JP2003152144A - 複合材及びその製造方法 - Google Patents

複合材及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 金網を使用した場合に比較して良好な熱伝導
率を有し、強度的にも優れ、半導体装置等の電子部品を
搭載するための放熱用基板材として好適な複合材の製造
コストを低減する。 【解決手段】 複合材11はエキスパンドメタル12と、エ
キスパンドメタル12を囲繞するマトリックス金属13とで
構成されている。エキスパンドメタル12は線膨張率が８
×１０−６／℃以下の金属板から形成されている。エキ
スパンドメタル12はインバー（36重量％のＮｉを含有す
るＦｅ−Ｎｉ系合金）で形成されている。マトリックス
金属13には熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属
としてＣｕが使用されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合材及びその製
造方法に係り、詳しくは半導体装置等の電子部品を搭載
するための放熱用基板材として好適な複合材、あるいは
半導体装置の配線材として好適な複合材及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の電子部品は使用中に発熱
するため、使用中の発熱による昇温で性能が劣化しない
ように、冷却する必要がある。そして、従来、半導体装
置の実装方法として、放熱板（放熱用基板材）を介して
実装する方法が実施されている。
【０００３】ヒートシンクを使用する方法は、図１６に
示すように、ケースを構成するアルミニウムベース４１
の上にヒートシンク４２が図示しないネジ、あるいは半
田により固定され、ヒートシンク４２上には両面に金属
（Ａｌ）層４３ａが形成された絶縁基板４３が半田を介
して固定されている。そして、絶縁基板４３の金属層４
３ａ上に半田を介して半導体装置等の電子部品４４が実
装されている。絶縁基板４３は窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）で形成されている。ヒートシンク４２には、低膨張
率で高熱伝導率の材料として、金属マトリックス相にセ
ラミックスを分散させた金属基複合材料、例えばＳｉＣ
粒子をアルミニウム基材に分散させたものが使用されて
いる。
【０００４】前記ヒートシンク４２の材料となる前記金
属基複合材料は高価で、加工性が悪いため、低コストで
加工性の良い放熱用基板材料が提案されている。例え
ば、特開平６−７７３６５号公報には、銅、銅−タング
ステン又は銅−モリブデンでつくられた金属板と、モリ
ブデン又はタングステンの金属細線を編んだ金属網とを
重ね合わせて一体化してなる放熱用基板材料が提案され
ている。図１７（ａ），（ｂ）に示すように、この放熱
用基板材料４７は金網４５を金属板４６で挟むように重
ね合わせた状態で加熱、圧延して、金属板４６と金網４
５とを一体化した積層体とすることで形成される。
【０００５】また、特開平７−２４９７１７号公報に
は、モリブデン又はタングステンの金属細線を編んだ金
属網に銅、銅−タングステン又は銅−モリブデンからな
る含浸材を含浸させて一体化した放熱用基板材料が提案
されている。
【０００６】また、特開平６−３３４０７４号公報に
は、図１８に示すように、熱膨張率が８×１０−６／℃
以下の金属又は合金からなり、多数の孔４８ａが形成さ
れた基材４８の孔４８ａに、熱伝導率が２１０Ｗ／（ｍ
・Ｋ）以上の金属又は合金でなる高熱伝導材料を充填し
た半導体装置用基板が提案されている。高熱伝導材料と
しては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ及びこれらを主体とす
る合金が使用され、基材４８の材質として３０〜５０重
量％のＮｉ及び残部が実質的にＦｅよりなるインバー合
金や、Ｃｏを含むスーパーインバー合金などが使用され
る。また、基材４８に形成される孔４８ａは、素材を平
板状に加工した後、打ち抜き加工する方法や、精密鋳造
法（ロストワックス法）により鋳造時点で孔４８ａを形
成する方法により形成される。
【０００７】また、半導体装置においては、シリコンチ
ップ（シリコン素子）に直接あるいはシリコンチップに
設けられたパッドと、他の電極とを配線で接続する必要
がある。配線としてアルミニウムワイヤ等の線状材を使
用するのが一般的である。しかし、線状材を使用する
と、ワイヤボンディングの時に素子の損傷が発生した
り、半導体装置の動作中の発熱に伴う温度上昇により、
ワイヤとシリコン素子との熱膨張の差に基づく熱応力に
より接合部が劣化あるいは断線する場合がある。
【０００８】この問題を解決する方法として、特許第３
２１６３０５号には、半導体素子の活性領域となる半導
体層の上に、素子の外部の電極と電気的に接続される複
数のボンディングパッドを有する半導体装置において、
複数のボンディングパッド同士を板状の導電性部材で接
続することが開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、金網４５と
金属板４６とを重ねて加熱、圧延して一体化された積層
体は、圧延したときに金網４５を構成する金属細線４５
ａの重なった部分及びその近傍に金属が入り込まず、図
１９に示すように、金属細線４５ａの重なった部分及び
その近傍に空間Δが生じ易い。その結果、空気が存在す
る分、熱伝導性が悪くなるとともに、熱膨張及び熱収縮
の繰り返しにより空隙部からクラックが発生し易くな
り、強度的にも弱くなる。金網４５の強度を高めるた
め、金属細線４５ａの接点を溶接で接合することが考え
られる。しかし、電子部品を搭載するための放熱用基板
材料に使用する金網４５のように、金属細線４５ａを使
用した編み目が小さな金網の場合は、溶接で接点を接合
するのが難しい。
【００１０】また、放熱用基板材料の熱膨張率を抑制す
るためには、熱膨張率の小さな金属の占める体積をでき
る限り大きくする必要がある。しかし、金網４５を使用
する構成では、孔４８ａに相当する編み目の部分の他
に、金網４５を構成する金属細線４５ａの湾曲部と対応
する部分４７ａ（図２０（ａ）に示す箇所）にも金属が
存在する構成となる。従って、図２０（ｂ）に示す平板
状の金属板４９に孔４９ａを形成したものを金属５０で
囲繞する構成に比較して、熱膨張率の小さな金属の占め
る体積の割合を大きくすることが難しい。
【００１１】また、特開平６−３３４０７４号公報に開
示された半導体装置用基板の場合は、金網４５を使用し
た場合の不具合は解消できる。しかし、素材を平板状に
加工した後、打ち抜き加工する方法で孔を形成する場合
は、打ち抜き加工する分、素材の歩留まりが低くなり材
料費が高くなる。また、精密鋳造法（ロストワックス
法）により製造する場合は製造コストが高くなる。
【００１２】また、特許第３２１６３０５号に開示され
た、板状の導電性部材で接続する方法では、半導体素子
の熱膨張率と、板状導電材料の熱膨張率との差が大き
く、半導体装置の動作中の発熱による熱応力で板状導電
材料の配線が断線する虞がある。
【００１３】本発明は前記従来の問題点に鑑みてなされ
たものであって、その第１の目的は、金網を使用した場
合に比較して良好な熱伝導率を有し、強度的にも優れ、
半導体装置等の電子部品を搭載するための放熱用基板材
として好適で、かつ製造コストを低減できる複合材を提
供することにある。第２の目的は、半導体装置の配線材
として好適な複合材を提供することにあり、第３の目的
は、その製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め請求項１に記載の発明の複合材は、線膨張率が８×１
０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパンドメ
タルにより熱膨張を抑制し、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ
・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保するように、両者を
板状に複合した。「エキスパンドメタル」とは金属板に
細かい切れ目を交互に入れたものを引っ張り、金網状に
広げたものを意味する。
【００１５】この発明では、線膨張率が８×１０−６／
℃以下の金属板製のエキスパンドメタルと、熱伝導率が
２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属からなるマトリックス
とで複合材が形成されている。そして、複合材の線膨張
率はエキスパンドメタルにより小さく抑えられ、熱伝導
率はマトリックス金属により確保される。エキスパンド
メタルを使用することにより、金網を使用した場合に比
較して熱伝導性及び強度に優れる。また、平板状の金属
板に精密鋳造法や打ち抜きにより孔を形成したものを使
用する場合に比較して製造コストを低減できる。
【００１６】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記エキスパンドメタルを、熱伝導
率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で囲繞して板状と
した。この発明では、エキスパンドメタルが、熱伝導率
が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で囲繞されているた
め、複合材の表面にエキスパンドメタルの一部が露出し
ている構成に比較して厚さ方向の熱伝導率が向上する。
【００１７】請求項３に記載の発明では、請求項２に記
載の発明において、前記エキスパンドメタルを熱伝導率
が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属板の間に挟んだ状態
で圧延・接合して形成した。この発明では、マトリック
スとなる金属を溶融状態とするほど高温にせずに複合材
を製造できる。
【００１８】請求項４に記載の発明では、請求項２に記
載の発明において、前記エキスパンドメタルがセットさ
れた成形型内に熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の
金属の溶湯を流し込んで得られた成形体を圧延して所定
の厚さに調整して形成した。この発明では、エキスパン
ドメタルの開口部が小さくても確実に溶融金属が充填さ
れ、所望の厚さの複合材の製造が容易になる。
【００１９】請求項５に記載の発明では、請求項２に記
載の発明において、前記エキスパンドメタルを熱伝導率
が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属浴に浸漬して取り出
すことにより形成した。この発明では、前記複合材の製
造が簡単になる。
【００２０】請求項６に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記エキスパンドメタルは少なくと
も２枚使用され、エキスパンドメタルが複合材の表裏両
面に配置された状態で、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・
Ｋ）以上の金属が前記エキスパンドメタルの間及びエキ
スパンドメタルの網目内に存在する。この発明では、エ
キスパンドメタルが、複合材の表裏両面に露出している
ため、エキスパンドメタルの全体が、熱伝導率が２００
Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で囲繞された構成に比較し
て、複合材の表裏両面付近の熱膨張の抑制効果が高くな
る。
【００２１】第２の目的を達成するため、請求項７に記
載の発明では、板状の導電性部材の端部に、線膨張率が
８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパ
ンドメタルにより熱膨張を抑制し、熱伝導率が２００Ｗ
／（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保するように構
成した板状の膨張抑制部を設けた。
【００２２】この発明の複合材を半導体装置の配線材と
して使用し、熱膨張抑制部の有る側において、導電性部
材が半導体素子側となるように接合すれば、導電性部材
が熱膨張する際にその膨張が熱膨張抑制部によって抑制
される。その結果、配線材が半導体装置の動作中の発熱
に伴う熱応力によって断線する事態に至ることが防止さ
れる。
【００２３】請求項８に記載の発明では、板状の導電性
部材の端部に、線膨張率が８×１０ −６／℃以下の金属
板から形成されたエキスパンドメタルと、熱伝導率が２
００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属の板とを前記導電性部材
及び前記金属の板の素材の少なくとも一方が前記エキス
パンドメタルの網目内に充填される状態で積層した膨張
抑制部を設けた。この発明では、膨張抑制部を挟んで導
電性部材と反対側に熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
上の金属の板が積層されているため、金属の板がない場
合に比較して放熱性が向上する。
【００２４】請求項９に記載の発明では、板状の導電性
部材の端部に、線膨張率が８×１０ −６／℃以下の金属
板から形成されたエキスパンドメタルと、板状の絶縁部
材とを少なくとも前記導電性部材の素材が前記エキスパ
ンドメタルの網目内に充填される状態で積層した膨張抑
制部を設けた。この発明では、膨張抑制部の上に絶縁部
材が積層されているため、複合材を配線材として使用す
る場合、配線材と半導体素子との接合作業の際に、配線
材との絶縁性を保持する手段を特に設ける必要がない。
従って、作業が容易となる。
【００２５】請求項１０に記載の発明では、請求項９に
記載の発明において、前記絶縁部材はゴム製である。こ
の発明では、絶縁部材がゴム製のため、膨張抑制部に衝
撃が加わり難い。
【００２６】請求項１１に記載の発明では、請求項１〜
請求項１０のいずれか一項に記載の発明において、前記
エキスパンドメタルはインバー又はそれと同程度の線膨
張率を有するＦｅ−Ｎｉ系合金で形成されている。この
発明では、複合材の線膨張率を半導体装置等の電子部品
を搭載するための放熱用基板材や、半導体装置の配線材
として好適な値にするのが容易になる。
【００２７】請求項１２に記載の発明では、請求項１〜
請求項１１のいずれか一項に記載の発明において、前記
熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属としてＣｕ
が使用されている。この発明ではマトリックスとなる金
属に熱伝導率が３９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と大きなＣｕが使
用されるため、貴金属に比較して安価に入手でき、しか
も複合材の放熱性が良くなる。
【００２８】請求項１３に記載の発明では、板状の導電
性部材の端部に、線膨張率が８×１０−６／℃以下の金
属板から形成されたエキスパンドメタルと、ゴムシート
とを積層配置し、前記ゴムシート側から加圧して前記板
状の導電性部材の素材及びゴムシートを前記エキスパン
ドメタルの網目内に充填させて、板状の導電性部材の端
部にエキスパンドメタルにより熱膨張を抑制し、熱伝導
率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保
するように構成した。
【００２９】この発明では、配線材を半導体素子と接合
する際に、配線材に加えられる大きな荷重を利用して導
電性部材とエキスパンドメタルとが接合される。従っ
て、予め複合材を製造したものを配線材として使用する
場合に比較して、複合材の製造に必要なエネルギーを低
減できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図３に従って
説明する。
【００３１】図１（ａ）は複合材の模式平断面図であ
り、図１（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１
（ａ），（ｂ）に示すように、複合材１１はエキスパン
ドメタル１２と、エキスパンドメタル１２を囲繞するマ
トリックス金属１３とで構成されている。エキスパンド
メタル１２は線膨張率が８×１０-6／℃以下の金属板か
ら形成されている。この実施の形態ではエキスパンドメ
タル１２はインバー（３６重量％のＮｉを含有するＦｅ
−Ｎｉ系合金）で形成されている。マトリックス金属１
３には熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属（こ
の実施の形態ではＣｕ）が使用されている。
【００３２】次に前記のように構成された複合材１１の
製造方法を図２及び図３に基づいて説明する。この実施
の形態の製造方法では、図２に示すように、エキスパン
ドメタル１２を金属板（銅板）１４の間に挟んだ状態で
圧延・接合して複合材１１を形成する。即ち、図３に示
すように、金属板１４の間にエキスパンドメタル１２を
配置した状態で圧延ロール１５により、加熱、圧延して
金属板１４とエキスパンドメタル１２とを一体化するこ
とで複合材１１が形成される。加熱は金属板１４を溶融
させるほど高温にならないように行われる。
【００３３】前記のようにして製造された複合材１１
は、エキスパンドメタル１２の網目の大きさ、金属板１
４の厚さ等を変更することにより、その線膨張率及び熱
伝導率を設定できる。そして、使用目的により線膨張率
が５〜１５×１０−６／℃程度となるように、製造され
る。
【００３４】前記のようにして製造された複合材１１
は、例えば、半導体装置を実装する際の放熱用基板材
（例えば、ヒートシンク）として使用される。この実施
の形態では次の効果を有する。
【００３５】（１） 複合材１１は、線膨張率が８×１
０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパンドメ
タル１２により熱膨張を抑制し、熱伝導率が２００Ｗ／
（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保するように、両
者を板状に複合して形成されている。従って、半導体装
置等の電子部品を搭載するための放熱用基板材として好
適な線膨張率と、熱伝導率を有する複合材１１が得られ
る。また、エキスパンドメタル１２を使用することによ
り、金網を使用した場合に比較して熱伝導性及び強度に
優れる。また、平板状の金属板に精密鋳造法や打ち抜き
により孔を形成したものを使用する場合に比較して製造
コストを低減できる。
【００３６】（２） エキスパンドメタル１２を、熱伝
導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属（マトリックス
金属１３）で囲繞して板状の複合材１１とした。従っ
て、複合材の表面にエキスパンドメタル１２の一部が露
出している構成に比較して水平方向の熱伝導率が向上す
る。
【００３７】（３） エキスパンドメタル１２を使用す
ることにより、金網を使用した場合と異なり、エキスパ
ンドメタル１２とマトリックス金属１３との間に空隙が
生じ難く、金網を使用した場合に比較して熱伝導性及び
強度に優れる。また、平板状の金属板に精密鋳造法や打
ち抜きにより孔を形成したものを使用する場合に比較し
て製造コストを低減できる。
【００３８】（４） エキスパンドメタル１２はインバ
ー（線膨張率：１×１０−６／℃程度）で形成されてい
る。従って、複合材１１の線膨張率を半導体装置等の電
子部品を搭載するための放熱用基板材として好適な値に
するのが容易になる。
【００３９】（５） エキスパンドメタル１２を熱伝導
率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属板１４の間に挟ん
だ状態で圧延・接合して形成した。従って、マトリック
スとなる金属を溶融状態とするほど高温にせずに複合材
１１を製造でき、製造コストを低減できる。
【００４０】（６） 熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上の金属としてＣｕが使用されている。従って、マト
リックスとなる金属に熱伝導率が３９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
と大きなＣｕが使用されるため、貴金属に比較して安価
に入手でき、しかも複合材１１の放熱性が良くなる。
【００４１】（第２の実施の形態）次に第２の実施の形
態を図４に従って説明する。この実施の形態では、複合
材１１の製造方法のうちマトリックス金属を構成する方
法が前記実施の形態と異なる。前記実施の形態と同様な
部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００４２】図４（ａ）に示すように、成形型１６内に
エキスパンドメタル１２をセットした状態でＣｕの溶湯
１７を流し込む。次に図４（ｂ）に示すように、得られ
た成形体１８を圧延ロール１５で圧延して所定の厚さに
調整して複合材１１が形成される。成形体１８の成形型
１６からの取り出しは、成形体１８が完全に冷却される
前の、かなり高温の状態で行えば、圧延ロール１５によ
る圧延の際に加熱が不要となる。
【００４３】この実施の形態では、前記実施の形態の
（１）〜（４）及び（６）の効果を有する他に、次の効
果を有する。 （７） 溶湯１７をエキスパンドメタル１２がセットさ
れた成形型１６に流し込んで得た成形体１８を圧延する
ため、エキスパンドメタル１２の周囲にマトリックスを
密着させるのが容易になる。
【００４４】（８） 前記実施の形態と異なり、圧延は
成形体１８を所定の厚みに調整する作用があればよく、
金属板を接合させる作用は必要ないため、圧延の加圧力
が小さくてすむ。
【００４５】（第３の実施の形態）次に第３の実施の形
態を図５〜図７に従って説明する。この実施の形態の複
合材１１は、エキスパンドメタル１２が複数枚使用され
ている点と、複合材１１の表裏両面にエキスパンドメタ
ル１２の一部が露出している点とが前記両実施の形態の
複合材１１と大きく異なっている。前記実施の形態と同
様な部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００４６】図５（ａ），（ｂ）に示すように、複合材
１１は複数枚（この実施の形態では２枚）のエキスパン
ドメタル１２と、マトリックス金属１３とで構成されて
いる。エキスパンドメタル１２が複合材１１の表裏両面
に配置された状態で、マトリックス金属１３がエキスパ
ンドメタル１２の間及びエキスパンドメタル１２の網目
１２ａ内に存在するように構成されている。
【００４７】次に前記のように構成された複合材１１の
製造方法を図６及び図７に基づいて説明する。この実施
の形態の製造方法では、図６に示すように、金属板（銅
板）１４をエキスパンドメタル１２の間に挟んだ状態で
圧延・接合して複合材１１を形成する。即ち、図７に示
すように、エキスパンドメタル１２の間に金属板１４を
配置した状態で圧延ロール１５により、加熱、圧延する
ことにより、エキスパンドメタル１２の網目１２ａに金
属板１４を構成する金属が入り込む。そして、圧延ロー
ル１５を通過後は、２枚のエキスパンドメタル１２の間
と、網目１２ａ内にマトリックス金属１３が存在する状
態で一体化された複合材１１が形成される。加熱は金属
板１４を溶融させるほど高温にならないように行われ
る。
【００４８】この実施の形態では、前記実施の形態の
（１），（３），（４）及び（６）の効果を有する他
に、次の効果を有する。 （９） エキスパンドメタル１２が、複合材１１の表裏
両面に露出しているため、エキスパンドメタル１２の全
体が、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で囲
繞された構成に比較して、複合材１１の表裏両面付近の
熱膨張の抑制効果が高くなる。
【００４９】（１０） エキスパンドメタル１２を製造
する際、厚さが薄い方が網目１２ａを細かくするのが容
易となる。従って、エキスパンドメタル１２とマトリッ
クス金属１３との体積比が同じ場合、エキスパンドメタ
ル１２を複数枚使用する構成の方が、１枚のエキスパン
ドメタル１２を使用する構成に比較して網目１２ａを小
さくすることが容易となる。その結果、複合材１１とし
て均質なものを得易い。
【００５０】（第４の実施の形態）次に第４の実施の形
態を図８〜図１１に従って説明する。この実施の形態の
複合材は、半導体装置の配線材として好適に形成されて
いる点が前記各実施の形態と大きく異なっている。
【００５１】図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、複合材
２１は、板状の導電性部材２２の端部に膨張抑制部２３
が設けられている。板状の導電性部材２２は銅箔で構成
されている。銅箔の厚さは、使用条件にもよるが、例え
ば数μｍ〜３００μｍ、好ましくは数μｍ〜数十μｍに
形成されている。
【００５２】膨張抑制部２３は、線膨張率が８×１０
−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパンドメタ
ル２４と、その網目に充填された熱伝導率が２００Ｗ／
（ｍ・Ｋ）以上の金属とで構成され、エキスパンドメタ
ル２４で熱膨張を抑制し、網目に充填された金属で熱伝
導率を確保するようになっている。熱伝導率が２００Ｗ
／（ｍ・Ｋ）以上の金属としては導電性部材２２と同じ
素材である銅（Ｃｕ）が使用されている。エキスパンド
メタル２４はインバーで形成されている。
【００５３】複合材２１は、配線材として使用される形
状（例えば、図８（ｃ）の形状）に始めから形成しても
よいが、図８（ａ）に示すように、配線材として使用さ
れる単位が複数一体となった形状に形成され、配線材と
して使用される際に、所定の幅に切断される構成の方
が、生産性や保管、取扱い性の面で好ましい。
【００５４】複合材２１は、所定の大きさの板状の導電
性部材２２の端部に、所定の大きさの板状のエキスパン
ドメタル２４を圧着しながら抵抗溶接することで製造さ
れる。例えば、図９に示すように、一対の加圧通電可能
な円板状の溶接電極２５ａ，２５ｂを回転させながら溶
接を線状に行うシーム溶接が好適に用いられる。図９に
示す方法では、導電性部材２２とエキスパンドメタル２
４とが重ね合わされた部分が溶接電極２５ａ，２５ｂ間
を通過する間に抵抗溶接が行われる。その結果、導電性
部材２２の一部がエキスパンドメタル２４の網目２４ａ
内に侵入した状態で充填されて両者が接合され、導電性
部材２２の端部に膨張抑制部２３が設けられた複合材２
１が製造される。
【００５５】また、板状の導電性部材２２及びエキスパ
ンドメタル２４を重ねて重合部をシーム溶接する代わり
に、図１０に示すように、コイル状に巻かれた導電性部
材２２と、同じくコイル状に巻かれたエキスパンドメタ
ル２４を用い、溶接電極２５ａ，２５ｂ間を通過して溶
接された後の複合材２１をコイル状に巻き取ってもよ
い。この場合は、板状の導電性部材２２及びエキスパン
ドメタル２４を用いて製造する場合に比較して、生産
性、保管性及び取扱い性が良くなる。
【００５６】前記のように構成された複合材２１は、例
えば、図１１に示すように、半導体装置の配線材３３と
して好適に使用される。図１１は半導体装置を構成する
ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）モジュ
ールの要部模式斜視図である。放熱板２６上に絶縁板２
７が固着され、絶縁板２７上にＩＧＢＴ素子２８及びダ
イオード素子２９が搭載されるとともに、エミッタ電極
３０、ゲート電極３１及びコレクタ電極３２が設けられ
ている。そして、半導体素子としてのＩＧＢＴ素子２８
のエミッタパッドと配線材３３の一端とが拡散接合で接
続され、配線材３３の他端がエミッタ電極３０に接続さ
れている。膨張抑制部２３の大きさはＩＧＢＴ素子２８
とほぼ同じに形成されている。配線材３３として使用さ
れる複合材２１は、膨張抑制部２３側の端部がエミッタ
パッドと対応し、かつエミッタパッドに対して導電性部
材２２が接合されている。配線材３３にはＩＧＢＴ素子
２８のゲートパッドと対応する位置に孔が形成され、ゲ
ートパッドとゲート電極３１とは配線３４により接続さ
れている。
【００５７】また、ダイオード素子２９とエミッタ電極
３０とが配線材３３を介して接続されている。膨張抑制
部２３の大きさはダイオード素子２９とほぼ同じに形成
されている。配線材３３は複合材２１の膨張抑制部２３
側の端部がダイオード素子２９と対応し、かつダイオー
ド素子２９に対して導電性部材２２が接合されている。
【００５８】なお、図８（ａ）〜（ｃ）に示す複合材２
１と、図１１に示す複合材２１とは、図示の都合上、導
電性部材２２と膨張抑制部２３との面積の比率が異なっ
て描いてある。また、導電性部材２２及び膨張抑制部２
３の厚さも誇張して描いてある。
【００５９】この実施の形態では、次の効果を有する。 （１１） 半導体素子のボンディングパッドあるいは半
導体素子と、電極（エミッタ電極３０）とが板状の配線
材３３により接続されているため、パッドや半導体素子
に大きな応力がかからない方法によって接合することが
でき、素子の損傷を防止できる。また、配線材３３の放
熱性が線材に比較して向上し、接合部にかかる熱応力が
低減し、劣化し難い。
【００６０】（１２） 熱膨張の小さな半導体素子と対
応する配線材３３の部分に膨張抑制部２３が設けられて
いるため、当該部分の導電性部材２２の熱膨張が抑制さ
れ、半導体装置の動作中の熱に起因する配線材３３ある
いは半導体素子の破損がより抑制される。
【００６１】（１３） 膨張抑制部２３は、線膨張率が
８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパ
ンドメタル２４の網目２４ａに熱伝導率が２００Ｗ／
（ｍ・Ｋ）以上の金属が充填されている。従って、膨張
抑制部２３の部分でも高い放熱性を確保できる。
【００６２】（１４） 複合材２１は配線材として使用
される単位が複数一体となった形状に形成され、配線材
として使用される際に、所定の幅に切断されて使用され
る。従って、生産性や保管、取扱い性の面で好ましい。
また、最初から配線材の大きさに合わせて製造する場合
に比較して製造コストを低減できる。
【００６３】（１５） 複合材２１は、導電性部材２２
とエキスパンドメタル２４とを重合した状態で抵抗溶
接、好ましくはシーム溶接で製造されるため、簡単に製
造できる。
【００６４】（１６） 複合材２１をコイル状の導電性
部材２２と、コイル状のエキスパンドメタル２４とを使
用して、シーム溶接により連続的に製造する場合は、生
産性や保管性がより向上する。
【００６５】（第５の実施の形態）次に第５の実施の形
態を図１２及び図１３に従って説明する。この実施の形
態の複合材２１は配線材として好適に使用される点では
前記第４の実施の形態の複合材２１と同じであるが、膨
張抑制部２３の上に絶縁部材が積層されている点が大き
く異なっている。前記実施の形態と同一部分は同一符号
を付して詳しい説明を省略する。
【００６６】図１２に示すように、複合材２１は導電性
部材２２と、膨張抑制部２３と、絶縁部材３５とから構
成されている。この実施の形態では絶縁部材３５はゴム
製で、ゴムとしてシリコーンゴムが使用されている。こ
の構成の複合材２１は、板状の導電性部材２２の端部
に、エキスパンドメタル２４と絶縁部材３５とを積層配
置し、絶縁部材３５側から加圧して製造する。絶縁部材
３５を加圧することにより、導電性部材２２の素材及び
絶縁部材３５がエキスパンドメタル２４の網目２４ａ内
に充填される。その結果、導電性部材２２、膨張抑制部
２３及び絶縁部材３５が一体化される。
【００６７】複合材２１は、配線材として使用される単
位が複数一体となった形状に形成され、配線材として使
用される際に、所定の幅に切断されて使用される構成に
代えて、配線の時に配線材として複合材２１が製造され
る構成も可能である。例えば、図１３（ａ）に示すよう
に、配線材の大きさに形成された導電性部材２２の端部
に、所定の大きさに形成されたエキスパンドメタル２４
及び絶縁部材３５を少量の接着剤で仮止めした状態で積
層する。その配線材のエキスパンドメタル２４が設けら
れた側の端部を、図１３（ｂ）に示すように、接合すべ
き半導体素子のパッド３６上に配置し、その状態で絶縁
部材３５側から加圧するとともに超音波を印加する。そ
の結果、導電性部材２２がパッド３６に接合されるとと
もに、導電性部材２２の一部がエキスパンドメタル２４
の網目２４ａ内に充填され、絶縁部材３５の一部がエキ
スパンドメタル２４の網目２４ａ内に充填された状態で
接合される。その結果、導電性部材２２の端部に膨張抑
制部２３が接合され、その上に絶縁部材３５が接合され
た複合材２１が製造される。なお、図１３（ｃ）は図１
３（ａ）の断面図、図１３（ｄ）は複合材２１の断面図
である。
【００６８】この実施の形態では前記第４の実施の形態
の（１１），（１２）の効果を有する他に次の効果を有
する。 （１７） 配線材を半導体素子と接合する際に配線材に
加えられる大きな荷重を利用して、複合材２１が形成さ
れる。従って、予め複合材２１を製造したものを配線材
として使用する場合に比較して、複合材２１の製造に必
要なエネルギーを低減できる。また、常温にて形成可能
なため、製造コストをより低減できる。
【００６９】（１８） 膨張抑制部２３の導電性部材２
２と反対側の面に絶縁部材３５が接合されているため、
配線材と半導体素子との接合作業の際に配線材との絶縁
性を保持する手段を特に設ける必要がない。従って、作
業が容易となる。
【００７０】（１９） 絶縁部材３５がゴム製のため、
膨張抑制部２３に衝撃が加わり難い。また、ゴムとして
シリコーンゴムが使用されているため耐熱性に優れ、半
導体装置の動作中の発熱で劣化し難い。
【００７１】（２０） 絶縁部材３５がシリコーンゴム
製で網目２４ａに充填された導電性部材２２に圧接され
ているため、膨張抑制部２３からの放熱性を確保でき
る。実施の形態は前記に限定されるものではなく、例え
ば次のように構成してもよい。
【００７２】○ 複合材１１を製造する際、圧延工程は
必ずしも必須ではなく、図１４に示すように、製品にお
ける厚さに形成されたエキスパンドメタル１２を、製品
としての複合材１１の外形と同じキャビティを有する成
形型１６内にセットした状態で溶湯１７を流し込んで複
合材１１を製造してもよい。この場合、圧延工程なしに
複合材１１を製造できるため、製造が容易になる。溶融
状態の金属が所定量注入された後、ある程度の圧力を加
えてもよい。この場合、エキスパンドメタル１２の開口
部が小さくても、溶湯１７が開口部に入り易くなる。
【００７３】○ エキスパンドメタル１２を成形型１６
内にセットして溶湯１７を成形型１６内に注入する代わ
りに、金属浴にエキスパンドメタル１２を浸漬（所謂ど
ぶ浸け）して、取り出したものを圧延したり、圧延加工
をせずに、外形加工を施して複合材１１を製造してもよ
い。
【００７４】○ 第３の実施の形態において、エキスパ
ンドメタル１２を３枚以上使用し、各エキスパンドメタ
ル１２の間及び各エキスパンドメタル１２の網目１２ａ
内にマトリックス金属１３が存在する構成としてもよ
い。エキスパンドメタル１２を複数枚使用する構成の方
が、複合材１１の全体積に占めるエキスパンドメタル１
２の体積割合を同じとした場合、１枚のエキスパンドメ
タル１２を使用する構成に比較して各エキスパンドメタ
ル１２の厚さを薄くできる。その結果、網目１２ａを小
さくすることが容易となり、複合材１１として均質なも
のを製造し易くなる。
【００７５】○ エキスパンドメタル１２の全体がマト
リックス金属１３により囲繞される構成の複合材１１に
おいても、エキスパンドメタル１２を複数枚使用しても
よい。
【００７６】○ エキスパンドメタル１２を複数枚使用
する構成において、各エキスパンドメタル１２は必ずし
も同じ材質のものでなくてもよい。しかし、複合材１１
の厚さ方向の中央を通る面に対して対称な位置に配置さ
れたエキスパンドメタル１２同士は同じ材質であるのが
好ましい。このようにすれば、材質の違いにより熱膨張
率が違っても複合材１１に反りが発生するのを抑制でき
る。
【００７７】○ 配線材として好適な複合材２１は導電
性部材２２の一部がエキスパンドメタル２４の網目２４
ａ内に圧入状態で充填されている構成に限らず、予めエ
キスパンドメタル２４の網目２４ａ内に熱伝導性の良い
金属を充填した複合材で膨張抑制部２３を形成し、その
複合材を導電性部材２２の端部に接合してもよい。図１
５（ａ）に示すように、導電性部材２２に膨張抑制部２
３が接合されるとともに、導電性部材２２と反対側に熱
伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属の板３７を接
合した構成でも、図１５（ｂ）に示すように、導電性部
材２２に膨張抑制部２３のみを接合した構成のいずれで
あってもよい。
【００７８】○ 金属の板３７は導電性部材２２と同じ
金属で形成しても、別の金属で形成してもよい。また、
エキスパンドメタル２４の網目２４ａに充填される金属
も、導電性部材２２と同じ金属を使用しても別の金属を
使用してもよい。Ｃｕ以外の金属としてはアルミニウム
が好ましい。
【００７９】〇 導電性部材２２の端部に膨張抑制部２
３が設けられた複合材２１をシーム溶接で製造する場
合、一方の電極を板状とし、その上に導電性部材２２及
び膨張抑制部２３の重合部を載置し、１個の円板状の溶
接電極を回転させながら移動させて両者を接合させても
よい。
【００８０】○ 導電性部材２２の端部に膨張抑制部２
３が設けられた複合材２１の製造方法としては、抵抗溶
接に限らず、熱間プレスや冷間プレス等のプレス成形を
採用したり、圧延法を採用してもよい。
【００８１】〇 絶縁部材３５をゴム製とする代わりに
樹脂製としてもよい。 〇 第５の実施の形態において、導電性部材２２、エキ
スパンドメタル２４及び絶縁部材３５の三者を接着剤で
仮止めした状態で加圧する代わりに、導電性部材２２及
びエキスパンドメタル２４を接着剤で仮止めし、その上
に絶縁部材３５を載置して加圧してもよい。
【００８２】○ マトリックス金属１３を構成する金属
は、Ｃｕに限らず、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
上の金属であればよく、例えば、アルミニウム系金属や
銀等を使用してもよい。アルミニウム系金属とはアルミ
ニウム及びアルミニウム合金を意味する。アルミニウム
系金属はＣｕに比較して熱伝導率が小さいが、融点が６
６０℃（アルミニウムの場合）とＣｕの融点１０８５℃
に比較して大幅に低いため、金属の溶融温度が低くな
り、製造コストの点ではＣｕに比較して好ましい。ま
た、アルミニウム系金属は軽量化の点でも好ましい。
【００８３】○ エキスパンドメタル１２の素材はイン
バーに限らず、線膨張率が８×１０ −６／℃以下の金属
板から形成されたものであればよい。例えば、スーパー
インバーやステンレスインバーなどの他のインバー型合
金を使用したり、あるいはフェルニコ（Ｆｅ５４重量
％、Ｎｉ３１重量％、Ｃｏ１５重量％の合金で線膨張率
が５×１０−６／℃）を使用してもよい。
【００８４】○ 複合材１１を製造する際、接合工程は
必ずしも必須ではなく、冷間圧延後、熱処理を行って複
合材１１を製造してもよい。 ○ 複合材１１は半導体装置の実装に使用する放熱用基
板材以外の放熱板として使用してもよい。
【００８５】○ 成形型１６は必ずしも金属製に限ら
ず、セラミック製としてもよい。前記実施の形態から把
握される発明（技術的思想）について、以下に記載す
る。
【００８６】（１） 請求項１〜請求項５のいずれか一
項に記載の発明において、前記エキスパンドメタルが複
数枚使用されている。 （２） 請求項６に記載の発明において、前記エキスパ
ンドメタルが３枚以上使用されている。
【００８７】（３） 請求項７又は請求項８に記載の発
明において、前記板状の導電性部材は熱伝導率が２００
Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で形成され、前記エキスパン
ドメの網目内に導電性部材の一部が侵入した状態に形成
されている。
【００８８】（４） 熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上の板状の導電性部材の端部に線膨張率が８×１０
−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパンドメタ
ルを重ね合わせた状態で抵抗溶接により両者を接合する
複合材の製造方法。
【００８９】（５） 前記抵抗溶接としてシーム溶接が
使用される前記技術的思想（４）に記載の複合材の製造
方法。 （６） 前記板状の導電性部材及びエキスパンドメタル
はコイル状のものから繰り出され、シーム溶接機の溶接
電極間に供給される前記技術的思想（５）に記載の複合
材の製造方法。
【００９０】（７） 板状の導電性部材の端部に、線膨
張率が８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエ
キスパンドメタルにより熱膨張を抑制し、熱伝導率が２
００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保するよ
うに構成した板状の膨張抑制部を設けた配線材。
【００９１】（８） 請求項１〜請求項１１及び前記技
術的思想（１）〜（７）のいずれか一項に記載の発明に
おいて、前記熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金
属としてアルミニウム系金属が使用されている。
【００９２】（９） 半導体装置の半導体素子の配線を
接続すべき箇所に、板状の導電性部材の端部に線膨張率
が８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキス
パンドメタルを仮止めした状態で導電性部材側を載置
し、前記エキスパンドメタル上にシリコーンゴムシート
を載置した状態で加圧するとともに、超音波を加えて前
記導電性部材と、前記エキスパンドメタルと、前記シリ
コーンゴムシートとを一体化するとともに導電性部材を
半導体素子に接合する半導体装置の配線材接続方法。
【００９３】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜請求項
６、請求項１１及び請求項１２に記載の発明によれば、
良好な熱伝導率を有し、強度的にも優れ、半導体装置等
の電子部品を搭載するための放熱用基板材として好適
で、かつ平板状の金属板に精密鋳造法や打ち抜きにより
孔を形成したものを使用する場合に比較して製造コスト
を低減できる。また、請求項７〜請求項１０、請求項１
１及び請求項１２に記載の発明によれば、半導体装置の
配線材として好適に使用できる。請求項１３に記載の発
明によれば、半導体装置の配線材として好適に使用でき
る複合材を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は第１の実施の形態の複合材の模式平
断面図、（ｂ）は模式縦断面図。
【図２】 複合材を構成する金属板とエキスパンドメタ
ルの模式斜視図。
【図３】 複合材の製造方法を示す模式断面図。
【図４】 （ａ），（ｂ）は第２の実施の形態の複合材
の製造方法を示す模式断面図。
【図５】 （ａ）は第３の実施の形態の複合材の模式平
断面図、（ｂ）は（ａ）の模式縦断面図。
【図６】 複合材を構成する金属板とエキスパンドメタ
ルの模式斜視図。
【図７】 複合材の製造方法を示す模式断面図。
【図８】 （ａ）は第４の実施の形態の複合材の模式平
面図、（ｂ）は模式断面図、（ｃ）は配線材の大きさに
切断した複合材の模式平面図。
【図９】 同じく複合材の製造方法を示す模式側面図。
【図１０】 複合材の別の製造方法を示す模式側面図。
【図１１】 配線材の使用状態を示す模式斜視図。
【図１２】 第５の実施の形態の配線材の模式断面図。
【図１３】 （ａ），（ｂ）は配線材の製造方法を示す
模式側面図、（ｃ）は（ａ）の断面図、（ｄ）は複合材
の模式断面図。
【図１４】 別の実施の形態の複合材の製造方法を示す
模式断面図。
【図１５】 （ａ），（ｂ）は別の実施の形態の複合材
の模式断面図。
【図１６】 ヒートシンクを使用した実装モジュールの
模式断面図。
【図１７】 （ａ），（ｂ）は従来の放熱用基板材料の
製造方法を示す模式断面図。
【図１８】 別の従来例の半導体装置用基板の基材の平
面図。
【図１９】 図１７（ｂ）の部分拡大図。
【図２０】 （ａ）は従来の放熱用基板材料の模式断面
図、（ｂ）は別の放熱用基板材料の模式断面図。
【符号の説明】
１１，２１…複合材、１２，２４…エキスパンドメタ
ル、１２ａ，２４ａ…網目、１３…マトリックス金属、
１４…金属板、１６…成形型、１７…溶湯、１８…成形
体、２２…導電性部材、２３…膨張抑制部、３５…絶縁
部材、３７…金属の板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木下 恭一 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 株式会 社豊田自動織機内 (72)発明者 吉田 貴司 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 株式会 社豊田自動織機内 (72)発明者 河野 栄次 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 株式会 社豊田自動織機内 (72)発明者 工藤 英弘 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 株式会 社豊田自動織機内 (72)発明者 三好 学 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 株式会 社豊田自動織機内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA23 BB08 BD01 BD11

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 線膨張率が８×１０−６／℃以下の金属
    板から形成されたエキスパンドメタルにより熱膨張を抑
    制し、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱
    伝導率を確保するように、両者を板状に複合した複合
    材。
  2. 【請求項２】 前記エキスパンドメタルを、熱伝導率が
    ２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で囲繞して板状とした
    請求項１に記載の複合材。
  3. 【請求項３】 前記エキスパンドメタルを熱伝導率が２
    ００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属板の間に挟んだ状態で圧
    延・接合して形成した請求項２に記載の複合材。
  4. 【請求項４】 前記エキスパンドメタルがセットされた
    成形型内に熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属
    の溶湯を流し込んで得られた成形体を圧延して所定の厚
    さに調整して形成した請求項２に記載の複合材。
  5. 【請求項５】 前記エキスパンドメタルを熱伝導率が２
    ００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属浴に浸漬して取り出すこ
    とにより形成した請求項２に記載の複合材。
  6. 【請求項６】 前記エキスパンドメタルは少なくとも２
    枚使用され、エキスパンドメタルが複合材の表裏両面に
    配置された状態で、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
    上の金属が前記エキスパンドメタルの間及びエキスパン
    ドメタルの網目内に存在する請求項１に記載の複合材。
  7. 【請求項７】 板状の導電性部材の端部に、線膨張率が
    ８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパ
    ンドメタルにより熱膨張を抑制し、熱伝導率が２００Ｗ
    ／（ｍ・Ｋ）以上の金属で熱伝導率を確保するように構
    成した板状の膨張抑制部を設けた複合材。
  8. 【請求項８】 板状の導電性部材の端部に、線膨張率が
    ８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパ
    ンドメタルと、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の
    金属の板とを前記導電性部材及び前記金属の板の素材の
    少なくとも一方が前記エキスパンドメタルの網目内に充
    填される状態で積層した膨張抑制部を設けた複合材。
  9. 【請求項９】 板状の導電性部材の端部に、線膨張率が
    ８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキスパ
    ンドメタルと、板状の絶縁部材とを少なくとも前記導電
    性部材の素材が前記エキスパンドメタルの網目内に充填
    される状態で積層した膨張抑制部を設けた複合材。
  10. 【請求項１０】 前記絶縁部材はゴム製である請求項９
    に記載の複合材。
  11. 【請求項１１】 前記エキスパンドメタルはインバー又
    はそれと同程度の線膨張率を有するＦｅ−Ｎｉ系合金で
    形成されている請求項１〜請求項１０のいずれか一項に
    記載の複合材。
  12. 【請求項１２】 前記熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
    以上の金属としてＣｕが使用されている請求項１〜請求
    項１１のいずれか一項に記載の複合材。
  13. 【請求項１３】 板状の導電性部材の端部に、線膨張率
    が８×１０−６／℃以下の金属板から形成されたエキス
    パンドメタルと、ゴムシートとを積層配置し、前記ゴム
    シート側から加圧して前記板状の導電性部材の素材及び
    ゴムシートを前記エキスパンドメタルの網目内に充填さ
    せて、板状の導電性部材の端部にエキスパンドメタルに
    より熱膨張を抑制し、熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
    以上の金属で熱伝導率を確保するように構成した複合材
    の製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005229100A (ja) * 2004-01-13 2005-08-25 Japan Matekkusu Kk 放熱シート及びヒートシンク
JP2007067228A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toyota Industries Corp 回路基板
JP2007165415A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Japan Matekkusu Kk 複合基板
KR100975401B1 (ko) 2008-06-27 2010-08-11 주식회사 엠디티 세라믹 패키지
JP2010182858A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toshiba Corp 半導体パッケージおよびその作製方法
KR101766088B1 (ko) * 2015-12-11 2017-08-07 현대자동차주식회사 클래드 시트 및 그 제조방법
JP2017183566A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 日立金属株式会社 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール
JP2018182088A (ja) * 2017-04-14 2018-11-15 株式会社半導体熱研究所 放熱基板、放熱基板電極、半導体パッケージ、及び半導体モジュール
KR102367549B1 (ko) * 2021-12-14 2022-02-25 알에프머트리얼즈 주식회사 수직 그물망 구조를 갖는 클래드 방열 기판 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4471646B2 (ja) * 2003-01-15 2010-06-02 株式会社豊田自動織機 複合材及びその製造方法
JP4225119B2 (ja) * 2003-05-28 2009-02-18 三菱マテリアル株式会社 放熱体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
US20040247927A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Kurz Douglas L. Method of producing seamless, multi-layer, bonded, metallic, laminate strips or coils of arbitrarily long length
US7328508B2 (en) * 2005-07-05 2008-02-12 International Business Machines Corporation Anisotropic heat spreading apparatus and method for semiconductor devices
EP1761114A3 (en) * 2005-08-31 2009-09-16 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Circuit board
US7688548B2 (en) * 2006-02-21 2010-03-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Utilizing an interlocking dissimilar metal component in the formation of a hard disk drive
US7956446B2 (en) * 2008-05-13 2011-06-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method
DE102008033929A1 (de) * 2008-07-18 2010-01-21 Siemens Aktiengesellschaft Phosphoreszente Metallkomplexverbindung, Verfahren zur Herstellung dazu und strahlungsemittierendes Bauelement
CN101722408A (zh) * 2008-10-17 2010-06-09 日立电线株式会社 多孔板及散热板的制造方法及使用了多孔板的散热板、多层散热板
JP5251991B2 (ja) * 2011-01-14 2013-07-31 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュール
JP2013115083A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP6224960B2 (ja) * 2012-09-27 2017-11-01 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 放熱板およびその製造方法
US20140174329A1 (en) * 2012-12-26 2014-06-26 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Controlled temperature ion transport membrane reactor
USD782949S1 (en) * 2013-04-16 2017-04-04 Faurecia Angell-Demmel Gmbh Metal sheet material for vehicle panel
EP3058591B1 (fr) * 2013-10-18 2020-11-18 Griset Support pour composants électroniques de puissance, module de puissance doté d'un tel support, et procédé de fabrication correspondant
DE102015213085A1 (de) * 2015-07-13 2016-06-16 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul sowie Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls
JP6512229B2 (ja) * 2017-01-24 2019-05-15 トヨタ自動車株式会社 放熱シート
EP4428903A1 (de) * 2023-03-07 2024-09-11 Siemens Aktiengesellschaft Kühlkörper für ein elektronikbauteil

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2121469A (en) * 1936-06-17 1938-06-21 United States Gypsum Co Sizing and shearing method and device for flattened expanded metal
US3399332A (en) 1965-12-29 1968-08-27 Texas Instruments Inc Heat-dissipating support for semiconductor device
JPS53145567A (en) * 1977-05-25 1978-12-18 Hitachi Ltd Semiconductor device
US4283464A (en) 1979-05-08 1981-08-11 Norman Hascoe Prefabricated composite metallic heat-transmitting plate unit
JPS55162249A (en) * 1979-06-04 1980-12-17 Hitachi Ltd Heat discharge electrode plate for ic device
US4427993A (en) 1980-11-21 1984-01-24 General Electric Company Thermal stress relieving bimetallic plate
JPH02231751A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Sumitomo Special Metals Co Ltd リードフレーム用材料
US5151777A (en) 1989-03-03 1992-09-29 Delco Electronics Corporation Interface device for thermally coupling an integrated circuit to a heat sink
JPH0780272B2 (ja) 1989-12-12 1995-08-30 住友特殊金属株式会社 熱伝導複合材料
ATE138833T1 (de) * 1991-03-27 1996-06-15 Seb Sa Formteil hergestellt aus einer verhältnismässig weichen metallplatte und kochgefäss mit einem solchen formteil
JPH05109947A (ja) 1991-10-12 1993-04-30 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱伝導材料とその製造方法
DE69217810T2 (de) * 1991-10-12 1997-10-09 Sumitomo Spec Metals Verfahren zur Herstellung eines warmleitenden Materials
JPH05136286A (ja) 1991-11-08 1993-06-01 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0677365A (ja) 1992-08-26 1994-03-18 Toho Kinzoku Kk 放熱基板材料
JP3216305B2 (ja) 1993-03-11 2001-10-09 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH06334074A (ja) 1993-05-20 1994-12-02 Hitachi Metals Ltd 半導体装置用基板
EP0710178A4 (en) * 1993-07-14 1997-06-11 Chomerics Inc GOOD HEAT-CONDUCTING INTERFACE MATERIAL
JPH07249717A (ja) 1994-03-08 1995-09-26 Toho Kinzoku Kk 放熱基板材料
US5533257A (en) * 1994-05-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a heat dissipation apparatus
JPH08196421A (ja) 1995-01-24 1996-08-06 Hiroshima Alum Kogyo Kk 電磁調理用鍋
JP3462308B2 (ja) * 1995-06-16 2003-11-05 住友特殊金属株式会社 熱伝導複合材料の製造方法
GB2302901B (en) * 1995-07-06 1999-06-02 Showa Entetsu Co Ltd Cladding material
KR100436956B1 (ko) * 1995-07-06 2004-11-16 가부시키가이샤 쇼와엔뎃츠 피복재
JPH09312361A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Hitachi Metals Ltd 電子部品用複合材料およびその製造方法
JPH10173109A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Hitachi Metals Ltd パワー半導体モジュール
US6129993A (en) * 1998-02-13 2000-10-10 Hitachi Metals, Ltd. Heat spreader and method of making the same
JP4471646B2 (ja) * 2003-01-15 2010-06-02 株式会社豊田自動織機 複合材及びその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005229100A (ja) * 2004-01-13 2005-08-25 Japan Matekkusu Kk 放熱シート及びヒートシンク
JP2007067228A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toyota Industries Corp 回路基板
JP2007165415A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Japan Matekkusu Kk 複合基板
KR100975401B1 (ko) 2008-06-27 2010-08-11 주식회사 엠디티 세라믹 패키지
JP2010182858A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toshiba Corp 半導体パッケージおよびその作製方法
KR101766088B1 (ko) * 2015-12-11 2017-08-07 현대자동차주식회사 클래드 시트 및 그 제조방법
JP2017183566A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 日立金属株式会社 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール
JP2018182088A (ja) * 2017-04-14 2018-11-15 株式会社半導体熱研究所 放熱基板、放熱基板電極、半導体パッケージ、及び半導体モジュール
KR102367549B1 (ko) * 2021-12-14 2022-02-25 알에프머트리얼즈 주식회사 수직 그물망 구조를 갖는 클래드 방열 기판 및 이의 제조 방법
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