JP2002201065A - 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP2002201065A JP2002201065A JP2001243451A JP2001243451A JP2002201065A JP 2002201065 A JP2002201065 A JP 2002201065A JP 2001243451 A JP2001243451 A JP 2001243451A JP 2001243451 A JP2001243451 A JP 2001243451A JP 2002201065 A JP2002201065 A JP 2002201065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- abo
- powder
- compound
- crystal grain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/346—Titania or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/66—Forming laminates or joined articles showing high dimensional accuracy, e.g. indicated by the warpage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 還元性雰囲気での焼成によって得られる積層
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成する
のに適した誘電体セラミックであって、薄層化しても、
高温高電圧負荷時の寿命が長く、直流電圧印加下での静
電容量の経時変化が小さく、信頼性に優れた誘電体セラ
ミックを提供する。 【解決手段】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
のうちの少なくとも１種、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆ
のうちの少なくとも１種）を主成分とし、添加成分とし
て、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹの
うちの少なくとも１種）およびＭ（Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、
ＣｒおよびＭｎのうちの少なくとも１種）を含有する誘
電体セラミックであって、結晶粒界に位置する複数の分
析点のうちの７０％以上の分析点において、ＲおよびＭ
を含む。
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成する
のに適した誘電体セラミックであって、薄層化しても、
高温高電圧負荷時の寿命が長く、直流電圧印加下での静
電容量の経時変化が小さく、信頼性に優れた誘電体セラ
ミックを提供する。 【解決手段】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
のうちの少なくとも１種、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆ
のうちの少なくとも１種）を主成分とし、添加成分とし
て、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹの
うちの少なくとも１種）およびＭ（Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、
ＣｒおよびＭｎのうちの少なくとも１種）を含有する誘
電体セラミックであって、結晶粒界に位置する複数の分
析点のうちの７０％以上の分析点において、ＲおよびＭ
を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体セラミッ
クおよびその製造方法、ならびにこの誘電体セラミック
を用いて構成される積層セラミックコンデンサに関する
もので、積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラ
ミック層の薄層化を有利に図り得るようにするための改
良に関するものである。
クおよびその製造方法、ならびにこの誘電体セラミック
を用いて構成される積層セラミックコンデンサに関する
もので、積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラ
ミック層の薄層化を有利に図り得るようにするための改
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、以下のよ
うにして製造されるのが一般的である。
うにして製造されるのが一般的である。
【０００３】まず、その表面に、所望のパターンをもっ
て内部電極となる導電材料を付与した、誘電体セラミッ
ク原料を含むセラミックグリーンシートが用意される。
誘電体セラミックとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3 を
主成分とするものが用いられる。
て内部電極となる導電材料を付与した、誘電体セラミッ
ク原料を含むセラミックグリーンシートが用意される。
誘電体セラミックとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3 を
主成分とするものが用いられる。
【０００４】次に、上述した導電材料を付与したセラミ
ックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシ
ートが積層され、熱圧着され、それによって一体化され
た生の積層体が作製される。
ックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシ
ートが積層され、熱圧着され、それによって一体化され
た生の積層体が作製される。
【０００５】次に、この生の積層体は焼成され、それに
よって、焼結後の積層体が得られる。この積層体の内部
には、上述した導電材料をもって構成された内部電極が
形成されている。
よって、焼結後の積層体が得られる。この積層体の内部
には、上述した導電材料をもって構成された内部電極が
形成されている。
【０００６】次いで、積層体の外表面上に、内部電極の
特定のものに電気的に接続されるように、外部電極が形
成される。外部電極は、たとえば、導電性金属粉末およ
びガラスフリットを含む導電性ペーストを積層体の外表
面上に付与し、焼き付けることによって形成される。
特定のものに電気的に接続されるように、外部電極が形
成される。外部電極は、たとえば、導電性金属粉末およ
びガラスフリットを含む導電性ペーストを積層体の外表
面上に付与し、焼き付けることによって形成される。
【０００７】このようにして、積層コンデンサが完成さ
れる。
れる。
【０００８】上述した内部電極のための導電材料とし
て、近年、積層セラミックコンデンサの製造コストをで
きるだけ低くするため、たとえばニッケルまたは銅のよ
うな比較的安価な卑金属を用いることが多くなってきて
いる。しかしながら、卑金属をもって内部電極を形成し
た積層セラミックコンデンサを製造しようとする場合、
焼成時における卑金属の酸化を防止するため、中性また
は還元性雰囲気中での焼成を適用しなければならず、そ
のため、積層セラミックコンデンサにおいて用いられる
誘電体セラミックは、耐還元性を有していなければなら
ない。
て、近年、積層セラミックコンデンサの製造コストをで
きるだけ低くするため、たとえばニッケルまたは銅のよ
うな比較的安価な卑金属を用いることが多くなってきて
いる。しかしながら、卑金属をもって内部電極を形成し
た積層セラミックコンデンサを製造しようとする場合、
焼成時における卑金属の酸化を防止するため、中性また
は還元性雰囲気中での焼成を適用しなければならず、そ
のため、積層セラミックコンデンサにおいて用いられる
誘電体セラミックは、耐還元性を有していなければなら
ない。
【０００９】上述のような耐還元性を有する誘電体セラ
ミックとして、たとえば、特開平５−９０６６号公報、
特開平５−９０６７号公報または特開平５−９０６８号
公報においては、ＢａＴｉＯ3 −希土類酸化物−Ｃｏ2
Ｏ3 系の組成が提案されている。また、特開平６−５４
６０号公報または特開平９−２７０３６６号公報では、
高い誘電率を有し、誘電率の温度変化が小さく、高温負
荷寿命が長い、誘電体セラミックが提案されている。
ミックとして、たとえば、特開平５−９０６６号公報、
特開平５−９０６７号公報または特開平５−９０６８号
公報においては、ＢａＴｉＯ3 −希土類酸化物−Ｃｏ2
Ｏ3 系の組成が提案されている。また、特開平６−５４
６０号公報または特開平９−２７０３６６号公報では、
高い誘電率を有し、誘電率の温度変化が小さく、高温負
荷寿命が長い、誘電体セラミックが提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
ス技術の発展に伴い、電子部品の小型化が急速に進行
し、積層セラミックコンデンサについても、小型化かつ
大容量化の傾向が顕著になってきている。
ス技術の発展に伴い、電子部品の小型化が急速に進行
し、積層セラミックコンデンサについても、小型化かつ
大容量化の傾向が顕著になってきている。
【００１１】したがって、内部電極に使用する卑金属が
酸化されない焼成雰囲気においても、誘電率が高く、誘
電率の温度変化および経時変化が小さく、誘電体セラミ
ック層が薄層化されても、電気絶縁性が高く、それゆえ
信頼性に優れた誘電体セラミックを望む要求が強くなっ
てきている。しかしながら、前述したような従来の誘電
体セラミックは、必ずしも、この要求を十分に満足し得
るものではない。
酸化されない焼成雰囲気においても、誘電率が高く、誘
電率の温度変化および経時変化が小さく、誘電体セラミ
ック層が薄層化されても、電気絶縁性が高く、それゆえ
信頼性に優れた誘電体セラミックを望む要求が強くなっ
てきている。しかしながら、前述したような従来の誘電
体セラミックは、必ずしも、この要求を十分に満足し得
るものではない。
【００１２】たとえば、特開平５−９０６６号公報、特
開平５−９０６７号公報または特開平５−９０６８号公
報に記載された誘電体セラミックは、ＥＩＡ規格におけ
るＸ７Ｒ特性を満足し、かつ高い電気絶縁性を示すもの
の、誘電体セラミック層を薄層化したとき、具体的に
は、５μｍ以下、特に３μｍ以下というように薄層化し
たときの信頼性に関しては、必ずしも、市場の要求を十
分満たし得るものではない。
開平５−９０６７号公報または特開平５−９０６８号公
報に記載された誘電体セラミックは、ＥＩＡ規格におけ
るＸ７Ｒ特性を満足し、かつ高い電気絶縁性を示すもの
の、誘電体セラミック層を薄層化したとき、具体的に
は、５μｍ以下、特に３μｍ以下というように薄層化し
たときの信頼性に関しては、必ずしも、市場の要求を十
分満たし得るものではない。
【００１３】また、特開平６−５４６０号公報に記載さ
れる誘電体セラミックは、これを得るために用いられる
ＢａＴｉＯ3 粉末の粒径が大きいため、誘電体セラミッ
ク層が薄層化されるに従って、信頼性が低下し、また、
静電容量の経時変化が大きいという問題がある。
れる誘電体セラミックは、これを得るために用いられる
ＢａＴｉＯ3 粉末の粒径が大きいため、誘電体セラミッ
ク層が薄層化されるに従って、信頼性が低下し、また、
静電容量の経時変化が大きいという問題がある。
【００１４】同様に、特開平９−２７０３６６号公報に
記載される誘電体セラミックも、薄層化されるに従っ
て、信頼性が低下し、また、直流電圧印加での静電容量
の経時変化が大きいという問題がある。
記載される誘電体セラミックも、薄層化されるに従っ
て、信頼性が低下し、また、直流電圧印加での静電容量
の経時変化が大きいという問題がある。
【００１５】以上のようなことから、積層セラミックコ
ンデンサの小型化かつ大容量化に対応するために、誘電
体セラミック層を薄層化した場合、定格電圧を薄層化す
る前と同じであると、誘電体セラミック層の１層あたり
に印加される電界強度が大きくなるため、室温または高
温での絶縁抵抗が低くなってしまうことなどの点で、信
頼性が著しく低下してしまう。そのため、従来の誘電体
セラミックを用いる場合には、誘電体セラミック層を薄
層化するにあたって、定格電圧を下げる必要がある。
ンデンサの小型化かつ大容量化に対応するために、誘電
体セラミック層を薄層化した場合、定格電圧を薄層化す
る前と同じであると、誘電体セラミック層の１層あたり
に印加される電界強度が大きくなるため、室温または高
温での絶縁抵抗が低くなってしまうことなどの点で、信
頼性が著しく低下してしまう。そのため、従来の誘電体
セラミックを用いる場合には、誘電体セラミック層を薄
層化するにあたって、定格電圧を下げる必要がある。
【００１６】そこで、誘電体セラミック層を薄層化しな
がらも、定格電圧を下げる必要がなく、また、高い電界
強度下での絶縁抵抗が高く、信頼性に優れた、積層セラ
ミックコンデンサの実現が望まれるところである。
がらも、定格電圧を下げる必要がなく、また、高い電界
強度下での絶縁抵抗が高く、信頼性に優れた、積層セラ
ミックコンデンサの実現が望まれるところである。
【００１７】また、積層セラミックコンデンサは、通
常、直流電圧を印加した状態で使用されるため、静電容
量が経時的に変化することが知られている。しかしなが
ら、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化に
伴う誘電体セラミック層の薄層化の結果、誘電体セラミ
ック層の１層あたりの直流電界強度が高くなり、静電容
量の経時変化がより大きくなるという問題がある。
常、直流電圧を印加した状態で使用されるため、静電容
量が経時的に変化することが知られている。しかしなが
ら、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化に
伴う誘電体セラミック層の薄層化の結果、誘電体セラミ
ック層の１層あたりの直流電界強度が高くなり、静電容
量の経時変化がより大きくなるという問題がある。
【００１８】そこで、直流電圧が印加された状態での静
電容量の経時変化が小さい、積層セラミックコンデンサ
が望まれるところである。
電容量の経時変化が小さい、積層セラミックコンデンサ
が望まれるところである。
【００１９】したがって、この発明の目的は、誘電率が
高く、誘電率の温度変化および直流電圧印加下での経時
変化が小さく、誘電損失が小さく、絶縁抵抗と静電容量
との積（ＣＲ積）が高く、高温高電圧における絶縁抵抗
の加速寿命が長い、誘電体セラミックおよびその製造方
法、ならびにこの誘電体セラミックを用いて構成される
積層セラミックコンデンサを提供しようとすることであ
る。
高く、誘電率の温度変化および直流電圧印加下での経時
変化が小さく、誘電損失が小さく、絶縁抵抗と静電容量
との積（ＣＲ積）が高く、高温高電圧における絶縁抵抗
の加速寿命が長い、誘電体セラミックおよびその製造方
法、ならびにこの誘電体セラミックを用いて構成される
積層セラミックコンデンサを提供しようとすることであ
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体セ
ラミックは、ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａか
ら選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒお
よびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を主成
分とし、添加成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれた少なくとも
１種である。）およびＭ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃ
ｒおよびＭｎから選ばれた少なくとも１種である。）を
含有するものであり、この誘電体セラミックは、ＡＢＯ
3 を主成分とする結晶粒子とこれら結晶粒子間を占める
結晶粒界とを備え、この誘電体セラミックの断面におい
て、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶
粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶
粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以
上の分析点において、上述したＲおよびＭを含むことを
特徴としている。
ラミックは、ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａか
ら選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒお
よびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を主成
分とし、添加成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれた少なくとも
１種である。）およびＭ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃ
ｒおよびＭｎから選ばれた少なくとも１種である。）を
含有するものであり、この誘電体セラミックは、ＡＢＯ
3 を主成分とする結晶粒子とこれら結晶粒子間を占める
結晶粒界とを備え、この誘電体セラミックの断面におい
て、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶
粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶
粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以
上の分析点において、上述したＲおよびＭを含むことを
特徴としている。
【００２１】この発明に係る誘電体セラミックにおい
て、添加成分として、さらにＳｉを含有していてもよ
い。この場合、誘電体セラミックの断面において、結晶
粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶粒子の外
周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶粒界を分
析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以上の分析
点において、Ｒ、ＭおよびＳｉを含むようにされる。
て、添加成分として、さらにＳｉを含有していてもよ
い。この場合、誘電体セラミックの断面において、結晶
粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶粒子の外
周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶粒界を分
析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以上の分析
点において、Ｒ、ＭおよびＳｉを含むようにされる。
【００２２】上述した結晶粒界の分析方法としては、エ
ネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法が好適に用いられ
る。
ネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法が好適に用いられ
る。
【００２３】上述した誘電体セラミックは、これに限定
されないが、たとえば、以下のような方法によって好適
に製造することができる。この発明は、このような誘電
体セラミックの製造方法にも向けられる。
されないが、たとえば、以下のような方法によって好適
に製造することができる。この発明は、このような誘電
体セラミックの製造方法にも向けられる。
【００２４】この発明に係る誘電体セラミックの製造方
法は、ＡＢＯ3 を合成し、粉砕することによって、ＡＢ
Ｏ3 粉末を得る工程と、Ｒを含有するＲ化合物、および
Ｍを含有するＭ化合物をそれぞれ用意する工程と、Ｒ化
合物とＭ化合物とを混合し、得られた混合物を仮焼し、
粉砕することによって、添加成分仮焼粉末を得る工程
と、ＡＢＯ3 と添加成分仮焼粉末とを混合して得られた
混合粉末を成形することによって、成形体を得る工程
と、成形体を焼成する工程とを備えることを特徴として
いる。
法は、ＡＢＯ3 を合成し、粉砕することによって、ＡＢ
Ｏ3 粉末を得る工程と、Ｒを含有するＲ化合物、および
Ｍを含有するＭ化合物をそれぞれ用意する工程と、Ｒ化
合物とＭ化合物とを混合し、得られた混合物を仮焼し、
粉砕することによって、添加成分仮焼粉末を得る工程
と、ＡＢＯ3 と添加成分仮焼粉末とを混合して得られた
混合粉末を成形することによって、成形体を得る工程
と、成形体を焼成する工程とを備えることを特徴として
いる。
【００２５】前述したように、得ようとする誘電体セラ
ミックが添加成分としてＳｉを含有している場合には、
たとえばＳｉＯ2 のようなＳｉを含有するＳｉ化合物が
用意され、前述した添加成分仮焼粉末を得る工程におい
て、Ｒ化合物およびＭ化合物に加えて、Ｓｉ化合物が混
合される。
ミックが添加成分としてＳｉを含有している場合には、
たとえばＳｉＯ2 のようなＳｉを含有するＳｉ化合物が
用意され、前述した添加成分仮焼粉末を得る工程におい
て、Ｒ化合物およびＭ化合物に加えて、Ｓｉ化合物が混
合される。
【００２６】この発明は、また、上述のような誘電体セ
ラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサ
にも向けられる。
ラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサ
にも向けられる。
【００２７】この発明に係る積層セラミックコンデンサ
は、複数の積層された誘電体セラミック層および誘電体
セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電
極を含む、積層体と、内部電極の特定のものに電気的に
接続されるように積層体の外表面上に形成される外部電
極とを備えるもので、誘電体セラミック層が、上述した
ような誘電体セラミックからなり、内部電極が、卑金属
を導電成分として含むことを特徴としている。
は、複数の積層された誘電体セラミック層および誘電体
セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電
極を含む、積層体と、内部電極の特定のものに電気的に
接続されるように積層体の外表面上に形成される外部電
極とを備えるもので、誘電体セラミック層が、上述した
ような誘電体セラミックからなり、内部電極が、卑金属
を導電成分として含むことを特徴としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図
である。
よる積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図
である。
【００２９】積層セラミックコンデンサ１は、積層体２
を備えている。積層体２は、積層される複数の誘電体セ
ラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３の間の特
定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部
電極４および５とをもって構成される。内部電極４およ
び５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成さ
れるが、積層体２の一方の端面６にまで引き出される内
部電極４と他方の端面７にまで引き出される内部電極５
とが、積層体２の内部において交互に配置されている。
を備えている。積層体２は、積層される複数の誘電体セ
ラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３の間の特
定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部
電極４および５とをもって構成される。内部電極４およ
び５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成さ
れるが、積層体２の一方の端面６にまで引き出される内
部電極４と他方の端面７にまで引き出される内部電極５
とが、積層体２の内部において交互に配置されている。
【００３０】積層体２の外表面上であって、端面６およ
び７上には、外部電極８および９がそれぞれ形成されて
いる。また、外部電極８および９上には、ニッケル、銅
などからなる第１のめっき層１０および１１がそれぞれ
形成され、さらにその上には、半田、錫などからなる第
２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成されてい
る。
び７上には、外部電極８および９がそれぞれ形成されて
いる。また、外部電極８および９上には、ニッケル、銅
などからなる第１のめっき層１０および１１がそれぞれ
形成され、さらにその上には、半田、錫などからなる第
２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成されてい
る。
【００３１】このような積層セラミックコンデンサ１に
おいて、誘電体セラミック層３は、ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂ
ａ、ＳｒおよびＣａから選ばれた少なくとも１種であ
り、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれた少なくと
も１種である。）を主成分とし、添加成分として、Ｒ
（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹか
ら選ばれた少なくとも１種である。）およびＭ（Ｍは、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｒおよびＭｎから選ばれた少なく
とも１種である。）を含有する、誘電体セラミックから
構成される。
おいて、誘電体セラミック層３は、ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂ
ａ、ＳｒおよびＣａから選ばれた少なくとも１種であ
り、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれた少なくと
も１種である。）を主成分とし、添加成分として、Ｒ
（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹか
ら選ばれた少なくとも１種である。）およびＭ（Ｍは、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｒおよびＭｎから選ばれた少なく
とも１種である。）を含有する、誘電体セラミックから
構成される。
【００３２】この誘電体セラミックは、ＡＢＯ3 を主成
分とする結晶粒子とこれら結晶粒子間を占める結晶粒界
とを備えるものであるが、この誘電体セラミックの断面
において、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、
各結晶粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置す
る結晶粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７
０％以上の分析点において、上述したＲおよびＭを含む
ことを特徴としている。すなわち、誘電体セラミック
は、結晶粒界の７０％以上の領域において、ＲおよびＭ
が存在していることを特徴としている。
分とする結晶粒子とこれら結晶粒子間を占める結晶粒界
とを備えるものであるが、この誘電体セラミックの断面
において、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、
各結晶粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置す
る結晶粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７
０％以上の分析点において、上述したＲおよびＭを含む
ことを特徴としている。すなわち、誘電体セラミック
は、結晶粒界の７０％以上の領域において、ＲおよびＭ
が存在していることを特徴としている。
【００３３】この誘電体セラミックは、添加成分とし
て、Ｓｉをさらに含有していてもよく、この場合には、
誘電体セラミックの断面において、結晶粒子の複数を無
作為にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほぼ４等分
する任意の４点が位置する結晶粒界を分析したとき、該
複数の分析点のうちの７０％以上の分析点において、
Ｒ、ＭおよびＳｉを含むようにされる。
て、Ｓｉをさらに含有していてもよく、この場合には、
誘電体セラミックの断面において、結晶粒子の複数を無
作為にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほぼ４等分
する任意の４点が位置する結晶粒界を分析したとき、該
複数の分析点のうちの７０％以上の分析点において、
Ｒ、ＭおよびＳｉを含むようにされる。
【００３４】上述したように、ＲおよびＭ、場合によっ
ては、さらにＳｉが、結晶粒界における７０％以上の分
析点で存在しない場合には、高温高電圧における絶縁抵
抗の加速寿命が短くなったり、誘電体セラミック層３を
薄層化した場合の信頼性が低下したり、直流電圧印加で
の静電容量の経時変化が大きくなったりすることが、後
述する実験例からわかるように、判明している。
ては、さらにＳｉが、結晶粒界における７０％以上の分
析点で存在しない場合には、高温高電圧における絶縁抵
抗の加速寿命が短くなったり、誘電体セラミック層３を
薄層化した場合の信頼性が低下したり、直流電圧印加で
の静電容量の経時変化が大きくなったりすることが、後
述する実験例からわかるように、判明している。
【００３５】上述した結晶粒界には、Ｒ、ＭおよびＳｉ
のほかに、主成分の構成元素であるＡもしくはＢ、また
は、Ｍｇ、Ｖ、Ｂ、Ａｌなどが存在していても、電気的
特性を低下させることはない。
のほかに、主成分の構成元素であるＡもしくはＢ、また
は、Ｍｇ、Ｖ、Ｂ、Ａｌなどが存在していても、電気的
特性を低下させることはない。
【００３６】なお、この明細書において「結晶粒界」と
は、ＡＢＯ3 を主成分とする２つの結晶粒子の間に形成
される領域を指す場合と、３つ以上の結晶粒子の間に形
成される領域（いわゆる３重点）を指す場合とがある。
より具体的には、誘電体セラミックの断面において、結
晶学的に結晶粒子間に明らかな層が観察された場合、こ
れが結晶粒界となる。また、誘電体セラミックの断面に
おいて、結晶学的に結晶粒子間に他の層が観察されず、
結晶粒子同士が接合されている場合には、接合点および
接合線を中心とした２ｎｍずつの領域が結晶粒界とな
る。
は、ＡＢＯ3 を主成分とする２つの結晶粒子の間に形成
される領域を指す場合と、３つ以上の結晶粒子の間に形
成される領域（いわゆる３重点）を指す場合とがある。
より具体的には、誘電体セラミックの断面において、結
晶学的に結晶粒子間に明らかな層が観察された場合、こ
れが結晶粒界となる。また、誘電体セラミックの断面に
おいて、結晶学的に結晶粒子間に他の層が観察されず、
結晶粒子同士が接合されている場合には、接合点および
接合線を中心とした２ｎｍずつの領域が結晶粒界とな
る。
【００３７】内部電極４および５は、たとえば、ニッケ
ル、ニッケル合金、銅または銅合金のような卑金属を導
電成分として含んでいる。
ル、ニッケル合金、銅または銅合金のような卑金属を導
電成分として含んでいる。
【００３８】また、外部電極８および９は、導電性金属
粉末の焼結層またはガラスフリットを添加した導電性金
属粉末の焼結層をもって構成される。
粉末の焼結層またはガラスフリットを添加した導電性金
属粉末の焼結層をもって構成される。
【００３９】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００４０】まず、誘電体セラミック層３を構成する誘
電体セラミックの原料粉末が用意される。この原料粉末
は、以下のようにして作製されることが好ましい。な
お、以下の説明は、誘電体セラミックが、添加成分とし
て、Ｓｉをも含有する場合について説明する。
電体セラミックの原料粉末が用意される。この原料粉末
は、以下のようにして作製されることが好ましい。な
お、以下の説明は、誘電体セラミックが、添加成分とし
て、Ｓｉをも含有する場合について説明する。
【００４１】まず、ＡＢＯ3 が合成され、粉砕されるこ
とによって、ＡＢＯ3 粉末が作製される。
とによって、ＡＢＯ3 粉末が作製される。
【００４２】他方、Ｒを含有するＲ化合物、Ｍを含有す
るＭ化合物およびＳｉを含有するＳｉ化合物がそれぞれ
用意される。
るＭ化合物およびＳｉを含有するＳｉ化合物がそれぞれ
用意される。
【００４３】次いで、Ｒ化合物とＭ化合物とＳｉ化合物
とを混合し、得られた混合物を仮焼し、粉砕することに
よって、添加成分仮焼粉末が作製される。
とを混合し、得られた混合物を仮焼し、粉砕することに
よって、添加成分仮焼粉末が作製される。
【００４４】そして、ＡＢＯ3 粉末とこの添加成分仮焼
粉末とを混合して得られた混合粉末が、誘電体セラミッ
クの原料粉末として用いられる。
粉末とを混合して得られた混合粉末が、誘電体セラミッ
クの原料粉末として用いられる。
【００４５】上述のように、ＡＢＯ3 粉末と添加成分仮
焼粉末とを別々に作製した後、これらを混合して得られ
た混合粉末を、原料粉末として用いることにより、この
混合粉末を成形して得られた成形体を焼成して誘電体セ
ラミックを作製したとき、その結晶粒界に、ＲおよびＭ
を比較的均一に存在させることがより容易になる。
焼粉末とを別々に作製した後、これらを混合して得られ
た混合粉末を、原料粉末として用いることにより、この
混合粉末を成形して得られた成形体を焼成して誘電体セ
ラミックを作製したとき、その結晶粒界に、ＲおよびＭ
を比較的均一に存在させることがより容易になる。
【００４６】他方、誘電体セラミックの原料粉末とし
て、たとえば、ＡＯ、ＢＯ2 、Ｒ2 Ｏ 3 、ＭＯおよびＳ
ｉＯ2 をすべて混合して、一度に反応させて得られたも
の、あるいは、ＡＢＯ3 、Ｒ2 Ｏ3 、ＭＯおよびＳｉＯ
2 をすべて混合して、一度に反応させて得られたものな
どを用いると、焼成して得られた誘電体セラミックにお
いて、結晶粒界の組成が不均一になりやすい。
て、たとえば、ＡＯ、ＢＯ2 、Ｒ2 Ｏ 3 、ＭＯおよびＳ
ｉＯ2 をすべて混合して、一度に反応させて得られたも
の、あるいは、ＡＢＯ3 、Ｒ2 Ｏ3 、ＭＯおよびＳｉＯ
2 をすべて混合して、一度に反応させて得られたものな
どを用いると、焼成して得られた誘電体セラミックにお
いて、結晶粒界の組成が不均一になりやすい。
【００４７】誘電体セラミックの原料粉末に関して、Ａ
ＢＯ3 粉末の平均粒径は、誘電体セラミック層３の薄層
化に対応するには、０．０５〜０．７μｍであることが
望ましい。このような粒径のＡＢＯ3 粉末を原料として
用いた場合、誘電体セラミック層３は、問題なく、１μ
ｍ程度にまで薄層化することができる。
ＢＯ3 粉末の平均粒径は、誘電体セラミック層３の薄層
化に対応するには、０．０５〜０．７μｍであることが
望ましい。このような粒径のＡＢＯ3 粉末を原料として
用いた場合、誘電体セラミック層３は、問題なく、１μ
ｍ程度にまで薄層化することができる。
【００４８】次に、ＡＢＯ3 粉末と添加成分仮焼粉末と
を混合して得られた混合粉末に、有機バインダおよび溶
剤を添加し、混合することによって、スラリーが作製さ
れ、このスラリーを用いて、誘電体セラミック層３とな
るセラミックグリーンシートが成形される。
を混合して得られた混合粉末に、有機バインダおよび溶
剤を添加し、混合することによって、スラリーが作製さ
れ、このスラリーを用いて、誘電体セラミック層３とな
るセラミックグリーンシートが成形される。
【００４９】次いで、特定のセラミックグリーンシート
上に、内部電極４または５となるべき導電性ペースト膜
がたとえばスクリーン印刷によって形成される。この導
電性ペースト膜は、前述したように、ニッケル、ニッケ
ル合金、銅または銅合金を導電成分として含んでいる。
なお、内部電極４および５は、スクリーン印刷法のよう
な印刷法のほか、たとえば、蒸着法、めっき法などによ
って形成されてもよい。
上に、内部電極４または５となるべき導電性ペースト膜
がたとえばスクリーン印刷によって形成される。この導
電性ペースト膜は、前述したように、ニッケル、ニッケ
ル合金、銅または銅合金を導電成分として含んでいる。
なお、内部電極４および５は、スクリーン印刷法のよう
な印刷法のほか、たとえば、蒸着法、めっき法などによ
って形成されてもよい。
【００５０】次いで、上述のように導電性ペースト膜を
形成したセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートが積層され、熱圧着された後、必要
に応じてカットされる。このようにして、複数のセラミ
ックグリーンシート、およびセラミックグリーンシート
間の特定の界面に沿ってそれぞれ形成された内部電極４
および５となるべき導電性ペースト膜が積層された構造
を有する生の積層体が得られる。この生の積層体におい
て、導電性ペースト膜は、その端縁をいずれかの端面に
露出させている。
形成したセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートが積層され、熱圧着された後、必要
に応じてカットされる。このようにして、複数のセラミ
ックグリーンシート、およびセラミックグリーンシート
間の特定の界面に沿ってそれぞれ形成された内部電極４
および５となるべき導電性ペースト膜が積層された構造
を有する生の積層体が得られる。この生の積層体におい
て、導電性ペースト膜は、その端縁をいずれかの端面に
露出させている。
【００５１】次いで、生の積層体は、還元性雰囲気中に
おいて焼成される。これによって、図１に示すような焼
結後の積層体２が得られ、積層体２において、前述のセ
ラミックグリーンシートが誘電体セラミック層３を構成
し、導電性ペースト膜が内部電極４または５を構成す
る。
おいて焼成される。これによって、図１に示すような焼
結後の積層体２が得られ、積層体２において、前述のセ
ラミックグリーンシートが誘電体セラミック層３を構成
し、導電性ペースト膜が内部電極４または５を構成す
る。
【００５２】次いで、内部電極４および５の露出した各
端縁にそれぞれ電気的に接続されるように、積層体２の
端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が
形成される。
端縁にそれぞれ電気的に接続されるように、積層体２の
端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が
形成される。
【００５３】外部電極８および９の材料としては、内部
電極４および５と同じ材料を用いることができるが、
銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども使用可能で
あり、また、これらの金属粉末に、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラ
ス、Ｂ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスな
どからなるガラスフリットを添加したものも使用可能で
ある。積層セラミックコンデンサ１の用途、使用場所な
どを考慮に入れて適当な材料が選択される。
電極４および５と同じ材料を用いることができるが、
銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども使用可能で
あり、また、これらの金属粉末に、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラ
ス、Ｂ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスな
どからなるガラスフリットを添加したものも使用可能で
ある。積層セラミックコンデンサ１の用途、使用場所な
どを考慮に入れて適当な材料が選択される。
【００５４】また、外部電極８および９は、通常、上述
のような導電性金属の粉末を含むペーストを、焼成後の
積層体２の外表面上に塗布し、焼き付けることによって
形成されるが、焼成前の生の積層体の外表面上に塗布
し、積層体２を得るための焼成と同時に焼き付けること
によって形成されてもよい。
のような導電性金属の粉末を含むペーストを、焼成後の
積層体２の外表面上に塗布し、焼き付けることによって
形成されるが、焼成前の生の積層体の外表面上に塗布
し、積層体２を得るための焼成と同時に焼き付けること
によって形成されてもよい。
【００５５】その後、外部電極８および９上に、ニッケ
ル、銅などのめっきを施し、第１のめっき層１０および
１１を形成する。そして、この第１のめっき層１０およ
び１１上に、半田、錫などのめっきを施し、第２のめっ
き層１２および１３を形成する。なお、外部電極８およ
び９上に、このようなめっき層１０〜１３のような導体
層を形成することは、積層セラミックコンデンサ１の用
途によっては省略されることもある。
ル、銅などのめっきを施し、第１のめっき層１０および
１１を形成する。そして、この第１のめっき層１０およ
び１１上に、半田、錫などのめっきを施し、第２のめっ
き層１２および１３を形成する。なお、外部電極８およ
び９上に、このようなめっき層１０〜１３のような導体
層を形成することは、積層セラミックコンデンサ１の用
途によっては省略されることもある。
【００５６】以上のようにして、積層セラミックコンデ
ンサ１が完成される。
ンサ１が完成される。
【００５７】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサ１において、誘電体セラミック層３を構成する
誘電体セラミックは、ＡＢＯ3 を主成分とする結晶粒子
と結晶粒子間を占める結晶粒界とを備えるが、この誘電
体セラミックの断面において、結晶粒子の複数を無作為
にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほぼ４等分する
任意の４点が位置する結晶粒界を分析したとき、該複数
の分析点のうちの７０％以上の分析点において、Ｒおよ
びＭが含まれている。その結果、後述する実験例からわ
かるように、誘電体セラミック層３を構成する誘電体セ
ラミックは、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直
流電圧印加下での静電容量の経時変化が小さく、誘電損
失が小さく、絶縁抵抗が高く、高温高電圧における絶縁
抵抗の加速寿命が長く、そのため、誘電体セラミック層
３を薄層化しても、優れた信頼性を有する積層セラミッ
クコンデンサ１とすることができる。
ンデンサ１において、誘電体セラミック層３を構成する
誘電体セラミックは、ＡＢＯ3 を主成分とする結晶粒子
と結晶粒子間を占める結晶粒界とを備えるが、この誘電
体セラミックの断面において、結晶粒子の複数を無作為
にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほぼ４等分する
任意の４点が位置する結晶粒界を分析したとき、該複数
の分析点のうちの７０％以上の分析点において、Ｒおよ
びＭが含まれている。その結果、後述する実験例からわ
かるように、誘電体セラミック層３を構成する誘電体セ
ラミックは、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直
流電圧印加下での静電容量の経時変化が小さく、誘電損
失が小さく、絶縁抵抗が高く、高温高電圧における絶縁
抵抗の加速寿命が長く、そのため、誘電体セラミック層
３を薄層化しても、優れた信頼性を有する積層セラミッ
クコンデンサ１とすることができる。
【００５８】なお、誘電体セラミックの原料粉末の作製
や、その他の積層セラミックコンデンサ１の製造工程の
いずれかの段階において、Ａｌ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｎ
ａ、Ｎ等が不純物として混入する可能性があるが、これ
ら不純物の混入は、積層セラミックコンデンサ１の電気
的特性上、問題となることはない。
や、その他の積層セラミックコンデンサ１の製造工程の
いずれかの段階において、Ａｌ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｎ
ａ、Ｎ等が不純物として混入する可能性があるが、これ
ら不純物の混入は、積層セラミックコンデンサ１の電気
的特性上、問題となることはない。
【００５９】また、積層セラミックコンデンサ１の製造
工程のいずれかの段階において、内部電極４および５に
Ｆｅ等が不純物として混入する可能性もあるが、この不
純物の混入についても、電気的特性上、問題となること
はない。
工程のいずれかの段階において、内部電極４および５に
Ｆｅ等が不純物として混入する可能性もあるが、この不
純物の混入についても、電気的特性上、問題となること
はない。
【００６０】次に、この発明による効果を確認するため
に実施した実験例について説明する。
に実施した実験例について説明する。
【００６１】
【００６２】
【表１】
【００６３】（実施例１）実施例１は、ＡＢＯ3 として
ＢａＴｉＯ3 、添加成分としてＤｙ2 Ｏ3 −（ＮｉＯ，
ＭｎＯ2 ）−ＳｉＯ2 を用いたものである。その組成が
表１の「実施例１」の欄に示されている。表１におい
て、各成分の含有量は、ＡＢＯ3 １００モルに対しての
モル比で表わしている。
ＢａＴｉＯ3 、添加成分としてＤｙ2 Ｏ3 −（ＮｉＯ，
ＭｎＯ2 ）−ＳｉＯ2 を用いたものである。その組成が
表１の「実施例１」の欄に示されている。表１におい
て、各成分の含有量は、ＡＢＯ3 １００モルに対しての
モル比で表わしている。
【００６４】まず、主成分の出発原料として、ＴｉＣｌ
4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備し、これらを秤量した
後、蓚酸を用いて、蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ
（Ｃ2Ｏ4 ）・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させ、沈殿物を得
た。この沈殿物を、１０００℃以上の温度で加熱分解さ
せて、ＢａＴｉＯ3 を合成し、これを粉砕することによ
って、ＢａＴｉＯ3 粉末を得た。
4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備し、これらを秤量した
後、蓚酸を用いて、蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ
（Ｃ2Ｏ4 ）・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させ、沈殿物を得
た。この沈殿物を、１０００℃以上の温度で加熱分解さ
せて、ＢａＴｉＯ3 を合成し、これを粉砕することによ
って、ＢａＴｉＯ3 粉末を得た。
【００６５】他方、添加成分として、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＭｎＯ2 およびＳｉＯ2 を用意し、これらを、表１
に示す組成比となるように、ボールミルを用いて湿式混
合し、１０００℃の温度で２時間仮焼し、次いで粉砕す
ることによって、添加成分仮焼粉末を得た。
Ｏ、ＭｎＯ2 およびＳｉＯ2 を用意し、これらを、表１
に示す組成比となるように、ボールミルを用いて湿式混
合し、１０００℃の温度で２時間仮焼し、次いで粉砕す
ることによって、添加成分仮焼粉末を得た。
【００６６】次に、上述のＢａＴｉＯ3 粉末と添加成分
仮焼粉末とを、表１に示す組成比となるように配合する
ことによって、誘電体セラミックの原料粉末となる混合
粉末を得た。
仮焼粉末とを、表１に示す組成比となるように配合する
ことによって、誘電体セラミックの原料粉末となる混合
粉末を得た。
【００６７】次に、この混合粉末に、ポリビニルブチラ
ール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加え、
ボールミルを用いた湿式混合を実施することによって、
セラミックスラリーを作製した。
ール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加え、
ボールミルを用いた湿式混合を実施することによって、
セラミックスラリーを作製した。
【００６８】次に、セラミックスラリーを、ドクターブ
レード法によって、焼成後の誘電体セラミック層の厚み
が２μｍになるような厚みをもってシート状に成形し、
矩形のセラミックグリーンシートを得た。
レード法によって、焼成後の誘電体セラミック層の厚み
が２μｍになるような厚みをもってシート状に成形し、
矩形のセラミックグリーンシートを得た。
【００６９】次に、セラミックグリーンシート上に、ニ
ッケルを主体とする導電性ペーストをスクリーン印刷
し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
ッケルを主体とする導電性ペーストをスクリーン印刷
し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
【００７０】次いで、導電性ペースト膜が引き出されて
いる側が互い違いとなるように、導電性ペースト膜が形
成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートを積層し、生の積層体を得た。
いる側が互い違いとなるように、導電性ペースト膜が形
成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートを積層し、生の積層体を得た。
【００７１】次に、生の積層体を、窒素雰囲気中におい
て３５０℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、
酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏ
ガスからなる還元性雰囲気中において、後掲の表２に示
す温度にて２時間焼成し、焼結した積層体を得た。
て３５０℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、
酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏ
ガスからなる還元性雰囲気中において、後掲の表２に示
す温度にて２時間焼成し、焼結した積層体を得た。
【００７２】次いで、積層体の両端面上に、Ｂ2 Ｏ3 −
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系のガラスフリットを含有
するとともに銀を導電成分とする導電性ペーストを塗布
し、窒素雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、
内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系のガラスフリットを含有
するとともに銀を導電成分とする導電性ペーストを塗布
し、窒素雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、
内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００７３】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサの外形寸法は、幅１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ
および厚さ１．２ｍｍであり、内部電極間に介在する誘
電体セラミック層の厚みは、２μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の層数は１００であり、１層あた
りの対向電極面積は２．１ｍｍ2 であった。
ンデンサの外形寸法は、幅１．６ｍｍ、長さ３．２ｍｍ
および厚さ１．２ｍｍであり、内部電極間に介在する誘
電体セラミック層の厚みは、２μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の層数は１００であり、１層あた
りの対向電極面積は２．１ｍｍ2 であった。
【００７４】（比較例１）表１に示すように、実施例１
と同じ組成とするが、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ2 およびＳｉＯ2 を一度に混合し、１０００
℃で仮焼し、粉砕することによって得られた原料粉末を
用いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラミック
コンデンサを作製した。
と同じ組成とするが、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、ＭｎＯ2 およびＳｉＯ2 を一度に混合し、１０００
℃で仮焼し、粉砕することによって得られた原料粉末を
用いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラミック
コンデンサを作製した。
【００７５】（実施例２）表１に示すように、ＡＢＯ3
として（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 、添加成分として
（Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ）−（ＭｎＯ2 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ）を用い、他の添加成分としてＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 およびＭｇＯを用いたこと、ならびに表２に示す焼成
温度を採用したことを除いて、実施例１と同様の操作を
経て、積層セラミックコンデンサを作製した。なお、Ａ
ＢＯ3 としての（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 は、Ｂａ
Ｏ、ＳｒＯおよびＴｉＯ2 を混合した後、仮焼すること
によって合成した。
として（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 、添加成分として
（Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ）−（ＭｎＯ2 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ）を用い、他の添加成分としてＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 およびＭｇＯを用いたこと、ならびに表２に示す焼成
温度を採用したことを除いて、実施例１と同様の操作を
経て、積層セラミックコンデンサを作製した。なお、Ａ
ＢＯ3 としての（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 は、Ｂａ
Ｏ、ＳｒＯおよびＴｉＯ2 を混合した後、仮焼すること
によって合成した。
【００７６】（比較例２）表１に示すように、実施例２
と同じ組成とするが、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ2、Ｓｍ
2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 およびＦｅ2 Ｏ3 を混合
した後、仮焼することによって得られた仮焼粉末とＳｉ
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＭｇＯの各粉末とを混合したもの
を原料粉末と用いたことを除いて、実施例２と同様の操
作を経て、積層セラミックコンデンサを作製した。
と同じ組成とするが、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ2、Ｓｍ
2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、ＭｎＯ2 およびＦｅ2 Ｏ3 を混合
した後、仮焼することによって得られた仮焼粉末とＳｉ
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＭｇＯの各粉末とを混合したもの
を原料粉末と用いたことを除いて、実施例２と同様の操
作を経て、積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７７】（実施例３）表１に示すように、ＡＢＯ3
として（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）（Ｔｉ0.90Ｚｒ0.09Ｈｆ
0.01）Ｏ3 、添加成分として（Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔｍ2 Ｏ3 ）
−ＮｉＯ−ＳｉＯ2を用い、他の添加成分としてＭｇＯ
を用いたこと、ならびに表２に示す焼成温度を採用した
ことを除いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラ
ミックコンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 としての
（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）（Ｔｉ0.90Ｚｒ 0.09Ｈｆ0.01）Ｏ
3 は、ＢａＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 およびＨｆ
Ｏ2 を混合した後、仮焼することによって合成した。
として（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）（Ｔｉ0.90Ｚｒ0.09Ｈｆ
0.01）Ｏ3 、添加成分として（Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔｍ2 Ｏ3 ）
−ＮｉＯ−ＳｉＯ2を用い、他の添加成分としてＭｇＯ
を用いたこと、ならびに表２に示す焼成温度を採用した
ことを除いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラ
ミックコンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 としての
（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）（Ｔｉ0.90Ｚｒ 0.09Ｈｆ0.01）Ｏ
3 は、ＢａＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 およびＨｆ
Ｏ2 を混合した後、仮焼することによって合成した。
【００７８】（比較例３）表１に示すように、実施例３
と同じ組成とするが、ＢａＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2 、ＨｆＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、ＮｉＯおよび
ＳｉＯ2 を混合した後、仮焼することによって得られた
仮焼粉末とＭｇＯ粉末とを混合したものを原料粉末とし
て用いたことを除いて、実施例３と同様の操作を経て、
積層セラミックコンデンサを作製した。
と同じ組成とするが、ＢａＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2 、ＨｆＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、ＮｉＯおよび
ＳｉＯ2 を混合した後、仮焼することによって得られた
仮焼粉末とＭｇＯ粉末とを混合したものを原料粉末とし
て用いたことを除いて、実施例３と同様の操作を経て、
積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７９】（実施例４）表１に示すように、ＡＢＯ3
として（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0.05）
Ｏ3 、添加成分として（Ｅｒ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 ）を用
い、他の添加成分としてＭｇＯ、ＳｉＯ2 およびＶ2 Ｏ
5 を用いたこと、ならびに表２に示す焼成温度を採用し
たことを除いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セ
ラミックコンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 として
の（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0. 05）Ｏ3 は、
ＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ2 およびＺｒＯ2 を混合した
後、仮焼することによって合成した。
として（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0.05）
Ｏ3 、添加成分として（Ｅｒ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 ）を用
い、他の添加成分としてＭｇＯ、ＳｉＯ2 およびＶ2 Ｏ
5 を用いたこと、ならびに表２に示す焼成温度を採用し
たことを除いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セ
ラミックコンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 として
の（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0. 05）Ｏ3 は、
ＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ2 およびＺｒＯ2 を混合した
後、仮焼することによって合成した。
【００８０】（比較例４）表１に示すように、実施例４
と同様の組成とするが、ＡＢＯ3 として予め合成した
（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0.05）Ｏ3 とＥｒ
2 Ｏ3 とＭｎＯ2 とを仮焼し、その後、他の添加成分と
してのＳｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 およびＭｎＯ2 を添加したも
のを原料粉末として用いたことを除いて、実施例４と同
様の操作を経て、積層セラミックコンデンサを作製し
た。
と同様の組成とするが、ＡＢＯ3 として予め合成した
（Ｂａ0.95Ｓｒ0.05）（Ｔｉ0.95Ｚｒ0.05）Ｏ3 とＥｒ
2 Ｏ3 とＭｎＯ2 とを仮焼し、その後、他の添加成分と
してのＳｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 およびＭｎＯ2 を添加したも
のを原料粉末として用いたことを除いて、実施例４と同
様の操作を経て、積層セラミックコンデンサを作製し
た。
【００８１】（実施例５）表１に示すように、ＡＢＯ3
として（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 、添加成分として
Ｙｂ2 Ｏ3 −（ＣｏＯ，Ｃｒ2 Ｏ3 ）−ＳｉＯ2 を用
い、他の添加成分としてＢ2 Ｏ3 およびＭｇＯを用いた
こと、ならびに表２に示す焼成温度を採用したことを除
いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラミックコ
ンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 としての（Ｂａ
0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 は、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴｉ
Ｏ2 を混合した後、仮焼することによって合成した。
として（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 、添加成分として
Ｙｂ2 Ｏ3 −（ＣｏＯ，Ｃｒ2 Ｏ3 ）−ＳｉＯ2 を用
い、他の添加成分としてＢ2 Ｏ3 およびＭｇＯを用いた
こと、ならびに表２に示す焼成温度を採用したことを除
いて、実施例１と同様の操作を経て、積層セラミックコ
ンデンサを作製した。なお、ＡＢＯ3 としての（Ｂａ
0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ3 は、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴｉ
Ｏ2 を混合した後、仮焼することによって合成した。
【００８２】（比較例５）表１に示すように、ＡＢＯ3
として予め合成した（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ 3 の粉
末と、予め合成したＹｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＳｉＯ2 の仮
焼粉末と、Ｂ2 Ｏ 3 、ＣｏＯおよびＣｒ2 Ｏ3 の各粉末
とを混合したものを原料粉末として用いたことを除い
て、実施例５と同様の操作を経て、積層セラミックコン
デンサを作製した。
として予め合成した（Ｂａ0.97Ｓｒ0.03）ＴｉＯ 3 の粉
末と、予め合成したＹｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＳｉＯ2 の仮
焼粉末と、Ｂ2 Ｏ 3 、ＣｏＯおよびＣｒ2 Ｏ3 の各粉末
とを混合したものを原料粉末として用いたことを除い
て、実施例５と同様の操作を経て、積層セラミックコン
デンサを作製した。
【００８３】（評価）このようにして得られた実施例１
〜５および比較例１〜５に係る積層セラミックコンデン
サの各種特性を評価した。
〜５および比較例１〜５に係る積層セラミックコンデン
サの各種特性を評価した。
【００８４】まず、各積層セラミックコンデンサの誘電
率ε、誘電損失（ｔａｎδ）および絶縁抵抗を測定し
た。この場合、誘電率εおよびｔａｎδは、温度２５
℃、１ｋＨｚ、および１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。
また、４ｋＶ／ｍｍの電界強度の下で絶縁抵抗を測定す
るため、２０Ｖの直流電圧を２分間印加して、＋２５℃
において絶縁抵抗を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗
（Ｒ）との積、すなわちＣＲ積を求めた。
率ε、誘電損失（ｔａｎδ）および絶縁抵抗を測定し
た。この場合、誘電率εおよびｔａｎδは、温度２５
℃、１ｋＨｚ、および１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。
また、４ｋＶ／ｍｍの電界強度の下で絶縁抵抗を測定す
るため、２０Ｖの直流電圧を２分間印加して、＋２５℃
において絶縁抵抗を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗
（Ｒ）との積、すなわちＣＲ積を求めた。
【００８５】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を求めた。この温度変化に対する静電容量の変化率につ
いては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８
５℃との間での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静
電容量を基準とした−５５℃と１２５℃との間での変化
率（ΔＣ／Ｃ25）とを評価した。
を求めた。この温度変化に対する静電容量の変化率につ
いては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８
５℃との間での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静
電容量を基準とした−５５℃と１２５℃との間での変化
率（ΔＣ／Ｃ25）とを評価した。
【００８６】また、高温負荷寿命試験を実施した。高温
負荷寿命試験は、３６個の試料について、温度１５０℃
において、電界強度が１５ｋＶ／ｍｍになるように３０
Ｖの電圧を印加して、その絶縁抵抗の経時変化を求めよ
うとしたものである。なお、高温負荷寿命として、各試
料の絶縁抵抗値が２００ｋΩ以下になったときの時間を
寿命時間として、その平均寿命時間を求めた。
負荷寿命試験は、３６個の試料について、温度１５０℃
において、電界強度が１５ｋＶ／ｍｍになるように３０
Ｖの電圧を印加して、その絶縁抵抗の経時変化を求めよ
うとしたものである。なお、高温負荷寿命として、各試
料の絶縁抵抗値が２００ｋΩ以下になったときの時間を
寿命時間として、その平均寿命時間を求めた。
【００８７】また、静電容量の経時変化を求めた。静電
容量の経時変化は、温度１２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍ
ｓ、および直流電圧３．１５Ｖ印加の条件下で、６０時
間後の容量変化を測定し、直流電圧印加直後の１２５℃
での静電容量を基準として容量変化率を求めた。
容量の経時変化は、温度１２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍ
ｓ、および直流電圧３．１５Ｖ印加の条件下で、６０時
間後の容量変化を測定し、直流電圧印加直後の１２５℃
での静電容量を基準として容量変化率を求めた。
【００８８】以上の誘電率ε、ｔａｎδ、ＣＲ積、温度
特性（ΔＣ／Ｃ20）、温度特性 （ΔＣ／Ｃ25）、高温
負荷寿命および静電容量の経時変化が、表２に示されて
いる。
特性（ΔＣ／Ｃ20）、温度特性 （ΔＣ／Ｃ25）、高温
負荷寿命および静電容量の経時変化が、表２に示されて
いる。
【００８９】
【表２】
【００９０】また、実施例１〜５および比較例１〜５に
係る積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミッ
ク層の微細構造について調べた。
係る積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミッ
ク層の微細構造について調べた。
【００９１】すなわち、得られた積層セラミックコンデ
ンサを薄片状に研磨し、透過型電子顕微鏡を用いたエネ
ルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）によって、任意の結
晶粒界に位置する複数の分析点での構成元素を分析し
た。より具体的には、任意の広さの視野に観察された結
晶粒子の外周を、ほぼ４等分する任意の４点を分析点と
した。必要であれば、結晶粒子の外周長を適当な近似を
用いて計算し、ほぼ４等分することも行なった。また、
このとき、分析点は、２つの結晶粒子により形成される
領域から選ぶ場合も、３つ以上の結晶粒子によって形成
される領域から選ぶ場合もあった。また、同一の結晶粒
子間で形成される粒界での分析の重複を避けるようにし
た。なお、この分析において、電子線として、２ｎｍの
プローブを用いた。
ンサを薄片状に研磨し、透過型電子顕微鏡を用いたエネ
ルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）によって、任意の結
晶粒界に位置する複数の分析点での構成元素を分析し
た。より具体的には、任意の広さの視野に観察された結
晶粒子の外周を、ほぼ４等分する任意の４点を分析点と
した。必要であれば、結晶粒子の外周長を適当な近似を
用いて計算し、ほぼ４等分することも行なった。また、
このとき、分析点は、２つの結晶粒子により形成される
領域から選ぶ場合も、３つ以上の結晶粒子によって形成
される領域から選ぶ場合もあった。また、同一の結晶粒
子間で形成される粒界での分析の重複を避けるようにし
た。なお、この分析において、電子線として、２ｎｍの
プローブを用いた。
【００９２】表３には、Ｒ、ＭおよびＳｉが検出された
分析点の割合（％）が示されている。
分析点の割合（％）が示されている。
【００９３】
【表３】
【００９４】図２ないし図５は、表３に示したデータの
根拠となるＥＤＸスペクトルを例示したものである。よ
り具体的には、図２は、実施例１の場合であって、ある
１つの分析点におけるＥＤＸスペクトルを示し、図３な
いし図５は、比較例１の場合であって、３つの分析点の
各々におけるＥＤＸスペクトルを示している。
根拠となるＥＤＸスペクトルを例示したものである。よ
り具体的には、図２は、実施例１の場合であって、ある
１つの分析点におけるＥＤＸスペクトルを示し、図３な
いし図５は、比較例１の場合であって、３つの分析点の
各々におけるＥＤＸスペクトルを示している。
【００９５】図２を参照して、実施例１によれば、Ｒ成
分であるＤｙのピーク、Ｍ成分であるＮｉのピーク、お
よびＳｉのピークが表われている。このことから、特定
の分析点において、図２に示すようなＥＤＸスペクトル
が得られたとき、Ｒ、ＭおよびＳｉの３種類が存在して
いると判定することができる。
分であるＤｙのピーク、Ｍ成分であるＮｉのピーク、お
よびＳｉのピークが表われている。このことから、特定
の分析点において、図２に示すようなＥＤＸスペクトル
が得られたとき、Ｒ、ＭおよびＳｉの３種類が存在して
いると判定することができる。
【００９６】表３に示すように、実施例１によれば、上
述のようにＲ、ＭおよびＳｉの３種類の成分が検出され
た分析点が９０％あり、ＲおよびＭの２種類の成分が検
出された分析点が３％あり、ＲおよびＳｉの２種類の成
分が検出された分析点が１％あり、ＭおよびＳｉの２種
類の成分が検出された分析点が３％あり、Ｒの１種類の
成分が検出された分析点がなく、Ｍの１種類の成分が検
出された分析点がなく、Ｓｉの１種類の成分が検出され
た分析点が３％あった。したがって、ＲおよびＭの２種
類の成分を含む分析点とＲ、ＭおよびＳｉの３種類の成
分を含む分析点との合計は、９３％であった。
述のようにＲ、ＭおよびＳｉの３種類の成分が検出され
た分析点が９０％あり、ＲおよびＭの２種類の成分が検
出された分析点が３％あり、ＲおよびＳｉの２種類の成
分が検出された分析点が１％あり、ＭおよびＳｉの２種
類の成分が検出された分析点が３％あり、Ｒの１種類の
成分が検出された分析点がなく、Ｍの１種類の成分が検
出された分析点がなく、Ｓｉの１種類の成分が検出され
た分析点が３％あった。したがって、ＲおよびＭの２種
類の成分を含む分析点とＲ、ＭおよびＳｉの３種類の成
分を含む分析点との合計は、９３％であった。
【００９７】なお、図２において検出されているＦｅ
は、試料を作製するいずれかの段階で混入した不純物で
あると推測される。
は、試料を作製するいずれかの段階で混入した不純物で
あると推測される。
【００９８】他方、比較例１においては、図３のような
ＥＤＸスペクトルを示す分析点、すなわち、Ｒ成分であ
るＤｙのピーク、ならびにＭ成分であるＮｉピークが同
時に検出される分析点が少なく、表３に示すように、４
０％に過ぎなかった。なお、図３のＥＤＸスペクトル
は、３つの結晶粒子の間に形成される結晶粒界（すなわ
ち３重点）において分析したものである。
ＥＤＸスペクトルを示す分析点、すなわち、Ｒ成分であ
るＤｙのピーク、ならびにＭ成分であるＮｉピークが同
時に検出される分析点が少なく、表３に示すように、４
０％に過ぎなかった。なお、図３のＥＤＸスペクトル
は、３つの結晶粒子の間に形成される結晶粒界（すなわ
ち３重点）において分析したものである。
【００９９】図４および図５に示すように、比較例１で
は、Ｒ成分であるＤｙのピークとＭ成分であるＮｉまた
はＭｎのピークとが同時には検出されない分析点が多か
った。図４は、Ｍ成分であるＮｉのピークおよびＳｉの
ピークのみが確認できた分析点の例を示し、図５は、Ｒ
成分であるＤｙのピークのみが確認できた分析点の例を
示している。
は、Ｒ成分であるＤｙのピークとＭ成分であるＮｉまた
はＭｎのピークとが同時には検出されない分析点が多か
った。図４は、Ｍ成分であるＮｉのピークおよびＳｉの
ピークのみが確認できた分析点の例を示し、図５は、Ｒ
成分であるＤｙのピークのみが確認できた分析点の例を
示している。
【０１００】表３には、実施例２〜５ならびに比較例２
〜５についても、同様の要領で、各種分析点の比率が示
されている。
〜５についても、同様の要領で、各種分析点の比率が示
されている。
【０１０１】以上の評価結果からわかるように、実施例
１〜５の各々と比較例１〜５の各々とを比較すれば、表
２に示すように、誘電率ε、ｔａｎδ、ＣＲ積および温
度特性に関しては、それぞれ、相応の差が見られるもの
の、特に、高温負荷寿命および静電容量の経時変化につ
いては、顕著な差が見られ、実施例１〜５の各々は、比
較例１〜５の各々と比較して、格段に優れた特性が得ら
れている。
１〜５の各々と比較例１〜５の各々とを比較すれば、表
２に示すように、誘電率ε、ｔａｎδ、ＣＲ積および温
度特性に関しては、それぞれ、相応の差が見られるもの
の、特に、高温負荷寿命および静電容量の経時変化につ
いては、顕著な差が見られ、実施例１〜５の各々は、比
較例１〜５の各々と比較して、格段に優れた特性が得ら
れている。
【０１０２】その理由は、表３に示すように、比較例１
〜５では、いずれも、ＲおよびＭの２種類を含む分析点
の比率とＲ、ＭおよびＳｉの３種類を含む分析点の比率
との合計が７０％未満であるのに対し、実施例１〜５に
よれば、いずれも、これら分析点の比率の合計が７０％
以上であるためである。
〜５では、いずれも、ＲおよびＭの２種類を含む分析点
の比率とＲ、ＭおよびＳｉの３種類を含む分析点の比率
との合計が７０％未満であるのに対し、実施例１〜５に
よれば、いずれも、これら分析点の比率の合計が７０％
以上であるためである。
【０１０３】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る誘電体セ
ラミックによれば、この誘電体セラミックの断面におい
て、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶
粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶
粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以
上の分析点において、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、ＬｕおよびＹのうちの少なくとも１種）およびＭ
（Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｒおよびＭｎのうちの少なくと
も１種）が検出され、また、Ｓｉを含有する場合には、
Ｒ、ＭおよびＳｉが検出されるので、耐還元性誘電体セ
ラミックであるにも関わらず、誘電率が高く、誘電率の
温度変化および直流電圧印加下での静電容量の経時変化
が小さく、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高く、高温高
電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長くすることができ
る。
ラミックによれば、この誘電体セラミックの断面におい
て、結晶粒子の複数を無作為にサンプリングし、各結晶
粒子の外周をほぼ４等分する任意の４点が位置する結晶
粒界を分析したとき、該複数の分析点のうちの７０％以
上の分析点において、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、ＬｕおよびＹのうちの少なくとも１種）およびＭ
（Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｒおよびＭｎのうちの少なくと
も１種）が検出され、また、Ｓｉを含有する場合には、
Ｒ、ＭおよびＳｉが検出されるので、耐還元性誘電体セ
ラミックであるにも関わらず、誘電率が高く、誘電率の
温度変化および直流電圧印加下での静電容量の経時変化
が小さく、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高く、高温高
電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長くすることができ
る。
【０１０４】そのため、この誘電体セラミックをもって
積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成
すれば、誘電体セラミック層の薄層化に対しても、優れ
た信頼性を維持し得る積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成
すれば、誘電体セラミック層の薄層化に対しても、優れ
た信頼性を維持し得る積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
【０１０５】したがって、誘電体セラミック層の薄層化
によって、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容
量化が可能となり、また、誘電体セラミック層を薄層化
しても、積層セラミックコンデンサの定格電圧を下げる
必要がない。その結果、たとえば、誘電体セラミック層
の厚みを１μｍ程度にまで薄層化することが問題なく行
なうことができる。
によって、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容
量化が可能となり、また、誘電体セラミック層を薄層化
しても、積層セラミックコンデンサの定格電圧を下げる
必要がない。その結果、たとえば、誘電体セラミック層
の厚みを１μｍ程度にまで薄層化することが問題なく行
なうことができる。
【０１０６】また、この発明に係る誘電体セラミックは
耐還元性誘電体セラミックであるので、積層セラミック
コンデンサの内部電極において、卑金属を導電成分とし
て問題なく用いることができる。
耐還元性誘電体セラミックであるので、積層セラミック
コンデンサの内部電極において、卑金属を導電成分とし
て問題なく用いることができる。
【０１０７】この発明に係る誘電体セラミックの製造方
法によれば、ＡＢＯ3 粉末を得る工程と、Ｒ化合物およ
びＭ化合物をそれぞれ用意する工程と、Ｒ化合物とＭ化
合物とを混合し、得られた混合物を仮焼し、粉砕するこ
とによって、添加成分仮焼粉末を得る工程と、ＡＢＯ3
粉末と添加成分仮焼粉末とを混合して得られた混合粉末
を成形することによって、成形体を得る工程と、成形体
を焼成する工程とを備えているので、これら構成元素を
すべて混合して一度に反応させる方法を採用する場合に
比べて、結晶粒界での組成をより均一にすることができ
る。したがって、前述したようなＲおよびＭを含む分析
点、Ｓｉを含有する場合には、Ｒ、ＭおよびＳｉを含む
分析点を、７０％以上とすることが容易である。
法によれば、ＡＢＯ3 粉末を得る工程と、Ｒ化合物およ
びＭ化合物をそれぞれ用意する工程と、Ｒ化合物とＭ化
合物とを混合し、得られた混合物を仮焼し、粉砕するこ
とによって、添加成分仮焼粉末を得る工程と、ＡＢＯ3
粉末と添加成分仮焼粉末とを混合して得られた混合粉末
を成形することによって、成形体を得る工程と、成形体
を焼成する工程とを備えているので、これら構成元素を
すべて混合して一度に反応させる方法を採用する場合に
比べて、結晶粒界での組成をより均一にすることができ
る。したがって、前述したようなＲおよびＭを含む分析
点、Ｓｉを含有する場合には、Ｒ、ＭおよびＳｉを含む
分析点を、７０％以上とすることが容易である。
【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコ
ンデンサ１を図解的に示す断面図である。
ンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【図２】実施例１において作製された積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置するあ
る特定の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図であ
る。
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置するあ
る特定の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図であ
る。
【図３】比較例１において作製された積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第１の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第１の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
【図４】比較例１において作製された積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第２の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第２の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
【図５】比較例１において作製された積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第３の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
ンデンサの誘電体セラミック層の結晶粒界に位置する任
意の第３の分析点におけるＥＤＸスペクトルを示す図で
ある。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 積層体 ３ 誘電体セラミック層 ４，５ 内部電極 ８，９ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 晴信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11 AA12 AA16 AA19 AA21 AA22 AA23 AA30 AA39 BA09 CA01 CA03 CA05 CA08 GA18 5E001 AB03 AC09 AE00 AE01 AE02 AE03 AE04 AF06
Claims (6)
- 【請求項１】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
から選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を主
成分とし、添加成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれた少なくとも
１種である。）およびＭ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃ
ｒおよびＭｎから選ばれた少なくとも１種である。）を
含有する、誘電体セラミックであって、 前記誘電体セラミックは、前記ＡＢＯ3 を主成分とする
結晶粒子と前記結晶粒子間を占める結晶粒界とを備え、 前記誘電体セラミックの断面において、前記結晶粒子の
複数を無作為にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほ
ぼ４等分する任意の４点が位置する結晶粒界を分析した
とき、該複数の分析点のうちの７０％以上の分析点にお
いて、前記Ｒおよび前記Ｍを含むことを特徴とする、誘
電体セラミック。 - 【請求項２】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
から選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を主
成分とし、添加成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれた少なくとも
１種である。）、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒお
よびＭｎから選ばれた少なくとも１種である。）および
Ｓｉを含有する、誘電体セラミックであって、 前記誘電体セラミックは、前記ＡＢＯ3 を主成分とする
結晶粒子と前記結晶粒子間を占める結晶粒界とを備え、 前記誘電体セラミックの断面において、前記結晶粒子の
複数を無作為にサンプリングし、各結晶粒子の外周をほ
ぼ４等分する任意の４点が位置する結晶粒界を分析した
とき、該複数の分析点のうちの７０％以上の分析点にお
いて、前記Ｒ、前記Ｍおよび前記Ｓｉを含むことを特徴
とする、誘電体セラミック。 - 【請求項３】 前記結晶粒界の分析方法は、エネルギー
分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）法によることを特徴とする、
請求項１または２に記載の誘電体セラミック。 - 【請求項４】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
から選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を合
成し、粉砕することによって、ＡＢＯ3 粉末を得る工程
と、 Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび
Ｙから選ばれた少なくとも１種である。）を含有するＲ
化合物、およびＭ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒおよ
びＭｎから選ばれた少なくとも１種である。）を含有す
るＭ化合物をそれぞれ用意する工程と、 前記Ｒ化合物と前記Ｍ化合物とを混合し、得られた混合
物を仮焼し、粉砕することによって、添加成分仮焼粉末
を得る工程と、 前記ＡＢＯ3 粉末と前記添加成分仮焼粉末とを混合して
得られた混合粉末を成形することによって、成形体を得
る工程と、 前記成形体を焼成する工程とを備えることを特徴とす
る、誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項５】 ＡＢＯ3 （Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａ
から選ばれた少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＨｆから選ばれた少なくとも１種である。）を合
成し、粉砕することによって、ＡＢＯ3 粉末を得る工程
と、 Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび
Ｙから選ばれた少なくとも１種である。）を含有するＲ
化合物、Ｍ（Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｒおよびＭｎ
から選ばれた少なくとも１種である。）を含有するＭ化
合物およびＳｉを含有するＳｉ化合物をそれぞれ用意す
る工程と、 前記Ｒ化合物と前記Ｍ化合物と前記Ｓｉ化合物とを混合
し、得られた混合物を仮焼し、粉砕することによって、
添加成分仮焼粉末を得る工程と、 前記ＡＢＯ3 粉末と前記添加成分仮焼粉末とを混合して
得られた混合粉末を成形することによって、成形体を得
る工程と、 前記成形体を焼成する工程とを備えることを特徴とす
る、誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項６】 複数の積層された誘電体セラミック層お
よび前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
成された内部電極を含む、積層体と、 前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように
前記積層体の外表面上に形成される外部電極とを備え、 前記誘電体セラミック層は、請求項１または２に記載の
誘電体セラミックからなり、前記内部電極は、卑金属を
導電成分として含むことを特徴とする、積層セラミック
コンデンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001243451A JP4392821B2 (ja) | 2000-10-24 | 2001-08-10 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| GB0124851A GB2369354B (en) | 2000-10-24 | 2001-10-16 | Dielectric ceramic process for producing the same and multilayer ceramic capacitor |
| US09/982,361 US6620753B2 (en) | 2000-10-24 | 2001-10-18 | Dielectric ceramic, process for producing the same and multilayer ceramic capacitor |
| KR10-2001-0065375A KR100406818B1 (ko) | 2000-10-24 | 2001-10-23 | 유전체 세라믹, 유전체 세라믹의 생산 공정 및 다층세라믹 커패시터 |
| CNB011368063A CN1197101C (zh) | 2000-10-24 | 2001-10-24 | 绝缘陶瓷及其制备方法和多层陶瓷电容器 |
| FR0113720A FR2815630B1 (fr) | 2000-10-24 | 2001-10-24 | Ceramique dielectrique, son procede de production et condensateur ceramique multicouche l'utilisant |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323669 | 2000-10-24 | ||
| JP2000-323669 | 2000-10-24 | ||
| JP2001243451A JP4392821B2 (ja) | 2000-10-24 | 2001-08-10 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002201065A true JP2002201065A (ja) | 2002-07-16 |
| JP4392821B2 JP4392821B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=26602641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001243451A Expired - Lifetime JP4392821B2 (ja) | 2000-10-24 | 2001-08-10 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6620753B2 (ja) |
| JP (1) | JP4392821B2 (ja) |
| KR (1) | KR100406818B1 (ja) |
| CN (1) | CN1197101C (ja) |
| FR (1) | FR2815630B1 (ja) |
| GB (1) | GB2369354B (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005016845A1 (ja) * | 2003-08-14 | 2005-02-24 | Rohm Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品 |
| KR100519423B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2005-10-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 원료 분말의 제조방법 및 유전체 세라믹 원료 분말 |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2007197233A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び該誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP2008179493A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JPWO2006132086A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2009-01-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2009208997A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010018480A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2011136896A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタ |
| JP2012214334A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| US8582277B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-11-12 | Tdk Corporation | Laminated type ceramic electronic parts |
| KR20200099059A (ko) * | 2019-02-13 | 2020-08-21 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| JP2023020876A (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-09 | コリア アドバンスド インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジィ | 高誘電率および低誘電損失を有するセラミック誘電体並びにその製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI223817B (en) * | 2002-11-08 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss |
| DE10313891A1 (de) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
| CN100583328C (zh) * | 2004-04-23 | 2010-01-20 | 株式会社村田制作所 | 电子元件及其制造方法 |
| KR100691248B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2007-03-12 | 성균관대학교산학협력단 | 다층 세라믹 커패시터의 재료로 사용하기 위한 전극용페이스트 및 이를 사용하여 전극을 제조하는 방법 |
| TW200733159A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-01 | Wei-Hsing Tuan | Ceramic dielectrics and base-metal-electrode multilayer ceramic capacitors |
| JP4635928B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| US20080291602A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| US7633739B2 (en) * | 2007-05-24 | 2009-12-15 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| US8289675B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-10-16 | Daniel Devoe | Stacked multilayer capacitor |
| JP5152017B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-02-27 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN101503293B (zh) * | 2009-03-06 | 2012-12-05 | 湖北大学 | 一种掺杂钛酸锶钡高介电性铁电陶瓷材料及其制备方法 |
| JP5040971B2 (ja) * | 2009-08-12 | 2012-10-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP4992955B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2011162401A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN102557672B (zh) * | 2012-01-05 | 2014-05-28 | 江苏大学 | 一种添加物及其降低钛酸钡锶电容器陶瓷烧结温度的用途 |
| US9287046B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-03-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
| CN105406831A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-16 | 成都新欣神风电子科技有限公司 | 半集总微波带通滤波电路及滤波器 |
| CN106007672B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-07-31 | 湖南圣瓷科技有限公司 | 一种电力用绝缘陶瓷的制备方法及其绝缘陶瓷和应用 |
| KR102840608B1 (ko) * | 2021-09-28 | 2025-07-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2023117898A (ja) * | 2022-02-14 | 2023-08-24 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| CN114835481B (zh) * | 2022-03-30 | 2023-01-03 | 电子科技大学 | 高温高频MnZn功率铁氧体材料的制备方法 |
| CN115745578B (zh) * | 2022-10-20 | 2023-05-12 | 湖南东方辉陵电气有限公司 | 一种高强度陶瓷绝缘子及其制备方法 |
| CN115995345A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-04-21 | 陕西科技大学 | 一种Sm掺杂储能线性电介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN116230402B (zh) * | 2023-02-20 | 2024-05-17 | 江苏科技大学 | 一种中温烧结的电容器瓷料及其制备方法 |
| CN118420341B (zh) * | 2024-03-28 | 2025-09-16 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | Cog型陶瓷介质材料及其制备方法和多层片式陶瓷电容器 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1186116A (en) * | 1966-12-19 | 1970-04-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Improvements in or relating to the Production of High Dielectric Ceramics |
| JPH0470366A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-05 | Tokyo Electric Co Ltd | ドットプリンタ |
| JPH04265272A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-21 | Tdk Corp | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH07118431B2 (ja) | 1991-03-16 | 1995-12-18 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2958819B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-10-06 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP2958818B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-10-06 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP2958817B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-10-06 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| US5319517A (en) * | 1992-03-27 | 1994-06-07 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
| JP3134024B2 (ja) * | 1993-03-22 | 2001-02-13 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
| JP3321929B2 (ja) * | 1993-09-27 | 2002-09-09 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品 |
| JP3269910B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3039397B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP3389408B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2003-03-24 | 京セラ株式会社 | 積層型コンデンサ |
| JP3675077B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2005-07-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3418091B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-06-16 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
| US6243254B1 (en) * | 1998-08-11 | 2001-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor using the same |
| JP3567759B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
| KR100374848B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2003-03-04 | 티디케이가부시기가이샤 | 비환원성 유전체 자기재료, 그 제조방법 및 적층자기 콘덴서 |
| JP3918372B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2007-05-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ |
-
2001
- 2001-08-10 JP JP2001243451A patent/JP4392821B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-16 GB GB0124851A patent/GB2369354B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-18 US US09/982,361 patent/US6620753B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 KR KR10-2001-0065375A patent/KR100406818B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-24 CN CNB011368063A patent/CN1197101C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-24 FR FR0113720A patent/FR2815630B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519423B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2005-10-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹 원료 분말의 제조방법 및 유전체 세라믹 원료 분말 |
| US7351676B2 (en) | 2003-08-14 | 2008-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component |
| WO2005016845A1 (ja) * | 2003-08-14 | 2005-02-24 | Rohm Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品 |
| WO2006035535A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 誘電体セラミック、誘電体セラミックの製造方法、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP4626892B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2011-02-09 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
| JPWO2006132086A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2009-01-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2007197233A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び該誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP2008179493A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP2009208997A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010018480A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2011136896A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタ |
| US8164880B2 (en) | 2009-12-31 | 2012-04-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor having the same |
| US8582277B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-11-12 | Tdk Corporation | Laminated type ceramic electronic parts |
| JP2012214334A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| KR20200099059A (ko) * | 2019-02-13 | 2020-08-21 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| US11201012B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layered ceramic capacitor |
| KR102351180B1 (ko) * | 2019-02-13 | 2022-01-17 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| JP2023020876A (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-09 | コリア アドバンスド インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジィ | 高誘電率および低誘電損失を有するセラミック誘電体並びにその製造方法 |
| JP7485387B2 (ja) | 2021-07-30 | 2024-05-16 | コリア アドバンスド インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジィ | 多結晶セラミック誘電体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0124851D0 (en) | 2001-12-05 |
| GB2369354A (en) | 2002-05-29 |
| FR2815630B1 (fr) | 2006-02-17 |
| KR100406818B1 (ko) | 2003-11-21 |
| CN1197101C (zh) | 2005-04-13 |
| US20020072464A1 (en) | 2002-06-13 |
| FR2815630A1 (fr) | 2002-04-26 |
| JP4392821B2 (ja) | 2010-01-06 |
| CN1350312A (zh) | 2002-05-22 |
| KR20020032326A (ko) | 2002-05-03 |
| GB2369354B (en) | 2003-03-05 |
| US6620753B2 (en) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002201065A (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP3705141B2 (ja) | 誘電体セラミック、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラミック電子部品 | |
| JP4110978B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP4805938B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
| JP4100173B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| EP1533286A1 (en) | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method | |
| EP1496030B1 (en) | Nonreducing dielectric ceramic, its production method, and multilayer ceramic capacitor | |
| JP2001039765A (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001006966A (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2004262717A (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP2002164247A (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| EP1840104A2 (en) | Dielectric particles, dielectric ceramic composition, and method of production of the same | |
| JP4552419B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP5240199B2 (ja) | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP5229685B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP2008179493A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2001097772A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびそれらの製造方法 | |
| JP3994719B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP3908458B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JP2006232629A (ja) | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
| JP4863597B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品 | |
| JP2003277136A (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミック電子部品 | |
| JP5534976B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060620 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060714 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081212 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091009 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4392821 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |