JP2003142811A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板及び配線基板の製造方法

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JP2003142811A JP2001340944A JP2001340944A JP2003142811A JP 2003142811 A JP2003142811 A JP 2003142811A JP 2001340944 A JP2001340944 A JP 2001340944A JP 2001340944 A JP2001340944 A JP 2001340944A JP 2003142811 A JP2003142811 A JP 2003142811A
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solder
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Kazuyuki Takahashi
和幸 高橋
Kazuhisa Sato
和久 佐藤
Kozo Yamazaki
耕三 山崎
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NGK Spark Plug Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/241Dispositions, e.g. layouts
    • H10W72/242Dispositions, e.g. layouts relative to the surface, e.g. recessed, protruding

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 搭載する電子部品の端子などと接続されるパ
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、所定形状で接続信頼性が高いハンダバンプを形成
することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提
供すること。 【解決手段】 配線基板101は、主面側第2絶縁層1
24と、主面側開口128を有するソルダーレジスト層
127とを備える。また、主面側第2絶縁層124の表
面に形成され、主面側開口128の底面をなす主面側パ
ッド147と、主面側パッド147上に形成され、主面
側ソルダーレジスト層127の表面127Hを越えて突
出する主面側Niメッキ層149と、主面側Niメッキ
層149上に形成されたハンダバンプ151とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、搭載する電子部品
の端子などと接続されるパッドを有する配線基板及び配
線基板の製造方法に関し、特に、パッド上に金属層が形
成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、搭載する電子部品の端子など
と接続されるパッドを有し、そのパッド上に金属層が形
成された配線基板が知られている。例えば、図9に基板
主面902側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板9
01が挙げられる。この配線基板901は、ICチップ
を搭載する基板主面902と、基板裏面(図示しない)
とを有する略板形状である。配線基板901は、図に示
すように、基板主面902側に樹脂絶縁層905を備え
る。そして、この樹脂絶縁層905上には、所定の位置
に多数の開口909が形成されたソルダーレジスト層9
07が積層されている。
【0003】また、樹脂絶縁層905の表面905Hに
は、ICチップの端子と接続されるパッド911が多数
形成されている。これらのパッド911は、Cuからな
り、平面視略円形状で平板形状である。各々のパッド9
11は、ソルダーレジスト層907の開口909の下に
位置し、その中央部911Tが開口909の底面をな
し、周縁部911Sがソルダーレジスト層907で覆わ
れている。パッド911のうち開口909の底面をなす
中央部911T上には、パッド911のCuが後述する
ハンダバンプ915に拡散するのを防止するため、Ni
メッキ層(金属層)913が形成されている。そして、
このNiメッキ層913上に、開口909の内部からソ
ルダーレジスト層907の表面907H(基板主面90
2)を越えて膨出するハンダバンプ915がそれぞれ形
成されている。
【0004】このような配線基板901は、次のように
して製造する。即ち、樹脂絶縁層905と、例えば深さ
約21μmの開口909を有するソルダーレジスト層9
07と、パッド911とを形成した基板を用意する。そ
して、この基板にNiメッキを施し、ソルダーレジスト
層907の開口909内に露出するパッド911の中央
部911T上に、例えば約6μmのNiメッキ層913
を形成する。その後、Auメッキを施して、このNiメ
ッキ層913上に、酸化防止のため、例えば約0.05
μmのAuメッキ層を形成する。次に、ソルダーレジス
ト層907の開口909に対応した所定パターンの印刷
マスクを用いて、各開口909にハンダペーストを印刷
し、その後、これをリフローしてハンダバンプ915を
形成する。その際、Auメッキは、ハンダ内に拡散する
ので、ハンダバンプ915は、上述したようにNiメッ
キ層913上に形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、印刷マ
スクを用いてハンダペーストを印刷する際、ハンダペー
ストが印刷マスクの開口内に十分に入らないことによ
り、ソルダーレジスト層907の各開口909に印刷さ
れるハンダペースト量にバラツキが生じることがある。
また、ハンダペーストを印刷し印刷マスクを剥離したと
きに、ハンダペーストが印刷マスクの開口内から完全に
抜けきらないことにより、ソルダーレジスト層907の
各開口909に印刷されるハンダペースト量にバラツキ
が生じることもある。また、印刷後ハンダペーストをリ
フローしたときに、ハンダが自己の表面張力により略球
形状となって、Auメッキ層とハンダとの間に隙間が生
じてしまい、ハンダバンプ915とNiメッキ層913
との接続が十分にできない場合もある。また、ハンダペ
ーストをリフローしたときに、ハンダが拡がって隣り合
うハンダバンプ915同士が繋がってしまうこともある
し、リフローしたときに、ハンダ内に気泡(ボイド)が
発生することもある。これらの問題は、ソルダーレジス
ト層907の開口909の開口径が小さい場合に特に生
じやすく、また、それらの開口909同士の間隔が小さ
い場合に特に生じやすい。
【0006】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、搭載する電子部品の端子などと接続されるパ
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、所定形状で接続信頼性が高いハンダバンプを形成
することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提
供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、絶縁層と、上記絶縁層上に積層され、開口を有
するソルダーレジスト層と、上記絶縁層の表面にまたは
上記絶縁層を貫通して形成され、少なくとも一部が上記
開口の底面をなすパッドと、上記パッドのうち上記開口
の底面をなす部分の上に形成された金属層と、を備える
配線基板であって、上記金属層の表面が上記ソルダーレ
ジスト層の表面と面一であるか、または、上記金属層が
上記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出している配
線基板である。
【0008】本発明によれば、パッド上に形成された金
属層は、その表面がソルダーレジスト層の表面と面一で
あるか、または、ソルダーレジスト層の表面を越えて突
出している。ここで、金属層の表面がソルダーレジスト
層の表面と面一であるとは、これらの面がほぼ同一であ
ることをいい、金属層の表面が場所によっては多少ソル
ダーレジスト層の表面よりも凹んでいる部分があっても
よい。このため、金属層上にハンダバンプを形成するに
あたり、金属層上に印刷するハンダペーストの量を従来
よりも少なくすることができる。従来は、ソルダーレジ
スト層の開口内にもハンダペーストを印刷する必要があ
ったのに対し、本発明では、開口内は金属層で埋められ
ているため、開口上にだけハンダペーストを印刷すれば
足りるからである。
【0009】このため、ハンダペーストを印刷する印刷
マスクを薄くすることができるので、印刷時に印刷マス
クの開口に確実にハンダペーストを入れることができ、
配線基板に印刷されるパンダペースト量を、バラツキな
く所定値とすることができる。また、印刷マスクを薄く
できれば、印刷後印刷マスクを剥離する際に、開口内に
充填されたハンダペーストをより確実に配線基板に移す
ことができるので、配線基板に印刷されるパンダペース
ト量を、バラツキなく所定値とすることができる。ま
た、リフローの際、ハンダが自己の表面張力で球状にな
ろうとしても、ハンダペーストと金属層とが確実に接触
しているため、ハンダと金属層との間に隙間が生じにく
く、金属層上に確実にハンダバンプを形成することがで
きる。さらに、ハンダペーストの印刷量が少なくなるこ
とで、リフロー際に隣り合うハンダバンプ同士が繋がる
ことも防止することができる。
【0010】なお、金属層は、上記の構成を満たすもの
であればいずれのものでもよく、例えば、Ni層、Sn
層、Cu層、Pd層、Au層や、これらを主成分とする
金属層などが挙げられる。また、1層からなる金属層の
他、例えば、Niメッキ層上にAuメッキ層が形成され
たNi/Au層など2層以上からなる金属層でもよい。
また、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即
ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセ
ラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、
エポキシ樹脂、BT樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材
料などの複合材料などであってもよい。
【0011】また、他の解決手段は、絶縁層と、上記絶
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、上記金属層上に形成されたハンダ
バンプと、を備える配線基板であって、上記金属層の表
面が上記ソルダーレジスト層の表面と面一であるか、ま
たは、上記金属層が上記ソルダーレジスト層の表面を越
えて突出している配線基板である。
【0012】本発明によれば、パッド上に形成された金
属層は、その表面がソルダーレジスト層の表面と面一で
あるか、または、ソルダーレジスト層の表面を越えて突
出している。そして、この金属層上にハンダバンプが形
成されている。このような配線基板は、金属層上にハン
ダバンプを形成する際、金属層上に印刷するハンダペー
スト量を従来よりも少なくすることができる。このた
め、ハンダペーストを印刷する印刷マスクを薄くするこ
とができるので、印刷時に印刷マスクの開口に確実にハ
ンダペーストを入れることができ、配線基板に印刷され
るパンダペースト量を、バラツキなく所定値とすること
ができる。また、印刷マスクを薄くできれば、印刷後印
刷マスクを剥離する際に、開口内に充填されたハンダペ
ーストをより確実に配線基板に移すことができるので、
配線基板に印刷されるパンダペースト量を、バラツキな
く所定値とすることができる。また、リフローの際、ハ
ンダが自己の表面張力で球状になろうとしても、ハンダ
ペーストと金属層とが確実に接触しているため、ハンダ
と金属層との間に隙間が生じにくく、さらに、ハンダ内
にも気泡(ボイド)が生じにくいため、金属層上にハン
ダバンプを確実に形成することができる。さらに、ハン
ダペーストの印刷量が少なくなるので、リフロー際に隣
り合うハンダバンプ同士が繋がることも防止することが
できる。
【0013】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層は、NiまたはNiを主成分とす
る配線基板とすると良い。
【0014】本発明では、金属層がNiまたはNiを主
成分とする。Niは、ハンダとの接続が良好な上、ハン
ダ内に拡散することもないことから、金属層がハンダバ
ンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わってその
融点が変化するなどの問題が生じない。さらに、生産性
や生産コストの面で優れ、配線基板を安価にすることが
できる。
【0015】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層が前記ソルダーレジスト層の表面
を越えて突出し、上記金属層のうち上記ソルダーレジス
ト層の表面を越えて突出する突出部の高さが10μm以
下である配線基板とすると良い。
【0016】金属層の突起部の高さが10μmを越える
と、突起部の表面がうねるなど、表面を平坦に形成しに
くくなる。また、金属層が開口縁を越えてソルダーレジ
スト層の表面に拡がりやすくなる。これに対し、本発明
では、金属層の突出部の高さを10μm以下に抑えてい
るので、突起部の表面を平坦に形成しやすい。また、金
属層が開口縁を越えてソルダーレジスト層表面に拡がる
のを抑制することもできる。
【0017】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記ソルダーレジスト層の開口の開口径は、
160μm以下である配線基板とすると良い。
【0018】ソルダーレジスト層に形成された開口の開
口径が160μmよりも小さいと、特に、前述の問題が
生じやすい。即ち、印刷マスクを用いてハンダペースト
を印刷したときに、配線基板に印刷されるハンダペース
ト量にバラツキが生じやすい。また、リフローの際に、
ハンダバンプと金属層との接続が十分にできないことが
ある。さらに、隣り合うハンダバンプ同士が繋がってし
まうこともある。従って、開口径が160μm以下の場
合に、金属層の表面をソルダーレジスト層の表面と面一
にするか、または、金属層をソルダーレジスト層よりも
突出させると、特に、上記の諸問題が生じず、その効果
が顕著に現れる。
【0019】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記ソルダーレジスト層の開口を複数有し、
隣り合う上記開口の中心間距離が260μm以下である
配線基板とすると良い。
【0020】ソルダーレジスト層の隣り合う開口同士の
距離が小さくなると、具体的には、開口の中心間距離が
260μmよりも小さくなると、特に、リフローの際に
隣り合うハンダバンプ同士が繋がりやすくなる。従っ
て、開口の中心間距離が260μm以下の場合に、金属
層の表面をソルダーレジスト層の表面と面一にするか、
または、金属層をソルダーレジスト層よりも突出させる
と、特に、その効果がより顕著に現れる。
【0021】また、他の解決手段は、絶縁層と、上記絶
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、を備える配線基板の製造方法であ
って、上記開口にメッキにより上記金属層を形成する金
属層形成工程であって、上記金属層の表面が上記ソルダ
ーレジスト層の表面と面一となるか、または、上記金属
層が上記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出するま
で、上記メッキを施し、上記金属層を形成する金属層形
成工程を備える配線基板の製造方法である。
【0022】本発明では、金属層形成工程において、メ
ッキを施して、金属層の表面がソルダーレジスト層の表
面と面一となるか、または、金属層がソルダーレジスト
層の表面を越えて突出するまで金属層を形成する。この
ような金属層を形成すれば、後にハンダバンプを形成す
る際に、金属層上に印刷するハンダペースト量を従来よ
りも少なくすることができる。このため、ハンダペース
トを印刷する印刷マスクを薄くすることができるので、
印刷時に印刷マスクの開口に確実にハンダペーストを入
れることができ、配線基板に印刷されるパンダペースト
量を、バラツキなく所定値とすることができる。また、
印刷マスクを薄くできれば、印刷後印刷マスクを剥離す
る際に、開口内に充填されたハンダペーストをより確実
に配線基板に移すことができるので、配線基板に印刷さ
れるパンダペースト量を、バラツキなく所定値とするこ
とができる。また、リフローの際、ハンダが自己の表面
張力で球状になろうとしても、ハンダペーストと金属層
とが確実に接触しているため、ハンダと金属層との間に
隙間が生じにくく、金属層上にハンダバンプを確実に形
成することができる。さらに、ハンダペーストの印刷量
が少なくなるので、リフロー際に隣り合うハンダバンプ
同士が繋がることも防止することができる。
【0023】上記の配線基板の製造方法であって、前記
メッキは、NiまたはNiを主成分とする配線基板の製
造方法とすると良い。
【0024】本発明では、金属層形成工程を、Niメッ
キまたはNiを主成分とするメッキで行う。Niは、ハ
ンダとの接続が良好な上、ハンダ内に拡散することもな
いことから、ハンダバンプを形成したときに、金属層が
ハンダバンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わ
ってその融点が変化するなどの問題が生じない。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、安価に配線基板を
製造することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】(実施形態)以下、本発明の実施
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の配
線基板101について、図1に部分断面図を、図2に基
板主面102側の要部の部分拡大断面図を示す。この配
線基板101は、図1中に破線で示すICチップICが
搭載される基板主面102と、基板裏面103とを有す
る略矩形の略板形状である。配線基板101は、その中
心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約800μmの
コア基板111を備える。そして、このコア基板111
のコア主面112上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ
約35μmの主面側第1絶縁層121が積層され、その
上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約35μm
の主面側第2絶縁層124が積層され、さらにその上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約21μmの主
面側ソルダーレジスト層127が積層されている。また
同様に、コア基板111のコア裏面113上には、エポ
キシ樹脂等からなる厚さ約35μmの裏面側第1絶縁層
131が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等
からなる厚さ約35μmの裏面側第2絶縁層134が積
層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約21μmの裏面側ソルダーレジスト層137
が積層されている。
【0026】このうちコア基板111には、これを貫通
する直径約350μmのスルーホール115が所定の位
置に多数形成され、その内周面には、Cuからなる略筒
状の厚さ約20μmのスルーホール導体116がそれぞ
れ形成されている。そして、スルーホール導体116内
には、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体
117がそれぞれ形成されている。また、主面側第1絶
縁層121には、これを貫通するビア孔122が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体123がそれぞれ形成されている。また、
主面側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔1
25が所定の位置に多数形成され、その内壁面には、C
uからなる椀状のビア導体126がそれぞれ形成されて
いる。また、主面側ソルダーレジスト層127には、こ
れを貫通する開口径(D)約60μmの主面側開口12
8が所定の位置に多数形成されている。これらの主面側
開口128は、中心間距離(L)が約150μmとなっ
ている。
【0027】また同様に、裏面側第1絶縁層131に
も、これを貫通するビア孔132が所定の位置に多数形
成され、その内壁面には、Cuからなる椀状のビア導体
133がそれぞれ形成されている。また、裏面側第2絶
縁層134にも、これを貫通するビア孔135が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体136がそれぞれ形成されている。また、
裏面側ソルダーレジスト層137には、これを貫通する
開口径約95μmの裏面側開口138が所定の位置に多
数形成されている。
【0028】コア基板111と主面側第1絶縁層121
との層間には、配線やパッドを有し、コア基板111の
スルーホール導体116及び主面側第1絶縁層121の
ビア導体123と接続する主面側第1導体層141が形
成されている。また、主面側第1絶縁層121と主面側
第2絶縁層124との層間には、配線やパッドを有し、
主面側第1絶縁層121のビア導体123及び主面側第
2絶縁層124のビア導体126と接続する主面側第2
導体層143が形成されている。また、主面側第2絶縁
層124と主面側ソルダーレジスト層127との層間に
は、配線やパッドを有し、主面側第2絶縁層124のビ
ア導体126と接続する主面側第3導体層145が形成
されている。
【0029】この主面側第3導体層145の一部の主面
側パッド147は、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128の下にそれぞれ位置している。具体的
には、図2に示すように、これらの主面側パッド147
は、平面視略円形状の略板形状であり、その中央部14
7Tが主面側開口128の底面をなし、その周縁部14
7Sが主面側ソルダーレジスト層127に覆われてい
る。そして、主面側パッド147のうち主面側開口12
8の底面をなす中央部147T上には、直径約60μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、主面側ソ
ルダーレジスト層127の表面127H(基板主面10
2)を越えて突出する主面側Niメッキ層(金属層)1
49がそれぞれ形成されている。この主面側Niメッキ
層149のうち、主面側ソルダーレジスト層127の表
面127Hから突出する突出部149Pの高さは、約1
0μmである。さらに、この主面側Niメッキ層149
上には、略半球状に突出するハンダバンプ151がそれ
ぞれ形成されている。これらのハンダバンプ151は、
バラツキなく所定形状とされている。また、Niメッキ
層149との接続信頼性も高くなっている。
【0030】一方、コア基板111と裏面側第1絶縁層
131との層間にも、配線やパッドを有し、コア基板1
11のスルーホール導体116及び裏面側第1絶縁層1
31のビア導体133と接続する裏面側第1導体層16
1が形成されている。また、裏面側第1絶縁層131と
裏面側第2絶縁層134との層間には、配線やパッドを
有し、裏面側第1絶縁層131のビア導体133及び裏
面側第2絶縁層134のビア導体136と接続する裏面
側第2導体層163が形成されている。また、裏面側第
2絶縁層134と裏面側ソルダーレジスト層137との
層間には、配線やパッドを有し、裏面側第2絶縁層13
4のビア導体136と接続する裏面側第3導体層165
が形成されている。
【0031】この裏面側第3導体層165の一部の裏面
側パッド167は、裏面側ソルダーレジスト層137の
裏面側開口138の下にそれぞれ位置している。具体的
には、この裏面側パッド167も、平面視略円形状の略
板形状であり、その中央部が裏面側開口138の底面を
なし、その周縁部が裏面側ソルダーレジスト層137に
覆われている。そして、裏面側パッド167のうち裏面
側開口138の底面をなす中央部上には、直径約95μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、裏面側ソ
ルダーレジスト層137の表面137H(基板裏面10
3)を越えて突出する裏面側Niメッキ層169がそれ
ぞれ形成されている。この裏面側Niメッキ層169の
うち、裏面側ソルダーレジスト層137の表面137H
から突出する突出部の高さは、約10μmである。さら
に、この裏面側Niメッキ層169上には、酸化防止の
ため、厚さ約0.05μmの裏面側Auメッキ層170
がそれぞれ形成されている。
【0032】以上で説明したように、本実施形態の配線
基板101は、主面側Niメッキ層(金属層)149
が、主面側ソルダーレジスト層127の表面127Hを
越えて突出している。そして、この主面側Niメッキ層
149上にハンダバンプ151が形成されている。この
ような配線基板101は、後述するように、主面側Ni
メッキ層149上にハンダバンプ151を形成するにあ
たり、主面側Niメッキ層149上に印刷するハンダペ
ースト量を従来よりも少なくすることができる。
【0033】このため、ハンダペーストを印刷する印刷
マスクを薄くすることができるので、印刷時に印刷マス
クの開口に確実にハンダペーストを入れることができ、
配線基板101に印刷されるパンダペースト量を、バラ
ツキなく所定値とすることができる。また、印刷マスク
を薄くできれば、印刷後印刷マスクを剥離する際に、開
口内に充填されたハンダペーストをより確実に配線基板
101に移すことができるので、配線基板101に印刷
されるパンダペースト量を、バラツキなく所定値とする
ことができる。また、リフローの際、ハンダが自己の表
面張力で球状になろうとしても、ハンダペーストと金属
層とが確実に接触しているため、ハンダと金属層との間
に隙間が生じにくく、さらに、ハンダ内にも気泡(ボイ
ド)が生じにくいため、主面側Niメッキ層149上に
ハンダバンプ151を確実に形成することができる。さ
らに、ハンダペーストの印刷量が少なくなるので、リフ
ロー際に隣り合うハンダバンプ151同士が繋がること
も防止することができる。
【0034】また、本実施形態では、主面側パッド14
7上に形成された金属層149がNiメッキ層であるの
で、金属層149とハンダバンプ151との接続が良好
な上、金属層149がハンダバンプ151に食われた
り、ハンダバンプ151の組成が変わってその融点が変
化するなどの問題が生じない。また、生産性や生産コス
トの面で優れ、配線基板101を安価にすることができ
る。特に、本実施形態では、主面側ソルダーレジスト層
127に形成された主面側開口128の開口径D(約6
0μm)が160μm以下と小さくされているので、主
面側Niメッキ層149を、主面側ソルダーレジスト層
127の表面127Hを越えて突出させる効果が、より
顕著に現れる。また、特に、本実施形態では、主面側ソ
ルダーレジスト層127の主面側開口128同士の中心
間距離L(約150μm)が、260μm以下とされて
いるので、主面側Niメッキ層149を、主面側ソルダ
ーレジスト層127の表面127Hを越えて突出させる
効果が、より顕著に現れる。さらに、本実施形態では、
主面側Niメッキ層149の突出部149Pの高さが1
0μm以下に抑えられているので、突起部149Pの表
面を平坦に形成しやすい。また、主面側Niメッキ層1
49が主面側開口128の開口縁を越えてソルダーレジ
スト層127の表面127Hに拡がるのを抑制すること
もできる。
【0035】次いで、この配線基板101の製造方法に
ついて説明する。まず、コア基板111を用意する(図
3参照)。そして、これにドリル等で所定の位置にスル
ーホール115を穿孔する。次に、Cu無電解メッキと
Cu電解メッキを順次施し、スルーホール115の内周
面に略筒状のスルーホール導体116を形成すると共
に、コア主面112とコア裏面113の略全面にベタ状
導体層を形成する。次に、スルーホール導体116内に
樹脂充填体117を形成する。具体的には、スルーホー
ル導体116の孔に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、スルーホール導体116内に樹脂ペーストを
印刷充填し、その後、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹
脂充填体117を形成する。そして、樹脂充填体117
の端部を研磨除去し、コア主面112及びコア裏面11
3を面一にする。さらに、Cu無電解メッキとCu電解
メッキを順次施し、樹脂充填体117上に蓋メッキ層を
形成する。次に、コア主面112とコア裏面113のベ
タ状導体層上にそれぞれ所定パターンのエッチングレジ
スト層を、公知のフォトリソグラフィ技術により形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、導体層をパターン化する。その
後、エッチングレジスト層を除去すれば、図3に示すよ
うに、コア主面112に所定パターンの主面側第1導体
層141が、コア裏面113に所定パターンの裏面側第
1導体層161が形成される。
【0036】次に、主面側第1絶縁層形成工程におい
て、コア主面112及び主面側第1導体層141上に、
所定の位置に多数のビア孔122を有する主面側第1絶
縁層121を形成する(図4参照)。具体的には、コア
主面112及び主面側第1導体層141上に、エポキシ
樹脂等からなる半硬化の主面側第1絶縁層を形成し、ビ
ア孔122に対応した所定パターンのマスクを用いて露
光し、その後現像する。その後、さらに加熱処理し硬化
させて、所定パターンの主面側第1絶縁層121を形成
する。また同様にして、裏面側第1絶縁層形成工程にお
いて、コア裏面113及び裏面側第1導体層161上
に、所定の位置に多数のビア孔132を有する裏面側第
1絶縁層131を形成する。
【0037】次に、ビア導体・主面側第2導体層・裏面
側第2導体層形成工程において、図4に示すように、主
面側第1絶縁層121のビア孔122にビア導体123
を形成すると共に、裏面側第1絶縁層131のビア孔1
32にビア導体133を形成する。また、主面側第1絶
縁層121上に主面側第2導体層143を形成し、裏面
側第1絶縁層131上に裏面側第2導体層163を形成
する。具体的には、Cu無電解メッキを施し、主面側第
1絶縁層121上及びそのビア孔122内、裏面側第1
絶縁層131上及びそのビア孔132内に、無電解メッ
キ層を形成する。次に、主面側第1絶縁層121上の無
電解メッキ層上に、所定パターンのメッキレジスト層を
公知のフォトリソグラフィ技術により形成する。また、
裏面側第1絶縁層131上の無電解メッキ層上にも、同
様に所定パターンのメッキレジスト層を形成する。次
に、Cu電解メッキを施し、各々のメッキレジスト層か
ら露出する無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成す
る。その後、メッキレジスト層をそれぞれ剥離して、露
出した無電解メッキ層をエッチングにより除去し、所定
パターンの主面側第2導体層143と裏面側第2導体層
163を形成する。
【0038】次に、主面側第2絶縁層形成工程におい
て、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、主面側第
1絶縁層121及び主面側第2導体層143上に、所定
の位置に多数のビア孔125を有する主面側第2絶縁層
124を形成する(図5参照)。また同様に、裏面側第
2絶縁層形成工程において、裏面側第1絶縁層131及
び裏面側第2導体層163上に、所定の位置に多数のビ
ア孔135を有する裏面側第2絶縁層134を形成す
る。
【0039】次に、ビア導体・主面側第3導体層・裏面
側第3導体層形成工程において、図5に示すように、主
面側第2絶縁層124のビア孔125にビア導体126
を形成すると共に、裏面側第2絶縁層134のビア孔1
35にビア導体136を形成する。また、主面側第2絶
縁層121上に主面側第3導体層145を形成し、裏面
側第1絶縁層134上に裏面側第2導体層165を形成
する。この工程は、上記のビア導体・主面側第2導体層
・裏面側第2導体層形成工程と同様に行えばよい。
【0040】次に、主面側ソルダーレジスト層形成工程
において、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、図
6に示すように、主面側第2絶縁層124及び主面側第
3導体層145上に、所定の位置に多数の主面側開口1
28を有する主面側ソルダーレジスト層127を、公知
のフォトリソグラフィ技術により形成する。また同様
に、裏面側ソルダーレジスト層形成工程において、裏面
側第2絶縁層134及び裏面側第3導体層165上に、
所定の位置に多数の裏面側開口138を有する裏面側ソ
ルダーレジスト層137を、公知のフォトリソグラフィ
ー技術により形成する。
【0041】次に、Niメッキ工程において、Niメッ
キを施し、主面側ソルダーレジスト層127の主面側開
口128内に露出する主面側パッド147上に主面側N
iメッキ層149を形成すると共に、裏面側ソルダーレ
ジスト層137の裏面側開口138内に露出する裏面側
パッド167上に裏面側Niメッキ層169を形成する
(図1、図2及び図7参照)。具体的には、主面側Ni
メッキ層149が主面側ソルダーレジスト層127の表
面127Hを越えて約10μm突出するまで、Niメッ
キを施し、厚さ約30μmの主面側Niメッキ層149
及び裏面側Niメッキ層169を形成する。なお、上記
Niメッキは、無電解Niメッキを用いたが、これに限
らず電解Niメッキを用いてもよい。また、Niメッキ
を主成分とするNi−Pメッキを施してもよい。
【0042】次に、Auメッキ工程において、Auメッ
キを施し、主面側Niメッキ層149上に厚さ約0.0
5μmの主面側Auメッキ層150を形成すると共に、
裏面側Niメッキ層169上にも厚さ約0.05μmの
裏面側Auメッキ層170を形成する(図1、図2及び
図7参照)。
【0043】次に、ハンダバンプ形成工程において、主
面側Niメッキ層149上にハンダバンプ151を形成
する。具体的には、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、主面側Auメッキ層150上にハンダペース
トをそれぞれ印刷する。その後、これをリフローすれ
ば、Auメッキがハンダ内に拡散し、主面側Niメッキ
層149上にハンダバンプ151が形成される(図1、
図2及び図7参照)。以上のようにして、配線基板10
1が完成する。
【0044】ハンダバンプ形成工程において、本実施形
態では、主面側Niメッキ層149及び主面側Auメッ
キ層150が主面側ソルダーレジスト層127の表面1
27Hよりも突出しているため、従来に比して、主面側
Auメッキ層150上に印刷するハンダペースト量を少
なくすることができる。このため、ハンダペーストを印
刷する印刷マスクを薄くすることができるので、印刷時
に印刷マスクの開口に確実にハンダペーストを入れるこ
とができ、配線基板101に印刷されるパンダペースト
量を、バラツキなく所定値とすることができる。また、
印刷マスクを薄くできれば、印刷後印刷マスクを剥離す
る際に、その開口内に充填されたハンダペーストをより
確実に配線基板101に移すことができるので、配線基
板101に印刷されるパンダペースト量を、バラツキな
く所定値とすることができる。また、リフローの際、ハ
ンダが自己の表面張力で球状になろうとしても、ハンダ
ペーストと主面側Auメッキ層150とが確実に接触し
ているため、ハンダと主面側Auメッキ層150との間
に隙間が生じにくく、さらに、ハンダ内にも気泡(ボイ
ド)が生じにくいため、主面側Niメッキ層149上に
ハンダバンプ151を確実に形成することができる。さ
らに、ハンダペーストの印刷量が少なくなるので、リフ
ロー際に隣り合うハンダバンプ151同士が繋がること
も防止することができる。また、本実施形態では、金属
層形成工程を、Niメッキで行っているので、金属層1
49とハンダバンプ151との接続を良好にすることが
できる。また、金属層149がハンダバンプ151に食
われたり、ハンダバンプ151の組成が変わってその融
点が変化するなどの問題を防止することができる。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、安価に配線基板1
01を製造することができる。
【0045】(変形形態1)次いで、上記実施形態の変
形形態1について説明する。なお、上記実施形態と同様
な部分の説明は、省略または簡略化する。本変形形態1
の配線基板は、上記配線基板101のハンダバンプ15
1を形成する前の状態のものである(図7参照)。即
ち、主面側パッド147上には、主面側Niメッキ層1
49と主面側Auメッキ層150とからなる金属層が形
成され、ハンダバンプ151は存在しない。その他の部
分は、上記実施形態の配線基板101と同様である。
【0046】このような配線基板は、主面側Niメッキ
層149と主面側Auメッキ層150とからなる金属層
が、主面側ソルダーレジスト層127の表面127Hを
越えて突出しているので、ハンダバンプ151を形成す
るにあたり、主面側Auメッキ層150上に印刷するハ
ンダペースト量を従来よりも少なくすることができる。
このため、ハンダペーストを印刷する印刷マスクを薄く
することができるので、印刷時に印刷マスクの開口に確
実にハンダペーストを入れることができ、配線基板に印
刷されるパンダペースト量を、バラツキなく所定値とす
ることができる。また、印刷マスクを薄くできれば、印
刷後印刷マスクを剥離する際に、開口内に充填されたハ
ンダペーストをより確実に配線基板に移すことができる
ので、配線基板に印刷されるパンダペースト量を、バラ
ツキなく所定値とすることができる。また、リフローの
際、ハンダが自己の表面張力で球状になろうとしても、
ハンダペーストと金属層とが確実に接触しているため、
ハンダと金属層との間に隙間が生じにくく、さらに、ハ
ンダ内にも気泡(ボイド)が生じにくいため、主面側N
iメッキ層149上にハンダバンプ151を確実に形成
することができる。さらに、ハンダペーストの印刷量を
少なくすることで、リフロー際に隣り合うハンダバンプ
151同士が繋がることも防止することができる。その
他、上記実施形態の配線基板101と同様な部分ついて
は同様な効果を奏する。
【0047】(変形形態2)次いで、上記実施形態の第
2の変形形態について、図を参照しつつ説明する。な
お、上記実施形態等と同様な部分の説明は、省略または
簡略化する。本変形形態2の配線基板201について、
図8に基板主面102側の要部の部分拡大断面図を示
す。この配線基板201では、ビア導体がすべてフィル
ドビアである。即ち、主面側第1絶縁層121には、こ
れを貫通するビア孔222が所定の位置に多数形成さ
れ、このビア孔222にはCuメッキで充填されたフィ
ルドビア223がそれぞれ形成されている。また、主面
側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔225
が所定の位置に多数形成され、このビア孔225にはC
uメッキで充填されたフィルドビア226がそれぞれ形
成されている。基板裏面103側のビア導体についても
同様である。
【0048】このうち、主面側第2絶縁層124に形成
されたフィルドビア226の一部は、主面側パッド24
7として、主面側ソルダーレジスト層127の主面側開
口128の下にそれぞれ位置している。具体的には、こ
れらのフィルドビア(主面側パッド)247は、主面側
第2絶縁層124を貫通して形成され、その表面の中央
部が主面側開口128の底面をなし、その周縁部が主面
側ソルダーレジスト層127に覆われている。そして、
主面側パッド247のうち、主面側開口128の底面を
なす中央部上には、主面側ソルダーレジスト層127の
表面127Hを越えて突出する、上記実施形態と同様な
主面側Niメッキ層(金属層)149がそれぞれ形成さ
れている。さらに、この主面側Niメッキ層149上に
は、略半球状に突出するハンダバンプ151がそれぞれ
形成されている。これらのハンダバンプ151は、バラ
ツキなく所定形状とされている。また、主面側Niメッ
キ層149との接続信頼性も高くなっている。
【0049】このような配線基板201も、主面側Ni
メッキ層(金属層)149が、主面側ソルダーレジスト
層127の表面127Hを越えて突出しているので、主
面側Niメッキ層149上にハンダバンプ151を形成
するにあたり、主面側Niメッキ層149上に印刷する
ハンダペースト量を従来よりも少なくすることができ
る。このため、ハンダペーストを印刷する印刷マスクを
薄くすることができるので、印刷時に印刷マスクの開口
に確実にハンダペーストを入れることができ、配線基板
201に印刷されるパンダペースト量を、バラツキなく
所定値とすることができる。また、印刷マスクを薄くで
きれば、印刷後印刷マスクを剥離する際に、開口内に充
填されたハンダペーストを確実に配線基板201に移す
ことができるので、配線基板201に印刷されるパンダ
ペースト量を、バラツキなく所定値とすることができ
る。また、リフローの際、ハンダが自己の表面張力で球
状になろうとしても、ハンダペーストと金属層とが確実
に接触しているため、ハンダと金属層との間に隙間が生
じにくく、さらに、ハンダ内にも気泡(ボイド)が生じ
にくいため、主面側Niメッキ層149上にハンダバン
プ151を確実に形成することができる。さらに、ハン
ダペーストの印刷量を少なくすることで、リフロー際に
隣り合うハンダバンプ151同士が繋がることも防止す
ることができる。その他の効果も、上記実施形態と同様
である。
【0050】なお、本変形形態2の配線基板201は、
公知のフィルドビア用メッキ液を利用することにより製
造することができる。即ち、ビア導体・主面側第2導体
層・裏面側第2導体層形成工程において、椀状ビア導体
を形成するときに用いる電解メッキ液の代わりに、フィ
ルドビア形成用の電解メッキ液を使用する。また、ビア
導体・主面側第3導体層・裏面側第3導体層形成工程に
ついても同様である。
【0051】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態では主面側パッド147が平板形状である場合を示
し、上記変形形態2では主面側パッド247がフィルド
ビアである場合を示したが、主面側パッドを椀状のビア
導体とすることもできる。即ち、主面側パッドを椀状ビ
ア導体とし、主面側開口128の底面をなす椀状ビア導
体上に、ソルダーレジスト層127の表面127Hより
も突出する金属層を形成した場合でも、上記実施形態等
と同様な効果を得ることができる。
【0052】また、上記実施形態等では、主面側パッド
147,247上の金属層149がソルダーレジスト層
127の表面127Hを越えて突出するものを示した
が、金属層149の表面とソルダーレジスト層127の
表面127Hを面一としてもよい。このようにしても、
上記実施形態等と同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係る配線基板の部分断面図である。
【図2】実施形態に係る配線基板の基板主面側の部分拡
大断面図である。
【図3】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、コ
ア基板にスルーホール導体や主面側第1導体層、裏面側
第1導体層等を形成した様子を示す説明図である。
【図4】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第1絶縁層、裏面側第1絶縁層、主面側第2導体
層、裏面側第2導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
【図5】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第2絶縁層、裏面側第2絶縁層、主面側第3導体
層、裏面側第3導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
【図6】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側ソルダーレジスト層と裏面側ソルダーレジスト層を
形成した様子を示す説明図である。
【図7】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側Niメッキ層と主面側Auメッキ層を形成した様子
を示す説明図である。
【図8】変形形態2に係る配線基板の基板主面側の部分
拡大断面図である。
【図9】従来技術に係る配線基板の基板主面側の部分拡
大断面図である。
【符号の説明】
101,201 配線基板 111 コア基板 121 主面側第1絶縁層 124 主面側第2絶縁層 127 主面側ソルダーレジスト層 128 主面側開口 147,247 主面側パッド 149 主面側Niメッキ層(金属層) 150 主面側Auメッキ層 151 ハンダバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 耕三 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 AC11 AC15 AC16 AC17 BB05 CC33 CD26 GG05 GG20

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
    ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
    れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
    された金属層と、を備える配線基板であって、 上記金属層の表面が上記ソルダーレジスト層の表面と面
    一であるか、または、上記金属層が上記ソルダーレジス
    ト層の表面を越えて突出している配線基板。
  2. 【請求項2】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
    ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
    れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
    された金属層と、 上記金属層上に形成されたハンダバンプと、を備える配
    線基板であって、 上記金属層の表面が上記ソルダーレジスト層の表面と面
    一であるか、または、上記金属層が上記ソルダーレジス
    ト層の表面を越えて突出している配線基板。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の配線基板
    であって、 前記金属層は、NiまたはNiを主成分とする配線基
    板。
  4. 【請求項4】請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載
    の配線基板であって、 前記金属層が前記ソルダーレジスト層の表面を越えて突
    出し、 上記金属層のうち上記ソルダーレジスト層の表面を越え
    て突出する突出部の高さが10μm以下である配線基
    板。
  5. 【請求項5】請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載
    の配線基板であって、 前記ソルダーレジスト層の開口の開口径は、160μm
    以下である配線基板。
  6. 【請求項6】請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載
    の配線基板であって、 前記ソルダーレジスト層の開口を複数有し、 隣り合う上記開口の中心間距離が260μm以下である
    配線基板。
  7. 【請求項7】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
    ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
    れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
    された金属層と、を備える配線基板の製造方法であっ
    て、 上記開口にメッキにより上記金属層を形成する金属層形
    成工程であって、上記金属層の表面が上記ソルダーレジ
    スト層の表面と面一となるか、または、上記金属層が上
    記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出するまで、上
    記メッキを施し、上記金属層を形成する金属層形成工程
    を備える配線基板の製造方法。
  8. 【請求項8】請求項7に記載の配線基板の製造方法であ
    って、 前記メッキは、NiまたはNiを主成分とする配線基板
    の製造方法。
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