JP2003115403A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、生産の容易性，実装性の向上，特
性の向上の少なくとも一つが実現可能な電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基台１にインダクタンス，抵抗，キャパ
シタの少なくとも一つの機能を有する素子部３を形成
し、基台１の少なくとも側面上にレジスト膜４を形成
し、レジスト膜４をパターニングして不要部分を除去
し、除去した部分に保護材５を形成し、レジスト膜４の
残留部分を除去した。
性の向上の少なくとも一つが実現可能な電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基台１にインダクタンス，抵抗，キャパ
シタの少なくとも一つの機能を有する素子部３を形成
し、基台１の少なくとも側面上にレジスト膜４を形成
し、レジスト膜４をパターニングして不要部分を除去
し、除去した部分に保護材５を形成し、レジスト膜４の
残留部分を除去した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品の製造方法に関するものである。
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れる電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型の電子部品として、積層型電子
部品や、基台等の表面に導電膜等をメッキで形成し、そ
の導電膜などに加工を施して素子部を形成し、その素子
部を覆うように保護材を設ける電子部品等が挙げられ
る。
部品や、基台等の表面に導電膜等をメッキで形成し、そ
の導電膜などに加工を施して素子部を形成し、その素子
部を覆うように保護材を設ける電子部品等が挙げられ
る。
【０００３】特に後者の場合、保護材を設ける場合には
絶縁性ペーストなどを塗布して形成されている。比較的
サイズの大きな電子部品の場合上述の通り、ペーストを
塗布する方法で保護材を形成しても、あまり問題はなか
ったが、近年１００５サイズ，０６０３サイズの電子部
品が登場してきており、将来では０４０２サイズの電子
部品などが考えられている。
絶縁性ペーストなどを塗布して形成されている。比較的
サイズの大きな電子部品の場合上述の通り、ペーストを
塗布する方法で保護材を形成しても、あまり問題はなか
ったが、近年１００５サイズ，０６０３サイズの電子部
品が登場してきており、将来では０４０２サイズの電子
部品などが考えられている。
【０００４】この様に電子部品の小型化に伴って、上述
の通りペーストなどで保護材を形成すると、保護材が丸
く形成され、素子立ち現象などが顕著に発生するという
問題点が生じてきており、しかも塗布精度が悪いため
に、電子部品の両端に形成される端子電極の形状にバラ
ツキが生じ、電子部品の特性に悪影響を与えている。
の通りペーストなどで保護材を形成すると、保護材が丸
く形成され、素子立ち現象などが顕著に発生するという
問題点が生じてきており、しかも塗布精度が悪いため
に、電子部品の両端に形成される端子電極の形状にバラ
ツキが生じ、電子部品の特性に悪影響を与えている。
【０００５】そこで、特開平１１−３８２０号公報等に
示されている通り、保護材を電着法を用いて形成するこ
となどが提案されている。
示されている通り、保護材を電着法を用いて形成するこ
となどが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
後方の様に、単に電子部品の保護材を電着膜で形成する
と、電着膜は素子のあらゆる部分に付着してしまうの
で、端子電極を形成する際に、素子の両端部に付着した
電着膜を取り除いたりしなければならず、非常に手間を
要しており、生産性が向上しなかった。また、電着膜を
取り除く際に、基台上に設けられた導電膜などに損傷を
与え、特性の劣化が生じたり、その結果として特性にバ
ラツキを生じることがあった。更に、上述の先行例に記
載されているように、素子の両端部を治具などで覆い、
電着膜が素子の両端に付着しないような工程を採用して
も、素子と治具との隙間から電着液が進入し素子両端部
に電着膜が付着してしまい、素子の両端に端子電極を形
成しにくい等の問題点があった。
後方の様に、単に電子部品の保護材を電着膜で形成する
と、電着膜は素子のあらゆる部分に付着してしまうの
で、端子電極を形成する際に、素子の両端部に付着した
電着膜を取り除いたりしなければならず、非常に手間を
要しており、生産性が向上しなかった。また、電着膜を
取り除く際に、基台上に設けられた導電膜などに損傷を
与え、特性の劣化が生じたり、その結果として特性にバ
ラツキを生じることがあった。更に、上述の先行例に記
載されているように、素子の両端部を治具などで覆い、
電着膜が素子の両端に付着しないような工程を採用して
も、素子と治具との隙間から電着液が進入し素子両端部
に電着膜が付着してしまい、素子の両端に端子電極を形
成しにくい等の問題点があった。
【０００７】更に、保護材をペースト塗布で形成したり
電着膜で形成する場合に、保護材の端部には凹凸が形成
され、端子電極の素子中心側端部が凹凸形状となり、実
装性や特性に影響を与えていた。
電着膜で形成する場合に、保護材の端部には凹凸が形成
され、端子電極の素子中心側端部が凹凸形状となり、実
装性や特性に影響を与えていた。
【０００８】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、生産の容易性，実装性の向上，特性の向上の少なく
とも一つが実現可能な電子部品の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、生産の容易性，実装性の向上，特性の向上の少なく
とも一つが実現可能な電子部品の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基台にインダ
クタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を
有する素子部を形成し、基台の少なくとも側面上にレジ
スト膜を形成し、レジスト膜をパターニングして不要部
分を除去し、除去した部分に保護材を形成し、レジスト
膜の残留部分を除去した。
クタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を
有する素子部を形成し、基台の少なくとも側面上にレジ
スト膜を形成し、レジスト膜をパターニングして不要部
分を除去し、除去した部分に保護材を形成し、レジスト
膜の残留部分を除去した。
【００１０】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基台にイ
ンダクタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機
能を有する素子部を形成し、前記基台の少なくとも側面
上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニン
グして不要部分を除去し、前記除去した部分に保護材を
形成し、前記レジスト膜の残留部分を除去したことを特
徴とする電子部品の製造方法とすることで、レジスト膜
を用いて保護材を形成することで、保護材の特に端部を
精度良く形成できるので、端子部となる部分の寸法精度
を向上させることができ、端子部のサイズの違いによる
素子立ち現象などを防止でき、実装性を高めることがで
き、保護材が必要部分に付着することを防止できるの
で、作業性が良く生産性が向上する。
ンダクタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機
能を有する素子部を形成し、前記基台の少なくとも側面
上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニン
グして不要部分を除去し、前記除去した部分に保護材を
形成し、前記レジスト膜の残留部分を除去したことを特
徴とする電子部品の製造方法とすることで、レジスト膜
を用いて保護材を形成することで、保護材の特に端部を
精度良く形成できるので、端子部となる部分の寸法精度
を向上させることができ、端子部のサイズの違いによる
素子立ち現象などを防止でき、実装性を高めることがで
き、保護材が必要部分に付着することを防止できるの
で、作業性が良く生産性が向上する。
【００１１】請求項２記載の発明は、レジスト膜の残留
した部分を除去した後に素子部と電気的に接続した端子
電極を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子部品
の製造方法とすることで、回路基板などとの接合性を良
好に行うことができる。
した部分を除去した後に素子部と電気的に接続した端子
電極を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子部品
の製造方法とすることで、回路基板などとの接合性を良
好に行うことができる。
【００１２】請求項３記載の発明は、素子部を形成する
際に基台表面上に形成膜を形成した後にトリミングにて
溝を設けたり、或いはパターン形成にて構成したことを
特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法とするこ
とで、容易に素子部を形成することができる。
際に基台表面上に形成膜を形成した後にトリミングにて
溝を設けたり、或いはパターン形成にて構成したことを
特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法とするこ
とで、容易に素子部を形成することができる。
【００１３】請求項４記載の発明は、レジスト膜を電着
法にて形成した請求項１記載の電子部品の製造方法とす
ることで、薄くしかも基台の形状に沿ってレジスト膜を
作製できるので、精度良いレジスト膜を容易に形成で
き、しかも一度に大量の処理を行うことができる。
法にて形成した請求項１記載の電子部品の製造方法とす
ることで、薄くしかも基台の形状に沿ってレジスト膜を
作製できるので、精度良いレジスト膜を容易に形成で
き、しかも一度に大量の処理を行うことができる。
【００１４】請求項５記載の発明は、レジスト膜をエネ
ルギー線崩壊樹脂にて形成し、レジスト膜を不要部分に
エネルギー線を照射し、現像して不要部分を取り除くこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法とす
ることで、不要部分に紫外線などの電磁波を照射して現
像するだけでパターニングできるので、非常に精度良く
パターニングでき、しかも生産性が飛躍的に向上する。
ルギー線崩壊樹脂にて形成し、レジスト膜を不要部分に
エネルギー線を照射し、現像して不要部分を取り除くこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法とす
ることで、不要部分に紫外線などの電磁波を照射して現
像するだけでパターニングできるので、非常に精度良く
パターニングでき、しかも生産性が飛躍的に向上する。
【００１５】請求項６記載の発明は、保護材を電着法に
て形成したことを特徴とする請求項１記載の電子部品の
製造方法とすることで、薄く均一に保護材を形成でき、
しかも一括して大量の処理を行うことができ、しかも熱
処理温度を調整することで、程度の硬度を有する保護材
を容易に形成できる。
て形成したことを特徴とする請求項１記載の電子部品の
製造方法とすることで、薄く均一に保護材を形成でき、
しかも一括して大量の処理を行うことができ、しかも熱
処理温度を調整することで、程度の硬度を有する保護材
を容易に形成できる。
【００１６】請求項７記載の発明は、柱状の基台の少な
くとも全側面に連続した形成膜を形成し、前記基台の側
面上に形成された形成膜にトリミングやパターニングに
て素子部を形成し、前記基台の少なくと全側面上に前記
素子部を覆うようにレジスト膜を形成し、前記レジスト
膜の基台両端部を残して他の部分を除去して前記素子部
を表出させ、前記表出した素子部上に保護材を形成し、
前記レジストの残留部分を除去し、前記基台両端部に形
成された形成膜を表出させたことを特徴とする電子部品
の製造方法とすることで、レジスト膜を用いて保護材を
形成することで、保護材の特に端部を精度良く形成でき
るので、端子部となる部分の寸法精度を向上させること
ができ、端子部のサイズの違いによる素子立ち現象など
を防止でき、実装性を高めることができ、保護材が必要
部分に付着することを防止できるので、作業性が良く生
産性が向上する。しかも柱状（好ましくは略四角柱状）
の基台として、基台の側面全周に渡って素子部を形成で
きるので、あらゆる素子部の形態を取ることが可能とな
り、幅広い電子部品に対応できる。
くとも全側面に連続した形成膜を形成し、前記基台の側
面上に形成された形成膜にトリミングやパターニングに
て素子部を形成し、前記基台の少なくと全側面上に前記
素子部を覆うようにレジスト膜を形成し、前記レジスト
膜の基台両端部を残して他の部分を除去して前記素子部
を表出させ、前記表出した素子部上に保護材を形成し、
前記レジストの残留部分を除去し、前記基台両端部に形
成された形成膜を表出させたことを特徴とする電子部品
の製造方法とすることで、レジスト膜を用いて保護材を
形成することで、保護材の特に端部を精度良く形成でき
るので、端子部となる部分の寸法精度を向上させること
ができ、端子部のサイズの違いによる素子立ち現象など
を防止でき、実装性を高めることができ、保護材が必要
部分に付着することを防止できるので、作業性が良く生
産性が向上する。しかも柱状（好ましくは略四角柱状）
の基台として、基台の側面全周に渡って素子部を形成で
きるので、あらゆる素子部の形態を取ることが可能とな
り、幅広い電子部品に対応できる。
【００１７】請求項８記載の発明は、レジスト膜及び保
護材を電着法で形成したことを特徴とする請求項７記載
の電子部品の製造方法とすることで、不要部分に紫外線
などの電磁波を照射して現像するだけでパターニングで
きるので、非常に精度良くパターニングでき、しかも生
産性が飛躍的に向上する。また、薄く均一に保護材を形
成でき、しかも一括して大量の処理を行うことができ、
しかも熱処理温度を調整することで、程度の硬度を有す
る保護材を容易に形成できる。
護材を電着法で形成したことを特徴とする請求項７記載
の電子部品の製造方法とすることで、不要部分に紫外線
などの電磁波を照射して現像するだけでパターニングで
きるので、非常に精度良くパターニングでき、しかも生
産性が飛躍的に向上する。また、薄く均一に保護材を形
成でき、しかも一括して大量の処理を行うことができ、
しかも熱処理温度を調整することで、程度の硬度を有す
る保護材を容易に形成できる。
【００１８】請求項９記載の発明は、レジスト膜をエネ
ルギー線崩壊樹脂で構成し、前記レジスト膜の除去を電
磁波を照射して現像することを特徴とする請求項７記載
の電子部品の製造方法とすることで、不要部分に紫外線
などの電磁波を照射して現像するだけでパターニングで
きるので、非常に精度良くパターニングでき、しかも生
産性が飛躍的に向上する。
ルギー線崩壊樹脂で構成し、前記レジスト膜の除去を電
磁波を照射して現像することを特徴とする請求項７記載
の電子部品の製造方法とすることで、不要部分に紫外線
などの電磁波を照射して現像するだけでパターニングで
きるので、非常に精度良くパターニングでき、しかも生
産性が飛躍的に向上する。
【００１９】以下、本発明における電子部品及び製造方
法の実施の形態について具体的に説明する。
法の実施の形態について具体的に説明する。
【００２０】なお、本実施の形態で示す電子部品とは、
基台表面に素子部を形成するチップインダクタ，チップ
抵抗器，チップコンデンサ，チップアンテナ，チップ電
流ヒューズ等を表している。
基台表面に素子部を形成するチップインダクタ，チップ
抵抗器，チップコンデンサ，チップアンテナ，チップ電
流ヒューズ等を表している。
【００２１】先ず、図１，図２に示すように柱状の基台
１を粉体成型，押し出し法等を用いて形成する。基台１
はアルミナ等のセラミック材料或いは樹脂材料などの絶
縁材料やフェライトなどの磁性材料などで構成されてい
る。基台１の形状としては板状体，柱状体が好適に用い
られ、具体的には、図示している四角柱状体，五角柱状
体等の多角柱状体や円柱状体等が用いられる。実装性な
どを考慮すると、基台１の形状は多角柱状体であること
が好ましく、特に好ましいのは構成が簡単な図示してい
る四角柱状体である。
１を粉体成型，押し出し法等を用いて形成する。基台１
はアルミナ等のセラミック材料或いは樹脂材料などの絶
縁材料やフェライトなどの磁性材料などで構成されてい
る。基台１の形状としては板状体，柱状体が好適に用い
られ、具体的には、図示している四角柱状体，五角柱状
体等の多角柱状体や円柱状体等が用いられる。実装性な
どを考慮すると、基台１の形状は多角柱状体であること
が好ましく、特に好ましいのは構成が簡単な図示してい
る四角柱状体である。
【００２２】また、基台１の形状として多角柱状体を用
いた場合には、角部に面取りを施すことが好ましい。面
取りを施すことで、基台１上に形成する導電膜などが角
部で薄くなったりすることを防止でき、特性劣化を抑制
できる。少なくとも基台１の側面間で構成される角部１
ａにおいて、面取りを施すことが好ましい。なぜならこ
の基台１の側面の一部或いは全周に渡って、インダクタ
ンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの特性を有す
る素子部を形成するからである。
いた場合には、角部に面取りを施すことが好ましい。面
取りを施すことで、基台１上に形成する導電膜などが角
部で薄くなったりすることを防止でき、特性劣化を抑制
できる。少なくとも基台１の側面間で構成される角部１
ａにおいて、面取りを施すことが好ましい。なぜならこ
の基台１の側面の一部或いは全周に渡って、インダクタ
ンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの特性を有す
る素子部を形成するからである。
【００２３】次に、図３，図４に示すように、基台１の
全表面に形成膜２を設ける。形成膜２としては、導電膜
や抵抗膜で構成される。例えば、電子部品としてチップ
インダクタやチップコンデンサの場合には形成膜２は導
電膜で構成され、チップ抵抗器の場合には抵抗膜や薄い
導電膜で構成される。更に、電子部品としてチップアン
テナの場合には形成膜２は導電膜で構成される。更に、
電子部品としてチップ電流ヒューズの場合には抵抗膜や
薄い導電膜で形成膜２は構成される。
全表面に形成膜２を設ける。形成膜２としては、導電膜
や抵抗膜で構成される。例えば、電子部品としてチップ
インダクタやチップコンデンサの場合には形成膜２は導
電膜で構成され、チップ抵抗器の場合には抵抗膜や薄い
導電膜で構成される。更に、電子部品としてチップアン
テナの場合には形成膜２は導電膜で構成される。更に、
電子部品としてチップ電流ヒューズの場合には抵抗膜や
薄い導電膜で形成膜２は構成される。
【００２４】形成膜２の具体的材料としては、金，銀，
銅，炭素，Ｎｉ−Ｃｒ，酸化ルテニウム，ニッケル等の
導電材料や抵抗材料が挙げられる。なお、当然のことな
がら前述の材料単体や前述の材料と他の元素との合金な
ども好適に用いられる。
銅，炭素，Ｎｉ−Ｃｒ，酸化ルテニウム，ニッケル等の
導電材料や抵抗材料が挙げられる。なお、当然のことな
がら前述の材料単体や前述の材料と他の元素との合金な
ども好適に用いられる。
【００２５】形成膜２の製法としては、無電界メッキ
法，電界鍍金法，蒸着法，スパッタリング法，ペースト
を塗布し基台１に焼き付ける方法，印刷法などがある。
法，電界鍍金法，蒸着法，スパッタリング法，ペースト
を塗布し基台１に焼き付ける方法，印刷法などがある。
【００２６】なお、本実施の形態では、形成膜２を基台
１の全面に設けたが、電子部品の種類などによっては、
基台１の側面の全周にのみ設けたり、或いは側面の一部
にのみ設ける構成であればよい。すなわち、少なくとも
側面の一部に形成膜２は上述の材料及び製法で構成され
ている。
１の全面に設けたが、電子部品の種類などによっては、
基台１の側面の全周にのみ設けたり、或いは側面の一部
にのみ設ける構成であればよい。すなわち、少なくとも
側面の一部に形成膜２は上述の材料及び製法で構成され
ている。
【００２７】次に、図５，図６に示すように、基台１の
両端を避けて素子部３を形成する。これは、一般的に基
台の両端部は端子部として用いるためであるが、端子部
を基台１の中央部，一方の端部等に一つ或いは３つ以上
形成する場合には、その端子部となる領域以外の部分に
この素子部３を形成する。
両端を避けて素子部３を形成する。これは、一般的に基
台の両端部は端子部として用いるためであるが、端子部
を基台１の中央部，一方の端部等に一つ或いは３つ以上
形成する場合には、その端子部となる領域以外の部分に
この素子部３を形成する。
【００２８】素子部３の構成は電子部品の種類等によっ
て異なるので、種類別によって、具体的に説明する。
て異なるので、種類別によって、具体的に説明する。
【００２９】まず、電子部品がチップインダクタの場合
には、前述の形成膜２は銅などの導電膜で形成され、し
かも形成膜２は、少なくとも基台１の側面全周に渡って
形成される。レーザー加工や砥石加工などのトリミング
にて、形成膜２或いは形成膜２と基台１の表面部に溝を
形成する。これは、図５，図６に示している。溝は基台
１の側面全周に渡ってヘリカル状に形成され、その結果
ヘリカル状に形成膜２が残ることになる。このヘリカル
状の形成膜２の軸心は基台１の端面１ｂに対して交差す
るように形成される。溝の幅，巻回密度等を調整するこ
とで、インダクタンス値の調整を行うことができる。な
お、チップアンテナも同様の構成で実現でき、チップ抵
抗器も形成膜を抵抗膜に代えれば上述の構成で実現可能
である。なお、本実施の形態では、予め形成膜２を基台
１上に設け、また、チップコンデンサの場合には、上述
のトリミングによって、形成膜２を複数に分割する溝を
設けて素子部３を形成する。
には、前述の形成膜２は銅などの導電膜で形成され、し
かも形成膜２は、少なくとも基台１の側面全周に渡って
形成される。レーザー加工や砥石加工などのトリミング
にて、形成膜２或いは形成膜２と基台１の表面部に溝を
形成する。これは、図５，図６に示している。溝は基台
１の側面全周に渡ってヘリカル状に形成され、その結果
ヘリカル状に形成膜２が残ることになる。このヘリカル
状の形成膜２の軸心は基台１の端面１ｂに対して交差す
るように形成される。溝の幅，巻回密度等を調整するこ
とで、インダクタンス値の調整を行うことができる。な
お、チップアンテナも同様の構成で実現でき、チップ抵
抗器も形成膜を抵抗膜に代えれば上述の構成で実現可能
である。なお、本実施の形態では、予め形成膜２を基台
１上に設け、また、チップコンデンサの場合には、上述
のトリミングによって、形成膜２を複数に分割する溝を
設けて素子部３を形成する。
【００３０】更にチップ電流ヒューズの場合には、上述
のトリミングによって、溝を周回状に設け、しかも溝の
先端部間で形成膜２に狭幅部（溶断部）を設けて素子部
３を形成する。
のトリミングによって、溝を周回状に設け、しかも溝の
先端部間で形成膜２に狭幅部（溶断部）を設けて素子部
３を形成する。
【００３１】また、一つの基台１上にヘリカル状の溝を
形成するとともに、周回状に溝を形成することで、コイ
ルとコンデンサを一体化したＬＣ複合電子部品やＬＲ複
合電子部品などの複合電子部品も構成することができ
る。
形成するとともに、周回状に溝を形成することで、コイ
ルとコンデンサを一体化したＬＣ複合電子部品やＬＲ複
合電子部品などの複合電子部品も構成することができ
る。
【００３２】なお、本実施の形態では、いずれの電子部
品の場合にも、形成膜２にトリミングを施し溝を形成し
て素子部３を形成したが、予めパターン形成で、トリミ
ング等を用いずにヘリカル状の導電膜を形成してチップ
インダクタやチップアンテナを形成したり、ヘリカル状
の抵抗膜を形成してチップ抵抗器を形成しても良い。
品の場合にも、形成膜２にトリミングを施し溝を形成し
て素子部３を形成したが、予めパターン形成で、トリミ
ング等を用いずにヘリカル状の導電膜を形成してチップ
インダクタやチップアンテナを形成したり、ヘリカル状
の抵抗膜を形成してチップ抵抗器を形成しても良い。
【００３３】次に図７，図８に示すように、素子の全体
を覆うようにレジスト膜４を形成する。レジスト膜４と
しては、ポジ型或いはネガ型の双方を用いることができ
る。また、レジスト膜４としては、紫外線硬化樹脂，紫
外線崩壊樹脂，電子線硬化樹脂，電子線崩壊樹脂，可視
光硬化樹脂，可視光崩壊樹脂，Ｘ線硬化樹脂，Ｘ線崩壊
樹脂，放射線硬化樹脂，放射線崩壊樹脂等のエネルギー
線硬化樹脂やエネルギー線崩壊樹脂が好適に用いられ
る。具体的にはエポキシ系樹脂（フェノールノボラック
など）やアクリル系樹脂（ウレタンアクリレートなど）
この様にビームにより硬化或いは崩壊する材料を用いる
ことで、極めて精度良くパターニングすることができ
る。また、レジスト膜４としては、熱硬化型樹脂や熱崩
壊樹脂も使用可能である。具体的材料としてはアクリル
系樹脂，ウレタン樹脂，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メラ
ニン樹脂等がある。
を覆うようにレジスト膜４を形成する。レジスト膜４と
しては、ポジ型或いはネガ型の双方を用いることができ
る。また、レジスト膜４としては、紫外線硬化樹脂，紫
外線崩壊樹脂，電子線硬化樹脂，電子線崩壊樹脂，可視
光硬化樹脂，可視光崩壊樹脂，Ｘ線硬化樹脂，Ｘ線崩壊
樹脂，放射線硬化樹脂，放射線崩壊樹脂等のエネルギー
線硬化樹脂やエネルギー線崩壊樹脂が好適に用いられ
る。具体的にはエポキシ系樹脂（フェノールノボラック
など）やアクリル系樹脂（ウレタンアクリレートなど）
この様にビームにより硬化或いは崩壊する材料を用いる
ことで、極めて精度良くパターニングすることができ
る。また、レジスト膜４としては、熱硬化型樹脂や熱崩
壊樹脂も使用可能である。具体的材料としてはアクリル
系樹脂，ウレタン樹脂，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メラ
ニン樹脂等がある。
【００３４】レジスト膜４と形成方法としては、塗布し
て乾燥させる方法や、電着法によって形成し、乾燥させ
る方法がある。特に電着法による形成法においては、薄
くレジスト膜４が形成でき、しかも素子の角部に形成さ
れるレジスト膜４が丸くならないので特に好ましい。す
なわち、素子の表面に沿ってレジスト膜４が形成されや
すい。この電着法でレジスト膜４を形成する場合には、
その膜厚は３〜３０μｍ（好ましくは５〜２０μｍ）と
することが好ましく、膜厚が３μｍより小さいと、十分
に素子を覆うことができず、後述する保護材が付着して
は行けない部分に付着する可能性があり、しかも３０μ
ｍより厚いと、レジスト膜４が丸みを帯びてしまい精度
良い保護材が形成しにくい。又電着法以外にも静電粉体
紫外線塗装等によって、レジスト膜を形成しても良い。
て乾燥させる方法や、電着法によって形成し、乾燥させ
る方法がある。特に電着法による形成法においては、薄
くレジスト膜４が形成でき、しかも素子の角部に形成さ
れるレジスト膜４が丸くならないので特に好ましい。す
なわち、素子の表面に沿ってレジスト膜４が形成されや
すい。この電着法でレジスト膜４を形成する場合には、
その膜厚は３〜３０μｍ（好ましくは５〜２０μｍ）と
することが好ましく、膜厚が３μｍより小さいと、十分
に素子を覆うことができず、後述する保護材が付着して
は行けない部分に付着する可能性があり、しかも３０μ
ｍより厚いと、レジスト膜４が丸みを帯びてしまい精度
良い保護材が形成しにくい。又電着法以外にも静電粉体
紫外線塗装等によって、レジスト膜を形成しても良い。
【００３５】本実施の形態では、紫外線崩壊樹脂をレジ
スト膜４として用いた場合について説明する。先ず、レ
ジスト膜４を電着法にて素子上に形成し、８０〜１２０
℃の温度で５〜１０分乾燥させる。次に図９に示すＡ領
域にのみ遮蔽板などを介して紫外線を数秒から十数秒照
射する。この時紫外線はＡ領域で示される素子の側面全
周に渡って照射される。このＡ領域には素子部３が対向
している。Ｂ領域は端子部となる部分である。
スト膜４として用いた場合について説明する。先ず、レ
ジスト膜４を電着法にて素子上に形成し、８０〜１２０
℃の温度で５〜１０分乾燥させる。次に図９に示すＡ領
域にのみ遮蔽板などを介して紫外線を数秒から十数秒照
射する。この時紫外線はＡ領域で示される素子の側面全
周に渡って照射される。このＡ領域には素子部３が対向
している。Ｂ領域は端子部となる部分である。
【００３６】次に、素子を現像剤にて現像すると、紫外
線が照射された部分（ほぼＡ領域）のレジスト膜４が除
去され、素子部３が表出し、Ｂ領域のレジスト膜４が素
子の両端部に残る（図１０，図１１参照）。
線が照射された部分（ほぼＡ領域）のレジスト膜４が除
去され、素子部３が表出し、Ｂ領域のレジスト膜４が素
子の両端部に残る（図１０，図１１参照）。
【００３７】また、紫外線硬化樹脂をレジスト膜４とし
て用いる場合には、紫外線をやはり遮蔽板などを用いて
図９に示すＢ領域のみに照射して、現像することでＡ領
域のレジスト膜４を除去し、Ｂ領域のレジスト膜４を残
留させる。
て用いる場合には、紫外線をやはり遮蔽板などを用いて
図９に示すＢ領域のみに照射して、現像することでＡ領
域のレジスト膜４を除去し、Ｂ領域のレジスト膜４を残
留させる。
【００３８】以上の様にＢ領域、すなわち端子部となる
領域に非常に精度良くレジスト膜４を残留させることが
できるので、後述する保護材が端子部を形成しようとす
る部分に付着することを防止でき、しかも保護材の素子
中心側端部の凹凸を極めて小さくすることができる。
領域に非常に精度良くレジスト膜４を残留させることが
できるので、後述する保護材が端子部を形成しようとす
る部分に付着することを防止でき、しかも保護材の素子
中心側端部の凹凸を極めて小さくすることができる。
【００３９】なお、本実施の形態では、レジスト膜４を
素子の全面に形成したが、例えば、電着法などでレジス
ト膜４や後述の保護材を形成する場合には、図１に示す
両端面１ｂに導電性を有する治具部材を当接させて製造
時の搬送等を容易にした場合には、レジスト膜４は実質
的に素子の全側面上にのみ形成される。従って、レジス
ト膜４は少なくとも素子の側面上に形成することが好ま
しい。
素子の全面に形成したが、例えば、電着法などでレジス
ト膜４や後述の保護材を形成する場合には、図１に示す
両端面１ｂに導電性を有する治具部材を当接させて製造
時の搬送等を容易にした場合には、レジスト膜４は実質
的に素子の全側面上にのみ形成される。従って、レジス
ト膜４は少なくとも素子の側面上に形成することが好ま
しい。
【００４０】次に図１２，図１３に示すように電着塗装
によって、電着膜で構成された保護材５を素子部３を覆
うように形成する。この時保護材５はアクリル系樹脂，
エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタン系樹脂，ポリ
イミド系樹脂などの樹脂材料の少なくとも１つで構成さ
れた電着樹脂膜によって構成されている。また、保護材
５を電着膜で構成する場合、カチオン系，アニオン系の
どちらかを選択する場合には、素子の構成材料、電着膜
の構成材料、電子部品の使用用途などを考慮して決定す
ることが好ましい。保護材５は異なる材料で構成された
電着膜を積層して構成しても良いし、同一材料を積層し
てもよい。また、保護材５の膜厚は平均で１０μｍ〜２
５μｍ（好ましくは１２〜２０μｍ）とした方が好まし
い。この保護材５の膜厚は、保護材５の中央部から両端
に向かった保護材５は、ハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。
によって、電着膜で構成された保護材５を素子部３を覆
うように形成する。この時保護材５はアクリル系樹脂，
エポキシ系樹脂，フッ素系樹脂，ウレタン系樹脂，ポリ
イミド系樹脂などの樹脂材料の少なくとも１つで構成さ
れた電着樹脂膜によって構成されている。また、保護材
５を電着膜で構成する場合、カチオン系，アニオン系の
どちらかを選択する場合には、素子の構成材料、電着膜
の構成材料、電子部品の使用用途などを考慮して決定す
ることが好ましい。保護材５は異なる材料で構成された
電着膜を積層して構成しても良いし、同一材料を積層し
てもよい。また、保護材５の膜厚は平均で１０μｍ〜２
５μｍ（好ましくは１２〜２０μｍ）とした方が好まし
い。この保護材５の膜厚は、保護材５の中央部から両端
に向かった保護材５は、ハンダの融点である１８３℃
で、燃焼したり、蒸発しない特性を有するものが好まし
い。
【００４１】また、保護材５は図１２，図１３に示すよ
うにレジスト膜４の膜厚よりも厚く形成する方が好まし
い。
うにレジスト膜４の膜厚よりも厚く形成する方が好まし
い。
【００４２】次に、図１４及び図１５に示すように、素
子の両端に形成されたレジスト膜４を除去する。レジス
ト膜４を除去する方法としては、例えばレジスト膜４を
エネルギー線崩壊樹脂で構成した場合には、紫外線など
を少なくともレジスト膜４に照射した後に現像剤などに
よって、現像しほぼ１００％レジスト膜４を除去し、形
成膜２を表出させる。この時点でも両端に表出した形成
膜２を端子部として用いることで、電子部品として完成
するが、回路基板などとの接合性を十分に良好にするに
は、端子電極６を形成することが好ましい。端子電極６
を形成した例を図１６，図１７に示す。
子の両端に形成されたレジスト膜４を除去する。レジス
ト膜４を除去する方法としては、例えばレジスト膜４を
エネルギー線崩壊樹脂で構成した場合には、紫外線など
を少なくともレジスト膜４に照射した後に現像剤などに
よって、現像しほぼ１００％レジスト膜４を除去し、形
成膜２を表出させる。この時点でも両端に表出した形成
膜２を端子部として用いることで、電子部品として完成
するが、回路基板などとの接合性を十分に良好にするに
は、端子電極６を形成することが好ましい。端子電極６
を形成した例を図１６，図１７に示す。
【００４３】図１６，図１７において、端子電極６は素
子の両端に表出した形成膜２の上に形成されている。端
子電極６は単層或いは複数層を積層した積層構造で形成
されている。端子電極６は鍍金法，スパッタリング法，
蒸着法等の薄膜形性技術や導電性ペーストを塗布して焼
き付ける方法などが挙げられる。
子の両端に表出した形成膜２の上に形成されている。端
子電極６は単層或いは複数層を積層した積層構造で形成
されている。端子電極６は鍍金法，スパッタリング法，
蒸着法等の薄膜形性技術や導電性ペーストを塗布して焼
き付ける方法などが挙げられる。
【００４４】本実施の形態では、一度にたくさんの端子
電極６が形成でき、しかも保護材５をパターンとして用
いることができる鍍金法（特に電界鍍金法）を用いた。
電極６が形成でき、しかも保護材５をパターンとして用
いることができる鍍金法（特に電界鍍金法）を用いた。
【００４５】端子電極６は耐食層か接合層の少なくとも
一方を単層或いは積層構造として構成される。
一方を単層或いは積層構造として構成される。
【００４６】耐食層としては、Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｃｒ等
の腐食しにくい金属膜や、それら金属材料の合金膜（Ｎ
ｉ−Ｃｒ等）等の耐食膜を膜厚０．５〜３μｍの膜厚で
構成することが良い。特に、Ｎｉ単体か若しくはＮｉ合
金を用いることが、特性面やコスト面等で優れている。
の腐食しにくい金属膜や、それら金属材料の合金膜（Ｎ
ｉ−Ｃｒ等）等の耐食膜を膜厚０．５〜３μｍの膜厚で
構成することが良い。特に、Ｎｉ単体か若しくはＮｉ合
金を用いることが、特性面やコスト面等で優れている。
【００４７】更に、耐食膜もしくは形成膜２の上に半田
や鉛フリーの接合材（Ｓｎ単体もしくはＳｎにＡｇ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎの少なくとも一つを含ませた鉛フ
リー半田等）で構成された接合膜を５〜１０μｍの膜厚
で形成しても良い。
や鉛フリーの接合材（Ｓｎ単体もしくはＳｎにＡｇ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎの少なくとも一つを含ませた鉛フ
リー半田等）で構成された接合膜を５〜１０μｍの膜厚
で形成しても良い。
【００４８】この様に構成することで、端子電極６の耐
蝕性や或いは回路基板などとの接合性を向上させること
ができる。
蝕性や或いは回路基板などとの接合性を向上させること
ができる。
【００４９】なお、端子電極６を形成した際には、好ま
しくは端子電極６の表面が保護材５の表面よりも２μｍ
以上突出する構成となるようにした方が良い。なお、生
産性等を考慮すると前記突出量は７μｍ以下とする法が
好ましい。この様な構成とすることで、回路基板などの
上に実装した際に両端の端子電極６が回路基板上のラン
ドなどと接触することになり、実装性が向上する。
しくは端子電極６の表面が保護材５の表面よりも２μｍ
以上突出する構成となるようにした方が良い。なお、生
産性等を考慮すると前記突出量は７μｍ以下とする法が
好ましい。この様な構成とすることで、回路基板などの
上に実装した際に両端の端子電極６が回路基板上のラン
ドなどと接触することになり、実装性が向上する。
【００５０】以上の様に、製造された電子部品は保護材
５をレジスト膜４を用いてパターニングして構成するの
で、従来の塗布による保護材５の形成の場合よりも、精
度良く保護材５を形成でき、しかも従来の様に電着で保
護材５を形成した場合等に発生していた不要箇所への電
着膜の付着を防止でき、電着膜の取り除き作業などが発
生せず生産性が向上する。
５をレジスト膜４を用いてパターニングして構成するの
で、従来の塗布による保護材５の形成の場合よりも、精
度良く保護材５を形成でき、しかも従来の様に電着で保
護材５を形成した場合等に発生していた不要箇所への電
着膜の付着を防止でき、電着膜の取り除き作業などが発
生せず生産性が向上する。
【００５１】また、以上の様な構成によれば、保護材５
と両端の形成膜２の境界部もしくは保護材５と端子電極
６との境界部の凹凸の差を７μｍ以下とすることでき、
端子部となる形成膜２もしくは端子電極６の寸法精度を
極めて高くすることができるので、素子立ち現象の防止
等を行うことができる。
と両端の形成膜２の境界部もしくは保護材５と端子電極
６との境界部の凹凸の差を７μｍ以下とすることでき、
端子部となる形成膜２もしくは端子電極６の寸法精度を
極めて高くすることができるので、素子立ち現象の防止
等を行うことができる。
【００５２】なお、上記電子部品は長さＬ１，幅Ｌ２，
高さＬ３は以下の通りとなっていることが好ましい。
高さＬ３は以下の通りとなっていることが好ましい。
【００５３】
Ｌ１＝０．２〜２．０ｍｍ（好ましくは０．２〜１．０
ｍｍ） Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．５
ｍｍ） Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．５
ｍｍ） 上記製法は特に小型の電子部品に特に有用であり、いわ
ゆる１００５サイズの電子部品、０６０３サイズの電子
部品、０４０２サイズの電子部品及び０４０２〜１００
５サイズの範囲の電子部品に特に有用である。
ｍｍ） Ｌ２＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．５
ｍｍ） Ｌ３＝０．１〜１．０ｍｍ（好ましくは０．１〜０．５
ｍｍ） 上記製法は特に小型の電子部品に特に有用であり、いわ
ゆる１００５サイズの電子部品、０６０３サイズの電子
部品、０４０２サイズの電子部品及び０４０２〜１００
５サイズの範囲の電子部品に特に有用である。
【００５４】すなわち、電子部品の小型化にともない両
端の端子部の寸法精度は特に実装性に影響を及ぼしてお
り、端子部の寸法精度の悪化は素子立ち現象などの発生
を誘発しやすい。
端の端子部の寸法精度は特に実装性に影響を及ぼしてお
り、端子部の寸法精度の悪化は素子立ち現象などの発生
を誘発しやすい。
【００５５】なお、本実施の形態では、基台１の表面に
素子部３を形成した電子部品の例で説明したが、素子部
３を基台中に埋設して保護材５を設ける必要のある電子
部品などにも適応でき、更には、本実施の形態では、基
台１の全側面に渡って素子部３を形成し、基台１の全側
面に渡って保護材５を設けたが、例えば、基台１の側面
の一面或いは数面に渡って素子部３を形成し、その素子
部３を覆うように基台１の側面の一面或いは数面（全周
ではない）に渡って保護材５を設けてもよい。例えば、
基台１を板状とすることで、基台１の側面における一面
に素子部３を形成し、その一面上に保護材５を設けてい
わゆるプレート型の電子部品にも適応できる。
素子部３を形成した電子部品の例で説明したが、素子部
３を基台中に埋設して保護材５を設ける必要のある電子
部品などにも適応でき、更には、本実施の形態では、基
台１の全側面に渡って素子部３を形成し、基台１の全側
面に渡って保護材５を設けたが、例えば、基台１の側面
の一面或いは数面に渡って素子部３を形成し、その素子
部３を覆うように基台１の側面の一面或いは数面（全周
ではない）に渡って保護材５を設けてもよい。例えば、
基台１を板状とすることで、基台１の側面における一面
に素子部３を形成し、その一面上に保護材５を設けてい
わゆるプレート型の電子部品にも適応できる。
【００５６】
【発明の効果】本発明は、基台にインダクタンス，抵
抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を有する素子部
を形成し、基台の少なくとも側面上にレジスト膜を形成
し、レジスト膜をパターニングして不要部分を除去し、
除去した部分に保護材を形成し、レジスト膜の残留部分
を除去したことで、レジスト膜を用いて保護材を形成す
ることで、保護材の特に端部を精度良く形成できるの
で、端子部となる部分の寸法精度を向上させることがで
き、端子部のサイズの違いによる素子立ち現象などを防
止でき、実装性を高めることができ、保護材が必要部分
に付着することを防止できるので、作業性が良く生産性
が向上する。
抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を有する素子部
を形成し、基台の少なくとも側面上にレジスト膜を形成
し、レジスト膜をパターニングして不要部分を除去し、
除去した部分に保護材を形成し、レジスト膜の残留部分
を除去したことで、レジスト膜を用いて保護材を形成す
ることで、保護材の特に端部を精度良く形成できるの
で、端子部となる部分の寸法精度を向上させることがで
き、端子部のサイズの違いによる素子立ち現象などを防
止でき、実装性を高めることができ、保護材が必要部分
に付着することを防止できるので、作業性が良く生産性
が向上する。
【図１】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す斜視図
方法を示す斜視図
【図２】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図３】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す斜視図
方法を示す斜視図
【図４】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す斜視図
方法を示す斜視図
【図６】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す斜視図
方法を示す斜視図
【図８】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す断面図
方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施の形態における電子部品の製造
方法を示す斜視図
方法を示す斜視図
【図１０】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す斜視図
造方法を示す斜視図
【図１１】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す断面図
造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す斜視図
造方法を示す斜視図
【図１３】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す断面図
造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す斜視図
造方法を示す斜視図
【図１５】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す断面図
造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す斜視図
造方法を示す斜視図
【図１７】本発明の一実施の形態における電子部品の製
造方法を示す断面図
造方法を示す断面図
１ 基台
２ 形成膜
３ 素子部
４ レジスト膜
５ 保護材
６ 端子電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 泉 泰博
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 米田 良人
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 田原 靖典
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 清村 圭博
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5E032 CA01 TA03
5E082 AA01 EE05 EE37
Claims (9)
- 【請求項１】基台にインダクタンス，抵抗，キャパシタ
の少なくとも一つの機能を有する素子部を形成し、前記
基台の少なくとも側面上にレジスト膜を形成し、前記レ
ジスト膜をパターニングして不要部分を除去し、前記除
去した部分に保護材を形成し、前記レジスト膜の残留部
分を除去したことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】レジスト膜の残留した部分を除去した後に
素子部と電気的に接続した端子電極を設けたことを特徴
とする請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】素子部を形成する際に基台表面上に形成膜
を形成した後にトリミングにて溝を設けたり、或いはパ
ターン形成にて構成したことを特徴とする請求項１記載
の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】レジスト膜を電着法にて形成したことを特
徴とす請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項５】レジスト膜をエネルギー線崩壊樹脂にて形
成し、レジスト膜を不要部分にエネルギー線を照射し、
現像して不要部分を取り除くことを特徴とする請求項１
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項６】保護材を電着法にて形成したことを特徴と
する請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項７】柱状の基台の少なくとも全側面に連続した
形成膜を形成し、前記基台の側面上に形成された形成膜
にトリミングやパターニングにて素子部を形成し、前記
基台の少なくと全側面上に前記素子部を覆うようにレジ
スト膜を形成し、前記レジスト膜の基台両端部を残して
他の部分を除去して前記素子部を表出させ、前記表出し
た素子部上に保護材を形成し、前記レジストの残留部分
を除去し、前記基台両端部に形成された形成膜を表出さ
せたことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項８】レジスト膜及び保護材を電着法で形成した
ことを特徴とする請求項７記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項９】レジスト膜をエネルギー線崩壊樹脂で構成
し、前記レジスト膜の除去を電磁波を照射して現像する
ことを特徴とする請求項７記載の電子部品の製造方法。
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