JP2003158317A - 固体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度制御のための温度センサの検知温度が制
御対象の実際の温度とずれていても、その温度ずれに影
響されずにレーザパラメータの安定化を図る。 【解決手段】 外気温センサ４７により使用環境温度を
検出し、その検出温度に応じてＣＰＵ４６が温度係数メ
モリ４８をアクセスする。温度係数メモリ４８には、サ
ーミスタ２４の検知温度とＬＤ１５の実際の温度とのず
れ、サーミスタ２５の検知温度とブロック３１の実際の
温度とのずれ、およびサーミスタ２６の検知温度とエタ
ロン１７の実際の温度とのずれをそれぞれ補正するため
の係数が、外気温センサ４７の検出温度ごとに、あらか
じめ記憶させられている。ＣＰＵ４６がこの係数を読み
出し温度制御回路４３，４４，４５における設定温度を
修正したり、サーミスタ２４〜２６の検知温度を修正す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光を入射して固
体レーザ結晶を励起し、その発生光を光共振器によって
共振させてレーザ発振させる固体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体レーザ装置は、たとえば励起光源と
して半導体レーザを用い、これからのレーザ光を、レー
ザ媒質であるＮｄ：ＹＡＧ結晶などの固体レーザ結晶に
入射してこれを励起し、その発生光を、出力側ミラー
と、その結晶の入射面ミラーとの間で形成される光共振
器で共振させてレーザ発振を生じさせ、そのレーザ光を
出力側ミラーより取り出すという構成をとる。そして、
波長選択のために光共振器内にエタロンが挿入される。

【０００３】この光共振器の長さは、安定なレーザ光を
得るためにきわめて重要であり、４０ｎｍ以下の変動幅
に抑えることが望まれる。そのため、固体レーザ結晶と
出力側ミラーとを金属ブロックなどに固定し、寸法精度
を高めるようにしている。また、金属ブロックが熱膨張
するためその影響を抑えるよう、温度が一定になるよう
コントロールしている。また、レーザダイオードの発振
波長やエタロンの選択周波数特性も、わずかであるが、
温度でコントロール可能であるため、それらの温度も制
御するようにしている。すなわち、これらの温度をサー
ミスタなどで検知し、その検知温度が設定された所定の
値になるよう、温度コントロールしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体レーザ装置では、厳密な意味では温度コントロール
が不正確であり、そのため、レーザパラメータの安定性
がいま一つであるという問題がある。というのは、厳密
には、センサの検知温度と、対象物の実際の温度とはか
ならずしも一致しないものであり、そのため検知温度が
設定値になるように温度コントロールしても実際の対象
物はその設定温度にはならないからである。しかも、そ
の温度差が、この固体レーザ装置が置かれる環境温度の
影響を受けて変化することも問題を複雑にしている。そ
して、この種の固体レーザ装置は、民生用として種々の
装置などに組み込まれて使用されるので、使用環境温度
がさまざまであったり、使用環境温度の変動が大きかっ
たりする。

【０００５】この発明は、上記に鑑み、センサの検知温
度と温度制御対象物の実際の温度とのずれを補償し、か
つそのずれが環境温度によって変化することにも対処す
ることができるようにし、これによってレーザパラメー
タの安定性を高めるように改善した、固体レーザ装置を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１記載の発明による固体レーザ装置において
は、レーザ光を発生する半導体レーザと、該半導体レー
ザからのレーザ光によって励起される、入射面に反射面
が形成された固体レーザ結晶と、該レーザ結晶の反射面
との間で光共振器を形成する反射面を持つ出力側ミラー
と、上記固体レーザ結晶および出力側ミラーが固定され
るブロックと、該光共振器内に挿入される波長選択用エ
タロンと、上記ブロックの温度を検出する温度センサを
備えそのブロックの温度が設定温度となるように制御す
るブロック用温度制御装置と、上記半導体レーザの温度
を検出する温度センサを備えその半導体レーザの温度が
設定温度となるように制御する半導体レーザ用温度制御
装置と、上記エタロンの温度を検出する温度センサを備
えそのエタロンの温度が設定温度となるように制御する
エタロン用温度制御装置と、使用環境温度を検出する外
気温センサと、上記各温度制御装置における温度センサ
の検知温度と実際の対象物の温度との温度差の使用環境
温度に対する関係を示す情報を記憶しているメモリと、
上記の外気温センサによる検出温度に応じて上記メモリ
に格納された情報を読み出し、上記各温度制御装置にお
ける温度センサ出力と設定温度との関係を補正する補正
装置とが備えられることが特徴となっている。

【０００７】使用環境温度が変化すると、それに応じ
て、各温度制御装置における温度センサ出力と実際に対
象物の温度との間の差が変化する。すなわち、ブロック
用温度制御装置においては、実際のブロックの温度と、
その温度を検出するものとして得た温度センサ出力が示
す温度とがずれており、そのずれが使用環境温度が変化
すると変動し、半導体レーザ用温度制御装置において
は、実際の半導体レーザの温度と、その温度を検出する
ものとして得た温度センサ出力が示す温度とがずれてお
り、そのずれが使用環境温度が変化すると変動し、エタ
ロン用温度制御装置においては、実際のエタロンの温度
と、その温度を検出するものとして得た温度センサ出力
が示す温度とがずれており、そのずれが使用環境温度が
変化すると変動する。ところが、メモリには、それら対
象物の実際の温度と温度センサが検知する温度とのず
れ、およびそのずれの使用環境温度に対する関係を示す
情報が記憶されている。そこで、外気温センサによって
使用環境温度を検出し、その検出温度に応じてメモリに
記憶された情報を読み出せば、当該使用環境温度下での
検知温度と実際の温度のずれを知ることができ、そのず
れに応じて、温度センサ出力を修正したり、逆に設定温
度の方を修正したりして、 温度センサ出力と設定温度
との関係を補正することができ、これによってブロッ
ク、半導体レーザおよびエタロンの実際の温度を最適な
温度に保つことができる。ブロック、半導体レーザおよ
びエタロンの実際の温度を最適な温度に保つことができ
るため、固体レーザ装置のレーザパラメータを安定化す
ることができる。

【０００８】請求項２記載の発明による固体レーザ装置
においては、レーザ光を発生する半導体レーザと、該半
導体レーザに駆動電流を供給する駆動回路と、上記半導
体レーザからのレーザ光によって励起される、入射面に
反射面が形成された固体レーザ結晶と、該レーザ結晶の
反射面との間で光共振器を形成する反射面を持つ出力側
ミラーと、上記固体レーザ結晶および出力側ミラーが固
定されるブロックと、該光共振器内に挿入される波長選
択用エタロンと、上記出力側ミラーから外部に出力され
るレーザ光の分岐光が入力されるモニター用光検出器
と、モニター用光検出器の出力を上記駆動回路へフィー
ドバックすることにより所定出力のレーザ光が外部に出
力されるように制御する制御回路と、上記ブロックの温
度を検出する温度センサを備えそのブロックの温度が設
定温度となるように制御するブロック用温度制御装置
と、上記半導体レーザの温度を検出する温度センサを備
えその半導体レーザの温度が設定温度となるように制御
する半導体レーザ用温度制御装置と、上記エタロンの温
度を検出する温度センサを備えそのエタロンの温度が設
定温度となるように制御するエタロン用温度制御装置
と、使用環境温度を検出する外気温センサと、該外気温
センサ出力に応じて上記の各温度制御装置を制御してブ
ロック、半導体レーザおよびエタロンの温度を各別に変
化させ、その各温度ごとに上記半導体レーザ駆動電流を
読み取り、最も駆動電流が少なくなる温度を各別に求め
て、それらをブロック用温度制御装置、半導体レーザ用
温度制御装置およびエタロン用温度制御装置の各設定温
度として設定する温度チューニング用制御装置とが備え
られることが特徴となっている。

【０００９】使用環境温度が大きく変化したときなど、
外気温センサ出力に応じて温度チューニング用制御装置
が働き、ブロック用、半導体レーザ用およびエタロン用
の、各温度制御装置が制御され、それらの温度が変化さ
せられ、その各温度での半導体レーザ駆動電流が読み取
られる。固体レーザ装置から出力されるレーザのモニタ
ー出力によって半導体レーザの駆動電流がフィードバッ
ク制御されており、その駆動電流は固体レーザ装置とし
ての出力が所定値となるように変化させられている。そ
してブロック、半導体レーザおよびエタロンの各温度に
ついて、最小の駆動電流を示すそれぞれの温度が、各々
の温度制御装置に設定温度として設定される。上記のフ
ィードバック制御のため、ブロック、半導体レーザおよ
びエタロンの各温度について、最小の駆動電流を示すそ
れぞれの温度は、ブロック上に形成された光共振器長が
所定値となる最適温度、半導体レーザの発振波長が所定
のものとなる最適温度、エタロンの選択波長特性が所定
のものとなる最適温度である。そのため、上記のように
各設定温度を設定することは、ブロック、半導体レーザ
およびエタロンの各温度を検出するはずの温度センサ出
力がそれらの実際の温度と乖離していたとしても、その
温度差を補償したことになる。しかも、その温度差が使
用環境温度によって変動したとしても、そのときの、つ
まりその使用環境温度下で検出温度と実際の温度との差
を補償したことになるので、その変動に対応した補正が
適切になされたことになる。したがって、ブロックの温
度を検出する温度センサと実際のブロックの温度との温
度差、半導体レーザの温度を検出する温度センサと実際
の半導体レーザの温度との温度差、およびエタロンの温
度を検出する温度センサと実際のエタロンの温度との温
度差がそれぞれ存在し、しかもそれらの温度差が使用環
境温度に依存して変動したとしても、その使用環境温度
下での各温度差を補償し、使用環境温度の変化に影響さ
れずレーザパラメータの安定化を図ることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１はこの
発明の実施形態にかかる固体レーザ装置を模式的に示す
ものである。この図１において、固体レーザ結晶１１
と、出力側ミラー１２とにより光共振器１０が形成され
る。固体レーザ結晶１１は、たとえばＮｄ：ＹＡＧ結晶
などからなり、レーザ光の入射により励起されるように
なっている。その入射面には反射コート１３が施されて
反射面となっている。励起レーザ光源としてはたとえば
レーザダイオード（ＬＤ）１５が用いられ、そのレーザ
光が光学系１６を経て固体レーザ結晶１１に入射するよ
うになっている。出力側ミラー１２は、光学ガラスなど
からなり、その表面は凹面に研磨され、反射コート１４
が形成されている。

【００１１】固体レーザ結晶１１は、励起光の入射によ
って励起され、発生した光が出力側ミラー１２（の反射
コート１４）と自身の反射コート（ミラー）１３との間
で反射を繰り返して共振することによって増幅されて光
強度が強まりレーザ発振する。基本波に対してのみ波長
選択特性を有するエタロン１７がこの光共振器１０内に
挿入されており、特定波長の基本波のみを透過させるこ
とによってマルチモード光からシングルモード光への変
換を行う。

【００１２】さらにこの例では、光共振器１０内に波長
変換用結晶１８が挿入されている。光共振器１０内で増
幅される基本波の光（赤外光）は、波長変換用結晶１８
により波長変換されて、可視光（グリーンまたはブルー
の光）となる。出力側ミラー１２の反射コート１４は基
本波（赤外光）については全反射し、波長変換した可視
光（グリーン、ブルー）に対しては透過するような波長
特性を有しており、この反射コート１４を透過して波長
変換後の光が出射することになる。

【００１３】その出射するレーザビームの一部がビーム
スプリッタ２１により分岐される。分岐されたレーザビ
ームはＰＤ（フォトダイオード）２２に入射する。この
ＰＤ２２は、出射レーザビームのモニター用である。

【００１４】これらレーザ結晶１１、出力側ミラー１
２、エタロン１７、波長変換用結晶１８、ビームスプリ
ッタ２１、ＰＤ２２などは、この例では、一つの一体型
ブロック３１上に形成される。このブロック３1は、熱
膨張係数の小さい金属などから形成されており、温度コ
ントロール用ペルチェ素子３２上に配置されて冷却また
は加熱される。また、レーザダイオード１５もペルチェ
素子３３上に配置されてその温度が制御される（冷却ま
たは加熱される）。そして、これらは一つの筐体３４中
に収められる。この筐体３４には、図では省略している
が、レーザビームを筐体３４外部に出射させるための出
射口が設けられる。また、この筐体３４の外部の適宜な
位置に外気温センサ４７が取り付けられている。

【００１５】ＰＤ２２からの出力はＬＤ１５にフィード
バックされ、ビームスプリッタ２１を介して出力される
レーザ光の安定化がなされる。図２に示すように、ＰＤ
２２の出力はフィードバック制御回路４１を経てＬＤ駆
動回路４２に送られ、ＬＤ１５の駆動電流としてフィー
ドバックされる。フィードバック制御回路４１におい
て、ＰＤ２２出力の所定の設定値との比較がなされ、そ
の偏差がなくなるような駆動電流がＬＤ１５に与えられ
る。

【００１６】他方、固体レーザ結晶１１および出力側ミ
ラー１２が固定されたブロック３１の温度がサーミスタ
２５により検出され、その温度が設定温度となるように
温度制御回路４４がペルチェ素子３２を制御している。
このサーミスタ２５は波長変換用結晶１８の近傍に設け
られているので、波長変換用結晶１８の温度の検出とそ
の温度のコントロールもなされていることになる。ま
た、ＬＤ１５についても同様にサーミスタ２４により温
度が検出され、その検出出力が温度制御回路４３に送ら
れ、ＬＤ１５の温度が設定温度となるようにペルチェ素
子３３の制御が行われる。

【００１７】さらに、エタロン１７は、ヒータ２３によ
って加熱され、所定の設定温度となるようにされてい
る。このエタロン１７の温度がサーミスタ２６によって
検出され、その検出出力が温度制御回路４５に送られ
る。これにより、温度制御回路４５が、エタロン１７の
温度が設定値に保たれるようヒータ２３をコントロール
する。

【００１８】このようにして、ブロック３１の温度が設
定値に保たれ、その結果固体レーザ結晶１１と出力側ミ
ラー１２との間の共振器長が所定の精度で一定に保たれ
て安定したレーザ出力が得られるようになっているので
あるが、サーミスタ２５が検出する温度は、厳密にはブ
ロック３１の実際の温度を示していず、検出温度と実際
の温度との間に一定の乖離があることは避けられない。
そのため、サーミスタ２５による検知温度に応じて共振
器長が所定の長さとなるようにブロック温度を制御した
としても、実際にはその温度にならないため、レーザパ
ラメータが所望のものに保たれないこととなる。

【００１９】このことはＬＤ１５およびエタロン１７の
温度制御についても言える。そのため、ここでは、上記
の通り外気温センサ４７を設けるとともに、温度係数メ
モリ４８（図２）を設けている。外気温センサ４７は、
この固体レーザ装置が配置される環境温度を検出するも
のである。また、温度係数メモリ４８には、その各環境
温度ごとの、検出温度と対象の実際の温度との温度差を
補償するための係数が記憶させられている。すなわち、
あらかじめ、固体レーザ装置の使用環境温度を実際に変
化させてみて、その温度を外気温センサ４７で検出し、
その検出温度の各々で、検出温度と対象の実際の温度と
の温度差を測定する。これをブロック３１、ＬＤ１５お
よびエタロン１７の温度制御に関して行う。これによ
り、ブロック３１、ＬＤ１５およびエタロン１７につい
ての実際の温度と検出温度との差を補正するための係数
が、外気温センサ４７で検出された温度ごとに求めら
れ、この係数がメモリ４８に格納される。

【００２０】そこで、このような係数が格納されている
メモリ４８に対して、ＣＰＵ４６が、外気温センサ４７
で検出した温度情報でアクセスして、外気温センサ４７
の検出温度に対応した温度係数を、ブロック３１、ＬＤ
１５およびエタロン１７の各々に関して読み出し、それ
らを温度制御回路４４，４３，４５に与える。これによ
り、温度制御回路４３，４４，４５の各々が、その外気
温下での検知温度と実際の温度の差に応じて、温度セン
サ２４，２５，１６出力を修正したり、逆に設定温度の
方を修正したりして、温度センサ出力と設定温度との関
係を補正する。その結果、使用環境温度がどのようなも
のであっても、ブロック３１、ＬＤ１５およびエタロン
１７の各々に関して温度制御を正確に行うことができる
ようになって、レーザパラメータを所望のものとするこ
とができる。

【００２１】なお、メモリ４８に格納する温度係数とし
ては、外気温センサ４７の検出温度の各々について求め
たものでもよいし、外気温センサ４７の検出温度のいく
つかについて求めたものだけでもよく、その場合は、Ｃ
ＰＵ４７が補間計算して必要な検出温度下での係数を求
めるというように構成する。あるいは、所定の補正関数
で近似できるなら、その補正関数をメモリ４８に記憶さ
せ、ＣＰＵ４７がその補正関数を使用してセンサ２４〜
２６の各検出温度あるいは各設定温度を補正するよう構
成してもよい。また、ＣＰＵ４６がつねに使用環境温度
を監視して上記の補正のための動作を常時行うようにし
てもよいが、使用環境温度が大きく変動したことを判定
して補正動作を行うように構成してもよい。

【００２２】さらに、上記のレーザ光出力のフィードバ
ック制御系を利用して、センサ２４〜２６の各検出温度
とＬＤ１５、ブロック３１およびエタロン１７の実際の
温度との差を修正するよう構成することもできる。この
場合温度係数メモリ４８は不要となる。センサによる検
出温度と実際の温度とがずれると、ＬＤ１５、ブロック
３１およびエタロン１７の実際の温度が設定値に保たれ
なくなるので、結果的には外部に出力されるレーザ出力
が減少する。そのため、上記のフィードバック制御によ
りＬＤ１５の出力が大きくなるようにＬＤ１５の駆動電
流が増大させられる。

【００２３】これをブロック３１の温度について述べる
と、その実際の温度がある温度となっているとき、共振
器長は設計通りの長さに正確に一致し、このときが固体
レーザ装置としての出力効率が最も高くなる。すなわ
ち、この場合にＬＤ１５の駆動電流が最も少なくなる。
つまり、ＬＤ１５の駆動電流が最も少なくなる温度こそ
が最適な温度ということになる。ＬＤ１５の駆動電流が
最も少なくなっていれば、ブロック３１の温度は最適な
温度となっているのであるから、温度制御回路４４はそ
のような状態で検出される温度が維持されるよう制御す
ればよい。サーミスタ２５によって検出される温度が実
際のブロック３１の温度とずれていようがいまいがその
ことは重要ではなくなる。というより、上記のような温
度が温度制御回路４４における設定温度とされるなら、
検出温度と実際の温度とのずれが補正された上での温度
設定がなされたことになる。ここで、波長変換用結晶１
８の温度のコントロールがなされていることも、共振器
長の最適化に役立っている。波長変換用結晶１８の屈折
率は温度依存性があり、そのことは温度によって屈折率
を変化させ、等価的な光路長を変化させることができる
ことを意味するからである。共振器長の変化を、波長変
換用結晶１８内の光路長変化によって補償することがで
きるからである。

【００２４】ＣＰＵ４６がこのような温度チューニング
を、ブロック用温度制御回路４４について行うのみでな
く、ＬＤ用温度制御回路４３についても、およびエタロ
ン用温度制御回路４５についても行う。この温度チュー
ニングは、外気温センサ４７の出力をＣＰＵ４６が監視
していて、使用環境温度が変化したと判定したときに行
うようにしてもよいし、あるいは一定時間間隔ごとに自
動的に行うようにしてもよい。また、問題が生じた場合
などに随時マニュアルでチューニング動作を行えるよう
にしておくことも望ましい。

【００２５】この温度チューニング時、ＬＤ１５に与え
る駆動電流に関する情報をＣＰＵ４６に取り込むように
した上で、ＣＰＵ４６の制御の下、温度制御回路４４が
ペルチェ素子３２を制御してブロック３１の温度を順次
変化させていく。これにより、サーミスタ２５で検出さ
れた温度とＬＤ１５の駆動電流との関係を示すデータが
得られる。そこで、最も電流の少ない温度が最適な温度
であるから、その温度を温度制御回路４４の設定温度と
して更新する。

【００２６】ＬＤ１５の温度についても同様である。Ｃ
ＰＵ４６により温度制御回路４３を制御し、ペルチェ素
子３３によって冷却されるＬＤ１５の温度を変化させ
る。このときサーミスタ２４によって検出した温度での
ＬＤ１５の駆動電流を駆動回路４２からＣＰＵ４６に取
り込むと、ＬＤ１５の温度に対する駆動電流の関係がＣ
ＰＵ４６において求められることになる。ＬＤ１５の発
振波長は温度によって変化し、所定の発振波長となるよ
うな温度となったとき、固体レーザ装置として外部に出
力するレーザ出力は最大となる。そこで、ＬＤ１５の駆
動電流が最も小さい場合にサーミスタ２４の出力が示す
温度を、温度制御回路４３における設定温度としてセッ
トする。

【００２７】さらに、エタロン１７の温度についても同
様で、ヒータ２３により加熱されるエタロン１７の温度
を変化させ、選択波長を変化させる。そしてサーミスタ
２６によって検出した各温度でのＬＤ１５の駆動電流を
求め、最も駆動電流が少なくなるとき、サーミスタ２６
の出力が示す温度を設定温度として温度制御回路４５に
与える。このような動作がＣＰＵ４６によってなされ
る。ＬＤ１５の駆動電流が最も少なくなる場合は、エタ
ロン１７の波長選択特性が設計値に一致したときである
から、サーミスタ２６の出力が示す温度が実際のエタロ
ン１７の温度とずれていたとしても、そのずれを補償し
たことになる。このようなチューニングが終了したと
き、温度制御回路４５はエタロン１７の温度を最適な温
度へと制御することになる。

【００２８】なお、上の説明はこの発明の一つの実施形
態に関するものであり、この発明が上で説明した構成に
限定される趣旨でないことはもちろんである。たとえ
ば、上記では光共振器１０の内部に波長変換用結晶１８
を配置しているが、可視光ではなく基本波たる赤外光を
出力させる場合には、この波長変換用結晶１８は不要で
ある。また、ピンホールないしアパーチャなどの開口を
有する光遮蔽板を光共振器１０内あるいは出力側ミラー
１２の直後などに配置して不要な光ビームを除去するよ
うにしてもよい。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の固体レ
ーザ装置によれば、センサの検知温度と温度制御対象物
の実際の温度との不可避なずれを補償し、かつそのずれ
が環境温度によって変化することにも対処することがで
きるようにし、これによってレーザパラメータの安定性
を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態を示す模式図。

【図２】同実施形態の信号系を示す信号系統図。

【符号の説明】

１０ 光共振器 １１ 固体レーザ結晶 １２ 出力側ミラー １３、１４ 反射コート １５ レーザダイオード（ＬＤ） １６ 光学系 １７ エタロン １８ 波長変換用結晶 ２１ ビームスプリッタ ２２ モニター用ＰＤ ２３ ヒータ ２４〜２６ サーミスタ ３１ ブロック ３２、３３ ペルチェ素子 ３４ 筐体 ４１ フィードバック制御回路 ４２ ＬＤ１５の駆動回路 ４３〜４５ 温度制御回路 ４６ ＣＰＵ ４７ 外気温センサ ４８ 温度係数メモリ

フロントページの続き (72)発明者 東條 公資 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地株 式会社島津製作所内 (72)発明者 入口 知史 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地株 式会社島津製作所内 (72)発明者 野田 憲秀 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地株 式会社島津製作所内 (72)発明者 渡辺 一馬 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地株 式会社島津製作所内 (72)発明者 井戸 豊 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地株 式会社島津製作所内 Ｆターム(参考） 5F072 AB01 HH02 JJ02 JJ03 KK06 KK08 PP07 QQ01 TT05 TT13 TT14 TT15 TT28 TT29

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を発生する半導体レーザと、該
   半導体レーザからのレーザ光によって励起される、入射
   面に反射面が形成された固体レーザ結晶と、該レーザ結
   晶の反射面との間で光共振器を形成する反射面を持つ出
   力側ミラーと、上記固体レーザ結晶および出力側ミラー
   が固定されるブロックと、該光共振器内に挿入される波
   長選択用エタロンと、上記ブロックの温度を検出する温
   度センサを備えそのブロックの温度が設定温度となるよ
   うに制御するブロック用温度制御装置と、上記半導体レ
   ーザの温度を検出する温度センサを備えその半導体レー
   ザの温度が設定温度となるように制御する半導体レーザ
   用温度制御装置と、上記エタロンの温度を検出する温度
   センサを備えそのエタロンの温度が設定温度となるよう
   に制御するエタロン用温度制御装置と、使用環境温度を
   検出する外気温センサと、上記各温度制御装置における
   温度センサの検知温度と実際の対象物の温度との温度差
   の使用環境温度に対する関係を示す情報を記憶している
   メモリと、上記の外気温センサによる検出温度に応じて
   上記メモリに格納された情報を読み出し、上記各温度制
   御装置における温度センサ出力と設定温度との関係を補
   正する補正装置とを備えることを特徴とする固体レーザ
   装置。
2. 【請求項２】 レーザ光を発生する半導体レーザと、該
   半導体レーザに駆動電流を供給する駆動回路と、上記半
   導体レーザからのレーザ光によって励起される、入射面
   に反射面が形成された固体レーザ結晶と、該レーザ結晶
   の反射面との間で光共振器を形成する反射面を持つ出力
   側ミラーと、上記固体レーザ結晶および出力側ミラーが
   固定されるブロックと、該光共振器内に挿入される波長
   選択用エタロンと、上記出力側ミラーから外部に出力さ
   れるレーザ光の分岐光が入力されるモニター用光検出器
   と、モニター用光検出器の出力を上記駆動回路へフィー
   ドバックすることにより所定出力のレーザ光が外部に出
   力されるように制御する制御回路と、上記ブロックの温
   度を検出する温度センサを備えそのブロックの温度が設
   定温度となるように制御するブロック用温度制御装置
   と、上記半導体レーザの温度を検出する温度センサを備
   えその半導体レーザの温度が設定温度となるように制御
   する半導体レーザ用温度制御装置と、上記エタロンの温
   度を検出する温度センサを備えそのエタロンの温度が設
   定温度となるように制御するエタロン用温度制御装置
   と、使用環境温度を検出する外気温センサと、該外気温
   センサ出力に応じて上記の各温度制御装置を制御してブ
   ロック、半導体レーザおよびエタロンの温度を各別に変
   化させ、その各温度ごとに上記半導体レーザ駆動電流を
   読み取り、最も駆動電流が少なくなる温度を各別に求め
   て、それらをブロック用温度制御装置、半導体レーザ用
   温度制御装置およびエタロン用温度制御装置の各設定温
   度として設定する温度チューニング用制御装置とを備え
   ることを特徴とする固体レーザ装置。