JP2002179727A - スルホン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多種のインダノン誘導体の簡便な製造に有用
なスルホン誘導体。 【解決手段】 式（Ａ）： 【化１】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ はそれぞれ酸素官能基を有しているアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基もし
くはアラルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、
硫黄原子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの
原子を含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ
¹⁰¹ は置換基を有していてもよい重合体残基を表し、Ｒ
¹⁰² 及びＲ¹⁰³ は、アルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は
置換基を有していてもよい）を表す）で示されるスルホ
ン誘導体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な重合体残基
を有するスルホニルクロリド及びそれとアルコールとの
反応による重合体残基を有するスルホン誘導体及びその
製造方法に関する。特に、本発明は新規な重合体残基を
有するインダノン誘導体の製造方法に関する。なお、本
発明に係わる新規な重合体残基を有するスルホニルクロ
リド、重合体残基を有するスルホン誘導体並びにそれら
の製造方法は、さまざまな生理活性物質の種々誘導体お
よび合成方法、特にビタミンＤの種々誘導体および合成
方法に関して有用である。

【０００２】

【従来の技術】重合体残基を有するスルホニルクロリド
は、アルコールとの反応により重合体残基を有するスル
ホン誘導体を生成する。このスルホン誘導体に対し様々
な求核試薬を作用させると、重合体残基からの切り出し
と同時に種々生理活性物質を合成できる。そのため、重
合体残基を有するスルホニルクロリドはコンビナトリア
ル合成において有用な中間体を供与する。

【０００３】従来の重合体残基を有するスルホニルクロ
リドの製造方法の開発は、メリフィールドレジンに対し
てスルホン酸エステルを有するアルキルリチウムによる
アルキル化、加水分解、クロロ化による３段階を経て重
合体残基を有するスルホニルクロリドを合成する方法
［ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティ（Journal of the American Chemical Societ
y）、１１８巻、９９９８頁（１９９６年）］、メリフ
ィールドレジンに対して４−ヒドロキシベンゼンスルホ
ン酸ナトリウム塩によるＯ−アルキル化、クロロ化によ
る２段階を経て重合体残基を有するスルホニルクロリド
を合成する方法［ジャーナル・オブ・オーガニック・ケ
ミストリー（Journal of Organic Chemistry）、６２
巻、９３２６頁（１９９７年）］、またアルゴノートテ
クノロジーズ社が市販しているポリスチレンレジン中の
ベンゼン環に直接結合した重合体残基を有するスルホニ
ルクロリド（ポリスチレンスルホニルクロリド）などが
挙げられる。

【０００４】従来の重合体残基を有するインダノン誘導
体の製造方法は、重合体残基を有するジエチルヒドロシ
ランに対し、インダノン骨格を有するスルホン誘導体に
スペーサー部位を介して結合した水酸基により導入する
方法である（特願２０００−７６４０５号）。この重合
体残基を有するインダノン誘導体は、種々のビタミンＤ
誘導体を効率よく合成するために非常に重要な中間体で
ある（特願２０００−７６４０５号）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】重合体残基を有するス
ルホニルクロリドに対して生理活性誘導体の構成成分の
担持、重合体残基上の基質の修飾、種々の求核試薬の求
核置換反応による重合体残基からの切り出しを行い生理
活性誘導体を合成する手法は、重合体残基上での反応後
の分離精製が基質を担持した重合体残基の洗浄のみであ
るため、多種生理活性誘導体の合成を簡便にする。しか
しながら、従来の重合体残基を有するスルホニルクロリ
ドの合成はしばしば２段階以上を必要とするため、その
合成に時間を要するだけでなく合成品に不確定要素をよ
り多く与える。また従来の重合体残基を有するスルホニ
ルクロリドは、クロロスルホニル基と重合体残基との間
に穏和な酸性条件下で切断可能な反応部位が存在せず、
重合体残基上の基質の切り出しはスルホン誘導体とそれ
と反応可能な求核試薬とによる求核置換反応のみであ
る。加えて、従来品はしばしばクロロスルホニル基と重
合体残基の距離が近いことにより、立体的に非常に嵩高
い基質との反応は困難である。

【０００６】従って、本発明の目的は、ある官能基を有
する重合体残基からわずか１段階で短時間に重合体残基
を有するスルホニルクロリドを合成する方法を提供する
ことにある。また、クロロスルホニル基と重合体残基と
の距離を十分有し、なおかつスルホン誘導体との求核置
換反応のほかに穏和な酸性条件下で切断可能な官能基を
有した重合体残基を有するスルホニルクロリドを提供す
ることにある。

【０００７】特に、本発明の目的は、重合体残基を有す
るスルホニルクロリドにインダノン誘導体を反応させる
ことによって、重合体残基を有する種々のインダノン誘
導体をより簡便に製造する方法を提供することにある。
従来の重合体残基を有するインダノン誘導体の製造方法
において、重合体残基に担持前の基質は共通なスルホン
誘導体を含むスペーサーを有しているため、その重合体
残基に担持前の基質の合成に多段階を要する。共通部分
であるスルホン誘導体を発生するスルホニルクロリドを
有した重合体残基を発明することにより、重合体残基に
担持前の基質の合成を簡便にし、その結果、重合体残基
を有する種々インダノン誘導体の製造方法の簡便化、さ
らには目的化合物である種々ビタミンＤ誘導体の製造方
法の簡便化をもたらす。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に従えば、式
（Ａ）：

【０００９】

【化２７】

【００１０】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は
置換基を有していてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² 及
びＲ¹⁰³ は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は置換基を有していてもよい）を表す）で示
されるスルホン誘導体が提供される。

【００１１】本発明に従えば、また、式（Ｂ）：

【００１２】

【化２８】

【００１３】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は
置換基を有していてもよいポリスチレン鎖を示し、ｎは
０〜２の整数である）で示されるスルホン誘導体が提供
される。

【００１４】本発明に従えば、更に、式（Ｃ）：

【００１５】

【化２９】

【００１６】（式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応
性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合体の残
基を示し、ｍは２〜２０の整数である）で示されるスル
ホン誘導体が提供される。

【００１７】本発明に従えば、更に、式（Ｄ）：

【００１８】

【化３０】

【００１９】［式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は
置換基を有していてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² 及
びＲ¹⁰³ は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は置換基を有していてもよい）を表し、Ｒ
¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基もしくはアラルキル基（以上の基は、酸素原子、
窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有してもよく、ま
たそれらの原子を含んでもよい置換基を有してもよい）
を表す）で示されるスルホン誘導体が提供される。

【００２０】本発明に従えば、更にまた、式（Ｅ）：

【００２１】

【化３１】

【００２２】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は
置換基を有していてもよいポリスチレン鎖を示し、Ｒ
¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基もしくはアラルキル基（以上の基は、酸素原子、
窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有してもよく、ま
たそれらの原子を含んでもよい置換基を有してもよい）
を表し、ｎは０〜２の整数である）で示されるスルホン
誘導体が提供される。

【００２３】本発明に従えば、更にまた、式（Ｆ）：

【００２４】

【化３２】

【００２５】（式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応
性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合体残基
を示し、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は、
酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有して
もよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を有し
てもよい）を表し、ｍは２〜２０の整数である）で示さ
れるスルホン誘導体が提供される。

【００２６】本発明に従えば、更にまた、水酸基と結合
可能な反応性を有する官能基を有しかつ置換基を有して
いてもよい重合体と、式（Ｇ）：

【００２７】

【化３３】

【００２８】（式中、Ｒ¹⁰⁰'は水酸基を有しているアル
キル基、水酸基を有しているアルケニル基、水酸基を有
しているアルキニル基、水酸基を有しているアリール基
もしくは水酸基を有しているアラルキル基（以上の基
は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有
してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を
有してもよい）を表す）の化合物とを、酸又は塩基の存
在下に、反応させて式（Ｈ）：

【００２９】

【化３４】

【００３０】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は前記定義の通りであり、
Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応性の官能基を有しかつ
置換基を有してもよい重合体残基を示す）で表わされる
スルホン誘導体を製造する方法が提供される。

【００３１】本発明に従えば、更にまた、式（Ｉ）：

【００３２】

【化３５】

【００３３】［式中、Ｒ¹⁰¹ は置換基を有していてもよ
い重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² 及びＲ^{10 3} は、それぞれ独
立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基もしくはアラルキル基（以上の基は置換基を有し
ていてもよい）を表し、Ｙは水酸基と反応性の基であっ
て、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホニル基、
アルケニルスルホニル基、アルキニルスルホニル基、ア
リールスルホニル基もしくはアラルキルスルホニル基を
表す］で示される、重合体と前記式（Ｇ）の化合物と
を、塩基の存在下に、反応させて、式（Ａ）：

【００３４】

【化３６】

【００３５】（式中、Ｒ¹⁰⁰ 並びにＲ¹⁰¹ 及びＲ¹⁰² 及
びＲ¹⁰³ は前記定義の通りである）のスルホン誘導体を
製造する方法が提供される。

【００３６】本発明に従えば、更にまた、ビニルオキシ
部位を有しかつ置換基を有していてもよい重合体と前記
式（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に、反応させてクロ
ロスルホニル基を有するスルホン誘導体を製造する方法
が提供される。

【００３７】本発明に従えば、更にまた、式（Ｊ）：

【００３８】

【化３７】

【００３９】（式中、Ｒ¹⁰⁴ は置換基を有していてもよ
いポリスチレン鎖を示し、ｎは０〜２の整数である）の
重合体と前記式（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に、反
応させて式（Ｂ）：

【００４０】

【化３８】

【００４１】（式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁴ 及びｎは前記定義
の通りである）のスルホン誘導体を製造する方法が提供
される。

【００４２】本発明に従えば、更にまた、水酸基と結合
可能な反応性を有する官能基を有し、かつ置換基を有し
ていてもよい重合体と、式（Ｋ）：

【００４３】

【化３９】

【００４４】（式中、ｍは２〜２０の整数である）の化
合物とを、酸又は塩基の存在下に、反応させて式
（Ｃ）：

【００４５】

【化４０】

【００４６】（式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応
性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合体の残
基を示し、ｍは２〜２０の整数である）で表わされるス
ルホン誘導体を製造する方法が提供される。

【００４７】本発明に従えば、更にまた、式（Ｌ）：

【００４８】

【化４１】

【００４９】（式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲ
ン原子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよ
い置換基を有してもよい）を表す）で表わされる化合物
と、式（Ａ）：

【００５０】

【化４２】

【００５１】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は
置換基を有していてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² ，
及びＲ¹⁰³ は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は置換基を有していてもよい）を表す）で示
される重合体とを、塩基の存在下に、反応させて式
（Ｄ）：

【００５２】

【化４３】

【００５３】（式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲ
ン原子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよ
い置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰¹ ，Ｒ
¹⁰² 及びＲ¹⁰³ は前記定義の通りである）で示されるス
ルホン誘導体を製造する方法が提供される。

【００５４】本発明に従えば、更にまた、式（Ｌ）：

【００５５】

【化４４】

【００５６】（式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲ
ン原子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよ
い置換基を有してもよい）を表す）で表わされる化合物
と、式（Ｂ）：

【００５７】

【化４５】

【００５８】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は
置換基を有していてもよいポリスチレン鎖を示し、ｎは
０〜２の整数である）の化合物とを、塩基の存在下に、
反応させて式（Ｅ）：

【００５９】

【化４６】

【００６０】（式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁴ ，Ｒ¹⁰⁶ 及びｎは
前記定義の通りである）で示されるスルホン誘導体を製
造する方法が提供される。

【００６１】本発明に従えば、更にまた、式（Ｌ）：

【００６２】

【化４７】

【００６３】（式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基もしくはアラルキル基
（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲ
ン原子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよ
い置換基を有してもよい）を表す）で表わされる化合物
と、式（Ｃ）：

【００６４】

【化４８】

【００６５】（式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応
性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合体の残
基を示し、ｍは２〜２０の整数である）で表わされる化
合物とを、塩基の存在下に、反応させて式（Ｆ）：

【００６６】

【化４９】

【００６７】（式中、Ｒ¹⁰⁵ ，Ｒ¹⁰⁶ 及びｍは前記定義
の通りである）で表わされるスルホン誘導体を製造する
方法が提供される。

【００６８】本発明に従えば、更にまた、式（Ｎ）：

【００６９】

【化５０】

【００７０】（式中、Ｒ¹⁰⁷ ，Ｒ¹⁰⁸ 及びＲ¹⁰⁹ は、そ
れぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキ
シ基もしくはアラルキルオキシ基（以上の基は置換基を
有していてもよい）、または水素原子もしくは水酸基を
表すか、またはＲ¹⁰⁸ とＲ¹⁰⁹ の２つの基によって置換
基を有していてもよいアセタール体を形成してもよく、
これらが一緒になって置換基を有していてもよいイリデ
ン基を形成してもよく、Ｘ及びＺは、それぞれ独立に、
水素原子、水酸基または水酸基から導びかれるエーテル
基、エステル基もしくはシリルオキシ基を表すか、又は
Ｘ及びＺが一緒になって酸素原子、ケタール基または保
護されていてもよいシアンヒドリン基を表す）で示され
るテトラヒドロインダン誘導体と、式（Ｈ）：

【００７１】

【化５１】

【００７２】（式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有している
アルキル基、酸素官能基を有しているアルケニル基、酸
素官能基を有しているアルキニル基、酸素官能基を有し
ているアリール基もしくは酸素官能基を有しているアラ
ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁵ は
水酸基と結合可能な反応性の官能基を有しかつ置換基を
有してもよい重合体の残基を示す）で表わされる化合物
とを、塩基の存在下に、反応させて式（Ｐ）：

【００７３】

【化５２】

【００７４】（式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁵ ，Ｒ¹⁰⁷ ，Ｒ
¹⁰⁸ ，Ｒ¹⁰⁹ ，Ｘ及びＺは前記定義の通りである）で表
わされるスルホン誘導体を製造する方法が提供される。

【００７５】

【発明の実施の形態】なお、上記「酸素官能基」として
は、反応性の基と水酸基との反応残基で、具体的には酸
素をあげることができる。

【００７６】上記一般式中の置換基が表すアルキル基と
しては、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基で、直
鎖状、分枝鎖状のいずれでもよく、たとえば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、１−メチルプロピル基、１−エチルエチル
基、２−メチルプロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチ
ルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジ
メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１−
エチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチ
ル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、
４−メチルペンチル基、１−エチルブチル基、２−エチ
ルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメ
チルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジ
メチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−
ジメチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル
基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−
１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピ
ル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メ
チルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘ
キシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペ
ンチル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメ
チルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，２
−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、
２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチ
ル基、３，４−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチル
ペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチ
ル基、３−エチルペンチル基、１，１，２−トリメチル
ブチル基、１，１，３−トリメチルブチル基、１，２，
２−トリメチルブチル基、１，２，３−トリメチルブチ
ル基、１，３，３−トリメチルブチル基、２，２，３−
トリメチルブチル基、２，３，３−トリメチルブチル
基、１−エチル−１−メチルブチル基、１−エチル−２
−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルブチル基、
２−エチル−２−メチルブチル基、２−エチル−３−メ
チルブチル基、１−ｎ−プロピルブチル基、１−（１−
メチルエチル）ブチル基、１，１，２，２−テトラメチ
ルプロピル基、１−エチル−１，２−ジメチルプロピル
基、１−エチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−
（１−メチルエチル）−１−メチルプロピル基、１−
（１−メチルエチル）−２−メチルプロピル基、ｎ−オ
クチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル
基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５
−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、１，１−
ジメチルヘキシル基、１，２−ジメチルヘキシル基、
１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシ
ル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチル
ヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジ
メチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，
３−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル
基、３，５−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘ
キシル基、４，５−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメ
チルヘキシル基、１，１，２−トリメチルペンチル基、
１，１，３−トリメチルペンチル基、１，１，４−トリ
メチルペンチル基、１，２，２−トリメチルペンチル
基、１，２，３−トリメチルペンチル基、１，２，４−
トリメチルペンチル基、２，２，３−トリメチルペンチ
ル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，３，４
−トリメチルペンチル基、１−エチル−１−メチルペン
チル基、１−エチル−２−メチルペンチル基、１−エチ
ル−３−メチルペンチル基、１−エチル−４−メチルペ
ンチル基、１−メチル−２−エチルペンチル基、１−メ
チル−３−エチルペンチル基、１−（ｎ−プロピル）ペ
ンチル基、２−（ｎ−プロピル）ペンチル基、１−（１
−メチルエチル）ペンチル基、２−（１−メチルエチ
ル）ペンチル基、３−（１−メチルエチル）ペンチル
基、１，１，２，２−テトラメチルブチル基、１，１，
２，３−テトラメチルブチル基、１，１，３，３−テト
ラメチルブチル基、１，２，２，３−テトラメチルブチ
ル基、１，２，３，３−テトラメチルブチル基、２，
２，３，３−テトラメチルブチル基、１−エチル−１，
２−ジメチルブチル基、１−エチル−１，３−ジメチル
ブチル基、１−エチル−２，３−ジメチルブチル基、１
−エチル−３，３−ジメチルブチル基、１−メチル−１
−（ｎ−プロピル）ブチル基、２−メチル−１−（ｎ−
プロピル）ブチル基、３−メチル−１−（ｎ−プロピ
ル）ブチル基、１−メチル−１−（１−メチルエチル）
ブチル基、２−メチル−１−（１−メチルエチル）ブチ
ル基、３−メチル−１−（１−メチルエチル）ブチル
基、１−（１，１−ジメチルエチル）ブチル基、２−
（１，１−ジメチルエチル）ブチル基、１，２−ジメチ
ル−１−（１−メチルエチル）プロピル基、２，２−ジ
メチル−１−（１−メチルエチル）プロピル基、１−エ
チル−１，２，２−トリメチルプロピル基などが挙げら
れる。

【００７７】上記アルキル基が有していてもよい置換基
としては、反応を妨げない限りどのような置換基であっ
てもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水酸
基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニ
ルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、
アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ
基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、こ
れらの基によって、アセタール体、チオアセタール体を
形成してもよい。また上記アルキル基には、置換基を有
していてもよい重合体残基で置換されていてもよいもの
が含まれる。

【００７８】上記一般式中の置換基が表すアルケニル基
としては、好ましくは炭素数２〜２０のアルケニル基
で、直鎖状、分枝鎖状のいずれでもよく、たとえばビニ
ル基、１−プロペン基、２−プロペン基、１−メチル−
１−ビニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−
ブテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、２−メチ
ル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル
基、２−メチル−２−プロペニル基、１−メチリデン−
１−プロパン基、１−ペンテニル基、１−ペンテニル
基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−メチル
−１−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１−
メチル−３−ブテニル基、１−メチリデンブチル基、２
−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル
基、２−メチル−３−ブテニル基、２−メチリデンブチ
ル基、３−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−２−
ブテニル基、３−メチル−３−ブテニル基、１−エチル
−１−プロペニル基、１−エチル−２−プロペニル基、
１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル
基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−メチル
−１−ペンテニル基、１−メチル−２−ペンテニル基、
１−メチル−３−ペンテニル基、１−メチル−４−ペン
テニル基、１−メチリデンペンチル基、２−メチル−１
−ペンテニル基、２−メチル−２−ペンテニル基、２−
メチル−３−ペンテニル基、２−メチル−４−ペンテニ
ル基、２−メチリデンペンチル基、３−メチル−１−ペ
ンテニル基、３−メチル−２−ペンテニル基、３−メチ
ル−３−ペンテニル基、３−メチル−４−ペンテニル
基、３−メチリデンペンチル基、４−メチル−１−ペン
テニル基、４−メチル−２−ペンテニル基、４−メチル
−３−ペンテニル基、４−メチル−４−ペンテニル基、
１−エチル−１−ブテニル基、１−エチル−２−ブテニ
ル基、１−エチル−３−ブテニル基、２−エチル−１−
ブテニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−エチル
−３−ブテニル基、１−（１−メチルエチル）−１−プ
ロペニル基、１−（１−メチルエチル）−２−プロペニ
ル基、１−エチル−２−メチル−１−プロペニル基、１
−エチル−２−メチル−２−プロペニル基、１−ヘプテ
ニル基、２−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、４−ヘ
プテニル基、５−ヘプテニル基、７−ヘプテニル基、１
−メチル−１−ヘキセニル基、１−メチル−２−ヘキセ
ニル基、１−メチル−３−ヘキセニル基、１−メチル−
４−ヘキセニル基、１−メチル−５−ヘキセニル基、１
−メチリデンヘキシル基、２−メチル−１−ヘキセニル
基、２−メチル−２−ヘキセニル基、２−メチル−３−
ヘキセニル基、２−メチル−４−ヘキセニル基、２−メ
チル−５−ヘキセニル基、２−メチリデンヘキシル基、
３−メチル−１−ヘキセニル基、３−メチル−２−ヘキ
セニル基、３−メチル−３−ヘキセニル基、３−メチル
−４−ヘキセニル基、３−メチル−５−ヘキセニル基、
３−メチリデンヘキシル基、４−メチル−１−ヘキセニ
ル基、４−メチル−２−ヘキセニル基、４−メチル−３
−ヘキセニル基、４−メチル−４−ヘキセニル基、４−
メチル−５−ヘキセニル基、４−メチリデンヘキシル
基、５−メチル−１−ヘキセニル基、５−メチル−２−
ヘキセニル基、５−メチル−３−ヘキセニル基、５−メ
チル−４−ヘキセニル基、５−メチル−５−ヘキセニル
基、１−エチル−１−ペンテニル基、１−エチル−２−
ペンテニル基、１−エチル−３−ペンテニル基、１−エ
チル−４−ペンテニル基、２−エチル−１−ペンテニル
基、２−エチル−２−ペンテニル基、２−エチル−３−
ペンテニル基、２−エチル−４−ペンテニル基、３−エ
チル−１−ペンテニル基、３−エチル−２−ペンテニル
基、３−エチル−３−ペンテニル基、３−エチル−４−
ペンテニル基、１，１−ジメチル−２−ペンテニル基、
１，１−ジメチル−３−ペンテニル基、１，１−ジメチ
ル−４−ペンテニル基、２，２−ジメチル−３−ペンテ
ニル基、２，２−ジメチル−４−ペンテニル基、３，３
−ジメチル−１−ペンテニル基、３，３−ジメチル−４
−ペンテニル基、４，４−ジメチル−１−ペンテニル
基、４，４−ジメチル−２−ペンテニル基、１，２−ジ
メチル−１−ペンテニル基、１，２−ジメチル−２−ペ
ンテニル基、１，２−ジメチル−３−ペンテニル基、
１，２−ジメチル−４−ペンテニル基、１−メチリデン
−２−メチルペンチル基、２−メチリデン−１−メチル
ペンチル基、１，３−ジメチル−１−ペンテニル基、
１，３−ジメチル−２−ペンテニル基、１，３−ジメチ
ル−３−ペンテニル基、１，３−ジメチル−４−ペンテ
ニル基、１−メチリデン−３−メチルペンチル基、３−
メチリデン−１−メチルペンチル基、１，４−ジメチル
−１−ペンテニル基、１，４−ジメチル−２−ペンテニ
ル基、１，４−ジメチル−３−ペンテニル基、１，４−
ジメチル−４−ペンテニル基、１−メチリデン−４−メ
チルペンチル基、１，１，２−トリメチル−２−ブテニ
ル基、１，１，２−トリメチル−３−ブテニル基、１，
１−ジメチル−２−メチリデンブチル基、１，１，３−
トリメチル−２−ブテニル基、１，１，３−トリメチル
−３−ブテニル基、１，２，２−トリメチル−３−ブテ
ニル基、２，２−ジメチル−１−メチリデンブチル基、
１，２，３−トリメチル−１−ブテニル基、１，２，３
−トリメチル−２−ブテニル基、１，２，３−トリメチ
ル−３−ブテニル基、２，３−ジメチル−１−メチリデ
ンブチル基、１，３−ジメチル−２−メチリデンブチル
基、２，２，３−トリメチル−３−ブテニル基、２，
３，３−トリメチル−１−ブテニル基、３，３−ジメチ
ル−２−メチリデンブチル基、１−エチル−１−メチル
−２−ブテニル基、１−エチル−１−メチル−３−ブテ
ニル基、１−エチニル−１−メチルブチル基、１−エチ
ル−２−メチル−１−ブテニル基、１−エチル−２−メ
チル−２−ブテニル基、１−エチル−２−メチル−３−
ブテニル基、１−エチニル−２−メチルブチル基、１−
エチリデン−２−メチルブチル基、１−エチル−３−メ
チル−１−ブテニル基、１−エチル−３−メチル−２−
ブテニル基、１−エチル−３−メチル−３−ブテニル
基、１−エチニル−３−メチルブチル基、１−エチリデ
ン−３−メチルブチル基、１−エチル−３−メチル−１
−ブテニル基、１−エチル−３−メチル−２−ブテニル
基、１−エチル−３−メチル−３−ブテニル基、１−エ
チニル−３−メチルブチル基、１−エチリデン−３−メ
チルブチル基、１−メチル−２−エチル−１−ブテニル
基、１−メチル−２−エチル−２−ブテニル基、１−メ
チル−２−エチル−３−ブテニル基、２−メチル−２−
エチル−３−ブテニル基、１−（１−メチルエチル）−
１−ブテニル基、１−（１−メチルエチル）−２−ブテ
ニル基、１−（１−メチルエチル）−３−ブテニル基、
１−（１−メチルエチリデン）ブチル基、１−（１−メ
チレンエチル）ブチル基、２−（１−メチルエチル）−
１−ブテニル基、２−（１−メチルエチル）−２−ブテ
ニル基、２−（１−メチルエチル）−３−ブテニル基、
２−（１−メチルエチリデン）ブチル基、２−（１−メ
チレンエチル）ブチル基などが挙げられる。

【００７９】上記アルケニル基が有していてもよい置換
基としては、反応を妨げない限りどのような置換基であ
ってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水
酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチ
オ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、
これらの基によって、アセタール体、チオアセタール体
を形成してもよい。また上記アルケニル基には、置換基
を有していてもよい重合体残基で置換されていてもよい
ものが含まれる。

【００８０】上記一般式中の置換基が表すアルキニル基
としては、好ましくは炭素数２〜２０のアルキニル基
で、直鎖状、分枝鎖状のいずれでもよく、たとえばアセ
チレン基、１−プロピン基、２−プロピン基、１−ブチ
ン基、２−ブチン基、３−ブチン基、１−ペンチン基、
２−ペンチン基、３−ペンチン基、４−ペンチン基、３
−メチル−１−プロピン基、２−エテニルプロパン基、
１−ヘキチン基、２−ヘキチン基、３−ヘキチン基、４
−ヘキチン基、５−ヘキチン基、３−メチル−１−ペン
チン基、４−メチル−１−ペンチン基、３，３−ジメチ
ル−１−ブチン基、４−メチル−２−ペンチン基、２−
メチル−３−ペンチン基、１，１−ジメチル−３−ブチ
ン基、１，１−ジメチル−４−ブチン基、１，２−ジメ
チル−４−ブチン基、２，２−ジメチル−４−ブチン
基、２−エチル−３−ブチン基、３−エチル−３−ブチ
ン基、２，２−ジメチル−４−ブチン基などが挙げられ
る。

【００８１】上記アルキニル基が有していてもよい置換
基としては、反応を妨げない限りどのような置換基であ
ってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水
酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチ
オ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、
これらの基によって、アセタール体、チオアセタール体
を形成してもよい。また上記アルキニル基には、置換基
を有していてもよい重合体残基で置換されていてもよい
ものが含まれる。

【００８２】上記一般式中の置換基が表すアリール基と
しては、好ましくは炭素数６〜２０のアリール基で、た
とえばフェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチル
フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが
挙げられる。

【００８３】上記アリール基が有していてもよい置換基
としては、反応を妨げない限りどのような置換基であっ
てもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水酸
基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニ
ルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、
アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ
基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、こ
れらの基によって、アセタール体、チオアセタール体を
形成してもよい。また上記アリール基には、置換基を有
していてもよい重合体残基で置換されていてもよいもの
が含まれる。

【００８４】上記一般式中の置換基が表すアラルキル基
としては、好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基
で、たとえばベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｍ−
メチルベンジル基、ｐ−メチルベンジル基、ナフチルメ
チレン基などが挙げられる。

【００８５】上記アラルキル基が有していてもよい置換
基としては、反応を妨げない限りどのような置換基であ
ってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水
酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチ
オ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、
これらの基によって、アセタール体、チオアセタール体
を形成してもよい。また上記アラルキル基には、置換基
を有していてもよい重合体残基で置換されていてもよい
ものが含まれる。

【００８６】上記一般式中の置換基が表すアルキルオキ
シ基としては、たとえば、前記の置換基を有していても
よい重合体残基または置換基で置換されていてもよいア
ルキル基に酸素原子が結合したアルキルオキシ基が挙げ
られる。

【００８７】上記アルキルオキシ基が有していてもよい
置換基としては、反応を妨げない限りどのような置換基
であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原
子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、
アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオ
キシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニ
ルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げら
れ、これらの基によって、アセタール体、チオアセター
ル体を形成してもよい。また上記アルキルオキシ基に
は、置換基を有していてもよい重合体残基で置換されて
いてもよいものが含まれる。

【００８８】上記一般式中の置換基が表すアルケニルオ
キシ基としては、たとえば、前記の置換基を有していて
もよい重合体残基または置換基で置換されてもよいアル
ケニル基に酸素原子が結合したアルケニルオキシ基が挙
げられる。

【００８９】上記アルケニルオキシ基が有していてもよ
い置換基としては、反応を妨げない限りどのような置換
基であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄
原子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アル
キニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙
げられ、これらの基によって、アセタール体、チオアセ
タール体を形成してもよい。また上記アルケニルオキシ
基には、置換基を有していてもよい重合体残基で置換さ
れていてもよいものが含まれる。

【００９０】上記一般式中の置換基が表すアルキニルオ
キシ基としては、たとえば、前記の置換基を有していて
もよい重合体残基または置換基で置換されていてもよい
アルキニル基に酸素原子が結合したアルキニルオキシ基
が挙げられる。

【００９１】上記アルキニルオキシ基が有していてもよ
い置換基としては、反応を妨げない限りどのような置換
基であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄
原子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アル
キニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙
げられ、これらの基によって、アセタール体、チオアセ
タール体を形成してもよい。また上記アルキニルオキシ
基には、置換基を有していてもよい重合体残基で置換さ
れていてもよいものが含まれる。

【００９２】上記一般式中の置換基が表すアリールオキ
シ基としては、たとえば、前記の置換基を有していても
よい重合体残基または置換基で置換されていてもよいア
リール基に酸素原子が結合したアリールオキシ基が挙げ
られる。

【００９３】上記アリールオキシ基が有していてもよい
置換基としては、反応を妨げない限りどのような置換基
であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原
子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、
アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオ
キシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニ
ルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げら
れ、これらの基によって、アセタール体、チオアセター
ル体を形成してもよい。また上記アリールオキシ基に
は、置換基を有していてもよい重合体残基で置換されて
いてもよいものが含まれる。

【００９４】上記一般式中の置換基が表すアラルキルオ
キシ基としては、たとえば、前記の置換基を有していて
もよい重合体残基または置換基を有していてもよいアラ
ルキル基に酸素原子が結合したアラルキルオキシ基が挙
げられる。

【００９５】上記アラルキルオキシ基が有していてもよ
い置換基としては、反応を妨げない限りどのような置換
基であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄
原子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アル
キニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙
げられ、これらの基によって、アセタール体、チオアセ
タール体を形成してもよい。また上記アラルキルオキシ
基には、置換基を有していてもよい重合体残基で置換さ
れていてもよいものが含まれる。

【００９６】上記一般式中の置換基を有してもよいアセ
タール体としては、アルキル部分の炭素数がそれぞれ、
同一または異なって、直鎖状、分枝鎖状のいずれでもよ
いアルキルであるアルキルオキシ基を有する鎖状アセタ
ール、たとえばジメチルアセタール、ジエチルアセター
ル、ジｎ−プロピルアセタール、ジイソプロピルアセタ
ール、エチルメチルアセタールなどの鎖状アセタール；
環を形成するアルキルオキシ部のアルキル部分が直鎖
状、分枝鎖状のいずれでもよいアルキルである環状アセ
タール、例えば、エチレンアセタール、プロピレンアセ
タール、トリメチレンアセタール、１−メチルトリメチ
レンアセタール、２−メチルトリメチレンアセタール、
１，１−ジメチルトリメチレンアセタール、１，２−ジ
メチルトリメチレンアセタール、１，３−ジメチルトリ
メチレンアセタール、２，２−ジメチルトリメチレンア
セタールなどの環状アセタールが挙げられる。

【００９７】上記アセタール体が有していてもよい置換
基としては、反応を妨げない限りどのような置換基であ
ってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水
酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチ
オ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、
これらの基によって、アセタール体、チオアセタール体
を形成してもよい。また上記アセタール体には、置換基
を有していてもよい重合体残基で置換されていてもよい
ものが含まれる。

【００９８】上記一般式中の置換基を有してもよいイリ
デン基は、二重結合を有するものおよび環構造を形成す
るものを含む。二重結合を有するものについては、直鎖
状、分枝鎖状のいずれでもよい。たとえばメチリデン
基、エチリデン基、プロピリデン基、１−メチルエチリ
デン基、１−メチルプロピリデン基、２−メチルプロピ
リデン基、１，１−ジメチルプロピリデン基、１，２−
ジメチルプロピリデン基、１，３−ジメチルプロピリデ
ン基、２，２−ジメチルプロピリデン基などが挙げられ
る。

【００９９】上記イリデン基が有していてもよい置換基
としては、反応を妨げない限りどのような置換基であっ
てもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄原子、水酸
基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニ
ルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、
アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アルキニルチオ
基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられ、こ
れらの基によって、アセタール体、チオアセタール体を
形成してもよい。また上記イリデン基には置換基を有し
ていてもよい重合体残基で置換されていてもよいものが
含まれる。

【０１００】上記一般式のうちの置換基Ｘ及びＺが示す
基のうち、エーテル基としてはメトキシメチルオキシ
基、エトキシエチルオキシ基、テトラヒドロピラニルオ
キシ基、アリルオキシ基、ベンジルオキシ基などをあげ
ることができ、エステル基としてはアセチルオキシ基、
ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシカ
ルボニルオキシ基、クロロアセチルオキシ基などをあげ
ることができ、そしてシリルオキシ基としてはトリメチ
ルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリイソプロピル
オキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基などをあげ
ることができる。またＸ及びＺが一緒になって表すこと
のできるケタール基としては、ジメチルアセタール基、
ジエチルアセタール基、ジベンジルアセタール基、１，
３−ジオキソラン基、１，３−ジオキサン基などをあげ
ることができ、保護されていてもよいシアンヒドリンの
保護基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル
基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、アセチル基、
ベンゾイル基などをあげることができる。

【０１０１】上記一般式中の置換基中に含まれる置換基
を有していてもよい重合体残基の重合体としては、たと
えばエチレン、プロピレン、スチレン、スチレン誘導体
（例えばα−メチルスチレン）、メタクリレート類（例
えばメタクリル酸メチル）、アクリレート類（例えばア
クリル酸エステル）、アクリロニトリル、ビニルエステ
ル類（例えば酢酸ビニル）、ビニルエーテル類（例えば
メチルビニルエーテル）、ブタジエン、イソプレン、イ
ソブテン、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、エチレンオキシド、プロピレンオキシドなどの重合
性モノマーの各種の重合体（単独重合体、２種以上のモ
ノマーからなるランダムコポリマー、ブロックポリマ
ー、グラフトポリマーなど）が挙げられる。

【０１０２】また、前記重合体として、反応を妨げなけ
れば、エチレングリコール、１，２−プロパンジオー
ル、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオー
ル、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオー
ル、１，４−ブテンジオール、１，２−ペンタンジオー
ル、１，３−ペンタンジオール、１，４−ペンタンジオ
ール、１，５−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジ
オール、１，３−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサン
ジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサ
ンジオール、１，９−ノナンジオール、カテコール、
１，４−ジベンゼンメタノールなどのポリオール類とマ
ロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、テレフタ
ル酸などのポリカルボン酸とのポリエステル類（交互共
重合、２種以上のポリオールまたはポリカルボン酸から
なるランダムブロックコポリマー、ブロックポリマーな
ど）が挙げられる。

【０１０３】さらに、上記ポリオールの代わりに、反応
を妨げなければ、エチレンジアミン、１，２−プロパン
ジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，２−ブタン
ジアミン、１，３−ブタンジアミン、１，６−ヘキサメ
チレンジアミン、１，９−ノナンジアミン、ジアミノベ
ンゼンなどのポリアミン類と上記ポリカルボン酸とのポ
リアミド類（重縮合、２種以上のポリアミンまたはポリ
カルボン酸からなるランダムブロックコポリマー、ブロ
ックポリマーなど）が挙げられる。

【０１０４】好ましい重合体としては、エチレン、プロ
ピレン、スチレン、スチレン誘導体の各種の重合体が挙
げられる。

【０１０５】本発明において、置換基を有していてもよ
い重合体残基、置換基を有していてもよいポリスチレン
鎖の置換基としては、反応を妨げない限りどのような置
換基であってもよいが、たとえば、水素原子、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、窒素原子、硫黄
原子、水酸基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アル
キニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙
げられ、これらの基によって、アセタール体、チオアセ
タール体を形成してもよい。

【０１０６】これらアルキルオキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラル
キルオキシ基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、ア
ルキニルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、
アセタール体、チオアセタール体に関するアルキル部
分、アルケニル部分、アルキニル部分、アリール部分、
アラルキル部分、アセタール部分は、どのようなアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラ
ルキル基でもよいが、たとえば上記に示したＲ^{10 0} 等で
示したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基、アラルキル基、アセタール体があげられる。

【０１０７】これら置換基には、環構造が含まれていて
もよく、そのような環構造としてはたとえばシクロプロ
パン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘ
キサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環などの
飽和シクロアルカン環；シクロブテン環、シクロペンテ
ン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオ
クテン環などのシクロアルケン環；フェニル基などのア
リール基；ベンジル基などのアラルキル基などが挙げら
れ、これら環上の水素原子が上記置換基で置換されてい
てもよく、置換基としてはたとえば前記で示したアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、ア
ルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキ
シ基が挙げられ、これらの基によってアセタール体を形
成してもよい。

【０１０８】本発明において、置換基を有していてもよ
い重合体残基における重合体残基の分子量は、通常は数
平均分子量で５００〜５００００００の範囲であり、好
ましくは５００〜１００００００の範囲である。置換基
を有していてもよいポリスチレン鎖の分子量は５００〜
５００００００程度であり、好ましくは５００〜１００
００００の範囲である。

【０１０９】本発明において、置換基を有していてもよ
い重合体残基とは、重合体の末端あるいは側鎖に単数ま
たは複数存在する反応性の官能基が反応した結果、反応
相手側に残った基をいう。当該官能基としては、インダ
ン誘導体をはじめとした有機化合物と重合体が化学的に
結合できればいかなる結合様式が構成可能である官能基
であってもよく、結合様式としては、例えば、炭素−炭
素一重結合、炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結
合、エーテル結合、チオエーテル結合、シリルオキシ結
合、エステル結合、アミド結合、スルホニルオキシ結合
などが挙げられ、これら結合が２種以上組み合わされて
いてもよく、官能基としては、エーテル基、チオエーテ
ル基、シリルオキシ基、オキシカルボニル基、ジオキシ
カルボニル基、アミド基、スルホニルオキシ基などが挙
げられる。

【０１１０】上記の重合体残基の残基とインダン誘導体
をはじめとした有機化合物が形成する結合がシリルオキ
シ結合の場合、シリルオキシ結合を構成するケイ素原子
上の置換基はアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アラルキル基に置換されていてもよ
く、これらシリル基上の置換基が表すアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基と
しては、たとえばＲ¹⁰⁰ の表すアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基が挙げら
れる。

【０１１１】水酸基と結合可能な反応性を有する官能基
を有しかつ置換基を有していてもよい重合体としては、
たとえば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲ
ン；ジアルキルシリルクロリド、ジアルキルシリルブロ
ミド、ジアルキルシリルアイオダイド、ジアルケニルシ
リルクロリド、ジアルケニルシリルブロミド、ジアルケ
ニルシリルアイオダイド、ジアルキニルシリルクロリ
ド、ジアルキニルシリルブロミド、ジアルキニルシリル
アイオダイド、ジアリールクロリド、ジアリールブロミ
ド、ジアリールアイオダイド、ジアラルキルクロリド、
ジアラルキルブロミド、ジアラルキルアイオダイドなど
のハロゲノシリル基；ジアルキルシリルヒドリド、ジア
ルケニルシリルヒドリド、ジアルキニルシリルヒドリ
ド、ジアリールシリルヒドリド、ジアラルキルシリルヒ
ドリドなどのヒドロシリル基；アルキルスルホニロシリ
ル基、アルケニルスルホニロシリル基、アルキニルスル
ホニロシリル基、アリールスルホニロシリル基、アラル
キルスルホニロシリル基などのスルホニロシリル基；ア
ルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基、アルキ
ニルスルホニル基、アリールスルホニル基、アラルキル
スルホニル基、カルボキシル基、アミド基を有する重合
体、また置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニ
ル基、ジヒドロフラニル基、エトキシビニル基などのビ
ニルエーテルを有する重合体が挙げられる。かかるハロ
ゲノシリル基、ヒドロシリル基、スルホニロシリル基、
アルキルスルホニル基、アルケニルスルホニル基、アル
キニルスルホニル基、アリールスルホニル基、アラルキ
ルスルホニル基の有するアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、アラルキル基は、たとえばＲ
¹⁰⁰ 等の表すアルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、これらの基
は置換基を有していてもよい。

【０１１２】一般式（Ｎ）及び（Ｐ）で示されるインダ
ン誘導体は幾何異性体を有し、本発明においてはそれら
も全て含むものとする。

【０１１３】Ｙにおけるハロゲン原子としては、たとえ
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げ
られる。

【０１１４】Ｙにおけるアルキルスルホニル基、アルケ
ニルスルホニル基、アルキニルスルホニル基、アリール
スルホニル基、アラルキルスルホニル基としては、たと
えば、上記記載のＲ¹⁰⁰ 等の表すアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基で構成
されるスルホニル基が挙げられる。

【０１１５】Ｒ¹⁰⁰ 及びＲ¹⁰⁶ の有する官能基として
は、反応を妨げなければいかなる結合様式が可能な官能
基であってもよく、結合様式としては、たとえば炭素−
炭素一重結合、炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結
合、エーテル結合、チオエーテル結合、シリルオキシ結
合、エステル結合、アミド結合、種々のアミノ酸による
ペプチド結合、スルホニルオキシ結合などが挙げられ、
これらの結合が２種以上組み合わされていてもよく、官
能基としては、エーテル基、チオエーテル基、シリルオ
キシ基、オキシカルボニル基、ジオキシカルボニル基、
アミド基、ペプチド基、スルホニルオキシ基などが挙げ
られる。

【０１１６】重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｈ）、ビニルオキシ部位を
有しかつ置換基を有していてもよい重合体と前記式
（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に反応させて製造され
るスルホニルクロリドの製造方法を以下に説明する。

【０１１７】重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ａ）、（Ｃ）、（Ｈ）の製造方法はいかなる方法でも
よいが、それぞれたとえば水酸基と結合可能な反応性を
有する官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合体と
水酸基を有するスルホニルクロリド（Ｇ）、シリル基を
有する重合体（Ｉ）と水酸基を有するスルホニルクロリ
ド（Ｇ）、水酸基と結合可能な反応性を有する官能基を
有しかつ置換基を有してもよい重合体と水酸基を有する
スルホニルクロリド（Ｋ）を塩基存在下で反応させる方
法を説明する。

【０１１８】塩基としては反応が進行し、クロロスルホ
ニル基を損なうなどの悪影響を与えなければどのような
塩基でもよい。たとえば、メチルリチウム、エチルリチ
ウム、ｎ−プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、
ｎ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウム；フェニル
リチウムなどのアリールリチウム；リチウムアミド、ナ
トリウムアミド、カリウムアミド、リチウムジイソプロ
ピルアミド、ナトリウムジイソプロピルアミド、カリウ
ムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルア
ミド、ナトリウムジシクロヘキシルアミド、カリウムジ
シクロヘキシルアミド、リチウムビス（トリメチルシリ
ル）アミド、ナトリウムビス（トリメチルシリル）アミ
ド、カリウムビス（トリメチルシリル）アミドなどの金
属アミド；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化
カリウムなどの金属水素化物；リチウムメトキシド、リ
チウムエトキシド、リチウムｎ−プロピルオキシド、リ
チウムｉｓｏ−プロピルオキシド、リチウムｎ−ブトキ
シド、リチウム２−ブトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブ
トキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、ナトリウムｎ−プロピルオキシド、ナトリウムｉｓ
ｏ−プロピルオキシド、ナトリウムｎ−ブトキシド、ナ
トリウム２−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキ
シド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリ
ウムｎ−プロピルオキシド、カリウムｉｓｏ−プロピル
オキシド、カリウムｎ−ブトキシド、カリウム２−ブト
キシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドなどの金属アル
コキシド；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルア
ミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、１．
８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセンなどのア
ミン化合物などがあげられる。

【０１１９】塩基の使用量は、水酸基を有するスルホニ
ルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）に対し、１モル当量以
上が好ましく、1〜１０モル当量の範囲がより好まし
い。

【０１２０】水酸基と結合可能な反応性を有する官能基
を有しかつ置換基を有してもよい重合体あるいはシリル
基を有する重合体（Ｉ）の使用量は、水酸基を有するス
ルホニルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）に対し、０．０
０１モル当量以上が好ましく、０．０１〜１０モル当量
の範囲がより好ましい。

【０１２１】反応は通常、反応に悪影響を与えない溶媒
中で行われる。溶媒としては、例えばテトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテ
ル系溶媒；トルエン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、石油エーテルなどの炭化水素系溶媒；塩化メ
チレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼンなどの含ハロゲン炭化水素系溶媒；ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶
媒；メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール系溶媒；水またはこれらの混合溶媒などが使
用される。溶媒の使用量は、水酸基を有するスルホニル
クロリド（Ｇ）又は（Ｋ）に対し、通常１〜２００倍重
量の範囲が好ましい。

【０１２２】反応は通常、不活性ガス雰囲気下、水酸基
と結合可能な反応性を有する官能基を有しかつ置換基を
有してもよい重合体あるいはシリル基を有する重合体
（Ｉ）に、上記溶媒に塩基または上記溶媒に溶解した塩
基と水酸基を有するスルホニルクロリド（Ｇ）あるいは
（Ｋ）を混合した溶液を添加するか、上記溶媒に塩基ま
たは上記溶媒に溶解した塩基と水酸基を有するスルホニ
ルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）を混合した溶液に、水
酸基と結合可能な反応性を有する官能基を有しかつ置換
基を有してもよい重合体あるいはシリル基を有する重合
体（Ｉ）を添加することにより行う。

【０１２３】反応温度は、−１００℃〜２００℃を超え
ない範囲が好ましく、−４０℃〜２００℃の範囲がより
好ましい。

【０１２４】水酸基を有するスルホニルクロリド（Ｇ）
あるいは（Ｋ）の製造方法はいかなる方法でもよいが、
たとえば４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸メチルと９
−テトラヒドロピラニルオキシノナノールとの光延反
応、続くスルホン酸エステルの加水分解、クロロ化、テ
トラヒドロピラニル基の脱保護により製造される。

【０１２５】このようにして得られた重合体残基を有す
るスルホニルクロリド（Ａ）または（Ｃ）または（Ｈ）
は、たとえばジエチルエーテル、酢酸エチル、塩化メチ
レンなどの有機溶媒で洗浄濾過することで、未反応の水
酸基を有するスルホニルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）
を有機溶媒中に回収することができると同時に濾別して
得ることができる。また、濾別物として得られた重合体
残基を有するスルホニルクロリド（Ａ）または（Ｃ）ま
たは（Ｈ）に対し、希塩酸、塩化アンモニウム水で洗浄
することにより塩基性物質を除去することができる。そ
の後、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジ
エチルエーテル、酢酸エチル、塩化メチレン、メタノー
ルなどの有機溶媒、または任意の有機溶媒や水との混合
液により洗浄、乾燥できる。

【０１２６】重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｈ）、ビニルオキシ部位を有しかつ
置換基を有していてもよい重合体と前記式（Ｇ）の化合
物とを、酸の存在下に反応させて製造されるスルホニル
クロリドの製造方法はいかなる方法でもよいが、それぞ
れたとえば水酸基と結合可能な反応性を有する官能基を
有しかつ置換基を有してもよい重合体と水酸基を有する
スルホニルクロリド（Ｇ）、ビニルオキシ部位を有する
置換基を有してもよい重合体残基と水酸基を有するスル
ホニルクロリド（Ｇ）、環状ビニルオキシ部位を有する
置換基を有してもよい重合体残基（Ｊ）と水酸基を有す
るスルホニルクロリド（Ｇ）、水酸基と結合可能な反応
性を有する官能基を有しかつ置換基を有してもよい重合
体と水酸基を有するスルホニルクロリド（Ｋ）を酸存在
下で反応させる方法を説明する。

【０１２７】酸としては、クロロスルホニル基を損なう
ことがなければどのような酸でもよい。たとえば、フッ
化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素などのハロゲ
ン化水素；（＋）−１０−カンファースルホン酸、メタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸などのスルホン酸；硫酸；硫酸モノナトリウム塩
などの硫酸塩；ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸な
どのスルホニウム塩；リン酸；リン酸一ナトリウム塩な
どのリン酸塩；過塩素酸などの過ハロゲン化水素酸；塩
素酸などのハロゲン化水素酸；次亜塩素酸などの次亜ハ
ロゲン化水素酸；酸性イオン交換樹脂；Ｋ−１０クレイ
などの固体酸；トリフルオロ酢酸などの有機酸；酸化ア
ルミニウム、塩化アルミニウム、リン酸化アルミニウ
ム、塩化銅、臭化銅、トリメチルシリルアイオダイドな
どのルイス酸；２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−
１，４−ベンゾキノン、セリックアンモニウムナイトラ
ートなどが挙げられる。

【０１２８】酸の使用量は、水酸基を有するスルホニル
クロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）に対し、０．０００１モ
ル当量以上が好ましく、０．００１〜１０モル当量の範
囲がより好ましい。

【０１２９】水酸基と結合可能な反応性を有する官能基
を有しかつ置換基を有してもよい重合体あるいはビニル
オキシ部位を有する置換基を有してもよい重合体残基あ
るいは環状ビニルオキシ部位を有する置換基を有しても
よい重合体残基（Ｊ）の使用量は、水酸基を有するスル
ホニルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）に対し、０．００
１モル当量以上が好ましく、０．０１〜１０モル当量の
範囲がより好ましい。

【０１３０】反応は通常、反応に悪影響を与えない溶媒
中で行われる。溶媒としては、例えばテトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテ
ル系溶媒；トルエン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、石油エーテルなどの炭化水素系溶媒；塩化メ
チレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼンなどの含ハロゲン炭化水素系溶媒；ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶
媒；メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール系溶媒；水またはこれらの混合溶媒などが使
用される。溶媒の使用量は、水酸基を有するスルホニル
クロリド（Ｇ）又は（Ｋ）に対し、通常１〜２００倍重
量の範囲が好ましい。

【０１３１】反応は通常、不活性ガス雰囲気下、水酸基
と結合可能な反応性を有する官能基を有しかつ置換基を
有してもよい重合体あるいはビニルオキシ部位を有する
置換基を有してもよい重合体残基あるいは環状ビニルオ
キシ部位を有する置換基を有してもよい重合体残基
（Ｊ）に、上記溶媒に酸または上記溶媒に溶解した酸と
水酸基を有するスルホニルクロリド（Ｇ）あるいは
（Ｋ）を混合した溶液を添加するか、上記溶媒に酸また
は上記溶媒に溶解した酸と水酸基を有するスルホニルク
ロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）を混合した溶液に、水酸基
と結合可能な反応性を有する官能基を有しかつ置換基を
有してもよい重合体あるいはビニルオキシ部位を有する
置換基を有してもよい重合体残基あるいは環状ビニルオ
キシ部位を有する置換基を有してもよい重合体残基
（Ｊ）を添加することにより行う。

【０１３２】反応温度は、−１００℃〜２００℃を超え
ない範囲が好ましく、−４０℃〜２００℃の範囲がより
好ましい。

【０１３３】このようにして得られた重合体残基を有す
るスルホニルクロリド（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｈ）またはビ
ニルオキシ部位を有しかつ置換基を有していてもよい重
合体と前記式（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に反応さ
せて製造されるスルホニルクロリドは、たとえばジエチ
ルエーテル、酢酸エチル、塩化メチレンなどの有機溶媒
で洗浄濾過することで、未反応の水酸基を有するスルホ
ニルクロリド（Ｇ）あるいは（Ｋ）を有機溶媒中に回収
することができると同時に濾別して得ることができる。
また、濾別物として得られた重合体残基を有するスルホ
ニルクロリド（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｈ）またはビニルオキ
シ部位を有しかつ置換基を有していてもよい重合体と前
記式（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に反応させて製造
されるスルホニルクロリドに対し、トリエチルアミン、
ジイソプロピルエチルアミン、ピリジンなどのアミン化
合物またはそれと有機溶媒との混合物、または重曹粉末
などの無機塩基の水溶液もしくはそれと有機溶媒との混
合物で洗浄することにより酸性物質を除去することがで
きる。その後、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルエーテル、酢酸エチル、塩化メチレン、
メタノールなどの有機溶媒、または任意の有機溶媒や水
との混合液により洗浄、乾燥できる。

【０１３４】重合体残基を有するスルホン誘導体
（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｐ）の製造方法を以下に説
明する。

【０１３５】重合体残基を有するスルホン誘導体
（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｐ）の製造方法はいかなる
方法でもよいが、それぞれたとえば水酸基を有する化合
物（Ｌ）と重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ａ）、水酸基を有する化合物（Ｌ）と重合体残基を有
するスルホニルクロリド（Ｂ）、水酸基を有する化合物
（Ｌ）と重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ｃ）、水酸基を有するインダン誘導体（Ｎ）と重合体
残基を有するスルホニルクロリド（Ｈ）を塩基存在下で
反応させる方法を説明する。

【０１３６】塩基としては反応が進行し、水酸基を有す
る化合物（Ｌ）もしくは水酸基を有するインダン誘導体
（Ｎ）の損傷、重合体残基から担持基質の欠落などの悪
影響を与えなければどのような塩基でもよい。たとえ
ば、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−プロピルリ
チウム、イソプロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウムな
どのアルキルリチウム；フェニルリチウムなどのアリー
ルリチウム；リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリ
ウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウ
ムジイソプロピルアミド、カリウムジイソプロピルアミ
ド、リチウムジシクロヘキシルアミド、ナトリウムジシ
クロヘキシルアミド、カリウムジシクロヘキシルアミ
ド、リチウムビス（トリメチルシリル）アミド、ナトリ
ウムビス（トリメチルシリル）アミド、カリウムビス
（トリメチルシリル）アミドなどの金属アミド；水素化
リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの金
属水素化物；リチウムメトキシド、リチウムエトキシ
ド、リチウムｎ−プロピルオキシド、リチウムｉｓｏ−
プロピルオキシド、リチウムｎ−ブトキシド、リチウム
２−ブトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナト
リウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウム
ｎ−プロピルオキシド、ナトリウムｉｓｏ−プロピルオ
キシド、ナトリウムｎ−ブトキシド、ナトリウム２−ブ
トキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム
メトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｎ−プロピ
ルオキシド、カリウムｉｓｏ−プロピルオキシド、カリ
ウムｎ−ブトキシド、カリウム２−ブトキシド、カリウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシドなどの金属アルコキシド；トリ
エチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルア
ニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、１．８−ジアザビ
シクロ［５．４．０］ウンデセンなどのアミン化合物な
どがあげられる。

【０１３７】塩基の使用量は、重合体残基を有するスル
ホニルクロリド（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）あるいは（Ｈ）
に対し、１モル当量以上が好ましく、1〜１０モル当量
の範囲がより好ましい。

【０１３８】重合体残基を有するスルホニルクロリド
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）あるいは（Ｈ）の使用量は、水
酸基を有する有機物（Ｌ）もしくは水酸基を有するイン
ダン誘導体（Ｎ）に対し、０．００１モル当量以上が好
ましく、０．０１〜１０モル当量の範囲がより好まし
い。

【０１３９】反応は通常、反応に悪影響を与えない溶媒
中で行われる。溶媒としては、例えばテトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテ
ル系溶媒；トルエン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、石油エーテルなどの炭化水素系溶媒；塩化メ
チレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼンなどの含ハロゲン炭化水素系溶媒；ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶
媒；メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール系溶媒；水またはこれらの混合溶媒などが使
用される。溶媒の使用量は、水酸基を有する化合物
（Ｌ）又は水酸基を有するインダン誘導体（Ｎ）に対
し、通常１〜２００倍重量の範囲が好ましい。

【０１４０】反応は通常、不活性ガス雰囲気下、重合体
残基を有するスルホニルクロリド（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）あるいは（Ｈ）に、上記溶媒に塩基または上記溶
媒に溶解した塩基と水酸基を有する化合物（Ｌ）もしく
は水酸基を有するインダン誘導体（Ｎ）を混合した溶液
を添加するか、上記溶媒に塩基または上記溶媒に溶解し
た塩基と水酸基を有する化合物（Ｌ）もしくは水酸基を
有するインダン誘導体（Ｎ）を混合した溶液に、重合体
残基を有するスルホニルクロリド（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）あるいは（Ｈ）を添加することにより行う。

【０１４１】反応温度は、−１００℃〜２００℃を超え
ない範囲が好ましく、−４０℃〜２００℃の範囲がより
好ましい。

【０１４２】水酸基を有するインダン誘導体（Ｎ）の製
造方法はいかなる方法でもよいが、たとえば文献Doi,
T.; Hijikuro, I.; Takahashi, T. J. Am. Chem. Soc.
1999,121, 6749.に従い合成した［１Ｒ−［１α（Ｓ
＊），３ａβ，７ａα］］−オクタヒドロ−１−［２−
［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］
−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−４Ｈ−インデン
−４−オン、もしくは文献Posner, G. H.; Lee, J. K.;
White, M. C.; Hutchings, R. H.; Dai, H.; Kachinsk
i, J. L.; Dolan, P.; Kensler, T. W. J. Org. Chem.
1997, 62, 3299.に従い合成した（Ｓ）−２−［（１
Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−４−
［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］
−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−１−イル］プロパナ
ールを出発原料として本特許に記載の方法または、これ
に準ずる方法によって製造される。

【０１４３】このようにして得られた重合体残基を有す
るスルホン誘導体（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）または（Ｐ）
は、たとえばジエチルエーテル、酢酸エチル、塩化メチ
レンなどの有機溶媒で洗浄濾過することで、未反応の水
酸基を有する化合物（Ｌ）もしくは水酸基を有するイン
ダン誘導体（Ｎ）を有機溶媒中に回収することができる
と同時に濾別して得ることができる。また、濾別物とし
て得られた重合体残基を有するスルホン誘導体（Ｄ）、
（Ｅ）、（Ｆ）または（Ｐ）に対し、希塩酸、塩化アン
モニウム水で洗浄することにより塩基性物質を除去する
ことができる。その後、テトラヒドロフラン、ジメチル
ホルムアミド、ジエチルエーテル、酢酸エチル、塩化メ
チレン、メタノールなどの有機溶媒、または任意の有機
溶媒や水との混合液により洗浄、乾燥できる。

【０１４４】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を更に詳しく
説明するが、本発明の範囲をこれらの実施例に限定する
ものでないことはいうまでもない。

【０１４５】実施例１ メチル ４−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン
−１−オキシ）ベンゼンスルホネートの合成 ９−テトラヒドロピラニルオキシ−１−ノナノール
（１．６５ｇ、６．１４mmol）、メチル ４−ヒドロキ
シベンゼンスルホネート（１．３９ｇ、７．３７mmo
l）、トリフェニルホスフィン（１．９３ｇ、７．３７m
mol）及びトリエチルアミン（１．０３ｍＬ、７．３７m
mol）の乾燥テトラヒドロフラン（５０ｍＬ）溶液に、
０℃でアルゴン雰囲気下、アゾジカルボン酸ジエチル
（４０％トルエン溶液、３．２１ｍＬ、７．３７mmol）
を滴下した。この反応溶液を同一温度で３０分間撹拌し
た後、２，３滴の水を添加した。この混合物を減圧下濃
縮し、残さを１０％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲル
カラムクロマトグラフ精製して、無色液体としてメチル
４−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン−１−
オキシ）ベンゼンスルホネート（２．０８ｇ、収率８２
％）を得た。

【０１４６】¹H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.81 (d, J
= 8.9 Hz, 2H), 6.98 (d, J = 8.9Hz, 2H), 4.56 (m, 1
H), 4.01 (t, J = 6.6 Hz, 2H), 3.86 (m, 1H), 3.74
(m,1H), 3.71 (s, 3H), 3.48 (m, 1H), 3.37 (dt, J =
6.6, 9.6 Hz, 1H), 1.3〜1.9 (m, 20H);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 163.5, 130.3, 126.2,
114.9, 98.9, 68.6, 67.7, 62.5, 56.0, 30.8, 29.8, 2
9.5, 29.4, 29.3, 29.0, 26.2, 25.9, 25.5, 19.8; IR (neat) 2870, 1579, 1483, 1452, 1351, 1251, 116
0, 992, 762, 580 cm^-1; HRMS (ESI-TOF) (C₂₁H₃₄O₆Sna) 、計算値437.1974 (M+N
a) 、実測値437.1961

【０１４７】実施例２ ４−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン−１−オ
キシ）ベンゼンスルホニルクロリドの合成 メチル ４−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン
−１−オキシ）ベンゼンスルホネート（２０．２５ｇ、
４８．８５mmol）のアセトン（２８０ｍＬ）溶液に室温
でリチウムクロリド（４．１４ｇ、９７．７mmol）を添
加した。反応溶液を５５℃で１．５時間撹拌した後、生
成した白色沈殿を濾取した。濾液を濃縮しエーテルで希
釈して、再度沈殿を得、濾取した。両方の沈殿物を真空
乾燥し粗リチウム ４−（９−テトラヒドロピラニルオ
キシノナン−１−オキシ）ベンゼンスルホネート（２
１．０ｇ）を白色固体として得た。上記粗リチウム ４
−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン−１−オキ
シ）ベンゼンスルホネート（２１．０ｇ）のジメチルホ
ルムアミド（２８０ｍＬ）溶液に、０℃で五塩化リン
（１５．３ｇ、７３．３mmol）を添加した。この反応溶
液を室温で１５分間撹拌した後、氷水を添加した。この
混合物をエーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過後減圧下濃縮し
た。濃縮物を７％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲルカ
ラムクロマトグラフ精製して、白色固体として４−（９
−テトラヒドロピラニルオキシノナン−１−オキシ）ベ
ンゼンスルホニルクロリド（６．４３ｇ、収率３１％）
を得た。また、この精製の際、３３％酢酸エチル−ヘキ
サンで４−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）ベン
ゼンスルホニルクロリド（５．３５ｇ、収率３１％）を
白色固体として得、これを乾燥塩化メチレン溶媒（５０
ｍＬ）中、０．０１当量の（＋）−１０−ショウノウス
ルホン酸（３７ｍｇ）存在下、１．１当量のジヒドロピ
ラン（１．６ｍＬ、１８mmol）を用い室温で３０分間撹
拌することで、４−（９−テトラヒドロピラニルオキシ
ノナン−１−オキシ）ベンゼンスルホニルクロリド
（６．５７ｇ、収率９８％）に転化させた。

【０１４８】mp 46〜48℃;¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.95 (d, J = 8.9 Hz, 2
H), 7.02 (d, J = 8.9Hz, 2H), 4.57 (m, 1H), 4.05
(t, J = 6.6 Hz, 2H), 3.87 (m, 1H), 3.74 (dt,J = 6.
8, 9.6 Hz, 1H), 3.49 (m, 1H), 3.38 (dt, J = 6.6,
9.6 Hz, 1H), 1.3〜1.9 (m, 20H);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 164.6, 135.9, 129.6,
115.1, 99.0, 69.0, 67.7, 62.5, 30.9, 29.8, 29.5, 2
9.4, 29.3, 28.9, 26.3, 25.9, 25.6, 19.8;IR (KBr) 2
874, 1703, 1573, 1480, 1455, 1362, 1259, 1159, 102
0, 574 cm^{- 1}; HRMS (ESI-TOF) (C₂₀H₃₂ClO₅S) 、計算値419.1659 (M+
H) 、実測値419.1651

【０１４９】実施例３ ４−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）ベンゼンス
ルホニルクロリドの合成 ４−（９−テトラヒドロピラニルオキシノナン−１−オ
キシ）ベンゼンスルホニルクロリド（１．００ｇ、２．
３０mmol）のエタノール（１２mL）とテトラヒドロフラ
ン（５mL）溶液に、室温で（＋）−１０−ショウノウス
ルホン酸（０．１６ｇ、０．６９mmol）を添加し、混合
液を２時間撹拌した。０℃で飽和重曹水を加えた後、水
層をエーテルで抽出し、抽出液を、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、減圧下
濃縮して得た残渣を１５％酢酸エチル−ヘキサンでシリ
カゲルカラムクロマトグラフ精製し、無色液体として４
−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）ベンゼンスル
ホニルクロリド（６５２mg、８１％）で得た。

【０１５０】¹H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 7.95 (d, J
= 8.9 Hz, 2H), 7.02 (d, J = 8.9Hz, 2H), 4.05 (t, J
= 6.6 Hz, 2H), 3.63 (t, J = 6.6 Hz, 2H), 1.81 (m,
2H), 1.3〜1.8 (m, 12H);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 164.6, 135.8, 129.6,
115.1, 69.0, 63.0, 32.8, 29.5, 29.4, 29.2, 28.9, 2
5.9, 25.8; IR (neat) 3352, 2931, 1592, 1577, 1495, 1375, 126
8, 1168, 1085, 834, 789, 575 cm^-1; HRMS (ESI-TOF) (C₁₅H₂₃ClO₄Sna) 、計算値357.0903 (M
+Na) 、実測値357.0886

【０１５１】実施例４ ４−［９−［（４−ポリスチリルブチル）ジエチルシリ
ルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベンゼンスルホニルク
ロリドの合成 予め１時間真空乾燥しアルゴンガスで置換した（４−ポ
リスチリルブチル）ジエチルシリルヒドリド（４００m
g、反応活性部位換算０．２９６mmol）を有する５mLシ
リンダー型反応器に、室温で３等量の１，３−ジクロロ
−５，５−ジメチルヒダントイン（１７５mg、０．８８
８mmol）の乾燥塩化メチレン（３mL）溶液を添加した。
１時間振盪後、反応溶液を濾過し、樹脂をアルゴン雰囲
気下、乾燥塩化メチレン（３mLｘ３）で洗浄した。直ち
に、４−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）ベンゼ
ンスルホニルクロリド（３１２mg、０．８８８mmol）及
びジイソプロピルエチルアミン（０．３１mL、１．８mm
ol）の乾燥塩化メチレン（２．７mL）溶液を添加し、室
温下２時間振盪させた。反応液を濾過し、樹脂を塩化メ
チレン（３mLｘ２)で洗浄して、未反応の４−（９−ヒ
ドロキシノナン−１−オキシ）ベンゼンスルホニルクロ
リドを回収した。さらに、樹脂をテトラヒドロフラン：
水＝３：１溶液（３mL）、メタノール（３mL)、テトラ
ヒドロフラン：水＝３：１溶液（３mL）、メタノール
（３mL)、エーテル（３mL）でそれぞれ２回ずつ洗浄し
た。得られた樹脂は１２時間真空乾燥させ、下記物性を
有する４−［９−［（４−ポリスチリルブチル）ジエチ
ルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベンゼンスルホ
ニルクロリド（４８６．６mg、シリルヒドリドに対する
転化収率８３％）を得た。

【０１５２】¹³C SR-MAS NMR（400 MHz, CDCl₃）δ 16
4.5, 136.0, 129.6, 115.2, 69.0, 63.0 FT-IR (resin) 2934, 1594, 1491, 1451, 1381, 1263,
1166, 1082, 1013, 832 cm^-1

【０１５３】実施例５ （Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒド
ロ−７ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−
イル］プロピル ４−［９−［（４−ポリスチリルブチ
ル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベン
ゼンスルホン誘導体の合成 予め１時間真空乾燥しアルゴンガスで置換した４−［９
−［（４−ポリスチリルブチル）ジエチルシリルオキ
シ］ノナン−１−オキシ］ベンゼンスルホニルクロリド
（２５０．２mg、反応活性部位換算０．１２６mmol）を
有する５mLシリンダー型反応器に、室温で３等量の［１
Ｒ−［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］−オクタヒド
ロ−１−（２−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−７ａ
−メチル−４Ｈ−インデン−４−オン（８０mg、０．３
８mmol）と４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン
（６２mg、０．５０ｍｍｏｌ）の乾燥塩化メチレン
（１．８mL）溶液を添加した。２時間振盪後、反応液を
濾過し、樹脂を塩化メチレン（３mLｘ２)で洗浄して、
未反応の［１Ｒ−［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］
−オクタヒドロ−１−（２−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル）−７ａ−メチル−４Ｈ−インデン−４−オンを回
収した。さらに、樹脂をテトラヒドロフラン：水＝３：
１溶液（３mL）、メタノール（３mL)、テトラヒドロフ
ラン：水＝３：１溶液（３mL）、メタノール（３mL) 、
エーテル（３mL）でそれぞれ２回ずつ洗浄した。得られ
た樹脂は１２時間真空乾燥させ、下記物性を有する
（Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒド
ロ−７ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−
イル］プロピル ４−［９−［（４−ポリスチリルブチ
ル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベン
ゼンスルホン誘導体の合成（２６９．９mg、スルホニル
クロリドに対する転化収率９０％）を得た。

【０１５４】¹³C SR-MAS NMR（400 MHz, CDCl₃）δ 21
1.1, 163.4, 130.1, 125.7, 114.9,74.9, 68.6, 63.0,
52.5, 49.7 FT-IR (resin) 2905, 1714, 1599, 1494, 1453, 1366,
1262, 1170, 1101, 1029, 967, 837 cm^-1

【０１５５】実施例６ （Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−オク
タヒドロ−６，７ａ−ジメチル−４−オキソ−４Ｈ−イ
ンデン−１−イル］プロピル ９−［（４−ポリスチリ
ルブチル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキ
シ］ベンゼンスルホン誘導体の合成 実施例５に従い、４−［９−［（４−ポリスチリルブチ
ル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベン
ゼンスルホニルクロリド（２００mg、反応活性部位換算
０．１０１mmol）と（１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−
オクタヒドロ−１−［（Ｓ）−２−ヒドロキシ−１−メ
チルエチル］−６，７ａ−ジメチル−４Ｈ−インデン−
４−オン（６８mg、０．３０mmol）と４−（Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ）ピリジン（４９mg、０．４０mmol）によ
り、下記の物性を有する（Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａ
Ｒ，６Ｒ，７ａＲ）−オクタヒドロ−６，７ａ−ジメチ
ル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−イル］プロピル
４−［９−［（４−ポリスチリルブチル）ジエチルシ
リルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベンゼンスルホン誘
導体（２１７mg、スルホニルクロリドに対する転化収率
９２％）を得た。

【０１５６】¹³C SR-MAS NMR（400 MHz, CDCl₃）δ 21
0.4, 163.4, 130.1, 114.8, 74.9, 68.6, 63.0, 61.1,
52.3, 49.6, 49.2, 48.0, 7.0, 4.9 FT-IR (レジン) 3024, 2935, 1946, 1871, 1803, 1716,
1600, 1493, 1449, 1362, 1263, 1169, 1099, 1027, 9
66 cm^-1

【０１５７】実施例７ （Ｒ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒド
ロ−７ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−
イル］プロピル ４−［９−［（４−ポリスチリルブチ
ル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベン
ゼンスルホン誘導体の合成 実施例５に従い、４−［９−［（４−ポリスチリルブチ
ル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−１−オキシ］ベン
ゼンスルホニルクロリド（２００mg、反応活性部位換算
０．１０１mmol）と（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタ
ヒドロ−１−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル］−７ａ−メチル−４Ｈ−インデン−４−オン（６
４mg、０．３０mmol）と４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）ピリジン（４９mg、０．４０ｍｍｏｌ）により、下
記の物性を有する（Ｒ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａ
Ｒ）−オクタヒドロ−７ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ
−インデン−１−イル］プロピル ４−［９−［（４−
ポリスチリルブチル）ジエチルシリルオキシ］ノナン−
１−オキシ］ベンゼンスルホン誘導体（２１６mg、スル
ホニルクロリドに対する転化収率９１％）を得た。

【０１５８】¹³C SR-MAS NMR（400 MHz, CDCl₃）δ 21
1.1, 163.4, 130.2, 114.8, 73.5, 68.6, 63.0, 61.5,
52.4, 49.4, 12.9, 7.0, 5.0 FT-IR (レジン) 3026, 2930, 1944, 1876, 1804, 1714,
1599, 1493, 1452, 1367, 1261, 1167, 1100, 942 cm
^-1

【０１５９】実施例８ ４−［９−［６−（ポリスチリルメトキシメチル）テト
ラヒドロピラニル−２−オキシ］ノナン−１−オキシ］
ベンゼンスルホニルクロリドの合成 予め１時間真空乾燥しアルゴンガスで置換した３，４−
ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イルメトキシメチル ポ
リスチレン（７０．４mg、反応活性部位換算６９μmo
l）を有する５mLシリンダー型反応器に、アルゴン雰囲
気下室温で４−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）
ベンゼンスルホニルクロリド（４８mg、０．１４mmol）
の乾燥塩化メチレン（０．７mL）溶液と（＋）−１０−
ショウノウスルホン酸（１．６mg、６．９μmol）を順
次添加した。同一温度で５時間振盪した後、反応混合物
を濾過し乾燥塩化メチレン（２x３mL）ですすぐことで
未反応の４−（９−ヒドロキシノナン−１−オキシ）ベ
ンゼンスルホニルクロリドを回収した。さらに、樹脂を
塩化メチレン−トリエチルアミン（３：１，３mL）、テ
トラヒドロフラン：水＝３：１溶液（３mL）、メタノー
ル（３mL)、テトラヒドロフラン：水＝３：１溶液（３m
L）、メタノール（３mL) 、エーテル（３mL）でそれぞ
れ２回ずつ洗浄した。得られた樹脂は１２時間真空乾燥
させ、下記物性を有する４−［９−［６−（ポリスチリ
ルメトキシメチル）テトラヒドロピラニル−２−オキ
シ］ノナン−１−オキシ］ベンゼンスルホニルクロリド
（８６．５mg、４６μmol）を得た。

【０１６０】FT-IR (レジン) 3060, 3026, 2938, 1944,
1875, 1804, 1747, 1591, 1493, 1453, 1376, 1311, 1
268, 1170, 834, 761, 699, 571 cm^-1

【０１６１】実施例９ （Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒド
ロ−７ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−
イル］プロピル ４−［９−［６−（ポリスチリルメト
キシメチル）テトラヒドロピラニル−２−オキシ］ノナ
ン−１−オキシ］ベンゼンスルホン誘導体の合成 実施例５に従い、４−［９−［６−（ポリスチリルメト
キシメチル）テトラヒドロピラニル−２−オキシ］ノナ
ン−１−オキシ］ベンゼンスルホニルクロリド（５０．
０mg、反応活性部位換算２６．６μmol）と［１Ｒ−
［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］−オクタヒドロ−
１−（２−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−７ａ−メ
チル−４Ｈ−インデン−４−オン（１７mg、８１μmo
l）と４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン（１３m
g、０．１１mmol）により、下記の物性を有する（Ｓ）
−２−［（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ−７
ａ−メチル−４−オキソ−４Ｈ−インデン−１−イル］
プロピル ４−［９−［６−（ポリスチリルメトキシメ
チル）テトラヒドロピラニル−２−オキシ］ノナン−１
−オキシ］ベンゼンスルホン誘導体（５４．７mg、スル
ホニルクロリドに対する転化収率１００％）を得た。

【０１６２】FT-IR (レジン) 3060, 3026, 2973, 1943,
1803, 1710, 1649, 1596, 1493, 1452, 1364, 1307, 1
261, 1174, 820, 757, 697, 564 cm^-1

【０１６３】参考例１ ［１Ｒ−［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］−オクタ
ヒドロ−１−（２−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−
７ａ−メチル−４Ｈ−インデン−４−オンの合成 ［１Ｒ−［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］−オクタ
ヒドロ−１−［２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメ
チルシリルオキシ］−１−メチルエチル］−７ａ−メチ
ル−４Ｈ−インデン−４−オン（４５７mg，１．４１mm
ol 、文献Doi,T.; Hijikuro, I.; Takahashi, T. J. A
m. Chem. Soc. 1999, 121, 6749.に従い合成した）の乾
燥テトラヒドロフラン（１０mL）溶液にアルゴン雰囲気
下、フッ化水素ピリジン錯体（０．５mL）を室温で添加
し、６時間撹拌した。その反応混合物を酢酸エチルで希
釈し、０℃で飽和重曹水により中和した。有機層と水層
を分離し、水層を酢酸エチルで抽出した。得た有機物を
３Ｍ塩酸（２回）、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、減圧下濃縮
して得た残渣を３０％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲ
ルカラムクロマトグラフ精製し、無色液体として［１Ｒ
−［１α（Ｓ＊），３ａβ，７ａα］］−オクタヒドロ
−１−（２−ヒドロキシ−１−メチルエチル）−７ａ−
メチル−４Ｈ−インデン−４−オン（２９０mg，９８
％）を得た。

【０１６４】[α]³⁰ _D −10.4°(c 0.886, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.63 (dd, J = 2.6, 10.6
Hz, 1H, H₂₂), 3.41(dd, J = 6.3, 10.6 Hz, 1H,
H₂₂), 2.45 (dd, J = 7.6, 11.5 Hz, 1H, H₁₄), 1.08
(d, J = 6.3 Hz, 3H, H₂₁), 0.65 (s, 3H, H₁₈);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 212.0, 67.7, 61.8, 5
3.0, 49.9, 41.0, 38.9, 38.4, 27.1, 24.1, 19.2, 16.
9, 12.6; IR (neat) 3420, 2959, 1713, 1460, 1384, 1236, 1044
cm^-1; HRMS (ESI-TOF) (C₁₃H₂₃O₂) 、測定値211.1698 (M+H)
、実測値211.1695

【０１６５】参考例２ （１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｓ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−１−メチルエチル］−６，７ａ−ジメ
チル−４Ｈ−インデン−４−オンの合成 原料である（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−２，３，３ａ，
４，７，７ａ−ヘキサヒドロ−１−［（Ｓ）−２−
［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］
−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−４Ｈ−インデン
−４−オンは、過去の文献（Doi, T.; Hijikuro, I.; T
akahashi, T. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 6749.）
に従い合成した。ヨウ化銅（Ｉ）（４．１９５ｇ，２
２．０２mmol）の乾燥エーテル（２２０mL）縣濁液に、
アルゴン雰囲気下０℃でメチルリチウム（１．０５Ｍエ
ーテル溶液、４１．９mL、４４．０mmol）を滴下した。
この混合液に同一温度で、（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−
２，３，３ａ，４，７，７ａ−ヘキサヒドロ−１−
［（Ｓ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−
４Ｈ−インデン−４−オン（２．３６８ｇ，７．３４２
mmol）の乾燥エーテル（２２０mL）溶液を滴下した。反
応溶液を０℃で３０分間撹拌した後、塩化アンモニウム
とアンモニアの緩衝水（約ｐＨ７〜８，４００mL）を添
加した。エーテルを加え水層を抽出した後、抽出液を飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。濾
過後、減圧下濃縮して得た残渣を１．７〜２．５％酢酸
エチル−ヘキサンでシリカゲルカラムクロマトグラフ精
製し、無色液体として（１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）
−オクタヒドロ−１−［（Ｓ）−２−［（１，１−ジメ
チルエチル）ジメチルシリルオキシ］−１−メチルエチ
ル］−６，７ａ−ジメチル−４Ｈ−インデン−４−オン
（１．８１４ｇ，７３％）を得た。

【０１６６】[α]¹² _D +11.7°(c 0.801, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.56 (dd, J = 〜2, 9.6
Hz, 1H, H₂₂), 3.32 (dd, J = 6.3, 9.6 Hz, 1H, H₂₂),
2.41 (dd, J = 7.6, 11.5 Hz, 1H, H₁₄), 1.02〜1.06
(m, 6H, 11-methyl, H₂₁), 0.89 (s, 9H, SiCMe₃), 0.6
5 (s, 3H, H₁₈), 0.03 (s, 6H, SiMe₂);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 211.5, 67.6, 61.4, 5
3.0, 49.8, 49.5, 48.3, 38.7, 31.9, 27.4, 26.0, 22.
7, 19.1, 18.4, 17.2, 13.4, -5.29, -5.32; IR (neat) 2892, 1696, 1447, 1372, 1243, 1088, 833
cm^-1

【０１６７】（１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−オクタ
ヒドロ−１−［（Ｓ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル］−６，７ａ−ジメチル−４Ｈ−インデン−４−オ
ンの合成 （１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｓ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−１−メチルエチル］−６，７ａ−ジメ
チル−４Ｈ−インデン−４−オン（１．７９４ｇ，５．
２９８mmol）の乾燥テトラヒドロフラン（８０ｍＬ）溶
液に、アルゴン雰囲気下０℃でフッ素化水素ピリジン錯
体（４．０mL）を添加し、室温で３時間撹拌した。この
反応液を酢酸エチルで希釈し、０℃で飽和重曹水を添加
した後、水層を分離した。有機層を３Ｍ塩酸（２回）、
飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。濾過後、減圧下濃縮して得た残渣を２５
％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲルカラムクロマトグ
ラフ精製により（１Ｒ，３ａＲ，６Ｒ，７ａＲ）−オク
タヒドロ−１−［（Ｓ）−２−ヒドロキシ−１−メチル
エチル］−６，７ａ−ジメチル−４Ｈ−インデン−４−
オン（０．８２２ｇ，６９％）を無色液体で得た。

【０１６８】[α]¹² _D +12.7°(c 0.500, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.63 (br d, J = 10.6 H
z, 1H, H₂₂), 3.32 (dd, J = 6.3, 10.6 Hz, 1H, H₂₂),
2.41 (dd, J = 7.6, 11.2 Hz, 1H, H₁₄), 1.08(d, J =
5.9 Hz, 3H, 11-methyl), 1.03 (d, J = 6.3 Hz, 3H,
H₂₁), 0.65 (s,3H, H₁₈);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 211.3, 67.6, 61.3, 5
2.8, 49.7, 49.4, 48.2, 38.4, 31.8, 27.4, 22.6, 19.
0, 17.0, 13.3; IR (neat) 3326, 2892, 1690, 1442, 1371, 1224 cm^-1; HRMS (ESI-TOF) (C₁₄H₂₅O₂) 、計算値225.1855 (M+H)
、実測値225.1862

【０１６９】参考例３ （１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−４−
［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］
−１−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］
−７ａ−メチル−１Ｈ−インデンの合成 （Ｓ）−２−［（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オク
タヒドロ−４−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−１−
イル］プロパナール（４．３５ｇ，１３．４mmol，文献
Posner, G. H.;Lee, J. K.; White, M. C.; Hutchings,
R. H.; Dai, H.; Kachinski, J. L.;Dolan, P.; Kensl
er, T. W. J. Org. Chem. 1997, 62, 3299.に従って合
成した）と重曹粉末（９．０２ｇ，０．１０７mol）の
エタノール（２００mL）溶液を７５℃で７日間撹拌し
た。その反応溶液を濾過した後、ろ液を水（２００mL）
で希釈し、水層をエーテルで２回抽出した。抽出液を飽
和食塩水で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。濾過後、減圧下濃縮して得た残渣を２％酢酸エチル
−ヘキサンでシリカゲルカラムクロマトグラフ精製によ
り２−［（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒド
ロ−４−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル
オキシ］−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−１−イル］
プロパナールのジアステレエオマー（３．５８ｇ，８２
％，ステロイド番号２０位の非天然体：天然体比＝６
２：３８）を無色液体で得た。

【０１７０】¹H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 9.57 (d, J
= 3.0 Hz, 0.38H, H₂₂ natural), 9.54 (d, J = 5.0 H
z, 0.62H, H₂₂ unnatural), 4.01 (m, 1H, H₈), 2.34
(m, 1H, H₁₇), 1.09 (d, J = 6.9 Hz, 3 x 0.38H, H₂₁
natural), 0.98 (d, J = 9.6 Hz, 3 x 0.62H, H₂₁ unna
tural), 0.92 (s, 3 x 0.38H, H₁₈ natural), 0.88 (s,
3 x 0.62H, H₁₈ unnatural), 0.87 (s, 9H, SiCMe₃),
0.00 (s, 6H, SiMe₂)

【０１７１】２−［（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−
オクタヒドロ−４−［（１，１−ジメチルエチル）ジメ
チルシリルオキシ］−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−
１−イル］プロパナールのジアステレエオマー（３．５
０ｇ，１０．８mmol，ステロイド番号２０位の非天然
体：天然体比＝６２：３８）のメタノール（８０mL）溶
液に、−７８℃で水素化ホウ素ナトリウム（０．４０８
ｇ，１０．８mmol）を添加し、同一温度で１５分間撹拌
した。飽和塩化アンモニウム水溶液を添加した後、エー
テルを加え抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、減圧下濃縮し
て得た残渣を５％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲルカ
ラムクロマトグラフ精製により（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，
７ａＲ）−オクタヒドロ−４−［（１，１−ジメチルエ
チル）ジメチルシリルオキシ］−１−［（Ｒ）−２−ヒ
ドロキシ−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−１Ｈ−
インデン（１．９７ｇ，２段階収率４６％）を無色液体
で得、１０％酢酸エチル−ヘキサンで（１Ｒ，３ａＲ，
４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−４−［（１，１−ジメ
チルエチル）ジメチルシリルオキシ］−１−［（Ｓ）−
２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−
１Ｈ−インデン（１．２２ｇ，２段階収率２８％）を回
収した。

【０１７２】[α]¹⁴ _D +43.4°(c 0.468, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.99 (m, 1H, H₈), 3.71
(dd, J = 3.6, 10.6 Hz, 1H, H₂₂), 3.43 (dd, J = 6.
9, 10.6 Hz, 1H, H₂₂), 0.94 (d, J = 6.6 Hz,3H,
H₂₁), 0.92 (s, 3H, H₁₈), 0.88 (s, 9H, SiCMe₃), 0.0
0 (s, 3H, SiMe), -0.01 (s, 3H, SiMe);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 69.4, 66.9, 53.15, 5
3.06, 42.0, 40.2, 37.6, 34.5, 26.8, 25.9, 23.0, 1
8.1, 17.7, 16.7, 14.2, -4.7, -5.1; IR (neat) 3254, 2870, 1456, 1363, 1242, 1157, 107
4, 1019, 832, 762 cm^{- 1}; HRMS (ESI-TOF) (C₁₉H₃₈O₂SiNa) 、計算値349.2539 (M+
Na) 、実測値349.2553

【０１７３】（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタ
ヒドロ−１−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエ
チル］−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−４−オールの
合成 （１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−４−
［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］
−１−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］
−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン（１００mg、０．３０
６mmol）のメタノール（１０mL）溶液に、（＋）−１０
−ショウノウスルホン酸（２３mg，０．１０mmol）を添
加し、５５℃で１日間撹拌した。反応溶液を酢酸エチル
で希釈した後、この溶液を飽和重曹水、飽和食塩水で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過後減圧下
濃縮した。濃縮物を５０％酢酸エチル−ヘキサンでシリ
カゲルカラムクロマトグラフ精製して、無色液体として
（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］−７ａ
−メチル−１Ｈ−インデン−４−オール（６３．７mg、
９８％）を得た。

【０１７４】¹H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 4.06 (m, 1
H, H₈), 3.69 (dd, J = 5.0, 10.6 Hz, 1H, H₂₂), 3.41
(dd, J = 6.9, 10.6 Hz, 1H, H₂₂), 0.931 (s, 3H, H
₁₈), 0.929 (d, J = 6.6 Hz, 3H, H₂₁);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 69.7, 67.1, 53.5, 53.
0, 42.2, 40.3, 37.9,34.1, 27.1, 22.9, 18.0, 17.1,
14.4; IR (neat) 3391, 2933, 1471, 1456, 1361, 1264, 788
cm^-1

【０１７５】（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタ
ヒドロ−１−［（Ｒ）−２−［（１，１−ジメチルエチ
ル）ジメチルシリルオキシ］−１−メチルエチル］−７
ａ−メチル−１Ｈ−インデン−４−オールの合成 （１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］−７ａ
−メチル−１Ｈ−インデン−４−オール（６３．０mg、
０．２９６mmol）、イミダゾール（３０mg、０．４４mm
ol）の乾燥塩化メチレン（１．５mL）溶液に、アルゴン
雰囲気下０℃でｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリ
ド（５０mg、０．３３mmol）を添加した。反応溶液を同
一温度で３０分間撹拌した後、エーテルで希釈した。こ
の溶液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥させ、濾過後減圧下濃縮した。濃縮物を５％酢
酸エチル−ヘキサンでシリカゲルカラムクロマトグラフ
精製して、無色液体として（１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａ
Ｒ）−オクタヒドロ−１−［（Ｒ）−２−［（１，１−
ジメチルエチル）ジメチルシリルオキシ］−１−メチル
エチル］−７ａ−メチル−１Ｈ−インデン−４−オール
（９０．８mg、９４％）を得た。

【０１７６】¹H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 4.07 (m, 1
H, H₈), 3.66 (dd, J = 4.0, 9.6 Hz, 1H, H₂₂), 3.31
(dd, J = 7.3, 9.6 Hz, 1H, H₂₂), 0.93 (s, 3H, H₁₈),
0.889 (d, J = 6.6 Hz, 3H, H₂₁), 0.888 (s, 9H, SiC
Me₃), 0.02 (s, 6H, SiMe₂);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 69.4, 66.8, 53.3, 52.
6, 41.8, 40.0, 37.7,33.7, 26.5, 26.1, 25.7, 22.5,
17.6, 16.8, 14.0, -5.2, -5.3; IR (neat) 3401, 2931, 2858, 1473, 1361, 1256, 109
2, 835, 775 cm^-1

【０１７７】（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ
−１−［（Ｒ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジ
メチルシリルオキシ］−１−メチルエチル］−７ａ−メ
チル−４Ｈ−インデン−４−オンの合成 （１Ｒ，３ａＲ，４Ｓ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｒ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−
１Ｈ−インデン−４−オール（９０．０mg、０．２７６
mmol）とピリジニウム ｐ−トルエンスルホン誘導体
（３．５mg、１４μmol）の乾燥塩化メチレン溶液
（１．４mL）に、アルゴン雰囲気下０℃でピリジニウム
ジクロメート（２０７mg、０．５５２mmol）を添加し
た。反応溶液を室温で２時間撹拌した後、酢酸エチルで
希釈した。この溶液を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過後減圧下濃
縮した。濃縮物を２％酢酸エチル−ヘキサンでシリカゲ
ルカラムクロマトグラフ精製して、無色液体として（１
Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−［（Ｒ）−
２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリルオキ
シ］−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−４Ｈ−イン
デン−４−オン（８９．３mg、１００％）を得た。

【０１７８】[α]³⁰ _D -21°(c 0.60, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.58 (dd, J = 3.6, 9.9
Hz, 1H, H₂₂), 3.45 (dd, J = 5.6, 9.9 Hz, 1H, H₂₂),
2.43 (dd, J = 7.6, 11.2 Hz, 1H, H₁₄), 0.90 (d, J
= 8.6 Hz, 3H, H₂₁), 0.89 (s, 9H, SiCMe₃), 0.63 (s,
3H, H₁₈), 0.03 (s, 6H, SiMe₂);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 212.1, 66.8, 62.0, 5
2.9, 49.8, 41.0, 38.4, 37.7, 26.6, 26.0, 24.1, 19.
0, 18.4, 16.9, 13.0, -5.25, -5.32; IR (neat) 2932, 2886, 2858, 1717, 1472, 1463, 138
5, 1252, 1097, 836, 776 cm^-1

【０１７９】（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ
−１−［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］
−７ａ−メチル−４Ｈ−インデン−４−オンの合成 （１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｒ）−２−［（１，１−ジメチルエチル）ジメチル
シリルオキシ］−１−メチルエチル］−７ａ−メチル−
４Ｈ−インデン−４−オン（６０mg、０．１８mmol）の
メタノール（５mL）溶液に、室温で（＋）−１０−ショ
ウノウスルホン酸（１４mg，６０μmol）を添加し、同
一温度で３０分間撹拌した。反応溶液を酢酸エチルで希
釈した後、この溶液を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過後減圧下濃
縮した。濃縮物を３０％酢酸エチル−ヘキサンでシリカ
ゲルカラムクロマトグラフ精製して、白色固体として
（１Ｒ，３ａＲ，７ａＲ）−オクタヒドロ−１−
［（Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチルエチル］−７ａ
−メチル−４Ｈ−インデン−４−オン（３７mg、９６
％）を得た。

【０１８０】[α]³⁰ _D -18°(c 0.67, CHCl₃);¹ H NMR (270 MHz, CDCl₃) δ 3.68 (dd, J = 3.0, 10.6
Hz, 1H, H₂₂), 3.50(dd, J = 5.9, 10.6 Hz, 1H,
H₂₂), 2.44 (dd, J = 7.6, 11.2 Hz, 1H, H₁₄), 0.96
(d, J = 6.3 Hz, 3H, H₂₁), 0.64 (s, 3H, H₁₈);¹³ C NMR (67.8 MHz, CDCl₃) δ 212.0, 67.0, 61.9, 5
2.9, 49.7, 40.9, 38.4, 37.5, 26.7, 24.0, 19.0, 16.
6, 13.0; IR (neat) 3455, 2954, 1686, 1451, 1384, 1311, 127
6, 1050, 1024 cm^-1

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 309/12 Ｃ０７Ｄ 309/12 // Ｃ０７Ｆ 7/08 Ｃ０７Ｆ 7/08 Ｑ 7/12 7/12 Ｖ Ｆターム(参考） 4C062 AA22 4H006 AA01 AA02 AB84 AC43 TB32 4H049 VN01 VP01 VQ53 VR23 VR41 VU20 4J100 AB07P BA02P BA15P BA16P BA51P BA58H BA58P BA72H BA76P BB01H BB01P BC52H BC53P CA01 CA31 HA61 JA51

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式（Ａ）： 【化１】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
   酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
   しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
   ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
   上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
   子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
   換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は置換基を有して
   いてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² 及びＲ¹⁰³ は、そ
   れぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
   基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は置換
   基を有していてもよい）を表す）で示されるスルホン誘
   導体。
2. 【請求項２】 式（Ｂ）： 【化２】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
   酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
   しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
   ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
   上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
   子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
   換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は置換基を有して
   いてもよいポリスチレン鎖を示し、ｎは０〜２の整数で
   ある）で示されるスルホン誘導体。
3. 【請求項３】 式（Ｃ）： 【化３】 （式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応性の官能基を
   有しかつ置換基を有してもよい重合体の残基を示し、ｍ
   は２〜２０の整数である）で示されるスルホン誘導体。
4. 【請求項４】 式（Ｄ）： 【化４】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
   酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
   しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
   ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
   上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
   子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
   換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は置換基を有して
   いてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² 及びＲ¹⁰³ は、そ
   れぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
   基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は置換
   基を有していてもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、
   アルケニル基、アルキニル基、アリール基もしくはアラ
   ルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原
   子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子を
   含んでもよい置換基を有してもよい）を表す）で示され
   るスルホン誘導体。
5. 【請求項５】 式（Ｅ）： 【化５】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
   酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
   しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
   ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
   上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
   子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
   換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は置換基を有して
   いてもよいポリスチレン鎖を示し、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル
   基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基もしくは
   アラルキル基（以上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄
   原子、ハロゲン原子を有してもよく、またそれらの原子
   を含んでもよい置換基を有してもよい）を表し、ｎは０
   〜２の整数である）で示されるスルホン誘導体。
6. 【請求項６】 式（Ｆ）： 【化６】 （式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応性の官能基を
   有しかつ置換基を有してもよい重合体残基を示し、Ｒ
   ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
   ール基もしくはアラルキル基（以上の基は、酸素原子、
   窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有してもよく、ま
   たそれらの原子を含んでもよい置換基を有してもよい）
   を表し、ｍは２〜２０の整数である）で示されるスルホ
   ン誘導体。
7. 【請求項７】 水酸基と結合可能な反応性を有する官能
   基を有しかつ置換基を有していてもよい重合体と、式
   （Ｇ）： 【化７】 （式中、Ｒ¹⁰⁰'は水酸基を有しているアルキル基、水酸
   基を有しているアルケニル基、水酸基を有しているアル
   キニル基、水酸基を有しているアリール基もしくは水酸
   基を有しているアラルキル基（以上の基は、酸素原子、
   窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有してもよく、ま
   たそれらの原子を含んでもよい置換基を有してもよい）
   を表す）の化合物とを、酸又は塩基の存在下に、反応さ
   せて式（Ｈ）： 【化８】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
   酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
   しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
   ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
   上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
   子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
   換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可
   能な反応性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重
   合体残基を示す）で表わされるスルホン誘導体を製造す
   る方法。
8. 【請求項８】 式（Ｉ）： 【化９】 ［式中、Ｒ¹⁰¹ は置換基を有していてもよい重合体残基
   を表し、Ｒ¹⁰² 及びＲ^{10 3} は、それぞれ独立に、アルキ
   ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基もしく
   はアラルキル基（以上の基は置換基を有していてもよ
   い）を表し、Ｙは水酸基と反応性の基であって、水素原
   子、ハロゲン原子、アルキルスルホニル基、アルケニル
   スルホニル基、アルキニルスルホニル基、アリールスル
   ホニル基もしくはアラルキルスルホニル基を表す］で示
   される、重合体と前記式（Ｇ）の化合物とを、塩基の存
   在下に、反応させて、式（Ａ）： 【化１０】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ 並びにＲ¹⁰¹ 及びＲ¹⁰² 及びＲ¹⁰³ は前
   記定義の通りである）のスルホン誘導体を製造する請求
   項７に記載の方法。
9. 【請求項９】 ビニルオキシ部位を有しかつ置換基を有
   していてもよい重合体と前記式（Ｇ）の化合物とを、酸
   の存在下に、反応させてクロロスルホニル基を有するス
   ルホン誘導体を製造する請求項７に記載の方法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の方法で製造されるク
    ロロスルホニル基を有するスルホン誘導体。
11. 【請求項１１】 式（Ｊ）： 【化１１】 （式中、Ｒ¹⁰⁴ は置換基を有していてもよいポリスチレ
    ン鎖を示し、ｎは０〜２の整数である）の重合体と前記
    式（Ｇ）の化合物とを、酸の存在下に、反応させて式
    （Ｂ）： 【化１２】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁴ 及びｎは前記定義の通りであ
    る）のスルホン誘導体を製造する請求項７に記載の方
    法。
12. 【請求項１２】 水酸基と結合可能な反応性を有する官
    能基を有し、かつ置換基を有していてもよい重合体と、
    式（Ｋ）： 【化１３】 （式中、ｍは２〜２０の整数である）の化合物とを、酸
    又は塩基の存在下に、反応させて式（Ｃ）： 【化１４】 （式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応性の官能基を
    有しかつ置換基を有してもよい重合体の残基を示し、ｍ
    は２〜２０の整数である）で表わされるスルホン誘導体
    を製造する方法。
13. 【請求項１３】 式（Ｌ）： 【化１５】 （式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
    ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は、
    酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有して
    もよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を有し
    てもよい）を表す）で表わされる化合物と、式（Ａ）： 【化１６】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
    酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
    しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
    ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
    上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
    子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
    換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰¹ は置換基を有して
    いてもよい重合体残基を表し、Ｒ¹⁰² ，及びＲ¹⁰³ は、
    それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
    ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は置
    換基を有していてもよい）を表す）で示される重合体と
    を、塩基の存在下に、反応させて式（Ｄ）： 【化１７】 （式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
    ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は、
    酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有して
    もよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を有し
    てもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰¹ ，Ｒ¹⁰² 及びＲ¹⁰³
    は前記定義の通りである）で示されるスルホン誘導体を
    製造する方法。
14. 【請求項１４】 式（Ｌ）： 【化１８】 （式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
    ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は、
    酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有して
    もよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を有し
    てもよい）を表す）で表わされる化合物と、式（Ｂ）： 【化１９】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
    酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
    しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
    ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
    上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
    子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
    換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁴ は置換基を有して
    いてもよいポリスチレン鎖を示し、ｎは０〜２の整数で
    ある）の化合物とを、塩基の存在下に、反応させて式
    （Ｅ）： 【化２０】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁴ ，Ｒ¹⁰⁶ 及びｎは前記定義の通
    りである）で示されるスルホン誘導体を製造する方法。
15. 【請求項１５】 式（Ｌ）： 【化２１】 （式中、Ｒ¹⁰⁶ はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
    ル基、アリール基もしくはアラルキル基（以上の基は、
    酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を有して
    もよく、またそれらの原子を含んでもよい置換基を有し
    てもよい）を表す）で表わされる化合物と、式（Ｃ）： 【化２２】 （式中、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可能な反応性の官能基を
    有しかつ置換基を有してもよい重合体の残基を示し、ｍ
    は２〜２０の整数である）で表わされる化合物とを、塩
    基の存在下に、反応させて式（Ｆ）： 【化２３】 （式中、Ｒ¹⁰⁵ ，Ｒ¹⁰⁶ 及びｍは前記定義の通りであ
    る）で表わされるスルホン誘導体を製造する方法。
16. 【請求項１６】 式（Ｎ）： 【化２４】 （式中、Ｒ¹⁰⁷ ，Ｒ¹⁰⁸ 及びＲ¹⁰⁹ は、それぞれ独立
    に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリー
    ル基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アルケニルオ
    キシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基もしく
    はアラルキルオキシ基（以上の基は置換基を有していて
    もよい）、または水素原子もしくは水酸基を表すか、ま
    たはＲ¹⁰⁸ とＲ¹⁰⁹ の２つの基によって置換基を有して
    いてもよいアセタール体を形成してもよく、これらが一
    緒になって置換基を有していてもよいイリデン基を形成
    してもよく、Ｘ及びＺは、それぞれ独立に、水素原子、
    水酸基または水酸基から導びかれるエーテル基、エステ
    ル基もしくはシリルオキシ基を表すか、又はＸ及びＺが
    一緒になって酸素原子、ケタール基または保護されてい
    てもよいシアンヒドリン基を表す）で示されるテトラヒ
    ドロインダン誘導体と、式（Ｈ）： 【化２５】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ は酸素官能基を有しているアルキル基、
    酸素官能基を有しているアルケニル基、酸素官能基を有
    しているアルキニル基、酸素官能基を有しているアリー
    ル基もしくは酸素官能基を有しているアラルキル基（以
    上の基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原
    子を有してもよく、またそれらの原子を含んでもよい置
    換基を有してもよい）を表し、Ｒ¹⁰⁵ は水酸基と結合可
    能な反応性の官能基を有しかつ置換基を有してもよい重
    合体の残基を示す）で表わされる化合物とを、塩基の存
    在下に、反応させて式（Ｐ）： 【化２６】 （式中、Ｒ¹⁰⁰ ，Ｒ¹⁰⁵ ，Ｒ¹⁰⁷ ，Ｒ¹⁰⁸ ，Ｒ¹⁰⁹ ，Ｘ
    及びＺは前記定義の通りである）で表わされるスルホン
    誘導体を製造する方法。