JP2003151128A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基板上に軟磁性層を形成する方法において、該基板に直流バイアス電圧を加えながらスパッタリングを行うことを特徴とする軟磁性層を形成した基板の製造方法。
2. 直流バイアス電圧が５０Ｖ以上かつ５００Ｖ以下である請求項１の軟磁性層を形成した基板の製造方法。
3. 請求項１または２に記載の方法により形成されたことを特徴とする軟磁性層を形成した基板。
4. 軟磁性層の保磁力が１０Ｏｅ（７９０Ａ／ｍ）以下である請求項３に記載の軟磁性層を形成した基板。
5. 軟磁性層が少なくともＦｅＮｉ、ないしＣｏＺｒＸ（ＸはＮｂ、Ｔａより選ばれる一種以上の元素）を含有することを特徴とする請求項３または４に記載の軟磁性層を形成した基板。
6. 請求項３乃至５のいずれかに記載の軟磁性層上に少なくとも磁気記録層が形成されてなる磁気記録媒体。
7. 磁気記録層が垂直磁化膜である請求項６に記載の磁気記録媒体。
8. 基板上に軟磁性層、磁気記録層を含む磁気記録媒体の製造方法であって、基板に直流バイアス電圧を加えながらスパッタリングを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
9. 直流バイアス電圧が５０Ｖ以上かつ５００Ｖ以下である請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項６または７に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドと磁気記録媒体に対して相対移動させる手段と、磁気ヘッドの記録信号入力と磁気ヘッドからの再生信号出力を行うための記録信号処理手段を有することを特徴とする磁気記録装置。