JP2002155249A - ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 - Google Patents
ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法Info
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Abstract
亀裂の大きさを極小化し、その発生も抑制できるウエハ
加工用粘着テープを提供する。また、環境に優しい該粘
着テープの製造方法を提供する。さらには、ウエハ加工
用粘着テープの性能を最大限に発揮できる使用方法を提
供する。 【解決手段】 ウエハ加工用粘着テープは、基材層の片
面に粘着層を有する粘着テープであって、該テープの粘
着層に貼着されたシリコンウエハを、ダイサーによりダ
イシング速度70mm/minでフルカットしてチップ
に切断加工するとき、チップの欠けまたは亀裂の最大長
さが30μm以下であることを特徴とする。また、ウエ
ハ加工用粘着テープは、基材層の片面に粘着層を有する
粘着テープであって、該粘着層の15〜35℃における
貯蔵弾性率G'が1MPa以上であることを特徴とす
る。前記粘着層の15〜35℃におけるtanδが0.0
5以上であることが好ましい。
Description
テープ及びその製造方法並びに使用方法に関し、より詳
細には、主に半導体製造工程において、ウエハをチップ
に切断加工する際ウエハを固定保持するために用いるウ
エハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
に関する。
ケイ素などの半導体ウエハは、大きな径を有するウエハ
の状態で回路パターンを形成した後、ウエハの裏面を研
削して、このウエハをチップに切断加工する(ダイシン
グ)工程を経て、マウント工程に移され実装される。こ
のダンシング工程においては、半導体ウエハを固定保持
するためにウエハ加工用粘着テープが用いられている。
の粘着テープのほか、粘着力を制御する紫外線硬化型ま
たは電子線硬化型の粘着テープが使用されているが、何
れの場合にも、ウエハをチップに切断加工する際に、欠
けや亀裂が発生するという問題がある。
粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープでは、ウエハを
加工したのちチップをウエハ加工用粘着テープから剥離
した時に、粘着剤或いは基材の切削屑がチップ表面に付
着することがある。その切削屑は、チップの回路部分を
腐食したり、チップと樹脂モールドとの密着性を悪化さ
せ、チップの不良原因とになり得る場合がある。
の粘着剤を有するウエハ加工用粘着テープは、製造時の
加工安定性や長期保存安定性に劣るため、管理された製
造環境や、輸送および保管環境を必要とし、使用可能期
間が短いという問題がある。また、このタイプのウエハ
加工用粘着テープでは、製造条件或いは保存条件等の何
らかの変動要因により粘着層の劣化が進行すると、ウエ
ハ加工用粘着テープを原因とするチップの不良品が大量
に発生することがあった。
型の粘着剤を有するテープの製造法は、基材層用のフィ
ルムを製造した後に表面処理を施し、溶剤に溶解した粘
着層用の組成物を塗布し、溶剤を乾燥する方法が一般的
である。この方法では、塗布する際に有機溶剤を使う点
や、溶剤の乾燥工程等に、より多くのエネルギーを使用
する点で環境に負荷が大きい上、高コストとなる。
ぐ方法として、ウエハをワックスで固定してチップに切
断加工する方法が知られているが、生産性が非常に低い
ため、脆いウエハや高精度の加工面を要求される場合を
除いて、一般に半導体製造工程で回路パターンを形成し
たウエハの加工には使われていない。
ぐための方法として、特開平5−335411号公報に
は、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、こ
れを裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示
されている。特開2000−68237号公報には、回
路パターンを形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さ
よりも浅い切れ込み深さの溝を形成した後、ウエハ裏面
を研削してチップに分割加工する際に用いられる表面保
護シートに、40℃における弾性率が1.0×105P
a以上である粘着層を有するものを用いることが開示さ
れている。しかし、研削時に発生すると考えられるチッ
プの欠けや亀裂の大きさは明示されていない。
〜10℃の範囲における貯蔵弾性率が3×106〜1×
1010dye/cm2である粘着層を持つ保持シートが開示さ
れている。しかし、ダイシング加工時、チップに発生し
た欠けまたは亀裂の大きさを75μm以下で合格とする
非常に緩やかな評価条件で、欠けや亀裂の抑制効果を判
断しているにすぎない。このように、ウエハ加工時に発
生する欠けや亀裂の大きさを、ワックスによる固定法と
同程度に極小化できるウエハ加工用粘着テープは得られ
ていなかった。
で測定した動的弾性率E'が3×107〜5×109dye/cm
2の範囲にあり、かつ損失係数tanδが0.4以上で
ある特定のα−オレフィン系共重合体が開示され、この
共重合体を金属と積層すると制振性能を示すことが開示
されていが、ウエハ加工用粘着テープとしての具体的な
用途記載はない。
特開平10−298514号公報、特開平11−436
55号公報、特開平11−21519号公報、特開平1
1−106716号公報には、いずれも粘着層に特定の
α−オレフィン共重合体を含む表面保護フィルムが開示
されている。しかし、性能要求の厳しいウエハ加工用粘
着テープに関する記載はない。
ハをチップに切断加工する際に、欠けや亀裂の大きさを
極小化し、その発生も抑制できるウエハ加工用粘着テー
プを提供することにある。さらには、特別な装置を用い
ることなくウエハを加工してもチップへの汚染を少なく
でき、長期保存安定性に優れ、環境への負荷が少ない材
料からなるウエハ加工用粘着テープを提供することにあ
る。
れ、製造工程において発生する有害物質や廃棄物、或い
はエネルギー等を最小限にできる環境に優しいウエハ加
工用粘着テープの製造方法を提供することにある。
テープの性能を最大限に発揮できる使用方法を提供する
ことにある。
に鋭意研究を重ねた結果、ウエハを加工する温度域にお
いて特定の弾性率を有する粘着層、或いはさらにその温
度域において特定のtanδを有する粘着層を介してウエ
ハを粘着テープに貼着し固定保持することにより、ウエ
ハ加工する際に発生する内部応力や振動を大幅に低減で
きることを見出し、また、その様な特定の粘着テープを
用いることにより、チップの欠けや亀裂の大きさを、従
来のウエハ加工用粘着テープでは達成し得なかったレベ
ルまで小さくできることを見出して本発明に至った。
粘着層を有する粘着テープであって、該テープの粘着層
に貼着されたシリコンウエハを、ダイサーによりダイシ
ング速度70mm/minでフルカットしてチップに切
断加工するとき、チップの欠けまたは亀裂の最大長さが
30μm以下であることを特徴とするウエハ加工用粘着
テープが提供される。
適な態様においては、前記チップの欠けまたは亀裂の最
大長さが、好ましくは10μm以下である。
粘着層を有する粘着テープであって、該粘着層の15〜
35℃における貯蔵弾性率G'が1MPa以上であるこ
とを特徴とするウエハ加工用粘着テープが提供される。
適な態様においては、さらに、前記粘着層の15〜35
℃における、損失弾性率G"の貯蔵弾性率G'に対する比
であるtanδが0.05以上であることが好ましい。
レフィン系重合体を主成分として含有するものであるこ
とが好ましい。
のα−オレフィンから選ばれる少なくとも2種のα−オ
レフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体
の、1種または2種以上の混合物を主成分として含有す
るものであることが好ましい。
共重合体と、熱可塑性エラストマーと、エチレンと他の
α−オレフィンとのコオリゴマーとからなり、α−オレ
フィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマ
ーが分散相を形成しているものであることが好ましい。
B−AまたはA−B(Aは芳香族ビニル重合体ブロック
または結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、
Bはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加して
なるオレフィン重合体ブロックを示す)で表されるブロ
ック共重合体であることが好ましい。
ロピレン、1−ブテン及び炭素原子数が5〜12のα−
オレフィンを共重合してなるα−オレフィン共重合体で
あることが好ましい。
は、4−メチル−1−ペンテンであることが好ましい。
層または複数の層からなり、オレフィン系共重合体を主
成分として含有するものであることが好ましい。
らなり、表面層、中間層、粘着層の順に3層積層されて
なるウエハ加工用粘着テープであることが好ましい。
と熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合
体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を
形成しているものであることが好ましい。
のうちの少なくとも1層が、オレフィン系重合体と熱可
塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連
続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成し
ているものであることが好ましい。
B−AまたはA−B(Aは芳香族ビニル重合体ブロック
または結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、
Bはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加して
なるオレフィン重合体ブロックを示す)で表されるブロ
ック共重合体であることが好ましい。
分として含有するものであることが好ましい。
プにおいては、20〜80℃の温度範囲において、JI
S Z0237(参考)に準拠して測定されるプローブ
タック力が、0.01〜1N/5mmφの範囲にあるも
のが好ましい。
プでは、共押出成形法によって成形されてなるものが好
ましい。
なる基材層と、該基材層の片面に積層される粘着層とを
有する粘着テープの製造方法であって、基材層及び粘着
層を構成する重合体のメルトフローレート(MFR、AS
TM D1238に準拠し温度230℃荷重2.16kgによる測定値)
が5〜40g/10分、かつ隣合う層でのMFR差が1
0g/10分以下であり、溶融温度が200〜260℃
で、かつ隣合う層の溶融温度差が30℃以下になるよう
にして多層ダイを用い共押出成形法により成形すること
を特徴とする前記したウエハ加工用粘着テープの製造方
法が提供される。
工用粘着テープとウエハとを20〜80℃で圧着したの
ち、15〜35℃でウエハをチップに切断加工し、次い
で該粘着テープを40〜80℃で拡張し、その後、室温
でチップをピックアップして粘着テープから剥離するこ
とを特徴とするウエハ加工用粘着テープの使用方法が提
供される。
用方法においては、前記ウエハが、表面に回路パターン
が形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイ
シングであることが好ましい。
テープ(以下「本発明の粘着テープ」という)及びその
製造方法(以下「本発明の製造方法」という)並びにそ
の使用方法(以下「本発明の使用方法」という)につい
て、添付図面を参照して具体的に説明する。なお、全図
において同一又は相当部分については、同一の符号を付
すこととする。
を示す断面図である。同図に示されるように、本発明の
粘着テープ10は、基材層1と、基材層1の片面に積層
された粘着層2とからなる。
種々の薄層品、例えば、合成樹脂、紙、金属薄、天然樹
脂などを用いることができる。中でも、本発明において
は、耐水性、耐熱性、廃棄処理性等から、非ハロゲン系
合成樹脂を主成分とするものが好ましく、具体例として
は、オレフィン系重合体、ポリアミド、ポリエステル、
ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどが
挙げられる。特に、オレフィン系重合体、ポリエステ
ル、ポリエーテルなどの様に、例えば、使用後に焼却処
理する場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシ
ンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しな
い炭素、水素、酸素からなる合成樹脂、即ち、環境に対
して負荷が少ない合成樹脂が好ましい。
強さ、チップに切断加工後の拡張性、そのものの生産
性、保存安定性等の要求に対して、多種多様な特性を持
ち、他材料と複合化により機能を付与することができる
点、環境に優しい点、複数の層からなる場合に相互に強
固な接着を形成し易い点から、その構成成分としては、
とりわけ、オレフィン系重合体を主成分とするものが好
ましい。
は、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、直鎖
状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポ
リエチレン、超高分子量ポリエチレン、また、エチレン
と炭素数3〜12のα−オレフィン、スチレン、酢酸ビ
ニル、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、
アイオノマー等の各種ビニル化合物との共重合体等ポリ
エチレン系重合体が挙げられ、さらに、プロピレン単独
の重合体、ブロック型のプロピレン・エチレン共重合
体、ランダム型のプロピレン・エチレン共重合体、ブロ
ック型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、ラ
ンダム型のプロピレン・エチレン・ブチレン共重合体、
超分子量ポリプロピレン等ポリプロピレン系重合体が挙
げられ、さらにまた、ポリブテン、ポリメチルペンテ
ン、超高分子量ポリブテン、超高分子量ポリメチルペン
テン等炭素数4以上のα−オレフィン共重合体を挙げる
ことができる。本発明において主成分とは、それ以外の
含まれている構成成分に比べて、相対的に最も大きな割
合で含まれる構成成分を言う。
場合には、各層にウエハ加工用粘着テープとして要求さ
れる各種の特性を分担して受け持たせるように構成する
ことができる。例えば、中間層には加工時の伸び特性
や、引き裂き耐性を付与し、また、耐候安定剤を添加し
て耐候性を付与し、最外層には表面疵の耐性や、巻き上
げた保護フィルムが簡単に巻戻せるように粘着層との剥
離性を付与した態様が挙げられる。また、隣合う層は、
その構成成分が、溶融共押出しによって強固に接着でき
るものであれば、いずれのものからなる層であってもよ
い。好ましい態様としては、その粘着層と反対側の最外
層(表面層)の主成分を、エチレン系共重合体とする態
様である。
形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発
明の粘着テープ10は、中間層3と表面層4からなる基
材層1と、中間層3の片面に積層された粘着層2とから
なる。
重合体を主成分とするものが好ましい。また、中間層の
構成成分としては、前記のオレフィン系重合体と熱可塑
性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が連続
相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成して
いるものであることが好ましい。このようにすることに
より、ウエハを弛みなく固定保持できる強度が高められ
るとともに、ウエハ加工時、中間層の一部にまで切削さ
れ形成される溝が拡大せず、加工後にテープを拡張した
際に溝が裂けず、テープの弛みもない(いわゆるネッキ
ングが生じない)。また、チップ間隔(溝間隔)がチッ
プの縦横方向ともに均一に十分拡張されるという特長が
ある。
と同様なものが挙げられる。また、熱可塑性エラストマ
ーとしては、例えばポリスチレン系エラストマー、ポリ
オレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマ
ー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラ
ストマーなどが挙げられる。このうちポリスチレン系エ
ラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリエス
テル系エラストマーは、例えば、使用後に焼却処理する
場合に硫黄酸化物、窒素酸化物或いはダイオキシンに代
表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない炭
素、水素、酸素からなる熱可塑性エラストマーである
点、即ち環境に対する負荷が少ない熱可塑性エラストマ
ーである点で好ましい。
(Aは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示す
オレフィン重合体ブロックを示し、Bはジエン重合体ブ
ロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合
体ブロックを示す)で表されるブロック共重合体である
と、前記オレフィン系重合体からなる連続相に分散した
相を形成し易いため望ましい。
質部(結晶部)となるポリスチレンブロックと、軟質部
となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共
重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体
的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重
合体(SIS)、スチレン・ブタジエン・スチレンブロ
ック共重合体(SBS)、スチレン・エチレン・ブチレ
ン・スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン
・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体
(SEPS)などを例示することができる。これらは、
1種単独でも2種以上を組み合わせても用いられる。
て、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリ
マーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部とな
る非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック
共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン(結晶
性)・エチレン・ブチレン・オレフィン(結晶性)ブロ
ック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド
・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・
ポリオレフィン(非晶性)・ポリプロピレンブロック共
重合体等を例示することができる。
体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル
・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例
示することができる。
形態を示す断面図である。同図に示されるように、本発
明の粘着テープ10は、第一中間層3a、第二中間層3
b、表面層4の順に積層された基材層1と、第一中間層
3aの片面に積層された粘着層2とからなる。基材層1
が、3層の場合には、第一中間層3aと第二中間層3b
のどちらかの層或いは2層が、連続相を形成するオレフ
ィン系重合体と、分散相を形成する熱可塑性エラストマ
ーであることが望ましい態様である。この場合、第二中
間層3bが、連続相を形成するオレフィン系重合体と、
分散相を形成する熱可塑性エラストマーであることがよ
り望ましい態様である。なお、中間層3aの厚さは、例
えば10〜200μm程度であり、好ましくは30〜1
50μmである。また、中間層3bの厚さは、例えば1
〜100μm程度であり、好ましくは5〜50μmであ
る。
(図3では第一中間層3a)は、前記のα−オレフィン
を含む重合体の1種単独または2種以上の混合物を主成
分として含有していてもよい。また、この粘着層に接す
る側の中間層は、α−オレフィンを含む重合体以外に、
ブリードアウトして粘着層への影響を与えるものでなけ
れば、炭化水素以外の酸素原子含有基などの官能基を分
子内に有する樹脂を副成分として含んでいてもよい。前
記粘着層に接する中間層における前記α−オレフィンを
含む重合体の含有量は、通常、50〜100重量%程度
であり、好ましくは70〜100重量%程度である。
最外層である表面層4の主成分は、オレフィン系重合体
であることが好ましい。なかでも、エチレン・(メタ)ア
クリル酸共重合体が好適である。この場合、基材層1の
最外層となる表面層4における前記エチレン・(メタ)ア
クリル酸共重合体の含有量は、通常、50〜100重量
%程度であり、好ましくは70〜100重量%程度であ
り、主成分以外の成分としては、α−オレフィン(共)重
合体などが挙げられる。
・(メタ)アクリル酸共重合体とともに、ポリエチレン、
エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋
樹脂とを含む混合物を主成分とするもの、または、前記
α−オレフィンを含む重合体に加えて、ポリビニルアル
コールまたはエチレン・ビニルアルコール共重合体と長
鎖アルキルイソシアナートとの反応物(剥離剤)等の少
量を含有するものが好ましく、巻き戻し力が5N/25
mm以下である粘着テープを得ることができる。
最外層である表面層4が、エチレン・(メタ)アクリル酸
共重合体とともに、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合
体の金属イオン架橋樹脂を含む層である場合、エチレン
・(メタ)アクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂の含
有割合は、1〜50重量%、中でも特に3〜40重量%
が好ましい。
1の最外層である表面層4が、α−オレフィンを含む重
合体を主成分とする場合、これらの他に、少量のポリビ
ニルアルコールまたはエチレン・ビニルアルコール共重
合体と長鎖アルキルイソシアナートとの反応物等の剥離
剤を配合することが望ましいが、その剥離剤の含有割合
は、基材層1の当該層の通常0.5〜20重量%、中で
も特に、1〜10重量%が好適である。
ープの基材層に一般に用いられる各種添加剤を含有して
いてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収
剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等をウエハ加工やチ
ップに影響を与えない程度に含有していてもよい。
厚さは、好ましくは10〜200μm程度であり、より
好ましく疵防止性、貼付け作業性および価格の点で、3
0〜150μm程度が好ましい。また、基材層が中間層
と表面層からなる場合、中間層の厚さは、好ましくは1
0〜200μm程度、より好ましくは30〜150μm
程度であり、表面層は、好ましくは1〜100μm程
度、より好ましくは5〜50μm程度である。
層の片面に積層された粘着層とを有する2層以上の多層
構造の積層フィルムであって、被着体であるシリコンウ
エハが粘着層を介してウエハ加工用粘着テープに貼着さ
れた後、該ウエハをダイサーによりダイシング速度70
mm/minでフルカットして矩形のチップに切断加工
するとき、該チップの加工面から発生しうる欠けまたは
亀裂の最大長さが30μm以下、好ましくは10μm以
下である。このレベルであれば、ウエハ加工時の欠けや
亀裂を原因とするチップ不良が無くなり、ワックス固定
法に近い品質を達成することができる。
は亀裂の最大長さ測定方法は、シリコンウエハをウエハ
加工用粘着テープによりフレームに貼り付けて固定し、
ダイサーによりダイヤモンド切削刃により特定の加工速
度で、一回でフルカットして矩形のチップに切断加工す
るとき、チップ加工面から発生しうる欠けまたは亀裂の
距離を測定する方法による。測定方法の例を次に示す。
た欠け22或いは亀裂23について、チップ上面の垂直
方向から見た模式図である。欠け22は、チップから剥
がれ落ちた部分を斜線で示し、亀裂23は、チップに発
生した割れであり太い実線で示す。
ナー加工面に発生した欠け22或いは亀裂23につい
て、チップ上面の垂直方向から見た模式図である。コー
ナー部分の加工では、縦と横の切断加工方向が交差する
ため、欠け或いは亀裂が最大になる傾向が強い。図10
aは、コーナー部の欠け22が長辺形状を示す一例であ
り、縦或いは横の加工面からの距離の長い方を、その欠
けの最大長さ24とする。図10bは、コーナー部分の
亀裂23についての一例であり、縦或いは横の加工面か
らの距離の長い方を、その欠けの最大長さ24とする。
である15〜35℃の範囲において、貯蔵弾性率G'が
1MPa以上、好ましくは1〜200MPaとなるもの
である。さらには、損失弾性率G"の貯蔵弾性率G'に対
する比であるtanδが0.05以上の範囲にあること
が望ましい。これにより、切断する回転刃によってウエ
ハに発生する内部応力の共振現象による増幅を抑えて、
チップの欠けまたは亀裂の発生率を極小化させるととも
に、その大きさを最小限度にとどめることができる。
材層1の片面に積層され、その主成分としてオレフィン
系重合体を含有するものが好ましい。さらには、炭素原
子数2〜12のα−オレフィンから選ばれる少なくとも
2種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフ
ィン共重合体の1種または2種以上の混合物を主成分と
するものが好ましい。特に、前記α−オレフィン共重合
体と、熱可塑性エラストマー、エチレンと他のα−オレ
フィンとのコオリゴマーからなり、α−オレフィン共重
合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相
を形成しているものが好ましい。
し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していること
は、図13及び図14の粘着層の断面写真により明らか
である。図13は粘着層の流れ方向に垂直な断面写真で
あり、図14は粘着層の流れ方向に平行な断面写真であ
る。このようにすることにより、粘着層のガラス転移温
度が低下するので、貼付け温度を低くしても、本発明の
粘着テープとウエハとを互いに隙間なく密着させること
ができ、プローブタック力で示される初期粘着強度を適
正な範囲に調整することができる。すなわち、低温粘着
特性を改善できる。加えて、α−オレフィン共重合体が
連続層を形成しているので、貯蔵弾性率G'とtanδの高
い粘着層が得られる。
ては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1
−ペンテン、3−メチル−1−ブテン、1−ヘキセン、
4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテ
ン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−デセン、1−ド
デセン等が挙げられる。これらのα−オレフィンから選
ばれる少なくとも2種の単量体からなる共重合体を、粘
着層2の主成分とする場合、粘着層2中に占めるこのα
−オレフィン共重合体の総含有割合は、通常、30重量
%以上、なかでも特に50重量%以上とすることが好ま
しい。
も、プロピレン、1−ブテンおよび炭素原子数5〜12
のα−オレフィンの3成分を共重合してなる共重合体を
含有する粘着層が好ましい。特に、プロピレン10〜8
5モル%、1−ブテン3〜60モル%および炭素原子数
5〜12のα−オレフィン10〜85モル%の構造単位
組成を有する共重合体を含有する粘着層は、常温付近で
の粘着特性に優れる点で好ましく、さらに、プロピレン
15〜70モル%、1−ブテン5〜50モル%およびα
−オレフィン15〜70モル%の構造単位組成の割合で
含む共重合体を含有する粘着層が好ましい。炭素原子数
5〜12のα−オレフィンとしては、4−メチル−1−
ペンテンが好ましい。
炭素原子数5〜12のα−オレフィンの3成分を共重合
してなる共重合体を粘着層に含有する場合、粘着層中に
占めるこの共重合体の含有割合は、通常、20重量%以
上、好ましくは30重量%以上である。
ては、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系
エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタ
ン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが
挙げられる。この熱可塑性エラストマーの好ましい構造
としては、構造要素であるブロック共重合体が、一般式
A−B−AまたはA−Bで表されるものである。ここ
で、Aは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示
すオレフィン重合体ブロックを示し、Bはジエン重合体
ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重
合体ブロックを示す。
質部(結晶部)となるポリスチレンブロックと、軟質部
となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共
重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体
的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重
合体(SIS)、スチレン・ブタジエン・スチレンブロ
ック共重合体(SBS)、スチレン・エチレン・ブチレ
ン・スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン
・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体
(SEPS)などを例示することができる。これらは、
1種単独でも2種以上を組み合わせても用いられる。
ロック共重合体は、スチレン系重合体ブロックを平均分
子量に換算して12000〜100000程度、イソプ
レン重合体ブロックを平均分子量に換算して10000
〜300000程度含むものである。このSISにおけ
るスチレン重合体ブロック/イソプレン重合体ブロック
の含有割合は、通常、重量比で5〜50/50〜95で
あり、好ましくは10〜30/70〜90である。
ンブロック共重合体は、スチレン・イソプレン・スチレ
ンブロック共重合体を水素添加してなるものである。こ
のSISの具体例としては、JSR株式会社から商品
名:JSR SISとして、またはシェル化学社から商
品名:クレイトンDとして市販されているものなどが挙
げられる。また、SEPSの具体例としては、株式会社
クラレから商品名:セプトンとして市販されているもの
などが挙げられる。
て、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリ
マーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部とな
る非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック
共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン(結晶
性)・エチレン・ブチレン・オレフィン(結晶性)ブロ
ック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド
・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・
ポリオレフィン(非晶性)・ポリプロピレンブロック共
重合体等を例示することができる。具体例としては、S
R株式会社から商品名:DYNARONとして市販され
ているものが挙げられる。
体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル
・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例
示することができる。
て、前記熱可塑性エラストマーを用いる場合、粘着層に
占める熱可塑性エラストマーの含有割合は、通常、0〜
60重量%で、好ましくは、5〜50重量%である。
プローブタック力で示される粘着性能を向上させるた
め、前記炭素原子数2〜12のα−オレフィンの3成分
を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、他
のα−オレフィン共重合体を含有させた粘着層とするこ
とができる。このとき、前記のプロピレン、1−ブテン
および炭素原子数5〜12のα−オレフィンの3成分か
らなる共重合体と、他のα−オレフィン共重合体の粘着
層中に占める合計の含有量は、50重量%以上であるこ
とが好ましい。
は、エチレン、プロピレン、1−ブテンおよび1−ヘキ
センから選ばれる少なくとも2種のα−オレフィンから
なる共重合体が好ましい。このα−オレフィン共重合体
としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・
1−ブテン共重合体、エチレン・1−ヘキセン共重合
体、プロピレン・1−ブテン共重合体、プロピレン・1
−ヘキセン共重合体、1−ブテン・1−ヘキセン共重合
体等を例示できる。この共重合体の具体例としては、三
井化学株式会社から商品名:タフマーA、タフマーP等
で市販されているものなどを挙げることができる。
ンとのコオリゴマーは、エチレンと他のα−オレフィン
との低分子量共重合体であって、常温で液体状のもので
ある。α−オレフィンとしては、例えば、プロピレン、
1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテ
ン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1
−ヘキサデセン、1−オクタデセン、4−メチル−1−
ペンテン等の炭素数3〜20のα−オレフィンが挙げら
れる。これらの中でも、炭素数3〜14のα−オレフィ
ンが好ましい。
はCnH2n+1(nは正の整数である)で表される基であ
り、x、yおよびpは正の整数である。
が100〜10000の範囲のものであり、好ましくは
数平均分子量が200〜5000の範囲のものである。
また、このコオリゴマー中のエチレン単位含有量は、通
常、30〜70モル%、好ましくは40〜60モル%で
ある。
中に、前記コオリゴマーを用いる場合、このコオリゴマ
ーの粘着層に占める含有割合は、通常0〜20重量%、
好ましくは0〜10重量%である。
成成分として、前記炭素原子数2〜12のα−オレフィ
ンの3成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に
加えて、前記の他のα−オレフィン共重合体を用いる
と、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な範
囲に調整できるとともに、低温粘着特性を改善できる点
で有利である。
オレフィン系共重合体とエチレンと他のα−オレフィン
とのコオリゴマーの組み合わせからなる混合樹脂を用い
ると、ガラス転移温度が低下し、初期粘着強度を適正な
範囲に調整することができるとともに、粘度を適正な範
囲に調整できる点で有利である。
オレフィン系共重合体と熱可塑性エラストマーとからな
る混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、初期
粘着強度を適正な範囲に調整することができるととも
に、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
−オレフィン系共重合体、熱可塑性エラストマー、およ
びエチレンと他のα-オレフィンとのコオリゴマー以外
に、さらに各種の副成分を、本発明の目的を損ねない範
囲で含んでいてもよい。例えば、液状ブチルゴム等の可
塑剤、ポリテルペン等のタッキファイヤーなどを含んで
いてもよい。本発明において、これらの副成分のうち接
着性の官能基、不飽和結合を有するものは、貼り付けた
後での粘着強度の経時変化(加温、加圧、湿度、紫外線
等による)を起こさせないように、その種類、配合量等
を調整することが好ましい。
この種の粘着層の素材に一般的に配合される各種添加剤
を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、
紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等を含有
していてもよい。
さは、通常、1〜50μm程度であり、好ましくは、5
〜30μm程度である。また、粘着テープの全体の厚さ
は、通常、30〜200μm程度であり、疵防止性、貼
り付け作業性および価格の点で、好ましくは60〜18
0μm程度である。
0〜500MPaの範囲にある。さらにまた、本発明の
粘着テープの粘着力については、粘着テープを20〜6
0℃の範囲に調整した後、JIS Z0237(参考)
に準拠して測定されるプローブタック力が、0.01〜
1N/5mmφの範囲に入ることが好ましい。通常粘着
テープの粘着力は、23℃で貼着して測定されるが、本
発明の粘着テープの場合、被着体との密着性を高めるた
めに20〜60℃の範囲に加熱調整されることが好まし
い。
mmφを越えて小さくなり過ぎると、チップフライの発
生を防止することが困難になることがあり好ましくな
い。また、プローブタック力が1N/5mmφを越えて
大きくなり過ぎると、ピックアップ性が悪化することが
あり好ましくない。プローブタック力が0.01N/5
mmφ以上の場合、本発明の粘着テープとウエハとが確
実に密着できるため、ウエハ加工時のチップフライが無
くなる点、欠けまたは亀裂の長さと発生率を極小化でき
る点、切削屑の付着が無くなる点等に良好な効果を与え
ると考えられる。プローブタック力が1N/5mmφ以
下の場合、本発明の粘着テープとチップとが容易に剥離
できるため、ピックアップ性に良好な効果を与える。
離する場合に、光や電子線を用いて粘着層を硬化させて
粘着力を低下させる方法におけるような特別な装置を使
うことが無く、テープからの剥離が容易である。また、
剥離した後、チップへの糊残りが無く、その後工程のボ
ンディング工程とモールディング工程を阻害する成分等
の付着の無いものである。
の、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すよう
に、本発明のウエハ加工用粘着テープ10は、基材層1
と、基材層1の表面に積層された粘着層2と、粘着層2
側に離型テープ5が設けられる。
の、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すよう
に、本発明のウエハ加工用粘着テープ10は、中間層3
と表面層4からなる基材層1と、中間層3の表面に積層
された粘着層2とからなり、その粘着層2側に、離型テ
ープ5が設けられる。
の、他の実施形態を示す断面図である。同図に示すよう
に、本発明のウエハ加工用粘着テープ10は、第一中間
層3a、第二中間層3b、表面層4の順に積層された基
材層1と、中間層3aの表面に積層された粘着層2とか
らなり、その粘着層2側に、離型テープ5が設けられ
る。
10をそのままロール6に巻いて保管される状態を示す
図であり、図8は、本発明のウエハ加工用粘着テープ1
0の粘着層側に離型テープ3を貼り付けて、ロール6に
巻いて保管される状態を示す図である。
ルムにUV硬化型のシロキサン系架橋化合物からなる離
型層を有するものが用いられる。離型テープの凹凸が粘
着層の表面に転写されるため、表面粗さが1μm以下の
平滑性を有するものが好ましい。また。離型テープの厚
さは、ロール巻きに支障のない厚さで、廃棄処理量を減
らす観点から出来るだけ薄いものが良く、例えば5〜2
00μmであり、好ましくは10〜100μmである。
基材層(表面層及び中間層)および粘着層を構成する素
材を、それぞれ溶融加熱して共押出し成形し、所定の厚
さを有する多層構造の積層フィルムを製造する方法が、
高効率でしかも省エネルギーため安価に本発明の粘着テ
ープを製造できる点で、好ましい。また、基材層に粘着
層を溶融押出ラミネートする等の方法にしたがって行う
こともできる。
数の層からなる基材層と、該基材層の片面に積層される
粘着層とを有する粘着テープの製造方法であって、基材
層及び粘着層を構成する重合体のメルトフローレート
(MFR、ASTM D1238に準拠し温度230℃荷重21.18Nに
よる測定値)が5〜40g/10分、かつ隣合う層での
MFR差が10g/10分以下であり、溶融温度が20
0〜260℃で、かつ隣合う層の溶融温度差が30℃以
下になるようにして多層ダイを用いた共押出成形法によ
り成形すると、好ましい。
えば、各層の溶融物をあらかじめ層状に組み合わせて一
体としたものをフラットダイに送り込みダイ内で接着さ
せる方法(フィードブロック法)、各層の溶融物をフラ
ットダイ内の別のマニホールドに送り込み、ダイ内の共
通の場所(一般にはダイリップ入り口前)にて、各層を
層状に接合して一体としたものをフラットダイに送り込
みダイ内で接着させる方法(多数マニホールド法)、さ
らにフィードブロック法と多数マニホールド法の組み合
わせた方法等が挙げられる。
合う層でのMFR差が10g/10分以下であると、異
なる材料で構成される各層の厚みが均一になる点、表面
性が良好で多層構造を形成できので、好ましい。また、
溶融温度が200〜260℃で、かつ隣合う層の溶融温
度差が30℃以下であると、異なる材料で構成される各
層の厚み均一になる点、表面性が良好で異物の発生も無
く多層構造を形成できる点等で、好ましい。
ハ加工用粘着テープとウエハとを20〜80℃で圧着し
たのち、15〜35℃でウエハをチップに切断加工し、
次いで該粘着テープを40〜80℃で拡張し、その後、
室温でチップをピックアップして粘着テープから剥離す
ることからなる。
ればいずれのものでもよく、例えば絶縁体としては、ガ
ラス、セラミック、硬質プラスチックなど、半導体とし
ては、シリコン、ゲルマニウム、セレン、テルル等の元
素半導体;GaAs、GaP、InSb等の2元系化合
物半導体;AlGaAs等の3元系化合物半導体;Al
GaInAs等の4元系化合物半導体;SnO2、Zn
O、TiO2、Y2O5等の金属酸化物半導体など、その
他の金属酸化物からなるものなどが挙げられる。ウエハ
の厚さは数10μm〜数mm、ウエハの面積は、数10
mm2〜数10000mm2であるものが使用でき、形状
は円形、正方形、長方形などのいずれでもよい。
0℃で圧着することにより、テープとウエハを互いに隙
間なく密着することができ、テープ及びウエハの加熱に
よる変質を防げる。また、15〜35℃でウエハをチッ
プに切断加工すれば、特別な冷却装置や加熱装置が不要
であり、粘着テープを40〜80℃で拡張することによ
り、テープの切削溝から裂けが発生することなく、チッ
プ間隔を均一に拡大することができる。
記ウエハが、表面に回路パターンが形成された半導体ウ
エハであり、前記切断加工がダイシングである場合であ
る。また、本発明の粘着テープは、回路パターンが形成
された半導体ウエハの表面からウエハ厚みよりも浅い切
り込み深さの溝を形成し、その後半導体ウエハの裏面研
削をすることで、ウエハの厚みを薄くするとともに最終
的に個々のチップへ分割するウエハ裏面研削において用
いられる表面保護シートにも応用可能である。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでな
い。なお、以下の実施例および比較例において、粘弾
性、MFR、プローブタック力、粘着力の温度依存性、
巻き戻し力、チップフライ、欠け及び亀裂の長さと発生
率、切削屑汚染性、拡張性、ピックアップ性を下記に示
す測定方法により試験し、評価した。
スペクトロメーターRMS−800を用いて、直径8m
mのパラレルプレートを使用し、プレート間のギャップ
を1.5mmとし、試験片には8mmφ×1.5mm
(厚さ)の円板を用い、周波数ω=100rad/secで、−5
0℃〜350℃の範囲を3℃/minの昇温速度で、貯蔵
弾性率G'(Pa)と損失弾性率G"(Pa)の測定を行
った値を使用した。tanδは、測定された貯蔵弾性率
G'と損失弾性率G"を関係式tanδ=G"/G'に代入
して算出した。
温度230℃、荷重21.18N(2.16kgf)の
試験条件により測定した値を用いた。 (3)プローブタック力 JIS Z0237-1991(参考)に記載のプローブ
タック試験に準拠して、(株)東洋精機製作所製のプロ
ーブタックテスターMODEL TM1を用いて測定し
た。測定温度23℃、湿度50%(RH)下、直径5mm
のプローブを、試験片の粘着面に10gfの荷重を10
秒間接触させた後、プローブを垂直方向に速度10mm
/秒で引きはがし、そのときの要する力(単位:N/5
mmφ)を測定した。試験は、5枚の試験片について繰
り返し行い、その平均値をプローブタック力とした。
定法に準拠して測定した。ただし、シリコンミラー面に
試験片を23℃で貼り付け、23℃、50℃の環境下に
30分間置いてから、シリコンミラー面に対する180
度引きはがし粘着力(単位:N/25mm)として測定
し、次の基準により温度依存性の評価を行った。(50
℃の粘着力)/(23℃の粘着力)が、0.7以上〜
1.3以下の範囲を合格(○で示す)とし、(50℃の
粘着力)/(23℃の粘着力)が、0.7未満1.3を
越えるものを不合格(×で示す)とした。
戻し力の測定法に準拠して測定した。ただし、試験片で
あるロール状に巻かれたウエハ加工用粘着テープを、3
0m/分の速度で巻き戻した時の抵抗力を、高速巻き戻
し力(単位:N/25mm)として測定した。
0)を用いて、貼り付け温度20℃、40℃、60℃の
3条件において、試験片であるウエハ加工用粘着テープ
を介して、シリコンウエハ(P型、厚さ400μm、直
径6インチ)をフレーム(ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H)
に張りつけ固定した後、ダイサー(ディスコ製 DAD32
0)にセットし、ブレード(NBC-ZH-2500、サイズ:
27HEDD)の回転速度30000回転/min、切断速度7
0mm/min、切り込み量はフルカットでフィルムを
30μm深さまで切り込む様にし、切削水量(20℃の
恒温水使用)はウエハ面へのノズルから1.5L/mi
n、回転ブレード落射ノズルから1.0L/minとし、
0.50mm角と1mm角サイズのチップにダイシング
加工した。
ち、少なくとも一つ以上の貼り付け温度において、上記
シリコンウエハからダイシング加工して得られる0.5
0mm角或いは1.0mm角のチップを全て観察し、飛
散した個数を調査して次の飛散率の基準によりチップフ
ライを評価した。チップサイズ5mm角、1mm角共に
飛散率0.3%以下である場合を合格(○で示す)と
し、チップサイズ0.5mm角、1mm角のどちらか一
方だけが飛散率0.3%以下である場合を準合格(△で
示す)とし、チップサイズ0.5mm角、1mm角のど
ちらも飛散率0.3%を越える場合を不合格(×で示
す)とした。
0)を用いチップフライが発生しない貼り付け温度に
て、試験片であるウエハ加工用粘着テープの粘着層をシ
リコンウエハ(P型、厚さ400μm、直径6インチ)
のミラー面に貼付け、粘着テープを介してシリコンウエ
ハをフレーム(ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H)に張りつけ
固定した後、ダイサー(ディスコ製 DAD320)にセット
し、ブレード(NBC-ZH-2500、サイズ:27HEDD)の
回転速度30000回転/min、切断速度70mm/mi
n、切り込み量はフルカットでフィルムを30μm深さ
まで切り込む様にし、切削水量(20℃の恒温水使用)
はウエハ面へのノズルから1.5L/min、回転ブレー
ド落射ノズルから1.0L/minとし、3mm角サイズ
のチップにダイシング加工した。
たは亀裂は、図9に示すように切断加工面から欠けまた
は亀裂の先端までの垂直方向の距離を、欠けまたは亀裂
の長さとして測定し、その内の最大値をチップに発生し
た欠けまたは亀裂の最大長さ(μm)とした。ただし、
コーナー部に発生する欠けまたは亀裂については、図1
0aと図10bに模式的示す様な方法で長さを測定し
た。また、10μmを越える欠けまたは亀裂が3mm角
のチップ内に一箇所でも発生した場合、欠けまたは亀裂
が発生したチップとして数を計量し、6インチウエハ内
のチップ総数に対するその数の割合を、欠け亀裂の発生
率(%)とした。
0)を用いチップフライが発生しない貼り付け温度に
て、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリ
コンウエハ(P型、厚さ400μm、直径6インチ)を
フレーム(ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H)に張りつけ固定
した後、ダイサー(ディスコ製 DAD320)にセットし、
ブレード(NBC-ZH-2500、サイズ:27HEDD)の回転
速度30000回転/min、切断速度70mm/min、切
り込み量はフルカットでフィルムを30μm深さまで切
り込む様にし、切削水量(20℃の恒温水使用)はウエ
ハ面へのノズルから1.5L/min、回転ブレード落射
ノズルから1.0L/minとし、3mm角サイズのチッ
プにダイシング加工した。
工される全ての3mm角サイズのチップについて、光学
顕微鏡(倍率100倍)により切削屑の有無を観察し、
切削屑が付着しているチップの数の、全体のチップ数に
対する発生率を調査し、次の基準により切削屑汚染性を
評価した。発生率が0.3%以下を合格(○で示す)と
し、0.3%を越えるものを不合格(×で示す)とし
た。
0)を用いチップフライが発生しない貼り付け温度に
て、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリ
コンウエハ(P型、厚さ400μm、直径6インチ)を
フレーム(ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H)に張りつけ固定
した後、ダイサー(ディスコ製 DAD320)にセットし、
ブレード(NBC-ZH-2500、サイズ:27HEDD)の回転
速度30000回転/min、切断速度70mm/min、切
り込み量はフルカットでフィルムを30μm深さまで切
り込む様にし、切削水量(20℃の恒温水使用)はウエ
ハ面へのノズルから1.5L/min、回転ブレード落射
ノズルから1.0L/minとし、3mm角サイズのチッ
プにダイシング加工した。
トロニクス製 HS-1800)を用いて、ダイシング加工後の
ウエハ加工用粘着テープを60℃に加熱し、そのウエハ
の貼着された粘着テープ部分を直径180mmの円柱状
の押圧具で上方にストローク20mmまで押し上げるこ
とで、粘着テープ上に貼着されたチップ間隔を拡張し
た。拡張性の評価は、次の3項目の基準(a)〜(c)
を全て満たす場合を合格(○で示す)として、何れか一
項目でも達成できない場合を不合格(×で示す)とし
た。 基準(a):前記押圧具の端部部分に接触した粘着テー
プ厚さが、非接触部の厚さに対して90%以上であるこ
と。即ち、ネッキングしないこと。 基準(b):拡張されたチップ間隔が、200μm以上
であること。 基準(c):チップ間隔の縦方向と横方向の比が、0.
7以上1.3以下であること。
0)を用いチップフライが発生しない貼り付け温度に
て、試験片であるウエハ加工用粘着テープを介してシリ
コンウエハ(P型、厚さ400μm、直径6インチ)を
フレーム(ディスコ製 MDFTF-2-6-1-H)に張りつけ固定
した後、ダイサー(ディスコ製 DAD320)にセットし、
ブレード(NBC-ZH-2500、サイズ:27HEDD)の回転
速度30000回転/min、切断速度70mm/min、切
り込み量はフルカットでフィルムを30μm深さまで切
り込む様にし、切削水量(20℃の恒温水使用)はウエ
ハ面へのノズルから1.5L/min、回転ブレード落射
ノズルから1.0L/minとし、3mm角サイズのチッ
プにダイシング加工した。ただし、UV硬化タイプの粘
着テープは、ダイシング加工後、UV照射装置(ディス
コ製 DUV100)を用いて60秒間光を粘着テープへ照射
した(約360mJ/cm2の光量)。
ーグル・エレクトロニクス製 DE35)を用いて、ダイシ
ング加工後のウエハ加工用粘着テープを60℃に加熱
し、チップの間隔を拡張した後、ピン突き上げてから
0.3秒後にピックアップする条件における捕獲率
(%)を調査し、次に基準によりピックアップ性を評価
した。チップ49個(1トレー)のピックアップを3回
実施して、全てピックアップできる場合は合格(○で示
す)とし、1個でもピックアップできない場合は不合格
(×で示す)とした。
層の材料として、以下の材料を用いた。すなわち、基材
層1を構成する成分として、プロピレン・エチレン・1
-ブテンランダム共重合体(r-PP;エチレン成分5モ
ル%、1-ブテン成分5モル%)80重量部と、スチレ
ン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体
(SEBS;旭化成工業(株)製タフテックTMH105
2)20重量部を用い、粘着層2を構成する成分とし
て、プロピレン・1-ブテン・4-メチル-1-ペンテン共
重合体(PB(4-MP);プロピレン成分50モル%、
1-ブテン成分20モル%、4-メチル-1-ペンテン成分
30モル%)100重量部を用いた。図12は、前記粘
弾性の測定方法に従って測定した粘着層の貯蔵弾性率
G'、損失弾性率G"、tanδの結果を示した。
を混合して調整し、粘着層:15g/10min、基材
層:15g/10minとした。次いで、各層の材料を
フルルライト型のスクリューを備えた押し出し機により
溶融した。成形条件(溶融温度)は、粘着層:230
℃、基材層:230℃であり、この2層の溶融樹脂を多
層ダイ内で積層させた(共押出温度:230℃)。押し
出された粘着テープを冷却し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。
層からなる基材層と粘着層が積層され、離型テープが粘
着層側に設けられたものであり、各層の厚さは、粘着
層:20μm、基材層:70μmで、合計厚さ90μm
であった。
ブタック力は、貼り付け温度60℃で0.1N/5mm
φ、40℃で0.01N/5mmφ、20℃で0N/5
mmφであった。その結果、60℃を最適な貼り付け温
度とした。180度引き剥がし粘着力の温度依存性につ
いては、試験温度23℃で1N/25mm、50℃で1
N/25mmとなり、(50℃の引き剥がし粘着力)/
(23℃の引き剥がし粘着力)が、1であり温度依存性
が無かった。ロールからの巻き戻し力は、0.05N/
25mmであり、軽く扱いやすい巻物であった。以上の
測定または評価した結果を表3に示す。
の加工性を評価するために、粘着テープを60℃に加温
してウエハに貼り付け、チップフライ、欠けまたは亀裂
の最大長さと発生率、切削屑汚染性、拡張性、ピックア
ップ性について試験した結果を表4に示す。チップフラ
イについては、チップの飛散は発生せず、チップフライ
による不良の発生が無いことを示した。欠けまたは亀裂
の最大長さと発生率については、ワックス固定法(欠け
または亀裂の最大長さ5μm以下、発生率0)とほぼ同
等レベルとなった。切削屑汚染性については、チップに
付着した切削屑が全く観察されなかった。拡張性につい
ては、基準(a)が98%、基準(b)が400μm、
基準(c)が1.1であり、全ての基準について合格
し、拡張性に優れていることを示した。ピックアップ性
については、全てのチップを拾い落とすことなく剥離で
き、ピックアップ性に優れていることを示した。
層の材料として、基材層1の成分として、実施例1と同
じr-PP80重量部と、スチレン・イソプレン・スチレ
ンブロック共重合体の水素添加物(SEPS;(株)ク
ラレ製セプトンTM2063)20重量部を用い、粘着層
2の成分として、実施例1と同じPB(4-MP)95重
量部と、エチレンとα−オレフィンのコオリゴマー(L
EO;三井化学(株)製ルーカント TMHC−20)5重
量部とを用いた。粘着層の粘弾性の測定結果を、15
℃、25℃、35℃の3点について表3に示す。
様にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、低密度ポリエチレン(LDPE;密度0.92g/
cm3)を用い、基材層1の中間層3の成分として、実
施例1と同じr-PP80重量部と、スチレン・イソプレ
ン・スチレンブロック共重合体の水素添加物(SEP
S;(株)クラレ製セプトンTM2063)20重量部を
用い、粘着層2の成分として、実施例1と同じPB(4-
MP)80重量部と、LEO 5重量部と、スチレン・イ
ソプレン・スチレンブロック共重合体(SIS;JSR
(株)製SIS5229N)15重量部を用いた。
層、共押出温度を220℃にした以外は実施例1と同様
にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ(株)
製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37μm)
を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取った。得ら
れたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果を表3、
表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、実施例3と同じLDPEを用い、基材層1の中間層
3の成分として、実施例1と同じr-PP 90重量部
と、スチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物(HS
BR;JSR(株)製DYNARONTM1321P)1
0重量部を用い、粘着層2の成分として、実施例3と同
じPB(4-MP)60重量部と、SIS15重量部と、
LEO 5重量部と、エチレン・プロピレン共重合体
(EP-A;密度0.87g/cm2)20重量部を用い
た。
様にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、実施例3と同じLDPE 95重量部と、エチレン
・メタアクリル酸共重合体の金属イオン架橋樹脂(アイ
オノマー;三井・デュポンポリケミカル(株)製ハイミラ
ンTM1652)5重量部を用い、基材層1の中間層3の
成分として、実施例4と同じr-PP 80重量部と、H
SBR 10重量部と、高密度ポリエチレン(HDP
E;密度0.96g/cm3)を用い、粘着層2の成分
として、実施例3と同じPB(4-MP)50重量部と、
SIS 15重量部と、LEO 5重量部と、オレフィン
結晶・エチレン・ブチレン・オレフィン結晶ブロック共
重合体(CEBC:JSR(株)製DYNARONTM6
200P)30重量部を用いた。
様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、実施例5と同じLDPE 85重量部と、アイオノ
マー5重量部、エチレン・メタアクリル酸共重合体(E
MAA;三井・デュポンポリケミカル(株)製ニュクレル
TMN1108C)10重量部を用い、基材層1の中間層
3の成分として、上記のLDPE 60重量部と、EM
AA 20重量部と、実施例4と同じEP-A 20重量
部とを用い、粘着層2の成分として、実施例4と同じP
B(4-MP)40重量部と、EP-A 30重量部と、S
IS 20重量部と、LEO 10重量部を用いた。
様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、実施例3と同じLDPEを用い、基材層1の中間層
3の成分として、実施例4と同じHSBR 15重量部
と、実施例1と同じr−PP 85重量部を用い、粘着
層2の成分として、実施例4と同じPB(4-MP)50
重量部と、EP-A 30重量部と、実施例5と同じCE
BC 20重量部を用いた。
様にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4の成分とし
て、実施例3と同じLDPEを用い、基材層1の中間層
3の成分として、実施例1と同じr−PP 90重量部
と、実施例5と同じCEBC 10重量部を用い、粘着
層2の成分として、実施例4と同じPB(4-MP)40
重量部と、EP-A 35重量部と、SIS 20重量部
とLEO 5を用いた。
様にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
層の材料として、基材層1のうち表面層4及び第一中間
層3aの成分として、実施例6と同じLDPE 90重
量部と、EMAA10重量部を用い、基材層1の第二中
間層3bの成分として、実施例7と同じr-PP 60重
量部と、HSBR 40重量部を用い、粘着層2の成分
として、実施例3と同じPB(4-MP)85重量部と、
SIS 10重量部と、LEO 5重量部を用いた。
様にして粘着テープを成形し、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
各層の材料として、基材層1のうち表面層4及び第一中
間層3aの成分として、実施例3と同じLDPEを用
い、基材層1の第二中間層3bの成分として、直鎖状低
密度ポリエチレン(LLDPE;密度:0.94g/c
m3)60重量部と、エチレン・酢酸ビニル共重合体
(EVA;三井・デュポンポリケミカル(株)製エバフ
レックスTMP−1407)40重量部を用い、粘着層2
の成分として、実施例5と同じPB(4-MP)80重量
部と、CEBC 15重量部と、LEO 5重量部を用い
た。
様にして粘着テープを成形し、離型テープ(東セロ
(株)製、トーセロセパレータTMSP T-18、厚さ37
μm)を粘着層面に設けた後、スリットして巻き取っ
た。得られたウエハ加工用粘着テープの測定・評価結果
を表3、表4に示す。
ルフィルム(PVC)を用い、アクリル酸メチル70重
量部、アクリル酸ブチル30重量部、アクリル酸5重量
部をトルエン中で共重合させて得られた数平均分子量3
0万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、そのアク
リル系共重合体100重量部あたり70重量部のウレタ
ンオリゴマーと5重量部の多官能イソシアネート化合物
を加えてアクリル系粘着剤を調製し、それを前記ポリ塩
化ビニルフィルムの片面に塗工し130℃で3分間加熱
して厚さ15μmの粘着層を形成して粘着テープを得
た。この粘着テープの測定・評価結果を表3、表4に示
す。
ルフィルムを用い、ポリカーボネートジオール80重量
部とアジピン酸20重量部とジブチルチンオキサイド
0.5重量部をトルエン中で共重合させて得られた数平
均分子量58万のポリエステルを含有する溶液に、その
ポリエステル100重量部あたり5重量部の多官能イソ
シアネート化合物を加えて調製したポリエステル系粘着
剤を、前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工し13
0℃で3分間加熱して厚さ15μmの粘着層を形成して
粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価結果を
表3、表4に示す。
ルフィルムを用い、アクリル酸ブチル90重量部と、ア
クリロニトリル5重量部と、アクリル酸5重量部をトル
エン中で共重合させて得た数平均分子量50万のアクリ
ル系共重合体を含有する溶液に、そのアクリル系共重合
体100重量部あたり50重量部の多官能アクリル系モ
ノマーと、5重量部の多官能イソシアネート化合物と、
5重量部の光重合開始剤を加えてアクリル系粘着剤を調
製し、それを前記ポリ塩化ビニルフィルムの片面に塗工
し130℃で3分間加熱して厚さ15μmの粘着層を形
成した。次いで、それを80W/cm2の高圧水銀灯の
下で60秒間放置して紫外線照射処理して粘着テープを
得た。この粘着テープの測定・評価結果を表3、表4に
示す。
メチルメタクリレート共重合体(EMMA;メチルメタ
クリレート成分含量10重量%、融点100℃)を用
い、粘着層として、アクリル系共重合体(n-ブチルアク
リレートとアクリル酸との共重合体)100重量部と分
子量8000のウレタンアクリレート系オリゴマー12
0重量部と、硬化剤(ジイソシアネート系)10重量部
と、紫外線硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)5重量
部とを混合した粘着剤組成物を厚さ10μmとなるよう
に塗布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・
評価結果を表3、表4に示す。
・メチルメタクリレート共重合体(EMMA;メチルメ
タクリレート成分含量10重量%、融点100℃)を用
い、粘着層として、アクリル系共重合体(n-ブチルアク
リレートとアクリル酸との共重合体)100重量部と分
子量8000のウレタンアクリレート系オリゴマー70
重量部と、硬化剤(ジイソシアネート系)5重量部と、
紫外線硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)5重量部と
を混合した粘着剤組成物を厚さ10μmとなるように塗
布して粘着テープを得た。この粘着テープの測定・評価
結果を表3、表4に示す。
エハのダイシングによる切断加工時に、ウエハの欠けや
亀裂の大きさを30μm以下に小さくし、その発生率も
極小化させることができるので、加工時のチップ不良発
生を画期的に防止することができる。また、低プローブ
タック力でウエハを固定保持することができるため、光
や電子線硬化装置等の特別な装置を用いることなく切断
加工ができる。本発明の製造方法によれば、異なる材料
で構成される各層の厚み均一性と表面性が良好で、異物
の発生が無い多層構造の本発明の粘着テープを、簡単な
製造工程で生産性良く製造できる。本発明のウエハ加工
用粘着テープの使用方法によれば、粘着力を低下させる
特別な装置を使わずにチップを本発明の粘着テープから
剥離ができる。
を示す断面図である。
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
巻き取った状態を示す側面図である。
巻き取った状態を示す別の側面図である。
裂についてチップ上面の垂直方向から見た模式図であ
る。
裂についてチップ上面の垂直方向から見た別の模式図で
ある。
anδの測定結果を示す図である。
真である。
真である。
Claims (21)
- 【請求項1】 基材層の片面に粘着層を有する粘着テー
プであって、該テープの粘着層に貼着されたシリコンウ
エハを、ダイサーによりダイシング速度70mm/mi
nでフルカットしてチップに切断加工するとき、チップ
の欠けまたは亀裂の最大長さが30μm以下であること
を特徴とするウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項2】 前記チップの欠けまたは亀裂の最大長さ
が10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載
のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項3】 基材層の片面に粘着層を有する粘着テー
プであって、該粘着層の15〜35℃における貯蔵弾性
率G'が1MPa以上であることを特徴とするウエハ加
工用粘着テープ。 - 【請求項4】 前記粘着層の15〜35℃における、損
失弾性率G"の貯蔵弾性率G'に対する比であるtanδ
が、0.05以上であることを特徴とする請求項3に記
載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項5】 前記粘着層が、オレフィン系重合体を主
成分として含有することを特徴とする請求項1〜4のい
ずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項6】 前記粘着層が、炭素原子数2〜12のα
−オレフィンから選ばれる少なくとも2種のα−オレフ
ィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体の、
1種または2種以上の混合物を主成分として含有するこ
とを特徴とする請求項5に記載のウエハ加工用粘着テー
プ。 - 【請求項7】 前記粘着層が、前記α−オレフィン共重
合体と、熱可塑性エラストマーと、エチレンと他のα−
オレフィンとのコオリゴマーとからなり、α−オレフィ
ン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが
分散相を形成していることを特徴とする請求項6に記載
のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項8】 前記熱可塑性エラストマーが、一般式A
−B−AまたはA−B(Aは芳香族ビニル重合体ブロッ
クまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示
し、Bはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加
してなるオレフィン重合体ブロックを示す)で表される
ブロック共重合体であることを特徴とする請求項7に記
載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項9】 前記α−オレフィン共重合体の1種が、
プロピレン、1−ブテン及び炭素原子数が5〜12のα
−オレフィンを共重合してなるα−オレフィン共重合体
であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に
記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項10】 前記炭素原子数5〜12のα−オレフ
ィンが、4−メチル−1−ペンテンであることを特徴と
する請求項9に記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項11】 前記基材層が、1層または複数の層か
らなり、オレフィン系重合体を主成分として含有するこ
とを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の
ウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項12】 前記基材層が、表面層と中間層とから
なり、表面層、中間層、粘着層の順に3層積層されてな
ることを特徴とする請求項11に記載のウエハ加工用粘
着テープ。 - 【請求項13】 前記中間層が、オレフィン系重合体と
熱可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体
が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形
成していることを特徴とする請求項12に記載のウエハ
加工用粘着テープ。 - 【請求項14】 前記中間層が複数の層からなり、その
うちの少なくとも1層が、前記オレフィン系重合体と熱
可塑性エラストマーとからなり、オレフィン系重合体が
連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成
していることを特徴とする請求項12に記載のウエハ加
工用粘着テープ。 - 【請求項15】 前記熱可塑性エラストマーが、一般式
A−B−AまたはA−B(Aは芳香族ビニル重合体ブロ
ックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示
し、Bはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加
してなるオレフィン重合体ブロックを示す)で表される
ブロック共重合体であることを特徴とする請求項13ま
たは14に記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項16】 前記表面層が、オレフィン系重合体を
主成分として含有することを特徴とする請求項12〜1
5のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項17】 20〜80℃の温度範囲において、J
IS Z0237(参考)に準拠して測定されるプロー
ブタック力が、0.01〜1N/5mmφの範囲にある
ことを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載
のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項18】 共押出成形法によって成形されてなる
ものであることを特徴とする請求項1〜17のいずれか
一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。 - 【請求項19】 1層または複数の層からなる基材層
と、該基材層の片面に積層される粘着層とを有する粘着
テープの製造方法であって、基材層及び粘着層を構成す
る重合体のメルトフローレート(MFR、ASTM D1238に
準拠し温度230℃荷重2.16kgによる測定値)が5〜40
g/10分、かつ隣合う層でのMFR差が10g/10
分以下であり、溶融温度が200〜260℃で、かつ隣
合う層の溶融温度差が30℃以下になるようにして多層
ダイを用い共押出成形法により成形することを特徴とす
る請求項1〜18のいずれか一項に記載のウエハ加工用
粘着テープの製造方法。 - 【請求項20】 請求項1〜18のいずれか一項に記載
のウエハ加工用粘着テープとウエハとを20〜80℃で
圧着したのち、15〜35℃でウエハをチップに切断加
工し、次いで該粘着テープを40〜80℃で拡張し、そ
の後、室温でチップをピックアップして粘着テープから
剥離することを特徴とするウエハ加工用粘着テープの使
用方法。 - 【請求項21】 前記ウエハが、表面に回路パターンが
形成された半導体ウエハであり、前記切断加工がダイシ
ングであることを特徴とする請求項21に記載のウエハ
加工用粘着テープの使用方法。
Priority Applications (7)
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Cited By (74)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359212A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの切削方法 |
| JP2003007654A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| WO2003016419A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Nitto Denko Corporation | Dicing adhesive sheet and dicing method |
| JP2005244206A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウエハの保護方法および半導体ウエハ保護用粘着フィルム |
| WO2005090505A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | 粘着材、粘着フィルム及びその使用方法 |
| JP2005272724A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用粘着テープ |
| JP2005298703A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsui Chemicals Inc | 粘着性フィルム、筐体およびそれを用いた有機el発光素子 |
| JP2006257247A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Tohcello Co Ltd | 粘着フィルム |
| JP2006299226A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシングダイボンドシート |
| US7141300B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-11-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing |
| JP2007069380A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | 加熱剥離型粘着シート用セパレータ及びセパレータ付き加熱剥離型粘着シート |
| JP2007250789A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウエハの保護構造およびこれを用いた半導体ウエハの研削方法 |
| JP2008004679A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フイルム |
| JP2008004836A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウェハダイシング用保護シート及びそれを用いた半導体ウェハのダイシング方法 |
| US20080020575A1 (en) * | 2005-02-18 | 2008-01-24 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor wafer surface protecting sheet and semiconductor wafer protecting method using such protecting sheet |
| JP2008177260A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 接着フィルムが装着されたデバイスのピックアップ方法 |
| JP2009004568A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| JP2009028938A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toray Advanced Film Co Ltd | 表面保護フィルム |
| JP2009094417A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| JP2009105235A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Gunze Ltd | 多層ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| WO2009078440A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ウエハ貼着用粘着シートおよびウエハの加工方法 |
| JP2009170886A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ貼着用貼着シートおよびウエハの加工方法 |
| JP2009246302A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | ダイソートテープ |
| JP2009263510A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Mitsui Chemicals Inc | 表面保護フィルム |
| JP2010040568A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Achilles Corp | ウエハ研削テープ用基材フィルム |
| JP2010073816A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Lintec Corp | 表面保護用シート |
| JP2010143090A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 粘着積層体 |
| WO2011004825A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法 |
| WO2011004659A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011056876A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Mitsui Chemicals Inc | 印刷用フィルム |
| JP2011061097A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Mitsui Chemicals Inc | ダイシング用プロセステープ。 |
| WO2012124519A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ |
| JP2013163774A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
| JP2013165206A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| JP2013175629A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| JP2014034632A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物および接着フィルム並びに接着方法 |
| WO2014103468A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート |
| JPWO2013099778A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2015-05-07 | 三井・デュポンポリケミカル株式会社 | レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法 |
| JP2016162787A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム |
| CN107037530A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-08-11 | 成都市惠家胶粘制品有限公司 | 洁净度高的一种导光板专用保护膜 |
| WO2017150430A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | 東レフィルム加工株式会社 | 積層フィルム |
| JP2017183642A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
| KR101845857B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2018-05-18 | 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤 | 적층 필름 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름 |
| JP2018157037A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 三井化学東セロ株式会社 | 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| WO2018203537A1 (ja) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 積水化学工業株式会社 | 衝撃吸収シート及び両面粘着シート |
| WO2019039253A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フィルム |
| JP2019201024A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201017A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201023A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201021A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201016A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201022A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201020A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| CN110690173A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| JP2020009872A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009874A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009876A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020024992A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR20200016176A (ko) * | 2018-08-06 | 2020-02-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR20200028833A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2020043117A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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| JP2020050709A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日東電工株式会社 | 半導体保護用粘着テープ |
| CN111180390A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 株式会社迪思科 | 板状物加工方法 |
| KR20210007855A (ko) * | 2019-07-11 | 2021-01-20 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이 본드 필름 및 다이싱 다이 본드 필름 |
| JP2021093470A (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 日東電工株式会社 | 半導体背面密着フィルム |
| JPWO2022186158A1 (ja) * | 2021-03-04 | 2022-09-09 | ||
| JP2024035411A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024035418A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024035407A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (107)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4107417B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-06-25 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
| JP4234630B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-03-04 | 古河電気工業株式会社 | 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ |
| US20050031822A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Adhesive sheet |
| KR100885099B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2009-02-20 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 웨이퍼 가공용 테이프 및 그 제조방법 |
| US20050147489A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Tian-An Chen | Wafer supporting system for semiconductor wafers |
| JP4443962B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| US20050236616A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-10-27 | Horng-Huei Tseng | Reliable semiconductor structure and method for fabricating |
| JP4439990B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-03-24 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
| TWI255499B (en) * | 2004-05-06 | 2006-05-21 | Mitsui Chemicals Inc | Adhesive film and manufacturing method of semiconductor device using the same |
| KR20080023263A (ko) * | 2005-06-27 | 2008-03-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 레이저 가공용 표면 보호 시트 |
| JP4711777B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2011-06-29 | 日東電工株式会社 | 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法 |
| JP4851795B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-01-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割装置 |
| WO2008032367A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
| MY148064A (en) * | 2006-10-30 | 2013-02-28 | Sumitomo Bakelite Co | Liquid resin composition, semiconductor wafer having adhesive layer, semiconductor element having adhesive layer, semiconductor package , process for manufacturing semiconductor element and process for manufacturing semiconductor package. |
| TW200832532A (en) * | 2007-01-23 | 2008-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Method for cutting a wafer and method for manufacturing semiconductor package by using multiple tape |
| WO2008123116A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Soi substrate and method for manufacturing soi substrate |
| WO2008123117A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Soi substrate and method for manufacturing soi substrate |
| WO2008132894A1 (en) | 2007-04-13 | 2008-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing display device, and soi substrate |
| TWI490303B (zh) * | 2008-12-01 | 2015-07-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Wafer adhesive tape and wafer processing methods |
| JP5483713B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-05-07 | 日東電工株式会社 | 表面保護フィルム |
| SG182382A1 (en) * | 2010-06-02 | 2012-08-30 | Mitsui Chemicals Tohcello Inc | Sheet for protecting surface of semiconductor wafer, semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer protection method using sheet |
| KR101746270B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2017-06-12 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 웨이퍼와 당해 웨이퍼의 지지체를 접착하기 위한 접착제 조성물, 및 그 이용 |
| US8426227B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-04-23 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro light emitting diode array |
| US8573469B2 (en) | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
| US8349116B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
| US8518204B2 (en) * | 2011-11-18 | 2013-08-27 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer |
| US8646505B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
| US9773750B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Method of transferring and bonding an array of micro devices |
| JP5895676B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
| US9105492B2 (en) | 2012-05-08 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head |
| US9034754B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode |
| US8415771B1 (en) | 2012-05-25 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head with silicon electrode |
| US8415768B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode |
| US8569115B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-10-29 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes |
| US8415767B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-04-09 | LuxVue Technology Corporation | Compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes |
| US8383506B1 (en) | 2012-07-06 | 2013-02-26 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode |
| US8933433B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-01-13 | LuxVue Technology Corporation | Method and structure for receiving a micro device |
| US9059097B2 (en) | 2012-08-09 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices |
| JP6128970B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2017-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法 |
| US8791530B2 (en) | 2012-09-06 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads |
| US9162880B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Mass transfer tool |
| US8941215B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-01-27 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8835940B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-09-16 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US9558721B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays |
| US9029880B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
| US9159700B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-10-13 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix emissive micro LED display |
| US9178123B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
| US9236815B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-01-12 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head array with metal electrodes |
| US9255001B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-02-09 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head array with metal electrodes |
| US9105714B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards |
| US9166114B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity |
| US9314930B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array with integrated pivot mount |
| US9391042B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-07-12 | Apple Inc. | Micro device transfer system with pivot mount |
| US9153171B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-10-06 | LuxVue Technology Corporation | Smart pixel lighting and display microcontroller |
| US9095980B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-08-04 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array mount with integrated displacement sensor |
| US9308649B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-12 | LuxVue Techonology Corporation | Mass transfer tool manipulator assembly |
| CN104885202B (zh) * | 2013-03-04 | 2017-07-11 | 琳得科株式会社 | 切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片 |
| US9252375B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| US8791474B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| US9217541B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-12-22 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including shear release posts |
| US9484504B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| JP6051302B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2016-12-27 | 三井化学東セロ株式会社 | 半導体ウエハ保護用フィルム及び半導体装置の製造方法 |
| US9136161B2 (en) | 2013-06-04 | 2015-09-15 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array with compliant contact |
| EP3008553B1 (en) | 2013-06-12 | 2023-06-07 | Rohinni, Inc. | Keyboard backlighting with deposited light-generating sources |
| US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US8928021B1 (en) | 2013-06-18 | 2015-01-06 | LuxVue Technology Corporation | LED light pipe |
| US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
| US9035279B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-05-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro device with stabilization post |
| US9296111B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-03-29 | LuxVue Technology Corporation | Micro pick up array alignment encoder |
| US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
| US9153548B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
| CN105765699A (zh) * | 2013-11-22 | 2016-07-13 | 琳得科株式会社 | 切割片用基材膜及基材膜的制造方法 |
| CN105793961A (zh) * | 2013-11-22 | 2016-07-20 | 琳得科株式会社 | 切割片用基材薄膜、具备该基材薄膜的切割片以及该基材薄膜的制造方法 |
| US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
| US9768345B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
| US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
| US9583466B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Etch removal of current distribution layer for LED current confinement |
| US9542638B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-01-10 | Apple Inc. | RFID tag and micro chip integration design |
| US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
| CN106133879A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-11-16 | 琳得科株式会社 | 切割片用基材膜、具备该基材膜的切割片及该基材膜的制造方法 |
| JP6073263B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-02-01 | 日東電工株式会社 | ダイシングシート付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
| US9522468B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-12-20 | Apple Inc. | Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance |
| US9318475B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-04-19 | LuxVue Technology Corporation | Flexible display and method of formation with sacrificial release layer |
| US9741286B2 (en) | 2014-06-03 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Interactive display panel with emitting and sensing diodes |
| US9624100B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements |
| US9570002B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-02-14 | Apple Inc. | Interactive display panel with IR diodes |
| US9425151B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-08-23 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with spring support layer |
| EP3159914B1 (en) * | 2014-06-18 | 2019-07-24 | LINTEC Corporation | Dicing-sheet base film and dicing sheet |
| US9705432B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Micro pick up array pivot mount design for strain amplification |
| US9828244B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Compliant electrostatic transfer head with defined cavity |
| US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
| CN105493287B (zh) * | 2015-09-18 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示装置的制备方法 |
| US10629393B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-04-21 | Rohinni, LLC | Apparatus and method of backlighting through a cover on the apparatus |
| DE102017208405B4 (de) | 2017-05-18 | 2024-05-02 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie |
| JP6788549B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2020-11-25 | 信越化学工業株式会社 | 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法 |
| JP7125259B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2022-08-24 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
| JP6420511B1 (ja) * | 2017-12-18 | 2018-11-07 | 住友化学株式会社 | 枚葉フィルムの製造方法 |
| CN108297290B (zh) * | 2018-02-08 | 2020-09-25 | 张治国 | П型石墨电热器的加工方法 |
| JP2018100423A (ja) * | 2018-03-20 | 2018-06-28 | リンテック株式会社 | 粘着テープおよび半導体装置の製造方法 |
| CN110872474A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 翊圣企业股份有限公司 | 切割片胶膜用基膜及其制作方法 |
| KR20210141582A (ko) * | 2019-03-29 | 2021-11-23 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 전자 장치의 제조 방법 및 점착성 필름 |
| US12552975B2 (en) | 2020-03-06 | 2026-02-17 | Tredegar Surface Protection, Llc | Carrier film for semi-conductor wafer processing |
| US20230230870A1 (en) * | 2020-04-01 | 2023-07-20 | Denka Company Limited | Wafer processing sheet and wafer processing method |
| CN111500206A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-07 | 广东硕成科技有限公司 | 一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法 |
| CN114853325B (zh) * | 2022-06-06 | 2023-09-05 | 安徽光智科技有限公司 | 硫系玻璃的隔离粘接方法 |
| TWI894712B (zh) * | 2023-11-29 | 2025-08-21 | 岱稜科技股份有限公司 | 複合膜、裝飾膜及目標基材的裝飾方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242086A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持シート |
| JPH10298514A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsui Chem Inc | 表面保護フィルム |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166310A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-29 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | α−オレフイン系共重合体及びその用途 |
| JPH0679840B2 (ja) * | 1991-07-25 | 1994-10-12 | 日本特殊塗料株式会社 | 複層耐熱制振材 |
| JP3186143B2 (ja) * | 1991-11-11 | 2001-07-11 | 日東電工株式会社 | 耐熱性の良好な制振性感圧接着剤組成物とその製法 |
| US5744557A (en) * | 1993-06-16 | 1998-04-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Energy-curable cyanate/ethylenically unsaturated compositions |
| EP0661364B1 (en) * | 1993-12-28 | 2001-09-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Surface protective films |
| US5480842A (en) * | 1994-04-11 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards |
| TW383332B (en) * | 1995-02-14 | 2000-03-01 | Toyo Chemicals Co Ltd | Pressure-sensitive adhesive for attaching semiconductor wafer onto sheet |
| TW311927B (ja) * | 1995-07-11 | 1997-08-01 | Minnesota Mining & Mfg | |
| JP3755617B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2006-03-15 | 日立化成工業株式会社 | ダイシング用ウエハ保持フィルム |
| JP3873379B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-01-24 | 三井化学株式会社 | 表面保護フィルム |
| US6235387B1 (en) * | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| CN1137028C (zh) * | 1998-11-20 | 2004-02-04 | 琳得科株式会社 | 压敏粘合片及其使用方法 |
| JP3816253B2 (ja) * | 1999-01-19 | 2006-08-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4148590B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2008-09-10 | 電気化学工業株式会社 | 半導体ウエハ固定用シート |
| JP2000281991A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000356807A patent/JP4780828B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-21 WO PCT/JP2001/010165 patent/WO2002042389A1/ja not_active Ceased
- 2001-11-21 CN CNB018039669A patent/CN1333030C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-21 EP EP01997530A patent/EP1347025B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-21 US US10/181,726 patent/US20030054643A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-22 TW TW90128933A patent/TW574341B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-06 US US11/003,373 patent/US7358158B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242086A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持シート |
| JPH10298514A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsui Chem Inc | 表面保護フィルム |
Cited By (115)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359212A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの切削方法 |
| JP2003007654A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| JP3443110B2 (ja) | 2001-06-27 | 2003-09-02 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート |
| US7141300B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-11-28 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing |
| WO2003016419A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Nitto Denko Corporation | Dicing adhesive sheet and dicing method |
| US7183007B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-02-27 | Nitto Denko Corporation | Dicing adhesive sheet and dicing method |
| JP2005244206A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウエハの保護方法および半導体ウエハ保護用粘着フィルム |
| WO2005090505A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | 粘着材、粘着フィルム及びその使用方法 |
| KR100837013B1 (ko) * | 2004-03-19 | 2008-06-10 | 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 | 점착재, 점착 필름 및 그 사용 방법 |
| JP2005272724A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体用粘着テープ |
| JP2005298703A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsui Chemicals Inc | 粘着性フィルム、筐体およびそれを用いた有機el発光素子 |
| US20080020575A1 (en) * | 2005-02-18 | 2008-01-24 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor wafer surface protecting sheet and semiconductor wafer protecting method using such protecting sheet |
| JP2006257247A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Tohcello Co Ltd | 粘着フィルム |
| JP2006299226A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシングダイボンドシート |
| JP2007069380A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corp | 加熱剥離型粘着シート用セパレータ及びセパレータ付き加熱剥離型粘着シート |
| JP2007250789A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウエハの保護構造およびこれを用いた半導体ウエハの研削方法 |
| JP2008004679A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フイルム |
| JP2008004836A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体ウェハダイシング用保護シート及びそれを用いた半導体ウェハのダイシング方法 |
| JP2008177260A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 接着フィルムが装着されたデバイスのピックアップ方法 |
| JP2009004568A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| JP2009028938A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Toray Advanced Film Co Ltd | 表面保護フィルム |
| JP2009094417A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Gunze Ltd | ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| JP2009105235A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Gunze Ltd | 多層ダイシング用基体フィルム及びダイシングフィルム |
| WO2009078440A1 (ja) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ウエハ貼着用粘着シートおよびウエハの加工方法 |
| JP2009170886A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ貼着用貼着シートおよびウエハの加工方法 |
| JP2009246302A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | ダイソートテープ |
| JP2009263510A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Mitsui Chemicals Inc | 表面保護フィルム |
| JP2010040568A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Achilles Corp | ウエハ研削テープ用基材フィルム |
| JP2010073816A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Lintec Corp | 表面保護用シート |
| JP2010143090A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 粘着積層体 |
| WO2011004825A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法 |
| KR101336430B1 (ko) | 2009-07-08 | 2013-12-04 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법 |
| CN102473617A (zh) * | 2009-07-08 | 2012-05-23 | 古河电气工业株式会社 | 晶片粘贴用粘合片及使用该粘合片的晶片的加工方法 |
| JPWO2011004825A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2012-12-20 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法 |
| CN102473617B (zh) * | 2009-07-08 | 2015-04-29 | 古河电气工业株式会社 | 晶片粘贴用粘合片及使用该粘合片的晶片的加工方法 |
| WO2011004659A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011056876A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Mitsui Chemicals Inc | 印刷用フィルム |
| JP2011061097A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Mitsui Chemicals Inc | ダイシング用プロセステープ。 |
| KR101845857B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2018-05-18 | 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤 | 적층 필름 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름 |
| WO2012124519A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ |
| JP2012193295A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-11 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
| JPWO2013099778A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2015-05-07 | 三井・デュポンポリケミカル株式会社 | レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法 |
| JP2013163774A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
| JP2013165206A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| JP2013175629A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シート |
| JP2014034632A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物および接着フィルム並びに接着方法 |
| JPWO2014103468A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-01-12 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート |
| WO2014103468A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | リンテック株式会社 | ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート |
| JP2016162787A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム |
| US10513098B2 (en) | 2016-03-03 | 2019-12-24 | Toray Advanced Film Co., Ltd. | Laminated film |
| JP6206749B1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-10-04 | 東レフィルム加工株式会社 | 積層フィルム |
| WO2017150430A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | 東レフィルム加工株式会社 | 積層フィルム |
| JP2017183642A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
| JP2018157037A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 三井化学東セロ株式会社 | 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法 |
| WO2018203537A1 (ja) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | 積水化学工業株式会社 | 衝撃吸収シート及び両面粘着シート |
| CN107037530A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-08-11 | 成都市惠家胶粘制品有限公司 | 洁净度高的一种导光板专用保护膜 |
| WO2019039253A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フィルム |
| JP7664991B2 (ja) | 2017-08-25 | 2025-04-18 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フィルム |
| KR102720462B1 (ko) * | 2017-08-25 | 2024-10-21 | 군제 가부시키가이샤 | 다이싱용 기체 필름 |
| JP2024008947A (ja) * | 2017-08-25 | 2024-01-19 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フィルム |
| KR20230157537A (ko) * | 2017-08-25 | 2023-11-16 | 군제 가부시키가이샤 | 다이싱용 기체 필름 |
| JPWO2019039253A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2020-08-06 | グンゼ株式会社 | ダイシング用基体フィルム |
| JP2019201024A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201023A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7139038B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201022A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7281873B2 (ja) | 2018-05-14 | 2023-05-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7365760B2 (ja) | 2018-05-14 | 2023-10-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7139039B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201016A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201021A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201020A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2019201017A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009874A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR102702194B1 (ko) | 2018-07-06 | 2024-09-02 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| CN110690173B (zh) * | 2018-07-06 | 2024-02-02 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| JP2020009876A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009870A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020009872A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7139047B2 (ja) | 2018-07-06 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR20200005470A (ko) * | 2018-07-06 | 2020-01-15 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| CN110690173A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| KR102724205B1 (ko) | 2018-08-06 | 2024-10-30 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR20200016176A (ko) * | 2018-08-06 | 2020-02-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2020024992A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020043115A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020043112A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| KR20200028833A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR102737262B1 (ko) | 2018-09-06 | 2024-12-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| JP2020043117A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020043114A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020043113A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2020043116A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7152233B2 (ja) | 2018-09-25 | 2022-10-12 | 日東電工株式会社 | 半導体保護用粘着テープ |
| JP2020050709A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 日東電工株式会社 | 半導体保護用粘着テープ |
| KR20200035216A (ko) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 보호용 점착 테이프 |
| TWI809186B (zh) * | 2018-09-25 | 2023-07-21 | 日商日東電工股份有限公司 | 半導體保護用黏著帶 |
| KR102743022B1 (ko) * | 2018-09-25 | 2024-12-13 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 보호용 점착 테이프 |
| CN111180390B (zh) * | 2018-11-09 | 2023-08-15 | 株式会社迪思科 | 板状物加工方法 |
| JP2020077812A (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-21 | 株式会社ディスコ | 板状物加工方法 |
| CN111180390A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 株式会社迪思科 | 板状物加工方法 |
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| JP2024035407A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024035418A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
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