JP2003100847A - 半導体製造装置、ウェーハ処理方法 - Google Patents
半導体製造装置、ウェーハ処理方法Info
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Abstract
を有するウェーハの処理法を提供する。 【解決手段】 ウェーハを収納するカセットと処理時に
ウェーハを支持するボートとの間でウェーハを移載し、
前記ボートに支持されたウェーハを反応室内で処理する
装置に於いて、回転、昇降可能な回転台の上方にウェー
ハ移載用のプレートを鉛直方向に所要枚数具備し、該プ
レートが前記回転台上で進退可能に設けられ、前記所要
枚数の支持プレートがウェーハを一度に一枚ずつ移載す
る枚葉移載用の枚葉移載用プレート38と該枚葉移載用
プレート39,40,41,42と共に一度に複数枚の
ウェーハを移載する複数枚のプレートから成るウェーハ
移載機により前記カセットと前記ボート間でウェーハを
移載し、ウェーハ移載に於いては前記枚葉移載用プレー
トを基準に他のプレートを鉛直方向に支持プレート間の
ピッチを可変させて移載する。
Description
置等の半導体製造装置及びウェーハの処理方法に関する
ものである。
D処理がある。これは所要枚数のシリコンのウェーハを
CVD装置内で加熱し、化学気相堆積(CVD)させる
ものであるが、CVD処理の均質化を図る為、製品用ウ
ェーハを挾む様に列の両端部には各複数枚のダミーウェ
ーハが配列されており、更に製品用ウェーハの途中、所
要の間隔で検査用のモニタウェーハが各1枚配列されて
いる。これを図3により略述する。
て支持される様になっており、拡散炉で前記ウェーハ1
をCVD処理する場合は、先ず、前記ボート2に前記ウ
ェーハ1が所要の配列となる様挿入し、該ウェーハ1が
挿入されたボート2を拡散炉内に装入する。一般には拡
散炉内は全域に亘って均一な温度分布にはなってなく、
従って該ボート2には処理すべきウェーハ数に対し充分
余裕のある数(例えばウェーハの処理枚数の1.5倍の
数)だけのウェーハ収納スペースを備えており、前記ウ
ェーハ1を処理する場合は温度分布の均一な箇所に対応
させ、或はウェーハの枚数に応じて前記ボート2のウェ
ーハ収納位置を選定する様になっている。
部にはそれぞれ適宜数のダミーウェーハ1bからなるダ
ミーウェーハ群3,4が収納され、モニタウェーハ1c
を挾んで所定枚数の製品用ウェーハ1aからなる製品用
ウェーハ群5が収納され、更に前記モニタウェーハ1c
を挾んで順次前記製品用ウェーハ群5が収納されてい
る。最下部の該製品用ウェーハ群5と前記ダミーウェー
ハ群4との間には前記モニタウェーハ1cが挿入されて
いる。ウェーハ移載装置はカセットに装填されたウェー
ハを前記ボートへ移載し、又処理後のウェーハを空のカ
セットへ装填する一連の作業を行うものである。従来の
ウェーハ移載装置について図4に於いて説明する。
移送する方式)のウェーハ移載装置を示しており、ハン
ドリングユニット6の周囲には前記ウェーハ1が装填さ
れたカセット7が同一円周上に所要数配置され、又前記
ハンドリングユニット6に隣接して移載用エレベータ
8、ロード・アンロードエレベータ9が設けられ、前記
移載用エレベータ8のボート受台10は前記円周を含む
円筒面の母線に沿って昇降する様になっており、前記ロ
ード・アンロードエレベータ9のボート受台11の上方
には縦型拡散炉12が設けられている。又、移載用エレ
ベータ8とロード・アンロードエレベータ9との間には
ボート2の移替えを行う移替えユニット13が設けられ
ている。
中心を中心に回転し且つ昇降する回転アーム14と該回
転アーム14に沿って半径方向に進退するウェーハ吸着
チャック15を備え、前記カセット7に装填されたウェ
ーハ1を一枚ずつ吸着して取出し、前記移載用エレベー
タ8に乗置されたボート2に上側から順次移載してい
く。前記移載用エレベータ8は前記ウェーハ1の移載の
進行に追従して、一段ずつ下降する。
前記移替えユニット13によって前記移載用エレベータ
8から前記ロード・アンロードエレベータ9へ移替えら
れ、該ロード・アンロードエレベータ9は前記ボート2
を前記拡散炉12内へ装入する。
記拡散炉12より取出され、更に前記移替えユニット1
3により前記移載用エレベータ8に移替えられ、前記ハ
ンドリングユニット6により上記と逆の手順で前記カセ
ット7へ装填される。
が、図5に示す様に一括式のものもある。
25組の吸着プレート16を備え、カセット7に装填さ
れている25枚のウェーハ1を全部一括してチャッキン
グしボート2へ移載を行うものである。
枚葉方式の移載装置、一括方式の移載装置には以下に述
べる様な不具合がある。
配列、上段、下段のダミーウェーハの枚数を各何枚にす
るか、あるいはモニタウェーハを製品用ウェーハの何枚
目毎に且つ何枚設けるかは処理を行う条件、或は顧客の
処理仕様によって異なる。前者の枚葉方式はウェーハを
一枚ずつ移載していくので、ウェーハの如何なる配列に
も対応できる。然し、動作回数が著しく多く、その為移
載時間が長くなり、効率が悪い。又、動作回数が多いと
いうことは発塵の可能性が確率的に増大し、製品品質に
悪影響を与える。
短く、極めて能率的であるという利点はあるが、25枚
一括で処理している為、ウェーハ移載時にウェーハの配
列を整えることはできない。従って、カセットにウェー
ハを装填する際に所定の配列となる様、ダミーウェー
ハ、モニタウェーハ、製品用ウェーハを混在させる様に
している。カセットへのウェーハの装填作業は手作業で
あり、種類の異なるウェーハを所定の配列となる様装填
する作業は非常に煩雑であり、能率も悪く、又誤挿入も
避けられないのが現状であった。
置に於いて枚葉移載方式の長所と一括移載方式の長所と
を充分に発揮させ得るウェーハの処理方法及び半導体製
造装置を提供しようとするものである。
納するカセットと処理時にウェーハを支持するボートと
の間でウェーハを移載し、前記ボートに支持されたウェ
ーハを反応室内で処理する半導体製造装置において、回
転・昇降可能な回転台の上方にウェーハ移載用のプレー
トを鉛直方向に順に且つ各プレートの水平方向の先端面
位置を揃えた状態で所要枚数具備し、該プレートが前記
回転台上で進退可能に設けられ、前記所要枚数のプレー
トが、ウェーハを一度に一枚づつ移載する枚葉移載用プ
レートと、該枚葉移載用プレートと共に一度に複数枚の
ウェーハを移載する複数枚のプレートから成り、ウェー
ハを一度に一枚づつ移載する際は、前記枚葉移載用プレ
ートが前記複数枚のプレートと並んだ位置から飛び出す
ことを特徴とする半導体製造装置を開示する。
移載する際は、前記枚葉移載用プレートのウェーハ載置
部の長さ分だけ前記他のプレートの先端面位置から飛び
出している半導体製造装置を開示する。
把持部と、前記枚葉移載用プレートを進退させる進退機
構とを有し、前記進退機構は前記把持部に設けられてい
る半導体製造装置を開示する。
トと処理時にウェーハを支持するボートとの間でウェー
ハを移載し、前記ボートに支持されたウェーハを反応室
内で処理するウェーハ処理方法において、回転・昇降可
能な回転台の上方にウェーハ移載用のプレートを鉛直方
向に順に且つ各プレートの水平方向の先端面位置を揃え
た状態で所要枚数具備し、該プレートが前記回転台上で
進退可能に設けられ、前記所要枚数のプレートが、ウェ
ーハを一度に一枚づつ移載する枚葉移載用プレートと、
該枚葉移載用プレートと共に一度に複数枚のウェーハを
移載する複数枚のプレートから成り、ウェーハを一度に
一枚づつ移載する際は、前記枚葉移載用プレートが前記
複数枚のプレートと並んだ位置から飛び出すことを特徴
とするウェーハ処理方法を開示する。
実施の形態を説明する。
ェーハ移載装置の、特にウェーハ把持部18を示してお
り、該ウェーハ把持部18は回転台、例えば図4、図5
で示す回転アーム14に半径方向に進退可能に設けられ
るものである。
すると共に図示しない支柱を介して上基板21を固着す
る。
し、該ガイドブロック22に左右各1対のスライダ2
3,24,25,26を摺動自在に取付ける。該スライ
ダ23,24,25,26は前記上基板21に回転自在
に設けたスクリューロッド27,28にそれぞれ螺合
し、該スクリューロッド27,28の上端には被動ギア
29,30を嵌着する。
モータ31を取付け、該ピッチ変更モータ31の出力軸
に嵌着した駆動ギア32を前記両被動ギア29,30に
噛合させる。
それぞれ逆L字状のプレートホルダ34,35,36,
37を固着し、該プレートホルダ34,35,36,3
7の先端にウェーハ支持プレート39,40,41,4
2を取付ける。各ウェーハ支持プレート38,39,4
0,41,42の上面にはウェーハを載置可能な凹部4
3が形成されている。又、前記プレートホルダ34,3
5,36,37は、前記ウェーハ支持プレート39,4
0,41,42を上下方向に適当な間隔をもって支持し
得る形状となっており、且つ前記プレートホルダ34,
35,36,37が固着されているスライダ23,2
4,25,26と前記スクリューロッド27,28との
螺合関係は、下から2段目の支持プレート39を支持す
るプレートホルダ34が固着されているスライダ23が
螺合している螺子ピッチに対して、下から3段目の支持
プレート40を支持するプレートホルダ35が固着され
ているスライダ24が螺合している部分の螺子ピッチは
2倍、同様に4段目のスライダ25の螺子ピッチは3
倍、5段目のスライダ26の螺子ピッチは4倍となって
おり、前記ピッチ変更モータ31を駆動した場合、前記
スクリューロッド27,28を介して前記スライダ2
3,24,25,26が、各ウェーハ支持プレート3
8,39,40,41,42間のピッチが等しいという
関係を保持して、ピッチの拡大、縮小を行い得る様にな
っている。
ト)38は進退機構44に取付けられたプレートホルダ
33に固着され、上下方向の変位がなく、前進、後退さ
れる様になっている。
46を枢着し、該平行揺動リンク45,46にそれぞれ
遊動平行リンク47,48の中途部を枢着する。該遊動
平行リンク47,48の上端を前記1段目のプレートホ
ルダ33に枢着し、前記遊動平行リンク47,48の下
端は滑動子49に枢着する。該滑動子49はガイド50
を介して前記垂直基板20に摺動自在に設ける。
回転半径と遊動平行リンク47,48の前記プレートホ
ルダ33の枢着点についての回転半径を等しくし、両平
行リンク45,46、47,48の回転動により上下方
向の変位が相殺される様にする。
ウェーハ支持プレート38が取付けてある。
着された枢軸51は前記垂直基板20を貫通して突出し
ており、この突出端にプーリ52を固着する。前記垂直
基板20の反平行揺動リンク側にモータ支持金具53を
介して進退モータ54を固着し、該進退モータ54の出
力軸には駆動プーリ55を嵌着し、該駆動プーリ55と
前記プーリ52とをタイミングベルト56で連結する。
枚葉ウェーハ支持プレート38を前進、後退させること
ができ、又該枚葉ウェーハ支持プレート38の前進量
は、前記上側のウェーハ支持プレート39,40,4
1,42より完全に突出するものとする。
47,48の行程端を検出するセンサ、59,60は該
センサ47,48を作動させる為の検知片である。
40,41,42で一度にウェーハを支持して移載する
場合は、該ウェーハ支持プレート38,39,40,4
1,42を図2中、実線の位置とする。
数処理を行う場合は、前記進退モータ54を駆動し、駆
動プーリ55、タイミングベルト56、プーリ52を介
して前記平行揺動リンク45,46を図2中時計方向に
揺動させる。該平行揺動リンク45,46の揺動によ
り、前記遊動平行リンク47,48は下方へ下りなが
ら、反時計運動の回動をして、プレートホルダ33を送
出す。前記センサ57が遊動平行リンク47,48の行
程端を検出したところで進退モータ54が停止される。
ト38のみがウェーハを移載できる状態となり(図2中
二点鎖線で示す)、ウェーハを1枚ずつ移載することが
可能となる。
同時に移載する場合には、前記進退モータ54を逆転駆
動し、最下段の枚葉ウェーハ支持プレート38を後退さ
せ図2中実線の位置に戻す。
納時のウェーハ間のピッチが異なるが、この場合前記ウ
ェーハ支持プレート38,39,40,41,42のピ
ッチ調整を行う。
ギア32、被動ギア29,30を介し、前記スクリュー
ロッド27,28を回転する。該スクリューロッド2
7,28の回転により、プレートホルダが固着されてい
る前記スライダ23,24,25,26が移動する。該
スライダ23,24,25,26が螺合している部分
は、前記した様に螺子ピッチが等倍で変化しているの
で、最下段の枚葉ウェーハ支持プレート38を基準に上
側のウェーハ支持プレート39,40,41,42が等
間隔の関係を維持して移動し、ピッチ調整がなされる。
納されるウェーハの枚数が25枚であることを考慮し、
支持プレートの枚数を“25”の約数である“5”とし
たが、支持プレートの枚数を25枚としてもよい。
で行なうプレートとする等、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々変更を加え得ることは勿論である。
ハを複数枚一括で移送すること及び1枚ずつ移送するこ
とが適宜選択して行え、ウェーハの移送を能率よく行え
ると共にウェーハの任意の配列に対応することができ、
又ウェーハの収納ピッチが変更された場合にでも容易に
対応できるという優れた効果を発揮する。
斜視図である。
る。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 ウェーハを収納するカセットと処理時に
ウェーハを支持するボートとの間でウェーハを移載し、
前記ボートに支持されたウェーハを反応室内で処理する
半導体製造装置において、 回転・昇降可能な回転台の上方にウェーハ移載用のプレ
ートを鉛直方向に順に且つ各プレートの水平方向の先端
面位置を揃えた状態で所要枚数具備し、 該プレートが前記回転台上で進退可能に設けられ、 前記所要枚数のプレートが、ウェーハを一度に一枚づつ
移載する枚葉移載用プレートと、該枚葉移載用プレート
と共に一度に複数枚のウェーハを移載する複数枚のプレ
ートから成り、 ウェーハを一度に一枚づつ移載する際は、前記枚葉移載
用プレートが前記複数枚のプレートと並んだ位置から飛
び出すことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 ウェーハを一度に一枚づつ移載する際
は、前記枚葉移載用プレートのウェーハ載置部の長さ分
だけ前記他のプレートの先端面位置から飛び出している
請求項1の半導体製造装置。 - 【請求項3】 前記他のプレートを進退させる把持部
と、前記枚葉移載用プレートを進退させる進退機構とを
有し、前記進退機構は前記把持部に設けられている請求
項1の半導体製造装置。 - 【請求項4】 ウェーハを収納するカセットと処理時に
ウェーハを支持するボートとの間でウェーハを移載し、
前記ボートに支持されたウェーハを反応室内で処理する
ウェーハ処理方法において、 回転・昇降可能な回転台の上方にウェーハ移載用のプレ
ートを鉛直方向に順に且つ各プレートの水平方向の先端
面位置を揃えた状態で所要枚数具備し、 該プレートが前記回転台上で進退可能に設けられ、 前記所要枚数のプレートが、ウェーハを一度に一枚づつ
移載する枚葉移載用プレートと、該枚葉移載用プレート
と共に一度に複数枚のウェーハを移載する複数枚のプレ
ートから成り、 ウェーハを一度に一枚づつ移載する際は、前記枚葉移載
用プレートが前記複数枚のプレートと並んだ位置から飛
び出すことを特徴とするウェーハ処理方法。
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|---|---|---|---|
| JP2002219530A JP3618328B2 (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体製造装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002219530A JP3618328B2 (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体製造装置及び方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000106182A Division JP3361085B2 (ja) | 1990-08-27 | 2000-04-07 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
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| JP2004240775A Division JP3730651B2 (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | 半導体製造装置及び方法 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JP3618328B2 JP3618328B2 (ja) | 2005-02-09 |
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| JP (1) | JP3618328B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969262A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-03-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片倒片装置 |
-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002219530A patent/JP3618328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969262A (zh) * | 2012-12-07 | 2013-03-13 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片倒片装置 |
| CN102969262B (zh) * | 2012-12-07 | 2017-03-01 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片倒片装置 |
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|---|---|
| JP3618328B2 (ja) | 2005-02-09 |
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