JP2003017376A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの汚染を防止する半導体製造装
置およびこの半導体製造装置を用いた半導体製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 高性能フィルタを通して清浄化された空
気をファンにより圧送して区画内を所定の清浄度に保つ
局所クリーンルームと、半導体ウエハの受渡口を介して
前記局所クリーンルーム外に設置される製造装置と、前
記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口を
介して前記局所クリーンルーム外に配設される半導体ウ
エハ収納容器と、前記局所クリーンルーム内に設置され
て前記半導体ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導
体ウエハ収納容器と前記製造装置との間で受け渡しを行
う搬送装置とを備えた半導体製造装置において、前記局
所クリーンルーム内に、前記製造装置側と前記半導体ウ
エハ収納容器側における前記清浄空気の流下速度をその
他の領域より高速とする高速気流生成装置を設置して成
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、局所クリーンルー
ムを用いた半導体製造装置およびこの半導体製造装置を
用いた半導体製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造工場では、製造する
半導体ウエハの周辺を極めてクリーンにする必要があ
る。最近は、例えば、特開平９−２８３５８７号公報、
特開平１０−７４８１５号公報、特開平１１−２５１２
０７号公報、特開２０００−１３３６９７号公報、特開
２０００−１７３９１１号公報、特開２０００−３０６
９７１号公報、特開２００１−７６９９８号公報、特開
２００１−８５５０７号公報等に開示されるように、部
屋全体を高清浄に保つ方式から、半導体ウエハ周りの局
所高清浄化を図る方式であるミニエンバイロメント方式
に変わりつつある。

【０００３】図６は、その一例を示す。クリーンルーム
１内に局所クリーンルーム６が設置されている。クリー
ンルーム１は、天井２にファン３ａと高性能フィルタ３
ｂとから成るファンフィルタユニット３を設置し、床４
に穴あき板５を設置し、空気調和装置１７によって空調
空気を天井２の裏側から供給し、部屋内を例えばクラス
１０００程度の清浄空間を形成することによって構成さ
れている。

【０００４】局所クリーンルーム６は、上部側に高性能
フィルタ７とファン８を設置し、その下流側を壁部材６
ａによって囲繞し、その区画内を例えばクラス１程度の
清浄空間を形成するように構成されている。局所クリー
ンルーム６の一側には、製造装置９が半導体ウエハ１５
の受渡口１０を介して設置されている。

【０００５】また、局所クリーンルーム６の他側には、
半導体ウエハ収納容器１１が半導体ウエハ１５の受渡口
１２を介して設置されている。半導体ウエハ収納容器１
１は、載置台１３上に置かれている。ミニエンバイロメ
ント方式では、工程間の搬送時、工程の待ち時間におい
て、半導体ウエハ１５を塵埃や化学物質、人と隔離する
ために、内部を高清浄雰囲気で満たしたフロントオープ
ン一体型ポット（ＦＯＵＰ）と称される容器に収納され
ている。

【０００６】また、局所クリーンルーム６内には、半導
体ウエハ収納容器１１内の半導体ウエハ１５を半導体ウ
エハ収納容器１１と製造装置９との間で受け渡しを行う
搬送装置１４が設置されている。斯くして構成された半
導体製造装置では、先ず、局所クリーンルーム６を駆動
し、区画内をクラス１にする。

【０００７】次に、自動搬送ロボット（ＡＧＶ）１８に
よって搬送され、載置台１３上に置かれた半導体ウエハ
収納容器１１の蓋１１ａを、半導体ウエハ１５の受渡口
１２の蓋１２ａとともに局所クリーンルーム６内に設け
たオープナー１６によって開く。そして、搬送装置１４
を操作して半導体ウエハ収納容器１１内の半導体ウエハ
１５を半導体ウエハ収納容器１１と製造装置９との間で
受け渡しを行う。

【０００８】製造装置９では、半導体ウエハ１５に露
光、現像、成膜、拡散、洗浄等多くの工程による何れか
の処理を施す。なお、半導体ウエハ１５は、対応する処
理を施すために、その都度半導体ウエハ収納容器１１に
収納されて各製造装置９に搬送され、各製造装置９によ
って処理が施されて製品とされる。所定の処理が施され
た半導体ウエハ１５は、搬送装置１４を操作して半導体
ウエハ収納容器１１内に収納される。

【０００９】各工程において、局所クリーンルーム６内
において、常に半導体ウエハ１５周辺は、高清浄度に保
たれている。全ての工程による処理を終えた半導体ウエ
ハ１５を半導体ウエハ収納容器１１に戻す際も同様であ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
製造装置では、製造装置９の給排気装置の圧力変動や半
導体ウエハ収納容器１１の開閉時に、局所クリーンルー
ム６内がクリーンルーム１に比し一時的に負圧となる
と、クリーンルーム１から半導体ウエハ１５の受渡口１
２の隙間を介して局所クリーンルーム６内へ塵埃、化学
物質等が流入し、半導体ウエハ１５を汚染するおそれが
ある。また、その化学物質が半導体ウエハ収納容器１１
内の雰囲気を汚染し、そのまま次の製造装置９に搬送さ
れて処理が施されると、そこでまた別の化学物質雰囲気
と化学反応し、半導体ウエハ１５を汚染するおそれがあ
る。

【００１１】また、製造装置９の給排気装置の圧力変動
によって製造装置９が局所クリーンルーム６に比し正圧
になると、製造装置９から化学物質等が局所クリーンル
ーム６内に流入し、半導体ウエハ１５を汚染するおそれ
がある。また、搬送装置１４が半導体ウエハ１５を保持
した状態で半導体ウエハ収納容器１１と製造装置９との
間を高速で移動するため、局所クリーンルーム６内の気
流を乱すおそれがある。そのため、局所クリーンルーム
６内に侵入した化学物質や塵埃が、気流の乱れにより局
所クリーンルーム６内に拡散され、半導体ウエハ１５を
汚染するおそれがある。

【００１２】本発明は斯かる従来の問題点を解決するた
めに為されたもので、その目的は、半導体ウエハの汚染
を防止する半導体製造装置およびこの半導体製造装置を
用いた半導体製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
高性能フィルタを通して清浄化された空気をファンによ
り圧送して区画内を所定の清浄度に保つ局所クリーンル
ームと、半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリー
ンルーム外に設置される製造装置と、前記製造装置と対
向するとともに半導体ウエハの受渡口を介して前記局所
クリーンルーム外に配設される半導体ウエハ収納容器
と、前記局所クリーンルーム内に設置されて前記半導体
ウエハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納
容器と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置と
を備えた半導体製造装置において、前記局所クリーンル
ーム内に、前記製造装置側と前記半導体ウエハ収納容器
側における前記清浄空気の流下速度をその他の領域より
高速とする高速気流生成装置を設置して成ることを特徴
とする。

【００１４】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体製造装置において、前記高速気流生成装置は、前記
局所クリーンルームの前記高性能フィルタ側に、前記製
造装置側と前記半導体ウエハ収納容器側とに前記高性能
フィルタから吹き出される清浄空気を案内する偏向板を
設置して成ることを特徴とする。請求項３に係る発明
は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記高速
気流生成装置は、前記局所クリーンルームの前記高性能
フィルタ側に、前記製造装置側と前記半導体ウエハ収納
容器側とが傾斜するとともに、その他の領域が前記高性
能フィルタと平行な多孔板を設置して成ることを特徴と
する。

【００１５】請求項４に係る発明は、請求項１記載の半
導体製造装置において、前記高速気流生成装置は、前記
局所クリーンルームの前記高性能フィルタを断面略円弧
状にして成ることを特徴とする。請求項５に係る発明
は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記高速
気流生成装置は、前記高性能フィルタを、前記製造装置
側と前記半導体ウエハ収納容器側とに対応する高性能フ
ィルタと、その他の領域の高性能フィルタとに分割し、
前記製造装置側と前記半導体ウエハ収納容器側とに対応
する高性能フィルタの圧力損出がその他の領域の高性能
フィルタの圧力損出より小さくして成ることを特徴とす
る。

【００１６】請求項６に係る発明は、請求項１ないし請
求項５の何れか１項記載の半導体製造装置を用いて半導
体を製造するに当たり、前記局所クリーンルーム内の前
記製造装置側領域および前記局所クリーンルーム内の前
記半導体ウエハ収納容器側領域に、前記局所クリーンル
ーム内のその他の領域より高速となる清浄空気流下層を
形成することを特徴とする。

【００１７】請求項７に係る発明は、請求項６記載の半
導体製造方法において、前記局所クリーンルーム内の前
記製造装置側領域および前記局所クリーンルーム内の前
記半導体ウエハ収納容器側領域は、前記局所クリーンル
ーム内の全幅に亘って形成されることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。図１および図２は、本発明の第
一実施形態に係る半導体製造装置を示す（請求項１、請
求項２、請求項６、請求項７に対応する）。本実施形態
に係る半導体装置２０は、クリーンルーム５０内に設置
されている。クリーンルーム５０は、天井５２にファン
５３ａと高性能フィルタ５３ｂとから成るファンフィル
タユニット５３を設置し、床５４に穴あき板５５を設置
し、空気調和装置５６を備えたダクト５７が天井側空間
５８と床下側空間５９とを連絡し、空気調和装置５６に
よって生成された空調空気を天井側空間５８へ供給し、
ファンフィルタユニット５３を通して部屋内を例えばク
ラス１０００程度の清浄空間を形成することによって構
成されている。

【００１９】局所クリーンルーム２１は、上部側にファ
ン２２とエアフィルタ（例えば、０．１μｍ以上の塵埃
に対して９９．９９９９％（６Ｎ）以上の捕集率を有す
るエアフィルタ等）等の高性能フィルタ２３を設置し、
その下流側を壁部材２４によって囲繞し、その区画内を
例えばクラス１程度の清浄空間を形成するように構成さ
れている。

【００２０】局所クリーンルーム２１内には、搬送装置
２８と、２枚の断面く字形状の偏向板３０ａ，３０ｂか
ら成る高速気流生成装置とが備えてある。搬送装置２８
は、従来と同様に、半導体ウエハ収納容器３７内の半導
体ウエハ３８を半導体ウエハ収納容器３７と製造装置３
５との間で受け渡しを行うために設けられている。

【００２１】２枚の偏向板３０ａ，３０ｂから成る高速
気流生成装置は、製造装置３５側と半導体ウエハ収納容
器３７側との清浄空気の速度を他の領域の流速より高速
にするために、局所クリーンルーム２１の高性能フィル
タ２３側に局所クリーンルーム２１の全幅に亘って設け
られている。２枚の偏向板３０ａ，３０ｂの両端は、局
所クリーンルーム２１の壁部材２４で固定、支持されて
いる。

【００２２】ここで、製造装置３５側と半導体ウエハ収
納容器３７側との清浄空気の速度領域を高速清浄空気流
下層Ａと称する。２枚の偏向板３０ａ，３０ｂは、高性
能フィルタ２３から吹き出される清浄空気を製造装置３
５側と半導体ウエハ収納容器３７側とに案内するよう
に、局所クリーンルーム２１の全幅に亘って設けてあ
る。

【００２３】製造装置３５と半導体ウエハ収納容器３７
とは、従来と同様に、局所クリーンルーム２１の壁部材
２４に設けた受渡口２５，２６を介して半導体ウエハ３
８の受渡ができるように配設されている。製造装置３５
では、従来と同様に、半導体ウエハ３８に露光、現像、
成膜、拡散、洗浄等多くの工程による何れかの処理を施
す。なお、半導体ウエハ３８は、対応する処理を施すた
めに、その都度半導体ウエハ収納容器３７に収納されて
各製造装置３５に搬送され、各製造装置３５によって処
理が施されて製品とされる。

【００２４】半導体ウエハ収納容器３７は、従来と同様
に、内部を高清浄雰囲気で満たしたフロントオープン一
体型ポット（ＦＯＵＰ）と称される容器から成り、局所
クリーンルーム２１の外側に設けた載置台３９上に置か
れている。斯くして構成された半導体製造装置の作用を
説明する。先ず、局所クリーンルーム２１のファン２２
を駆動し、クリーンルーム５０内の清浄空気を取り込
み、高性能フィルタ２３にてクラス１程度の高清浄度に
した清浄空気を吹き出す。ここで、流速は全体で０．３
−０．３５ｍ／ｓとした。

【００２５】そして、その高清浄度の清浄空気を２枚の
偏向板３０ａ，３０ｂにて積極的に局所クリーンルーム
２１内の製造装置３５側と半導体ウエハ収納容器３７側
に沿って流下する高速清浄空気流下層Ａを形成する。こ
こで、高速清浄空気流下層Ａの流速は０．５−０．７ｍ
／ｓとした。また、高速清浄空気流下層Ａの幅（図２に
おいてハッチングで示す領域）は、５０−１００ｍｍと
した。

【００２６】次に、自動搬送ロボット（ＡＧＶ）４０に
よって搬送され、載置台３９上に置かれた半導体ウエハ
収納容器３７の蓋３７ａを、半導体ウエハ３８の受渡口
２６の蓋２６ａとともに局所クリーンルーム２１内に設
けたオープナー２７によって開く。そして、搬送装置２
８を操作して半導体ウエハ収納容器３７内の半導体ウエ
ハ３８を半導体ウエハ収納容器３７と製造装置３５との
間で受け渡しを行う。

【００２７】この受渡時において、局所クリーンルーム
２１内の製造装置３５側の領域と半導体ウエハ収納容器
３７側の領域に、図２に示すように、常に高速清浄空気
流下層Ａがエアカーテンのように形成されているので、
仮に製造装置３５から局所クリーンルーム２１内に化学
物質が流入しても、あるいは、クリーンルーム５０から
化学物質や塵埃が局所クリーンルーム２１内に侵入して
も、高速清浄空気流下層Ａにより速やかに局所クリーン
ルーム２１の下部方向へ押し流され、半導体ウエハ３８
を汚染することはない。

【００２８】また、搬送装置２８の操作によって局所ク
リーンルーム２１内の気流が乱れても、化学物質や塵埃
が局所クリーンルーム２１内を拡散する前に、高速清浄
空気流下層Ａにより速やかに局所クリーンルーム２１の
下部方向へ押し流され、半導体ウエハ３８を汚染するこ
とはない。搬送装置２８の搬送部位上方では、半導体ウ
エハ３８を操作しているので、所定のクリーン度を形成
しなければならないが、搬送装置２８の搬送部位より下
方では、半導体ウエハ３８へ塵埃や化学物質を巻き上げ
ることはなく、確実にこれらを排出できる。

【００２９】所定の処理が施された半導体ウエハ３８
は、搬送装置２８を操作して半導体ウエハ収納容器３７
内に収納される。以上のように、本実施形態によれば、
半導体ウエハ３８の受渡口となる局所クリーンルーム２
１内の製造装置３５側の領域と半導体ウエハ収納容器３
７側の領域とが、図２に示すように、その他の領域より
高速の下降流から成る高速清浄空気流下層Ａをエアカー
テンのように形成しているので、製造装置３５から局所
クリーンルーム２１内への化学物質の流入、あるいは、
クリーンルーム５０から化学物質や塵埃が局所クリーン
ルーム２１内への侵入が起こっても、これらは高速清浄
空気流下層Ａにより速やかに排出され、半導体ウエハ３
８を汚染することはない。

【００３０】また、搬送装置２８による気流の乱れに起
因する化学物質や塵埃の拡散が起こる前に、これらは高
速清浄空気流下層Ａにより速やかに局所クリーンルーム
２１の下部方向へ押し流され、半導体ウエハ３８を汚染
することはない。なお、本実施形態では、高速気流生成
装置として２枚の断面く字形状の偏向板３０ａ，３０ｂ
を用いたが、高性能エアフィルタ２３から吹き出された
清浄空気を、局所クリーンルーム２１内の製造装置３５
側の領域と半導体ウエハ収納容器３７側の領域とが、そ
の他の領域より高速の下降流から成る高速清浄空気流下
層Ａを形成できるものであれば、これに限らず、長尺の
傾斜板とか円弧形状の板であっても良い。

【００３１】また、本実施形態では、半導体ウエハ収納
容器３７の搬送手段として自動搬送ロボット（ＡＧＶ）
４０を用いた場合について説明したが、これに限らず、
例えば、ＲＧＶ，ＯＨＴ，ＰＧＶなどを用いても良い。
図３は、本発明の第二実施形態に係る半導体製造装置を
示す（請求項１、請求項３、請求項６、請求項７に対応
する）。

【００３２】本実施形態に係る半導体装置６０は、高性
能フィルタ２３の吹出側に、高性能フィルタ２３の吹出
側の全面を覆う多孔板から成る覆い６１を配設して高速
気流生成装置を構成した点で、第一実施形態とは相違す
る。覆い６１は、製造装置３５側と半導体ウエハ収納容
器３７側に配される多孔板から成る傾斜板６２，６３
と、両者を高性能フィルタ２３と平行に連結する多孔板
から成る平板６４とで構成されている。

【００３３】そして、製造装置３５側と半導体ウエハ収
納容器３７側の傾斜板６２，６３の開口率が、その他の
領域の平板６４の開口率より大きくなっている。そのた
め、高性能フィルタ２３から吹き出された清浄空気は、
製造装置３５側と半導体ウエハ収納容器３７側へ多く流
れることとなる。これにより、覆い６１は、第一実施形
態における２枚の偏向板３０ａ，３０ｂと同様の作用を
奏することが可能となる。

【００３４】本実施形態においても、第一実施形態と同
様の作用効果を奏することができる。なお、本実施形態
では、覆い６１を多孔板から成る傾斜板６２，６３と多
孔板から成る平板６４とで構成し、両者の開口率を異な
らせた場合について説明したが、両者の開口率を同じに
し、平板６４上に別の多孔板を重ねて、傾斜板６２，６
３の開口率より小さい開口率としても良い。また、覆い
６１を断面円弧状の覆いとし、同様に開口率を異ならせ
るようにしても良い。

【００３５】また、覆い６１を多孔板から成る傾斜板６
２，６３と多孔板から成る平板６４とで構成し、両者の
開口率を異ならせた場合について説明したが、両者の開
口率を同じにても、多孔板の圧力損出によって気流は、
多孔板の面からほぼ垂直に吹き出すようになる。その結
果、覆い６１は、第一実施形態における２枚の偏向板３
０ａ，３０ｂと同様の作用を奏することが可能となる。

【００３６】また、覆い６１は、傾斜板６２，６２と平
板６４のような直線的な部材ではなく、例えば、蒲鉾型
などのように曲線的な輪郭を有する部材によって構成し
ても良い。図４は、本発明の第三実施形態に係る半導体
製造装置を示す（請求項１、請求項４、請求項６、請求
項７に対応する）。

【００３７】本実施形態に係る半導体装置７０は、断面
円弧形状の高性能フィルタ７１を高速気流生成装置とし
た点で、第一実施形態とは相違する。断面円弧形状の高
性能フィルタ７１は、断面円弧形状のフィルタフレーム
７２と、このフィルタフレーム７２に沿って配されるフ
ィルタ７３で構成されている。

【００３８】そのため、高性能フィルタ７１から吹き出
された清浄空気は、製造装置３５側と半導体ウエハ収納
容器３７側へ多く流れることとなる。これにより、断面
円弧形状の高性能フィルタ７１は、第一実施形態におけ
る２枚の偏向板３０ａ，３０ｂと同様の作用を奏するこ
とが可能となる。本実施形態においても、第一実施形態
と同様の作用効果を奏することができる。

【００３９】なお、断面円弧形状の高性能フィルタ７１
における製造装置３５側と半導体ウエハ収納容器３７側
の吹出量の調整は、製造装置３５側と半導体ウエハ収納
容器３７側に当たるフィルタ７３の圧力損出をその他の
領域より小さくすると良い。図５は、本発明の第四実施
形態に係る半導体製造装置を示す（請求項１、請求項
５、請求項６、請求項７に対応する）。

【００４０】本実施形態に係る半導体装置８０は、高性
能フィルタ８１を、製造装置３５側と半導体ウエハ収納
容器３７側とに対応する高性能フィルタ８１ｂ，８１ｃ
と、その他の領域の高性能フィルタ８１ａとに分割し、
製造装置３５側と半導体ウエハ収納容器３７側とに対応
する高性能フィルタ８１ｂ，８１ｃの圧力損出がその他
の領域の高性能フィルタ８１ａの圧力損出より小さくし
た点で、第一実施形態とは相違する。

【００４１】本実施形態によれば、製造装置３５側と半
導体ウエハ収納容器３７側とに対応する高性能フィルタ
８１より吹き出される気流の速度が、その他の領域の高
性能フィルタ８１ａより吹き出される気流の速度より高
速となり、製造装置３５側と半導体ウエハ収納容器３７
側とに高速の気流を流すことが可能となる。本実施形態
においても、第一実施形態と同様の作用効果を奏するこ
とができる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、局所ク
リーンルーム内に製造装置側と半導体ウエハ収納容器側
に向かって高速流とした高速清浄空気流下層を形成し、
化学物質、塵埃の侵入があっても速やかに局所クリーン
ルームの下部方向へ押し出し、半導体ウエハへの付着を
防止することができるので、半導体ウエハの汚染を最小
限度に抑えることが可能となる。また、局所クリーンル
ーム内の搬送装置による気流の乱れに起因する化学物質
や塵埃の拡散が起こる前に、これらを高速清浄空気流下
層により速やかに局所クリーンルームの下部方向へ押し
流し、半導体ウエハへの付着を防止することができるの
で、半導体ウエハの汚染を最小限度に抑えることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。

【図２】本発明の第一実施形態に係る半導体製造装置の
平面図に相当する説明図である。

【図３】本発明の第二実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。

【図４】本発明の第三実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。

【図５】本発明の第四実施形態に係る半導体製造装置の
断面図に相当する説明図である。

【図６】従来の導体製造装置の断面図に相当する説明図
である。

【符号の説明】

２０，６０，７０，８０ 半導体製造装置 ２１ 局所クリーンルーム ２２ ファン ２３，７１ 高性能フィルタ ２４ 壁部材 ２５，２６ 受渡口 ２６ａ 蓋 ２７ オープナー ２８ 搬送装置 ３０ａ，３０ｂ ２枚の断面く字形状の偏向板 ３５ 製造装置 ３７ 半導体ウエハ収納容器 ３７ａ 蓋 ３８ 半導体ウエハ ３９ 載置台 ４０ 自動搬送ロボット（ＡＧＶ） ５０ クリーンルーム ５２ 天井 ５３ ファンフィルタユニット ５３ａ ファン ５３ｂ 高性能フィルタ ５４ 床 ５５ 穴あき板 ５６ 空気調和装置 ５７ 配管 ５８ 天井側空間 ５９ 床下側空間 ６１ 覆い ６２，６３ 傾斜板 ６４ 平板 ７２ フィルタフレーム ７３ フィルタ ８１，８１ａ，８１ｂ，８１ｃ 高性能フィルタ Ａ 高速清浄空気流下層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城間 直 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号 三 機工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA11 GA58 NA02 NA13 NA16 NA17 PA26

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高性能フィルタを通して清浄化された空
   気をファンにより圧送して区画内を所定の清浄度に保つ
   局所クリーンルームと、 半導体ウエハの受渡口を介して前記局所クリーンルーム
   外に設置される製造装置と、 前記製造装置と対向するとともに半導体ウエハの受渡口
   を介して前記局所クリーンルーム外に配設される半導体
   ウエハ収納容器と、 前記局所クリーンルーム内に設置されて前記半導体ウエ
   ハ収納容器内の半導体ウエハを該半導体ウエハ収納容器
   と前記製造装置との間で受け渡しを行う搬送装置とを備
   えた半導体製造装置において、 前記局所クリーンルーム内に、前記製造装置側と前記半
   導体ウエハ収納容器側における前記清浄空気の流下速度
   をその他の領域より高速とする高速気流生成装置を設置
   して成ることを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
   て、 前記高速気流生成装置は、前記局所クリーンルームの前
   記高性能フィルタ側に、前記製造装置側と前記半導体ウ
   エハ収納容器側とに前記高性能フィルタから吹き出され
   る清浄空気を案内する偏向板を設置して成ることを特徴
   とする半導体製造装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体製造装置におい
   て、 前記高速気流生成装置は、前記局所クリーンルームの前
   記高性能フィルタ側に、前記製造装置側と前記半導体ウ
   エハ収納容器側とが傾斜するとともに、その他の領域が
   前記高性能フィルタと平行な多孔板を設置して成ること
   を特徴とする半導体製造装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体製造装置におい
   て、 前記高速気流生成装置は、前記局所クリーンルームの前
   記高性能フィルタを断面略円弧状にして成ることを特徴
   とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の半導体製造装置におい
   て、 前記高速気流生成装置は、前記高性能フィルタを、前記
   製造装置側と前記半導体ウエハ収納容器側とに対応する
   高性能フィルタと、その他の領域の高性能フィルタとに
   分割し、前記製造装置側と前記半導体ウエハ収納容器側
   とに対応する高性能フィルタの圧力損出がその他の領域
   の高性能フィルタの圧力損出より小さくして成ることを
   特徴とする半導体製造装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５の何れか１項記
   載の半導体製造装置を用いて半導体を製造するに当た
   り、 前記局所クリーンルーム内の前記製造装置側領域および
   前記局所クリーンルーム内の前記半導体ウエハ収納容器
   側領域に、前記局所クリーンルーム内のその他の領域よ
   り高速となる清浄空気流下層を形成することを特徴とす
   る半導体製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体製造方法におい
   て、 前記局所クリーンルーム内の前記製造装置側領域および
   前記局所クリーンルーム内の前記半導体ウエハ収納容器
   側領域は、前記局所クリーンルーム内の全幅に亘って形
   成されることを特徴とする半導体製造方法。