JPH07300664A - メタルマスクの製造方法とその再生方法 - Google Patents
メタルマスクの製造方法とその再生方法Info
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- JPH07300664A JPH07300664A JP9187594A JP9187594A JPH07300664A JP H07300664 A JPH07300664 A JP H07300664A JP 9187594 A JP9187594 A JP 9187594A JP 9187594 A JP9187594 A JP 9187594A JP H07300664 A JPH07300664 A JP H07300664A
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- metal mask
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メタルマスクに関し、繰り返し使用すること
を目的とする。 【構成】 金属薄板1を写真蝕刻して所定位置に所定の
ピッチで孔2を開けてメタルマスク3を形成した後、こ
の金属薄板1に耐熱性樹脂よりなるフィルム4を貼着し
て金属薄板1の側よりレーザ6を照射してアブレーショ
ン加工を行い、孔2の位置にあるフィルム4を溶発して
マスク8を作り、このマスク8の金属側に被処理基板9
を密着させて膜形成を行った後、このマスク8より、フ
ィルム4を剥離し、上記の方法によりメタルマスク3を
再生させて使用する。
を目的とする。 【構成】 金属薄板1を写真蝕刻して所定位置に所定の
ピッチで孔2を開けてメタルマスク3を形成した後、こ
の金属薄板1に耐熱性樹脂よりなるフィルム4を貼着し
て金属薄板1の側よりレーザ6を照射してアブレーショ
ン加工を行い、孔2の位置にあるフィルム4を溶発して
マスク8を作り、このマスク8の金属側に被処理基板9
を密着させて膜形成を行った後、このマスク8より、フ
ィルム4を剥離し、上記の方法によりメタルマスク3を
再生させて使用する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は繰り返し再生が可能なメ
タルマスクの製造方法と再生方法に関する。大量の情報
を迅速に処理する必要から、情報処理装置の主体を構成
する半導体集積回路は単位素子の小型化による集積化が
進んでLSIやVLSIが実用化されており、更にUL
SIが実用化されつゝある。
タルマスクの製造方法と再生方法に関する。大量の情報
を迅速に処理する必要から、情報処理装置の主体を構成
する半導体集積回路は単位素子の小型化による集積化が
進んでLSIやVLSIが実用化されており、更にUL
SIが実用化されつゝある。
【0002】こゝで、半導体集積回路の形成には薄膜形
成技術,写真蝕刻技術(ホトリソグラフィ),不純物元
素注入技術などが使用されるが、光源として紫外線やエ
キシマレーザを使用する写真蝕刻技術にはメタルマスク
が使用されている。
成技術,写真蝕刻技術(ホトリソグラフィ),不純物元
素注入技術などが使用されるが、光源として紫外線やエ
キシマレーザを使用する写真蝕刻技術にはメタルマスク
が使用されている。
【0003】
【従来の技術】メタルマスクは厚さが100 μm 程度でス
テンレス鋼,42アロイ(42%Ni・Fe合金),コバール
(29Ni・17Co・Fe合金)などの薄板を選択エッチングし
てパターン形成したもので、真空蒸着やスパッタに当た
り、被処理基板上に選択的に薄膜をパターン形成する手
段として用いられている。
テンレス鋼,42アロイ(42%Ni・Fe合金),コバール
(29Ni・17Co・Fe合金)などの薄板を選択エッチングし
てパターン形成したもので、真空蒸着やスパッタに当た
り、被処理基板上に選択的に薄膜をパターン形成する手
段として用いられている。
【0004】さて、半導体集積回路はパッケージング技
術の改良により電極端子にはんだボールを使用するフリ
ップチップタイプが多く使用されるようになったが、実
装方法も改良され、多層セラミック回路基板上に複数の
フリップチップタイプの半導体集積回路を搭載し、これ
を取り替え単位として装置を構成するマルチ・チップ・
モジール(Multi-Chip-Module 略称MCM)が実用化さ
れつゝある。
術の改良により電極端子にはんだボールを使用するフリ
ップチップタイプが多く使用されるようになったが、実
装方法も改良され、多層セラミック回路基板上に複数の
フリップチップタイプの半導体集積回路を搭載し、これ
を取り替え単位として装置を構成するマルチ・チップ・
モジール(Multi-Chip-Module 略称MCM)が実用化さ
れつゝある。
【0005】こゝで、多層回路基板に設けてあるビア
(Via)を通してアルミナなどの基板上にパターン形成さ
れているパッド(Pad) あるいはバンプ(Bump)の数は異常
に多い。例えば、チップの大きさが13 mm 角のLSIを
20個搭載するMCMの場合は、直径が100 μm のパッド
を250 μm ピッチで57625 個配列する必要がある。
(Via)を通してアルミナなどの基板上にパターン形成さ
れているパッド(Pad) あるいはバンプ(Bump)の数は異常
に多い。例えば、チップの大きさが13 mm 角のLSIを
20個搭載するMCMの場合は、直径が100 μm のパッド
を250 μm ピッチで57625 個配列する必要がある。
【0006】そこで、従来はステンレス鋼,42アロイ,
コバールの何れかの金属薄板を用い、写真蝕刻技術を用
いて多数の孔開けを行なってメタルマスクを作り、これ
を使用して薄膜の形成を行なっているが、殆どの場合、
マスクは一回限りで使い捨てられている。すなわち、再
度使用すると薄膜形成材料により孔塞ぎが生じている恐
れがあり、また、マスク上に付着している薄膜形成材料
のみを選択的にエッチングして溶解させることが難し
く、パターン精度を低下させるからである。
コバールの何れかの金属薄板を用い、写真蝕刻技術を用
いて多数の孔開けを行なってメタルマスクを作り、これ
を使用して薄膜の形成を行なっているが、殆どの場合、
マスクは一回限りで使い捨てられている。すなわち、再
度使用すると薄膜形成材料により孔塞ぎが生じている恐
れがあり、また、マスク上に付着している薄膜形成材料
のみを選択的にエッチングして溶解させることが難し
く、パターン精度を低下させるからである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】真空蒸着やスパッタな
どの薄膜形成技術を使用して被処理基板上に微細パター
ンを形成する際にメタルマスクは一般に使用されている
が、微細パターンの品質を保持する必要から殆どの場
合、使い捨てられている。
どの薄膜形成技術を使用して被処理基板上に微細パター
ンを形成する際にメタルマスクは一般に使用されている
が、微細パターンの品質を保持する必要から殆どの場
合、使い捨てられている。
【0008】然し、量産工程においてはメタルマスクの
使い捨てはコスト低減の点から好ましくなく、また、製
造効率の向上の見地からも好ましくない。そこで、メタ
ルマスクの再生が課題である。
使い捨てはコスト低減の点から好ましくなく、また、製
造効率の向上の見地からも好ましくない。そこで、メタ
ルマスクの再生が課題である。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題は金属薄板を
写真蝕刻して所定位置に所定のピッチで孔開けを行って
マスクを形成した後、この金属薄板に耐熱性樹脂よりな
るフィルムを貼着して金属薄板側よりレーザを照射して
アブレーション加工を行い、孔開け位置にあるフィルム
を除去してマスクを作り、このマスクの金属側に被処理
基板を密着させて膜形成を行った後、このマスクより、
フィルムを剥離し、上記の方法によりメタルマスクを再
生させることにより解決することができる。
写真蝕刻して所定位置に所定のピッチで孔開けを行って
マスクを形成した後、この金属薄板に耐熱性樹脂よりな
るフィルムを貼着して金属薄板側よりレーザを照射して
アブレーション加工を行い、孔開け位置にあるフィルム
を除去してマスクを作り、このマスクの金属側に被処理
基板を密着させて膜形成を行った後、このマスクより、
フィルムを剥離し、上記の方法によりメタルマスクを再
生させることにより解決することができる。
【0010】
【作用】本発明はメタルマスクを繰り返して使用するた
めと、アスペクト比を向上する方法としてポリイミドの
ような耐熱性フィルムをメタルマスクの補助手段に使用
するものである。
めと、アスペクト比を向上する方法としてポリイミドの
ような耐熱性フィルムをメタルマスクの補助手段に使用
するものである。
【0011】こゝで、合成樹脂をマスクとして使用する
場合の必要条件は、 真空蒸着やスパッタのような金属粒子の衝突により
発生する熱により溶解したり変形したりしない材料から
なっていること、 メタルマスクの同様な精度でマスクが形成されてい
ること、 樹脂フィルムがメタルマスクに密着していること、
などである。
場合の必要条件は、 真空蒸着やスパッタのような金属粒子の衝突により
発生する熱により溶解したり変形したりしない材料から
なっていること、 メタルマスクの同様な精度でマスクが形成されてい
ること、 樹脂フィルムがメタルマスクに密着していること、
などである。
【0012】発明者はポリイミドのような耐熱性樹脂は
このような目的に適し、また、片面に粘着剤が塗布して
ある粘着シートが市販されていることに着目した。そし
て、このポリイミドフイルムにアブレーション(溶発,
Ablation) 加工を施すことにより精度の良いパターンを
作るものである。
このような目的に適し、また、片面に粘着剤が塗布して
ある粘着シートが市販されていることに着目した。そし
て、このポリイミドフイルムにアブレーション(溶発,
Ablation) 加工を施すことにより精度の良いパターンを
作るものである。
【0013】すなわち、通常の有機物は紫外域に強い吸
収があるために、エキシマレーザ光のような強い(〜10
0 MW/cm2)紫外線パルスを照射すると一瞬のうちに化
学結合が破壊されて表面層が蒸発すると云う性質があ
る。
収があるために、エキシマレーザ光のような強い(〜10
0 MW/cm2)紫外線パルスを照射すると一瞬のうちに化
学結合が破壊されて表面層が蒸発すると云う性質があ
る。
【0014】この現象をアブレーションと言い、レーザ
アブレーション加工はこの現象を利用したものである。
一方、レーザ加工法としては、イットニウム・アルミニ
ウム・ガーネット・レーザ(略称YAGレーザ,波長1.
06μm ) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波長10.6μm )
など赤外線の熱エネルギーを利用するものがあるが、周
囲への熱的損傷が大きく、本発明の目的には適さない。
アブレーション加工はこの現象を利用したものである。
一方、レーザ加工法としては、イットニウム・アルミニ
ウム・ガーネット・レーザ(略称YAGレーザ,波長1.
06μm ) や炭酸ガスレーザ(CO2レーザ, 波長10.6μm )
など赤外線の熱エネルギーを利用するものがあるが、周
囲への熱的損傷が大きく、本発明の目的には適さない。
【0015】すなわち、本発明はメタルマスクにポリイ
ミドのような耐熱性樹脂よりなるフィルムを貼り付け、
メタルマスクを通してエキシマレーザを照射してアブレ
ーション加工を行ってマスクを作るもので、アブレーシ
ョン加工による断面はシャープであってパターン精度を
低下させることはない。
ミドのような耐熱性樹脂よりなるフィルムを貼り付け、
メタルマスクを通してエキシマレーザを照射してアブレ
ーション加工を行ってマスクを作るもので、アブレーシ
ョン加工による断面はシャープであってパターン精度を
低下させることはない。
【0016】そして、このマスクのフィルム面を蒸発源
に対向させて真空蒸着またはスパッタを行い、被処理基
板上への薄膜パターン形成処理が終わった後は、メタル
マスクから蒸着物が付着しているフィルムを剥離し、メ
タルマスクを再生させるものである。
に対向させて真空蒸着またはスパッタを行い、被処理基
板上への薄膜パターン形成処理が終わった後は、メタル
マスクから蒸着物が付着しているフィルムを剥離し、メ
タルマスクを再生させるものである。
【0017】このような方法を使用すると繰り返してメ
タルマスクを使用することができ、また、メタルマスク
単独の場合よりも、フィルムの厚さだけ厚いマスクが形
成できることから、アスペクト比の大きなマスクを形成
することができる。
タルマスクを使用することができ、また、メタルマスク
単独の場合よりも、フィルムの厚さだけ厚いマスクが形
成できることから、アスペクト比の大きなマスクを形成
することができる。
【0018】
【実施例】図1は本発明の実施法を示す実施例の断面図
であり、まず、直径4インチで厚さが100 μm のコバー
ルよりなる金属薄板1に写真蝕刻技術を使用して直径10
0μm の孔2が250 μm ピッチで57624 個マトリックス
状に孔開されているメタルマスク3を形成した。こゝ
で、孔2は大きさが13 mm 角のLSIチップを20個搭載
するためのパッド形成用である。(以上同図A) 次に、厚さが50μm でポリイミドよりなる粘着性をもつ
フィルム(市販名カプトンテープ)4をメタルマスク3
に貼着した。(以上同図B) 次に、図示を省略したが、フィルム4の裏面にフェライ
ト磁石を配置し、メタルマスク3をフィルム4に密着さ
せた状態でメタルマスク3の側から弗化クリプトン(Kr
F)エキシマレーザ6を照射し、レーザアレーション加工
を行なった。加工条件は発振波長:248nm,出力:250mJ/
パルス(パルス幅16ns),露光強度:1パルス当たり1.4
J/cm2 である。( 以上同図C) 次に、このようにして形成したマスク8のメタルマスク
3の側に被処理基板(セラミック多層回路基板)9のビ
アを孔2に対向させて正確に位置決めすると共に、背後
にフェライト磁石を配置し、マスク8を密着させた状態
で、クローム(Cr) ,ニッケル(Ni),金(Au)をそれぞれ
約1000Åずつ連続的に蒸着させてパッドを形成した。(
以上同図D) 次に、被処理基板9よりマスク8を外した後、フィルム
4を取り除いてメタルマスク3を得たが、損傷しておら
ず、再使用が可能であった。(以上同図E)
であり、まず、直径4インチで厚さが100 μm のコバー
ルよりなる金属薄板1に写真蝕刻技術を使用して直径10
0μm の孔2が250 μm ピッチで57624 個マトリックス
状に孔開されているメタルマスク3を形成した。こゝ
で、孔2は大きさが13 mm 角のLSIチップを20個搭載
するためのパッド形成用である。(以上同図A) 次に、厚さが50μm でポリイミドよりなる粘着性をもつ
フィルム(市販名カプトンテープ)4をメタルマスク3
に貼着した。(以上同図B) 次に、図示を省略したが、フィルム4の裏面にフェライ
ト磁石を配置し、メタルマスク3をフィルム4に密着さ
せた状態でメタルマスク3の側から弗化クリプトン(Kr
F)エキシマレーザ6を照射し、レーザアレーション加工
を行なった。加工条件は発振波長:248nm,出力:250mJ/
パルス(パルス幅16ns),露光強度:1パルス当たり1.4
J/cm2 である。( 以上同図C) 次に、このようにして形成したマスク8のメタルマスク
3の側に被処理基板(セラミック多層回路基板)9のビ
アを孔2に対向させて正確に位置決めすると共に、背後
にフェライト磁石を配置し、マスク8を密着させた状態
で、クローム(Cr) ,ニッケル(Ni),金(Au)をそれぞれ
約1000Åずつ連続的に蒸着させてパッドを形成した。(
以上同図D) 次に、被処理基板9よりマスク8を外した後、フィルム
4を取り除いてメタルマスク3を得たが、損傷しておら
ず、再使用が可能であった。(以上同図E)
【0019】
【発明の効果】本発明の使用により、従来、使い捨てら
れていたメタルマスクの再使用が可能となり、これによ
りMCM製造工程におけるコスト低減が可能となる。
れていたメタルマスクの再使用が可能となり、これによ
りMCM製造工程におけるコスト低減が可能となる。
【図1】 本発明の実施法を示す断面図である。
2 孔 3 メタルマスク 4 フィルム 6 レーザ 9 被処理基板
Claims (2)
- 【請求項1】 金属薄板(1)を写真蝕刻して所定位置
に所定のピッチで孔(2)を開けてメタルマスク(3)
を形成した後、該金属薄板(1)に耐熱性樹脂よりなる
フィルム(4)を貼着し、該金属薄板(1)側よりレー
ザ(6)を照射してアブレーション加工を行い、孔
(2)の位置にあるフィルム(4)を分解蒸発させるこ
とを特徴とするメタルマスクの製造方法。 - 【請求項2】 前記マスク(8)の金属側に被処理基板
(9)を密着させて該被処理基板(9)上に選択的に膜
形成を行った後、該マスク(8)より、フィルム(4)
を剥離し、請求項1記載の方法によりメタルマスク
(3)を再生させることを特徴とするメタルマスクの再
生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187594A JPH07300664A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187594A JPH07300664A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300664A true JPH07300664A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14038740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187594A Withdrawn JPH07300664A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300664A (ja) |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |