JP2002184681A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JP2002184681A JP2002184681A JP2000384991A JP2000384991A JP2002184681A JP 2002184681 A JP2002184681 A JP 2002184681A JP 2000384991 A JP2000384991 A JP 2000384991A JP 2000384991 A JP2000384991 A JP 2000384991A JP 2002184681 A JP2002184681 A JP 2002184681A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑なソフト演算を行うことなくフィールド
の描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実
現するにある。 【解決手段】 複数の区画（ｆ１〜ｆ４）をまとめて１
フィールドＦとして描画を行う場合、レジスタ２４には
各区画の基準座標位置（区画の左上の座標位置）が格納
されている。制御ＣＰＵ11から区画ｆ１のデータが転送
されると加算回路２１はデータの位置座標に基準座標位
置を加算する。区画ｆ１基準座標位置（Ｘ 0，Ｙ0）はフ
ィールドｆの原点と同じであるので、データの加算結果
に変化はない。次に、区画ｆ２のデータが転送される
と、加算回路２３はデータの座標位置に区画ｆ２の座標
位置（Ｘ0，Ｙ1）が加算される。この加算された区画ｆ
２のデータは、データメモリ２５に送られて記憶され
る。同様にして、区画ｆ３，ｆ４のデータも加算回路２
３においてそれぞれの座標位置と加算され、データメモ
リ２５に送られて記憶される。
の描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実
現するにある。 【解決手段】 複数の区画（ｆ１〜ｆ４）をまとめて１
フィールドＦとして描画を行う場合、レジスタ２４には
各区画の基準座標位置（区画の左上の座標位置）が格納
されている。制御ＣＰＵ11から区画ｆ１のデータが転送
されると加算回路２１はデータの位置座標に基準座標位
置を加算する。区画ｆ１基準座標位置（Ｘ 0，Ｙ0）はフ
ィールドｆの原点と同じであるので、データの加算結果
に変化はない。次に、区画ｆ２のデータが転送される
と、加算回路２３はデータの座標位置に区画ｆ２の座標
位置（Ｘ0，Ｙ1）が加算される。この加算された区画ｆ
２のデータは、データメモリ２５に送られて記憶され
る。同様にして、区画ｆ３，ｆ４のデータも加算回路２
３においてそれぞれの座標位置と加算され、データメモ
リ２５に送られて記憶される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、被描画材料に照射され
る電子ビーム等の荷電粒子を偏向して所望のパターンの
描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法に関す
る。
る電子ビーム等の荷電粒子を偏向して所望のパターンの
描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置では、電子ビームを
精度良く偏向できる領域には限りがあり、大きな偏向角
となると偏向の歪みが無視できなくなり、描画精度が悪
化する。ベクタースキャン方式の描画装置では、偏向歪
みが無視できる領域をフィールドと呼んでいる。
精度良く偏向できる領域には限りがあり、大きな偏向角
となると偏向の歪みが無視できなくなり、描画精度が悪
化する。ベクタースキャン方式の描画装置では、偏向歪
みが無視できる領域をフィールドと呼んでいる。
【０００３】一般に、チップサイズは、フィールドサイ
ズよりも大きいため、描画するパターンデータは、描画
前に、ある決められた大きさのフィールドで分割し、フ
ィールドごとにデータをまとめておく。描画時には、フ
ィールドごとにステージを移動させ、フィールドの中心
と電子ビーム光軸とを一致させて、フィールド内のパタ
ーンの描画を行うようにしている。
ズよりも大きいため、描画するパターンデータは、描画
前に、ある決められた大きさのフィールドで分割し、フ
ィールドごとにデータをまとめておく。描画時には、フ
ィールドごとにステージを移動させ、フィールドの中心
と電子ビーム光軸とを一致させて、フィールド内のパタ
ーンの描画を行うようにしている。
【０００４】上記のフィールドサイズは、描画前にデー
タを準備する段階で決めておかなければならない。この
フィールドサイズの大きさは、描画目的によって決めら
れ、通常次のようなケースがある。
タを準備する段階で決めておかなければならない。この
フィールドサイズの大きさは、描画目的によって決めら
れ、通常次のようなケースがある。
【０００５】第１のケースは、描画時間よりも描画精度
が重要な場合で、小さなフィールドで偏向歪みの影響を
極力少なくしたい場合で、描画データは、描画装置の最
大フィールドより小さなフィールドに分割される。
が重要な場合で、小さなフィールドで偏向歪みの影響を
極力少なくしたい場合で、描画データは、描画装置の最
大フィールドより小さなフィールドに分割される。
【０００６】第２のケースは、描画精度の許容度が大き
く、その代わり、描画速度を早くしたい場合であり、ス
テージの移動回数を少なくするために、描画データは、
描画装置の最大フィールドで分割される。
く、その代わり、描画速度を早くしたい場合であり、ス
テージの移動回数を少なくするために、描画データは、
描画装置の最大フィールドで分割される。
【０００７】このように、フィールドの大きさは、描画
目的に応じて決められ、同じ描画データでも、特定のケ
ースを念頭にフィールド分割を行っても、他のケースで
描画を行う場合には、その都度、最初の生の描画データ
をそのケースに応じてフィールド分割しなければなら
ず、甚だ面倒である。
目的に応じて決められ、同じ描画データでも、特定のケ
ースを念頭にフィールド分割を行っても、他のケースで
描画を行う場合には、その都度、最初の生の描画データ
をそのケースに応じてフィールド分割しなければなら
ず、甚だ面倒である。
【０００８】このため、先願の特許第２７４４８３３号
では、描画データを描画フィールドに分割して描画する
ときに、一辺の長さが描画装置の最大フィールドの長さ
の整数分の１とした区画を作っておき、パターン描画時
に描画目的に応じて、前記区画データを一単位としたフ
ィールドの描画をするか、あるいは、複数の区画データ
を組み合わせて一単位としたフィールドの描画をするよ
うにしている。
では、描画データを描画フィールドに分割して描画する
ときに、一辺の長さが描画装置の最大フィールドの長さ
の整数分の１とした区画を作っておき、パターン描画時
に描画目的に応じて、前記区画データを一単位としたフ
ィールドの描画をするか、あるいは、複数の区画データ
を組み合わせて一単位としたフィールドの描画をするよ
うにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記先願の荷電粒子ビ
ーム描画装置では、複数の区画データを組み合わせると
きに無駄時間が発生し、描画のスループットの低下を招
いていた。すなわち、パターンデータは、描画前に磁気
ディスクから描画用データ転送回路内のデータメモリに
格納してから行われる。磁気ディスク上のパターンデー
タは、ある大きさの区画に分割されており、各区画の左
上の位置座標および区画左上を原点とした図形位置とし
て表現されている。
ーム描画装置では、複数の区画データを組み合わせると
きに無駄時間が発生し、描画のスループットの低下を招
いていた。すなわち、パターンデータは、描画前に磁気
ディスクから描画用データ転送回路内のデータメモリに
格納してから行われる。磁気ディスク上のパターンデー
タは、ある大きさの区画に分割されており、各区画の左
上の位置座標および区画左上を原点とした図形位置とし
て表現されている。
【００１０】この区画を複数まとめたものがフィールド
として描画されるが、このとき、従来はデータメモリへ
磁気ディスクと同じ形で、すなわち、区画単位に格納さ
れ、描画時にフィールド内の位置をオフセットとして与
えて描画を行っていた。制御ＣＰＵは、区画の描画フィ
ールド内でのオフセットをセットして区画描画を行い、
これを１フィールド分終了した時点でステージ移動を行
っていた。
として描画されるが、このとき、従来はデータメモリへ
磁気ディスクと同じ形で、すなわち、区画単位に格納さ
れ、描画時にフィールド内の位置をオフセットとして与
えて描画を行っていた。制御ＣＰＵは、区画の描画フィ
ールド内でのオフセットをセットして区画描画を行い、
これを１フィールド分終了した時点でステージ移動を行
っていた。
【００１１】このように従来では、描画時にソフト演算
を行って各区画の位置を求めていたために、トータルの
描画に要する時間が長くなる欠点を有していた。本発明
は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目的は、
複雑なソフト演算を行うことなくフィールドの描画を行
うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実現するにあ
る。
を行って各区画の位置を求めていたために、トータルの
描画に要する時間が長くなる欠点を有していた。本発明
は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目的は、
複雑なソフト演算を行うことなくフィールドの描画を行
うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実現するにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、描画データを描画フィールドに分割
して描画するときに、一辺の長さが描画装置の最大フィ
ールドの長さの整数分の１とした区画を作っておき、パ
ターン描画時に描画目的に応じて、前記区画データを一
単位としたフィールドの描画をするか、あるいは、複数
の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの
描画をするようにした荷電粒子ビーム描画方法におい
て、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィ
ールドの描画を行う際、各区画データをデータメモリに
転送する過程で、加算器により各区画データの位置と各
区画のフィールド内の位置とを加算し、加算したデータ
をデータメモリに記憶させるようにし、データメモリに
記憶されたフィールドのデータに基づいて所望の描画を
行うようにしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、描画データを描画フィールドに分割
して描画するときに、一辺の長さが描画装置の最大フィ
ールドの長さの整数分の１とした区画を作っておき、パ
ターン描画時に描画目的に応じて、前記区画データを一
単位としたフィールドの描画をするか、あるいは、複数
の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの
描画をするようにした荷電粒子ビーム描画方法におい
て、複数の区画データを組み合わせて一単位としたフィ
ールドの描画を行う際、各区画データをデータメモリに
転送する過程で、加算器により各区画データの位置と各
区画のフィールド内の位置とを加算し、加算したデータ
をデータメモリに記憶させるようにし、データメモリに
記憶されたフィールドのデータに基づいて所望の描画を
行うようにしたことを特徴としている。
【００１３】本発明では、複数の区画データを組み合わ
せて一単位としたフィールドの描画を行う際、各区画デ
ータをデータメモリに転送する過程で、加算器により各
区画データの位置と各区画のフィールド内の位置とを加
算し、加算したデータをデータメモリに記憶させるよう
にした。そのため、複雑なソフトウェアによって区画デ
ータの結合を行うことがなくなり、描画のスループット
を向上させることができる。
せて一単位としたフィールドの描画を行う際、各区画デ
ータをデータメモリに転送する過程で、加算器により各
区画データの位置と各区画のフィールド内の位置とを加
算し、加算したデータをデータメモリに記憶させるよう
にした。そのため、複雑なソフトウェアによって区画デ
ータの結合を行うことがなくなり、描画のスループット
を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明を実施するた
めの可変面積型電子ビーム描画装置の一例を示してい
る。１は電子ビームＥＢを発生する電子銃であり、該電
子銃１から発生した電子ビームＥＢは、照射レンズ２を
介して第１成形アパーチャ３上に照射される。
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明を実施するた
めの可変面積型電子ビーム描画装置の一例を示してい
る。１は電子ビームＥＢを発生する電子銃であり、該電
子銃１から発生した電子ビームＥＢは、照射レンズ２を
介して第１成形アパーチャ３上に照射される。
【００１５】第１成形アパーチャの開口像は、成形レン
ズ４により、第２成形アパーチャ５上に結像されるが、
その結像の位置は、成形偏向器６により変えることがで
きる。第２成形アパーチャ５により成形された像は、縮
小レンズ７、対物レンズ８を経て描画材料９上に照射さ
れる。描画材料９への照射位置は、位置決め偏向器１０
により変えることができる。
ズ４により、第２成形アパーチャ５上に結像されるが、
その結像の位置は、成形偏向器６により変えることがで
きる。第２成形アパーチャ５により成形された像は、縮
小レンズ７、対物レンズ８を経て描画材料９上に照射さ
れる。描画材料９への照射位置は、位置決め偏向器１０
により変えることができる。
【００１６】１１は制御ＣＰＵであり、制御ＣＰＵ１１
は磁気ディスクのごときパターンデータメモリー１２か
らのパターンデータをデータ転送回路１３に転送する。
データ転送回路１３からのパターンデータは、成形偏向
器６を制御する制御回路１４、位置決め偏向器１０を制
御する制御回路１５、対物レンズ８の励磁を制御する制
御回路１６、電子銃１から発生した電子ビームのブラン
キングを行うブランカー（ブランキング電極）１７を制
御するブランキングコントロール回路１８に供給され
る。
は磁気ディスクのごときパターンデータメモリー１２か
らのパターンデータをデータ転送回路１３に転送する。
データ転送回路１３からのパターンデータは、成形偏向
器６を制御する制御回路１４、位置決め偏向器１０を制
御する制御回路１５、対物レンズ８の励磁を制御する制
御回路１６、電子銃１から発生した電子ビームのブラン
キングを行うブランカー（ブランキング電極）１７を制
御するブランキングコントロール回路１８に供給され
る。
【００１７】更に、制御ＣＰＵ１１は、材料９のフィー
ルド毎の移動のために、材料９が載せられたステージ２
０の駆動回路２１を制御する。このような構成の動作を
次に説明する。
ルド毎の移動のために、材料９が載せられたステージ２
０の駆動回路２１を制御する。このような構成の動作を
次に説明する。
【００１８】まず、基本的な描画動作について説明す
る。パターンデータメモリ１２に格納されたパターンデ
ータは、逐次読み出され、データ転送回路１３に供給さ
れる。このデータ転送回路１３からのデータに基づき、
偏向制御回路１４は成形偏向器６を制御し、また、制御
回路１５は位置決め偏向器１０を制御する。
る。パターンデータメモリ１２に格納されたパターンデ
ータは、逐次読み出され、データ転送回路１３に供給さ
れる。このデータ転送回路１３からのデータに基づき、
偏向制御回路１４は成形偏向器６を制御し、また、制御
回路１５は位置決め偏向器１０を制御する。
【００１９】この結果、各パターンデータに基づき、成
形偏向器６により電子ビームの断面が単位パターン形状
に成形され、その単位パターンが順々に材料９上にショ
ットされ、所望の形状のパターン描画が行われる。な
お、この時、ブランキングコントロール回路１８からブ
ランカー１７へのブランキング信号により、材料９への
電子ビームのショットに同期して電子ビームのブランキ
ングが実行される。
形偏向器６により電子ビームの断面が単位パターン形状
に成形され、その単位パターンが順々に材料９上にショ
ットされ、所望の形状のパターン描画が行われる。な
お、この時、ブランキングコントロール回路１８からブ
ランカー１７へのブランキング信号により、材料９への
電子ビームのショットに同期して電子ビームのブランキ
ングが実行される。
【００２０】更に、材料９上の異なった領域への描画の
際には、制御ＣＰＵ１１からステージ駆動回路２１への
指令により、ステージ２０は所定の距離移動させられ
る。なお、ステージ２０の移動距離は、図示していない
が、レーザー測長器により監視されており、測長器から
の測長結果に基づき、ステージの位置は正確に制御され
る。
際には、制御ＣＰＵ１１からステージ駆動回路２１への
指令により、ステージ２０は所定の距離移動させられ
る。なお、ステージ２０の移動距離は、図示していない
が、レーザー測長器により監視されており、測長器から
の測長結果に基づき、ステージの位置は正確に制御され
る。
【００２１】さて、図１に示したデータ転送回路１３
は、具体的には図２に示すような構成を有している。す
なわち、制御ＣＰＵ１１からのパターンデータが供給さ
れる加算回路２３，各区画のフィールドからの位置座標
が格納されているレジスタ２４，加算回路２３の加算結
果が格納されるデータメモリ２５を有している。
は、具体的には図２に示すような構成を有している。す
なわち、制御ＣＰＵ１１からのパターンデータが供給さ
れる加算回路２３，各区画のフィールドからの位置座標
が格納されているレジスタ２４，加算回路２３の加算結
果が格納されるデータメモリ２５を有している。
【００２２】次に、図３に示すような複数の区画（ｆ１
〜ｆ４）をまとめて１フィールドＦとして描画を行う場
合について説明する。レジスタ２４には、図４に示すよ
うな各区画の基準座標位置（区画の左上の座標位置）が
格納されている。制御ＣＰＵ１１から区画ｆ１のデータ
が転送されると加算回路２１はデータの位置座標に基準
座標位置を加算する。区画ｆ１基準座標位置（Ｘ0，
Ｙ0）はフィールドｆの原点と同じであるので、データ
の加算結果に変化はない。
〜ｆ４）をまとめて１フィールドＦとして描画を行う場
合について説明する。レジスタ２４には、図４に示すよ
うな各区画の基準座標位置（区画の左上の座標位置）が
格納されている。制御ＣＰＵ１１から区画ｆ１のデータ
が転送されると加算回路２１はデータの位置座標に基準
座標位置を加算する。区画ｆ１基準座標位置（Ｘ0，
Ｙ0）はフィールドｆの原点と同じであるので、データ
の加算結果に変化はない。
【００２３】次に、区画ｆ２のデータが転送されると、
加算回路２３はデータの座標位置に図４に示す区画ｆ２
の座標位置（Ｘ0，Ｙ1）が加算される。この加算された
区画ｆ２のデータは、データメモリ２５に送られて記憶
される。同様にして、区画ｆ３，ｆ４のデータも加算回
路２３においてそれぞれの座標位置と加算され、データ
メモリ２５に送られて記憶される。このようにして、デ
ータメモリ２５内には、４つの区画が結合されたデータ
が記憶されることになる。データメモリ２５内に記憶さ
れたフィールドＦのデータは読み出されて、偏向制御器
１４，位置決め偏向器１０を制御する。
加算回路２３はデータの座標位置に図４に示す区画ｆ２
の座標位置（Ｘ0，Ｙ1）が加算される。この加算された
区画ｆ２のデータは、データメモリ２５に送られて記憶
される。同様にして、区画ｆ３，ｆ４のデータも加算回
路２３においてそれぞれの座標位置と加算され、データ
メモリ２５に送られて記憶される。このようにして、デ
ータメモリ２５内には、４つの区画が結合されたデータ
が記憶されることになる。データメモリ２５内に記憶さ
れたフィールドＦのデータは読み出されて、偏向制御器
１４，位置決め偏向器１０を制御する。
【００２４】以上本発明の一実施形態を説明したが、本
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、４つの
区画からなるフィールドを例に説明したが、区画の数は
任意に選択することができる。更に、可変面積型電子ビ
ーム描画装置を例に説明したが、本発明は被描画材料に
細く絞った電子ビームを照射するようにした電子ビーム
描画装置にも適用することができるし、電子ビーム以外
の荷電粒子ビームを用いる描画装置にも適用できる。
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、４つの
区画からなるフィールドを例に説明したが、区画の数は
任意に選択することができる。更に、可変面積型電子ビ
ーム描画装置を例に説明したが、本発明は被描画材料に
細く絞った電子ビームを照射するようにした電子ビーム
描画装置にも適用することができるし、電子ビーム以外
の荷電粒子ビームを用いる描画装置にも適用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、複数
の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの
描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送する
過程で、加算器により各区画データの位置と各区画のフ
ィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデータ
メモリに記憶させるようにした。そのため、複雑なソフ
トウェアによって区画データの結合を行うことがなくな
り、描画のスループットを向上させることができる。
の区画データを組み合わせて一単位としたフィールドの
描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送する
過程で、加算器により各区画データの位置と各区画のフ
ィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデータ
メモリに記憶させるようにした。そのため、複雑なソフ
トウェアによって区画データの結合を行うことがなくな
り、描画のスループットを向上させることができる。
【図１】本発明を実施するための電子ビーム描画装置の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図２】データ転送回路の具体例を示す図である。
【図３】フィールドＦと区画ｆ１〜ｆ４を示す図であ
る。
る。
【図４】レジスタの内容を示す図である。
１ 電子銃 ２ 照射レンズ ３ 第１アパーチャ ４ 成形レンズ ５ 第２アパーチャ ６ 成形偏向器 ７ 縮小レンズ ８ 対物レンズ ９ 被描画材料 １０ 位置決め偏向器 １１ 制御ＣＰＵ １２ パターンデータメモリー １３ データ転送回路 １４ 成形偏向器制御回路 １５ 位置決め偏向器制御回路 １６ 対物レンズ制御回路 １７ ブランカー １８ ブランキングコントロール回路 １９ ショット時間補正メモリ ２０ ステージ ２１ ステージ駆動回路 ２３ 加算回路 ２４ レジスタ ２５ データメモリ
Claims (1)
- 【請求項１】 描画データを描画フィールドに分割して
描画するときに、一辺の長さが描画装置の最大フィール
ドの長さの整数分の１とした区画を作っておき、パター
ン描画時に描画目的に応じて、前記区画データを一単位
としたフィールドの描画をするか、あるいは、複数の区
画データを組み合わせて一単位としたフィールドの描画
をするようにした荷電粒子ビーム描画方法において、複
数の区画データを組み合わせて一単位としたフィールド
の描画を行う際、各区画データをデータメモリに転送す
る過程で、加算器により各区画データの位置と各区画の
フィールド内の位置とを加算し、加算したデータをデー
タメモリに記憶させるようにし、データメモリに記憶さ
れたフィールドのデータに基づいて所望の描画を行うよ
うにした荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000384991A JP3967546B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000384991A JP3967546B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184681A true JP2002184681A (ja) | 2002-06-28 |
| JP3967546B2 JP3967546B2 (ja) | 2007-08-29 |
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ID=18852341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000384991A Expired - Fee Related JP3967546B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3967546B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100583964B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 도드라진 셀 랜딩패드를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 |
| JP2012069661A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
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| JPH02183515A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光装置 |
| JPH03219617A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-27 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
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| JPH11274036A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置 |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000384991A patent/JP3967546B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR100583964B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 도드라진 셀 랜딩패드를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 |
| JP2012069661A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
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