JP2003051621A - 発光素子の実装方法及び画像表示装置の製造方法 - Google Patents
発光素子の実装方法及び画像表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子を効率的に実装可能とし、実装位置
精度も確保する。 【解決手段】 第1の基板上に配列形成された発光素子
を絶縁性材料に転写してシート状素子基板を形成し、当
該シート状素子基板を発光素子の配列方向に沿って長尺
状に切断してライン状素子基板とした後、これらライン
状素子基板を離間して第2の基板上に配列する。カラー
画像表示装置を作製する場合には、赤色発光素子、緑色
発光素子、青色発光素子がそれぞれ配列された３つのラ
イン状素子基板を1組とし、これらライン状素子基板を
第2の基板上に繰り返し配列した後、上記切断方向と直
交する方向に切断して赤色発光素子，緑色発光素子，青
色発光素子が順次配列されたライン状素子基板とし、当
該ライン状素子基板を第３の基板上に離間して配列す
る。
精度も確保する。 【解決手段】 第1の基板上に配列形成された発光素子
を絶縁性材料に転写してシート状素子基板を形成し、当
該シート状素子基板を発光素子の配列方向に沿って長尺
状に切断してライン状素子基板とした後、これらライン
状素子基板を離間して第2の基板上に配列する。カラー
画像表示装置を作製する場合には、赤色発光素子、緑色
発光素子、青色発光素子がそれぞれ配列された３つのラ
イン状素子基板を1組とし、これらライン状素子基板を
第2の基板上に繰り返し配列した後、上記切断方向と直
交する方向に切断して赤色発光素子，緑色発光素子，青
色発光素子が順次配列されたライン状素子基板とし、当
該ライン状素子基板を第３の基板上に離間して配列す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子を効率的
に配列する実装方法に関するものであり、さらには、こ
れを応用した画像表示装置の製造方法に関するものであ
る。
に配列する実装方法に関するものであり、さらには、こ
れを応用した画像表示装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配列して画像
表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオ
ードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体
のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。例
えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、
素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各
素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて
形成することが通常行われている。
表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオ
ードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体
のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。例
えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、
素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各
素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて
形成することが通常行われている。
【０００３】一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、Ｌ
ＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤー
ボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により
外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われて
いる。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表
示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピ
ッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。
ＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤー
ボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により
外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われて
いる。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表
示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピ
ッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。
【０００４】発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にＬＥＤチップをダイシング後に取り出して個別に実装
する場合、ＬＥＤチップが微細であることから、実装工
程が極めて煩雑なものとなり、生産性を大きく損なって
いる。また、ＬＥＤチップを個別に実装する場合、位置
精度の点でも問題が生じ、例えば配列ピッチを一定にす
ることは難しい。
にＬＥＤチップをダイシング後に取り出して個別に実装
する場合、ＬＥＤチップが微細であることから、実装工
程が極めて煩雑なものとなり、生産性を大きく損なって
いる。また、ＬＥＤチップを個別に実装する場合、位置
精度の点でも問題が生じ、例えば配列ピッチを一定にす
ることは難しい。
【０００６】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、発光素子を効率的に実装することが
可能で、しかも実装位置精度の確保も容易な発光素子の
実装方法を提供することを目的とし、さらには画像表示
装置の製造方法を提供することを目的とする。
されたものであり、発光素子を効率的に実装することが
可能で、しかも実装位置精度の確保も容易な発光素子の
実装方法を提供することを目的とし、さらには画像表示
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の発光素子の実装方法は、複数の発光素子
を一列に配列した状態で一括して取り扱い、基板上に実
装することを特徴とするものである。また、本発明の発
光素子の実装方法は、発光素子が一列に配列されてなる
第１の発光素子列を並列に配列した後、各発光素子が分
離されるように第１の発光素子列を分断して第１の発光
素子列とは異なる方向に発光素子が配列される第２の発
光素子列とし、これを基板上に実装することを特徴とす
るものである。さらに、本発明の発光素子の実装方法、
画像表示装置の製造方法は、第１の基板上に配列形成さ
れた発光素子を絶縁性材料に転写してシート状素子基板
を形成し、当該シート状素子基板を発光素子の配列方向
に沿って長尺状に切断してライン状素子基板とした後、
これらライン状素子基板を離間して第２の基板上に配列
することを特徴とするものである。
めに、本発明の発光素子の実装方法は、複数の発光素子
を一列に配列した状態で一括して取り扱い、基板上に実
装することを特徴とするものである。また、本発明の発
光素子の実装方法は、発光素子が一列に配列されてなる
第１の発光素子列を並列に配列した後、各発光素子が分
離されるように第１の発光素子列を分断して第１の発光
素子列とは異なる方向に発光素子が配列される第２の発
光素子列とし、これを基板上に実装することを特徴とす
るものである。さらに、本発明の発光素子の実装方法、
画像表示装置の製造方法は、第１の基板上に配列形成さ
れた発光素子を絶縁性材料に転写してシート状素子基板
を形成し、当該シート状素子基板を発光素子の配列方向
に沿って長尺状に切断してライン状素子基板とした後、
これらライン状素子基板を離間して第２の基板上に配列
することを特徴とするものである。
【０００８】発光素子は微細な素子であることから、個
々に分離した状態で取り扱うのは極めて煩雑である。本
発明では、発光素子を絶縁性材料中に埋め込み、これを
ライン状に切り出して取り扱うようにしており、例えば
一列に配列した状態で一括して取り扱うようにしている
ので、実装の効率を大幅に向上することができる。加え
て、１ライン内では発光素子間のピッチなどがずれるこ
とはなく、精度の良い実装が実現される。
々に分離した状態で取り扱うのは極めて煩雑である。本
発明では、発光素子を絶縁性材料中に埋め込み、これを
ライン状に切り出して取り扱うようにしており、例えば
一列に配列した状態で一括して取り扱うようにしている
ので、実装の効率を大幅に向上することができる。加え
て、１ライン内では発光素子間のピッチなどがずれるこ
とはなく、精度の良い実装が実現される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した発光素子
の実装方法、画像表示装置の製造方法について、図面を
参照しながら詳細に説明する。
の実装方法、画像表示装置の製造方法について、図面を
参照しながら詳細に説明する。
【００１０】最初に、本発明の発光素子の実装方法、画
像表示装置の製造方法の基本的な構成について説明す
る。発光素子は、通常、例えばウエハ上に一括して形成
され、これをダイシングにより個々の発光素子毎に切り
出した後、例えば実装基板上に実装する。これに対し
て、本発明では、ウエハ上に配列形成された多数の発光
素子を、一括して絶縁性材料である樹脂中に埋め込み、
樹脂シートの形にして取り扱う。
像表示装置の製造方法の基本的な構成について説明す
る。発光素子は、通常、例えばウエハ上に一括して形成
され、これをダイシングにより個々の発光素子毎に切り
出した後、例えば実装基板上に実装する。これに対し
て、本発明では、ウエハ上に配列形成された多数の発光
素子を、一括して絶縁性材料である樹脂中に埋め込み、
樹脂シートの形にして取り扱う。
【００１１】すなわち、本発明においては、先ず、ウエ
ハ上に配列形成された多数の発光素子を絶縁性材料（樹
脂材料）中に埋め込み、この状態で転写する。図１は、
ウエハ上に配列形成された発光素子（ＬＥＤ）２を樹脂
シート３に転写した状態を示すものであり、基板部分を
剥離することにより、樹脂シート３に発光素子２が埋め
込まれたシート状素子基板１とすることができる。この
シート状素子基板１においては、発光素子２は、例えば
上記ウエハ上での配列状態のまま、あるいは所定の間隔
となるように発光素子２間の間隔が拡大された状態で樹
脂シート３に転写されている。転写は、例えばレーザア
ブレーションなどの技術を利用して発光素子２を基板
（ウエハ）から剥離し、同時に樹脂材料を硬化すること
により行う。
ハ上に配列形成された多数の発光素子を絶縁性材料（樹
脂材料）中に埋め込み、この状態で転写する。図１は、
ウエハ上に配列形成された発光素子（ＬＥＤ）２を樹脂
シート３に転写した状態を示すものであり、基板部分を
剥離することにより、樹脂シート３に発光素子２が埋め
込まれたシート状素子基板１とすることができる。この
シート状素子基板１においては、発光素子２は、例えば
上記ウエハ上での配列状態のまま、あるいは所定の間隔
となるように発光素子２間の間隔が拡大された状態で樹
脂シート３に転写されている。転写は、例えばレーザア
ブレーションなどの技術を利用して発光素子２を基板
（ウエハ）から剥離し、同時に樹脂材料を硬化すること
により行う。
【００１２】図２は、本例において使用される発光素子
の一例を示すものである。図２の（ａ）が素子断面図で
あり、図２の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧ
ａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基
板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系
の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によ
ってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化
する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長
層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なもの
にできる特徴を有している。
の一例を示すものである。図２の（ａ）が素子断面図で
あり、図２の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧ
ａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基
板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系
の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によ
ってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化
する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長
層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なもの
にできる特徴を有している。
【００１３】その構造であるが、具体的には、ＧａＮ系
半導体層からなる下地成長層１１上に選択成長された六
角錐形状のＧａＮ層１２が形成されている。なお、下地
成長層１１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形
状のＧａＮ層１２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣ
ＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層１２は、
成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした
場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の
成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。こ
のＧａＮ層１２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構
造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層１２の傾斜した
Ｓ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層１３が形成
されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層
１４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層
１４もクラッドとして機能する。
半導体層からなる下地成長層１１上に選択成長された六
角錐形状のＧａＮ層１２が形成されている。なお、下地
成長層１１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形
状のＧａＮ層１２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣ
ＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層１２は、
成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした
場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の
成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。こ
のＧａＮ層１２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構
造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層１２の傾斜した
Ｓ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層１３が形成
されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層
１４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層
１４もクラッドとして機能する。
【００１４】このような発光ダイオードには、ｐ電極１
５とｎ電極１６が形成されている。ｐ電極１５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層１４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極１６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層１１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極１６
の形成は下地成長層１１の表面側には不要となる。
５とｎ電極１６が形成されている。ｐ電極１５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層１４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極１６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層１１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極１６
の形成は下地成長層１１の表面側には不要となる。
【００１５】上記構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、
青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーシ
ョンよって比較的簡単にサファイア基板から剥離するこ
とができ、レーザビームを選択的に照射することで選択
的な剥離が実現される。ＧａＮ系の発光ダイオードとし
ては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であって
も良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであ
っても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導
体素子などであっても良い。
青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーシ
ョンよって比較的簡単にサファイア基板から剥離するこ
とができ、レーザビームを選択的に照射することで選択
的な剥離が実現される。ＧａＮ系の発光ダイオードとし
ては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であって
も良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであ
っても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導
体素子などであっても良い。
【００１６】上記によりシート状素子基板１を作製した
後、図３に示すように、シート状素子基板１をダイシン
グにより切断し、複数のライン状素子基板１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・に分割する。上記ダイシ
ングは、一次ダイシング工程であり、ここでは、マトリ
クス状に配列された発光素子２を一列毎に切断する。し
たがって、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ，１ｅ，１ｆ・・・には、発光素子２が一列に並んだ
状態で埋め込まれ、これらライン状素子基板１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・の状態で発光素子２
を取り扱うことにより、一列分の発光素子２が一括して
取り扱われることになる。
後、図３に示すように、シート状素子基板１をダイシン
グにより切断し、複数のライン状素子基板１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・に分割する。上記ダイシ
ングは、一次ダイシング工程であり、ここでは、マトリ
クス状に配列された発光素子２を一列毎に切断する。し
たがって、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ，１ｅ，１ｆ・・・には、発光素子２が一列に並んだ
状態で埋め込まれ、これらライン状素子基板１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・の状態で発光素子２
を取り扱うことにより、一列分の発光素子２が一括して
取り扱われることになる。
【００１７】次いで、上記ライン状素子基板１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を第２の基板である
一次基材４上に転写する（第１転写工程）。一次基材４
は、ガラスなどのような剛性を有する基材であってもよ
いし、各種フィルムのような可撓性を有する基材であっ
てもよい。後者の場合、ロール状の基材、あるいは蛇腹
状に折り畳んだ基材なども使用可能である。これら一次
基材４の表面に接着剤層などを形成しておけば、転写さ
れたライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，
１ｆ・・・を確実に固定することができる。
ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を第２の基板である
一次基材４上に転写する（第１転写工程）。一次基材４
は、ガラスなどのような剛性を有する基材であってもよ
いし、各種フィルムのような可撓性を有する基材であっ
てもよい。後者の場合、ロール状の基材、あるいは蛇腹
状に折り畳んだ基材なども使用可能である。これら一次
基材４の表面に接着剤層などを形成しておけば、転写さ
れたライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，
１ｆ・・・を確実に固定することができる。
【００１８】転写に際しては、図４乃至図６に示すよう
に、数列おきにライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を一次基材４上へ転写し、所定の
間隔で離間するように配列する。具体的には、先ず、図
４に示すように、ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・のうち３列おきのライン状素子
基板１ａ，１ｄ・・・を一次基材４上に転写する。次
に、図５に示すように、一次基材４を相対移動し、再び
３列おきのライン状素子基板１ｂ，１ｅ・・・を一次基
材４上に転写する。さらに、図６に示すように、残りの
ライン状素子基板１ｃ，１ｆ・・・を一次基材４上に転
写する。以上により、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・は、配列ピッチが３倍に
拡大された状態で一次基材４上に転写配列されることに
なる。
に、数列おきにライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を一次基材４上へ転写し、所定の
間隔で離間するように配列する。具体的には、先ず、図
４に示すように、ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・のうち３列おきのライン状素子
基板１ａ，１ｄ・・・を一次基材４上に転写する。次
に、図５に示すように、一次基材４を相対移動し、再び
３列おきのライン状素子基板１ｂ，１ｅ・・・を一次基
材４上に転写する。さらに、図６に示すように、残りの
ライン状素子基板１ｃ，１ｆ・・・を一次基材４上に転
写する。以上により、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・は、配列ピッチが３倍に
拡大された状態で一次基材４上に転写配列されることに
なる。
【００１９】カラー画像表示装置を作製する場合、３色
（赤、緑、青）の発光素子を配列する必要がある。そこ
で、例えば、上記により赤色の発光素子を含むライン状
素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を
一次基材４上に拡大転写した後、緑色の発光素子が配列
されたライン状素子基板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅ，５ｆ・・・、及び青色の発光素子を含むライン状素
子基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を順
次転写する。これにより、図７に示すように、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のライン状素子基板が繰り
返し配列されたシート状素子基板１０を得ることができ
る。
（赤、緑、青）の発光素子を配列する必要がある。そこ
で、例えば、上記により赤色の発光素子を含むライン状
素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を
一次基材４上に拡大転写した後、緑色の発光素子が配列
されたライン状素子基板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅ，５ｆ・・・、及び青色の発光素子を含むライン状素
子基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を順
次転写する。これにより、図７に示すように、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のライン状素子基板が繰り
返し配列されたシート状素子基板１０を得ることができ
る。
【００２０】次に、上記シート状素子基板１０を切断
し、発光素子２が一列に配列されるライン状素子基板１
０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・
に分割する。この切断工程（二次ダイシング工程）にお
ける切断方向は、上記一次ダイシング工程とは直交する
方向である。すなわち、上記赤色の発光素子が配列され
たライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１
ｆ・・・、緑色の発光素子が配列されたライン状素子基
板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ・・・、及び青
色の発光素子を含むライン状素子基板６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を横切るように切断する。
また、切断の間隔は、発光素子１個に対応した幅とし、
これによって、図８に示すように、赤色発光素子、緑色
発光素子、青色発光素子が繰り返し配列され、且つ、こ
れら発光素子が一列に配列されたライン状素子基板１０
ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・を
得ることができる。
し、発光素子２が一列に配列されるライン状素子基板１
０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・
に分割する。この切断工程（二次ダイシング工程）にお
ける切断方向は、上記一次ダイシング工程とは直交する
方向である。すなわち、上記赤色の発光素子が配列され
たライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１
ｆ・・・、緑色の発光素子が配列されたライン状素子基
板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ・・・、及び青
色の発光素子を含むライン状素子基板６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を横切るように切断する。
また、切断の間隔は、発光素子１個に対応した幅とし、
これによって、図８に示すように、赤色発光素子、緑色
発光素子、青色発光素子が繰り返し配列され、且つ、こ
れら発光素子が一列に配列されたライン状素子基板１０
ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・を
得ることができる。
【００２１】最後に、上記分割されたライン状素子基板
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・
・をディスプレイ基板７上に転写・配列し（第２転写工
程）、カラー画像表示装置を完成する。この転写も先の
第１転写工程と同様の手法で行い、選択転写により配列
間隔を拡大する。具体的には、先ず、図９に示すよう
に、ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・のうち３列おきのライン状素
子基板１０ａ，１０ｄ・・・をディスプレイ基板７上に
転写する。次に、図１０に示すように、ディスプレイ基
板７を相対移動し、再び３列おきのライン状素子基板１
０ｂ，１０ｅ・・・をディスプレイ基板７に転写する。
さらに、図１１に示すように、残りのライン状素子基板
１０ｃ，１０ｆ・・・をディスプレイ基板７上に転写す
る。以上により、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・は、配列ピッチ
が３倍に拡大された状態でディスプレイ基板７上に転写
・配列されることになる。
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・
・をディスプレイ基板７上に転写・配列し（第２転写工
程）、カラー画像表示装置を完成する。この転写も先の
第１転写工程と同様の手法で行い、選択転写により配列
間隔を拡大する。具体的には、先ず、図９に示すよう
に、ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・のうち３列おきのライン状素
子基板１０ａ，１０ｄ・・・をディスプレイ基板７上に
転写する。次に、図１０に示すように、ディスプレイ基
板７を相対移動し、再び３列おきのライン状素子基板１
０ｂ，１０ｅ・・・をディスプレイ基板７に転写する。
さらに、図１１に示すように、残りのライン状素子基板
１０ｃ，１０ｆ・・・をディスプレイ基板７上に転写す
る。以上により、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・は、配列ピッチ
が３倍に拡大された状態でディスプレイ基板７上に転写
・配列されることになる。
【００２２】以上により作製されたカラー画像表示装置
においては、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０
ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・が例えば走査線に対
応し、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・に配列される赤色発光素
子、緑色発光素子、青色発光素子を画像信号に応じて駆
動すれば、カラー画像の表示が行われる。
においては、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０
ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・が例えば走査線に対
応し、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・に配列される赤色発光素
子、緑色発光素子、青色発光素子を画像信号に応じて駆
動すれば、カラー画像の表示が行われる。
【００２３】以上が本発明の発光素子の実装方法、画像
表示装置の製造方法の一構成例であるが、この例に限ら
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記の例におい
ては、ライン状素子基板を一次基材やディスプレイ基板
上に転写する際に、これらを重ね合わせて選択転写する
という方法を採用しているが、ライン状素子基板を機械
的手法によって一つずつ保持し、一次基材やディスプレ
イ基板上に順次配列していくことも可能である。この場
合、各ライン状素子基板を何カ所かで保持することがで
き、安定な機械的転写が可能である。また、一列分の発
光素子を一括して保持することができ、効率的な機械的
転写が可能である。加えて、１ライン内においては発光
素子のピッチがずれることはなく、高精度な配列を実現
することができる。
表示装置の製造方法の一構成例であるが、この例に限ら
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記の例におい
ては、ライン状素子基板を一次基材やディスプレイ基板
上に転写する際に、これらを重ね合わせて選択転写する
という方法を採用しているが、ライン状素子基板を機械
的手法によって一つずつ保持し、一次基材やディスプレ
イ基板上に順次配列していくことも可能である。この場
合、各ライン状素子基板を何カ所かで保持することがで
き、安定な機械的転写が可能である。また、一列分の発
光素子を一括して保持することができ、効率的な機械的
転写が可能である。加えて、１ライン内においては発光
素子のピッチがずれることはなく、高精度な配列を実現
することができる。
【００２４】また、上記ライン状素子基板を一次基材な
どに転写する際、必ずしも接着剤層を形成する必要はな
く、例えばライン状素子基板自体が有する密着性を利用
して一次基材に固定するようにしてもよい。このよう
に、接着剤なしでライン状素子基板を固定するようにす
れば、後から容易に転写位置を修正することができる。
どに転写する際、必ずしも接着剤層を形成する必要はな
く、例えばライン状素子基板自体が有する密着性を利用
して一次基材に固定するようにしてもよい。このよう
に、接着剤なしでライン状素子基板を固定するようにす
れば、後から容易に転写位置を修正することができる。
【００２５】次に、上記ライン状素子基板の具体的な作
製方法について説明する。発光素子は図２に示したＧａ
Ｎ系の発光ダイオードを用いている。図１２に示すよう
に、第一基板２１の主面上には複数の発光ダイオード２
２が密な状態で形成されている。発光ダイオード２２の
大きさは微小なものとすることができ、例えば一辺約２
０μｍ程度とすることができる。第一基板２１の構成材
料としてはサファイア基板などのように発光ダイオード
２２に照射するレーザの波長に対して透過率の高い材料
が用いられる。発光ダイオード２２にはｐ電極などまで
は形成されているが最終的な配線は未だなされておら
ず、素子間分離の溝２２ｇが形成されていて、個々の発
光ダイオード２２は分離できる状態にある。この溝２２
ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングにより行う。
製方法について説明する。発光素子は図２に示したＧａ
Ｎ系の発光ダイオードを用いている。図１２に示すよう
に、第一基板２１の主面上には複数の発光ダイオード２
２が密な状態で形成されている。発光ダイオード２２の
大きさは微小なものとすることができ、例えば一辺約２
０μｍ程度とすることができる。第一基板２１の構成材
料としてはサファイア基板などのように発光ダイオード
２２に照射するレーザの波長に対して透過率の高い材料
が用いられる。発光ダイオード２２にはｐ電極などまで
は形成されているが最終的な配線は未だなされておら
ず、素子間分離の溝２２ｇが形成されていて、個々の発
光ダイオード２２は分離できる状態にある。この溝２２
ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングにより行う。
【００２６】次いで、第一基板２１上の発光ダイオード
２２を第１の一時保持用部材２３上に転写する。ここで
一時保持用部材２３の例としては、ガラス基板、石英ガ
ラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、
本例では石英ガラス基板を用いた。また、一時保持用部
材２３の表面には、離型層として機能する剥離層２４が
形成されている。剥離層２４には、フッ素コート、シリ
コーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコー
ル：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる
が、ここではポリイミドを用いた。
２２を第１の一時保持用部材２３上に転写する。ここで
一時保持用部材２３の例としては、ガラス基板、石英ガ
ラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、
本例では石英ガラス基板を用いた。また、一時保持用部
材２３の表面には、離型層として機能する剥離層２４が
形成されている。剥離層２４には、フッ素コート、シリ
コーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコー
ル：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる
が、ここではポリイミドを用いた。
【００２７】転写に際しては、図１２に示すように、第
一基板２１上に発光ダイオード２２を覆うに足る接着剤
（例えば紫外線硬化型の接着剤）２５を塗布し、発光ダ
イオード２２で支持されるように一時保持用部材２３を
重ね合わせる。この状態で、図１３に示すように一時保
持用部材２３の裏面側から接着剤２５に紫外線（ＵＶ）
を照射し、これを硬化する。一時保持用部材２３は石英
ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤
２５を速やかに硬化する。
一基板２１上に発光ダイオード２２を覆うに足る接着剤
（例えば紫外線硬化型の接着剤）２５を塗布し、発光ダ
イオード２２で支持されるように一時保持用部材２３を
重ね合わせる。この状態で、図１３に示すように一時保
持用部材２３の裏面側から接着剤２５に紫外線（ＵＶ）
を照射し、これを硬化する。一時保持用部材２３は石英
ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤
２５を速やかに硬化する。
【００２８】接着剤２５を硬化した後、図１４に示すよ
うに、発光ダイオード２２に対しレーザを第一基板２１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード２２を第一基板
２１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード２２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。このレーザアブレー
ションを利用した剥離によって、発光ダイオード２２は
第一基板２１の界面で分離し、一時保持用部材２３上に
接着剤２５に埋め込まれた状態で転写される。
うに、発光ダイオード２２に対しレーザを第一基板２１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード２２を第一基板
２１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード２２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。このレーザアブレー
ションを利用した剥離によって、発光ダイオード２２は
第一基板２１の界面で分離し、一時保持用部材２３上に
接着剤２５に埋め込まれた状態で転写される。
【００２９】図１５は、上記剥離により第一基板２１を
取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザに
てＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第
一基板２１から剥離しており、その剥離面にＧａ２６が
析出しているため、これをエッチングすることが必要で
ある。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸などによ
りウエットエッチングを行い、図１６に示すように、Ｇ
ａ２６を除去する。さらに、図１７に示すように、酸素
プラズマ（Ｏ２プラズマ）により表面を清浄化し、ダイ
シングにより接着剤２５を切断してダイシング溝２７を
形成し、発光ダイオード２２毎にダイシングした後、発
光ダイオード２２の選択分離を行なう。ダイシングプロ
セスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以
下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用
いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表
示装置の画素内の接着剤２５で覆われた発光ダイオード
２２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレー
ザにて溝加工を行い、チップの形状を形成する。
取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザに
てＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第
一基板２１から剥離しており、その剥離面にＧａ２６が
析出しているため、これをエッチングすることが必要で
ある。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸などによ
りウエットエッチングを行い、図１６に示すように、Ｇ
ａ２６を除去する。さらに、図１７に示すように、酸素
プラズマ（Ｏ２プラズマ）により表面を清浄化し、ダイ
シングにより接着剤２５を切断してダイシング溝２７を
形成し、発光ダイオード２２毎にダイシングした後、発
光ダイオード２２の選択分離を行なう。ダイシングプロ
セスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以
下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用
いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表
示装置の画素内の接着剤２５で覆われた発光ダイオード
２２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレー
ザにて溝加工を行い、チップの形状を形成する。
【００３０】発光ダイオード２２を選択分離するには、
先ず、図１８に示すように、清浄化した発光ダイオード
２２上にＵＶ接着剤２８を塗布し、この上に第２の一時
保持用部材２９を重ねる。この第２の一時保持用部材２
９も、先の第１の一時保持用部材２３と同様、ガラス基
板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いるこ
とができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、こ
の第２の一時保持用部材２９の表面にもポリイミドなど
からなる剥離層３０を形成しておく。
先ず、図１８に示すように、清浄化した発光ダイオード
２２上にＵＶ接着剤２８を塗布し、この上に第２の一時
保持用部材２９を重ねる。この第２の一時保持用部材２
９も、先の第１の一時保持用部材２３と同様、ガラス基
板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いるこ
とができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、こ
の第２の一時保持用部材２９の表面にもポリイミドなど
からなる剥離層３０を形成しておく。
【００３１】次いで、図１９に示すように、転写対象と
なる発光ダイオード２２ａに対応した位置にのみ第１の
一時保持用部材２３の裏面側からレーザを照射し、レー
ザアブレーショによりこの発光ダイオード２２ａを第１
の一時保持用部材２３から剥離する。それと同時に、や
はり転写対象となる発光ダイオード２２ａに対応した位
置に、第２の一時保持用部材２９の裏面側から紫外線
（ＵＶ）を照射してＵＶ露光を行い、この部分のＵＶ接
着剤２８を硬化する。その後、第２の一時保持用部材２
９を第１の一時保持用部材２３から引き剥がすと、図２
０に示すように、上記転写対象となる発光ダイオード２
２ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持用部材２
９上に転写される。
なる発光ダイオード２２ａに対応した位置にのみ第１の
一時保持用部材２３の裏面側からレーザを照射し、レー
ザアブレーショによりこの発光ダイオード２２ａを第１
の一時保持用部材２３から剥離する。それと同時に、や
はり転写対象となる発光ダイオード２２ａに対応した位
置に、第２の一時保持用部材２９の裏面側から紫外線
（ＵＶ）を照射してＵＶ露光を行い、この部分のＵＶ接
着剤２８を硬化する。その後、第２の一時保持用部材２
９を第１の一時保持用部材２３から引き剥がすと、図２
０に示すように、上記転写対象となる発光ダイオード２
２ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持用部材２
９上に転写される。
【００３２】上記選択分離後、図２１に示すように、転
写された発光ダイオード２２を覆って樹脂を塗布し、樹
脂層３１を形成する。さらに、図２２に示すように、酸
素プラズマなどにより樹脂層３１の厚さを削減し、図２
３に示すように、発光ダイオード２２に対応した位置に
レーザの照射によりビアホール３２を形成する。ビアホ
ール３２の形成には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレ
ーザ、炭酸ガスレーザなどを用いることができる。この
とき、ビアホール３２は例えば約３〜７μｍの径を開け
ることになる。
写された発光ダイオード２２を覆って樹脂を塗布し、樹
脂層３１を形成する。さらに、図２２に示すように、酸
素プラズマなどにより樹脂層３１の厚さを削減し、図２
３に示すように、発光ダイオード２２に対応した位置に
レーザの照射によりビアホール３２を形成する。ビアホ
ール３２の形成には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレ
ーザ、炭酸ガスレーザなどを用いることができる。この
とき、ビアホール３２は例えば約３〜７μｍの径を開け
ることになる。
【００３３】次に、上記ビアホール３２を介して発光ダ
イオード２２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッ
ド３３を形成する。このアノード側電極パッド３３は、
例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。図２４は、発
光ダイオード２２を第２の一時保持用部材２９に転写し
て、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール３２を形成
した後、アノード側電極パッド３３を形成した状態を示
している。
イオード２２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッ
ド３３を形成する。このアノード側電極パッド３３は、
例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。図２４は、発
光ダイオード２２を第２の一時保持用部材２９に転写し
て、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール３２を形成
した後、アノード側電極パッド３３を形成した状態を示
している。
【００３４】上記アノード側電極パッド３３を形成した
後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３
の一時保持用部材３４への転写を行う。第３の一時保持
用部材３４も、例えば石英ガラスなどからなる。転写に
際しては、図２５に示すように、アノード側電極パッド
３３を形成した発光ダイオード２２、さらには樹脂層３
１上に接着剤３５を塗布し、この上に第３の一時保持用
部材３４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部
材２９の裏面側からレーザを照射すると、石英ガラスか
らなる第２の一時保持用部材２９と、当該第２の一時保
持用部材２９上に形成されたポリイミドからなる剥離層
３０の界面でレーザアブレーションによる剥離が起き、
剥離層３０上に形成されている発光ダイオード２２や樹
脂層３１は、第３の一時保持用部材３４上に転写され
る。図２６は、第２の一時保持用部材２９を分離した状
態を示すものである。
後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３
の一時保持用部材３４への転写を行う。第３の一時保持
用部材３４も、例えば石英ガラスなどからなる。転写に
際しては、図２５に示すように、アノード側電極パッド
３３を形成した発光ダイオード２２、さらには樹脂層３
１上に接着剤３５を塗布し、この上に第３の一時保持用
部材３４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部
材２９の裏面側からレーザを照射すると、石英ガラスか
らなる第２の一時保持用部材２９と、当該第２の一時保
持用部材２９上に形成されたポリイミドからなる剥離層
３０の界面でレーザアブレーションによる剥離が起き、
剥離層３０上に形成されている発光ダイオード２２や樹
脂層３１は、第３の一時保持用部材３４上に転写され
る。図２６は、第２の一時保持用部材２９を分離した状
態を示すものである。
【００３５】カソード側電極の形成に際しては、上記の
転写工程を経た後、図２７に示すＯ ２プラズマ処理によ
り上記剥離層３０や余分な樹脂層３１を除去し、発光ダ
イオード２２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出さ
せる。発光ダイオード２２は一時保持用部材３４の接着
剤３５によって保持された状態で、発光ダイオード２２
の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図
２８に示すように電極パッド３６を形成すれば、電極パ
ッド３６は発光ダイオード２２の裏面と電気的に接続さ
れる。その後、電極パッド３６をパターニングする。こ
のときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ
角とすることができる。電極パッド３６としては透明電
極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ
／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイ
オード２２の裏面を大きく覆っても発光をさえぎること
がないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成
ができ、パターニングプロセスが容易になる。なお、上
記電極パッド３６を形成する際に、先に形成したアノー
ド側電極パッド３３と接続される引き出し電極３３ａを
形成するようにすれば、実装工程における接続が非常に
容易なものとなる。この引き出し電極３３ａは、上記樹
脂層３１にビア３１ａを形成し、上記電極パッド３６を
形成する際に同時にパターニングすれば簡単に形成する
ことができる。
転写工程を経た後、図２７に示すＯ ２プラズマ処理によ
り上記剥離層３０や余分な樹脂層３１を除去し、発光ダ
イオード２２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出さ
せる。発光ダイオード２２は一時保持用部材３４の接着
剤３５によって保持された状態で、発光ダイオード２２
の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図
２８に示すように電極パッド３６を形成すれば、電極パ
ッド３６は発光ダイオード２２の裏面と電気的に接続さ
れる。その後、電極パッド３６をパターニングする。こ
のときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ
角とすることができる。電極パッド３６としては透明電
極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ
／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイ
オード２２の裏面を大きく覆っても発光をさえぎること
がないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成
ができ、パターニングプロセスが容易になる。なお、上
記電極パッド３６を形成する際に、先に形成したアノー
ド側電極パッド３３と接続される引き出し電極３３ａを
形成するようにすれば、実装工程における接続が非常に
容易なものとなる。この引き出し電極３３ａは、上記樹
脂層３１にビア３１ａを形成し、上記電極パッド３６を
形成する際に同時にパターニングすれば簡単に形成する
ことができる。
【００３６】以上により、上記樹脂層３１や接着剤３５
によって発光ダイオード２２が固められた状態が、シー
ト状素子基板の状態である。そして、このシート状素子
基板を切断（ダイシング）し、ライン状素子基板の状態
にする。切り出しは、例えばレーザダイシングにより行
えばよい。図２９は、レーザダイシングによる切り出し
工程を示すものである。レーザダイシングは、レーザの
ラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層
３１及び接着剤３５を第３の一時保持用部材３４が露出
するまで切断する。このレーザダイシングによりシート
状素子基板はライン状素子基板として切り出され、先に
図４〜図６により説明した転写工程と移行される。
によって発光ダイオード２２が固められた状態が、シー
ト状素子基板の状態である。そして、このシート状素子
基板を切断（ダイシング）し、ライン状素子基板の状態
にする。切り出しは、例えばレーザダイシングにより行
えばよい。図２９は、レーザダイシングによる切り出し
工程を示すものである。レーザダイシングは、レーザの
ラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層
３１及び接着剤３５を第３の一時保持用部材３４が露出
するまで切断する。このレーザダイシングによりシート
状素子基板はライン状素子基板として切り出され、先に
図４〜図６により説明した転写工程と移行される。
【００３７】ライン状素子基板の具体的な作製方法は上
記の通りであり、例えば赤色発光ダイオードが配列され
たライン状素子基板を上記により作製し転写した後、同
様に、他の色の発光ダイオードを含むライン状素子基板
を順次転写する。続いて、電極形成などの工程を経た
後、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発
光ダイオードが繰り返し配列され、且つ、これら発光ダ
イオードが一列に配列されたライン状素子基板を切り出
し、これを離間して再配列し、カラー画像表示装置を完
成する。
記の通りであり、例えば赤色発光ダイオードが配列され
たライン状素子基板を上記により作製し転写した後、同
様に、他の色の発光ダイオードを含むライン状素子基板
を順次転写する。続いて、電極形成などの工程を経た
後、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発
光ダイオードが繰り返し配列され、且つ、これら発光ダ
イオードが一列に配列されたライン状素子基板を切り出
し、これを離間して再配列し、カラー画像表示装置を完
成する。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、発光素子を例えば一列に配列した状態で一
括して取り扱うことができ、実装の効率を大幅に向上す
ることができる。また、１ライン内では発光素子間のピ
ッチなどがずれることはなく、精度の良い実装を実現す
ることができる。
明によれば、発光素子を例えば一列に配列した状態で一
括して取り扱うことができ、実装の効率を大幅に向上す
ることができる。また、１ライン内では発光素子間のピ
ッチなどがずれることはなく、精度の良い実装を実現す
ることができる。
【図１】シート状素子基板の状態を模式的に示す平面図
である。
である。
【図２】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断
面図、（ｂ）は平面図である。
面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】切断によりライン状素子基板とした状態を模式
的に示す平面図である。
的に示す平面図である。
【図４】一次転写工程における１番目の転写を示す模式
図である。
図である。
【図５】一次転写工程における２番目の転写を示す模式
図である。
図である。
【図６】一次転写工程における３番目の転写を示す模式
図である。
図である。
【図７】３色の発光素子が配列されたシート状素子基板
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図８】切断により３色の発光素子が一列に配列された
ライン状素子基板とした状態を模式的に示す平面図であ
る。
ライン状素子基板とした状態を模式的に示す平面図であ
る。
【図９】二次転写工程における１番目の転写を示す模式
図である。
図である。
【図１０】二次転写工程における２番目の転写を示す模
式図である。
式図である。
【図１１】二次転写工程における３番目の転写を示す模
式図である。
式図である。
【図１２】一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図
である。
である。
【図１３】ＵＶ接着剤硬化工程を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１４】レーザアブレーション工程を示す概略断面図
である。
である。
【図１５】第一基板の分離工程を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１６】Ｇａ除去工程を示す概略断面図である。
【図１７】ダイシング工程を示す概略断面図である。
【図１８】一次基材の接合工程を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１９】選択的なレーザアブレーション及びＵＶ露光
工程を示す概略断面図である。
工程を示す概略断面図である。
【図２０】発光素子の選択分離工程を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図２１】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図２２】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。
【図２３】ビア形成工程を示す概略断面図である。
【図２４】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２５】レーザアブレーション工程を示す概略断面図
である。
である。
【図２６】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２７】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面
図である。
図である。
【図２８】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２９】レーザダイシング工程を示す概略断面図であ
る。
る。
１ シート状素子基板
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ ライン状素子基
板 ２ 発光素子 ３ 樹脂シート ４ 一次基材 ７ ディスプレイ基板 １０ シート状素子基板
板 ２ 発光素子 ３ 樹脂シート ４ 一次基材 ７ ディスプレイ基板 １０ シート状素子基板
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Ｆターム(参考） 5C094 AA03 AA05 AA43 BA25 GB01
5F041 AA37 AA42 CA04 CA40 CA46
CA57 CA65 CA76 CA77 CA82
CA92 FF06
5G435 AA17 BB04 KK02 KK05 KK09
KK10
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の発光素子を一列に配列した状態で
一括して取り扱い、基板上に実装することを特徴とする
発光素子の実装方法。 - 【請求項２】 発光素子が一列に配列されてなる第１の
発光素子列を並列に配列した後、各発光素子が分離され
るように第１の発光素子列を分断して第１の発光素子列
とは異なる方向に発光素子が配列される第２の発光素子
列とし、これを基板上に実装することを特徴とする発光
素子の実装方法。 - 【請求項３】 第1の基板上に配列形成された発光素子
を絶縁性材料に転写してシート状素子基板を形成し、当
該シート状素子基板を発光素子の配列方向に沿って長尺
状に切断してライン状素子基板とした後、これらライン
状素子基板を離間して第2の基板上に配列することを特
徴とする発光素子の実装方法。 - 【請求項４】 上記ライン状素子基板を間引き転写によ
り離間して配列することを特徴とする請求項３記載の発
光素子の実装方法。 - 【請求項５】 赤色発光素子が配列されたライン状素子
基板、緑色発光素子が配列されたライン状素子基板、青
色発光素子が配列されたライン状素子基板を1組とし、
これらライン状素子基板を第2の基板上に繰り返し配列
した後、上記切断方向と直交する方向に切断して赤色発
光素子，緑色発光素子，青色発光素子が順次配列された
ライン状素子基板とし、当該ライン状素子基板を第３の
基板上に離間して配列することを特徴とする請求項３記
載の発光素子の実装方法。 - 【請求項６】 第1の基板上に配列形成された発光素子
を絶縁性材料に転写してシート状素子基板を形成し、当
該シート状素子基板を発光素子の配列方向に沿って長尺
状に切断してライン状素子基板とした後、これらライン
状素子基板を離間して第2の基板上に配列することを特
徴とする画像表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記ライン状素子基板を間引き転写によ
り離間して配列することを特徴とする請求項６記載の画
像表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 赤色発光素子が配列されたライン状素子
基板、緑色発光素子が配列されたライン状素子基板、青
色発光素子が配列されたライン状素子基板を1組とし、
これらライン状素子基板を第2の基板上に繰り返し配列
した後、上記切断方向と直交する方向に切断して赤色発
光素子，緑色発光素子，青色発光素子が順次配列された
ライン状素子基板とし、当該ライン状素子基板を第３の
基板上に離間して配列することを特徴とする請求項７記
載の画像表示装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001237579A JP3682584B2 (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | 発光素子の実装方法及び画像表示装置の製造方法 |
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| US11/087,833 US20050164422A1 (en) | 2001-08-06 | 2005-03-23 | Color image display unit |
| US11/090,756 US7501752B2 (en) | 2001-08-06 | 2005-03-25 | Color image display unit |
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|---|---|
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