JPH11142878A - 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 - Google Patents

表示用トランジスタアレイパネルの形成方法

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JPH11142878A
JPH11142878A JP9310299A JP31029997A JPH11142878A JP H11142878 A JPH11142878 A JP H11142878A JP 9310299 A JP9310299 A JP 9310299A JP 31029997 A JP31029997 A JP 31029997A JP H11142878 A JPH11142878 A JP H11142878A
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストの大幅な削減を図る。 【解決手段】 Ｓi基板で成る第１の基板上に、ＴＦＴ
素子４３を素子分離溝４４を隔ててピッチｄx/ｍ,ｄy/
ｎで形成する。ｄx,ｄyは画素の配列ピッチであり、ｍ,
ｎは「２」以上の自然数である。さらに、ＵＶ剥離樹脂
４６で第２の基板４５を張り付け、第１の基板をエッチ
ング除去した後各ＴＦＴ素子４３を分離させる。そし
て、第３の基板４７に、接着樹脂５１で転写対象のＴＦ
Ｔ素子４３のみを選択的に接着させ、第２の基板４５側
から紫外線６２を選択的に照射して転写対象のＴＦＴ素
子４３のみを第３の基板４７に選択転写する。こうし
て、１枚の第２の基板４５上に必要数の(ｍ×ｎ)倍のＴ
ＦＴ素子４３を作成して、(ｍ×ｎ)枚のパネル用基板４
７に同一の選択転写を行うことができ、第１の基板上に
ＴＦＴ素子４３を形成するコストを概略１/(ｍ×ｎ)に
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ(以下、ＴＦＴと言う)等のスイッチング素子を有し
て、ディスプレイに使用される表示用トランジスタアレ
イパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータやテレビジョン装置
等のディスプレイに使用される表示用トランジスタアレ
イパネルの形成方法として、特開平１−３８７２７号公
報(以下、従来例１と言う)やＵＳＰ５４３８２４１(以
下、従来例２と言う)に開示されているようなものがあ
る。この表示用トランジスタアレイパネルの形成方法で
は、シリコン単結晶基板上に単結晶シリコンのＴＦＴア
レイを形成し、これを別のパネル用ガラスあるいは透明
有機フィルム基板に転写して表示用トランジスタアレイ
パネルを得ている。
【０００３】上記従来例１では、単結晶シリコン薄膜に
ＴＦＴアレイおよび周辺回路を形成し、ガラス基板上に
この単結晶シリコン薄膜の各辺を互いに密着させて複数
枚を平面的に敷き詰めて広い画面を得ている。また、従
来例２では、ＳＯＩ技術を使用して第１の基板上に酸化
物層を介して薄いシリコン単結晶フィルムを形成し、こ
のシリコン単結晶フィルム上にＴＦＴアレイを作成す
る。続いて、このＴＦＴアレイをガラス等の第２の透明
絶縁基板上に転写し、上記シリコン単結晶フィルムが形
成された上記基板全体を除去することで第１の転写プロ
セスを完了する。また、必要な場合には第２の転写プロ
セスに移行し、第３のディスプレイパネル基板に転写し
て表示用ＴＦＴアレイパネルとしている。
【０００４】ここで、上記シリコン単結晶フィルムが形
成された基板全体を除去する方法には、図１０に示すよ
うな基板とディバイスとの間に剥離層を設けエッチング
によって剥離層を除去する方法、あるいは、図１１に示
すような基板全体をエッチバック工程によってエッチ除
去する方法がある。
【０００５】上記基板下の剥離層を除去する方法では、
先ず、半導体基板１の表面側から剥離層２を介してディ
バイス３を形成する(図１０(a))。そして、ディバイス
３上にＵＶ(紫外線)キュアエポキシ４を塗布し(図１０
(b))、上記ディバイス３の箇所である残し部６とこの残
し部６間で成るエッチング用溝５とを形成する(図１０
(c))。こうして、剥離層２除去用のエッチング溶液導入
用アクセスストリート構造を得る。次に、上記ＵＶキュ
アエポキシ３側から透明基板等で成る支持板７を張り合
わせてチャネルを形成する(図１０(d))。そして、この
チャネルに、矢印(Ａ)で示すようにエッチング溶液を走
らせることによって剥離層２を除去し、半導体基板１か
らディバイス３をリフトオフする。
【０００６】また、上記基板全体をエッチ除去する方法
では、図１１(a)に示すように、ディバイス１１が形成
されたＳＯＩ構造シリコンウエハ１２を接着剤１３でガ
ラス等の透明絶縁体で成る支持板としての上部基板１４
に接着する。このウエハをＫＯＨ(水酸化カリウム)また
は同等溶液に入れ、酸化物層１５との高い選択比２０
０：１を利用して図１１(b)に示すようにシリコン基板
１６をエッチ除去する。尚、１７は、薄いシリコン単結
晶フィルムである。
【０００７】さらに、上記従来例２には、ＧeＳi(シリ
化ゲルマニュウム)を中間エッチストップ層としたシリ
コン薄膜転写法が開示されている(図１２)。このシリコ
ン薄膜転写法においては、図１２(a)に示すように、Ｇe
Ｓi層２１を介してディバイス（ＴＦＴ)２２が形成され
たシリコンウエハ２３を、図１２(b)に示すように、エ
ポキシ接着剤２４によってガラスまたは他の基板２５に
マウントする。そして、ＫＯＨに浸漬して、先ずシリコ
ンウエハ２３のみに選択エッチを行い、次にＧeＳi層２
１を別途選択エッチする。
【０００８】また、上記従来例２には、上述の基板から
支持板への転写と上記支持板からディスプレイパネル基
板への転写との２つの転写方法として、ＵＶ照射によっ
て剥離する性質を有するＵＶ剥離接着剤をテープの両面
に塗布したＵＶ剥離両面テープを上記支持板との接着に
使用する方法が開示されている(図１３)。この転写方法
では、上記支持板からディスプレイパネル基板への転写
の場合には、透明支持板２６にＵＶ剥離両面テープ２７
によってディバイス２８を転写した後にディバイス２８
が形成されていた基板を除去して図１３(a)の状態にす
る。そうした後に、図１３(b)に示すように、別のＵＶ
剥離両面テープ２９にディバイス２８を当接させて透明
支持板２６側からＵＶ照射してＵＶ剥離両面テープ２７
の接着力を低下させて、ディバイス２８をＵＶ剥離両面
テープ２９に転写する。または、図１３(b')に示すよう
に、エポキシ樹脂３０を塗布した基板３１上にディバイ
ス２８を当接させて、透明支持板２６側からＵＶ照射し
つつ転写する。
【０００９】さらに、上記従来例２には、基板上に密に
形成したディバイスを粗に配置し直す転写方法が開示さ
れている(図１４)。先ず、図１４(a)に示すように、接
着剤付きの伸縮性基板３５にディバイス３６を転写した
後に、図１４(b)に示すように、各ディバイス３６毎に
ディバイス３６の間隔と位置とをモニタしながら、伸縮
性基板３５をＸ方向へ伸張してＸ方向のディバイス３６
の間隔を所定間隔にする。次に、図１４(c)に示すよう
に、伸縮性基板３５をＹ方向へ伸張してＹ方向のディバ
イス３６の間隔を所定間隔にする。そうした後、ディバ
イス３６をディスプレイパネル基板(図示せず)に転写す
る。他の方法として、テープ上のディバイスチップを回
転ドラム上の他のテープ上に転写することによって、機
械的にディバイス間隔を変換させる方法も開示されてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の表示用トランジスタアレイパネルの形成方法には、
以下のような問題がある。
【００１１】すなわち、従来例１では、パネルの高輝度
化,高精細化,広視野角化の点で問題がある。すなわち、
能動素子(ＴＦＴ)および受動素子(画素電極,補助電極,
電極配線等)を同時に形成した複数枚の単結晶シリコン
薄膜を、ガラス基板上に敷き詰めている。ところが、従
来の張り合わせ材料や精度では、ダイシング加工精度や
接着加工精度の点で張り合わせ箇所の余裕代を目的とす
る素子ピッチの半分にできない。そのために、各単結晶
シリコン薄膜のつなぎ目部における透過光量とつなぎ目
以外の箇所における透過光量とが異なることになり、例
えば視野角によって表示むら等が発生する。したがっ
て、パネルの輝度,精細度,視野角を確保するのに技術的
に困難なのである。
【００１２】また、従来例１および従来例２に開示され
た単結晶シリコン薄膜に形成されたＴＦＴアレイをパネ
ル用基板に転写する方法は、単結晶シリコン薄膜上のＴ
ＦＴ数とパネル用基板上のＴＦＴ数とが１：１の関係に
在り、パネル用基板に直接ＴＦＴアレイを作り込む方法
に比べて工数が転写プロセス分だけ増加することにな
り、コストがアップするという問題がある。
【００１３】また、従来例２に開示されている基板上に
密に形成したディバイスを粗に配置し直す転写方法は、
伸縮性基板の伸長時の不動点(支点)がディバイスチップ
の接着面のどの位置になるかによって、ディバイス位置
が最小でチップサイズ(≧２０μm)だけずれるという本
質的な問題を抱えている。そのために、ディバイスチッ
プ毎の精密位置制御が不可欠になる。したがって、少な
くとも１μm程度の位置合わせ精度が必要な高精細ＴＦ
Ｔアレイパネルの形成には、ＴＦＴディバイスチップ毎
の位置計測と制御を含む位置合わせに多大な時間を要す
る。さらに、熱膨張係数の大きな樹脂フィルムへの転写
の場合には、位置決め前後の温度/応力変動によって位
置合わせ精度が損なわれ易い。以上の理由から、量産技
術として採用することには極めて大きな問題がある。
【００１４】そこで、この発明の目的は、製造コストの
大幅な削減を可能にする表示用トランジスタアレイパネ
ルの形成方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明の表示用トランジスタアレイパ
ネルの形成方法は、基板上に,画素の一方向への配列ピ
ッチｄxを２以上の自然数ｍで除したｄx/ｍのピッチ,お
よび,他方向への配列ピッチｄyを２以上の自然数ｎで除
したｄy/ｎのピッチで素子を設ける工程と、上記基板上
に設けられた素子のうち,上記画素の配列ピッチｄx,ｄy
に対応する素子のみを選択的に他の基板に転写する工程
を備えたことを特徴としている。
【００１６】上記構成によれば、最終的に表示用トラン
ジスタアレイに形成される画素数の(ｍ×ｎ)倍の素子が
基板上に設けられている。したがって、上記素子が設け
られた１枚の基板から(ｍ×ｎ)枚の表示用トランジスタ
アレイパネルを形成することが可能となり、上記素子を
形成する場合のコストが１/(ｍ×ｎ)に低減される。
【００１７】さらに、上記構成によれば、上記素子が設
けられた１枚の基板から他の基板上への素子の選択転写
を(ｍ×ｎ)回繰り返すことによって、上記素子の一方向
への配列ピッチがｄxであり、他方向への配列ピッチが
ｄyであると共に、上記素子が形成設けられていた基板
の大きさの(ｍ×ｎ)倍の大きさの上記他の基板が得られ
る。こうして、上記素子の形成に要する材料費が低減さ
れる。
【００１８】また、請求項２に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法は、第１の基板上に,画
素の一方向への配列ピッチｄxを２以上の自然数ｍで除
したｄx/ｍのピッチ,および,他方向への配列ピッチｄy
を２以上の自然数ｎで除したｄy/ｎのピッチで素子を形
成する工程と、上記第１の基板上に形成された素子を第
２の基板上に全体転写する工程と、上記第１の基板を除
去して上記素子を上記第２の基板上に孤立配列させる工
程と、記第２の基板上に転写された素子のうち,上記画
素の配列ピッチｄx,ｄyに対応する素子のみを選択的に
表示用トランジスタアレイ用の第３の基板に転写する工
程を備えたことを特徴としている。
【００１９】上記構成によれば、最終的に表示用トラン
ジスタアレイ用の第３の基板上に形成される画素数の
(ｍ×ｎ)倍の素子が、第１の基板上に形成されている。
したがって、上記素子が形成された１枚の第１の基板か
ら(ｍ×ｎ)枚の第３の基板を形成することが可能とな
り、上記第１の基板上への素子形成コストが１/(ｍ×
ｎ)に低減される。
【００２０】また、請求項３に係る発明は、請求項１あ
るいは請求項２に係る発明の表示用トランジスタアレイ
パネルの形成方法において、上記素子が選択転写される
基板上の位置には、上記素子が嵌合される凹部が形成さ
れていることを特徴としている。
【００２１】上記構成によれば、上記素子が選択転写さ
れる基板上の位置には凹部が形成されているので、上記
凹部に接着剤層を形成することによって、上記素子の選
択転写が更に容易に行われる。
【００２２】また、請求項４に係る発明は、請求項１あ
るいは請求項２に係る発明の表示用トランジスタアレイ
パネルの形成方法において、上記素子が選択転写される
基板上の位置には、接着剤層が選択的に形成されている
ことを特徴としている。
【００２３】上記構成によれば、上記素子が選択転写さ
れる基板上の位置に接着剤層が選択的に形成されている
ので、上記素子の選択転写が更に容易に行われる。
【００２４】また、請求項５に係る発明は、請求項１あ
るいは請求項２に係る発明の表示用トランジスタアレイ
パネルの形成方法において、上記素子は順スタガ型のＴ
ＦＴであることを特徴としている。
【００２５】上記構成によれば、基板上への順スタガ型
ＴＦＴの形成コストが１/(ｍ×ｎ)に低減される。
【００２６】また、請求項６に係る発明は、請求項１あ
るいは請求項２に係る発明の表示用トランジスタアレイ
パネルの形成方法において、上記素子は逆スタガ型のＴ
ＦＴであることを特徴としている。
【００２７】上記構成によれば、上記基板上への逆スタ
ガ型ＴＦＴの形成コストが１/(ｍ×ｎ)に低減される。
【００２８】また、請求項７に係る発明は、請求項１あ
るいは請求項２に係る発明の表示用トランジスタアレイ
パネルの形成方法において、上記素子はコプレーナ型の
ＴＦＴであることを特徴としている。
【００２９】上記構成によれば、上記基板上へのコプレ
ーナ型ＴＦＴの形成コストが１/(ｍ×ｎ)に低減され
る。
【００３０】また、請求項８に係る発明は、請求項５乃
至請求項７の何れか一つに係る発明の表示用トランジス
タアレイパネルの形成方法において、上記素子は配線交
差部をも含んでいることを特徴としている。
【００３１】上記構成によれば、上記基板上への配線交
差部をも含むＴＦＴの形成コストが１/（ｍ×ｎ）に低
減される。
【００３２】また、請求項９に係る発明は、請求項２に
係る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
において、上記第１の基板はシリコン基板であることを
特徴としている。
【００３３】上記構成によれば、上記第１の基板はシリ
コン基板であるから上記素子を高密度に形成できる。し
たがって、上記自然数ｍ,ｎを容易に大きくすることが
可能となり、上記第１の基板上への素子形成コストが大
幅に低減される。
【００３４】また、請求項１０に係る発明は、請求項２
に係る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成方
法において、上記第１の基板はガラス基板であることを
特徴としている。
【００３５】上記構成によれば、上記第１の基板はガラ
ス基板であるから、大型の第１の基板の形成が可能とな
り、大型の表示用トランジスタアレイパネルが容易に形
成される。
【００３６】また、請求項１１に係る発明は、請求項２
に係る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成方
法において、上記第１の基板上の素子の上記第２の基板
上への全体転写は,光によって接着力が低下する接着剤
によって行い、上記第２の基板上の素子の上記第３の基
板上への選択転写は,上記第２の基板の裏面から上記画
素の配列ピッチｄx,ｄyに対応する素子の箇所への光照
射によって転写の対象となる素子のみを選択的に上記第
２の基板から剥離することによって行うことを特徴とし
ている。
【００３７】上記構成によれば、光によって接着力が低
下する接着剤の塗布および上記第２の基板の裏面からの
光の選択照射という簡単な方法によって、上記第２の基
板上の素子の上記第３の基板上への選択転写が行われ
る。
【００３８】また、請求項１２に係る発明は、請求項２
に係る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成方
法において、上記第１の基板上にフッ化水素酸に対して
耐性を有する透明絶縁膜を形成し、この透明絶縁膜上に
上記素子を形成することを特徴としている。
【００３９】上記構成によれば、上記第１の基板の除去
に際して、エッチャントとしてフッ化水素酸が使用され
た場合に、フッ化水素酸に対して耐性を有する透明絶縁
膜の存在によって上記素子が保護される。
【００４０】また、請求項１３に係る発明は、請求項１
２に係る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成
方法において、上記フッ化水素酸に対して耐性を有する
透明絶縁膜は、酸化タンタル膜あるいはダイヤモンド膜
の何れ一方であることを特徴としている。
【００４１】上記構成によれば、上記第１の基板除去用
のエッチャントとしてフッ化水素酸が使用された場合
に、酸化タンタル膜あるいはダイヤモンド膜の何れ一方
の存在によって上記素子が確実に保護される。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。
【００４３】＜第１実施の形態＞図１および図２は、本
実施の形態の表示用トランジスタアレイパネルの形成方
法における手順を示す図である。本実施の形態において
は、第１の基板としてシリコン(Ｓi)基板を用いてい
る。
【００４４】図１(a)に示すように、上記第１の基板と
してのＳi基板４１上に透明絶縁膜としてＳi酸化膜４２
を形成した後、ｉ線スパッタを用いたフォトプロセスを
含む公知の素子形成プロセスを行って、ＴＦＴ素子４３
を素子分離溝４４を隔てて所定のピッチで形成する。こ
こで、上記ピッチは、目的とする表示用トランジスタア
レイパネルの画素ドットの配列ピッチｄx,ｄyを、「２」
以上の自然数ｍ,ｎで除した値ｄx/ｍ,ｄy/ｎである。ま
た、形成するＴＦＴ素子４３は、例えばＴＦＴと周辺電
極配線の一部を含むものであるが、画素電極は含まな
い。尚、形成するＴＦＴの構造については後に詳述す
る。
【００４５】次に、図１(b)に示すように、上記ＴＦＴ
素子４３側にＵＶ剥離樹脂４６を塗布し、第２の基板で
ある光透過性基板としてのガラス基板４５を張り付け
る。ここで、ＵＶ剥離樹脂４６としては、シリコン(メ
タ)アクリレート添加のアクリル系樹脂や紫外線照射で
接着力が低下するＵＶ硬化型粘着剤等を用いる。次に、
図１(c)に示すように、Ｓi基板(第１の基板)４１をＫＯ
Ｈでエッチング除去した後に、ＴＦＴ素子分離溝４４の
箇所のＳi酸化膜４２に対してＴＦＴ素子分離エッチン
グを行って個々のＴＦＴ素子４３を孤立した状態にす
る。
【００４６】次に、図１(d)に示すように、ＴＦＴパネ
ル用の第３の基板であるガラス基板４７に接着樹脂４８
を塗布したものを、アライメントを行いつつガラス基板
(第２の基板)４５に近接させる。そして、フォトマスク
４９を用いて、接着樹脂４８における転写の対象となる
(後に画素を構成する)ＴＦＴ素子４３の箇所に位置する
部分を紫外線５０を照射して半硬化させて接着性を高
め、その半硬化部分５１を転写対象のＴＦＴ素子４３に
押し付けてガラス基板(第３の基板)４７を貼り合わせ
る。尚、接着樹脂４８としては、例えばアクリレート系
のＵＶ硬化樹脂やＵＶ硬化エポキシ系樹脂等を用いる。
【００４７】また、上記第３の基板を貼り合わせる方法
として、図２(d')に示す方法を用いても差し支えない。
すなわち、第３の基板５５における転写対象のＴＦＴ素
子４３の箇所に位置する部分を、例えばＣＦ4やＣＨＦ3
を用いたドライエッチ(ＲＩＥ)によって、ＴＦＴ素子４
３のチップが入るサイズの凹部５６を形成し、この凹部
５６のみに予め接着樹脂５７を塗布しておく。そして、
凹部５６に転写対象のＴＦＴ素子４３を嵌合して第３の
基板５５を貼り合わせるのである。
【００４８】次に、図２(e)に示すように、フォトマス
ク６１を用いて、ガラス基板４５(第２の基板：光透過
性基板)側から、ＵＶ剥離樹脂４６における転写対象の
ＴＦＴ素子４３の箇所の部分に紫外線６２を選択的に照
射して、ＵＶ剥離樹脂４６の接着力を低下させてＴＦＴ
素子４３との密着性を低減させる。
【００４９】以上の処理によって、上記転写対象のＴＦ
Ｔ素子４３は隣接しているＴＦＴ素子４３とは孤立して
おり、ガラス基板(第２の基板)４５との間のＵＶ剥離樹
脂４６は接着力が低下している。したがって、図２(f)
に示すように、パネル用のガラス基板(第３の基板)４７
に転写対象のＴＦＴ素子４３のみが移し取られる(転写
接着)される。そして、未露光のＴＦＴ素子４３は、ガ
ラス基板(第３の基板)４７に転写接着されない。尚、未
露光の接着樹脂４８は選択転写後に除去しておく。
【００５０】最後に、受動素子部形成プロセスを行う。
この受動素子部形成プロセスでは、図３に示すように、
上記パネル用のガラス基板(第３の基板)４７上に画素ド
ットの配列ピッチｄx,ｄyで転写接着されたＴＦＴ素子
４３に、データ信号線６５に接続するためのソース電極
配線６６,走査信号線６７に接続するためのゲート電極
配線６８およびドレイン電極配線６９を配線する。さら
に、ドレイン電極配線６９に接続される液晶駆動用の画
素電極７０を形成する。その場合の配線間絶縁膜とし
て、例えばポリイミド膜を用いる。そして、上述の図１
(c)におけるＴＦＴ素子分離エッチング等の際にＴＦＴ
素子４３を保護するためにＴＦＴ素子４３を覆って形成
されている例えばＳi酸化膜(図示せず)に、電極接続用
のコンタクトホールを穴あけエッチングで形成する。そ
して、ガラス基板(第３の基板)４７上のデータ信号線６
５や走査信号線６７とＴＦＴ素子４３の電極との接続等
を行う。
【００５１】こうして、図４に示すような表示用トラン
ジスタアレイパネルが形成される。尚、７１はカラーフ
ィルタガラス基板であり、７２はＲＧＢのカラーフィル
タである。また、上記配線６５〜６９および画素電極７
０は、ＴＦＴ素子４３が転写接着される前に、予めガラ
ス基板(第３の基板)４７上に形成しておいても構わな
い。
【００５２】従来より、表示用トランジスタアレイパネ
ルに採用されているＴＦＴ素子の構造として、順スタガ
構造,逆スタガ構造およびコプレーナ構造の３種類があ
る。図５は順スタガＴＦＴの構造の一例を示し、図５
(a)は断面図であり、図５(b)は平面図である。順スタガ
ＴＦＴでは、ゲート電極８１が、ソース電極８２下のオ
ーミック・コンタクト層８３とドレイン電極８４下のオ
ーミック・コンタクト層８５とに接続するチャネル層８
６の上側に、ゲート絶縁膜８７を介して形成されてい
る。尚、８９は、上記選択転写後の配線プロセスにおい
てＳi酸化膜８８に形成されるゲート電極７１に対する
コンタクトホールである。同様に、９０はソース電極８
２に対するコンタクトホールであり、９１はドレイン電
極８４に対するコンタクトホールである。
【００５３】また、図６は、上記逆スタガＴＦＴの構造
の一例の断面図を示す。逆スタガＴＦＴでは、ゲート電
極１０１が、ソース電極１０２とドレイン電極１０３と
に接続するチャネル層１０４の下側に、ゲート絶縁膜１
０５及び金属酸化膜１０６を介して形成されている。
尚、１０７,１０８はオーミック・コンタクト層であり、
１１０はＳi酸化膜１０９に形成されたソース電極１０
２に対するコンタクトホールであり、１１１はドレイン
電極１０３に対するコンタクトホールである。
【００５４】また、図７は、上記コプレーナＴＦＴの構
造の断面図を示す。コプレーナＴＦＴでは、ゲート電極
１２１が、ソース電極１２２とドレイン電極１２３とを
接続するオーミック・コンタクト層１２４の中間部に形
成されるチャネル層１２５の上側に、ゲート絶縁膜１２
６を介して形成されている。尚、１２８はＳi酸化膜１
２７に形成されたソース電極１２２に対するコンタクト
ホールであり、１２９はドレイン電極１２３に対するコ
ンタクトホールである。
【００５５】上記順スタガＴＦＴ,逆スタガＴＦＴおよ
びコプレーナＴＦＴの何れの場合にも、ガラス基板(第
２の基板)４５への全体転写後におけるＮaＯＨ(水酸化
ナトリウム)あるいはＫＯＨをエッチャントとしたＳi基
板(第１の基板)４１への選択エッチングを行う際に、上
記エッチャントに耐性のあるＳi酸化膜４２でＴＦＴが
保護される構成になっている。したがって、何れの構成
の場合も、本実施の形態の表示用トランジスタアレイパ
ネルの形成方法が適用可能である。尚、上記保護膜４２
は、Ｓi酸化膜に限定されるものではなく、第１の基板
に対する選択エッチング時に使用されるエッチャントに
対して耐性を有する膜であればよい。例えば、第１の基
板がガラス基板である場合には、エッチャントとしての
フッ化水素酸に対して耐性を有する酸化タンタル膜ある
いはダイアモンド膜を上記保護膜として上記ガラス基板
とＴＦＴとの間に形成すればよい。尚、上記保護膜は、
上記第１の基板とＴＦＴとの間のみならず、図５〜図７
に示すように、ＴＦＴの表面および側面にも形成するこ
とが望ましい。
【００５６】尚、図８は、図６に示す逆スタガＴＦＴに
おけるソース電極１０２に接続されたソース電極配線１
１５とゲート電極配線１１６との交差部１１５の断面図
である。このようなソース電極配線１１５とゲート電極
配線１１６との交差部１１５も、ＴＦＴ素子４３に含め
て、第３の基板４７上に選択転写することが可能であ
る。
【００５７】上述のように、本実施の形態においては、
Ｓi基板で成る第１の基板４１上にＴＦＴ素子４３を素
子分離溝４４を隔ててピッチｄx/ｍ,ｄy/ｎで形成す
る。ここで、ｄx,ｄyは画素ドットの配列ピッチであ
り、ｍ,ｎは「２」以上の自然数である。そして、ＴＦＴ
素子４３側にＵＶ剥離樹脂４６で第２の基板４５を張り
付けた後、第１の基板４１をエッチング除去し、ＴＦＴ
素子分離エッチングを行って各ＴＦＴ素子４３を分離さ
せる。そして、第３の基板４７に接着樹脂４８で転写対
象のＴＦＴ素子４３のみを選択的に接着させ、第２の基
板４５側から転写対象のＴＦＴ素子４３の箇所に紫外線
６２を選択的に照射してＵＶ剥離樹脂４６の接着力を低
下させて、転写対象の(つまり、画素を構成する)ＴＦＴ
素子４３のみを第３の基板４７に選択転写するのであ
る。
【００５８】したがって、上記第２の基板４５上のＴＦ
Ｔ素子４３のピッチｄx/ｍ,ｄy/ｎの第３の基板４７上
でのピッチｄx,ｄyへの拡大を、従来例２の如く伸縮性
基板を用いる転写方法に比して正確に行うことができ
る。したがって、１枚の第２の基板４５を用いて、この
第２の基板４５から第３の基板(パネル用基板)４７への
選択転写を、第２の基板４５をｘ方向へｄx/ｍあるいは
ｙ方向へｄy/ｎだけ移動させながら(ｍ×ｎ)枚の第３の
基板４７に対して行うことによって、第１の基板４１を
１枚作成すれば、(ｍ×ｎ)枚のパネル用基板４７に対し
て同一の選択転写を行うことができる。すなわち、本実
施の形態によれば、第１の基板４１上にＴＦＴ素子４３
を形成するコストを概略１/(ｍ×ｎ)にできる。
【００５９】このように、本実施の形態によれば、表示
用トランジスタアレイパネルとして必要な画素数のｍ,
ｎ倍のＴＦＴ素子を第１の基板４１上に形成することが
可能となる。したがって、必要画素数と第１の基板上の
ＴＦＴ素子数とが同数の従来の表示用トランジスタアレ
イパネルの形成方法に比して、第１の基板４１に形成す
るＴＦＴ素子密度を１０倍〜１００倍にできる。したが
って、表示用トランジスタアレイパネル製造設備におけ
るイニシャルコストの約３０％を占める成膜工程設備お
よび約２６％を占めるフォト工程設備のスループット
を、実質的に１０倍〜１００倍程度向上させることがで
きる。また、ＴＦＴ素子４３の形成に要する材料費も１
/１０〜１/１００に低減できる。結果として、表示用ト
ランジスタアレイパネルの製造コストの大幅な削減が可
能となるのである。
【００６０】ところで、上記第１の基板４１としてＳi
基板を用いた場合には、基板サイズに制限があるものの
ＴＦＴ素子を高密度に形成できる。そこで、以下のよう
にして、上記基板サイズの制限を超えたサイズの第３の
基板４７を形成することができる。すなわち、ＴＦＴ素
子４３が高密度で形成されたＳi基板(第１の基板)４１
を複数枚形成する。そして、この複数枚のＳi基板(第１
の基板)４１の位置をずらして第２の基板４５に全体転
写することによって、ＴＦＴ素子４３が高密度で転写さ
れた(つまり、自然数ｍ,ｎが大きい)第２の基板４５を
形成するのである。
【００６１】上記ガラス基板(第２の基板)４５に、複数
枚のＳi基板(第１の基板)４１上のＴＦＴ素子４３を転
写する場合には、図１(a)〜図１(c)に示す第１の基板４
１から第２の基板４５への転写プロセスに従って、１枚
の第１の基板４１毎にアライメントしつつ第１の基板４
１の枚数だけ転写を繰り返して行えばよい。こうするこ
とによって、複数枚の第１の基板４１上のＴＦＴ素子４
３を１０μm以下の間隔で第２の基板４５上に転写する
ことが可能となる。従来例１の如く、複数枚の第１の基
板を第２の基板上に敷き詰める方法の場合には、第１の
基板形成時のダイシング加工精度や第２の基板への接着
加工精度の点で、各素子を１０μm以下の間隔で配列す
ることは一般には困難である。ところが、本実施の形態
の場合には、第１の基板４１の枚数だけ第２の基板４５
への転写を繰り返せば、ＴＦＴ素子４３を１０μm以下
の間隔で第２の基板４５上に配列することは簡単にでき
るのである。
【００６２】上述の場合、上記第１の基板４１から第２
の基板４５への全体転写の回数が増加する。しかしなが
ら、ＴＦＴ素子４３は高密度に形成されているために自
然数ｍ,ｎの値は大きく、１枚の第２の基板４５から多
数の第３の基板４７を形成できる。したがって、上記全
体転写によるコストアップを埋めて、尚且つコストダウ
ンを図ることができるのである。
【００６３】尚、上記実施の形態においては、紫外線に
対するＵＶ剥離樹脂の性質を利用して選択転写を行って
いる。しかしながら、この発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、転写側の基板の一方側,他方側ある
いは両側からの静電引力や電磁力を利用して選択転写を
行っても差し支えない。
【００６４】＜第２実施の形態＞図９は、本実施の形態
の表示用トランジスタアレイパネルの形成方法における
手順を示す図である。本実施の形態においては、第１の
基板としてガラス基板を用いている。
【００６５】図９(a)に示すように、上記第１の基板と
してのガラス基板１３１上に、例えばＳi膜１３２とＳi
窒化膜(あるいはＳi酸化膜)１３３との２層構造で成る
犠牲層１３４を形成する。そうした後、ｉ線スパッタを
用いたフォトプロセスを含む公知の素子形成プロセスを
行って、ＴＦＴ素子１３５を素子分離溝１３６を隔てて
所定のピッチで形成する。ここで、上記ピッチは、目的
とする表示用トランジスタアレイパネルの画素ドットの
配列ピッチｄx,ｄyを、「２」以上の自然数ｍ,ｎで除した
値ｄx/ｍ,ｄy/ｎである。また、形成するＴＦＴ素子１
３５は、例えばＴＦＴと周辺電極配線の一部を含むもの
であるが、画素電極は含まない。尚、形成するＴＦＴの
構造は、上述の順スタガＴＦＴ,逆スタガＴＦＴおよび
コプレーナＴＦＴの何れかである。
【００６６】次に、図９(b)に示すように、上記ＴＦＴ
素子１３５側にＵＶ剥離樹脂１３７を塗布し、第２の基
板である光透過性基板としてのガラス基板１３８を張り
付ける。次に、図９(c)に示すように、例えばバッファ
フッ酸等のＳiとの選択比が大きな選択エッチング液１
３９を、真空吸入法によってＴＦＴ素子分離溝１３６に
均一に充填する。こうして、犠牲層１３４におけるＳi
窒化膜(あるいはＳi酸化膜)１３３のみを選択エッチン
グして除去する。
【００６７】次に、図９(d)に示すように、上記ガラス
基板(第１の基板)１３１を取り外して、各ＴＦＴ素子１
３５をガラス基板(第２の基板)１３８上に孤立した状態
にする。
【００６８】以下、第１実施の形態における図１(d)〜
図２(f)に示す手順によって、ＴＦＴパネル用の第３の
基板であるガラス基板の張り合わせ、ガラス基板(第２
の基板)１３８上のＴＦＴ素子１３５の第３の基板(パネ
ル用基板)上への選択転写を行うのである。
【００６９】上述のように、本実施の形態においては、
上記ガラス基板(第１の基板)１３１上に、Ｓi膜１３２
とＳi窒化膜(またはＳi酸化膜)１３３とで成る犠牲層１
２４を介してＴＦＴ素子１３５を素子分離溝１３６を隔
てて、ピッチｄx/ｍ,ｄy/ｎで形成する。ここで、ｄx,
ｄyは画素ドットの配列ピッチであり、ｍ,ｎは「２」以上
の自然数である。そして、ＴＦＴ素子１３５側にＵＶ剥
離樹脂１３７で第２の基板１３８を張り付けた後、Ｓi
との選択比が大きな選択エッチング液１３９を真空吸入
法でＴＦＴ素子分離溝１３６に充填して犠牲層１３４の
Ｓi窒化膜(あるいはＳi酸化膜)１３３のみを選択エッチ
ングし、ガラス基板(第１の基板)１３１を除去する。そ
うした後、第１実施の形態と同様にして、転写対象の
(つまり、画素を構成する)ＴＦＴ素子１３５のみを第３
の基板に選択転写するのである。
【００７０】したがって、第１実施の形態と同じ効果を
奏する表示用トランジスタアレイパネルの形成方法を、
ガラス基板を上記第１の基板とする場合にも適用でき
る。ところで、第１の基板１３１としてガラス基板を用
いた場合には、通常は基板サイズに制限は無く大型の基
板を形成できる。したがって、ｄx/ｍ,ｄy/ｎのピッチ
でＴＦＴ素子１３５が形成された大型のガラス基板(第
１の基板)１３１を形成することによって、大型の表示
用トランジスタアレイパネルを容易に形成できるのであ
る。
【００７１】そして、本実施の形態においても、１枚の
第２の基板１３８を用いて、この第２の基板１３８から
第３の基板(パネル用基板)への選択転写を、第２の基板
１３８をｘ方向へｄx/ｍあるいはｙ方向へｄy/ｎだけ移
動させながら(ｍ×ｎ)枚の第３の基板に対して行うこと
によって、第１の基板１３１を１枚作成すれば、(ｍ×
ｎ)枚のパネル用基板に同一の選択転写を行うことがで
きる。すなわち、本実施の形態によれば、第１の基板１
３１上にＴＦＴ素子１３５を形成するコストを概略１/
(ｍ×ｎ)にできるのである。
【００７２】例えば、１３.３インチＸＧＡ(Extended G
raphics Array)−ＬＣＤ(液晶ディスプレイ)パネルに適
用した場合には、パネルサイズ２０３×２７０＝５４,
８１０mm2の中にＲＧＢ合計で７６８×１０２４＝２,３
５９,３００個のＴＦＴ素子を内蔵しており、ＴＦＴ素
子１３５の縦横夫々の配列ピッチｎは、概略８８μm,２
６４μmである。ここで、ｍ＝４,ｎ＝１２を選択して第
１の基板１３１上へのＴＦＴ素子１３５の配列ピッチを
２２μmとした場合には、ＴＦＴ素子１３５が全体転写
された第２の基板１３８上のＴＦＴ素子１３５の配列ピ
ッチは、表示用ＬＣＤパネルに比して縦４倍,横１２倍
であるために、１枚の第２の基板１２８から４×１２＝
４８枚の表示用ＬＣＤパネルを形成できる。したがっ
て、プロセスコストの大幅な削減を図ることができるの
である。
【００７３】こうして、本実施の形態においても、第１
実施の形態と同様に、表示用トランジスタアレイパネル
製造設備におけるイニシャルコストの約３０％を占める
成膜工程設備および約２６％を占めるフォト工程設備の
スループットを、実質的に１０倍〜１００倍程度向上さ
せることができる。また、ＴＦＴ素子４３の形成に要す
る材料費も１/１０〜１/１００に低減できる。結果とし
て、表示用トランジスタアレイパネルの製造コストの大
幅な削減が可能となるのである。
【００７４】＜第３実施の形態＞上記各実施の形態にお
いては、一つの基板上のＴＦＴ素子の他の基板への選択
転写を、第２の基板４５,１３８から第３の基板４７へ
の転写に適用している。しかしながら、上記選択転写
は、第１の基板から第２の基板への転写に適用すること
も可能である。
【００７５】すなわち、第１実施の形態における図１
(a)あるいは第２実施の形態における図９(a)と同様にし
て、第１の基板上に、画素の一方向への配列ピッチｄx
および他方向への配列ピッチｄyを「２」以上の自然数ｍ,
ｎで除した値ｄx/ｍ,ｄy/ｎのピッチで第１の基板上に
ＴＦＴ素子を１枚形成する。そして、上記１枚の第１の
基板から上記第２の基板上へのＴＦＴ素子の選択転写
を、アライメントを行って(ｍ×ｎ)回繰り返す。こうし
て、上記ＴＦＴ素子の上記一方向への配列ピッチがｄx
であり、他方向への配列ピッチがｄyであり、且つ、上
記第１の基板の大きさの(ｍ×ｎ)倍の大きさの第２の基
板を得るのである。以後は、この第２の基板上のＴＦＴ
素子を第３の基板上に全体転写すればよい。
【００７６】こうすることによって、上記第１の基板が
基板サイズに制限のあるＳi基板である場合でも、上記
制限を越えた大きさの表示用トランジスタアレイパネル
の形成が可能となるのである。上記第１の基板は、Ｓi
基板に限らずガラス基板であっても差し支えない。
【００７７】尚、本実施の形態を適用する場合には、上
記第１の基板とＴＦＴ素子との間に形成される透明絶縁
膜下に、例えば、紫外線照射で接着力が低下するＵＶ硬
化型粘着剤等を形成して、上記第１の基板からＴＦＴ素
子を選択的に剥離可能にする必要がある。また、場合に
よっては、第３の基板への全体転写は無くとも構わな
い。
【００７８】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
は、画素の一方向への配列ピッチｄx及び他方向への配
列ピッチｄyを２以上の自然数ｍ,ｎで除したｄx/ｍ,ｄy
/ｎのピッチで基板上に素子を設ける工程と、上記基板
上に設けられた素子のうち上記画素の配列ピッチｄx,ｄ
yに対応する素子のみを選択的に他の基板に転写する工
程を備えたので、転写元の基板上には、表示用トランジ
スタアレイパネルに形成される画素数の(ｍ×ｎ)倍の素
子が設けられている。したがって、上記転写元の１枚の
基板から(ｍ×ｎ)枚の表示用トランジスタアレイパネル
を形成することができる。
【００７９】すなわち、この発明によれば、基板上への
素子形成コストを、基板上に形成される素子数と上記画
素数とが同数である従来の表示用トランジスタアレイパ
ネルの形成方法に比較して１/(ｍ×ｎ)に低減できる。
したがって、表示用トランジスタアレイパネル製造設備
におけるイニシャルコストの約３０％を占める成膜工程
設備および約２６％を占めるフォト工程設備のスループ
ットを、実質的に(ｍ×ｎ)倍に向上させることができ
る。また、上記素子の形成に要する材料費を１/(ｍ×
ｎ)に低減できる。結果として、表示用トランジスタア
レイパネルの製造コストの大幅な削減が可能となるので
ある。
【００８０】さらに、上記素子が設けられた１枚の基板
から他の基板上への素子の選択転写を(ｍ×ｎ)回繰り返
すことによって、上記素子の一方向への配列ピッチがｄ
xであり、他方向への配列ピッチがｄyであると共に、上
記転写元の基板の大きさの（ｍ×ｎ)倍の大きさの表示
用トランジタアレイパネルを得ることができる。したが
って、この場合には、上記従来の表示用トランジスタア
レイパネルの形成方法によって同じ大きさの表示用トラ
ンジスタアレイパネルを形成する場合に比較して、上記
素子の形成に要する材料費を低減できる。
【００８１】また、請求項２に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法は、画素の一方向への配
列ピッチｄxおよび他方向への配列ピッチｄyを２以上の
自然数ｍ,ｎで除した値ｄx/ｍ,ｄy/ｎのピッチで第１の
基板上に素子を形成する工程と、上記第１の基板上に形
成された素子を第２の基板上に全体転写する工程と、上
記第１の基板を除去して上記素子を第２の基板上に孤立
配列させる工程と、記第２の基板上に転写された素子の
うち上記画素の配列ピッチｄx,ｄyに対応する素子のみ
を選択的に表示用トランジスタアレイ用の第３の基板に
転写する工程を備えたので、上記第１の基板上には、表
示用トランジスタアレイ用の第３の基板に形成される画
素数の(ｍ×ｎ)倍の素子が形成されている。したがっ
て、上記素子が形成された１枚の第１の基板から(ｍ×
ｎ)枚の第３の基板を形成することができる。
【００８２】すなわち、この発明によれば、第１の基板
上への素子形成コストを、上記第１の基板上に形成され
る素子数と上記第３の基板に形成される画素数とが同数
である従来の表示用トランジスタアレイパネルの形成方
法に比較して１/(ｍ×ｎ)に低減できる。特に、上記第
１の基板がＳi基板である場合には、上記第１の基板上
に従来の１０倍〜１００倍の素子を形成することがで
き、表示用トランジスタアレイパネルの製造コストの大
幅な削減が可能となるのである。
【００８３】また、請求項３に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法は、上記素子が選択転写
される基板上の位置には上記素子が嵌合される凹部が形
成されているので、上記凹部に接着剤層を形成すること
によって、上記素子の選択転写を更に容易に行うことが
できる。
【００８４】また、請求項４に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法は、上記素子が選択転写
される基板上の位置に接着剤層が選択的に形成されてい
るので、上記素子の選択転写を更に容易に行うことがで
きる。
【００８５】また、請求項５に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法における上記素子は順ス
タガ型のＴＦＴであるので、基板上への上記順スタガ型
ＴＦＴの形成コストを１/(ｍ×ｎ)に低減できる。
【００８６】また、請求項６に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法における上記素子は逆ス
タガ型のＴＦＴであるので、基板上への上記逆スタガ型
ＴＦＴの形成コストを１/(ｍ×ｎ)に低減できる。
【００８７】また、請求項７に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法における上記素子はコプ
レーナ型のＴＦＴであるので、基板上への上記コプレー
ナ型ＴＦＴの形成コストを１/(ｍ×ｎ)に低減できる。
【００８８】また、請求項８に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法における上記素子は配線
交差部をも含んでいるので、基板上への上記配線交差部
をも含むＴＦＴの形成コストを１/(ｍ×ｎ)に低減でき
る。
【００８９】また、請求項９に係る発明の表示用トラン
ジスタアレイパネルの形成方法における上記第１の基板
はシリコン基板であるので上記素子を高密度に形成でき
る。したがって、上記自然数ｍ,ｎを容易に大きくする
ことが可能となり、上記第１の基板上への素子形成コス
トを大幅に低減できる。
【００９０】また、請求項１０に係る発明の表示用トラ
ンジスタアレイパネルの形成方法における上記第１の基
板はガラス基板であるので、上記第１の基板を大型に形
成できる。したがって、この発明によれば、上記第１の
基板上への素子形成コストを１/(ｍ×ｎ)に低減でき、
且つ、大型の表示用トランジスタアレイパネルを容易に
形成できる。
【００９１】また、請求項１１に係る発明の表示用トラ
ンジスタアレイパネルの形成方法では、上記第１の基板
上の素子の上記第２の基板上への全体転写を、光で接着
力が低下する接着剤によって行い、上記第２の基板上の
素子の上記第３の基板上への選択転写を、上記第２の基
板の裏面から転写対象の素子の箇所への選択的な光照射
によって行うので、上記接着剤の塗布および上記第２の
基板の裏面からの光の選択照射という簡単な方法によっ
て、上記第２の基板上の素子の上記第３の基板上への選
択転写を行うことできる。
【００９２】また、請求項１２に係る発明の表示用トラ
ンジスタアレイパネルの形成方法では、上記第１の基板
上にフッ化水素酸に対して耐性を有する透明絶縁膜を形
成しているので、上記第１の基板の除去に際してエッチ
ャントとしてフッ化水素酸を使用する場合に、上記透明
絶縁膜の存在によって上記素子を保護できる。
【００９３】また、請求項１３に係る発明の表示用トラ
ンジスタアレイパネルの形成方法では、上記フッ化水素
酸に対して耐性を有する透明絶縁膜は酸化タンタル膜あ
るいはダイヤモンド膜の何れ一方であるので、上記第１
の基板除去用のエッチャントとしてフッ化水素酸が使用
する場合に、酸化タンタル膜あるいはダイヤモンド膜の
何れ一方の存在によって上記素子を確実に保護できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の表示用トランジスタアレイパネルの
形成方法における手順を示す図である。
【図２】図１に続く表示用トランジスタアレイパネルの
形成方法における手順を示す図である。
【図３】図２に続く受動素子部形成プロセスの説明図で
ある。
【図４】図１〜図３に示す形成方法によって形成された
表示用トランジスタアレイパネルの外観図である。
【図５】順スタガＴＦＴの構造を示す図である。
【図６】逆スタガＴＦＴの構造を示す図である。
【図７】コプレーナＴＦＴの構造を示す図である。
【図８】逆スタガＴＦＴにおけるソース電極配線とゲー
ト電極配線との交差部の断面図である。
【図９】図１とは異なる表示用トランジスタアレイパネ
ルの形成方法における手順の一部を示す図である。
【図１０】従来の表示用トランジスタアレイパネルの形
成方法において剥離層をエッチング除去して第１の基板
全体を除去する方法の手順を示す図である。
【図１１】従来の表示用トランジスタアレイパネルの形
成方法においてエッチバック工程によって第１の基板全
体を除去する方法の手順を示す図である。
【図１２】従来の表示用トランジスタアレイパネルの形
成方法において中間エッチストップ層を用いたシリコン
薄膜転写法の手順を示す図である。
【図１３】従来の表示用トランジスタアレイパネルの形
成方法においてＵＶ剥離両面テープを用いた転写方法の
手順を示す図である。
【図１４】従来の表示用トランジスタアレイパネルの形
成方法において基板上に密に形成したディバイスを粗に
配置し直す転写方法の手順を示す図である。
【符号の説明】
４１…Ｓi基板(第１の基板)、 ４２…Ｓi酸化
膜、４３,１２５…ＴＦＴ素子、 ４４,１２６
…素子分離溝、４５,１２８…ガラス基板(第２の基
板)、４６,１２７…ＵＶ剥離樹脂、 ４７,５５…
ガラス基板(第３の基板)、４８,５７…接着樹脂、
５０,６２…紫外線、６６…ソース電極配線、
６８…ゲート電極配線、６９…ドレイン電
極配線、 ７０…画素電極、１３１…ガラス基
板(第１の基板)、 １３２…Ｓi膜、１３３…Ｓi窒化膜
(あるいはＳi酸化膜)、１３４…犠牲層。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、画素の一方向への配列ピッチ
    ｄxを２以上の自然数ｍで除したｄx/ｍのピッチ、およ
    び、他方向への配列ピッチｄyを２以上の自然数ｎで除
    したｄy/ｎのピッチで素子を設ける工程と、 上記基板上に設けられた素子のうち、上記画素の配列ピ
    ッチｄx,ｄyに対応する素子のみを選択的に他の基板に
    転写する工程を備えたことを特徴とする表示用トランジ
    スタアレイパネルの形成方法。
  2. 【請求項２】 第１の基板上に、画素の一方向への配列
    ピッチｄxを２以上の自然数ｍで除したｄx/ｍのピッ
    チ、および、他方向への配列ピッチｄyを２以上の自然
    数ｎで除したｄy/ｎのピッチで素子を形成する工程と、 上記第１の基板上に形成された素子を第２の基板上に全
    体転写する工程と、 上記第１の基板を除去して、上記素子を上記第２の基板
    上に孤立配列させる工程と、 上記第２の基板上に転写された素子のうち、上記画素の
    配列ピッチｄx,ｄyに対応する素子のみを選択的に表示
    用トランジスタアレイ用の第３の基板に転写する工程を
    備えたことを特徴とする表示用トランジスタアレイパネ
    ルの形成方法。
  3. 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の表示
    用トランジスタアレイパネルの形成方法において、 上記素子が選択転写される基板上の位置には、上記素子
    が嵌合される凹部が形成されていることを特徴とする表
    示用トランジスタアレイパネルの形成方法。
  4. 【請求項４】 請求項１あるいは請求項２に記載の表示
    用トランジスタアレイパネルの形成方法において、 上記素子が選択転写される基板上の位置には、接着剤層
    が選択的に形成されていることを特徴とする表示用トラ
    ンジスタアレイパネルの形成方法。
  5. 【請求項５】 請求項１あるいは請求項２に記載の表示
    用トランジスタアレイパネルの形成方法において、 上記素子は、順スタガ型の薄膜トランジスタであること
    を特徴とする表示用トランジスタアレイパネルの形成方
    法。
  6. 【請求項６】 請求項１あるいは請求項２に記載の表示
    用トランジスタアレイパネルの形成方法において、 上記素子は、逆スタガ型の薄膜トランジスタであること
    を特徴とする表示用トランジスタアレイパネルの形成方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項１あるいは請求項２に記載の表示
    用トランジスタアレイパネルの形成方法において、 上記素子は、コプレーナ型の薄膜トランジスタであるこ
    とを特徴とする表示用トランジスタアレイパネルの形成
    方法。
  8. 【請求項８】 請求項５乃至請求項７の何れか一つに記
    載の表示用トランジスタアレイパネルの形成方法におい
    て、 上記素子は、配線交差部をも含んでいることを特徴とす
    る表示用トランジスタアレイパネルの形成方法。
  9. 【請求項９】 請求項２に記載の表示用トランジスタア
    レイパネルの形成方法において、 上記第１の基板はシリコン基板であることを特徴とする
    表示用トランジスタアレイパネルの形成方法。
  10. 【請求項１０】 請求項２に記載の表示用トランジスタ
    アレイパネルの形成方法において、 上記第１の基板はガラス基板であることを特徴とする表
    示用トランジスタアレイパネルの形成方法。
  11. 【請求項１１】 請求項２に記載の表示用トランジスタ
    アレイパネルの形成方法において、 上記第１の基板上の素子の上記第２の基板上への全体転
    写は、光によって接着力が低下する接着剤によって行
    い、 上記第２の基板上の素子の上記第３の基板上への選択転
    写は、上記第２の基板の裏面から上記画素の配列ピッチ
    ｄx,ｄyに対応する素子の箇所への光照射によって転写
    の対象となる素子のみを選択的に上記第２の基板から剥
    離することによって行うことを特徴とする表示用トラン
    ジスタアレイパネルの形成方法。
  12. 【請求項１２】 請求項２に記載の表示用トランジスタ
    アレイパネルの形成方法において、 上記第１の基板上にフッ化水素酸に対して耐性を有する
    透明絶縁膜を形成し、この透明絶縁膜上に上記素子を形
    成することを特徴とする表示用トランジスタアレイパネ
    ルの形成方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の表示用トランジス
    タアレイパネルの形成方法において、 上記フッ化水素酸に対して耐性を有する透明絶縁膜は、
    酸化タンタル膜あるいはダイヤモンド膜の何れ一方であ
    ることを特徴とする表示用トランジスタアレイパネルの
    形成方法。
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