JPH0513862A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH0513862A JPH0513862A JP16131691A JP16131691A JPH0513862A JP H0513862 A JPH0513862 A JP H0513862A JP 16131691 A JP16131691 A JP 16131691A JP 16131691 A JP16131691 A JP 16131691A JP H0513862 A JPH0513862 A JP H0513862A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エタロンをスペクトル狭帯域化素子として利
用するレーザー装置の、発振、停止にともなうエタロン
熱変形を防止し、レーザーのスペクトル変化を抑制する
レーザー装置を提供する。 【構成】 発振と停止期間を示す指令により、たとえ
ば熱ビーム発生装置と反射ミラーからなる加熱装置で、
停止中のみエタロンに熱を加える、エタロンホルダー
内に、発熱素子と温度センサーを設け発振停止中のみ発
熱素子でホルダー内の気体を加熱し、温度センサーで温
度を検知する、構成として、発振中と停止中のエタロン
の変形量を同一にした。
用するレーザー装置の、発振、停止にともなうエタロン
熱変形を防止し、レーザーのスペクトル変化を抑制する
レーザー装置を提供する。 【構成】 発振と停止期間を示す指令により、たとえ
ば熱ビーム発生装置と反射ミラーからなる加熱装置で、
停止中のみエタロンに熱を加える、エタロンホルダー
内に、発熱素子と温度センサーを設け発振停止中のみ発
熱素子でホルダー内の気体を加熱し、温度センサーで温
度を検知する、構成として、発振中と停止中のエタロン
の変形量を同一にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のエタロンにより
狭帯域化されたレーザービームの波長および出力を安定
化する方法に関する。さらに詳しくは、発振および停止
を繰り返す運転モードにおいても速やかに安定化できる
手段を有するレーザー装置に関するものである。
狭帯域化されたレーザービームの波長および出力を安定
化する方法に関する。さらに詳しくは、発振および停止
を繰り返す運転モードにおいても速やかに安定化できる
手段を有するレーザー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、たとえば雑誌カナディアン ジ
ャーナル オブ フィジックス(CAN.J. PHY.)第63巻、1
985、第214〜219頁の「エキシマレーザ発振器のスペク
トル狭帯域化技術(Spectral-narrowing tech-niques fo
r excimer laser oscillators)」に記載された、一般的
な狭帯域レーザー装置の構成を示す説明図である。
ャーナル オブ フィジックス(CAN.J. PHY.)第63巻、1
985、第214〜219頁の「エキシマレーザ発振器のスペク
トル狭帯域化技術(Spectral-narrowing tech-niques fo
r excimer laser oscillators)」に記載された、一般的
な狭帯域レーザー装置の構成を示す説明図である。
【０００３】図において、１はレーザー媒質、２はレー
ザー媒質１の一端側に設けられた全反射鏡、３はレーザ
ー媒質１の他端側に設けられた部分反射鏡であり、これ
らにより光共振器（レーザー発振器）を構成している。
ザー媒質１の一端側に設けられた全反射鏡、３はレーザ
ー媒質１の他端側に設けられた部分反射鏡であり、これ
らにより光共振器（レーザー発振器）を構成している。
【０００４】４および５はレーザー光路中に配置された
ファブリペローエタロン(Fabry-Perot etaron)であり、
４は粗調用のファブリペローエタロン（以下、単に粗調
エタロンという）、５は微調用のファブリペローエタロ
ン（以下、単に微調エタロンという）である。粗調エタ
ロン４および微調エタロン５は、それぞれ石英ガラスの
鏡面を対向させたものであり、粗調エタロン４は微調エ
タロン５よりも鏡面間隔が狭く設定されている。６は部
分反射鏡３から放射されるレーザービームである。
ファブリペローエタロン(Fabry-Perot etaron)であり、
４は粗調用のファブリペローエタロン（以下、単に粗調
エタロンという）、５は微調用のファブリペローエタロ
ン（以下、単に微調エタロンという）である。粗調エタ
ロン４および微調エタロン５は、それぞれ石英ガラスの
鏡面を対向させたものであり、粗調エタロン４は微調エ
タロン５よりも鏡面間隔が狭く設定されている。６は部
分反射鏡３から放射されるレーザービームである。
【０００５】つぎに、図３に示したレーザー装置の動作
について説明する。電圧の印加によりレーザー媒質１が
励起されると、励起および遷移の繰り返しによってコヒ
ーレント光が発生し、この光は、全反射鏡２および部分
反射鏡3からなる光共振器中を何度も往復するあいだに
増幅され、最終的に所定出力のレーザービーム６として
取り出される。
について説明する。電圧の印加によりレーザー媒質１が
励起されると、励起および遷移の繰り返しによってコヒ
ーレント光が発生し、この光は、全反射鏡２および部分
反射鏡3からなる光共振器中を何度も往復するあいだに
増幅され、最終的に所定出力のレーザービーム６として
取り出される。
【０００６】このようなレーザー装置のうち、エキシマ
レーザ、半導体レーザ、色素レーザまたは一部の固体レ
ーザなどは発振波長幅が広いが、光共振器中に分光素子
を挿入することにより発振波長幅を狭くできることが知
られている。したがって、図示したように、複数のエタ
ロンすなわち粗調エタロン４および微調エタロン５を挿
入すれば、限りなく単色に近い所望波長のレーザービー
ム６を取り出すことができる。
レーザ、半導体レーザ、色素レーザまたは一部の固体レ
ーザなどは発振波長幅が広いが、光共振器中に分光素子
を挿入することにより発振波長幅を狭くできることが知
られている。したがって、図示したように、複数のエタ
ロンすなわち粗調エタロン４および微調エタロン５を挿
入すれば、限りなく単色に近い所望波長のレーザービー
ム６を取り出すことができる。
【０００７】図４〜７は波長λに対する各分光特性図で
あり、図４は粗調エタロン４による透過特性図、図５は
微調エタロン５による透過特性図、図６はレーザー媒質
１によるレーザゲインプロフィール特性図、図７は狭帯
域化されたレーザービーム６の出力特性図である。
あり、図４は粗調エタロン４による透過特性図、図５は
微調エタロン５による透過特性図、図６はレーザー媒質
１によるレーザゲインプロフィール特性図、図７は狭帯
域化されたレーザービーム６の出力特性図である。
【０００８】こうして、もともと図６のような分光特性
のレーザービームは、各エタロン４、５を透過すること
により、各ピーク波長λｍ１およびλｍ２ が重なる設
定波長λ０を中心とする図７のような狭い波長範囲で発
振する。実際には、発振中に各エタロン４、５を何度も
通るため、レーザービーム６の線幅は各エタロン４、５
で決定する波長幅の１／２〜１／10となる。
のレーザービームは、各エタロン４、５を透過すること
により、各ピーク波長λｍ１およびλｍ２ が重なる設
定波長λ０を中心とする図７のような狭い波長範囲で発
振する。実際には、発振中に各エタロン４、５を何度も
通るため、レーザービーム６の線幅は各エタロン４、５
で決定する波長幅の１／２〜１／10となる。
【０００９】しかし、前述の雑誌にも記載されているよ
うに、レーザービーム６の短期間の安定性については、
光共振器を改良したり各エタロン４、５に対する入射角
θを小さくすることにより改善できるが、長期的には、
熱的な問題、とくにレーザービーム６が各エタロン４、
５を透過するときの発熱による波長シフトが大きな問題
である。
うに、レーザービーム６の短期間の安定性については、
光共振器を改良したり各エタロン４、５に対する入射角
θを小さくすることにより改善できるが、長期的には、
熱的な問題、とくにレーザービーム６が各エタロン４、
５を透過するときの発熱による波長シフトが大きな問題
である。
【００１０】図８〜10は発熱による波長シフトを示す各
分光特性図であり、図８は粗調エタロン４のピーク波長
λｍ１、図９は微調エタロン５のピーク波長λｍ２、図
10はレーザービーム６の出力のばあいをそれぞれ示し、
実線は発振直後の分光特性、破線は経時変化後の分光特
性である。
分光特性図であり、図８は粗調エタロン４のピーク波長
λｍ１、図９は微調エタロン５のピーク波長λｍ２、図
10はレーザービーム６の出力のばあいをそれぞれ示し、
実線は発振直後の分光特性、破線は経時変化後の分光特
性である。
【００１１】図８〜10から明らかなように、発振直後
（実線）は各ピーク波長λｍ１およびλｍ２が設定波長
λ０と一致しているが、発熱によりエタロンが変形する
と、各ギャップ長（鏡面間隔）ｄ１およびｄ２が変化し
て、ピーク波長λｍ１およびλｍ２は破線のようにシフ
トし、それぞれΔλ１、Δλ２だけ変化する。
（実線）は各ピーク波長λｍ１およびλｍ２が設定波長
λ０と一致しているが、発熱によりエタロンが変形する
と、各ギャップ長（鏡面間隔）ｄ１およびｄ２が変化し
て、ピーク波長λｍ１およびλｍ２は破線のようにシフ
トし、それぞれΔλ１、Δλ２だけ変化する。
【００１２】このように、発熱により各ピーク波長λｍ
１およびλｍ２がシフトすると、 λｍ１≠λｍ２ となり、かつ、両者を重ねたときの光透過量は、 λｍ１＝λｍ２ のばあいと比べて減少する。したがって、レーザービー
ム６は、図10に示すように、中心波長が設定波長λ０か
ら微調エタロン５のピーク波長λｍ２にシフトすると共
に、出力がΔＰだけ減少する。
１およびλｍ２がシフトすると、 λｍ１≠λｍ２ となり、かつ、両者を重ねたときの光透過量は、 λｍ１＝λｍ２ のばあいと比べて減少する。したがって、レーザービー
ム６は、図10に示すように、中心波長が設定波長λ０か
ら微調エタロン５のピーク波長λｍ２にシフトすると共
に、出力がΔＰだけ減少する。
【００１３】この波長シフトは、レーザー発振時エタロ
ンを透過するレーザービームによりエタロン自身のロス
で発熱し、エタロンが変形して透過スペクトル特性が変
化することによる。これを補正するため粗調エタロン４
と微調エタロン５のギャップ間に存在する気体（たとえ
ば窒素ガス）の圧力を変えることにより、当気体の屈折
率を変化させて両エタロンの中心波長を目的の波長に合
致させる制御を行っている。しかしながら発振が停止し
たとき、エタロンの発熱もなくなるのでエタロンは元の
形状に復帰する。この復帰過程で再び発振が始まると、
両エタロンのギャップ間隔が不明であるため、両エタロ
ンの気体の圧力制御の方法が非常に複雑になる。
ンを透過するレーザービームによりエタロン自身のロス
で発熱し、エタロンが変形して透過スペクトル特性が変
化することによる。これを補正するため粗調エタロン４
と微調エタロン５のギャップ間に存在する気体（たとえ
ば窒素ガス）の圧力を変えることにより、当気体の屈折
率を変化させて両エタロンの中心波長を目的の波長に合
致させる制御を行っている。しかしながら発振が停止し
たとき、エタロンの発熱もなくなるのでエタロンは元の
形状に復帰する。この復帰過程で再び発振が始まると、
両エタロンのギャップ間隔が不明であるため、両エタロ
ンの気体の圧力制御の方法が非常に複雑になる。
【００１４】この制御方法の一例は、特開平2-111090号
公報に詳細に述べられている。すなわち、通常の運転状
態でレーザービームの波長情報に基づいて微調エタロン
５を調整してレーザーの波長を安定化すると共に、レー
ザービームの出力情報に基づいて、粗調エタロン４を調
整してビーム出力を安定にする制御を行う。この他に、
レーザーシステムが運転を開始するとき、各種パラメ
ーターを初期化すること、レーザー発振を開始したと
き、停止または発振開始時を意味するコールド状態また
は発振中を意味するホット状態を表すパラメーターＫに
基づきコールドスタートであるか、否かを判定するこ
と、コールドスタートなら一定の印加電圧で発振させ
ながら波長制御を実行して暖気運転し、かつ、粗調エタ
ロンの最適位置をサーチ処理すること、レーザービー
ムの波長と出力がそれぞれ設定値に対して所定範囲内に
なったときに、前記パラメーターＫをホット状態の値に
設定すること、発振が停止すると停止後の時間を計算
し、設定以上の停止時間になると前記パラメーターＫを
コールド状態の値に設定すること、波長制御、出力制
御の制御量を記憶しておき、発振開始時、停止時間を想
定したエタロンの機械的熱時定数から両エタロンの制御
開始気体圧力を決定すること、など多くの制御方法をマ
イクロコンピューターで実現させている。
公報に詳細に述べられている。すなわち、通常の運転状
態でレーザービームの波長情報に基づいて微調エタロン
５を調整してレーザーの波長を安定化すると共に、レー
ザービームの出力情報に基づいて、粗調エタロン４を調
整してビーム出力を安定にする制御を行う。この他に、
レーザーシステムが運転を開始するとき、各種パラメ
ーターを初期化すること、レーザー発振を開始したと
き、停止または発振開始時を意味するコールド状態また
は発振中を意味するホット状態を表すパラメーターＫに
基づきコールドスタートであるか、否かを判定するこ
と、コールドスタートなら一定の印加電圧で発振させ
ながら波長制御を実行して暖気運転し、かつ、粗調エタ
ロンの最適位置をサーチ処理すること、レーザービー
ムの波長と出力がそれぞれ設定値に対して所定範囲内に
なったときに、前記パラメーターＫをホット状態の値に
設定すること、発振が停止すると停止後の時間を計算
し、設定以上の停止時間になると前記パラメーターＫを
コールド状態の値に設定すること、波長制御、出力制
御の制御量を記憶しておき、発振開始時、停止時間を想
定したエタロンの機械的熱時定数から両エタロンの制御
開始気体圧力を決定すること、など多くの制御方法をマ
イクロコンピューターで実現させている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したとおり、
従来のレーザー装置では、発振中のエタロンの自己発熱
による変形と、停止時の元の形状に復帰することによる
エタロンのスペクトル特性の変化を越えて、発振と停止
の繰り返し、さらに発振と停止時間の変化を考慮して、
必要なスペクトル特性がえらえるように両エタロン４、
５を最適に制御するには、非常に複雑な制御を必要とす
る問題があった。
従来のレーザー装置では、発振中のエタロンの自己発熱
による変形と、停止時の元の形状に復帰することによる
エタロンのスペクトル特性の変化を越えて、発振と停止
の繰り返し、さらに発振と停止時間の変化を考慮して、
必要なスペクトル特性がえらえるように両エタロン４、
５を最適に制御するには、非常に複雑な制御を必要とす
る問題があった。
【００１６】本発明は、上記のような問題を解消するた
めになされたもので、発振と停止の繰り返し、またその
発振時間や停止時間の変化があっても、発振開始から所
定のスペクトル性能を有するレーザービームがえられる
レーザー装置をうることを目的としている。
めになされたもので、発振と停止の繰り返し、またその
発振時間や停止時間の変化があっても、発振開始から所
定のスペクトル性能を有するレーザービームがえられる
レーザー装置をうることを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザー装
置は、発振時のエタロン自身の発熱量に相当する熱源を
有する加熱手段を具備し、この加熱手段を発振中は動作
させず、停止中に動作させて、停止中のエタロンを加熱
し、エタロンの変形量を発振中も停止中も同じ状態に維
持するようにしたものである。
置は、発振時のエタロン自身の発熱量に相当する熱源を
有する加熱手段を具備し、この加熱手段を発振中は動作
させず、停止中に動作させて、停止中のエタロンを加熱
し、エタロンの変形量を発振中も停止中も同じ状態に維
持するようにしたものである。
【００１８】
【作用】本発明によるレーザー装置によれば、レーザー
の発振を停止したときは、加熱手段からの熱を各エタロ
ンに供給し、各エタロンの温度はレーザーの発振中と同
じ温度を維持でき、各エタロンの熱による変形量はレー
ザーの発振中も停止中も同じ状態に維持できるため、発
振、停止を繰り返しても安定した波長と出力のレーザー
ビームをえられる。以下に本発明を図面により説明す
る。
の発振を停止したときは、加熱手段からの熱を各エタロ
ンに供給し、各エタロンの温度はレーザーの発振中と同
じ温度を維持でき、各エタロンの熱による変形量はレー
ザーの発振中も停止中も同じ状態に維持できるため、発
振、停止を繰り返しても安定した波長と出力のレーザー
ビームをえられる。以下に本発明を図面により説明す
る。
【００１９】
【実施例】［実施例１］図１は本発明の一実施例による
レーザー装置の構成を示す説明図で、１〜６は図３と同
一部分を示し、７は熱ビーム発生装置、８は熱ビーム、
９はレーザーの発振、停止を制御する制御系、10は熱ビ
ームを反射するミラーなどの光学部品である。
レーザー装置の構成を示す説明図で、１〜６は図３と同
一部分を示し、７は熱ビーム発生装置、８は熱ビーム、
９はレーザーの発振、停止を制御する制御系、10は熱ビ
ームを反射するミラーなどの光学部品である。
【００２０】この装置において本レーザー装置の発振と
停止を制御する制御系９が、熱ビーム発生装置７と熱ビ
ーム反射ミラーである光学部品10の制御機能を持ってい
る。すなわち、レーザー発振中は熱ビーム発生装置７が
熱ビーム８を出力しないように制御系９により制御され
ると共に、光学部品10が破線で示すようにレーザービー
ム光路と平行の位置にはね上がり、レーザービームの通
過に何らの影響も与えないように制御系９により制御さ
れている。
停止を制御する制御系９が、熱ビーム発生装置７と熱ビ
ーム反射ミラーである光学部品10の制御機能を持ってい
る。すなわち、レーザー発振中は熱ビーム発生装置７が
熱ビーム８を出力しないように制御系９により制御され
ると共に、光学部品10が破線で示すようにレーザービー
ム光路と平行の位置にはね上がり、レーザービームの通
過に何らの影響も与えないように制御系９により制御さ
れている。
【００２１】一方、レーザー発振が停止すると、制御系
９が熱ビーム発生装置７を制御して熱ビーム８を発生さ
せる。同時に、光学部品10を制御して図１の実線で示す
位置に位置決めする。熱ビーム８は、発振中の両エタロ
ン４、５自身が発熱するのと等しい熱を両エタロン４、
５に与えるように出力が調整されている。光学部品10が
実線の位置になると、熱ビーム８が、光学部品10で方向
を変えられレーザービームの光路系と同一系路を通る。
したがって、熱ビーム８が両エタロン４、５を通過する
ので、両エタロン４、５は熱ビーム８により加熱され、
発振中と同一温度に維持される。したがって両エタロン
４、５の変形量は発振中も停止中も変化がなくなる。よ
って両エタロン４、５の制御気体圧力を発振停止直前の
値でホールドしておき、この圧力で再発振すれば、発振
開始時から正規のレーザービームの波長と出力がえられ
ることになる。
９が熱ビーム発生装置７を制御して熱ビーム８を発生さ
せる。同時に、光学部品10を制御して図１の実線で示す
位置に位置決めする。熱ビーム８は、発振中の両エタロ
ン４、５自身が発熱するのと等しい熱を両エタロン４、
５に与えるように出力が調整されている。光学部品10が
実線の位置になると、熱ビーム８が、光学部品10で方向
を変えられレーザービームの光路系と同一系路を通る。
したがって、熱ビーム８が両エタロン４、５を通過する
ので、両エタロン４、５は熱ビーム８により加熱され、
発振中と同一温度に維持される。したがって両エタロン
４、５の変形量は発振中も停止中も変化がなくなる。よ
って両エタロン４、５の制御気体圧力を発振停止直前の
値でホールドしておき、この圧力で再発振すれば、発振
開始時から正規のレーザービームの波長と出力がえられ
ることになる。
【００２２】［実施例２］本発明の他の実施例を図２に
示す。図２はレーザー装置のエタロン部分の構成を示す
説明図である。図１に示したエタロン４、５はエタロン
ホルダー11の中に制御気体を充填され、密閉されて固定
されている。エタロンホルダー11にはレーザービームを
通すためウィンドウ12A、12Bと呼ばれるレーザービーム
に対し透明な材料が取りつけられている。13は、レーザ
ービームの波長あるいは出力を制御するためのエタロン
圧力制御手段で、14はエタロンまわりの気体の圧力を制
御する気体導管である。15は、エタロンホルダー11内の
温度を検出する温度センサー、16はエタロン内の温度を
変えるための発熱素子、17はレーザーの発振、停止に合
わせて温度センサー15の温度にもとづき発熱素子16を制
御する温度制御装置である。
示す。図２はレーザー装置のエタロン部分の構成を示す
説明図である。図１に示したエタロン４、５はエタロン
ホルダー11の中に制御気体を充填され、密閉されて固定
されている。エタロンホルダー11にはレーザービームを
通すためウィンドウ12A、12Bと呼ばれるレーザービーム
に対し透明な材料が取りつけられている。13は、レーザ
ービームの波長あるいは出力を制御するためのエタロン
圧力制御手段で、14はエタロンまわりの気体の圧力を制
御する気体導管である。15は、エタロンホルダー11内の
温度を検出する温度センサー、16はエタロン内の温度を
変えるための発熱素子、17はレーザーの発振、停止に合
わせて温度センサー15の温度にもとづき発熱素子16を制
御する温度制御装置である。
【００２３】つぎに、動作について説明する。レーザー
発振中は、この状態を検知して温度制御装置17は発熱素
子16を動作させない。しかし、温度センサー15により発
振中のエタロンホルダー11内の温度を検知している。発
振が停止すると、停止瞬時の温度θLを記憶する。そし
て、温度制御装置17は発熱素子16を動作させてエタロン
ホルダー11内の温度が発振停止時の温度θLと等しくな
るよう発熱素子16の発熱を制御する。発振が開始すると
再び、発熱素子16の動作を止める。
発振中は、この状態を検知して温度制御装置17は発熱素
子16を動作させない。しかし、温度センサー15により発
振中のエタロンホルダー11内の温度を検知している。発
振が停止すると、停止瞬時の温度θLを記憶する。そし
て、温度制御装置17は発熱素子16を動作させてエタロン
ホルダー11内の温度が発振停止時の温度θLと等しくな
るよう発熱素子16の発熱を制御する。発振が開始すると
再び、発熱素子16の動作を止める。
【００２４】以上によりエタロン圧力制御手段13は、発
振停止瞬時の圧力をホールドしておき、発振開始時、こ
の圧力値で制御を再開すると、所定のレーザービームの
波長と出力を容易にうることができる。
振停止瞬時の圧力をホールドしておき、発振開始時、こ
の圧力値で制御を再開すると、所定のレーザービームの
波長と出力を容易にうることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザー発振状態を検知しレーザー発振の停止中もエタ
ロンの発熱を、発振中と同じになるように加熱する手段
を付加したために、エタロンの温度がレーザーの発振中
も停止中も一定になる。その結果、発振停止瞬時のエタ
ロン制御圧力を記憶しておき発振開始時、この圧力で再
スタートするだけで、複雑な制御を必要とせず、波長、
出力など所定の性能を有するレーザービームを容易にう
ることができる。
レーザー発振状態を検知しレーザー発振の停止中もエタ
ロンの発熱を、発振中と同じになるように加熱する手段
を付加したために、エタロンの温度がレーザーの発振中
も停止中も一定になる。その結果、発振停止瞬時のエタ
ロン制御圧力を記憶しておき発振開始時、この圧力で再
スタートするだけで、複雑な制御を必要とせず、波長、
出力など所定の性能を有するレーザービームを容易にう
ることができる。
【図１】本発明の一実施例によるレーザー装置の構成を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明の他の実施例による、レーザー装置のエ
タロン部分の構成を示す説明図である。
タロン部分の構成を示す説明図である。
【図３】従来の一般的な狭帯域レーザー装置の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】粗調エタロンによる波長に対する透過特性図で
ある。
ある。
【図５】微調エタロンによる波長に対する透過特性図で
ある。
ある。
【図６】レーザー媒質によるレーザーゲインプロフィー
ル特性図である。
ル特性図である。
【図７】狭帯域化されたレーザービームの出力特性図で
ある。
ある。
【図８】粗調エタロンのピーク波長の発熱による波長シ
フトを示す分光特性図である。
フトを示す分光特性図である。
【図９】微調エタロンのピーク波長の発熱による波長シ
フトを示す分光特性図である。
フトを示す分光特性図である。
【図１０】レーザービームの出力の発熱による波長シフ
トを示す分光特性図である。
トを示す分光特性図である。
４ 粗調用のファブリペローエタロン
５ 微調用のファブリペローエタロン
７ 熱ビーム発生装置
８ 熱ビーム
９ 制御系
10 光学部品
11 エタロンホルダー
15 温度センサー
16 発熱素子
17 温度制御装置
Claims (3)
- 【請求項１】 粗調用のファブリペローエタロンと微調
用のファブリペローエタロンの二つのスペクトル狭帯域
化素子を有するレーザー装置において、レーザーの発振
と停止による前記両エタロンの熱変形によって生じるス
ペクトル狭帯域化性能変化に対し、発振と停止を制御す
る制御系からの指令により、発振の停止中のみ前記両エ
タロンを加熱し前記両エタロンの熱変形を阻止する加熱
手段を具備することを特徴とするレーザー装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段が、熱ビーム発生装置と該
熱ビーム発生装置からの熱ビームを前記両エタロンに導
くための光学部品とからなる請求項１記載のレーザー装
置。 - 【請求項３】 粗調用のファブリペローエタロンと微調
用のファブリペローエタロンの二つのスペクトル狭帯域
化素子を有するレーザー装置において、前記両エタロン
をそれぞれ収納するエタロンホルダー内の気体温度を検
出する温度センサーと、前記エタロンホルダー内の気体
を加熱する加熱素子と、前記温度センサーの情報を元に
前記エタロンホルダー内の気体温度を発振中も停止中も
一定に保つための温度制御装置とからなる加熱手段を具
備することを特徴とするレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131691A JPH0513862A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131691A JPH0513862A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513862A true JPH0513862A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15732783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16131691A Pending JPH0513862A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513862A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307997A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Canon Inc | レーザ発振装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および、露光装置の保守方法 |
| US6909303B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multichip module and testing method thereof |
| US7905608B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8047659B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-11-01 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus |
| US8057051B2 (en) | 2007-08-30 | 2011-11-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display device, and monitor device |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16131691A patent/JPH0513862A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307997A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Canon Inc | レーザ発振装置、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および、露光装置の保守方法 |
| US6909303B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multichip module and testing method thereof |
| US7905608B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8038306B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-18 | Seiko Epson Corporation | Light source device and image display device having a wavelength selective element |
| US8047659B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-11-01 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display apparatus, and monitor apparatus |
| US8057051B2 (en) | 2007-08-30 | 2011-11-15 | Seiko Epson Corporation | Light source device, image display device, and monitor device |
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