JP2003163202A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒータを設置することによって加熱するのが
困難な部品を加熱することができる手段によって発仁の
発生を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を与
えることのない半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 真空排気によって減圧状態になった処理
室１内にガス導入ポート４からプロセスガスをシャワー
プレート３に導入して分散供給すると、同時にマイクロ
波を導入してプロセスガスをプラズマ化し、プラズマ化
によって得られたプラズマによって処理室１内の電極５
上に載置された被処理体６の表面を処理する半導体製造
装置において、処理室１内の温度が低いシャワープレー
ト３に光を照射して加熱するランプ７を設ける。
困難な部品を加熱することができる手段によって発仁の
発生を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を与
えることのない半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 真空排気によって減圧状態になった処理
室１内にガス導入ポート４からプロセスガスをシャワー
プレート３に導入して分散供給すると、同時にマイクロ
波を導入してプロセスガスをプラズマ化し、プラズマ化
によって得られたプラズマによって処理室１内の電極５
上に載置された被処理体６の表面を処理する半導体製造
装置において、処理室１内の温度が低いシャワープレー
ト３に光を照射して加熱するランプ７を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て半導体基板等の被処理体のエッチング処理またはデポ
ジション処理を行う半導体製造装置に関するものであ
る。
て半導体基板等の被処理体のエッチング処理またはデポ
ジション処理を行う半導体製造装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、プラズマを用いたドライエッチ
ング装置において、半導体ウエハ等の被処理体を多数処
理していくにつれて、処理室内部に反応生成物が堆積
し、この堆積した反応生成物が発塵の原因となって、発
塵量が増えていくという問題がある。
ング装置において、半導体ウエハ等の被処理体を多数処
理していくにつれて、処理室内部に反応生成物が堆積
し、この堆積した反応生成物が発塵の原因となって、発
塵量が増えていくという問題がある。
【０００３】特に、処理室内の温度分布が不均一な場
合、反応生成物は処理室内の温度が低い部分に堆積しや
すい。この問題を解決するために、一般に、処理室内の
部品を加熱して、反応生成物の付着を抑制したり一旦付
着した反応生成物を蒸発させるなどの方法が取られてい
る。
合、反応生成物は処理室内の温度が低い部分に堆積しや
すい。この問題を解決するために、一般に、処理室内の
部品を加熱して、反応生成物の付着を抑制したり一旦付
着した反応生成物を蒸発させるなどの方法が取られてい
る。
【０００４】処理室内の部品を加熱する方法として、部
品内にヒータを埋め込む、あるいは部品にヒータを取り
付ける方法が採用される例があるが、装置の構成上ヒー
タで加熱するのが困難な部品が存在する場合がある。
品内にヒータを埋め込む、あるいは部品にヒータを取り
付ける方法が採用される例があるが、装置の構成上ヒー
タで加熱するのが困難な部品が存在する場合がある。
【０００５】例えば、処理室の側壁は、ヒータを設置し
て加熱することにより、反応生成物の付着を抑制するこ
とができるが、シャワープレートにヒータを設置すると
マイクロ波の導入が妨げられるため、シャワープレート
の全面にわたって設置することができない。また、シャ
ワープレートは薄いので、局部的にヒータで加熱した場
合には局部的な熱膨張の差で破損する恐れがある。
て加熱することにより、反応生成物の付着を抑制するこ
とができるが、シャワープレートにヒータを設置すると
マイクロ波の導入が妨げられるため、シャワープレート
の全面にわたって設置することができない。また、シャ
ワープレートは薄いので、局部的にヒータで加熱した場
合には局部的な熱膨張の差で破損する恐れがある。
【０００６】一方、例えば、特開２０００−１７３９８
３号のように、処理室内の温度が低い部分に電磁波吸収
体を設け、この電磁波吸収体が電磁波を吸収して発する
熱によって加熱する方法があるが、この方法の場合、本
来はプラズマ生成のための電磁波のエネルギーが電磁波
吸収体によって吸収されるために、プラズマの生成状態
が変化するという新たな問題が発生することが考えられ
る。
３号のように、処理室内の温度が低い部分に電磁波吸収
体を設け、この電磁波吸収体が電磁波を吸収して発する
熱によって加熱する方法があるが、この方法の場合、本
来はプラズマ生成のための電磁波のエネルギーが電磁波
吸収体によって吸収されるために、プラズマの生成状態
が変化するという新たな問題が発生することが考えられ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、装置の
構成上、部品内にヒータを埋め込む、あるいは部品にヒ
ータを取り付ける等、ヒータを設置することによって加
熱するのが困難な場合がある。
構成上、部品内にヒータを埋め込む、あるいは部品にヒ
ータを取り付ける等、ヒータを設置することによって加
熱するのが困難な場合がある。
【０００８】電磁波吸収体を設けて電磁波の吸収によっ
て加熱する方法では、プラズマの生成状態が変化すると
いう新たな問題が発生すると考えられる。
て加熱する方法では、プラズマの生成状態が変化すると
いう新たな問題が発生すると考えられる。
【０００９】本発明は、これらの点を考慮してなされた
ものであり、ヒータを設置することによって加熱するの
が困難な部品を加熱することができる手段によって発塵
を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を与える
ことのない半導体製造装置を提供するものである。
ものであり、ヒータを設置することによって加熱するの
が困難な部品を加熱することができる手段によって発塵
を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を与える
ことのない半導体製造装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、減圧状態の処理室内にプロセスガスと高周波エ
ネルギーとを導入し、該高周波エネルギーによって上記
プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によって得
られたプラズマによって上記処理室内に載置された被処
理体の表面を処理する半導体製造装置において、上記処
理室内の温度が低い部分に光を照射して、該温度が低い
部分を加熱するランプを備えたものである。
装置は、減圧状態の処理室内にプロセスガスと高周波エ
ネルギーとを導入し、該高周波エネルギーによって上記
プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によって得
られたプラズマによって上記処理室内に載置された被処
理体の表面を処理する半導体製造装置において、上記処
理室内の温度が低い部分に光を照射して、該温度が低い
部分を加熱するランプを備えたものである。
【００１１】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものである。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものである。
【００１２】また、ランプを処理室の内部及び外部の両
方に設けたものである。
方に設けたものである。
【００１３】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分に加熱したプロセス
ガスを吹き付けるプロセスガス加熱装置を設けたもので
ある。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分に加熱したプロセス
ガスを吹き付けるプロセスガス加熱装置を設けたもので
ある。
【００１４】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものである。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものである。
【００１５】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分または該温度が低い
部分に近接する部品に通水路を形成し、該通水路に温水
または熱水を循環させる水循環機構を設けたものであ
る。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分または該温度が低い
部分に近接する部品に通水路を形成し、該通水路に温水
または熱水を循環させる水循環機構を設けたものであ
る。
【００１６】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であり、上記導入窓が上記シャワープレートに
近接する部品であるものである。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であり、上記導入窓が上記シャワープレートに
近接する部品であるものである。
【００１７】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室を構成する部品の処理室外部から加熱さ
れたガスを吹き付け、上記処理室を構成する部品に近接
する上記処理室内の温度が低い部分を加熱する温風吹き
出し機構を設けたものである。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室を構成する部品の処理室外部から加熱さ
れたガスを吹き付け、上記処理室を構成する部品に近接
する上記処理室内の温度が低い部分を加熱する温風吹き
出し機構を設けたものである。
【００１８】また、処理室を構成する部品が高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓であり、処理
室内の温度が低い部分が、上記導入窓の下部処理室内に
配置された、プロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートであるものである。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓であり、処理
室内の温度が低い部分が、上記導入窓の下部処理室内に
配置された、プロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートであるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明は、プラズマによって被処
理体の表面をエッチングする、あるいはＣＶＤ処理する
などの処理を行う半導体製造装置の処理室内部の温度が
低い部分に光を照射する、加熱したプロセスガスを導入
する、通水路を設けて通水路に加熱した水を流す、ある
いは処理室外部から処理室を構成する部品に加熱したガ
スを吹き付け、上記部品に近接する処理室内部の部品を
加熱することによって、ヒータを設置することが困難な
部品を加熱するものである。以下に、図に基づいて具体
的な実施の形態を示すが、本発明がこれらの実施の形態
に限定されるものではない。
理体の表面をエッチングする、あるいはＣＶＤ処理する
などの処理を行う半導体製造装置の処理室内部の温度が
低い部分に光を照射する、加熱したプロセスガスを導入
する、通水路を設けて通水路に加熱した水を流す、ある
いは処理室外部から処理室を構成する部品に加熱したガ
スを吹き付け、上記部品に近接する処理室内部の部品を
加熱することによって、ヒータを設置することが困難な
部品を加熱するものである。以下に、図に基づいて具体
的な実施の形態を示すが、本発明がこれらの実施の形態
に限定されるものではない。
【００２０】実施の形態１．図１は、本発明に係る半導
体製造装置における実施の形態１を示す断面図であり、
ＥＣＲ（電子エレクトロン共鳴）マイクロ波プラズマエ
ッチング装置を示している。
体製造装置における実施の形態１を示す断面図であり、
ＥＣＲ（電子エレクトロン共鳴）マイクロ波プラズマエ
ッチング装置を示している。
【００２１】図において、１は真空排気される処理室、
２は処理室１の一部を構成し、処理室内にマイクロ波を
透過させるマイクロ波導入窓、３はプロセスガスを分散
供給するためのシャワープレートであり、シャワープレ
ート３は５ｍｍ程度の薄い石英板に多数の孔が設けられ
ている。４はプロセスガスを処理室１へ導入するための
ガス導入ポート、５は電極、６は被処理体、７はラン
プ、１２はソレノイドコイルであり、シャワープレート
３はランプ７の輻射熱によって加熱される。
２は処理室１の一部を構成し、処理室内にマイクロ波を
透過させるマイクロ波導入窓、３はプロセスガスを分散
供給するためのシャワープレートであり、シャワープレ
ート３は５ｍｍ程度の薄い石英板に多数の孔が設けられ
ている。４はプロセスガスを処理室１へ導入するための
ガス導入ポート、５は電極、６は被処理体、７はラン
プ、１２はソレノイドコイルであり、シャワープレート
３はランプ７の輻射熱によって加熱される。
【００２２】図１の構成において、ソレノイドコイル１
２によりＥＣＲ条件を満たすような磁場を発生させ、処
理室１上部の石英板等からなるマイクロ波導入窓２から
マイクロ波を透過させて処理室１内に導入する。同時
に、ガス導入ポート４からプロセスガスを導入し、導入
したプロセスガスをＥＣＲによってプラズマ化し、プラ
ズマ化によって生成されるイオン及びラジカルを電極５
上に載置した被処理体に照射してエッチング処理を行
う。
２によりＥＣＲ条件を満たすような磁場を発生させ、処
理室１上部の石英板等からなるマイクロ波導入窓２から
マイクロ波を透過させて処理室１内に導入する。同時
に、ガス導入ポート４からプロセスガスを導入し、導入
したプロセスガスをＥＣＲによってプラズマ化し、プラ
ズマ化によって生成されるイオン及びラジカルを電極５
上に載置した被処理体に照射してエッチング処理を行
う。
【００２３】このエッチング処理において発生する反応
生成物の一部は気体となって真空排気され、一部は固体
となって処理室１内の温度の低い部分に付着する。
生成物の一部は気体となって真空排気され、一部は固体
となって処理室１内の温度の低い部分に付着する。
【００２４】本実施の形態においてはランプ７を処理室
１の外部に設け、ランプ７の光をマイクロ波導入窓２か
ら透過させてシャワープレート３に照射して、輻射熱に
よってシャワープレート３を加熱するようにしているの
で、マイクロ波の導入が妨げられることはなく、また、
ランプ７の光をシャワープレート３に均一に照射するこ
とによって、シャワープレート３を均一に加熱し、反応
生成物がシャワープレート３に付着するのを抑制するこ
とができる。
１の外部に設け、ランプ７の光をマイクロ波導入窓２か
ら透過させてシャワープレート３に照射して、輻射熱に
よってシャワープレート３を加熱するようにしているの
で、マイクロ波の導入が妨げられることはなく、また、
ランプ７の光をシャワープレート３に均一に照射するこ
とによって、シャワープレート３を均一に加熱し、反応
生成物がシャワープレート３に付着するのを抑制するこ
とができる。
【００２５】なお、本実施の形態において、ランプ７を
処理室１の外部に設ける場合を示したが、ランプ７を設
ける位置は、処理室１の内部でもよく、処理室１の内部
及び外部の両方でもよい。
処理室１の外部に設ける場合を示したが、ランプ７を設
ける位置は、処理室１の内部でもよく、処理室１の内部
及び外部の両方でもよい。
【００２６】処理室１の内部及び外部の両方にランプ７
を設け、内部及び外部のいずれか一方のランプでシャワ
ープレート３の周辺近傍を照射し、他方のランプで中心
近傍を照射することによって、均一な照射が容易にでき
るようになる。
を設け、内部及び外部のいずれか一方のランプでシャワ
ープレート３の周辺近傍を照射し、他方のランプで中心
近傍を照射することによって、均一な照射が容易にでき
るようになる。
【００２７】実施の形態２．図２は、本発明に係る半導
体製造装置における実施の形態２を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
体製造装置における実施の形態２を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
【００２８】本実施の形態は、ガス導入ポート４に導入
するプロセスガスを加熱するプロセスガス加熱装置８を
設置し、プロセスガス加熱装置８で加熱したプロセスガ
スを処理室１に導入するものである。
するプロセスガスを加熱するプロセスガス加熱装置８を
設置し、プロセスガス加熱装置８で加熱したプロセスガ
スを処理室１に導入するものである。
【００２９】本実施の形態によれば、加熱されたプロセ
スガスがシャワープレート３から分散供給される際に、
シャワープレート３は均一に加熱される。また、プロセ
スガスで加熱するものであるので、マイクロ波の導入を
妨げるものはない。
スガスがシャワープレート３から分散供給される際に、
シャワープレート３は均一に加熱される。また、プロセ
スガスで加熱するものであるので、マイクロ波の導入を
妨げるものはない。
【００３０】実施の形態３．図３は、本発明に係る半導
体製造装置における実施の形態３を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
体製造装置における実施の形態３を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
【００３１】本実施の形態は、マイクロ波導入窓２に温
水または熱水を通水する通水路を有する温水（熱水）循
環機構９を設けるものである。
水または熱水を通水する通水路を有する温水（熱水）循
環機構９を設けるものである。
【００３２】温水（熱水）循環機構９は温水または熱水
を貯留するタンク、タンク内の水を通水路に循環させる
ポンプ、流量計等を備えている。
を貯留するタンク、タンク内の水を通水路に循環させる
ポンプ、流量計等を備えている。
【００３３】本実施の形態によれば、温水（熱水）循環
機構９によってマイクロ波導入窓２に設けられた通水路
を温水または熱水が循環することによってシャワープレ
ート３は均一に加熱される。また、温水または熱水で加
熱するものであるので、マイクロ波の導入を妨げるもの
はない。
機構９によってマイクロ波導入窓２に設けられた通水路
を温水または熱水が循環することによってシャワープレ
ート３は均一に加熱される。また、温水または熱水で加
熱するものであるので、マイクロ波の導入を妨げるもの
はない。
【００３４】なお、本実施の形態において、温水（熱
水）循環機構９をマイクロ波導入窓２に設ける場合を示
したが、シャワープレート３に通水路を形成し、この通
水路に温水または熱水を循環させる温水（熱水）循環機
構９を設けてもよい。
水）循環機構９をマイクロ波導入窓２に設ける場合を示
したが、シャワープレート３に通水路を形成し、この通
水路に温水または熱水を循環させる温水（熱水）循環機
構９を設けてもよい。
【００３５】実施の形態４．図４は、本発明に係る半導
体製造装置における実施の形態４を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
体製造装置における実施の形態４を示す断面図であり、
実施の形態１と同様、ＥＣＲマイクロ波プラズマエッチ
ング装置を示している。同図において、図１と同一符号
は同一部分または相当部分を示す。
【００３６】本実施の形態は、処理室１の外部に設けた
温風吹き出し機構１０からマイクロ波導入窓２に加熱し
た空気、窒素ガス等を吹き付けるものである。
温風吹き出し機構１０からマイクロ波導入窓２に加熱し
た空気、窒素ガス等を吹き付けるものである。
【００３７】温風吹き出し機構１０は、空気、窒素ガス
等を加熱し、貯留するタンク、タンク内のガスをマイク
ロ波導入窓２に吹き付けるためのブロア等を備え、マイ
クロ波導入窓２に吹き付けられたガスはタンクに循環す
るようにガス配管接続されている。
等を加熱し、貯留するタンク、タンク内のガスをマイク
ロ波導入窓２に吹き付けるためのブロア等を備え、マイ
クロ波導入窓２に吹き付けられたガスはタンクに循環す
るようにガス配管接続されている。
【００３８】本実施の形態によれば、温風吹き出し機構
１０によってマイクロ波導入窓２に吹き付けられたガス
によってマイクロ波導入窓２が加熱され、さらに、マイ
クロ波導入窓２に近接するシャワープレート３は均一に
加熱される。また、空気、窒素ガス等で加熱するもので
あるので、マイクロ波の導入を妨げるものはない。
１０によってマイクロ波導入窓２に吹き付けられたガス
によってマイクロ波導入窓２が加熱され、さらに、マイ
クロ波導入窓２に近接するシャワープレート３は均一に
加熱される。また、空気、窒素ガス等で加熱するもので
あるので、マイクロ波の導入を妨げるものはない。
【００３９】なお、上記実施の形態１〜４では、ＥＣＲ
マイクロ波プラズマエッチング装置に付いて説明した
が、本発明はマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の他、高周
波放電プラズマエッチング装置、高周波放電プラズマＣ
ＶＤ装置等、プロセスガスと高周波エネルギーとを処理
室に導入し、高周波エネルギーによってプロセスガスを
プラズマ化し、発生したプラズマによって被処理体の表
面を処理する半導体製造装置に適用できるものである。
マイクロ波プラズマエッチング装置に付いて説明した
が、本発明はマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の他、高周
波放電プラズマエッチング装置、高周波放電プラズマＣ
ＶＤ装置等、プロセスガスと高周波エネルギーとを処理
室に導入し、高周波エネルギーによってプロセスガスを
プラズマ化し、発生したプラズマによって被処理体の表
面を処理する半導体製造装置に適用できるものである。
【００４０】
【発明の効果】本発明に係る半導体製造装置によれば、
減圧状態の処理室内にプロセスガスと高周波エネルギー
とを導入し、該高周波エネルギーによって上記プロセス
ガスをプラズマ化し、該プラズマ化によって得られたプ
ラズマによって上記処理室内に載置された被処理体の表
面を処理する半導体製造装置において、上記処理室内の
温度が低い部分に光を照射して、該温度が低い部分を加
熱するランプを備えたものであるので、ヒータを設置す
ることによって加熱するのが困難な部品を加熱すること
によって発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に
影響を与えないようすることができる。
減圧状態の処理室内にプロセスガスと高周波エネルギー
とを導入し、該高周波エネルギーによって上記プロセス
ガスをプラズマ化し、該プラズマ化によって得られたプ
ラズマによって上記処理室内に載置された被処理体の表
面を処理する半導体製造装置において、上記処理室内の
温度が低い部分に光を照射して、該温度が低い部分を加
熱するランプを備えたものであるので、ヒータを設置す
ることによって加熱するのが困難な部品を加熱すること
によって発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に
影響を与えないようすることができる。
【００４１】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものであるので、ヒータで加熱するのが
困難なシャワープレートをランプで加熱することによっ
て発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を
与えないようすることができる。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものであるので、ヒータで加熱するのが
困難なシャワープレートをランプで加熱することによっ
て発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を
与えないようすることができる。
【００４２】また、ランプを処理室の内部及び外部の両
方に設けたものであるので、シャワープレートを均一に
加熱できるようになる。
方に設けたものであるので、シャワープレートを均一に
加熱できるようになる。
【００４３】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分に加熱したプロセス
ガスを吹き付けるプロセスガス加熱装置を設けたもので
あるので、ヒータを設置することによって加熱するのが
困難な部品を加熱することによって発塵を抑制し、しか
も、プラズマの生成状態に影響を与えないようすること
ができる。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分に加熱したプロセス
ガスを吹き付けるプロセスガス加熱装置を設けたもので
あるので、ヒータを設置することによって加熱するのが
困難な部品を加熱することによって発塵を抑制し、しか
も、プラズマの生成状態に影響を与えないようすること
ができる。
【００４４】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものであるので、ヒータで加熱するのが
困難なシャワープレートをプロセスガスで加熱すること
によって発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に
影響を与えないようすることができる。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であるものであるので、ヒータで加熱するのが
困難なシャワープレートをプロセスガスで加熱すること
によって発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に
影響を与えないようすることができる。
【００４５】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分または該温度が低い
部分に近接する部品に通水路を形成し、該通水路に温水
または熱水を循環させる水循環機構を設けたものである
ので、ヒータを設置することによって加熱するのが困難
な部品を加熱することによって発塵を抑制し、しかも、
プラズマの生成状態に影響を与えないようすることがで
きる。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室内の温度が低い部分または該温度が低い
部分に近接する部品に通水路を形成し、該通水路に温水
または熱水を循環させる水循環機構を設けたものである
ので、ヒータを設置することによって加熱するのが困難
な部品を加熱することによって発塵を抑制し、しかも、
プラズマの生成状態に影響を与えないようすることがで
きる。
【００４６】また、処理室の一部を構成し、高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であり、上記導入窓が上記シャワープレートに
近接する部品であるもので、ヒータで加熱するのが困難
なシャワープレートを加熱した水で加熱することによっ
て発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を
与えないようすることができる。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓
の下部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシ
ャワープレートとを備え、該シャワープレートが温度が
低い部分であり、上記導入窓が上記シャワープレートに
近接する部品であるもので、ヒータで加熱するのが困難
なシャワープレートを加熱した水で加熱することによっ
て発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響を
与えないようすることができる。
【００４７】また、減圧状態の処理室内にプロセスガス
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室を構成する部品の処理室外部から加熱さ
れたガスを吹き付け、上記処理室を構成する部品に近接
する上記処理室内の温度が低い部分を加熱する温風吹き
出し機構を設けたものであるので、ヒータを設置するこ
とによって加熱するのが困難な部品を加熱することによ
って発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響
を与えないようすることができる。
と高周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによ
って上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化に
よって得られたプラズマによって上記処理室内に載置さ
れた被処理体の表面を処理する半導体製造装置におい
て、上記処理室を構成する部品の処理室外部から加熱さ
れたガスを吹き付け、上記処理室を構成する部品に近接
する上記処理室内の温度が低い部分を加熱する温風吹き
出し機構を設けたものであるので、ヒータを設置するこ
とによって加熱するのが困難な部品を加熱することによ
って発塵を抑制し、しかも、プラズマの生成状態に影響
を与えないようすることができる。
【００４８】また、処理室を構成する部品が高周波エネ
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓であり、処理
室内の温度が低い部分が、上記導入窓の下部処理室内に
配置された、プロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートであるものであるので、ヒータで加熱するの
が困難なシャワープレートを、加熱したガスによって導
入窓を介して加熱することによって発塵を抑制し、しか
も、プラズマの生成状態に影響を与えないようすること
ができる。
ルギーを上記処理室内部に導入する導入窓であり、処理
室内の温度が低い部分が、上記導入窓の下部処理室内に
配置された、プロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートであるものであるので、ヒータで加熱するの
が困難なシャワープレートを、加熱したガスによって導
入窓を介して加熱することによって発塵を抑制し、しか
も、プラズマの生成状態に影響を与えないようすること
ができる。
【図１】 本発明に係る半導体製造装置の実施の形態１
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 本発明に係る半導体製造装置の実施の形態２
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 本発明に係る半導体製造装置の実施の形態３
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】 本発明に係る半導体製造装置の実施の形態４
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】 従来の半導体製造装置を示す断面図である。
１ 処理室、２ マイクロ波導入窓、３ シャワープレ
ート、４ ガス導入ポート、５ 電極、６ 被処理体、
７ ランプ、８ プロセスガス加熱装置、９ 温水（熱
水）循環機構、１０ 温風吹出機構、１２ ソレノイド
コイル。
ート、４ ガス導入ポート、５ 電極、６ 被処理体、
７ ランプ、８ プロセスガス加熱装置、９ 温水（熱
水）循環機構、１０ 温風吹出機構、１２ ソレノイド
コイル。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K030 EA06 FA02 KA22 KA25
5F004 AA15 BA16 BB05 BB28
5F045 AA10 BB08 BB15 DP03 EC03
EF08
Claims (9)
- 【請求項１】 減圧状態の処理室内にプロセスガスと高
周波エネルギーとを導入し、該高周波エネルギーによっ
て上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によ
って得られたプラズマによって上記処理室内に載置され
た被処理体の表面を処理する半導体製造装置において、 上記処理室内の温度が低い部分に光を照射して、該温度
が低い部分を加熱するランプを備えたことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項２】 処理室の一部を構成し、高周波エネルギ
ーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓の下
部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートとを備え、該シャワープレートが温度が低い
部分であることを特徴とする請求項１記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】 ランプを処理室の内部及び外部の両方に
設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体
製造装置。 - 【請求項４】 減圧状態の処理室内にプロセスガスと高
周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによって
上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によっ
て得られたプラズマによって上記処理室内に載置された
被処理体の表面を処理する半導体製造装置において、 上記処理室内の温度が低い部分に加熱したプロセスガス
を吹き付けるプロセスガス加熱装置を設けたことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 処理室の一部を構成し、高周波エネルギ
ーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓の下
部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートとを備え、該シャワープレートが温度が低い
部分であることを特徴とする請求項４記載の半導体製造
装置。 - 【請求項６】 減圧状態の処理室内にプロセスガスと高
周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによって
上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によっ
て得られたプラズマによって上記処理室内に載置された
被処理体の表面を処理する半導体製造装置において、 上記処理室内の温度が低い部分または該温度が低い部分
に近接する部品に通水路を形成し、該通水路に温水また
は熱水を循環させる水循環機構を設けたことを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項７】 処理室の一部を構成し、高周波エネルギ
ーを上記処理室内部に導入する導入窓と、該導入窓の下
部処理室内にプロセスガスを分散供給するためのシャワ
ープレートとを備え、該シャワープレートが温度が低い
部分であり、上記導入窓が上記シャワープレートに近接
する部品であることを特徴とする請求項６記載の半導体
製造装置。 - 【請求項８】 減圧状態の処理室内にプロセスガスと高
周波エネルギーとを導入し、高周波エネルギーによって
上記プロセスガスをプラズマ化し、該プラズマ化によっ
て得られたプラズマによって上記処理室内に載置された
被処理体の表面を処理する半導体製造装置において、 上記処理室を構成する部品の処理室外部から加熱された
ガスを吹き付け、上記処理室を構成する部品に近接する
上記処理室内の温度が低い部分を加熱する温風吹き出し
機構を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項９】 処理室を構成する部品が高周波エネルギ
ーを上記処理室内部に導入する導入窓であり、処理室内
の温度が低い部分が、上記導入窓の下部処理室内に配置
された、プロセスガスを分散供給するためのシャワープ
レートであることを特徴とする請求項８記載の半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001360194A JP2003163202A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001360194A JP2003163202A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163202A true JP2003163202A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19171054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001360194A Pending JP2003163202A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003163202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040591A (ko) * | 2003-10-29 | 2005-05-03 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 급속열처리 장치 및 급속열처리 방법 |
| WO2014109049A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマ処理装置 |
| KR20180035109A (ko) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치의 운전 방법 |
-
2001
- 2001-11-27 JP JP2001360194A patent/JP2003163202A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040591A (ko) * | 2003-10-29 | 2005-05-03 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 급속열처리 장치 및 급속열처리 방법 |
| WO2014109049A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマ処理装置 |
| KR20180035109A (ko) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치의 운전 방법 |
| KR101948592B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치의 운전 방법 |
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