JP2003129089A

JP2003129089A - 洗浄用組成物

Info

Publication number: JP2003129089A
Application number: JP2001326948A
Authority: JP
Inventors: Mitsushi Itano; 充司板野; Takehiko Kezuka; 健彦毛塚
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2001-10-24
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2003-05-08
Also published as: WO2003035815A1; US20050003977A1; KR20040047959A; CN1575331A; TWI264068B; EP1447440A4; EP1447440A1; KR100671249B1

Abstract

(57)【要約】【課題】酸化膜表面の荒れのない洗浄用組成物を提供す
る。【解決手段】(1)ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン
類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモ
ニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ
化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の
少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少
なくとも１種；及び(3)水を含むことを特徴とする洗浄
用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程で
用いる洗浄用組成物に関する。具体的には、ＳＴＩ、メ
タルゲート，コンタクトホール、ビィアホール、キャパ
シタなどの洗浄、レジスト由来のポリマー剥離やＣＭＰ
後洗浄時において、表面の荒れを起こさない洗浄用組成
物に関する。該組成物は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子
或いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される。

【０００２】

【従来の技術及びその課題】従来、半導体素子における
ゲート電極の材料としてはpoly-Siが使用されていた
が、微細化に伴い、ゲート電極の材料がタングステン、
銅、アルミニウムなどの金属となる可能性がある。しか
し、ゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄用組
成物として現在使用しているＳＰＭ（Ｈ₂ＳＯ₄−Ｈ₂Ｏ₂
−Ｈ₂Ｏ）、ＡＰＭ（ＮＨ₄ＯＨ−Ｈ₂Ｏ₂−Ｈ₂Ｏ）、Ｈ
ＰＭ（ＨＣｌ−Ｈ₂Ｏ₂−Ｈ₂Ｏ）、ＤＨＦ（ＨＦ−Ｈ
₂Ｏ）等は金属を腐食しやすいので、レジストなどに由
来するポリマー、自然酸化膜などを除去でき、且つ金属
を腐食しにくい洗浄用組成物が求められている。

【０００３】一方、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶
パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、
アルミニウム−銅合金等の導電性金属膜やＳｉＯ₂膜等
の絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し、リソグラ
フィー技術によりレジストパターンを形成し、導電性金
属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、残存するレジス
トをアッシング、ポリマー剥離用組成物等により除去し
て製造されている。

【０００４】ポリマー剥離用組成物としては、例えば特
開平９−１９７６８１号公報及び特開２０００−４７４
０１号公報に記載されるように、フッ化物塩水溶液に、
ＤＭＦ、ＤＭＳＯなどの水溶性有機溶媒、必要に応じて
さらにフッ化水素酸を加えたものが知られている。しか
しながら、金属に対する低腐食性とポリマーの高剥離性
は両立することが困難であり、従来のポリマー剥離用組
成物はこれらのバランスにおいて改善の余地があった。

【０００５】また、ＩＣの素子構造が複雑になり、多層
配線化が進むと、配線形成にシングルダマシンやデュア
ルダマシンプロセスが使用される。当該プロセスには研
磨剤を用いた表面の研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanica
l Polishing）が含まれるため、ダマシンプロセス後の
被処理物の表面には、研磨剤に起因する粒子が数多く付
着したり、研磨中に膜の表面に粒子が食い込んだ状態に
なっている。通常の酸化膜のＣＭＰを行った後には、Ｄ
ＨＦ（ＨＦ−Ｈ₂Ｏ）やＡＰＭ（ＮＨ₄ＯＨ−Ｈ ₂Ｏ₂−Ｈ
₂Ｏ）等の洗浄用組成物を用いたブラシ洗浄が行われて
いる。しかし、ダマシン工程では、被洗浄面に金属（Ａ
ｌ、ＡｌＣｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ、など）が存在しており、
上記したような洗浄用組成物を用いると、メタル表面が
腐食されやすく、使用し難い。

【０００６】ＷＯ００／３１７８６は、ドープ酸化膜
と熱酸化膜を等速度でエッチングするエッチング液が開
示され、具体的には(i)フッ化アンモニウムまたは一水
素二フッ化アンモニウム、(ii)水及び(iii)イソプロピ
ルアルコール（ＩＰＡ）等のヘテロ原子を有する有機溶
媒を含むエッチング液のドープ酸化膜と熱酸化膜が記載
されている。ＷＯ００／３１７８６に開示されるＮＨ₄
ＦないしＮＨ₄Ｆ・ＨＦ／水／ＩＰＡからなるエッチン
グ液を用いて熱酸化膜をエッチングすると、エッチング
後の酸化膜表面の荒れが起こる不具合があった。

【０００７】本発明の目的は、金属（Ａｌ、Ａｌ−Ｃ
ｕ、Ｃｕ、Ｗ、ＷＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ）に対する低腐食性
とシリコン酸化膜に対する低ダメージ性とポリマーや自
然酸化膜などの洗浄性を兼ね備え、かつ、被洗浄表面の
荒れを起こさない，ＳＴＩ、メタルゲート、コンタクト
ホール、ビィアホール、キャパシタなどの洗浄用組成物
を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は下記の各
項に示す発明を提供するものである。項１． (1)ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、
芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウ
ム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水
素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なく
とも１種；及び(3)水を含むことを特徴とする洗浄用組
成物。項１２．項１に記載の洗浄剤組成物を用いてＳＴＩ、
メタルゲート、コンタクトホール、ビィアホール及びキ
ャパシタの少なくとも１種が形成された半導体基板を洗
浄する方法。項１３．エッチング処理後又はイオンインプランテー
ション処理後に被処理物に残存するレジスト由来のポリ
マーを，(1)ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、
芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウ
ム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水
素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なく
とも１種；及び(3)水を含む組成物を用いて剥離する方
法。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の組成物は (1)ヒドロキシ
ルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族
ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ば
れる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ
化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；(2)ヘテロ
原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び(3)水を
含むことを特徴とする組成物であり、半導体の製造工程
において、ＳＴＩ、メタルゲート，コンタクトホール、
ビィアホール、キャパシタなどの洗浄に用いることがで
きる組成物である。該洗浄用組成物は、ＳＴＩ、コンタ
クトホール、キャパシタ、メタルゲート、ビィアホー
ル、メタル配線などの側壁に残存したポリマー剥離のた
めに、またイオンインプランテーション後のレジスト残
渣除去やシングルダマシン又はデュアルダマシンプロセ
スにおけるドライエッチング後の付着ポリマーの剥離、
或いはシングルダマシンやデュアルダマシンプロセスに
おけるＣＭＰ後の洗浄のために用いることもできる。

【００１０】本発明の洗浄用組成物に含まれるヒドロキ
シルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪
族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選
ばれる少なくとも１種は、フッ化水素酸と塩を形成し得
るものである。

【００１１】ヒドロキシルアミン類としては、N,N-ジメ
チルヒドロキシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミ
ン、N,N-ジエチルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒド
ロキシルアミン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの
直鎖又は分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフ
ェニル基で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙
げられる。

【００１２】脂肪族アミン類としては、エチルアミン、
プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、
ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデ
シルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロ
ピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリイソプロピルアミン、トリブチルアミンなど
の直鎖又は分枝を有する炭素数１〜８のアルキル基で
１、２または３置換された脂肪族アミン；モノフルオロ
メチルアミン、ジフルオロメチルアミン、トリフルオロ
メチルアミン、パーフルオロエチルアミン、パーフルオ
ロプロピルアミン、パーフルオロイソプロピルアミン、
パーフルオロブチルアミン、パーフルオロヘキシルアミ
ン、パーフルオロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメ
チル）アミン、ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ
（パーフルオロプロピル）アミン、ジ（パーフルオロイ
ソプロピル）アミン、ジ（パーフルオロブチル）アミ
ン、トリ（パーフルオロメチル）アミン、トリ（パーフ
ルオロエチル）アミン、トリ（パーフルオロプロピル）
アミン、トリ（パーフルオロイソプロピル）アミン、ト
リ（パーフルオロブチル）アミンなどの直鎖又は分枝を
有する少なくとも１つのフッ素原子含有Ｃ₁〜₈アルキル
基で１、２または３置換された脂肪族アミン；モノエタ
ノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエ
チルアミノ）エタノール、ジエタノールアミン、２−エ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エ
チルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシ
クロヘキシルアミンなどが挙げられる。

【００１３】芳香族アミン類としては、アニリン、N-メ
チルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなど
が挙げられる。

【００１４】脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩
としては、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピル
アンモニウム、テトライソプロピルアンモニウム、テト
ラブチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウムな
どの脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの塩酸塩、
臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩が挙げられ
る。

【００１５】本発明の好ましいフッ化水素酸塩は、一般
式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・Ｆ（Ｒ¹はフッ素及び／又はヒドロキシル基で置換されて
もよい直鎖もしくは分岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、
フッ素原子で置換されてもよいフェニル基又はヒドロキ
シル基を示す。Ｒ²は同一又は異なって、フッ素及び／
又はヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖もしくは分
岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、フッ素原子で置換され
てもよいフェニル基又は水素原子を示す。）で表され
る。

【００１６】本発明の好ましいフッ化水素酸塩は、一般
式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・ＨＦ₂ （Ｒ¹及びＲ²は前記に定義されるとおりである。）で表
される。

【００１７】本発明組成物に含まれる重フッ化物塩は、
重フッ化物塩の結晶又は水溶液を加えてもよく、理論量
のフッ化物塩とＨＦを加えて、組成物中で重フッ化物塩
を形成させてもよい。

【００１８】本発明組成物に含まれるヘテロ原子を有す
る有機溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノン；メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）、１−プロパノール、１−ブタノ
ール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、２−メチル−
１−プロパノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノー
ル、１−ヘプタノール、４−ヘプタノール、１−オクタ
ノール、１−ノニルアルコール、１−デカノール、１−
ドデカノールなどのアルコール類；エチレングリコー
ル、１，２−プロパンジオール、プロピレングリコー
ル、２，３−ブタンジオール、グリセリンなどのポリオ
ール類；アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケ
トン、1,3-ジヒドロキシアセトン等のケトン類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド
などのアルデヒド類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキレン
グリコールモノアルキルエーテル；テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の環状エーテル類；トリフルオロエタ
ノール、ペンタフルオロプロパノール、2,2,3,3-テトラ
フルオロプロパノール等のフッ素アルコール；スルホラ
ン及びニトロメタンが例示される。より好ましくはアル
コール類およびケトン類からなる含酸素有機溶媒が挙げ
られる。具体的には、メタノール、エタノール、n-プロ
パノール、イソプロパノール(IPA)などのアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、1,3-ジヒドロキシ
アセトンなどのケトン類がより好ましく挙げられる。こ
れらヘテロ原子を有する有機溶媒は、単独で、又は２種
以上組み合わせて用いることができる。

【００１９】本発明組成物において、含酸素有機溶媒が
イソプロピルアルコール、エタノール及びメタノールか
らなる群から選ばれる少なくとも１種である場合、水の
濃度が１０質量％以下であることが好ましい。

【００２０】本発明の組成物は、アルコール類を溶媒と
した場合、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩の少な
くとも１種を０．００１〜１０質量％、(2)アルコール
類８０〜９９．９８９質量％、及び(3)水を０．０１〜
１０質量％含み；好ましくは(1)フッ化物塩及び重フッ
化物塩の少なくとも１種を０．００５〜５質量％、(2)
アルコール類８５〜９９．９８５質量％、及び(3)水を
０．０１〜１０質量％含む。

【００２１】より具体的には、(1) 一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・Ｆ（Ｒ¹はフッ素及び／又はヒドロキシル基で置換されて
もよい直鎖もしくは分岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、
フッ素原子で置換されてもよいフェニル基又はヒドロキ
シル基を示す。Ｒ²は同一又は異なって、フッ素及び／
又はヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖もしくは分
岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、フッ素原子で置換され
てもよいフェニル基又は水素原子を示す。）で表される
フッ化物塩の濃度が１０質量％以下及び／又は一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・ＨＦ₂ （Ｒ¹及びＲ²は前記に定義されるとおりである。）で表
される重フッ化物塩の濃度が0.001〜１０質量％、(3)水
濃度が１０質量％以下、(2)残部がイソプロピルアルコ
ール、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれ
る少なくとも１種である組成物が好ましい。

【００２２】本発明の組成物は、さらに、(4)界面活性
剤を含有することもできる。界面活性剤としては、アニ
オン系、カチオン系及び非イオン系界面活性剤のいずれ
か１種又は２種以上を含有していてもよい。これら界面
活性剤としては、アニオン系界面活性剤が好ましい。ア
ニオン系界面活性剤としては、親水基が一般式 −ＣＯ
ＯＭ、−ＳＯ₃Ｍ、−ＯＳＯ₃Ｍ（Ｍは水素原子、アンモ
ニウム又は金属原子を示す）であるそれぞれカルボン酸
型、スルホン酸型、硫酸エステル型の界面活性剤が好ま
しい。塩としては、アルカリ金属（例えばナトリウム、
カリウム）などの金属塩、アンモニウム塩、第一、第二
又は第三アミン塩が挙げられる。金属原子は、１価又は
２価であってもよい。これらの中でもスルホン酸型のア
ニオン系界面活性剤が好ましい。

【００２３】カルボン酸型の界面活性剤としては、ＣＦ
₃（ＣＦ₂）_aＣＯＯＨ、（ＣＦ₃）₂ＣＦ（ＣＦ₂）_aＣＯ
ＯＨ、ＨＣＦ₂（ＣＦ₂）_aＣＯＯＨ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）
_a（ＣＨ ₂）_bＣＯＯＨ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_aＣＦ＝ＣＨ（Ｃ
Ｈ₂）_bＣＯＯＨ、Ｃl（ＣＦ₂ＣＦＣl）_pＣＦ₂ＣＯＯＨ
｛ただし、ａは２〜１７の整数、ｂは１〜２の整数、ｐ
は１〜９の整数である。｝並びにこれらのアルカリ金属
塩、アンモニウム塩、第一アミン塩、第二アミン塩、第
三アミン塩などが挙げられる。

【００２４】これらの具体例としては、ＣＦ₃（ＣＦ₂）
_aＣＯＯＮａ、（ＣＦ₃）₂ＣＦ（ＣＦ₂）_aＣＯＯＮａ、
ＨＣＦ₂（ＣＦ₂）_aＣＯＯＮａ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_a（ＣＨ
₂）_bＣＯＯＮａ、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_aＣＦ＝ＣＨ（ＣＨ₂）
_bＣＯＯＮａ、Ｃl（ＣＦ₂ＣＦＣl）_pＣＦ₂ＣＯＯＮａな
どが挙げられる。

【００２５】スルホン酸型の界面活性剤としては、Ｃ_c
Ｈ_2c+1ＳＯ₃Ｈ、Ｃ_cＨ_2c+1Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_dＳＯ₃Ｈ
又はＣ_cＨ_2c+1−ｐｈ−ＳＯ₃Ｈ｛式中、ｐｈはフェニレ
ン基、ｃは５〜２０の整数、ｄは０〜２０の整数を示
す｝；Ｃ_nＨ_mＣ₆Ｈ₃（ＳＯ₃Ｈ）Ｏｐｈ（ＳＯ₃Ｈ）｛ｐ
ｈはフェニレン基、ｎは１〜３０の整数、ｍは３〜６１
の整数を示す｝、Ｃ_nＨ_mｐｈ（ＳＯ₃Ｈ）｛ｐｈはフェ
ニレン基、ｎは１〜３０の整数、ｍは３〜６１の整数を
示す｝；及びこれらの金属塩、アンモニウム塩、第一ア
ミン塩、第二アミン塩、第三アミン塩などが挙げられ
る。

【００２６】これらの具体例としてはＣ₁₂Ｈ₂₅Ｏ(ＣＨ₂
ＣＨ₂Ｏ)₂ＳＯ₃Ｎａ、Ｃ₉Ｈ₁₉ｐｈＯ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₄
ＳＯ₃Ｎａ、Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₄ＳＯ₃Ｎａ、
Ｃ₆Ｆ₁₁ｐｈＳＯ₃Ｎａ、Ｃ₉Ｆ₁₉ＯｐｈＳＯ₃Ｎａ、
Ｒ''''ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_jＳＯ₃Ｎａ｛Ｒ''''は、Ｃ_j
Ｈ_m、Ｃ_jＦ_m又はＣ_jＨ_kＦ_lを示し、ｊは０〜３０の整
数、ｍは１〜６１の整数、ｋは１〜６０の整数、ｌは１
〜６０の整数を示す｝、Ｃ ₁₂Ｈ₂₅ＯＳＯ₃Ｎａ、Ｃ₁₂Ｈ
₂₅ｐｈＣ₆Ｈ₃(ＳＯ₃Ｈ)Ｏｐｈ(ＳＯ₃Ｈ)が例示される。

【００２７】アニオン系界面活性剤としては、上記に例
示したものの中でも、Ｃ_nＨ_mＣ₆Ｈ₃（ＳＯ₃Ｈ）Ｏｐｈ
（ＳＯ₃Ｈ）｛ｐｈはフェニレン基、ｎは１〜３０の整
数、ｍは３〜６１の整数を示す｝で表される化合物及び
Ｃ_nＨ_mｐｈ（ＳＯ₃Ｈ）｛ｐｈ、ｎ及びｍは前記に定義
された通りである｝で表される化合物並びにこれらの金
属塩、アンモニウム塩、第一、第二、第三アミン塩など
が好ましく用いられる。

【００２８】なお、上記式中、C_nH_mで表される基として
は、ｎが１〜３０の整数、かつ、ｍが３〜６１の整数で
ある条件を満たす基であり、具体的には直鎖または分枝
を有する脂肪族アルキル基、１以上の二重結合を有する
脂肪族アルケニル基、分枝を有してもよい脂環式アルキ
ル基、分枝を有してもよい脂環式アルケニル基、芳香族
アルキル基が例示される。

【００２９】非イオン系界面活性剤としては、親水基が
一般式 −Ｒ'（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_qＲ''又は−Ｒ'Ｏ（ＣＨ
₂ＣＨ₂Ｏ）_qＲ''｛前記式中、Ｒ''は水素原子又は炭素
数１〜１０のアルキル基、Ｒ'は水素原子がフッ素原子
で置換されていることのある炭素数１〜２０の炭化水素
基、ｑは０〜３０の整数を示す。｝であるポリエチレン
グリコール型の界面活性剤が好ましい。具体的には下記
のものが挙げられる。

【００３０】Ｃ₉Ｆ₁₇Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_qＣＨ₃（ｑ＝
０〜３０）、Ｃ₉Ｈ₁₉ｐｈ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｈ、Ｃ₁₂
Ｈ₂₅Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₉Ｈ、Ｃ₉Ｈ₁₉ｐｈＯ（ＣＨ₂Ｃ
Ｈ₂Ｏ）₁₀Ｈ、Ｃ₉Ｈ₁₉ｐｈＯ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₅Ｈ、Ｃ₈
Ｈ₁₇ｐｈＯ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₃Ｈ、Ｃ₈Ｈ₁₇ｐｈ（ＣＨ₂
ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｈ｛式中、ｐｈはフェニレン基を示す｝。

【００３１】カチオン系界面活性剤としてはR'''NH₂で
表される１級アミン、R'''₂NHで表される２級アミン、
R'''₃Nで表される３級アミン、[R'''₄N]M'で表される４
級アミンが挙げられる（ここでR'''は、同一又は異なっ
て、フッ素原子もしくはOH基で置換されても良い直鎖も
しくは分岐を有する炭素数１〜３０のアルキル基、フッ
素原子もしくはOH基で置換されても良いフェニル基又は
水素原子を示す。また、M'は一価の陰イオン（例えばCl
^-）を示す。）具体的には下記のような化合物が挙げら
れる。

【００３２】CH₃(CH₂)nNH₂, (CH₃(CH₂)n)₂NH, (CH₃(C
H₂)n)₃N, (CH₃(CH₂)n)₄NCl, CH₃(CH₂)nN((CH₂)nOH)₂, C
F₃(CF₂)nNH₂, (CF₃(CF₂)n)₂NH, (CF₃(CF₂)n)₃N, (CF₃(C
F₂)n)₄NCl, CF₃(CF₂)nN((CH₂)nOH)₂, C₆H₅NH₂, (CH₃)
₂(CH₂)nNH₂｛前記式中、ｎは１〜３０の整数であ
る。｝。

【００３３】界面活性剤の含有量は、本発明所期の効果
が発揮される限り特に限定されるものではないが、通
常、0.0001〜10質量％程度であり、0.001〜5質量％程度
が好ましく、特に0.01〜1質量％程度が好ましい。

【００３４】界面活性剤がアニオン系面活性剤の場合
は、０．００１〜１０質量％であることが好まい。

【００３５】また、本発明の組成物がアニオン系界面活
性剤を含有する場合、水の含有量は６０質量％以下であ
ることが好ましい。

【００３６】本発明の組成物がアニオン系界面活性剤を
含有する場合は、通常(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種を０．００１〜１０質量％、 (2) ヘ
テロ原子を有する有機溶媒２０〜９９．９８８質量％、
(3)水を０．０１〜６０質量％及び(4)アニオン系界面活
性剤を０．００１〜１０質量％含み；好ましくは(1)フ
ッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００
５〜１０質量％、(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒４
９．０〜９９．９７５質量％、(3)水を０．０１〜４０
質量％及び(4)アニオン系界面活性剤を０．０１〜１質
量％を含む。

【００３７】より具体的には、(1)ＮＲ₄Ｆ（Ｒは、同一
又は異なって、フッ素原子で置換されていても良い直鎖
若しくは分枝を有する炭素数１〜１２、好ましくは１〜
４のアルキル基、フッ素原子で置換されていても良いフ
ェニル基又は水素原子を示す）で表されるフッ化物塩の
濃度が１質量％以下及び／又は、ＮＲ₄ＨＦ₂（Ｒは前記
に定義されたとおりである）で表される重フッ化物塩の
濃度が0.001〜５質量％、(3)水濃度が６０質量％以下、
(4)アニオン系界面活性剤の濃度が０．００１〜１０質
量％、 (2)残部がイソプロピルアルコール、エタノール
及びメタノールからなる群から選ばれる少なくとも１種
であるポリマー剥離用組成物が好ましい。

【００３８】本発明組成物は、さらに(5)防食剤を含有
していてもよい。防食剤としては、例えば、カテコー
ル、ピロガロール、オキシン等の芳香族ヒドロキシ化合
物、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール等のトリ
アゾール化合物及びその誘導体、フタル酸、サリチル
酸、アゼライン酸等のカルボキシル基含有有機化合物、
エチレンジアミン四酢酸等のアミノポリカルボン酸類、
1,2-プロパンアミンテトラメチレンホスホン酸等のホス
ホン酸類、クペロンなどのキレート剤、ピリジン誘導
体、2-メルカプトベンゾチアゾールナトリウム等のチア
ゾール化合物、テトラメチルアンモニウムギ酸塩等の第
四級アンモニウム塩、ソルビトール、アラビトール、ア
ミロース等の糖類及びその誘導体などを例示することが
できる。防食剤の含有量は、本発明所期の効果が発揮さ
れる限り特に限定されるものではないが、通常、０．０
１〜３０質量％程度であり、０．５〜１０質量％程度が
好ましい。

【００３９】本発明の(1)フッ化物塩及び重フッ化物塩
の少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒；
及び(3)水を含む組成物のＴＨＯＸ及びＢＰＳＧに対す
るエッチングレートは、２５℃で１００Å／ｍｉｎ以
下、好ましくは８０Å／ｍｉｎ以下、より好ましくは６
０Å／ｍｉｎ以下、特に好ましくは５０Å／ｍｉｎ以下
である。

【００４０】本発明組成物は、腐食され易いＡｌ、Ａｌ
−Ｃｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の基板や金属に対す
る低腐食性を有し、さらに、レジスト等に由来するポリ
マー、自然酸化膜、半導体の製造工程で発生する有機
物、粒子などの汚染物を低温且つ短時間の処理で高い洗
浄性を備えている。また、洗浄後の自然酸化膜等の表面
が、洗浄前と実質的に変化せず、表面の荒れがほとんど
或いは全くない。

【００４１】従って、本発明の組成物は、ゲート電極の
材料に金属が含まれる場合であっても、半導体製造工程
において、メタルゲート、コンタクトホール、ビアホー
ル及びキャパシタの少なくとも１種の洗浄用組成物とし
て用いることができ、得られた洗浄物は、コンタミがな
く、金属等との密着性も良好である。

【００４２】本発明においては、洗浄の対象となるの
は、半導体製造工程の途中の段階の基板であり、例えば
コンタクトホールを形成した後、メタルなどが埋め込ま
れる前の状態を洗浄する。

【００４３】より具体的には、本発明の洗浄用組成物
は、半導体製造工程において、半導体基板となるシリコ
ン基板上の絶縁層膜及びその上に形成された導電層から
なる被加工層上にレジストのパターンを形成し、該レジ
ストをマスクにして，ドライエッチングにより前記被加
工層を所定パターンに形成した後、得られた半導体基板
を洗浄する際に用いることができる。このような工程に
おいて、半導体基板上には、例えば、メタルゲートやメ
タル配線が形成されている。

【００４４】また、本発明の洗浄用組成物は、半導体製
造工程において、半導体基板のシリコン基板上の所定パ
ターンに導電層を形成し、該導電層上に絶縁層を形成し
た後、該絶縁層からなる被加工層上にレジストのパター
ンを形成して該レジストをマスクにして，ドライエッチ
ングにより前記被加工層を所定パターンに形成する工程
の後、得られた半導体基板を洗浄する際に用いることが
できる。このような工程において、半導体基板上には、
例えば、コンタクトホールが形成されている。また、か
かる工程は、シングル又はデュアルダマシンプロセスに
おけるドライエッチング工程に相当する。

【００４５】本発明の洗浄用組成物によるＳＴＩ、メタ
ルゲート、コンタクトホール、ビィアホール及びキャパ
シタの洗浄は、例えば、被処理物（例えば、ＳＴＩ、メ
タルゲート、コンタクトホール、ビィアホール及びキャ
パシタの少なくとも１つを形成した半導体基板）を該組
成物に浸漬し、例えば１５〜４０℃程度、好ましくは室
温程度で０．５〜３０分間程度処理することにより行う
ことができる。洗浄用組成物は、被処理物に接触させれ
ばよく、例えば、被処理物を回転させながらその上から
液を供給して洗浄してもよいし、被処理物に洗浄用組成
物をスプレーで吹付け続けて洗浄してもよいし、被処理
物を洗浄用組成物に浸漬して洗浄してもよい。

【００４６】本発明組成物を用いて洗浄を行った半導体
基板は、慣用されている方法（例えば、Atlas of IC Te
chnologies: An Introduction to VLSI Processes by
W. Maly, 1987 by The Benjamin/Cummings Publishing
Company Inc. に記載された方法）に従って、様々な種
類の半導体装置へと加工することができる。

【００４７】本発明洗浄用組成物は、腐食され易いＡ
ｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の基板や金
属に対する低腐食性を有し、さらに、レジスト等に由来
するポリマーを低温且つ短時間の処理で高い洗浄性を備
えている。従って、本発明洗浄用組成物は、例えば、半
導体製造プロセスにおいて、エッチング処理後に、ＳＴ
Ｉ、メタルゲート、コンタクトホール、ビィアホール、
キャパシタなどの側壁に残存するレジスト用ポリマーを
剥離することを目的として、即ち、ポリマー剥離用組成
物として用いることができる。

【００４８】本発明の洗浄用組成物は、ＳＴＩ、メタル
ゲート、コンタクトホール、ビィアホール、キャパシタ
又はｎ⁺若しくはｐ⁺領域の形成工程、或いはシングル若
しくはデュアルダマシンプロセスにおけるドライエッチ
ング後の付着ポリマーの剥離にも用いることができる。

【００４９】本発明の組成物を用いたポリマーの剥離
は、被処理物（例えばＳＴＩ、メタルゲート、コンタク
トホール、ビィアホール及びキャパシタの少なくとも１
種を形成した半導体基板）を該組成物に浸漬し、例えば
１５〜４０℃程度、好ましくは室温程度で０．５〜３０
分間程度処理することにより行うことができる。この場
合も、組成物を被処理物に接触させればポリマーの剥離
を行うことができ、例えば、被処理物を回転させながら
その上から液を供給して洗浄してもよいし、被処理物に
組成物をスプレーで吹付け続けて洗浄してもよい。

【００５０】本発明の組成物は、微細パターン（例え
ば、０．０００１〜１０μｍ程度の間隔のパターン）を
有する半導体基板に残存するポリマーの剥離に用いるの
が好ましい。

【００５１】本発明組成物を用いてポリマーの剥離を行
った半導体基板は、慣用されている方法（例えば、Atla
s of IC Technologies: An Introduction to VLSI Proc
esses by W. Maly, 1987 by The Benjamin/Cummings Pu
blishing Company Inc. に記載された方法）に従っ
て、様々な種類の半導体装置へと加工することができ
る。

【００５２】本発明の洗浄用組成物（特にポリマー剥離
に使用する場合）は、アルカリ水溶液を用いて現像でき
るレジスト（ネガ型及びポジ型レジストを含む）に有利
に使用できる。前記レジストとしては、（ｉ）ナフトキ
ノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型
レジスト、（ｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸
により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する
化合物及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジス
ト、（ｉｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸によ
り分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を
有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型レジスト、
及び（ｉｖ）光により酸を発生する化合物、架橋剤及び
アルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型レジスト等が挙げ
られるが、これに限定されるものではない。

【００５３】なお、エッチング処理後に、残存レジスト
に由来するポリマーのアッシングを行った後、本発明組
成物による洗浄又は剥離を行ってもよいが、アッシング
を行わずに、ポリマーの洗浄又は剥離を行ってもよい。

【００５４】本発明洗浄用組成物は、半導体製造工程以
外にも、液晶パネル素子の製造工程においても用いるこ
とができる。

【００５５】半導体製造工程において、シングルダマシ
ンやデュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰ後に、表
面の研磨材を除去するために洗浄工程が必要となる。本
発明の洗浄用組成物を用いれば、ＣＭＰ後に表面に残存
する研磨材をブラシなどにより除去することができる。
従って、本発明の洗浄用組成物は、半導体製造工程にお
いて、ＣＭＰ後の表面洗浄用組成物としても用いること
ができる。

【００５６】本発明の組成物によるＣＭＰ後の洗浄は、
例えば、被洗浄物を組成物に１５〜４０℃程度、好まし
くは室温程度で０．１〜３０分間程度浸漬する方法や、
被洗浄物上に組成物を１５℃〜４０℃程度、好ましくは
室温程度で、１秒〜１０分間程度流しながら行うことが
できる。洗浄工程においてブラシは使用してもしなくて
もよいが、ブラシを併用するとスラリーの除去効率が向
上するので好ましい。また、被処理物を、本発明組成物
に浸漬し、超音波洗浄（メガソニック）する事によって
も、ＣＭＰ後の洗浄を行うことができる。

【００５７】上記洗浄は、半導体基板の片面に導電層と
絶縁層が混在した被加工層、又は導電層からなる被加工
層を、ＣＭＰを行った後、例えば、プラグや配線を形成
するためのシングルダマシンプロセス、又はデュアルダ
マシンプロセスにおけるＣＭＰを行った後に行うことが
できる。

【００５８】ダマシンプロセスは、例えば液晶パネル素
子の製造工程においても用いられており、本発明組成物
は、該工程に含まれるシングルダマシンプロセス又はデ
ュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰを行った後の洗
浄にも用いることができる。

【００５９】本発明には、半導体基板の片面にシングル
ダマシンもしくはデュアルダマシンにより導電層と絶縁
層が混在した被加工層を形成する工程、及び本発明洗浄
用組成物を用いて被加工層を洗浄する工程を含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法も含まれる。

【００６０】本発明洗浄用組成物を用いてＣＭＰ後の洗
浄を行った半導体基板は、慣用されている方法（例え
ば、Atlas of IC Technologies: An Introduction to V
LSI Processes by W. Maly, 1987 by The Benjamin/Cum
mings Publishing Company Inc. に記載された方法）
に従って、様々な種類の半導体装置へと加工することが
できる。

【００６１】

【実施例】以下に実施例を示して本発明をより詳細に説
明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものでは
ない。

【００６２】なお、以下において、酸化膜のエッチング
レートはＲｕｄｏｌｆＲｅａｓｅａｃｈ社Ａｕｔｏ
ＥＬ−ＩＩＩエリプソメーターを用いてエッチング前
後の膜厚を測定することで行った。また、金属のエッチ
ングレートは共和理研社抵抗率測定器Ｋ−７０５Ｒ
Ｓを用いてエッチング前後の抵抗率を測定し、抵抗率か
ら膜厚を求めた。

【００６３】下記組成物のエッチングレートは、各組成
物を用いて２３℃で各膜をエッチングし、エッチング処
理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚の差をエッチング
時間で割って算出したものである。

【００６４】また、酸化膜の表面荒れは、日立製作所
社、走査型電子顕微鏡(S-5000)の写真撮影により観察し
た。試験例１：酸化膜のエッチングレートの測定と表面荒れ
の確認フッ化物塩、重フッ化物塩、水及びヘテロ原子を有する
有機溶媒を実施例１〜１５及び比較例１〜９に示す割合
で混合し、シリコン基板上にＴＨＯＸ（熱酸化膜）、Ｂ
ＰＳＧ膜、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜のいずれかを形成した試験
基板に対するエッチングレート及びエッチング後の表面
荒れの状態を測定した。ＴＨＯＸ、ＢＰＳＧ、ＰＥ−Ｔ
ＥＯＳの荒れ状況は「○（荒れなし）」、「△（少し荒
れ有り）」、「×（荒れ有り）」の３段階評価とした。
結果を表１に示す。実施例１〜１５及び比較例１〜９以下に示される組成の組成物を定法に従い調整した。実施例１：C2H5NH3・HF2(0.85wt%)、水(0.59wt%)、残り
IPA 実施例２：C2H5NH3・HF2(0.85wt%)、水(0.59wt%)、残り
メタノール実施例３：C2H5NH3・HF2(0.85wt%)、水(0.59wt%)、残り
エタノール実施例４：C2H5NH3・HF2(0.85wt%)、水(0.59wt%)、残り
アセトン実施例５：C2H5NH3・HF2(0.85wt%)、水(0.59wt%)、残り
酢酸実施例６：C2H5NH3・F(1.95wt%)、水(1.12wt%)、残りIP
A 実施例７：C2H5NH3・HF2(0.425wt%)、水(0.30wt%)、残
りIPA 実施例８：HOC2H4NH3・HF2(1.01wt%)、水(0.4wt%)、残
りIPA 実施例９：(CH3)2NH2・HF2(0.43wt%)、水(0.43wt%)、残
りIPA 実施例１０：(CH3)3NH2・HF2(0.99wt%)、水(1.24wt%)、
残りIPA 実施例１１：C5H11NH3・HF2(1.25wt%)、水(0.40wt%)、
残りIPA 実施例１２：C8H17NH3・HF2(2.68wt%)、水(0.4wt%)、残
りIPA 実施例１３：C10H21NH3・HF2(1.97wt%)、水(0.4wt%)、
残りIPA 実施例１４：(C2H5)4N・HF2(1.69wt%)、水(3.14wt%)、
残りIPA 実施例１５：(C6H5)CH2NH3・HF2(0.74wt%)、水(0.2wt
%)、残りIPA 比較例１：NH4・HF2(0.01wt%)、水(0.3wt%)、残りIPA 比較例２：NH4・HF2(0.08wt%)、水(0.3wt%)、残りIPA 比較例３：NH4・HF2(1.7wt%)、水(1.5wt%)、残りメタノール比較例４：NH4・HF2(2.28wt%)、水(1.5wt%)、残りエタノール比較例５：NH4・HF2(2.28wt%)、水(1.5wt%)、残りアセトン比較例６：NH4F(0.12wt%)、残り酢酸比較例７：CH3NH3・HF2(0.21wt%)、水(0.26wt%)、残りI
PA 比較例８：HONH3・HF2(0.73wt%)、水(1.13wt%)、残りIP
A 比較例９：(CH3)4N・HF2(1.13wt%)、水(2.99wt%)、残り
IPA

【００６５】

【表１】

【００６６】試験例２：メタルエッチングレートの測定フッ化物塩、重フッ化物塩、水及びヘテロ原子を有する
有機溶媒を実施例３，６，７，８，１２及び比較例１、
１０〜１２で表される割合で混合しエッチング液を調製
した。

【００６７】該エッチング液を用いて、Ａｌ−Ｃｕウェ
ハ、Ｃｕウェハ、Ｗウェハ、ＷＮウェハ、Ｔｉウェハ、
ＴｉＮウェハを各々形成した試験基板を２３℃でエッチ
ングし、それぞれの膜に対するエッチングレートを求め
た。結果を表２に示す。比較例１０〜１２以下に示される組成の組成物を定法に従い調整した。比較例１０：0.29%アンモニア水比較例１１：0.25wt%フッ酸比較例１２：HF(0.125wt%)、NH4F(40wt%)、残り水

【００６８】

【表２】

【００６９】試験例３実施例７の組成物（C2H5NH3・HF2(0.425wt%)、水(0.3wt
%)、残りIPA）において、C2H5NH3・HF2の濃度を0.425wt
%で固定し、水及びＩＰＡの比率を以下の表−３（水の
量のみを示し、残部はＩＰＡ）に示されるように変え
て、試験２と同一条件下でAl-Cu、Cu、W、WN、Ti、TNを
エッチングし、エッチングレートを測定した。結果を表
−３に示す。

【００７０】

【表３】

【００７１】試験例４：ポリマー洗浄試験表面に層間絶縁膜、その下層にＣｕ配線層を有するシリ
コンウェハ上に、常法に従いナフトキノン／ノボラック
樹脂系のポジ型フォトレジストからなるレジストパター
ンを形成した。得られたレジストパターンを有するシリ
コンウェハを、常法に従い酸化膜ドライエッチング処理
し、ビアホールを形成した。次いで、酸素ガスでアッシ
ング処理を行い、残存するレジストを除去した。

【００７２】得られたビアホールを有するシリコンウェ
ハを、実施例３，６，７，８，１２及び比較例１、１０
〜１２のいずれかの組成物に２３℃で１０分間浸漬しポ
リマーデポ物の剥離処理を行った。処理したウェハを純
水でリンス処理し、シリコンウェハのアッシング残渣
（ポリマー性デポ物）の剥離状況及び配線メタルの腐食
の有無をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）の写真観察により
評価した。前記ポリマー性デポ物の剥離状況は、「良
好」、「不完全」の２段階評価、配線メタル腐食の有無
は腐食の「有り」、「無し」の２段階評価、酸化膜の荒
れ状況は「○（荒れなし）」、「△（少し荒れ有
り）」、「×（荒れ有り）」の３段階評価とした。結果
を表３に示す。

【００７３】

【表４】

【００７４】試験例１〜４の結果より、本発明の組成物
はポリマー（レジスト）を洗浄する性能を有し、しかも
配線メタルを腐食しないという性質を有していることが
わかった。従って、本発明の組成物は、ＳＴＩ、メタル
ゲート、コンタクトホール、ビアホール、キャパシタな
どの洗浄用組成物として好適であることがわかった。ま
た、本発明の洗浄用組成物は、ＳＴＩ、メタルゲート、
コンタクトホール、ビアホール、キャパシタなどの側壁
に残存するポリマー剥離のためにも好適に用いることが
できることがわかった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ１１Ｄ 7/60 Ｃ１１Ｄ 7/60 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ａ 21/308 21/308 ＧＦターム(参考） 4H003 BA12 DA15 EA05 EB13 EB19 ED02 ED28 ED29 ED30 ED31 ED32 FA15 FA21 5F043 AA22 AA31 BB28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】(1)ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン
類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモ
ニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ
化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の
少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少
なくとも１種；及び(3)水を含むことを特徴とする洗浄
用組成物。
【請求項２】(1)前記フッ化物塩が、一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・Ｆ（Ｒ¹はフッ素及び／又はヒドロキシル基で置換されて
もよい直鎖もしくは分岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、
フッ素原子で置換されてもよいフェニル基又はヒドロキ
シル基を示す。Ｒ²は同一又は異なって、フッ素及び／
又はヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖もしくは分
岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、フッ素原子で置換され
てもよいフェニル基又は水素原子を示す。）で表され、
前記重フッ化物塩が、一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・ＨＦ₂ （Ｒ¹及びＲ²は前記に定義されるとおりである。）で表
される請求項１に記載の洗浄用組成物。
【請求項３】ヒドロキシルアミン類が、N,N-ジメチルヒ
ドロキシルアミン、N-エチルヒドロキシルアミン、N,N-
ジエチルヒドロキシルアミン、N-プロピルヒドロキシル
アミン、N-フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖又は
分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
で１又は２置換されたヒドロキシルアミンからなる群か
ら選ばれれる少なくとも１種である請求項１に記載の洗
浄剤組成物。
【請求項４】脂肪族アミン類が、エチルアミン、プロピ
ルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシ
ルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルア
ミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、
トリイソプロピルアミン、トリブチルアミンなどの直鎖
又は分枝を有する炭素数１〜１２のアルキル基で１、２
または３置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチル
アミン、ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチル
アミン、パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロ
ピルアミン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフ
ルオロブチルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パ
ーフルオロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）
アミン、ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフ
ルオロプロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピ
ル）アミン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ
（パーフルオロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエ
チル）アミン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、
トリ（パーフルオロイソプロピル）アミン、トリ（パー
フルオロブチル）アミンなどの直鎖又は分枝を有する少
なくとも１つのフッ素原子含有Ｃ₁〜₈アルキル基で１、
２または３置換された脂肪族アミン；モノエタノールア
ミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミ
ノ）エタノール、ジエタノールアミン、２−エチルアミ
ノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エチルジエ
タノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキ
シルアミンからなる群から選ばれれる少なくとも１種で
ある請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】前記脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウ
ム塩が、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルア
ンモニウム、テトライソプロピルアンモニウム、テトラ
ブチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウムなど
の脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの塩酸塩、臭
化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩からなる群か
ら選ばれれる少なくとも１種である請求項１に記載の洗
浄剤組成物。
【請求項６】ヘテロ原子を有する有機溶媒が、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン；メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、
１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、
ｔ−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、１−
ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、
４−ヘプタノール、１−オクタノール、１−ノニルアル
コール、１−デカノール、１−ドデカノールなどのアル
コール類；エチレングリコール、１，２−プロパンジオ
ール、プロピレングリコール、２，３−ブタンジオー
ル、グリセリンなどのポリオール類；アセトン、アセチ
ルアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド
などのアルデヒド類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキレン
グリコールモノアルキルエーテル；テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどの環状エーテル類；トリフルオロエ
タノール、ペンタフルオロプロパノール、2,2,3,3-テト
ラフルオロプロパノールなどのフッ素アルコール；スル
ホラン及びニトロメタンからなる群から選ばれる少なく
とも１種である請求項１に記載の洗浄用組成物。
【請求項７】ヘテロ原子を有する有機溶媒が、アルコー
ル類及びケトン類からなる群から選ばれる少なくとも１
種の含酸素有機溶媒であることを特徴とする項６に記載
の洗浄用組成物。
【請求項８】含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコー
ル、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる
少なくとも１種である項７に記載の洗浄用組成物。
【請求項９】含酸素有機溶媒がイソプロピルアルコー
ル、エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる
少なくとも１種であり、水の濃度が１０質量％以下であ
る項７に記載の洗浄用組成物。
【請求項１０】(1)一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・Ｆ（Ｒ¹はフッ素及び／又はヒドロキシル基で置換されて
もよい直鎖もしくは分岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、
フッ素原子で置換されてもよいフェニル基又はヒドロキ
シル基を示す。Ｒ²は同一又は異なって、フッ素及び／
又はヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖もしくは分
岐を有するＣ₁〜₁₂アルキル基、フッ素原子で置換され
てもよいフェニル基又は水素原子を示す。）で表される
フッ化物塩の濃度が１０質量％以下及び／又は一般式Ｎ(Ｒ¹)(Ｒ²)₃・ＨＦ₂ （Ｒ¹及びＲ²は前記に定義されるとおりである。）で表
される重フッ化物塩が0.001〜１０質量％、(3)水濃度が
１０質量％以下、(2)残部がイソプロピルアルコール、
エタノール及びメタノールからなる群から選ばれる少な
くとも１種である請求項２に記載の洗浄用組成物。
【請求項１１】ＳＴＩ、メタルゲート、コンタクトホー
ル、ビィアホール及びキャパシタの少なくとも１種を洗
浄するために用いることを特徴とする請求項１に記載の
組成物。
【請求項１２】請求項１に記載の洗浄剤組成物を用いて
ＳＴＩ、メタルゲート、コンタクトホール、ビィアホー
ル及びキャパシタの少なくとも１種が形成された半導体
基板を洗浄する方法。
【請求項１３】エッチング処理後又はイオンインプラン
テーション処理後に被処理物に残存するレジスト由来の
ポリマーを，(1)ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン
類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモ
ニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ
化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の
少なくとも１種；(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒の少
なくとも１種；及び(3)水を含む組成物を用いて剥離す
る方法。