JP2002111191A - はんだ接合方法およびこれを用いた電子回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の課題は、簡便なプロセスで、作業性、
生産性に優れた高精度はんだ接合を行うことにある。 【解決手段】仮固定用はんだ５とメタライズ８を固相拡
散、溶解により仮固定し、本接合の加熱時に、仮固定さ
れたはんだ５中にメタライズ８が全て溶解して、消費さ
れることで仮固定の拘束が解除される。これにより、本
接合のはんだ３のぬれ広がりやセルフアライメント挙動
等に影響を与えずに接合できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般電子部品や能
動部品等の回路部品の接合方法および電子回路装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、抵抗やコンデンサ等の一般電
子部品やIC、半導体レーザ等の能動部品の実装において
は、はんだによる接合が広く一般的に行われている。し
かし、最近の電子回路装置の小型化、高密度化、多機能
化により、はんだ接合部も微細化、高集積化を要求され
ている。このため、実装形態も急速に変化しつつあり、
QFP等のパッケージの小型化、狭ピッチ化だけでなく、T
AB、フリップチップ方式といったベアチップ実装技術が
注目されている。その中で、フリップチップ方式は、QF
PやTAB方式がチップ周辺から端子を出すのに比べ、チッ
プ全面から取り出すため、チップの多端子化や、配線長
が短くなることにより優れた電気特性を示す。さらに、
この方式は、球状のはんだにより接合されているため、
部品の位置合わせ時に生じた位置ずれを、はんだ溶融時
に働く表面張力によって、ずれを自己補正するというセ
ルフアライメント効果が特徴である。

【０００３】さて、上記実装方式に限らず、はんだ接合
においては、部品を基板上に搭載してから接合するまで
の仮固定は、粘性のあるフラックスや仮固定用接着剤に
より行われている。しかし、フラックスは、接合部表面
の清浄化や再酸化防止というはんだ接合に必要不可欠な
作用を及ぼす一方、その残渣を洗浄するために用いられ
るフロンやトリクロロエタン等の有機溶剤が、オゾン層
を破壊するという環境問題を引き起こしている。この問
題を解決するために、無洗浄フラックスが開発されてい
るが、フラックス残渣が接合部に残ってしまうため、マ
イグレーションや腐食など接続信頼性の点で問題がある
だけでなく、特に、上記フリップチップ方式の接合で
は、その粘性により、セルフアライメント効果を阻害す
る可能性がある。また、仮固定用接着剤についても、フ
リップチップ方式のような部品全面が接合部となるよう
な場合には、用いることができない。

【０００４】これらの問題を解決するために、はんだ融
点以上の沸点を有し、はんだ加熱溶融工程において接合
完了後に気化する液体、例えばアルコール類を、フラッ
クスの代わりに用いて固定する方式が、特開平6−32644
9号公報に示されている。これにより、液体の表面張力
により、部品が仮固定されるとともに、液体は気化して
しまうので、洗浄の必要もない。また、同一基板上に複
数個接合する場合も、一個ずつ上記液体により仮固定す
れば、すべて搭載した後に、一度に加熱溶融し接合する
ことができる。さらに、セルフアライメント効果を阻害
されないので、高精度の位置合わせ、搭載を必要とせず
に、高精度のはんだ接合が可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記、特開平6−32644
9号公報におけるはんだ仮固定および接合方法は、位置
合わせ搭載から接合の工程までに、長期保存を必要とす
る場合、その間の雰囲気により液体が蒸発してしまった
り、接合工程による加熱で、液体の突沸等により、セル
フアライメントで許容できない位置ずれを生じるという
問題がある。

【０００６】また、光素子などの接合では、光軸を合わ
せるために、他の部品に比べ、より高精度のアライメン
トが必要となるだけでなく、上記液体の使用で、光が入
出射する部分が液体に接触し、液体中のわずかの不純物
が気化後もその部分に残っていると、入出力損失を起こ
してしまう等の問題がある。

【０００７】さらに、光素子などの部品を同一基板上に
複数個接合する場合、高精度の光軸調整を必要とするた
め、一個ずつ位置合わせ搭載、接合を行うので、時間を
要するとともに、次の素子を接合する際に、前の接合部
のはんだが再溶融してずれてしまうという問題がある。
また、部品を接合するごとに加熱されるため、電極上の
メタライズが、拡散により消費されてはがれてしまう可
能性がある。つまり、微細かつ多点の接合部を簡便に仮
固定するともに、高精度にはんだ接合することが、重要
な課題である。

【０００８】したがって、本発明の目的は、簡便なプロ
セスで、作業性、生産性に優れ、低コストな高精度はん
だ接合を行うはんだ接合方法および電子回路装置を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、被接合部の
一方にはんだ材を、他方にメタライズを設けて、両者を
接触、加熱することで仮固定を行い、その後の本接合の
加熱時には、はんだ中にメタライズをすべて拡散・溶解
させることで解決される。

【００１０】本発明では、仮固定を行うため、接合部の
片方の電極上にはんだ材を形成させ、もう片方の電極上
に、メタライズを形成させる。この際、はんだとメタラ
イズは溶解や拡散しやすいものを選択することが望まし
い。これにより、はんだとメタライズとを接触、加熱す
ることで両者の一部が固相拡散または溶解し、仮固定さ
れる。そして、本接合を行う際、仮固定部のはんだ中に
メタライズが、全て拡散・溶解してしまうように、加熱
温度、加熱時間を設定することで、仮固定部がフリーと
なる。このため、フラックスや接着剤、液体等を用い
ず、接合部やその周辺を清浄に保ったまま仮固定できる
とともに、本接合時に仮固定が解除されることで、本接
合部に影響を与えずに接合が完了できる。

【００１１】また、仮固定部のはんだやメタライズの量
を一定に保つことで、メタライズが全て拡散・溶解した
後の仮接合部のはんだにより、被接合部間の距離を一定
にほじすることが可能となる。

【００１２】図２の工程図を代表例として、本発明の原
理を具体的に説明する。まず、同図（ａ）に示すよう
に、仮固定を行うため、部品または、基板側電極上に、
はんだを蒸着やめっき等により形成させるとともに、そ
れに対応した、もう一方の基板または部品電極上にメタ
ライズを蒸着やめっき等により形成させる。その際、接
合時の加熱によって、メタライズがはんだ中へ全て拡散
・溶解するように、はんだおよびメタライズの量を決め
て形成させる。次に同図（ｂ）に示すように、被接合部
どうしを接触させ、加熱することで、はんだとメタライ
ズの一部が固相拡散または溶解して接合され、仮固定さ
れる。そして同図（ｃ）のように、本接合を行うため、
加熱する。なお、加熱は、本接合部のはんだが溶融する
だけでなく、雁固定部のメタライズ全てが、仮固定部の
はんだに拡散または溶解するように、加熱温度や加熱時
間等の設定する。これにより、本接合部のはんだが溶融
してはんだがぬれ広がって行く際、仮固定部はメタライ
ズが全て消費されているため、仮固定部はんだとメタラ
イズ側の電極は接合が解除されている。

【００１３】したがって、本接合部において、はんだの
表面張力によって接合部の位置ずれを補正するセルフア
ライメント等の溶融はんだの動きが、仮固定部に妨げら
れることなく、接合が完了し、同図（ｄ）に示すとお
り、良好な接合が行われる。これにより、接合する部品
を簡便にかつ、清浄に仮固定するとともに、本接合時
に、仮固定部の接合を解除することで接合部の溶融はん
だの動きを妨げないような仮固定を行うことが可能とな
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面にしたがって本発明の
実施例を詳細に説明する。

【００１５】（実施例１）図１は本発明における第１の
実施例の説明図である。

【００１６】同図に示すとおり、電子部品１上の電極２
ａに、はんだ３例えばAu20wt％Sn共晶はんだを蒸着やめ
っき等により形成させる。それと同様に、仮固定するた
めの電極４ａ上に、仮固定用はんだ５例えばSnを蒸着や
めっき等により形成する。また、電子回路基板６上に、
電子部品１の電極２ａと対応して、電極２ｂおよびメタ
ライズ７例えばAuを蒸着またはめっきで形成する。さら
に、電子部品１の仮固定用電極４ａに対応した基板６上
の仮固定用電極４ｂに仮固定用メタライズ８例えばAuを
蒸着またはめっきにより形成する。この場合、仮固定用
はんだSn５および仮固定用メタライズAu８は、その一部
が固相拡散により接合されることで仮固定される。さら
に、本接合、つまりAu20wt％Sn共晶はんだ３による接合
時に、溶融した仮固定用はんだ５のSn中に仮固定用メタ
ライズ７のAuがすべて溶解してしまうように、それぞれ
Sn、Auの量を設定して形成する。

【００１７】図２は本発明によるはんだ仮固定方法を用
いて、基板６上に部品１を接合する断面工程図を示した
ものである。

【００１８】同図（ａ）に示すとおり、電子部品例えば
レーザダイオード等の光素子１の電極２ａ上に、光回路
基板６と接続するためはんだ３例えばAu20wt％Sn共晶は
んだ（融点：280℃）を蒸着により形成する。また、仮
固定用の電極４ａ上にもはんだ５例えばSn（融点：２３
２℃）を同じく蒸着により形成する。一方、光回路基板
６上の電極２ｂにはメタライズ７例えばAuを蒸着により
形成させるとともに、仮固定用電極４ｂ上にも、仮固定
用のメタライズ８例えばAuを蒸着にて形成する。但し、
仮固定用のはんだ５とメタライズ８については、本接合
の加熱時に、仮固定用のはんだ５が溶融し、仮固定用の
メタライズ８がそのはんだ５中にすべて溶解してしまう
ように、それぞれの量を決定する必要がある。例えば、
本接合のためのはんだとしてAu20wt％Sn共晶はんだを、
仮固定用のはんだとメタライズとしてSn，Auをそれぞれ
用いる場合、Au20wt％Sn共晶はんだ接合のために320℃
まで加熱するとすれば、SnとAuの重量比が約７：３より
もAuが少なくなるように設定する。次に同図（ｂ）に示
すように、仮固定を行うため、仮固定用はんだ５と仮固
定用メタライズ８を接触させ、加熱することで、一部を
固相拡散させて仮固定する。仮固定用のはんだとメタラ
イズがSnとAuの場合、例えば、Snの融点以下である200
℃まで加熱する。その際、SnとAuの表面の酸化膜や汚染
膜を除去するために、荷重を加えた方が望ましい。ま
た、部品１を基板６上の位置合わせ搭載する際には、仮
固定用はんだ５と仮固定用メタライズ８が接触するだけ
でなく、本接合の加熱時に、電極２ａ上のはんだ３が溶
融して、対応するメタライズ７に接触するように搭載す
る必要がある。

【００１９】次に同図（ｃ）に示すように、本接合を行
うために、加熱を行う。例えば、Au20wt％Sn共晶はんだ
の場合、約320℃まで加熱する。この時、仮固定用はん
だ５も溶融して、メタライズ８は、はんだ５中へ、すべ
て溶解してしまう。この結果、仮固定用はんだ５と基板
６上の仮固定用電極４ｂは接合が解除される。一方、本
接合部では、溶融したはんだ３の表面張力により、素子
１と基板６との位置ずれを自己補正するセルフアライメ
ントが行われる。その際、仮固定部分の接合は、解除さ
れているため、セルフアライメント挙動を妨げること無
く、同図（ｄ）に示すように、位置ずれを補正して、良
好な接合が完了する。また、加熱中の雰囲気について
は、はんだやメタライズの表面酸化をおさえるために、
N2やAr等の不活性雰囲気中、または、H2とN2の混合等に
よる還元雰囲気中である方が望ましい。

【００２０】以上のような工程により、部品や素子を複
数個、簡便に仮固定した後、一挙にリフローしても、仮
固定部がはんだのセルフアライメント挙動を阻害するこ
となく、高精度の接合が効率よく可能となる。

【００２１】（実施例２）図３は、本発明における第２
の実施例の説明図である。同図（ａ）に示すとおり、電
子部品１、例えば、ＢＧＡ部品上の電極２ａに、電子回
路基板６と接合するために、球状はんだ３ａを形成させ
る。その際のはんだとしては、例えば、Sn3.5wt％Agの
はんだを用いる。また、基板６の電極２ｂ上には、メタ
ライズ７として、例えばCr、Ni、Auの順で蒸着により形
成する。次に、同図（ｂ）に示す通り、部品１の電極２
ａと基板６上の電極２ｂを対応させて、接触、加圧しな
がら、加熱する。例えば、加熱温度は、Sn3.5wt％Agは
んだの融点以下である、200℃である。これにより、Sn
3.5wt％Agはんだ３ａとメタライズ７のAuとの間で、固
相拡散を起こして、一部が接合されることにより、仮固
定される。そして、同図（ｃ）のように、本接合を行う
ために、加熱する。例えば、Sn3.5wt％Agはんだ３ａで
接合する場合、約250℃前後である。この加熱の際に、S
n3.5wt％Agはんだ３ａが溶融すると、メタライズ７のAu
が瞬間的にはんだ中へ、全て溶解してしまう。これによ
り、仮固定が解除されるが、それと同時にAuの下地のメ
タライズであるNiとSn3.5wt％Agはんだ３ａが反応して
化合物を形成するとともに、溶融はんだの表面張力によ
るセルフアライメント効果により、部品１と基板６の位
置ずれを補正して、同図（ｄ）に示すように良好な接合
が行われる。なお、加熱中の雰囲気については、はんだ
やメタライズの表面酸化をおさえるために、N2やAr等の
不活性雰囲気中、または、H2とN2の混合等による還元雰
囲気中である方が望ましい。

【００２２】（実施例３）図４は本発明による第３の実
施例の説明図である。同図（ａ）に示す通り、電子部品
１、例えば半導体ベアチップ上の電極２ａに、電子回路
基板６、例えばセラミック基板と接合を行うため、はん
だ３、例えばAu20wt％Sn共晶はんだを蒸着により形成す
る。それと同時に、仮固定用電極４ａ上に、仮固定用は
んだ５例えばPb25wt％Inはんだ（融点：264℃）を蒸着
により形成する。また、基板６上の電極２ｂにはメタラ
イズ７例えばAuをめっきにより形成する。さらに、基板
６上の仮固定用電極４ｂには、仮固定用メタライズ８例
えばAlを蒸着により形成させるとともに、エッチング等
によりAl表面を荒くする。次に同図（ｂ）のように、部
品１上の仮固定はんだ５と仮固定用メタライズ８を接触
させ、加圧する。この時、仮固定用はんだ５であるPb25
wt％Inはんだは軟らかいため、仮固定用はんだであるAl
の表面荒さに対応して変形しながら密着する。これによ
り、アンカー効果で、部品１と基板６が仮固定される。
但し、部品１を基板６上に位置合わせ加圧する際には、
仮固定用はんだ５と仮固定用メタライズ８が接触するだ
けでなく、本接合の加熱時に、電極２ａ上のはんだ３が
溶融して、対応する電極２ｂ上メタライズ７に接触する
ように搭載する必要がある。

【００２３】次に同図（ｃ）に示す通り、接合を行うた
めに加熱する。例えば、Au20wt％Sn共晶はんだの場合、
約320まで加熱すると、アンカー効果により、仮固定さ
れていたPb25wt％Inはんだが融点の264℃を越えると溶
融し、表面張力により、球状になろうとする。ここで、
加熱中の雰囲気については、はんだやメタライズの表面
酸化をおさえるために、N2やAr等の不活性雰囲気中、ま
たは、H2とN2の混合等による還元雰囲気中である方が望
ましい。また、仮固定用メタライズ８であるAlは、表面
を酸化膜が覆っているため、Pb25wt％Inはんだは、ぬれ
ないので仮固定が解除される。その後、２８０℃でAu20
wt％Sn共晶はんだ３が溶融して、メタライズ７にぬれ広
がり、同図（ｄ）に示すように、接合が完了する。

【００２４】（実施例４）図５に本発明における第４の
実施例の説明図を示す。同図（ａ）に示す通り、電子部
品１の電極２ａ上に、電子回路基板６と接続するためは
んだ３例えばAu20wt％Sn共晶はんだ（融点：280℃）を
蒸着により形成する。また、仮固定用の電極４ａ上にも
はんだ５例えばSnをめっきにより形成する。一方、電子
回路基板６上の電極２ｂには、メタライズ７例えばAuを
蒸着により形成させるとともに、仮固定用電極４ｂ上に
も、仮固定用のメタライズ８例えばSiO2を蒸着で形成し
た後、その上に、Zn、Auの順で蒸着にて形成する。

【００２５】次に同図（ｂ）に示すように、電子部品１
の仮固定用はんだ５と、それと対応する電子回路基板６
上の仮固定用メタライズ８とを接触させ、加熱すること
で、SnとAuの固相拡散接合により、仮固定される。但
し、部品１を基板６上に位置合わせ加圧する際には、仮
固定用はんだ５と仮固定用メタライズ８が接触するだけ
でなく、本接合の加熱時に、電極２ａ上のはんだ３が溶
融して、対応する電極２ｂ上のメタライズ７に接触する
ように搭載する必要がある。

【００２６】次に同図（ｃ）に示す通り、本接合を行う
ために、加熱する。例えば、Au20wt％Sn共晶はんだ３を
用いる場合、約320℃まで加熱する。この加熱工程にお
いて、仮固定部では、約232℃で仮固定用はんだ５のSn
が溶融し、仮固定用のメタライズ８の一部であるAuがSn
中にすべて溶解する。さらに、溶融したSnに下地のメタ
ライズのZnも一部溶解する。その後、さらに温度が上昇
していくと、Znとその下地メタライズのSiO2との間で、
両者の熱膨張率の違いにより、剥離してしまうため、仮
固定が解除される。ここで、加熱中の雰囲気について
は、はんだやメタライズの表面酸化をおさえるために、
N2やAr等の不活性雰囲気中、または、H2とN2の混合等に
よる還元雰囲気中である方が望ましい。これにより、本
接合のAu20wt％Sn共晶はんだ３は、溶融後、電子回路基
板６上のメタライズ８にぬれ広がって、セルフアライメ
ントし、同図（ｄ）に示す通り、位置ずれを自己補正し
て、接合が完了する。

【００２７】（実施例５）図６に本発明における第５の
実施例の説明図を示す。同図（ａ）のように、例えば、
光素子１の電極２ａ上に、光回路基板６と接続するため
はんだ３例えばAu20wt％Sn共晶はんだ（融点：280℃）
を蒸着により形成する。さらに、仮固定用の電極４ａ上
にもはんだ５例えばSnを蒸着により形成する。また、光
回路基板６上の電極２ｂには、メタライズ７例えばAuを
蒸着により形成させるとともに、仮固定用電極４ｂ上に
も、仮固定用のメタライズ８例えばAuを蒸着にて形成す
る。なお、仮固定用のはんだ５とメタライズ８について
は、本接合の加熱時に、仮固定用のはんだ５が溶融し、
仮固定用のメタライズ８がそのはんだ５中にすべて溶解
するとともに、はんだとメタライズによる合金を形成し
て融点が上昇して、本接合のはんだ３の融点よりも高く
なるようにする。例えば、Au20wt％Sn共晶はんだ３によ
る接合で、仮固定用はんだ５およびメタライズ７とし
て、Sn、Auをそれぞれ用いる場合について述べる。Au20
wt％Sn共晶はんだの融点である280℃以上に、SnとAuと
の合金の融点を上げるには、SnとAuの重量比が約7.5：3
よりも、Auが多くなるように設定する必要がある。次に
同図（ｂ）に示すように、仮固定を行うため、仮固定用
はんだ５のSnと仮固定用メタライズ８のAuを接触させて
加熱することで、接触している部分で固相拡散させて仮
固定する。その時の加熱温度は、Snの融点以下である、
例えば200℃まで加熱する。その際、SnとAuの表面の酸
化膜や汚染膜を除去するために、荷重を加えた方が望ま
しい。

【００２８】そして、同図（ｃ）に示す通り、本接合の
はんだ３であるAu20wt％Sn共晶はんだで接合を行うた
め、例えば、約320℃まで加熱する。この時、仮固定部
は、溶融した仮固定用はんだ５であるSn中に仮固定用の
メタライズ８であるAuが全て溶解し、仮固定は解除され
るが、仮固定用はんだの融点は上昇して、加熱中に凝固
する。これにより、溶融したAu20wt％Sn共晶はんだ３に
よるセルフアライメント挙動を、仮固定部が横方向に妨
げることは無いが、高さ方向には、仮固定用はんだ５が
凝固しているため、その高さ以下には沈み込むことはな
い。つまり、あらかじめ仮固定用はんだ５とメタライズ
８の供給量を一定にしておけば、メタライズ８が溶解し
て凝固した後の仮固定用はんだ５の高さも一定となるた
め、光素子など高精度の位置合わせ、搭載を必要とする
部品においては、接合時の高さ方向を高精度に制御する
ことが容易に可能となる。これにより、同図（ｄ）のよ
うに、高精度の接合が完了する。なお、この場合、仮固
定用の電極は、３個以上設けることにより、高さ方向に
対し、より高精度な接合ができる。

【００２９】（実施例６）図７に本発明における第６の
実施例の説明図を示す。同図（ａ）のように、これまで
の実施例と同様、レーザダイオード等、光素子１の電極
２ａ上に、例えばAu20wt％Sn共晶はんだ（融点：280
℃）を蒸着により形成する。さらに、仮固定用の電極４
ａ上にも仮固定はんだ５例えばSnを蒸着により形成す
る。また、光回路基板６上の電極２ｂには、メタライズ
７例えばAuを蒸着により形成させるとともに、仮固定用
電極４ｂ上にも、仮固定用のメタライズ８例えばAuを蒸
着にて形成する。さらに、仮固定用はんだ５とメタライ
ズ８の間には、導電性粒子９例えばガラスの粒子にSnを
めっきでコーティングしたものを複数個介在させる。そ
して、加圧、加熱する。これにより、仮固定はんだ５の
Snと導電性粒子９表面のSnとは自己拡散して接合され、
仮固定用メタライズのAuと導電性粒子９表面のSnとは相
互拡散により接合されることで、光素子１と光回路基板
６が仮固定される。次に、同図（ｂ）に示す通り、Au20
wt％Sn共晶はんだによる接合を行うために加熱する。こ
の際、仮固定部は、仮固定はんだ５および導電性粒子表
面のSnが溶融するため、導電性粒子９が仮固定はんだ５
中に溶け込む。また、仮固定用メタライズ８のAuも、溶
融したSn中に全て溶解するため、仮固定は解除される。
一方、Au20wt％Sn共晶はんだ３は、溶融後、基板６上メ
タライズ７にぬれ広がり、セルフアライメントする。た
だし、仮固定部に導電性粒子９が介在しているため、高
さは、粒子径によって決定される。つまり、実施例５と
同様に、導電性粒子径により、光素子１と基板６の間隔
を一定に保持できる高精度な搭載が可能となる。これに
より、同図（ｄ）に示すように、高精度な接合が完了す
る。

【００３０】

【発明の効果】本発明では、はんだとメタライズを拡
散、溶解により仮固定し、本接合の加熱時に、仮固定さ
れたはんだ中にメタライズが全て溶解して消費されるこ
とで、仮固定の拘束が解除される。これにより、従来の
フラックスや接着剤、仮固定用液体等を用いずに、接合
部やその周辺に残渣等を残さずに清浄を保ったまま仮固
定できるため、光素子等クリーンな実装を要求される接
合に適している。しかも、本接合に仮固定が解除される
ことで、本接合部のぬれ広がりやセルフアライメント挙
動等に影響を与えず接合が完了できる。

【００３１】また、仮固定部のはんだやメタライズの量
を一定に保つことで、メタライズが全て拡散・溶解後の
仮接合部の凝固したはんだ等により、被接合部間の距離
を一定に保持することが可能となる。したがって、はん
だのセルフアライメント効果と組み合わせることで、簡
便な仮固定で、高精度な実装ができる。つまり、作業
性、量産性に優れ、低コストで高精度なはんだ接合が可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるはんだ接合方法の実施例の説明
図である。

【図２】本発明におけるはんだ接合方法を用いて、基板
上に部品を接合する断面工程図である。

【図３】本発明におけるはんだ接合方法の実施例の断面
工程図である。

【図４】本発明におけるアンカー効果の仮固定方法を用
いた実施例の接合断面工程図である。

【図５】本発明における仮固定方法を用いた接合断面工
程図である。

【図６】本発明における高精度はんだ接合を行う断面工
程図である。

【図７】本発明における導電性粒子を用いた仮固定方法
による接合の工程図である。

【符号の説明】

１…電子部品、または光素子、２ａ，２ｂ…電極３…は
んだ、３ａ…球状はんだ、４ａ，４ｂ…仮固定用電極、
５…仮固定用はんだ、６…電子回路基板、または光回路
基板、７…メタライズ、８…仮固定用メタライズ、９…
導電性粒子。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 部品及び基板の対応した被接合部の電極
   上にそれぞれ形成されたはんだとメタライズの一部を拡
   散または溶解させて仮固定を行った後、接合の際にメタ
   ライズを拡散、または溶解させることで仮固定を解除す
   ることを特徴とするはんだ接合方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、仮固定を行う電極と
   電気的接合を行う電極が異なることを特徴とするはんだ
   接合方法。
3. 【請求項３】 請求項１において、仮固定の解除後、部
   品及び基板の電気的接合部間を接合するはんだの溶融時
   の表面張力により、電気的接合部間の間隔および相対的
   な位置を一定に保持することを特徴とするはんだ接合方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１において、仮固定の解除後、当
   該仮固定部のはんだの形状により、部品及び基板の電気
   的接合部の間隔を一定に保持することを特徴とするはん
   だ接合方法。
5. 【請求項５】 請求項１において、仮固定後、接合する
   際の加熱による熱膨張の差で仮固定部のはんだまたはメ
   タライズが電極からはがれることで仮固定を解除するこ
   とを特徴とするはんだ接合方法。
6. 【請求項６】 部品及び基板の対応した被接合部の電極
   上にそれぞれ形成されたはんだとメタライズの一部が加
   圧によるアンカー効果で仮固定されるとともに、接合の
   際に仮固定用のはんだが溶融することで仮固定を解除す
   ることを特徴とする接合方法。
7. 【請求項７】 部品及び基板の対応した被接合部の電極
   上のはんだまたはメタライズが、導電性粒子表面のメタ
   ライズの一部とそれぞれ拡散または溶解により仮固定さ
   れ、接合時に導電性粒子表面のメタライズが全て拡散ま
   たは溶解することで仮固定を解除することを特徴とする
   はんだ接合方法。
8. 【請求項８】 請求項７において、導電性粒子により被
   接合部間の距離を一定に保持することを特徴とするはん
   だ接合方法。
9. 【請求項９】 部品及び基板の対応した被接合部の電極
   上に、仮固定を行うためのはんだまたはメタライズを有
   することを特徴とする電子回路装置。