して、所定の熱処理を施す如く構成された枚葉式
の熱処理装置であって、前記処理室内に処理ガス及び水
蒸気が夫々独立して供給自在となるように構成されると
共に、前記処理室を形成する処理容器には加熱装置が設
けられ、この加熱装置によって少なくとも処理室内壁表
面が、１００゜Ｃ以上に加熱自在となるように構成され
たことを特徴とする、枚葉式熱処理装置。
【請求項３】前記加熱装置は、抵抗加熱方式の加熱装
置として構成されたことを特徴とする、請求項２に記載
の枚葉式熱処理装置。
【請求項４】前記加熱装置は、処理容器外部を覆う形
態の加熱ジャケットとして構成され、この加熱ジャケッ
トは、その内部に伝熱媒体が流通する如く構成され、当
該伝熱媒体によって少なくとも処理室内壁表面が加熱さ
れる如く構成されたことを特徴とする、請求項２に記載
の枚葉式熱処理装置。
【請求項５】前記伝熱媒体はエチレングリコールを主
剤とした不揮発性の液体であることを特徴とする、請求
項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。
【請求項６】前記伝熱媒体は油であることを特徴とす
る、請求項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。
【請求項７】前記伝熱媒体は気体であることを特徴と
する、請求項１又は４に記載の枚葉式熱処理装置。
【請求項８】少なくとも処理室内壁表面が、１００゜
Ｃ〜３００゜Ｃに加熱自在に構成されたことを特徴とす
る、請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の枚葉
式熱処理装置。
【請求項９】処理室内が所定の減圧度にまで真空引き
自在となるように構成されたことを特徴とする、請求項
１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の枚葉式熱処
理装置。