JP2003117452A - メタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方法 - Google Patents
メタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック、金属等からなる超微粒子をノズ
ルから加熱基板上に噴射し、微細、高精度な造形物を形
成するガスデポジション製膜装置において使用するメタ
ルマスクを複数回繰り返して使用可能とする。 【解決手段】 メタルマスク１は、ステンレス系材料か
らなり、フォトエッチング法で所望の開口部を有するパ
ターン２を形成し、次に予め計画した領域を曲げ加工、
あるいは突き出し加工し、曲げ部あるいは突き出し部の
高さでメタルマスクと基板の隙間を一定間隔とし、その
後メタルマスクの表面に表面膜処理を施す。表面膜は、
一例として開口部を有するパターン２を形成する際に使
用するフォトレジスト材（膜厚１〜１００μｍ、ヤング
率１０×１０9Ｐａ以下）が用いられる。
ルから加熱基板上に噴射し、微細、高精度な造形物を形
成するガスデポジション製膜装置において使用するメタ
ルマスクを複数回繰り返して使用可能とする。 【解決手段】 メタルマスク１は、ステンレス系材料か
らなり、フォトエッチング法で所望の開口部を有するパ
ターン２を形成し、次に予め計画した領域を曲げ加工、
あるいは突き出し加工し、曲げ部あるいは突き出し部の
高さでメタルマスクと基板の隙間を一定間隔とし、その
後メタルマスクの表面に表面膜処理を施す。表面膜は、
一例として開口部を有するパターン２を形成する際に使
用するフォトレジスト材（膜厚１〜１００μｍ、ヤング
率１０×１０9Ｐａ以下）が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超微粒子噴射製膜
用のメタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方
法に関し、さらに詳しくは、超微粒子をノズルから加熱
基板上に噴射し、基板上に微細形状の造形物を形成する
装置において、ノズルと基板との間に配置される耐久性
に優れたメタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製
造方法に関する。
用のメタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製造方
法に関し、さらに詳しくは、超微粒子をノズルから加熱
基板上に噴射し、基板上に微細形状の造形物を形成する
装置において、ノズルと基板との間に配置される耐久性
に優れたメタルマスク及び該メタルマスクの表面膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の微細造形装置の例として、特開平
１０−２０２１７１号公報に開示されたものが知られて
いる。図３は、従来の微細造形装置が、微細・高精度な
造形物を形成する原理を示す図である。すなわち、金
属、セラミックス等からなる超微粒子１１をノズル１３
を通して基板１４上に噴射し堆積させて微細形状の造形
物１２を形成する場合、ノズル１３と基板１４との間に
所定の開口パターン１６を有するマスク１５を配置し、
マスク１５と造形物１２の成長表面または基板１４の表
面との距離Ｄを一定に保った状態でノズル１３をマスク
１５に対して相対変位させつつ超微粒子１１をマスク１
５の開口パターン１６を通して基板１４に噴射させるこ
とにより、基板１４上に微細・高精度な造形物が形成さ
れる。
１０−２０２１７１号公報に開示されたものが知られて
いる。図３は、従来の微細造形装置が、微細・高精度な
造形物を形成する原理を示す図である。すなわち、金
属、セラミックス等からなる超微粒子１１をノズル１３
を通して基板１４上に噴射し堆積させて微細形状の造形
物１２を形成する場合、ノズル１３と基板１４との間に
所定の開口パターン１６を有するマスク１５を配置し、
マスク１５と造形物１２の成長表面または基板１４の表
面との距離Ｄを一定に保った状態でノズル１３をマスク
１５に対して相対変位させつつ超微粒子１１をマスク１
５の開口パターン１６を通して基板１４に噴射させるこ
とにより、基板１４上に微細・高精度な造形物が形成さ
れる。
【０００３】図４は、微細造形装置で用いられる従来の
マスクの例で、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）は図４
（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。マスク１５の所定位置に
造形物を形成するための開口パターン１６が設けられ、
またマスク１５と基板１４との間の距離Ｄを一定に保持
する間隔保持部１７が設けられている。
マスクの例で、図４（Ａ）は平面図、図４（Ｂ）は図４
（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。マスク１５の所定位置に
造形物を形成するための開口パターン１６が設けられ、
またマスク１５と基板１４との間の距離Ｄを一定に保持
する間隔保持部１７が設けられている。
【０００４】図５は、図４に示す従来のマスク１５を形
成する工程の概略を示す図である。マスク材料を決定
し、造形物に応じた開口パターン１６、マスク１５と基
板１４との間の間隔保持部１７等について設計し（Ｓ１
１）、開口パターン１６をエッチングにより形成し（Ｓ
１２）、次にマスク１５の所用部分を突出加工、または
曲げ加工することによって間隔保持部１７を形成し（Ｓ
１３）、マスク１５が得られる。
成する工程の概略を示す図である。マスク材料を決定
し、造形物に応じた開口パターン１６、マスク１５と基
板１４との間の間隔保持部１７等について設計し（Ｓ１
１）、開口パターン１６をエッチングにより形成し（Ｓ
１２）、次にマスク１５の所用部分を突出加工、または
曲げ加工することによって間隔保持部１７を形成し（Ｓ
１３）、マスク１５が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】超微粒子をノズルから
噴射し、微細形状の造形物を形成する装置（ガスデポジ
ション製膜法）においては、ノズルと加熱した基板との
間に所望のメタルマスクを配置し、メタルマスクの開口
部のパターンに相当する微細形状の造形物を基板に形成
する。したがって、メタルマスクの開口部以外にもノズ
ルから噴射した超微粒子は付着し成膜されてしまい、メ
タルマスクは変形によって、複数回繰り返し使用するこ
とができない。
噴射し、微細形状の造形物を形成する装置（ガスデポジ
ション製膜法）においては、ノズルと加熱した基板との
間に所望のメタルマスクを配置し、メタルマスクの開口
部のパターンに相当する微細形状の造形物を基板に形成
する。したがって、メタルマスクの開口部以外にもノズ
ルから噴射した超微粒子は付着し成膜されてしまい、メ
タルマスクは変形によって、複数回繰り返し使用するこ
とができない。
【０００６】ノズルから噴射した超微粒子はメタルマス
クの開口部を通過し、メタルマスクの開口パターンに相
当する微細形状の造形物を基板に形成する。その際、造
形に寄与できなかった超微粒子を除去しなければ、造形
に寄与できなかった超微粒子が基板上に形成された造形
物及びその付近に堆積されることとなり、良好な成膜を
得ることができない。
クの開口部を通過し、メタルマスクの開口パターンに相
当する微細形状の造形物を基板に形成する。その際、造
形に寄与できなかった超微粒子を除去しなければ、造形
に寄与できなかった超微粒子が基板上に形成された造形
物及びその付近に堆積されることとなり、良好な成膜を
得ることができない。
【０００７】メタルマスクの開口パターン以外にもノズ
ルから噴射した超微粒子は付着し成膜されてしまい、メ
タルマスクの基板加熱温度の影響もあって、メタルマス
クが変形してしまうので、メタルマスクを複数回繰り返
し使用することができない。
ルから噴射した超微粒子は付着し成膜されてしまい、メ
タルマスクの基板加熱温度の影響もあって、メタルマス
クが変形してしまうので、メタルマスクを複数回繰り返
し使用することができない。
【０００８】圧力差により加速されたセラミックス粒子
等の超微粒子は基板に衝突することで運動エネルギーか
ら堆積現象にエネルギー変換され、超微粒子の膜化現象
が生じる。この時、エネルギー変換は衝突する対象の機
械的強度により変換効率が変化し、極端に柔らかいもの
に対しては運動エネルギーの緩和により成膜に至らな
い。また、緩和の急峻でない場合はブラスト現象が発生
する。この様な超微粒子を受け止める相手方の機械的性
質（主として、ヤング率）にガスデポジション成膜は左
右され、本発明のメタルマスク遮蔽板への微粒子付着／
成膜現象は、その表面相の膜質を適切に設定することで
繰り返し使用可能な好適な状態を与える。
等の超微粒子は基板に衝突することで運動エネルギーか
ら堆積現象にエネルギー変換され、超微粒子の膜化現象
が生じる。この時、エネルギー変換は衝突する対象の機
械的強度により変換効率が変化し、極端に柔らかいもの
に対しては運動エネルギーの緩和により成膜に至らな
い。また、緩和の急峻でない場合はブラスト現象が発生
する。この様な超微粒子を受け止める相手方の機械的性
質（主として、ヤング率）にガスデポジション成膜は左
右され、本発明のメタルマスク遮蔽板への微粒子付着／
成膜現象は、その表面相の膜質を適切に設定することで
繰り返し使用可能な好適な状態を与える。
【０００９】本発明は、以上のような事情に鑑みなされ
たもので、メタルマスクの開口部以外の部分にノズルか
ら噴射された超微粒子が付着することなく、これにより
メタルマスクが変形されることがなく、メタルマスクを
複数回繰り返し使用することができるようにすることを
目的とする。
たもので、メタルマスクの開口部以外の部分にノズルか
ら噴射された超微粒子が付着することなく、これにより
メタルマスクが変形されることがなく、メタルマスクを
複数回繰り返し使用することができるようにすることを
目的とする。
【００１０】また、ノズルから噴射され開口パターンを
通過した超微粒子であって、造形に寄与しなかった超微
粒子を適切に除去することによって、良好な造形物を形
成することを目的とする。
通過した超微粒子であって、造形に寄与しなかった超微
粒子を適切に除去することによって、良好な造形物を形
成することを目的とする。
【００１１】また、メタルマスクの表面に形成される表
面膜のヤング率を適正に選定することにより、超微粒子
がメタルマスク表面でブラスト現象、ダンピング効果を
生じさせ、効果的に超微粒子の堆積を防止することを目
的とする。
面膜のヤング率を適正に選定することにより、超微粒子
がメタルマスク表面でブラスト現象、ダンピング効果を
生じさせ、効果的に超微粒子の堆積を防止することを目
的とする。
【００１２】また、予め開口パターンが形成されたガス
デポジション製膜用メタルマスクをディッピングするこ
とにより高分子膜を塗工し、低コストで容易に表面膜処
理を行うことを目的とする。
デポジション製膜用メタルマスクをディッピングするこ
とにより高分子膜を塗工し、低コストで容易に表面膜処
理を行うことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するためになされたものであって、請求項１の発明
は、超微粒子を基板上に噴射し微細形状の造形物を形成
する装置に使用するメタルマスクにおいて、該メタルマ
スクの表面に前記超微粒子付着防止のための表面膜処理
を施したことを特徴とする。
成するためになされたものであって、請求項１の発明
は、超微粒子を基板上に噴射し微細形状の造形物を形成
する装置に使用するメタルマスクにおいて、該メタルマ
スクの表面に前記超微粒子付着防止のための表面膜処理
を施したことを特徴とする。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１の発明のメタ
ルマスクにおいて、該メタルマスクはフォトエッチング
により所望の開口部を有するパターンを形成し、前記メ
タルマスクの部分を曲げ加工して形成した折曲部で前記
メタルマスクと基板との間隔保持部とし、前記メタルマ
スクの表面に表面膜処理を施したことを特徴とする。
ルマスクにおいて、該メタルマスクはフォトエッチング
により所望の開口部を有するパターンを形成し、前記メ
タルマスクの部分を曲げ加工して形成した折曲部で前記
メタルマスクと基板との間隔保持部とし、前記メタルマ
スクの表面に表面膜処理を施したことを特徴とする。
【００１５】請求項３の発明は、請求項１の発明のメタ
ルマスクにおいて、該メタルマスクはフォトエッチング
により所望の開口部を有するパターンを形成し、前記メ
タルマスクの部分を突き出し加工した凸部で前記メタル
マスクと基板との間隔保持部とし、前記メタルマスクの
表面に表面膜処理を施したことを特徴とする。
ルマスクにおいて、該メタルマスクはフォトエッチング
により所望の開口部を有するパターンを形成し、前記メ
タルマスクの部分を突き出し加工した凸部で前記メタル
マスクと基板との間隔保持部とし、前記メタルマスクの
表面に表面膜処理を施したことを特徴とする。
【００１６】請求項４の発明は、請求項１〜３の発明の
メタルマスクにおいて、前記表面膜はヤング率１０×１
０9Ｐａ以下の樹脂膜であることを特徴とする。
メタルマスクにおいて、前記表面膜はヤング率１０×１
０9Ｐａ以下の樹脂膜であることを特徴とする。
【００１７】請求項５の発明は、請求項１の発明のメタ
ルマスクにおいて、メタルマスク母材にフォトリソグラ
フィーで用いられるフォトレジスト材料の塗膜を成膜
し、所望するパターンを写真製版した後、エッチングす
ることで前記開口部のパターンを形成し、その後前記フ
ォトレジスト材料を前記表面膜として用いることを特徴
とする。
ルマスクにおいて、メタルマスク母材にフォトリソグラ
フィーで用いられるフォトレジスト材料の塗膜を成膜
し、所望するパターンを写真製版した後、エッチングす
ることで前記開口部のパターンを形成し、その後前記フ
ォトレジスト材料を前記表面膜として用いることを特徴
とする。
【００１８】請求項６の発明は、請求項４、５の発明の
メタルマスクにおいて、前記表面膜の膜厚は１μｍ以上
１００μｍ以下であることを特徴とする。
メタルマスクにおいて、前記表面膜の膜厚は１μｍ以上
１００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１９】請求項７の発明は、請求項５の発明のメタ
ルマスクにおいて、前記フォトレジスト材料はノボラッ
ク樹脂系の高分子材料からなるポジ型レジスト材である
ことを特徴とする。
ルマスクにおいて、前記フォトレジスト材料はノボラッ
ク樹脂系の高分子材料からなるポジ型レジスト材である
ことを特徴とする。
【００２０】請求項８の発明は、請求項５の発明のメタ
ルマスクにおいて、前記フォトレジスト材料はゴム系高
分子材料からなるネガ型レジスト材であることを特徴と
するメタルマスク。
ルマスクにおいて、前記フォトレジスト材料はゴム系高
分子材料からなるネガ型レジスト材であることを特徴と
するメタルマスク。
【００２１】請求項９の発明は、予め開口処理のなされ
たメタルマスクに浸漬法にて膜形成を行うメタルマスク
の表面膜の製造方法であることを特徴とする。
たメタルマスクに浸漬法にて膜形成を行うメタルマスク
の表面膜の製造方法であることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
に示す実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の実
施例による超微粒子噴射製膜用メタルマスクを示し、図
１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ断
面図である。本発明のメタルマスクを使用する微細造形
装置のガスデポジション製膜装置は、ノズルと加熱した
基板との間にメタルマスク１を配置し、超微粒子をノズ
ルから噴射し、メタルマスクの開口パターン２に相当す
る微細形状の造形物を基板上に形成する。
に示す実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の実
施例による超微粒子噴射製膜用メタルマスクを示し、図
１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ断
面図である。本発明のメタルマスクを使用する微細造形
装置のガスデポジション製膜装置は、ノズルと加熱した
基板との間にメタルマスク１を配置し、超微粒子をノズ
ルから噴射し、メタルマスクの開口パターン２に相当す
る微細形状の造形物を基板上に形成する。
【００２３】成膜条件の概要は、ガスデポジション製膜
装置において、成膜室は２Ｔｏｒｒ（大気圧以下／減
圧）し、キャリアガスとしてＨｅ、成膜材料の超微粒子
はＰＺＴとし、メタルマスク１を介してノズルから流量
４ＳＬＭを噴射することによって、メタルマスクの開口
部のパターン２に相当するＰＺＴの微細形状の造形物を
基板に形成することができる。
装置において、成膜室は２Ｔｏｒｒ（大気圧以下／減
圧）し、キャリアガスとしてＨｅ、成膜材料の超微粒子
はＰＺＴとし、メタルマスク１を介してノズルから流量
４ＳＬＭを噴射することによって、メタルマスクの開口
部のパターン２に相当するＰＺＴの微細形状の造形物を
基板に形成することができる。
【００２４】しかしながら、メタルマスクの開口部以外
（マスクした領域）にもノズルから噴射したＰＺＴ等の
超微粒子は付着・成膜されてしまう。具体的には、メタ
ルマスク（ＳＵＳ系材料）の厚さは０.０５ｍｍに対し
て、付着し成膜されてしまう膜の厚さはメタルマスクの
厚さ相当に成ることもあり、メタルマスク自身が歪み・
変形してしまう。
（マスクした領域）にもノズルから噴射したＰＺＴ等の
超微粒子は付着・成膜されてしまう。具体的には、メタ
ルマスク（ＳＵＳ系材料）の厚さは０.０５ｍｍに対し
て、付着し成膜されてしまう膜の厚さはメタルマスクの
厚さ相当に成ることもあり、メタルマスク自身が歪み・
変形してしまう。
【００２５】ノズルから噴射した超微粒子は、メタルマ
スク１の開口パターン２を通過し、メタルマスクの開口
パターン２に相当する微細形状の造形物を基板に形成す
る。メタルマスク１と基板の間に隙間を形成することに
よって、造形に寄与できなかった超微粒子をその隙間か
ら逃がし除去することによってＰＺＴの成膜品質を向上
させ良好な成膜を得ることができる。
スク１の開口パターン２を通過し、メタルマスクの開口
パターン２に相当する微細形状の造形物を基板に形成す
る。メタルマスク１と基板の間に隙間を形成することに
よって、造形に寄与できなかった超微粒子をその隙間か
ら逃がし除去することによってＰＺＴの成膜品質を向上
させ良好な成膜を得ることができる。
【００２６】メタルマスク１の表面にヤング率が約２〜
１０×１０9Ｐａの表面膜を形成することによって、ノ
ズルから噴射した余剰の超微粒子はメタルマスク１の表
面で表面膜のブラスト現象が生じ、表面膜の除去が終了
するまで、メタルマスク母材への粒子堆積は生じない。
１０×１０9Ｐａの表面膜を形成することによって、ノ
ズルから噴射した余剰の超微粒子はメタルマスク１の表
面で表面膜のブラスト現象が生じ、表面膜の除去が終了
するまで、メタルマスク母材への粒子堆積は生じない。
【００２７】また、メタルマスク１にヤング率が１０×
１０8Ｐａ以下の表面膜を形成することによって、ノズ
ルから噴射した余剰の超微粒子は表面膜のダンピング効
果により、粒子堆積は生じない。この時、前記したブラ
スト現象も発生しない。
１０8Ｐａ以下の表面膜を形成することによって、ノズ
ルから噴射した余剰の超微粒子は表面膜のダンピング効
果により、粒子堆積は生じない。この時、前記したブラ
スト現象も発生しない。
【００２８】メタルマスク１の開口パターン２を形成処
理する際、メタルマスク母材となる基板にドライフィル
ムをラミネートし、紫外線照射、現像によりドライフィ
ルムの開口を行う。引き続き、メタルマスク母材をエッ
チング加工する。通常はドライフィルムを除去しメタル
マスクを得るが、この加工に用いた高分子膜を表面膜と
して用いることで、ガスデポジション成膜の粒子付着を
防ぐ。ドライフィルムの代わりに、ノボラック樹脂、感
光材からなるポジ型フォトレジストを用いても、同様の
結果を得ることができる。両者はともにノボラック樹脂
系高分子であり、そのヤング率は２〜１０×１０ 9Ｐａ
の値を有する。１００μｍに近い膜厚を得るにはドライ
フィルムを、また２０μｍ以下の場合はスピンコーティ
ング等の周知の塗膜形成方法を用いたフォトレジストを
用いるとよい。また、ガスデポジション成膜時のこれら
表面膜はブラストされるため、ガスデポジション成膜の
膜厚に対応させ、膜厚を選定することで、メタルマスク
母材への粒子堆積を防ぐことが可能である。
理する際、メタルマスク母材となる基板にドライフィル
ムをラミネートし、紫外線照射、現像によりドライフィ
ルムの開口を行う。引き続き、メタルマスク母材をエッ
チング加工する。通常はドライフィルムを除去しメタル
マスクを得るが、この加工に用いた高分子膜を表面膜と
して用いることで、ガスデポジション成膜の粒子付着を
防ぐ。ドライフィルムの代わりに、ノボラック樹脂、感
光材からなるポジ型フォトレジストを用いても、同様の
結果を得ることができる。両者はともにノボラック樹脂
系高分子であり、そのヤング率は２〜１０×１０ 9Ｐａ
の値を有する。１００μｍに近い膜厚を得るにはドライ
フィルムを、また２０μｍ以下の場合はスピンコーティ
ング等の周知の塗膜形成方法を用いたフォトレジストを
用いるとよい。また、ガスデポジション成膜時のこれら
表面膜はブラストされるため、ガスデポジション成膜の
膜厚に対応させ、膜厚を選定することで、メタルマスク
母材への粒子堆積を防ぐことが可能である。
【００２９】ポリエチレンのヤング率は０.４〜１.０×
１０9Ｐａの値を有し、この材料上へのガスデポジショ
ン成膜はダンピング効果によりなされない。フォトリソ
グラフィーによる工程の簡略化と低いヤング率材料の両
立は、ゴム系高分子からなるネガ型フォトレジストによ
り実行できる。東京応化社製のネガ型レジストを用い、
先述同様のガスデポジション成膜を行ったところ、ゴム
材料による粒子衝突エネルギーの吸収により、表面膜の
ブラストや粒子堆積現象は発生しない。
１０9Ｐａの値を有し、この材料上へのガスデポジショ
ン成膜はダンピング効果によりなされない。フォトリソ
グラフィーによる工程の簡略化と低いヤング率材料の両
立は、ゴム系高分子からなるネガ型フォトレジストによ
り実行できる。東京応化社製のネガ型レジストを用い、
先述同様のガスデポジション成膜を行ったところ、ゴム
材料による粒子衝突エネルギーの吸収により、表面膜の
ブラストや粒子堆積現象は発生しない。
【００３０】開口パターン２を有するメタルマスク１に
ディッピングにより高分子膜を塗工することが可能であ
る。さらに、ヤング率の低いウレタン樹脂や弾性ゴム体
（ヤング率１.５〜５.０×１０４Ｐａ）をコーティング
することで、同様の効果が得られる
ディッピングにより高分子膜を塗工することが可能であ
る。さらに、ヤング率の低いウレタン樹脂や弾性ゴム体
（ヤング率１.５〜５.０×１０４Ｐａ）をコーティング
することで、同様の効果が得られる
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次のような効果を奏する。本発明は、メタルマ
スクの表面に前記超微粒子付着防止のための表面膜処理
を施したので、メタルマスクの開口部以外の部分にノズ
ルから噴射された超微粒子が付着することなく、これに
よりメタルマスクが変形されることがなく、メタルマス
クを複数回繰り返し使用することができる。
によれば次のような効果を奏する。本発明は、メタルマ
スクの表面に前記超微粒子付着防止のための表面膜処理
を施したので、メタルマスクの開口部以外の部分にノズ
ルから噴射された超微粒子が付着することなく、これに
よりメタルマスクが変形されることがなく、メタルマス
クを複数回繰り返し使用することができる。
【００３２】ノズルから噴射され開口パターンを通過し
た超微粒子のうち、基板上で造形に寄与しなかった超微
粒子を除去するので、微細・高精度な造形物を形成する
ことができる。
た超微粒子のうち、基板上で造形に寄与しなかった超微
粒子を除去するので、微細・高精度な造形物を形成する
ことができる。
【００３３】メタルマスクの表面に形成される表面膜の
ヤング率を適正に選定することにより、超微粒子がメタ
ルマスク表面でブラスト現象、ダンピング効果を生じさ
せることができ、効果的に超微粒子の堆積を防止するこ
とができる。
ヤング率を適正に選定することにより、超微粒子がメタ
ルマスク表面でブラスト現象、ダンピング効果を生じさ
せることができ、効果的に超微粒子の堆積を防止するこ
とができる。
【００３４】メタルマスクの開口パターン形成時に用い
るフォトレジスト材料を表面膜として用いるので、工程
の簡略化と適正なヤング率の選定を図ることができる。
るフォトレジスト材料を表面膜として用いるので、工程
の簡略化と適正なヤング率の選定を図ることができる。
【００３５】予め開口パターンが形成されたガスデポジ
ション製膜用メタルマスクをディッピングすることによ
り高分子膜を塗工することができるので、低コストで表
面膜処理を行うことができる。
ション製膜用メタルマスクをディッピングすることによ
り高分子膜を塗工することができるので、低コストで表
面膜処理を行うことができる。
【図１】 本発明の実施例のメタルマスクを示す図であ
る。
る。
【図２】 本発明の実施例のメタルマスクを形成する工
程の概要を示す図である。
程の概要を示す図である。
【図３】 従来の微細造形装置が、微細・高精度な造形
物を形成する原理を示す図である。
物を形成する原理を示す図である。
【図４】 従来のメタルマスクを示す図である。
【図５】 従来のメタルマスクを形成する工程の概要を
示す図である。
示す図である。
１…メタルマスク、２…開口パターン、３…間隔保持
部、１１…超微粒子材料、１２…造形物、１３…ノズ
ル、１４…基板、１５…マスク、１６…開口パターン、
１７…間隔保持部。
部、１１…超微粒子材料、１２…造形物、１３…ノズ
ル、１４…基板、１５…マスク、１６…開口パターン、
１７…間隔保持部。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 26/00 Ｃ２３Ｃ 26/00 Ａ
28/00 28/00 Ｅ
Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１ Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１
Ｆターム(参考） 2H096 AA24 BA01 BA11 HA13 LA30
4D073 AA01 AA07 BB03 BB06 DB03
DB07 DB13 DB31
4D075 AB01 BB41Z CA02 CA04
CA34 DA06 DB01 DC38 EA05
EA45 EB38
4K029 CA01 DA10 HA05 HA07
4K044 AA03 BA12 BA21 BB01 BB10
BC04 BC07 BC14 CA23 CA53
CA71
Claims (9)
- 【請求項１】 超微粒子を基板上に噴射し微細形状の造
形物を形成する装置に使用するメタルマスクにおいて、
該メタルマスクの表面に前記超微粒子付着防止のための
表面膜処理を施したことを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載のメタルマスクにおいて、
該メタルマスクはフォトエッチングにより所望の開口部
を有するパターンを形成し、前記メタルマスクの部分を
曲げ加工して形成した折曲部で前記メタルマスクと基板
との間隔保持部とし、前記メタルマスクの表面に表面膜
処理を施したことを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項３】 請求項１記載のメタルマスクにおいて、
該メタルマスクはフォトエッチングにより所望の開口部
を有するパターンを形成し、前記メタルマスクの部分を
突き出し加工した凸部で前記メタルマスクと基板との間
隔保持部とし、前記メタルマスクの表面に表面膜処理を
施したことを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項４】 請求項１乃至３いずれかに記載のメタル
マスクにおいて、前記表面膜はヤング率１０×１０9Ｐ
ａ以下の樹脂膜であることを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項５】 請求項１記載のメタルマスクにおいて、
メタルマスク母材にフォトリソグラフィーで用いられる
フォトレジスト材料の塗膜を成膜し、所望するパターン
を写真製版した後、エッチングすることで前記開口部の
パターンを形成し、その後前記フォトレジスト材料を前
記表面膜として用いることを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項６】 請求項４または５記載のメタルマスクに
おいて、前記表面膜の膜厚は１μｍ以上１００μｍ以下
であることを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項７】 請求項５記載のメタルマスクにおいて、
前記フォトレジスト材料はノボラック樹脂系の高分子材
料からなるポジ型レジスト材であることを特徴とするメ
タルマスク。 - 【請求項８】 請求項５記載のメタルマスクにおいて、
前記フォトレジスト材料はゴム系高分子材料からなるネ
ガ型レジスト材であることを特徴とするメタルマスク。 - 【請求項９】 予め開口処理のなされたメタルマスクに
浸漬法にて膜形成を行うことを特徴とするメタルマスク
の表面膜の製造方法。
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|---|---|
| JP2003117452A true JP2003117452A (ja) | 2003-04-22 |
| JP3929276B2 JP3929276B2 (ja) | 2007-06-13 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-10-16 JP JP2001317599A patent/JP3929276B2/ja not_active Expired - Fee Related
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