JP2003100517A - 積層チップインダクタ及びその製造方法 - Google Patents
積層チップインダクタ及びその製造方法Info
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- JP2003100517A JP2003100517A JP2001296137A JP2001296137A JP2003100517A JP 2003100517 A JP2003100517 A JP 2003100517A JP 2001296137 A JP2001296137 A JP 2001296137A JP 2001296137 A JP2001296137 A JP 2001296137A JP 2003100517 A JP2003100517 A JP 2003100517A
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部コイルと外部電極端子とを電気的に接続
する内部引き出し導体部の形成が簡単に可能な積層チッ
プインダクタ及びその製造方法の提供。 【解決手段】 積層チップインダクタ20は、電気絶縁
層と導体パターンとを交互に積層してなり、その積層体
4の内部に導体パターンからなるコイルパターン26が
順次接続されて螺旋状のコイル6が設けられ、コイル6
と外部電極端子8との間には、両者を電気的に接続する
内部引き出し導体部22が積層体4内部に設けられてい
る。内部引き出し導体部22は多数の帯状パターン24
により形成されている。帯状パターン24は、導体パタ
ーンとして設けられ、各端部が積層方向に沿って交互に
ジグザグ状に連結されている。帯状パターン24の形成
は従来のスルーホールを形成する場合に比べて寸法制御
が容易で、内部引き出し導体部22の形成が非常に簡単
に行える。
する内部引き出し導体部の形成が簡単に可能な積層チッ
プインダクタ及びその製造方法の提供。 【解決手段】 積層チップインダクタ20は、電気絶縁
層と導体パターンとを交互に積層してなり、その積層体
4の内部に導体パターンからなるコイルパターン26が
順次接続されて螺旋状のコイル6が設けられ、コイル6
と外部電極端子8との間には、両者を電気的に接続する
内部引き出し導体部22が積層体4内部に設けられてい
る。内部引き出し導体部22は多数の帯状パターン24
により形成されている。帯状パターン24は、導体パタ
ーンとして設けられ、各端部が積層方向に沿って交互に
ジグザグ状に連結されている。帯状パターン24の形成
は従来のスルーホールを形成する場合に比べて寸法制御
が容易で、内部引き出し導体部22の形成が非常に簡単
に行える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気絶縁層と導体
パターンとを交互に積層して形成するとともに各導体パ
ターンを順次接続してその内部に螺旋状のコイルを形成
してなる、携帯機器等に搭載される表面実装型の積層チ
ップインダクタに関する。
パターンとを交互に積層して形成するとともに各導体パ
ターンを順次接続してその内部に螺旋状のコイルを形成
してなる、携帯機器等に搭載される表面実装型の積層チ
ップインダクタに関する。
【0002】
【従来の技術】図5は、一般的に知られている積層チッ
プインダクタの一例を示したものである。この積層チッ
プインダクタ2は、誘電体セラミックまたは磁性体セラ
ミックからなる電気絶縁層(図示外)と導体パターン5
とを交互に積層して形成された積層体4からなる。積層
体4の内部には、導体パターン5が積層方向に沿って順
次接続されて螺旋状のコイル6が形成されている。積層
体4の両端部にはコイル6の端部6a,6bにそれぞれ
接続された外部電極端子8が設けられている。
プインダクタの一例を示したものである。この積層チッ
プインダクタ2は、誘電体セラミックまたは磁性体セラ
ミックからなる電気絶縁層(図示外)と導体パターン5
とを交互に積層して形成された積層体4からなる。積層
体4の内部には、導体パターン5が積層方向に沿って順
次接続されて螺旋状のコイル6が形成されている。積層
体4の両端部にはコイル6の端部6a,6bにそれぞれ
接続された外部電極端子8が設けられている。
【0003】この積層チップインダクタにあっては次の
ような問題点があった。すなわち、外部電極端子8と積
層体4内部のコイル6との間に大きな浮遊容量が発生
し、共振周波数を高める妨げになり、高性能なチップが
思うように得られないといった問題があったのである。
また、外部電極端子8の形成には、積層体4の両端部を
それぞれ導体ペースト中に浸漬(ディップ)して膜層に
形成するという非常に膜形成の制御が難しい手法を採用
しているため、精度よく寸法通りに形成するのがきわめ
て困難であった。
ような問題点があった。すなわち、外部電極端子8と積
層体4内部のコイル6との間に大きな浮遊容量が発生
し、共振周波数を高める妨げになり、高性能なチップが
思うように得られないといった問題があったのである。
また、外部電極端子8の形成には、積層体4の両端部を
それぞれ導体ペースト中に浸漬(ディップ)して膜層に
形成するという非常に膜形成の制御が難しい手法を採用
しているため、精度よく寸法通りに形成するのがきわめ
て困難であった。
【0004】そこで、このような問題点を解消するため
に、図6(a)に示すように、積層体4の周側面のうち
電子回路基板に密着される実装面4aにのみ外部電極端
子8を設け、他の周側面や積層体4の端面には外部電極
端子8を設けないようにした積層インダクタ3が提案さ
れている(特開平11−265823号参照)。このよ
うに外部電極端子8を実装面4aにのみ設けることで、
外部電極端子8の形成面積を削減してコイル6との間に
発生する浮遊容量を可及的に低減している。
に、図6(a)に示すように、積層体4の周側面のうち
電子回路基板に密着される実装面4aにのみ外部電極端
子8を設け、他の周側面や積層体4の端面には外部電極
端子8を設けないようにした積層インダクタ3が提案さ
れている(特開平11−265823号参照)。このよ
うに外部電極端子8を実装面4aにのみ設けることで、
外部電極端子8の形成面積を削減してコイル6との間に
発生する浮遊容量を可及的に低減している。
【0005】さらに外部電極端子8とコイル6の各端部
6a,6bとを電気的に接続するために、積層体4の内
部に図6(b)に示すような引き出し導体部10を設け
る構造も提案されている。この内部引き出し導体部10
は、導体ペーストと交互に積層される電気絶縁層に対し
てそれぞれスルーホールを設け、このスルーホールに導
体ペーストを充填して、これを積層方向に沿って順次接
続することにより形成したものである。このように積層
体4内部に引き出し導体部10を形成すれば、外部電極
端子8が実装面4aのみに設けられた場合であっても、
コイル6の各端部6a,6bと外部電極端子8とをスム
ーズに接続することができる。
6a,6bとを電気的に接続するために、積層体4の内
部に図6(b)に示すような引き出し導体部10を設け
る構造も提案されている。この内部引き出し導体部10
は、導体ペーストと交互に積層される電気絶縁層に対し
てそれぞれスルーホールを設け、このスルーホールに導
体ペーストを充填して、これを積層方向に沿って順次接
続することにより形成したものである。このように積層
体4内部に引き出し導体部10を形成すれば、外部電極
端子8が実装面4aのみに設けられた場合であっても、
コイル6の各端部6a,6bと外部電極端子8とをスム
ーズに接続することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この積層イ
ンダクタ3では、そのサイズが小さくなれば小さくなる
ほど、そのサイズに合わせて小さなスルーホールを形成
しなければならず、このため、高度な技術が必要となる
とともに歩留まりの低下を招くなどの問題があった。こ
れらの問題を回避するためにサイズの小さなものであっ
てもスルーホールのサイズを大きくすることが考えられ
るが、スペース上の理由からそのような大きなスルーホ
ールの形成はきわめて困難であった。例えば1005タ
イプ(縦0.5mm×横1.0mm×高さ0.5mm)
の積層インダクタでは、スルーホールの大きさを幅0.
1mmとすると、周りの絶縁等の必要性から周囲0.0
5mm以上の距離を確保しなければならず、結果的に
0.2mmもの大きなスペースが必要となり、スルーホ
ールの形成は難しい。
ンダクタ3では、そのサイズが小さくなれば小さくなる
ほど、そのサイズに合わせて小さなスルーホールを形成
しなければならず、このため、高度な技術が必要となる
とともに歩留まりの低下を招くなどの問題があった。こ
れらの問題を回避するためにサイズの小さなものであっ
てもスルーホールのサイズを大きくすることが考えられ
るが、スペース上の理由からそのような大きなスルーホ
ールの形成はきわめて困難であった。例えば1005タ
イプ(縦0.5mm×横1.0mm×高さ0.5mm)
の積層インダクタでは、スルーホールの大きさを幅0.
1mmとすると、周りの絶縁等の必要性から周囲0.0
5mm以上の距離を確保しなければならず、結果的に
0.2mmもの大きなスペースが必要となり、スルーホ
ールの形成は難しい。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、サイズが小さくてもその
内部に簡単に引き出し導体部を形成することが可能な積
層チップインダクタ及びその製造方法を提供することに
ある。
たものであって、その目的は、サイズが小さくてもその
内部に簡単に引き出し導体部を形成することが可能な積
層チップインダクタ及びその製造方法を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明に係る積層チップインダクタにあって
は、電気絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成
される積層体の内部に前記導体パターンからなる複数の
コイルパターンの各端部を積層方向に沿って順次接続し
て形成された螺旋状のコイルと、前記積層体の外表面部
に設けられた一対の外部電極端子と、前記外部電極端子
と前記コイルの各端部とをそれぞれ結んで前記積層体の
内部に設けられた一対の内部引き出し導体部とを備えた
積層チップインダクタにおいて、前記積層体内部に前記
導体パターンからなる複数の帯状パターンを前記電気絶
縁層を介して積層し、これら各帯状パターンの端部を相
互に接続することで前記内部引き出し導体部を形成した
ことを特徴とする(請求項1)。
るために本発明に係る積層チップインダクタにあって
は、電気絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成
される積層体の内部に前記導体パターンからなる複数の
コイルパターンの各端部を積層方向に沿って順次接続し
て形成された螺旋状のコイルと、前記積層体の外表面部
に設けられた一対の外部電極端子と、前記外部電極端子
と前記コイルの各端部とをそれぞれ結んで前記積層体の
内部に設けられた一対の内部引き出し導体部とを備えた
積層チップインダクタにおいて、前記積層体内部に前記
導体パターンからなる複数の帯状パターンを前記電気絶
縁層を介して積層し、これら各帯状パターンの端部を相
互に接続することで前記内部引き出し導体部を形成した
ことを特徴とする(請求項1)。
【0009】この積層チップインダクタでは、積層体の
内部に導体パターンからなる複数の帯状パターンを電気
絶縁層を介して積層し、これら各帯状パターンの端部を
相互に接続することで内部引き出し導体部を形成したこ
とで、従来のように電気絶縁層にスルーホールを形成し
なくても内部引き出し導体部を設けることができる。帯
状パターンは、従来のスルーホールに比べて寸法制御が
容易に、非常に高精度に形成することができる。このた
め、小さなサイズでも簡単に形成することができる。こ
のことから、高性能な積層チップインダクタを容易に得
ることができる。
内部に導体パターンからなる複数の帯状パターンを電気
絶縁層を介して積層し、これら各帯状パターンの端部を
相互に接続することで内部引き出し導体部を形成したこ
とで、従来のように電気絶縁層にスルーホールを形成し
なくても内部引き出し導体部を設けることができる。帯
状パターンは、従来のスルーホールに比べて寸法制御が
容易に、非常に高精度に形成することができる。このた
め、小さなサイズでも簡単に形成することができる。こ
のことから、高性能な積層チップインダクタを容易に得
ることができる。
【0010】また、この積層チップインダクタにあって
は、前記帯状パターンの端部どうしが交互に接続されて
前記内部引き出し導体部が上下方向にジグザク状に設け
られていることを特徴とする(請求項2)。このように
帯状パターンが交互に接続してジグザク状に形成するこ
とで、内部引き出し導体部を積層体内部にコンパクトに
形成することができる。
は、前記帯状パターンの端部どうしが交互に接続されて
前記内部引き出し導体部が上下方向にジグザク状に設け
られていることを特徴とする(請求項2)。このように
帯状パターンが交互に接続してジグザク状に形成するこ
とで、内部引き出し導体部を積層体内部にコンパクトに
形成することができる。
【0011】また、この積層チップインダクタにあって
は、前記内部引き出し導体部が前記積層体の隅角部に沿
って設けられていることを特徴とする(請求項3)。こ
のように内部引き出し導体部が積層体の隅角部に沿って
設けることで、積層体の内部にあまり邪魔にならないよ
うに形成することができる。
は、前記内部引き出し導体部が前記積層体の隅角部に沿
って設けられていることを特徴とする(請求項3)。こ
のように内部引き出し導体部が積層体の隅角部に沿って
設けることで、積層体の内部にあまり邪魔にならないよ
うに形成することができる。
【0012】また、この積層チップインダクタにあって
は、前記外部電極端子が前記積層体の実装面にのみ設け
られ、当該実装面以外の他の周側面及び前記積層体の端
面には設けられていないことを特徴とする(請求項
4)。このように外部電極端子が積層体の実装面にのみ
設けられ、他の周側面および端面に設けられていないこ
とで、外部電極端子と積層体内部のコイルとの間に発生
する浮遊容量を可及的に低減することができ、これによ
り共振周波数を高めることで、性能の向上が図れる。
は、前記外部電極端子が前記積層体の実装面にのみ設け
られ、当該実装面以外の他の周側面及び前記積層体の端
面には設けられていないことを特徴とする(請求項
4)。このように外部電極端子が積層体の実装面にのみ
設けられ、他の周側面および端面に設けられていないこ
とで、外部電極端子と積層体内部のコイルとの間に発生
する浮遊容量を可及的に低減することができ、これによ
り共振周波数を高めることで、性能の向上が図れる。
【0013】また、本発明に係る積層チップインダクタ
の製造方法にあっては、前記積層チップインダクタを製
造する方法であって、前記外部電極端子を形成するため
の一対の外部電極端子パターンを形成し、それら各外部
電極端子パターンの上にその一部を覆って第1電気絶縁
層を施し、当該第1電気絶縁層と前記各外部電極端子パ
ターンの上に両者に跨ってそれぞれ前記導体パターンか
らなる帯状パターンを施し、前記外部電極端子パターン
の露出部を覆って第2電気絶縁層を施して積層基板を形
成する第1製造プロセスと、前記積層基板の上面に対
し、当該上面に露出した前記帯状パターンの露出端部に
その一端部を接続して帯状パターンを施す工程と、前記
帯状パターンの未接続側端部を除く部分を覆って第3電
気絶縁層を施す工程とにより、前記引き出し導体部を内
部に備えた前記積層体の下層部を形成する第2製造プロ
セスと、前記下層部の上面に対し、当該上面に露出した
前記各帯状パターンの露出端部の一方に前記コイルパタ
ーンを螺旋状に接続して施すとともに、他方の前記露出
端部に新たな帯状パターンを継足し接続して施す工程
と、前記コイルパターンの終端部及び前記帯状パターン
の未接続側端部を除く部分を覆って新たな電気絶縁層を
施す工程とを繰り返して、前記引き出し導体部及び前記
コイルを内部に備えた前記積層体の中層部を形成する第
3製造プロセスと、前記中層部の上面に対し、当該上面
に露出した前記コイルパターンの終端部と前記帯状パタ
ーンの端部とを接続する導体パターンを施した後、その
上面全体を覆って1層または複数層の電気絶縁層を形成
して前記積層体の上層部を形成する第4製造プロセスと
からなることを特徴とする(請求項5)。このような製
造方法によれば、本発明に係る積層チップインダクタを
簡単にかつ効率よく製造することができ、このため、大
幅なコストアップを招かずに済む。
の製造方法にあっては、前記積層チップインダクタを製
造する方法であって、前記外部電極端子を形成するため
の一対の外部電極端子パターンを形成し、それら各外部
電極端子パターンの上にその一部を覆って第1電気絶縁
層を施し、当該第1電気絶縁層と前記各外部電極端子パ
ターンの上に両者に跨ってそれぞれ前記導体パターンか
らなる帯状パターンを施し、前記外部電極端子パターン
の露出部を覆って第2電気絶縁層を施して積層基板を形
成する第1製造プロセスと、前記積層基板の上面に対
し、当該上面に露出した前記帯状パターンの露出端部に
その一端部を接続して帯状パターンを施す工程と、前記
帯状パターンの未接続側端部を除く部分を覆って第3電
気絶縁層を施す工程とにより、前記引き出し導体部を内
部に備えた前記積層体の下層部を形成する第2製造プロ
セスと、前記下層部の上面に対し、当該上面に露出した
前記各帯状パターンの露出端部の一方に前記コイルパタ
ーンを螺旋状に接続して施すとともに、他方の前記露出
端部に新たな帯状パターンを継足し接続して施す工程
と、前記コイルパターンの終端部及び前記帯状パターン
の未接続側端部を除く部分を覆って新たな電気絶縁層を
施す工程とを繰り返して、前記引き出し導体部及び前記
コイルを内部に備えた前記積層体の中層部を形成する第
3製造プロセスと、前記中層部の上面に対し、当該上面
に露出した前記コイルパターンの終端部と前記帯状パタ
ーンの端部とを接続する導体パターンを施した後、その
上面全体を覆って1層または複数層の電気絶縁層を形成
して前記積層体の上層部を形成する第4製造プロセスと
からなることを特徴とする(請求項5)。このような製
造方法によれば、本発明に係る積層チップインダクタを
簡単にかつ効率よく製造することができ、このため、大
幅なコストアップを招かずに済む。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る積層チップイ
ンダクタ及びその製造方法の実施の形態について説明す
る。図1及び図2は、本発明に係る積層チップインダク
タの一実施形態を示したものである。図1はその積層チ
ップインダクタの内部の導体構造を示した内部透視斜視
図であり、図2はその積層チップインダクタの断面図で
ある。なお、ここで従来と同一の構成要素には同一の符
号を付して示した。
ンダクタ及びその製造方法の実施の形態について説明す
る。図1及び図2は、本発明に係る積層チップインダク
タの一実施形態を示したものである。図1はその積層チ
ップインダクタの内部の導体構造を示した内部透視斜視
図であり、図2はその積層チップインダクタの断面図で
ある。なお、ここで従来と同一の構成要素には同一の符
号を付して示した。
【0015】この積層チップインダクタ20は、図1に
示すように、従来と同様、電気絶縁層と導体パターン2
6,24とを交互に積層して形成された積層体4からな
り、この積層体4の内部に導体パターンとして設けられ
たコイルパターン26が積層方向に沿って順次接続され
て螺旋状のコイル6が形成されている。また、積層体4
の下面には、導体材料により形成された一対の外部電極
端子8が設けられている。電気絶縁層は、誘電体セラミ
ックまたは磁性体セラミックなどの電気絶縁材料により
形成されている。導体パターンは、例えば銀等の導体材
料により形成されている。
示すように、従来と同様、電気絶縁層と導体パターン2
6,24とを交互に積層して形成された積層体4からな
り、この積層体4の内部に導体パターンとして設けられ
たコイルパターン26が積層方向に沿って順次接続され
て螺旋状のコイル6が形成されている。また、積層体4
の下面には、導体材料により形成された一対の外部電極
端子8が設けられている。電気絶縁層は、誘電体セラミ
ックまたは磁性体セラミックなどの電気絶縁材料により
形成されている。導体パターンは、例えば銀等の導体材
料により形成されている。
【0016】外部電極端子8は、本実施形態では積層体
4の4つの側面のうち電子回路基板に対し密着される実
装面4a(下面)にのみ設けられ、当該実装面4a以外
の他の積層体4の周側面及び端面には設けられないよう
になっている。これは、従来技術でも説明したように、
外部電極端子8とコイル6との間に発生する浮遊容量を
可及的に低減して共振周波数を高めるようにするためで
あり、高性能化を図ることを目的としている。
4の4つの側面のうち電子回路基板に対し密着される実
装面4a(下面)にのみ設けられ、当該実装面4a以外
の他の積層体4の周側面及び端面には設けられないよう
になっている。これは、従来技術でも説明したように、
外部電極端子8とコイル6との間に発生する浮遊容量を
可及的に低減して共振周波数を高めるようにするためで
あり、高性能化を図ることを目的としている。
【0017】これら外部電極端子8とコイル6の各端部
6a,6bとの間には、これらを相互に結んで電気的に
接続するための引き出し導体部22が設けられている。
この引き出し導体部22は積層体4の内部に設けられた
もので、ここでは次のように設けられている。すなわ
ち、内部引き出し導体部22は、外部電極端子8とコイ
ル6の各端部6a,6bとの間に設けられた多数の帯状
パターン24から構成されている。この帯状パターン2
4は、前記導体パターンとしてコイルパターン26とと
もに電気絶縁層と交互に積層されて設けられたものであ
り、このコイルパターン26と同様に、例えば銀ペース
ト等の導体ペーストにより所定の厚さの膜層として同サ
イズに形成されている。帯状パターン24は、外部電極
端子8とコイル6の各端部6a,6bとの間に積層体4
の積層方向に沿って多数連設され、端部どうしが交互に
接続されて上下にジグザク状となった内部引き出し導体
部22を形成している。帯状パターン24の幅寸法や長
さ寸法または形成個数などについては、当該積層チップ
インダクタ20のL値の微調整を行うために適宜設定さ
れる。
6a,6bとの間には、これらを相互に結んで電気的に
接続するための引き出し導体部22が設けられている。
この引き出し導体部22は積層体4の内部に設けられた
もので、ここでは次のように設けられている。すなわ
ち、内部引き出し導体部22は、外部電極端子8とコイ
ル6の各端部6a,6bとの間に設けられた多数の帯状
パターン24から構成されている。この帯状パターン2
4は、前記導体パターンとしてコイルパターン26とと
もに電気絶縁層と交互に積層されて設けられたものであ
り、このコイルパターン26と同様に、例えば銀ペース
ト等の導体ペーストにより所定の厚さの膜層として同サ
イズに形成されている。帯状パターン24は、外部電極
端子8とコイル6の各端部6a,6bとの間に積層体4
の積層方向に沿って多数連設され、端部どうしが交互に
接続されて上下にジグザク状となった内部引き出し導体
部22を形成している。帯状パターン24の幅寸法や長
さ寸法または形成個数などについては、当該積層チップ
インダクタ20のL値の微調整を行うために適宜設定さ
れる。
【0018】このように内部引き出し導体部22が多数
の帯状パターン24をジグザク状に連結して構成される
ことで、従来のようにスルーホール等を形成しなくて
も、簡単に内部引き出し導体部22を形成することがで
きる。
の帯状パターン24をジグザク状に連結して構成される
ことで、従来のようにスルーホール等を形成しなくて
も、簡単に内部引き出し導体部22を形成することがで
きる。
【0019】次に本発明の積層チップインダクタを製造
する方法の実施の形態について説明する。図3(a)〜
(n)は、本発明に係る積層チップインダクタの製造方
法の一例を示したものである。ここでは、印刷積層法
(スクリーン印刷)により製造を行う。電気絶縁層の形
成材料として、アルミナにホウケイ酸ガラスを混合した
誘電体材料にガラスを添加するとともに、ビヒクルとし
てエチルセルロースと分散剤、可塑剤を混合して作成し
たセラミックスペーストなどが使用される。また、導体
パターンの形成材料には、例えば銀ペースト等の導体ペ
ーストにビヒクルを混合したものなどが好ましく使用さ
れる。
する方法の実施の形態について説明する。図3(a)〜
(n)は、本発明に係る積層チップインダクタの製造方
法の一例を示したものである。ここでは、印刷積層法
(スクリーン印刷)により製造を行う。電気絶縁層の形
成材料として、アルミナにホウケイ酸ガラスを混合した
誘電体材料にガラスを添加するとともに、ビヒクルとし
てエチルセルロースと分散剤、可塑剤を混合して作成し
たセラミックスペーストなどが使用される。また、導体
パターンの形成材料には、例えば銀ペースト等の導体ペ
ーストにビヒクルを混合したものなどが好ましく使用さ
れる。
【0020】この製造方法では、まず、図3(a)に示
すように、1つの積層チップインダクタを形成するため
の領域内に、その両端部に位置するように外部電極端子
8を形成するための外部電極端子パターン32を一対形
成する。各外部電極端子パターン32は、前述した導体
ペーストにより所定の厚さの膜層として相互に間隔をあ
けて印刷形成される。本実施形態では、各外部電極端子
パターン32は矩形状に成形されている。
すように、1つの積層チップインダクタを形成するため
の領域内に、その両端部に位置するように外部電極端子
8を形成するための外部電極端子パターン32を一対形
成する。各外部電極端子パターン32は、前述した導体
ペーストにより所定の厚さの膜層として相互に間隔をあ
けて印刷形成される。本実施形態では、各外部電極端子
パターン32は矩形状に成形されている。
【0021】次に、図3(b)に示すように、このよう
に形成された外部電極端子パターン32の上にその一部
を覆いつつ両者間にわたって本発明に係る電気絶縁層と
して第1セラミックパターン34を施す。この第1セラ
ミックパターン34は、前述したセラミックペーストに
より外部電極端子パターン32と同じく所定の厚さの膜
層として形成されたもので、ここでは横長な長方形状に
形成されている。
に形成された外部電極端子パターン32の上にその一部
を覆いつつ両者間にわたって本発明に係る電気絶縁層と
して第1セラミックパターン34を施す。この第1セラ
ミックパターン34は、前述したセラミックペーストに
より外部電極端子パターン32と同じく所定の厚さの膜
層として形成されたもので、ここでは横長な長方形状に
形成されている。
【0022】次に、図3(c)に示すように各外部電極
端子パターン32及び第1セラミックパターン34の上
に両者に跨ってそれぞれ帯状パターン24を施す。この
帯状パターン24は、前述した外部電極端子パターン3
2と同じく導体ペーストにより所定の厚さの膜層として
形成されたもので、外部電極端子パターン32の上に設
けられることで、その一端部が外部電極端子パターン3
2に接続されている。一方、各帯状パターン24の他端
部は第1セラミックパターン34上に載せられて設けら
れている。
端子パターン32及び第1セラミックパターン34の上
に両者に跨ってそれぞれ帯状パターン24を施す。この
帯状パターン24は、前述した外部電極端子パターン3
2と同じく導体ペーストにより所定の厚さの膜層として
形成されたもので、外部電極端子パターン32の上に設
けられることで、その一端部が外部電極端子パターン3
2に接続されている。一方、各帯状パターン24の他端
部は第1セラミックパターン34上に載せられて設けら
れている。
【0023】次に、図3(d)に示すように、外部電極
端子パターン32上の第1セラミックパターン34が施
されていない領域に第2セラミックパターン35を施
す。この第2セラミックパターン35は、第1セラミッ
クパターン34と同様、前述したセラミックペーストに
より所定の厚さの膜層として形成されたもので、2つの
外部電極端子パターン32に跨って第1セラミックパタ
ーン34よりも幅広く横長な長方形状に形成されてい
る。これら第1セラミックパターン34と第2セラミッ
クパターン35の形成により積層基板30を形成する。
端子パターン32上の第1セラミックパターン34が施
されていない領域に第2セラミックパターン35を施
す。この第2セラミックパターン35は、第1セラミッ
クパターン34と同様、前述したセラミックペーストに
より所定の厚さの膜層として形成されたもので、2つの
外部電極端子パターン32に跨って第1セラミックパタ
ーン34よりも幅広く横長な長方形状に形成されてい
る。これら第1セラミックパターン34と第2セラミッ
クパターン35の形成により積層基板30を形成する。
【0024】次に、図3(e)に示すように、積層基板
30の上面に、当該上面に露出した2つの帯状パターン
24のうちの一方の端部24aに、前記コイルパターン
としてL型パターン38を接続して施す。このL型パタ
ーン38は、前述した外部電極端子パターン32や帯状
パターン24と同様、導体ペーストにより所定の厚さの
膜層として形成されたもので、その始端部38bが帯状
パターン24の端部24aに重ねられて接続されてい
る。ここで、L型パターン38の終端部38aは、第2
セラミックパターン35の上面に掛かるように設けられ
る。
30の上面に、当該上面に露出した2つの帯状パターン
24のうちの一方の端部24aに、前記コイルパターン
としてL型パターン38を接続して施す。このL型パタ
ーン38は、前述した外部電極端子パターン32や帯状
パターン24と同様、導体ペーストにより所定の厚さの
膜層として形成されたもので、その始端部38bが帯状
パターン24の端部24aに重ねられて接続されてい
る。ここで、L型パターン38の終端部38aは、第2
セラミックパターン35の上面に掛かるように設けられ
る。
【0025】また、他方の帯状パターン24の露出端部
24aには、新たな帯状パターン24bが重ねられて施
される。この帯状パターン24bは、下側の帯状パター
ン24と同形にその直上に配置形成されたもので、その
一端部が下側の帯状パターン24の露出端部24aに接
続される。また、帯状パターン24bの一端部も第2セ
ラミックパターン35の上面に掛けられて形成される。
24aには、新たな帯状パターン24bが重ねられて施
される。この帯状パターン24bは、下側の帯状パター
ン24と同形にその直上に配置形成されたもので、その
一端部が下側の帯状パターン24の露出端部24aに接
続される。また、帯状パターン24bの一端部も第2セ
ラミックパターン35の上面に掛けられて形成される。
【0026】次に、図3(f)に示すように、L型パタ
ーン38及び帯状パターン24bの上に前記第1セラミ
ックパターン34の上方にこれと同形のセラミックパタ
ーン34を施す。ここで、L型パターン38の終端部3
8a及び帯状パターン24bの上端部の上には、セラミ
ックパターン34を施さずに露出させる。
ーン38及び帯状パターン24bの上に前記第1セラミ
ックパターン34の上方にこれと同形のセラミックパタ
ーン34を施す。ここで、L型パターン38の終端部3
8a及び帯状パターン24bの上端部の上には、セラミ
ックパターン34を施さずに露出させる。
【0027】次に、図3(g)に示すように、上面に露
出したL型パターン38の終端部38aにはコイルパタ
ーンとしてコ字型パターン40を接続して施し、また帯
状パターン24bの上端部には同形の帯状パターン24
cを接続して施す。コ字型パターン40及び帯状パター
ン24cは共に導体ペーストにより所定の厚さの膜層と
して形成する。コ字型パターン40はL型パターン38
に螺旋状に接続されて設けられる。ここで、コ字型パタ
ーン40の終端部40a及び帯状パターン24cの下端
部は、第1セラミックパターン34の上面に掛かるよう
に設けられる。
出したL型パターン38の終端部38aにはコイルパタ
ーンとしてコ字型パターン40を接続して施し、また帯
状パターン24bの上端部には同形の帯状パターン24
cを接続して施す。コ字型パターン40及び帯状パター
ン24cは共に導体ペーストにより所定の厚さの膜層と
して形成する。コ字型パターン40はL型パターン38
に螺旋状に接続されて設けられる。ここで、コ字型パタ
ーン40の終端部40a及び帯状パターン24cの下端
部は、第1セラミックパターン34の上面に掛かるよう
に設けられる。
【0028】次に図3(h)に示すようにコ字型パター
ン40の終端部40a及び帯状パターン24cの下端部
を除くその他の部分を覆って、前記第2セラミックパタ
ーン35の上方にこれと同形のセラミックパターン35
を施す。
ン40の終端部40a及び帯状パターン24cの下端部
を除くその他の部分を覆って、前記第2セラミックパタ
ーン35の上方にこれと同形のセラミックパターン35
を施す。
【0029】次に図3(i)に示すように、図3(e)
と同様に、コ字型パターン40の終端部40aにL型パ
ターン38を螺旋状に接続して施すとともに帯状パター
ン24cの露出端部に新たな帯状パターン24dを接続
して施す。
と同様に、コ字型パターン40の終端部40aにL型パ
ターン38を螺旋状に接続して施すとともに帯状パター
ン24cの露出端部に新たな帯状パターン24dを接続
して施す。
【0030】次に図3(j)〜(l)においては、図3
(f)〜(h)と同様な工程を実施する。そして、これ
ら図3(i)〜(l)の工程をコイルの巻回数に応じて
適宜繰り返して積層体4内部にコイル6を形成してゆく
とともに、帯状パターン24を端部どうしを交互に接続
して積層体4内部において上下にジグザク状に連結した
内部引き出し導体部22を形成してゆく。
(f)〜(h)と同様な工程を実施する。そして、これ
ら図3(i)〜(l)の工程をコイルの巻回数に応じて
適宜繰り返して積層体4内部にコイル6を形成してゆく
とともに、帯状パターン24を端部どうしを交互に接続
して積層体4内部において上下にジグザク状に連結した
内部引き出し導体部22を形成してゆく。
【0031】そして、最後に、図3(m)に示すよう
に、その上面に露出したコイルパターン(ここではコ字
型パターン)40の終端部40aと、帯状パターン24
の露出端部24eとを電気的に接続する導体パターン4
1を施した後、さらに図3(n)に示すように、その上
面全体を覆ってセラミックパターン37を1または複数
回にわたって施して積層体4の上層部を形成する。
に、その上面に露出したコイルパターン(ここではコ字
型パターン)40の終端部40aと、帯状パターン24
の露出端部24eとを電気的に接続する導体パターン4
1を施した後、さらに図3(n)に示すように、その上
面全体を覆ってセラミックパターン37を1または複数
回にわたって施して積層体4の上層部を形成する。
【0032】その後、このようにして製作された積層体
4を裁断してチップ化し、そして各チップごとに焼成し
て積層チップインダクタを得る。
4を裁断してチップ化し、そして各チップごとに焼成し
て積層チップインダクタを得る。
【0033】なお、この実施形態では、外部電極端子パ
ターンに接続された帯状パターン24が、図3(e)に
示すように、直接コイルパターン(L型パターン)38
に接続されているが、コイル6の巻数が少ない場合や、
外部電極端子8とコイル6との間に距離を確保する場合
には、図3(d)の工程の後に、帯状パターン24の露
出端部24aに新たな帯状パターンを接続して設ける図
3(c)と同様の工程と、これら各帯状パターン24の
下端部24aを除くその他の上方部分を覆って図3
(d)と同様のセラミックパターン34,35を施す工
程を繰り返し行って、外部電極端子パターン32に接続
された帯状パターン24を順次ジグザグ状に継ぎ足して
内部引き出し導体部22を形成するようにしても良い。
ターンに接続された帯状パターン24が、図3(e)に
示すように、直接コイルパターン(L型パターン)38
に接続されているが、コイル6の巻数が少ない場合や、
外部電極端子8とコイル6との間に距離を確保する場合
には、図3(d)の工程の後に、帯状パターン24の露
出端部24aに新たな帯状パターンを接続して設ける図
3(c)と同様の工程と、これら各帯状パターン24の
下端部24aを除くその他の上方部分を覆って図3
(d)と同様のセラミックパターン34,35を施す工
程を繰り返し行って、外部電極端子パターン32に接続
された帯状パターン24を順次ジグザグ状に継ぎ足して
内部引き出し導体部22を形成するようにしても良い。
【0034】図4(a)〜(p)は、本発明に係る積層
チップインダクタの製造方法として、コイルの巻回方向
が逆向きの積層チップインダクタを製造する場合の手順
を示したものである。
チップインダクタの製造方法として、コイルの巻回方向
が逆向きの積層チップインダクタを製造する場合の手順
を示したものである。
【0035】図4(a)〜(d)では、前述した実施の
形態の場合と同じく、外部電極端子8を形成するための
外部電極端子パターン32を設け(図4(a))、その
後、この外部電極端子パターン32の上にその一部を覆
って第1のセラミックパターン34を施し(図4
(b))、次にこれら外部電極端子パターン32及び第
1セラミックパターン34に跨って帯状パターン24を
施し(図4(c))、そして、第1のセラミックパター
ン34が施されていない領域を覆って第2のセラミック
パターン35を施して(図4(d))、積層基板30を
形成する。
形態の場合と同じく、外部電極端子8を形成するための
外部電極端子パターン32を設け(図4(a))、その
後、この外部電極端子パターン32の上にその一部を覆
って第1のセラミックパターン34を施し(図4
(b))、次にこれら外部電極端子パターン32及び第
1セラミックパターン34に跨って帯状パターン24を
施し(図4(c))、そして、第1のセラミックパター
ン34が施されていない領域を覆って第2のセラミック
パターン35を施して(図4(d))、積層基板30を
形成する。
【0036】そしてこの実施形態では、積層基板30の
上面の各帯状パターン24の露出端部24aにそれぞれ
別途、帯状パターン24bを接続して施して(図4
(e))、さらにその上に各帯状パターン24の接続端
部24aを覆って第1のセラミックパターン34の上に
これと同形のセラミックパターン34を施している(図
4(f))。これにより、帯状パターンを複数連結して
内部引き出し導体部22を形成し、積層体4の下層部を
形成する。
上面の各帯状パターン24の露出端部24aにそれぞれ
別途、帯状パターン24bを接続して施して(図4
(e))、さらにその上に各帯状パターン24の接続端
部24aを覆って第1のセラミックパターン34の上に
これと同形のセラミックパターン34を施している(図
4(f))。これにより、帯状パターンを複数連結して
内部引き出し導体部22を形成し、積層体4の下層部を
形成する。
【0037】そして、前記実施形態の場合と同様、図3
の場合とはコイル6の巻回方向が逆になるようなコイル
パターンとして、図4(g)に示すようなコ字型パター
ン42を接続して設ける。なお、コ字型パターン42
は、その始端部42bが2つの帯状パターン24bのう
ちの一方(右側)の露出端部に接続される。当該コ字型
パターン42が接続されなかった他方(左側)の帯状パ
ターンの露出端部24bには、図3(g)の場合と同
様、新たな帯状パターン24cが接続されて設けられ
る。
の場合とはコイル6の巻回方向が逆になるようなコイル
パターンとして、図4(g)に示すようなコ字型パター
ン42を接続して設ける。なお、コ字型パターン42
は、その始端部42bが2つの帯状パターン24bのう
ちの一方(右側)の露出端部に接続される。当該コ字型
パターン42が接続されなかった他方(左側)の帯状パ
ターンの露出端部24bには、図3(g)の場合と同
様、新たな帯状パターン24cが接続されて設けられ
る。
【0038】その後、図3(h)と同様に、第2セラミ
ックパターン35の上にこれと同形のセラミックパター
ン35を施して、コ字型パターン42の終端部42a及
び帯状パターンの下端部24cを除く他の部分を覆って
から(図4(h))、図3(i)〜(l)と同様に、こ
のコ字型パターン42の終端部42aにコイルパターン
としてL型パターン44を螺旋状に接続しつつ第1セラ
ミックパターン34または第2セラミックパターン35
の上に同形のセラミックパターン34,35を施して、
コイル6及び内部引き出し導体部22を有する積層体4
の中層部を形成する(図4(i)〜(n))。
ックパターン35の上にこれと同形のセラミックパター
ン35を施して、コ字型パターン42の終端部42a及
び帯状パターンの下端部24cを除く他の部分を覆って
から(図4(h))、図3(i)〜(l)と同様に、こ
のコ字型パターン42の終端部42aにコイルパターン
としてL型パターン44を螺旋状に接続しつつ第1セラ
ミックパターン34または第2セラミックパターン35
の上に同形のセラミックパターン34,35を施して、
コイル6及び内部引き出し導体部22を有する積層体4
の中層部を形成する(図4(i)〜(n))。
【0039】最後に、コイルパターンとして、図4
(o)に示されるような他方の帯状パターンの露出端部
24fにその終端部42aを接続してコ字型パターン4
2を施してから、その後、図4(p)に示すようにその
上面全体を覆ってセラミックパターン37を1または複
数回にわたり施し、積層体4の上層部を形成する。
(o)に示されるような他方の帯状パターンの露出端部
24fにその終端部42aを接続してコ字型パターン4
2を施してから、その後、図4(p)に示すようにその
上面全体を覆ってセラミックパターン37を1または複
数回にわたり施し、積層体4の上層部を形成する。
【0040】その後、前述した実施形態と同様に、製作
された積層体4を裁断してチップ化し、それから各チッ
プごとに焼成して積層チップインダクタ20を得る。
された積層体4を裁断してチップ化し、それから各チッ
プごとに焼成して積層チップインダクタ20を得る。
【0041】なお、この実施形態でも、コイル6の巻数
が少ない場合や、外部電極端子8とコイル6との間に距
離がある場合には、帯状パターン24を継ぎ足す工程
と、第1のセラミックパターン34または第2のセラミ
ックパターン35の上方にセラミックパターンを施す工
程とを繰り返してジグザグ状の内部引き出し導体部22
を形成するようにしても良い。
が少ない場合や、外部電極端子8とコイル6との間に距
離がある場合には、帯状パターン24を継ぎ足す工程
と、第1のセラミックパターン34または第2のセラミ
ックパターン35の上方にセラミックパターンを施す工
程とを繰り返してジグザグ状の内部引き出し導体部22
を形成するようにしても良い。
【0042】以上この積層チップインダクタ及びその製
造方法にあっては、積層体4の内部に導体パターンから
なる複数の帯状パターン24を電気絶縁層(セラミック
パターン)を介して、これら各帯状パターン24の端部
を相互に接続することで内部引き出し導体部22を形成
したことで、従来のように電気絶縁層にスルーホールを
形成しなくても非常に高精度にかつ簡単に内部引き出し
導体部22を設けることができる。これによって、チッ
プのサイズが小さくても内部引き出し導体部22の形成
が容易で、非常に高性能な積層チップインダクタが得ら
れる。
造方法にあっては、積層体4の内部に導体パターンから
なる複数の帯状パターン24を電気絶縁層(セラミック
パターン)を介して、これら各帯状パターン24の端部
を相互に接続することで内部引き出し導体部22を形成
したことで、従来のように電気絶縁層にスルーホールを
形成しなくても非常に高精度にかつ簡単に内部引き出し
導体部22を設けることができる。これによって、チッ
プのサイズが小さくても内部引き出し導体部22の形成
が容易で、非常に高性能な積層チップインダクタが得ら
れる。
【0043】また、この積層チップインダクタ20で
は、内部引き出し導体部22を積層体4の隅角部に沿っ
て設けたことで、積層体4の内部にあまり邪魔にならな
いように形成することができる。
は、内部引き出し導体部22を積層体4の隅角部に沿っ
て設けたことで、積層体4の内部にあまり邪魔にならな
いように形成することができる。
【0044】また、この積層チップインダクタ20で
は、外部電極端子8が積層体4の実装面4aにのみ設け
られ、当該実装面4a以外の他の周側面及び端面には設
けられていないため、外部電極端子8と積層体4内部の
コイル6との間に発生する浮遊容量を可及的に低減する
ことができ、これにより共振周波数を高めることがで
き、高性能化が図れる。
は、外部電極端子8が積層体4の実装面4aにのみ設け
られ、当該実装面4a以外の他の周側面及び端面には設
けられていないため、外部電極端子8と積層体4内部の
コイル6との間に発生する浮遊容量を可及的に低減する
ことができ、これにより共振周波数を高めることがで
き、高性能化が図れる。
【0045】
【発明の効果】本発明の請求項1に係る積層チップイン
ダクタによれば、積層体の内部に導体パターンからなる
複数の帯状パターンを電気絶縁層を介して、これら各帯
状パターンの端部を相互に接続することで内部引き出し
導体部を形成したことで、従来のように電気絶縁層にス
ルーホールを形成しなくても非常に高精度にかつ簡単に
内部引き出し導体部を設けることができる。これによっ
て、サイズが小さくても内部引き出し導体部の形成が容
易で、高性能な積層チップインダクタが簡単に得られ
る。
ダクタによれば、積層体の内部に導体パターンからなる
複数の帯状パターンを電気絶縁層を介して、これら各帯
状パターンの端部を相互に接続することで内部引き出し
導体部を形成したことで、従来のように電気絶縁層にス
ルーホールを形成しなくても非常に高精度にかつ簡単に
内部引き出し導体部を設けることができる。これによっ
て、サイズが小さくても内部引き出し導体部の形成が容
易で、高性能な積層チップインダクタが簡単に得られ
る。
【0046】また、請求項2に記載の積層チップインダ
クタにあっては、帯状パターンの端部どうしが交互に接
続されて内部引き出し導体部がジグザク状に設けられて
いることで、内部引き出し導体部を積層体内部にコンパ
クトに形成することができる。
クタにあっては、帯状パターンの端部どうしが交互に接
続されて内部引き出し導体部がジグザク状に設けられて
いることで、内部引き出し導体部を積層体内部にコンパ
クトに形成することができる。
【0047】また、請求項3に記載の積層チップインダ
クタにあっては、内部引き出し導体部が積層体の隅角部
に沿って設けられていることで、積層体の内部にあまり
邪魔にならないように形成することができる。
クタにあっては、内部引き出し導体部が積層体の隅角部
に沿って設けられていることで、積層体の内部にあまり
邪魔にならないように形成することができる。
【0048】また、請求項4に記載の積層チップインダ
クタにあっては、外部電極端子が積層体の実装面にのみ
設けられ、当該実装面以外の他の周側面及び積層体の端
面には設けられていないことで、外部電極端子と積層体
内部のコイルとの間に発生する浮遊容量を可及的に低減
することができ、これにより共振周波数が高められ、高
性能化が図れる。
クタにあっては、外部電極端子が積層体の実装面にのみ
設けられ、当該実装面以外の他の周側面及び積層体の端
面には設けられていないことで、外部電極端子と積層体
内部のコイルとの間に発生する浮遊容量を可及的に低減
することができ、これにより共振周波数が高められ、高
性能化が図れる。
【0049】また、請求項5に記載の積層チップインダ
クタの製造方法にあっては、本発明に係る積層チップイ
ンダクタを簡単にかつ効率よく製造することができ、こ
のため、大幅なコストアップを招かずに済む。
クタの製造方法にあっては、本発明に係る積層チップイ
ンダクタを簡単にかつ効率よく製造することができ、こ
のため、大幅なコストアップを招かずに済む。
【図1】本発明に係る積層チップインダクタの一実施形
態の内部導体構造を示した内部透視斜視図である。
態の内部導体構造を示した内部透視斜視図である。
【図2】図1に示す積層チップインダクタの内部導体構
造を示した断面図である。
造を示した断面図である。
【図3】本発明に係る積層チップインダクタの製造方法
の手順を説明する説明図である。
の手順を説明する説明図である。
【図4】本発明に係る他の積層チップインダクタの製造
方法の手順を説明する説明図である。
方法の手順を説明する説明図である。
【図5】代表的な積層チップインダクタの一例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図6】従来の積層チップインダクタの外観及び内部導
体構造を示した斜視図である。
体構造を示した斜視図である。
4 積層体
4a 実装面
5 導体パターン
6 コイル
8 外部電極端子
20 積層チップインダクタ
22 内部引き出し導体部
24 帯状パターン
32 外部電極端子パターン
34,35 セラミックパターン
38,40,42,44 コイルパターン
Claims (5)
- 【請求項1】 電気絶縁層と導体パターンとを交互に積
層して形成される積層体の内部に前記導体パターンから
なる複数のコイルパターンの各端部を積層方向に沿って
順次接続して形成された螺旋状のコイルと、前記積層体
の外表面部に設けられた一対の外部電極端子と、前記外
部電極端子と前記コイルの各端部とをそれぞれ結んで前
記積層体の内部に設けられた一対の内部引き出し導体部
とを備えた積層チップインダクタにおいて、 前記積層体内部に前記導体パターンからなる複数の帯状
パターンを前記電気絶縁層を介して積層し、これら各帯
状パターンの端部を相互に接続することで前記内部引き
出し導体部を形成したことを特徴とする積層チップイン
ダクタ。 - 【請求項2】 前記帯状パターンの端部が交互に接続さ
れて前記内部引き出し導体部が上下方向にジグザク状に
形成されていることを特徴とする請求項1に記載の積層
チップインダクタ。 - 【請求項3】 前記内部引き出し導体部が前記積層体の
隅角部に沿って設けられていることを特徴とする請求項
1または2に記載の積層チップインダクタ。 - 【請求項4】 前記外部電極端子が前記積層体の実装面
にのみ設けられ、当該実装面以外の他の周側面及び前記
積層体の端面には設けられていないことを特徴とする請
求項1〜3のいずれか1項に記載の積層チップインダク
タ。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の積
層チップインダクタを製造する方法であって、 前記外部電極端子を形成するための一対の外部電極端子
パターンを形成し、それら各外部電極端子パターンの上
にその一部を覆って第1電気絶縁層を施し、当該第1電
気絶縁層と前記各外部電極端子パターンの上に両者に跨
ってそれぞれ前記導体パターンからなる帯状パターンを
施し、前記外部電極端子パターンの露出部を覆って第2
電気絶縁層を施して積層基板を形成する第1製造プロセ
スと、 前記積層基板の上面に対し、当該上面に露出した前記帯
状パターンの露出端部にその一端部を接続して帯状パタ
ーンを施す工程と、前記帯状パターンの未接続側端部を
除く部分を覆って第3電気絶縁層を施す工程とにより、
前記引き出し導体部を内部に備えた前記積層体の下層部
を形成する第2製造プロセスと、 前記下層部の上面に対し、当該上面に露出した前記各帯
状パターンの露出端部の一方に前記コイルパターンを螺
旋状に接続して施すとともに、他方の前記露出端部に新
たな帯状パターンを継足し接続して施す工程と、前記コ
イルパターンの終端部及び前記帯状パターンの未接続側
端部を除く部分を覆って新たな電気絶縁層を施す工程と
を繰り返して、前記引き出し導体部及び前記コイルを内
部に備えた前記積層体の中層部を形成する第3製造プロ
セスと、 前記中層部の上面に対し、当該上面に露出した前記コイ
ルパターンの終端部と前記帯状パターンの端部とを接続
する導体パターンを施した後、その上面全体を覆って1
層または複数層の電気絶縁層を形成して前記積層体の上
層部を形成する第4製造プロセスとからなることを特徴
とする積層チップインダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001296137A JP2003100517A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層チップインダクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001296137A JP2003100517A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層チップインダクタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100517A true JP2003100517A (ja) | 2003-04-04 |
Family
ID=19117433
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001296137A Pending JP2003100517A (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 積層チップインダクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100517A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012017857A1 (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 株式会社フジクラ | 電子回路チップ、及び電子回路チップの製造方法 |
| CN113628856A (zh) * | 2020-05-08 | 2021-11-09 | 新光电气工业株式会社 | 线圈结构体及其制造方法、引线框架、电感器 |
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2001
- 2001-09-27 JP JP2001296137A patent/JP2003100517A/ja active Pending
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