JP2003163078A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
クトロルミネッセンス素子を用いた表示装置を提供す
る。 【解決手段】 基板(10)と、基板上に設けられるエ
レクトロルミネッセンス素子(30)と、エレクトロル
ミネッセンス素子を覆う保護膜(50)とを備える。こ
こで、保護膜は、例えば、エポキシ系、ウレタン系、ア
クリル系、ビニル系、あるいは、シリコーン系の化学反
応硬化型の合成樹脂膜である。また、この保護膜は、エ
レクトロルミネッセンス素子を覆う第1の保護膜と、第
1の保護膜を覆う第2の保護膜とで構成される。ここ
で、第2の保護膜は、吸水率が、第1の保護膜の吸水率
よりも大きく、あるいは、第2の保護膜は、弾性率また
は硬度が、第1の保護膜の弾性率または硬度よりも大き
い。
Description
り、特に、有機エレクトロルミネッセンス(Electro Lu
minescence)素子を用いたエレクトロルミネッセンス表
示装置に適用して有効な技術に関する。
子を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置(以下、
OLED表示装置という)が、CRTや、液晶表示装置
に代わる次世代のフラットディスプレイ装置として注目
されている。このOLED表示装置は、液晶表示装置な
どの現行のフラットディスプレイ装置と比較して、
(1)発光に必要な電圧が10V以下と低く、消費電力
を小さくできる、(2)自発光型であるのでバックライ
トが不要である、(3)同じ自発光型のプラズマ表示装
置のような真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適
している、(4)応答時間が数μ秒と短く、視野角が1
70度以上と広い等の特徴を有している。なお、このよ
うな技術は、例えば、下記文献(イ)に記載されてい
る。 (イ)「有機ELパネルの高精細化に向け回路の基本特
許を取得」、日経エレクトロニクス、2000.4.24(no.76
8),pp.163〜170、2000年4月24日
陰極の形状により、単純マトリクス方式のOLED表示
装置と、アクティブマトリクス方式のOLED表示装置
とに大別されるが、OLED表示素子の基本構造は同じ
である。図9は、OLED表示素子の基本構造を示す断
面図である。図9に示すように、OLED表示素子は、
ガラス基板10上に、ITO(Indium Thin Oxide)等
の透明電極から成る陽極11、正孔輸送層12、発光層
13、電子輸送層14、陰極15が、この順番で積層さ
れて構成される。陽極11と陰極15との間に電圧を印
加すると、陽極11から注入された正孔と、陰極15か
ら注入された電子とが発光層13の内部で再結合し、発
光層13を形成する有機分子を励起して励起子が生じ、
この励起子が放射失活する過程で発光層13から光が放
たれ、この光が透明な陽極11からガラス基板10を介
して外部へ放出されて発光する。以下、正孔輸送層1
2、発光層13および電子輸送層14から成る多層膜
を、OLED膜30という。単純マトリクス方式のOL
ED表示装置は、図9に示す陽極11と陰極15とを、
OLED膜30を挟んで互いに直交する多数のストライ
プ電極で構成し、陽極11となる多数のストライプ電極
と、陰極15となる多数のストライプ電極との交点の画
素に駆動電圧を印加する。また、アクティブマトリクス
方式のOLED表示装置は、各画素毎に陽極11を形成
し、この陽極11に、各画素毎に設けられる能動素子、
例えば、TFT(薄膜トランジスタ;Thin Film Transi
stor)を介して駆動電圧を印加する。
を示す模式断面図である。図10に示すOLED表示装
置は、表示面となるガラス基板10と、このガラス基板
10上に、接着剤21で接着シールされる封止缶20と
で構成される。なお、接着剤21は紫外線硬化型樹脂で
構成される。ガラス基板10には、陽極11、OLED
膜30、および陰極15が形成され、前述したように、
OLED膜30は、正孔輸送層12、発光層13および
電子輸送層14から成る多層膜で形成される。OLED
膜30の発光層13で発光した光は、図10に矢印で示
すように、ガラス基板10側に放出される。また、封止
缶20は、ステンレスなどの金属で構成され、図10に
示すように、封止缶20の一部に凹部22が形成され、
この凹部内には、テープ25によって、乾燥剤23が固
定、収納されている。前記凹部22は、封止缶20の略
中央部に設けられる。また、封止缶20と、ガラス基枚
10とで囲まれた封止空間26には、乾燥し、かつ不活
性な気体(例えば、窒素ガス)が封入されている。な
お、図10に示すOLED表示装置は、単純マトリクス
方式のOLED表示装置であり、陽極11となる多数の
ストライプ電極と、陰極15となる多数のストライプ電
極とが、OLED膜30を挟んで直交するように形成さ
れる。但し、図10では、陽極11となる多数のストラ
イプ電極、陰極15となる多数のストライプ電極の図示
は省略している。
装置では、陰極15は、Mg/Ag、LiF/Al、あ
るいは、Ca/Alなどで構成される。そして、OLE
D膜30および陰極15は、水、酸素、熱あるいは紫外
線に対して耐性が低く、特に、水は、OLED膜30に
多大な影響を与えて、発光が阻害されて非発光となっ
た、所謂、ダークスポットと言われる欠陥の最大の原因
となる。このため、信頼性の高いOLED表示装置を実
現するためには、これらの要素が、前述のOLED膜3
0および陰極15に侵入するのを防止する必要があり、
そこで、従来のOLED表示装置にあっては、OLED
表示装置の製作時に、封止缶20で封止される封止空間
26内に、乾燥した不活性な気体(例えば、霜点(露
点)−80℃以下の窒素ガス)を封入している。この状
態を、パネル化した後も保ちつづけることが必要である
が、接着剤21を介して、外気の水分子が封止空間内に
侵入することが考えられる。そこで、パネル化された後
に外部より侵入した水分子を吸収して、封止空間26内
を、常時封止時の適切な乾燥状態に保つために乾燥剤2
3が封入される。そして、図10に示すように、乾燥剤
23は、封止缶20の凹部22に実装されている。
示装置の厚み(図10に示すh1)が厚くなるという問
題点があった。例えば、従来のOLED表示装置は、厚
さが7mm程度となり、従来の液晶表示モジュールの厚
さ(バックライトを含む厚さ)が、約9mmであること
を考慮すれば、従来のOLED表示装置は、それほど薄
型化が図られていない。このように、従来のOELD表
示装置は、薄型化を図ることが可能となるというOLE
D表示素子の特徴が生かされていない。また、従来のO
LED表示装置では、ガラス基板10に、金属(例え
ば、ステンレス)で構成される封止缶20を接着部21
でシールする構造となっている。そのため、封止缶20
とガラス基板10との間の接着部面積が小さく、この接
着部21を介して、ガラス基板10と封止缶20とで封
止される封止空間内に、外部より水が侵入し、表示劣化
が起こりやすい、あるいは、外部からの応力により、ガ
ラス基板10から封止缶20が剥離しやすいという問題
点があった。また、従来のOLED表示装置では、ガラ
ス基板10と封止缶20とで封止される封止空間内の圧
力と、外部圧力との間に差異が生じやすく、リークパス
が生じやすくなるという問題点もあった。さらに、従来
のOLED表示装置では、凹状の封止缶20が必要であ
るため、製造コストが高くなるという問題点があった。
その上、封止缶20として、ステンレスなどの金属を使
用する関係上、それほど、軽量化を図ることができない
という問題点もあった。
るためになされたものであり、本発明の目的は、エレク
トロルミネッセンス素子を用いた表示装置において、従
来よりも薄型化を図ることが可能となる技術を提供する
ことにある。また、本発明の他の目的は、エレクトロル
ミネッセンス素子を用いた表示装置において、従来より
も軽量化を図ることが可能となる技術を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、エレクトロルミネッ
センス素子を用いた表示装置において、従来よりも透湿
性を向上させることが可能となる技術を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、エレクトロルミネッ
センス素子を用いた表示装置において、従来よりも製造
コストを低減させることが可能となる技術を提供するこ
とにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかに
する。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。本発明は、基板上に設けられるエレ
クトロルミネッセンス素子を備える表示装置において、
エレクトロルミネッセンス素子上に密着して形成され、
前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う保護膜を設け
たことを特徴とする。この保護膜は、例えば、化学反応
硬化型の合成樹脂膜(例えば、エポキシ系、ウレタン
系、アクリル系、ビニル系、あるいは、シリコーン系の
合成樹脂膜)で構成される。このように、本発明によれ
ば、従来のように、基板上に接着剤を介して封止缶を接
着し、この封止缶で、基板上に設けられるエレクトロル
ミネッセンス素子を覆う代わりに、エレクトロルミネッ
センス素子を覆う保護膜を、任意の形状および任意の厚
さで形成するようにしたので、従来よりも、表示装置の
薄型化、並びに、軽量化を図ることが可能となる。ま
た、本発明では、保護膜を、エレクトロルミネッセンス
素子の全面に密着して形成するようにしたので、従来よ
りも、表示装置の透湿性を向上させることが可能とな
る。
ショア硬度A20〜80の化学反応硬化型の合成樹脂膜
を使用するようにしたので、従来よりも、表示装置の強
度を向上させることが可能となる。また、本発明では、
保護膜が、エレクトロルミネッセンス素子上に順次積層
されるn個の保護膜とで構成され、エレクトロルミネッ
センス素子を覆う保護膜を第1の保護膜、第1の保護膜
上に順次積層されて設けられる保護膜を、第2の保護膜
ないし第nの保護膜とするとき、各保護膜が下記(1)
式、あるいは、(2)式を満足する。
膜、あるいは、光電変換素子(例えば、太陽電池)を備
える。
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 [実施の形態1]図1は、本発明の実施の形態1のOL
ED表示装置の概略構成を示す要部断面図である。図1
に示すように、本実施の形態においても、表示面となる
ガラス基板10上には、陽極11、OLED膜30、お
よび陰極15が形成され、前述したように、OLED膜
30は、正孔輸送層12、発光層13および電子輸送層
14から成る多層膜で形成される。OLED膜30の発
光層13で発光した光は、図1に矢印で示すように、ガ
ラス基板10側に放出される。なお、本実施の形態のO
LED表示装置も、単純マトリクス方式のOLED表示
装置であり、陽極11となる多数のストライプ電極と、
陰極15となる多数のストライプ電極とが、OLED膜
30を挟んで直交するように形成される。但し、図1で
は、陽極11となる多数のストライプ電極、陰極15と
なる多数のストライプ電極の図示は省略している。
えて、陽極11、OLED膜30、および陰極15上に
密着して形成され、陽極11、OLED膜30、および
陰極15を覆う保護膜50を設けたことを特徴とする。
この保護膜50は、化学反応硬化型の合成樹脂膜(例え
ば、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、
あるいは、シリコーン系等)で構成される。即ち、本実
施の形態の保護膜50は、エポキシ系、ウレタン系、ア
クリル系、ビニル系、あるいは、シリコーン系等のモノ
マ、あるいは、オリゴマの化学反応型組成物を用い、室
温硬化、加熱硬化、あるいは、光硬化により硬化させて
形成する。なお、この保護膜50には、無機充填剤(例
えば、シリカ、アルミナ等)、吸湿剤(アルカリ金属土
類系酸化物等)、あるいは、吸着剤(炭化物、モレキュ
ラシーブ等)が、必要に応じて添加される。図1に示す
OLED表示装置では、化学反応型組成物として、液状
の反応型のものを使用し、キャスティングにより選択的
に保護膜50を形成したものである。この図1に示すO
LED表示装置では、選択的な硬化により、任意形状お
よび任意の厚さの保護膜50を形成することが可能であ
る。図1では、この保護膜50は、陽極11、OLED
膜30、および陰極15上ばかりでなく、陽極11に接
続されるフレキシブルプリント配線基板27も覆うよう
に、ガラス基板10の全面に形成されている。
のように、封止缶20で、陽極11、OLED膜30、
および陰極15を覆う代わりに、陽極11、OLED膜
30、および陰極15を覆う保護膜50を形成するよう
にしたので、封止缶20および乾燥剤23が必要なくな
り、従来よりも、OLED表示装置の薄型化、並びに、
軽量化を図ることが可能となる。また、本実施の形態で
は、保護膜50を、陽極11、OLED膜30、および
陰極15の全面に密着して形成するようにしたので、従
来よりも、OLED表示装置の透湿性を向上させること
が可能となる。また、本実施の形態において、保護膜5
0により、陽極11、OLED膜30、および陰極15
を覆うようにしたので、外部から応力が印加されても、
保護膜50が剥離することがなく、その上、保護膜50
として、硬度がショア硬度A20〜80の化学反応硬化
型の合成樹脂膜を使用することにより、従来よりも、O
LED表示装置の強度を向上させることが可能となる。
さらに、本実施の形態では、凹状の封止缶20が必要な
いので、部品点数を削減でき、製造コストを低減するこ
とが可能となる。
D表示装置の変形例の概略構成を示す要部断面図であ
る。図2に示すOLED表示装置は、化学反応型組成物
として、液状の低粘度反応型のものを使用し、薄膜コー
トして保護膜50を形成したものである。この図2に示
すOLED表示装置では、より薄型化、低コスト化、軽
量化を図ることが可能となる。図3に示すOLED表示
装置は、化学反応型組成物として、液状の低硬度高粘度
反応型のものを使用し、ポッティングコートして、周辺
コーナを曲率化した保護膜50を形成したものである。
この図3に示すOLED表示装置では、周辺コーナが丸
みをおびているため、外部応力による破損を防止するこ
とが可能となる。図4に示すOLED表示装置は、フレ
キシブルプリント配線基板27の端子部を除いて、保護
膜50を形成し、フレキシブルプリント配線基板27の
端子部上に、FPC接着剤29を形成したものである。
図5に示すOLED表示装置は、アッセブリ用の固定部
材(例えば、取り付け金具)29を、保護膜50と一体
に形成したものである。この図5に示すOLED表示装
置では、固定部材53が、予めOLED表示装置に一定
に形成されているので、周辺部材の部品点数を削減で
き、より低コスト化を図ることが可能となる。
形態2のOLED表示装置の概略構成を示す要部断面図
である。本実施の形態のOLED表示装置は、保護膜5
0として、陽極11、OLED膜30、および陰極15
を覆う第1の保護膜50aと、第1の保護膜50aを覆
う第2の保護膜50bとの多層積層膜で構成した点で、
前述の実施の形態1のOLED表示装置との相異する。
ここで、第1の保護膜50aおよび第2の保護膜50b
の少なくとも一方は、例えば、化学反応硬化型の合成樹
脂膜で構成される。即ち、前述の実施の形態1の保護膜
50と同様、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビ
ニル系、あるいは、シリコーン系等のモノマ、あるい
は、オリゴマの化学反応型組成物を用い、室温硬化、加
熱硬化、あるいは、光硬化により硬化させて形成する。
なお、この保護膜(50a,50b)には、無機充填剤
(例えば、シリカ、アルミナ等)、吸湿剤(アルカリ金
属土類系酸化物等)、あるいは、吸着剤(炭化物、モレ
キュラシーブ等)が、必要に応じて添加される。本実施
の形態において、第2の保護膜50bは、吸水率が、第
1の保護膜50aの吸水率よりも大きく(第1の保護膜
50aの吸水率<第2の保護膜50bの吸水率)され
る。前述の条件を満たすことにより、本実施の形態のO
LED表示装置では、耐湿性をより一層向上させること
が可能となる。
膜50bは、弾性率または硬度が、第1の保護膜50a
の弾性率または硬度よりも大きく(第1の保護膜50a
の弾性率または硬度<第2の保護膜50bの弾性率また
は硬度)される。前述の条件を満たすことにより、本実
施の形態のOLED表示装置では、外部からの応力を緩
和することができ、OLED表示装置の強度をより一層
向上させることが可能となる。なお、本実施の形態のO
LED表示装置において、保護膜50を、第1の保護膜
ないし第nの保護膜のn個の多層積層膜で構成してもよ
い。この場合には、n個の保護膜の少なくとも一つは、
前述した化学反応硬化型の合成樹脂膜で構成される。そ
して、陽極11、OLED膜30、および陰極15を覆
う保護膜を第1の保護膜、第1の保護膜上に順次積層さ
れて設けられる保護膜を、第2の保護膜ないし第nの保
護膜とするとき、前記各保護膜の吸水率が下記(1)式
を満足する必要がある。
を満足する必要がある。
形態3のOLED表示装置の概略構成を示す要部断面図
である。本実施の形態のOLED表示装置は、以下の点
で前述の実施の形態1のOLED表示装置と相異する。 (1)OLED膜30の発光層13で発光した光が、図
7に矢印で示すように、保護膜50側に放出される点。 (2)保護膜50上に、ガラス(または金属膜)51を
形成した点 そのため、本実施の形態では、保護膜50は、透明なも
のが使用され、さらに、OLED膜30の基板10側に
陰極15が形成され、OLED膜30の保護膜50側に
陽極11が形成されている。ここで、保護膜50は、リ
タデーション(複屈折率)が20nm以下であることが
好ましい。このように、本実施の形態では、保護膜50
上に、ガラスまたは金属膜51を形成したので、耐湿
性、および外部応力に対する強度をより一層向上させる
ことが可能となる。さらに、保護膜50として、リタデ
ーション(複屈折率)が20nm以下の透明な保護膜を
使用したので、収差などの光学特性を向上させることが
可能となる。
形態4のOLED表示装置の概略構成を示す要部断面図
である。本実施の形態のOLED表示装置は、保護膜5
0上に、光電変換素子(太陽電池)52を形成した点
で、前述の実施の形態1のOLED表示装置と相異す
る。そのため、本実施の形態においても、保護膜52
は、透明なものが使用される。一般に、OLED表示装
置では、OLED膜30の発光層13での発光は、陽極
11側、および陰極15の両方に放出される。そして、
陰極15側に放出される光は、陰極15を構成する金属
膜(例えば、Al)で反射されて、陽極11側に放出さ
れる。本実施の形態では、この陰極11を構成する金属
膜を薄い膜で構成し、陰極11を構成する金属膜を通過
してくる光を光電変換素子52に入射させて、光電変換
素子52で電気に変換し、OLED表示装置に供給する
電力の一部とする。これにより、本実施の形態では、よ
り低消費電力化を図ることが可能となる。また、保護膜
50上に、光電変換素子52を形成したので、耐湿性を
より一層向上させることが可能となる。なお、前述の説
明では、本発明を、単純マトリクス方式のOLED表示
装置に適用した実施の形態について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、アクティブマトリク
ス方式のOLED表示装置に適用可能であることはいう
までもない。以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 (1)本発明のエレクトロルミネッセンス素子を用いた
OLED表示装置によれば、従来よりも薄型化を図るこ
とが可能となる。 (2)本発明のエレクトロルミネッセンス素子を用いた
OLED表示装置によれば、従来よりも軽量化を図るこ
とが可能となる。 (3)本発明のエレクトロルミネッセンス素子を用いた
OLED表示装置によれば、従来よりも透湿性を向上さ
せることが可能となる。 (4)本発明のエレクトロルミネッセンス素子を用いた
OLED表示装置によれば、従来よりも製造コストを低
減させることが可能となる。
略構成を示す要部断面図である。
形例の概略構成を示す要部断面図である。
形例の概略構成を示す要部断面図である。
形例の概略構成を示す要部断面図である。
形例の概略構成を示す要部断面図である。
略構成を示す要部断面図である。
略構成を示す要部断面図である。
略構成を示す要部断面図である。
る。
面図である。
3…発光層、14…電子輸送層、15…陰極、16…フ
レキシブル、20…封止部材、21…接着剤、22…凹
部、23…乾燥剤、25…テープ、26…封止空間、2
7…フレキシブルプリント配線基板、29…FPC接着
剤、30…OLED膜、50,50a,50b…保護
膜、51…ガラスまたは金属膜、52…光電変換素子
(太陽電池)、53…固定部材。
Claims (31)
- 【請求項1】 透明基板と、前記透明基板上に設けられ
るエレクトロルミネッセンス素子と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う保護膜とを備
えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 前記保護膜は、化学反応硬化型の合成樹
脂膜であることを特徴とする請求項1に記載の表示装
置。 - 【請求項3】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、エ
ポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、あるい
は、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とする
請求項2に記載の表示装置。 - 【請求項4】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、無
機充填剤、吸湿剤、あるいは、吸着剤を含むことを特徴
とする請求項3に記載の表示装置。 - 【請求項5】 前記保護膜は、不透明な保護膜であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 【請求項6】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う透明な保護膜
とを備えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項7】 前記透明な保護膜は、リタデーションが
20nm以下であることを特徴とする請求項6に記載の
表示装置。 - 【請求項8】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う保護膜とを備
え、 前記保護膜は、硬度がショア硬度A20〜80の化学反
応硬化型の合成樹脂膜であることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項9】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、エ
ポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、あるい
は、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とする
請求項8に記載の表示装置。 - 【請求項10】 基板と、前記基板上に設けられるエレ
クトロルミネッセンス素子と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う第1の保護膜
と、 前記第1の保護膜を覆う第2の保護膜とを備えることを
特徴とする表示装置。 - 【請求項11】 前記第2の保護膜は、吸水率が、前記
第1の保護膜の吸水率よりも大きいことを特徴とする請
求項10に記載の表示装置。 - 【請求項12】 前記第2の保護膜は、弾性率または硬
度が、前記第1の保護膜の弾性率または硬度よりも大き
いことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。 - 【請求項13】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う第1の保護膜
と、 前記第1の保護膜を覆う第2の保護膜とを備え、 前記第1の保護膜および前記第2の保護膜の少なくとも
一方は、化学反応硬化型の合成樹脂膜であることを特徴
とする表示装置。 - 【請求項14】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、
エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、ある
いは、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とす
る請求項13に記載の表示装置。 - 【請求項15】 前記第2の保護膜は、吸水率が、前記
第1の保護膜の吸水率よりも大きいことを特徴とする請
求項13に記載の表示装置。 - 【請求項16】 前記第2の保護膜は、弾性率または硬
度が、前記第1の保護膜の弾性率または硬度よりも大き
いことを特徴とする請求項13に記載の表示装置。 - 【請求項17】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子上に順次積層されて
設けられるn個の保護膜とを備え、 前記n個の保護膜の少なくとも一つは、化学反応硬化型
の合成樹脂膜であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項18】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、
エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、ある
いは、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とす
る請求項17に記載の表示装置。 - 【請求項19】 前記エレクトロルミネッセンス素子を
覆う保護膜を第1の保護膜、前記第1の保護膜上に順次
積層されて設けられる保護膜を、第2の保護膜ないし第
nの保護膜とするとき、前記各保護膜の吸水率が下記式
を満足することを特徴とする請求項17に記載の表示装
置。 第1の保護膜の吸水率<第2の保護膜の吸水率<…<第
nの保護膜の吸水率 - 【請求項20】 前記エレクトロルミネッセンス素子を
覆う保護膜を第1の保護膜、前記第1の保護膜上に順次
積層されて設けられる保護膜を、第2の保護膜ないし第
nの保護膜とするとき、前記各保護膜の弾性率または硬
度が下記式を満足することを特徴とする請求項17に記
載の表示装置。 第1の保護膜の弾性率または硬度<第2の保護膜の弾性
率または硬度<…<第nの保護膜の弾性率または硬度 - 【請求項21】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う保護膜と、 前記保護膜を覆うガラス、あるいは金属膜とを備えるこ
とを特徴とする表示装置。 - 【請求項22】 前記保護膜は、透明な保護膜であり、 前記透明な保護膜は、リタデーションが20nm以下で
あることを特徴とする請求項21に記載の表示装置。 - 【請求項23】 前記保護膜は、化学反応硬化型の合成
樹脂膜であることを特徴とする請求項21に記載の表示
装置。 - 【請求項24】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、
エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、ある
いは、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とす
る請求項23に記載の表示装置。 - 【請求項25】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆う透明な保護膜
と、 前記保護膜上に配置される光電変換素子とを備えること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項26】 前記保護膜は、化学反応硬化型の合成
樹脂膜であることを特徴とする請求項25に記載の表示
装置。 - 【請求項27】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、
エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、ある
いは、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とす
る請求項26に記載の表示装置。 - 【請求項28】 基板と、 前記基板上に設けられるエレクトロルミネッセンス素子
と、 前記エレクトロルミネッセンス素子を覆うとともに、表
面に凹凸形状を有しない保護膜とを備えることを特徴と
する表示装置。 - 【請求項29】 前記保護膜は、化学反応硬化型の合成
樹脂膜であることを特徴とする請求項28に記載の表示
装置。 - 【請求項30】 前記化学反応硬化型の合成樹脂膜は、
エポキシ系、ウレタン系、アクリル系、ビニル系、ある
いは、シリコーン系の合成樹脂膜であることを特徴とす
る請求項29に記載の表示装置。 - 【請求項31】 前記保護膜に固定され、前記表示装置
を取り付けるためのる固定部材を備えることを特徴とす
る請求項28に記載の表示装置。
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