JPH11111620A - プラズマ処理装置およびスパッタ装置 - Google Patents
プラズマ処理装置およびスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH11111620A JPH11111620A JP9270187A JP27018797A JPH11111620A JP H11111620 A JPH11111620 A JP H11111620A JP 9270187 A JP9270187 A JP 9270187A JP 27018797 A JP27018797 A JP 27018797A JP H11111620 A JPH11111620 A JP H11111620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- microwave
- plasma
- processing
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置設計上の制約が少なく、しかも、装置の
小型化が可能なマイクロ波を用いたプラズマ処理装置お
よびスパッタ装置を提供する。 【解決手段】 本プラズマ処理装置は、マイクロ波１１
を透過し得る材料からなるガラス基板１を収容するチャ
ンバー２と、チャンバー２内に処理用ガス４を供給する
ガス供給手段３と、マイクロ波１１を透過し得る石英材
料からなり、チャンバー２の一部を構成してガラス基板
１を保持する底板７と、チャンバー２内でプラズマ９を
生成させるためのマイクロ波１１を底板７およびガラス
基板１を通して供給するラジアルラインスロットアンテ
ナ８とを具備している。
小型化が可能なマイクロ波を用いたプラズマ処理装置お
よびスパッタ装置を提供する。 【解決手段】 本プラズマ処理装置は、マイクロ波１１
を透過し得る材料からなるガラス基板１を収容するチャ
ンバー２と、チャンバー２内に処理用ガス４を供給する
ガス供給手段３と、マイクロ波１１を透過し得る石英材
料からなり、チャンバー２の一部を構成してガラス基板
１を保持する底板７と、チャンバー２内でプラズマ９を
生成させるためのマイクロ波１１を底板７およびガラス
基板１を通して供給するラジアルラインスロットアンテ
ナ８とを具備している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置、プラズマドライエッチング装置等のマイクロ波を用
いたプラズマ処理装置およびスパッタ装置に関するもの
である。
置、プラズマドライエッチング装置等のマイクロ波を用
いたプラズマ処理装置およびスパッタ装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体製造プロセスに用いるプ
ラズマＣＶＤ装置、プラズマドライエッチング装置、プ
ラズマアッシング装置等をはじめとする従来のプラズマ
処理装置の一つの方式にマイクロ波を用いたプラズマ処
理装置がある。この種のプラズマ処理装置としては、ガ
ラス基板等の被処理物を収容するチャンバーに、処理用
ガスを供給するガス供給部、被処理物を保持するステー
ジ等の被処理物保持部をそれぞれ設け、チャンバー内の
処理空間を挟んで被処理物に対向する側にマイクロ波を
供給するマイクロ波発生源を設けた構造のものが一般的
である。
ラズマＣＶＤ装置、プラズマドライエッチング装置、プ
ラズマアッシング装置等をはじめとする従来のプラズマ
処理装置の一つの方式にマイクロ波を用いたプラズマ処
理装置がある。この種のプラズマ処理装置としては、ガ
ラス基板等の被処理物を収容するチャンバーに、処理用
ガスを供給するガス供給部、被処理物を保持するステー
ジ等の被処理物保持部をそれぞれ設け、チャンバー内の
処理空間を挟んで被処理物に対向する側にマイクロ波を
供給するマイクロ波発生源を設けた構造のものが一般的
である。
【０００３】この装置においては、マイクロ波発生源よ
り処理空間を挟んで被処理物に向かってマイクロ波を供
給することにより、被処理物上の処理空間でプラズマを
生成させ、被処理物に対して成膜、エッチング等、所定
の処理を行なっている。
り処理空間を挟んで被処理物に向かってマイクロ波を供
給することにより、被処理物上の処理空間でプラズマを
生成させ、被処理物に対して成膜、エッチング等、所定
の処理を行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の装置
では、マイクロ波と処理用ガスとを被処理物の処理面に
向かって供給するために、マイクロ波発生源とガス供給
部の双方をチャンバー内の被処理物の処理面と対向する
側に設けていたので、ガス供給部をマイクロ波が透過し
易い材料により構成する必要がある等、装置設計上の制
約が多いという問題点があった。
では、マイクロ波と処理用ガスとを被処理物の処理面に
向かって供給するために、マイクロ波発生源とガス供給
部の双方をチャンバー内の被処理物の処理面と対向する
側に設けていたので、ガス供給部をマイクロ波が透過し
易い材料により構成する必要がある等、装置設計上の制
約が多いという問題点があった。
【０００５】また、従来の装置では、例えば、液晶ディ
スプレイに用いられる平面度の高いガラス基板のような
大きな被処理物の処理を行なう場合、被処理物の処理面
に処理用ガスを均一に供給するために、いわゆるシャワ
ーヘッドを用いて処理面に対して処理用ガスをシャワー
状に供給するのが望ましい。しかしながら、この装置の
場合もシャワーヘッド側からマイクロ波を供給するため
に、構造が若干複雑なシャワーヘッドをマイクロ波が透
過し得る材料で構成する必要がある、という上記と同様
の問題が生じる。さらに、シャワーヘッドが直接プラズ
マに曝されるため、プラズマ耐性を有する材料により構
成する必要があり、また、シャワーヘッドにも成膜され
てしまうことから、高い頻度でメンテナンスを行なう必
要がある等の問題点があった。
スプレイに用いられる平面度の高いガラス基板のような
大きな被処理物の処理を行なう場合、被処理物の処理面
に処理用ガスを均一に供給するために、いわゆるシャワ
ーヘッドを用いて処理面に対して処理用ガスをシャワー
状に供給するのが望ましい。しかしながら、この装置の
場合もシャワーヘッド側からマイクロ波を供給するため
に、構造が若干複雑なシャワーヘッドをマイクロ波が透
過し得る材料で構成する必要がある、という上記と同様
の問題が生じる。さらに、シャワーヘッドが直接プラズ
マに曝されるため、プラズマ耐性を有する材料により構
成する必要があり、また、シャワーヘッドにも成膜され
てしまうことから、高い頻度でメンテナンスを行なう必
要がある等の問題点があった。
【０００６】そこで、これらの装置を改良したものとし
て、チャンバーの側面からマイクロ波を供給し、被処理
物の処理面上方からシャワーヘッドを用いて処理用ガス
をシャワー状に供給する構成としたものが提案されてい
る。しかし、この装置では、チャンバーの外周をマイク
ロ波導波用の導波管が取り囲んだ構成とする必要があ
り、装置全体が非常に大きなものになってしまうという
問題点があった。一例を挙げると、導波管の内径が被処
理物の直径の約５倍にもなってしまうものがあり、装置
の小型化は非常に困難なものになってしまう。
て、チャンバーの側面からマイクロ波を供給し、被処理
物の処理面上方からシャワーヘッドを用いて処理用ガス
をシャワー状に供給する構成としたものが提案されてい
る。しかし、この装置では、チャンバーの外周をマイク
ロ波導波用の導波管が取り囲んだ構成とする必要があ
り、装置全体が非常に大きなものになってしまうという
問題点があった。一例を挙げると、導波管の内径が被処
理物の直径の約５倍にもなってしまうものがあり、装置
の小型化は非常に困難なものになってしまう。
【０００７】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、装置設計上の制約が少なく、しかも、装置
の小型化が可能な、マイクロ波を用いたプラズマ処理装
置およびスパッタ装置を提供することを目的とする。
のであって、装置設計上の制約が少なく、しかも、装置
の小型化が可能な、マイクロ波を用いたプラズマ処理装
置およびスパッタ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次のようなプラズマ処理装置およびスパッ
タ装置を提案する。すなわち、本発明のプラズマ処理装
置は、マイクロ波を透過し得る材料からなる被処理物を
収容するチャンバーと、該チャンバー内に処理用ガスを
供給するガス供給手段と、マイクロ波を透過し得る材料
からなり、上記チャンバーに設けられて上記被処理物を
保持する被処理物保持部と、上記チャンバー内でプラズ
マを生成させるためのマイクロ波を上記被処理物保持部
および被処理物を通して供給するマイクロ波供給手段と
を具備したものである。なお、本発明において、「マイ
クロ波を透過し得る材料からなる被処理物」とは、例え
ば液晶ディスプレイ基板に用いるガラス基板等を一例と
して挙げることができる。また、被処理物保持部を構成
する「マイクロ波を透過し得る材料」には、石英等を用
いることができる。
に、本発明は次のようなプラズマ処理装置およびスパッ
タ装置を提案する。すなわち、本発明のプラズマ処理装
置は、マイクロ波を透過し得る材料からなる被処理物を
収容するチャンバーと、該チャンバー内に処理用ガスを
供給するガス供給手段と、マイクロ波を透過し得る材料
からなり、上記チャンバーに設けられて上記被処理物を
保持する被処理物保持部と、上記チャンバー内でプラズ
マを生成させるためのマイクロ波を上記被処理物保持部
および被処理物を通して供給するマイクロ波供給手段と
を具備したものである。なお、本発明において、「マイ
クロ波を透過し得る材料からなる被処理物」とは、例え
ば液晶ディスプレイ基板に用いるガラス基板等を一例と
して挙げることができる。また、被処理物保持部を構成
する「マイクロ波を透過し得る材料」には、石英等を用
いることができる。
【０００９】このプラズマ処理装置では、チャンバー内
でプラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理物保
持部および被処理物を通して供給するマイクロ波供給手
段を具備したことにより、このマイクロ波供給手段によ
り供給されるマイクロ波は、被処理物保持部および被処
理物を透過した後にチャンバー内の処理空間でプラズマ
を生成させ、被処理物に対して所定の処理を行なう。す
なわち、被処理物を収容するチャンバーに対してマイク
ロ波供給手段とガス供給手段を互いに対向する側に配置
することができ、この構成によってガス供給手段をマイ
クロ波が透過し易い材料で構成する必要がなくなり、ガ
ス供給手段の構成を制約することがなくなる。
でプラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理物保
持部および被処理物を通して供給するマイクロ波供給手
段を具備したことにより、このマイクロ波供給手段によ
り供給されるマイクロ波は、被処理物保持部および被処
理物を透過した後にチャンバー内の処理空間でプラズマ
を生成させ、被処理物に対して所定の処理を行なう。す
なわち、被処理物を収容するチャンバーに対してマイク
ロ波供給手段とガス供給手段を互いに対向する側に配置
することができ、この構成によってガス供給手段をマイ
クロ波が透過し易い材料で構成する必要がなくなり、ガ
ス供給手段の構成を制約することがなくなる。
【００１０】また、上記マイクロ波供給手段を上記チャ
ンバーの被処理物保持部および被処理物を透過させる位
置に設ければよいので、プラズマ処理装置全体の大型化
を防止し、さらに小型化することが可能になる。なお、
上記マイクロ波供給手段としては、ラジアルラインスロ
ットアンテナを用いるとよい。このラジアルラインスロ
ットアンテナに関しては、平山昌樹、大見忠弘、「高品
質成膜用マイクロ波励起高密度プラズマ装置、第３０回
超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム、
４９〜５９ページ、（１９９７）」に詳しく述べられて
いる。また、上記ガス供給手段を、上記被処理物に対向
する方向から上記処理用ガスを供給する構成とするとよ
い。具体的にはシャワーヘッド等を用いることができ
る。
ンバーの被処理物保持部および被処理物を透過させる位
置に設ければよいので、プラズマ処理装置全体の大型化
を防止し、さらに小型化することが可能になる。なお、
上記マイクロ波供給手段としては、ラジアルラインスロ
ットアンテナを用いるとよい。このラジアルラインスロ
ットアンテナに関しては、平山昌樹、大見忠弘、「高品
質成膜用マイクロ波励起高密度プラズマ装置、第３０回
超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム、
４９〜５９ページ、（１９９７）」に詳しく述べられて
いる。また、上記ガス供給手段を、上記被処理物に対向
する方向から上記処理用ガスを供給する構成とするとよ
い。具体的にはシャワーヘッド等を用いることができ
る。
【００１１】本発明のスパッタ装置は、マイクロ波を透
過し得る材料からなる被処理物を収容するチャンバー
と、該チャンバー内に処理用ガスを供給するガス供給手
段と、マイクロ波を透過し得る材料からなり、上記チャ
ンバーに設けられて上記被処理物を保持する被処理物保
持部と、上記チャンバー内でプラズマを生成させるため
のマイクロ波を、上記被処理物保持部および被処理物を
通して供給するマイクロ波供給手段と、上記チャンバー
内に上記被処理物の処理面に対向するように設置され、
上記プラズマによる荷電粒子が照射されるターゲット
と、上記マイクロ波よりも低い周波数の電磁波を上記タ
ーゲットに供給する電磁波供給手段とを具備したもので
ある。
過し得る材料からなる被処理物を収容するチャンバー
と、該チャンバー内に処理用ガスを供給するガス供給手
段と、マイクロ波を透過し得る材料からなり、上記チャ
ンバーに設けられて上記被処理物を保持する被処理物保
持部と、上記チャンバー内でプラズマを生成させるため
のマイクロ波を、上記被処理物保持部および被処理物を
通して供給するマイクロ波供給手段と、上記チャンバー
内に上記被処理物の処理面に対向するように設置され、
上記プラズマによる荷電粒子が照射されるターゲット
と、上記マイクロ波よりも低い周波数の電磁波を上記タ
ーゲットに供給する電磁波供給手段とを具備したもので
ある。
【００１２】このスパッタ装置では、チャンバー内でプ
ラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理物保持部
および被処理物を通して供給する上記マイクロ波供給手
段を具備したことにより、このマイクロ波供給手段によ
り供給されるマイクロ波は、被処理物保持部および被処
理物を透過した後にチャンバー内の処理空間でプラズマ
を生成させ、プラズマによる荷電粒子をターゲットに照
射させ、被処理物に対してスパッタリングを行なう。
ラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理物保持部
および被処理物を通して供給する上記マイクロ波供給手
段を具備したことにより、このマイクロ波供給手段によ
り供給されるマイクロ波は、被処理物保持部および被処
理物を透過した後にチャンバー内の処理空間でプラズマ
を生成させ、プラズマによる荷電粒子をターゲットに照
射させ、被処理物に対してスパッタリングを行なう。
【００１３】これにより、上記ガス供給手段をマイクロ
波が透過し易い材料により構成する必要がなくなり、ガ
ス供給手段の構成を制約することが無くなる。また、上
記マイクロ波供給手段をチャンバーの被処理物保持部お
よび被処理物を透過させる位置に設ければよいので、ス
パッタ装置全体の大型化を防止し、さらに小型化するこ
とが可能になる。なお、マイクロ波供給手段としては、
上記と同様、ラジアルラインスロットアンテナを用いる
とよい。
波が透過し易い材料により構成する必要がなくなり、ガ
ス供給手段の構成を制約することが無くなる。また、上
記マイクロ波供給手段をチャンバーの被処理物保持部お
よび被処理物を透過させる位置に設ければよいので、ス
パッタ装置全体の大型化を防止し、さらに小型化するこ
とが可能になる。なお、マイクロ波供給手段としては、
上記と同様、ラジアルラインスロットアンテナを用いる
とよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
およびスパッタ装置の各実施の形態について図面に基づ
き説明する。
およびスパッタ装置の各実施の形態について図面に基づ
き説明する。
【００１５】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態のプラズマ処理装置を示す構成図であり、
図において、符号１はガラス基板（マイクロ波を透過し
得る材料からなる被処理物）、２はガラス基板１を収容
するチャンバー、３はチャンバー２の一方の側壁２ａに
設けられチャンバー２内に処理用ガス４を供給するガス
供給管（ガス供給手段）である。また、５はチャンバー
２の他方の側壁２ｂに設けられチャンバー２内で生じた
排ガス６を排出させる排気口である。
の実施の形態のプラズマ処理装置を示す構成図であり、
図において、符号１はガラス基板（マイクロ波を透過し
得る材料からなる被処理物）、２はガラス基板１を収容
するチャンバー、３はチャンバー２の一方の側壁２ａに
設けられチャンバー２内に処理用ガス４を供給するガス
供給管（ガス供給手段）である。また、５はチャンバー
２の他方の側壁２ｂに設けられチャンバー２内で生じた
排ガス６を排出させる排気口である。
【００１６】また、符号７はチャンバー２の底部を構成
する底板（被処理物保持部）であり、石英（マイクロ波
を透過し得る材料）により構成され、ガラス基板１を保
持している。８は底板７の下面に設けられチャンバー２
内でプラズマ９を生成させるためのマイクロ波を底板７
およびガラス基板１を通して供給するラジアルラインス
ロットアンテナ（ＲＬＳＡ；マイクロ波供給手段）であ
る。図２はラジアルラインスロットアンテナ８の平面図
である。この図に示すように、ラジアルラインスロット
アンテナ８には同心円状に多数のスロット１２、１２、
…が配置され、これらスロットから発生する円偏波マイ
クロ波がチャンバー２内に導入され、このマイクロ波の
電界によってプラズマ９が励起されるようになってい
る。
する底板（被処理物保持部）であり、石英（マイクロ波
を透過し得る材料）により構成され、ガラス基板１を保
持している。８は底板７の下面に設けられチャンバー２
内でプラズマ９を生成させるためのマイクロ波を底板７
およびガラス基板１を通して供給するラジアルラインス
ロットアンテナ（ＲＬＳＡ；マイクロ波供給手段）であ
る。図２はラジアルラインスロットアンテナ８の平面図
である。この図に示すように、ラジアルラインスロット
アンテナ８には同心円状に多数のスロット１２、１２、
…が配置され、これらスロットから発生する円偏波マイ
クロ波がチャンバー２内に導入され、このマイクロ波の
電界によってプラズマ９が励起されるようになってい
る。
【００１７】また、符号１０はラジアルラインスロット
アンテナ８の下面に接続されマイクロ波１１を供給する
導波管等からなるマイクロ波発生源である。なお、チャ
ンバー２の天板２ｃの底板７からの高さは、プラズマ９
により生成される反応生成物が付着しない程度に十分な
高さとされている。
アンテナ８の下面に接続されマイクロ波１１を供給する
導波管等からなるマイクロ波発生源である。なお、チャ
ンバー２の天板２ｃの底板７からの高さは、プラズマ９
により生成される反応生成物が付着しない程度に十分な
高さとされている。
【００１８】このプラズマ処理装置では、ガス供給管３
より所定の処理用ガス４をチャンバー２内に供給し、ラ
ジアルラインスロットアンテナ８より、底板７およびガ
ラス基板１を通してチャンバー２内の処理空間にマイク
ロ波１１を供給することによりプラズマ９を生成させ、
ガラス基板１に対して所定の処理を行なう。ラジアルラ
インスロットアンテナ８は、マイクロ波１１をチャンバ
ー２内の処理空間に向かって平行に放出させることがで
きるので、プラズマ９が必要以上に広がらず、ガラス基
板１以外の部分を直接プラズマ９と接触しないようにす
ることが可能であり、例えば、高いプラズマ耐性を持つ
材料を用いなければならないというような、チャンバー
２の側壁の材料等への制約が少なく、装置設計の自由度
を増すことができる。
より所定の処理用ガス４をチャンバー２内に供給し、ラ
ジアルラインスロットアンテナ８より、底板７およびガ
ラス基板１を通してチャンバー２内の処理空間にマイク
ロ波１１を供給することによりプラズマ９を生成させ、
ガラス基板１に対して所定の処理を行なう。ラジアルラ
インスロットアンテナ８は、マイクロ波１１をチャンバ
ー２内の処理空間に向かって平行に放出させることがで
きるので、プラズマ９が必要以上に広がらず、ガラス基
板１以外の部分を直接プラズマ９と接触しないようにす
ることが可能であり、例えば、高いプラズマ耐性を持つ
材料を用いなければならないというような、チャンバー
２の側壁の材料等への制約が少なく、装置設計の自由度
を増すことができる。
【００１９】特に、プラズマ９が広がる面積よりも大き
なガラス基板１を用いる場合、プラズマ９に直接曝され
るのはガラス基板１のみとなるため、例えば、成膜処理
装置として用いた場合においても、チャンバー２の内壁
に付着した成膜材料の除去が非常に少なくて済み、メン
テナンスが非常に簡単になる。
なガラス基板１を用いる場合、プラズマ９に直接曝され
るのはガラス基板１のみとなるため、例えば、成膜処理
装置として用いた場合においても、チャンバー２の内壁
に付着した成膜材料の除去が非常に少なくて済み、メン
テナンスが非常に簡単になる。
【００２０】このプラズマ処理装置では、処理用ガス４
のガス種を変更することにより、酸化、窒化、ドライエ
ッチング、成膜、熱処理等の種々の処理を行なうことが
可能である。例えば、熱処理としては、プラズマ９から
の荷電粒子照射による加熱、マイクロ波１１の一部を吸
収させることによる加熱等を利用することができる。特
に、ガラス基板１等の被処理物の表面にマイクロ波１１
を吸収し易い材料をパターニングしておけば、このパタ
ーニングした部分を選択的に加熱することができる。ま
た、この熱処理を成膜処理と併用すれば、選択的な成
膜、選択的な結晶化も可能である。
のガス種を変更することにより、酸化、窒化、ドライエ
ッチング、成膜、熱処理等の種々の処理を行なうことが
可能である。例えば、熱処理としては、プラズマ９から
の荷電粒子照射による加熱、マイクロ波１１の一部を吸
収させることによる加熱等を利用することができる。特
に、ガラス基板１等の被処理物の表面にマイクロ波１１
を吸収し易い材料をパターニングしておけば、このパタ
ーニングした部分を選択的に加熱することができる。ま
た、この熱処理を成膜処理と併用すれば、選択的な成
膜、選択的な結晶化も可能である。
【００２１】本実施の形態のプラズマ処理装置によれ
ば、チャンバー２の底部を石英からなる底板７により構
成し、この底板７の下面にチャンバー２内でプラズマ９
を生成させるためのマイクロ波１１を底板７およびガラ
ス基板１を通して供給するラジアルラインスロットアン
テナ８を設けたので、チャンバー２の底部以外の部分や
ガス供給管３および排気口５をマイクロ波が透過し易い
材料により構成する必要がなくなり、チャンバー２の底
部以外の部分、ガス供給管３および排気口５の設計が容
易になり、設計上の制約を無くすことができる。また、
チャンバー２の底板７にラジアルラインスロットアンテ
ナ８を設けたので、装置全体をさらに小型化することが
できる。
ば、チャンバー２の底部を石英からなる底板７により構
成し、この底板７の下面にチャンバー２内でプラズマ９
を生成させるためのマイクロ波１１を底板７およびガラ
ス基板１を通して供給するラジアルラインスロットアン
テナ８を設けたので、チャンバー２の底部以外の部分や
ガス供給管３および排気口５をマイクロ波が透過し易い
材料により構成する必要がなくなり、チャンバー２の底
部以外の部分、ガス供給管３および排気口５の設計が容
易になり、設計上の制約を無くすことができる。また、
チャンバー２の底板７にラジアルラインスロットアンテ
ナ８を設けたので、装置全体をさらに小型化することが
できる。
【００２２】本実施の形態のプラズマ処理装置では、チ
ャンバー２の底部を石英からなる底板７とし、この底板
７の下面にラジアルラインスロットアンテナ８を設けた
構成としたが、チャンバー２内でプラズマ９を生成させ
るためのマイクロ波１１を底板７およびガラス基板１を
通して供給する構成であればよく、底板７の形状やガラ
ス基板の保持形態、ラジアルラインスロットアンテナ８
の形状等は上記実施の形態に限定されることなく、様々
な形状に変更可能である。
ャンバー２の底部を石英からなる底板７とし、この底板
７の下面にラジアルラインスロットアンテナ８を設けた
構成としたが、チャンバー２内でプラズマ９を生成させ
るためのマイクロ波１１を底板７およびガラス基板１を
通して供給する構成であればよく、底板７の形状やガラ
ス基板の保持形態、ラジアルラインスロットアンテナ８
の形状等は上記実施の形態に限定されることなく、様々
な形状に変更可能である。
【００２３】［第２の実施の形態］図３は本発明の第２
の実施の形態のプラズマ処理装置を示す構成図であり、
図３において、図１と同一の構成要素には同一の符号を
付し、説明を省略する。図３中、符号２１は大型のガラ
ス基板（マイクロ波を透過し得る材料からなる被処理
物）、２２はガラス基板２１を収容する大型のチャンバ
ー、２３はチャンバー２２の天板２２ｃ中央部に設けら
れチャンバー２２内に処理用ガス４を供給するシャワー
ヘッド（ガス供給手段）、２４はチャンバー２２の側壁
２２ａに設けられチャンバー２２内にガラス基板２１を
搬入・搬出する基板搬入搬出口である。
の実施の形態のプラズマ処理装置を示す構成図であり、
図３において、図１と同一の構成要素には同一の符号を
付し、説明を省略する。図３中、符号２１は大型のガラ
ス基板（マイクロ波を透過し得る材料からなる被処理
物）、２２はガラス基板２１を収容する大型のチャンバ
ー、２３はチャンバー２２の天板２２ｃ中央部に設けら
れチャンバー２２内に処理用ガス４を供給するシャワー
ヘッド（ガス供給手段）、２４はチャンバー２２の側壁
２２ａに設けられチャンバー２２内にガラス基板２１を
搬入・搬出する基板搬入搬出口である。
【００２４】また、符号２５はチャンバー２２の底部を
構成する上面が平坦面とされた断面略コ字型の底板（被
処理物保持部）であり、石英（マイクロ波を透過し得る
材料）により構成され、上面に上記ガラス基板２１を保
持している。上記シャワーヘッド２３のガス吹出孔２
６、２６、…は、処理用ガス４がガラス基板２１の表面
に向かって均一かつ平行に吹き出すように、その数およ
び位置が設定され、ガス吹出孔２６、２６、…の底板２
５の上面からの高さは、プラズマ９により生成される反
応生成物が付着しない程度に十分な高さとされている。
構成する上面が平坦面とされた断面略コ字型の底板（被
処理物保持部）であり、石英（マイクロ波を透過し得る
材料）により構成され、上面に上記ガラス基板２１を保
持している。上記シャワーヘッド２３のガス吹出孔２
６、２６、…は、処理用ガス４がガラス基板２１の表面
に向かって均一かつ平行に吹き出すように、その数およ
び位置が設定され、ガス吹出孔２６、２６、…の底板２
５の上面からの高さは、プラズマ９により生成される反
応生成物が付着しない程度に十分な高さとされている。
【００２５】特に、反応ガスを大量に供給する必要があ
るプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置では、大
きな基板に対応するためにシャワーヘッドによるガス供
給が有効である。このプラズマ処理装置では、基板搬入
搬出口２４よりチャンバー２２内にガラス基板２１を搬
入し、シャワーヘッド２３のガス吹出孔２６、２６、…
より所定の処理用ガス４をガラス基板２１の表面に向か
って均一かつ平行にシャワー状に吹き出させるととも
に、ラジアルラインスロットアンテナ８より底板２５の
上面およびガラス基板２１を通してチャンバー２２内の
処理空間にマイクロ波１１を供給することによりプラズ
マ９を発生させ、ガラス基板２１に対して所定の処理を
行なう。処理後のガラス基板２１は基板搬入搬出口２４
よりチャンバー２２から搬出される。
るプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置では、大
きな基板に対応するためにシャワーヘッドによるガス供
給が有効である。このプラズマ処理装置では、基板搬入
搬出口２４よりチャンバー２２内にガラス基板２１を搬
入し、シャワーヘッド２３のガス吹出孔２６、２６、…
より所定の処理用ガス４をガラス基板２１の表面に向か
って均一かつ平行にシャワー状に吹き出させるととも
に、ラジアルラインスロットアンテナ８より底板２５の
上面およびガラス基板２１を通してチャンバー２２内の
処理空間にマイクロ波１１を供給することによりプラズ
マ９を発生させ、ガラス基板２１に対して所定の処理を
行なう。処理後のガラス基板２１は基板搬入搬出口２４
よりチャンバー２２から搬出される。
【００２６】本実施の形態のプラズマ処理装置によれ
ば、シャワーヘッド２３をマイクロ波を透過させる材質
により構成する等の、従来必要であった装置構成上の制
約がなくなる。また、ガラス基板２１の周辺は、ガスを
排気するのに十分なコンダクタンスが得られるスペース
が確保されていればよいので、従来の装置に比べてはる
かに小型化することができる。
ば、シャワーヘッド２３をマイクロ波を透過させる材質
により構成する等の、従来必要であった装置構成上の制
約がなくなる。また、ガラス基板２１の周辺は、ガスを
排気するのに十分なコンダクタンスが得られるスペース
が確保されていればよいので、従来の装置に比べてはる
かに小型化することができる。
【００２７】また、従来の装置では、シャワーヘッドの
プラズマ耐性が必要であったり、高い頻度のメンテナン
スが必要である等の問題点があったが、この装置では、
ガス吹出孔２６、２６、…の底板２５の上面からの高さ
を、プラズマ９により生成される反応生成物が付着しな
い程度に十分な高さとしたので、これらの問題点が解決
され、設計の自由度が増し、より最適な装置設計が可能
になる。
プラズマ耐性が必要であったり、高い頻度のメンテナン
スが必要である等の問題点があったが、この装置では、
ガス吹出孔２６、２６、…の底板２５の上面からの高さ
を、プラズマ９により生成される反応生成物が付着しな
い程度に十分な高さとしたので、これらの問題点が解決
され、設計の自由度が増し、より最適な装置設計が可能
になる。
【００２８】［第３の実施の形態］図４は本発明の第３
の実施の形態のスパッタ装置を示す構成図であり、図４
において、図１と同一の構成要素には同一の符号を付
し、説明を省略する。図４中、符号３１はガラス基板１
を収容するチャンバー、３２はチャンバー３１の天板３
１ｃ中央部に嵌め込まれたバッキングプレート、３３は
ガラス基板１の処理面に対向するようにバッキングプレ
ート３２の下面に設置された例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）等のターゲット、３４はバッキングプレート３２に
接続されたＲＦ電源（電磁波供給手段）である。
の実施の形態のスパッタ装置を示す構成図であり、図４
において、図１と同一の構成要素には同一の符号を付
し、説明を省略する。図４中、符号３１はガラス基板１
を収容するチャンバー、３２はチャンバー３１の天板３
１ｃ中央部に嵌め込まれたバッキングプレート、３３は
ガラス基板１の処理面に対向するようにバッキングプレ
ート３２の下面に設置された例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）等のターゲット、３４はバッキングプレート３２に
接続されたＲＦ電源（電磁波供給手段）である。
【００２９】このＲＦ電源３４の周波数は、一般的には
１３．５６ＭＨｚが取り扱い易いが、スパッタリングに
必要なエネルギーが得られるようにターゲット３３を構
成する材料毎に設定すればなおよい。また、ガラス基板
１側のマイクロ波１１としては、通常数ＧＨｚ以上のも
のを用いるが、より良質の膜を得るためには、ダメージ
を与えずに成膜を行なう原子がマイグレーションを起こ
すことができるエネルギーを十分に与える必要があるた
め、周波数は高い方（例えば８ＧＨｚ以上）が望まし
い。
１３．５６ＭＨｚが取り扱い易いが、スパッタリングに
必要なエネルギーが得られるようにターゲット３３を構
成する材料毎に設定すればなおよい。また、ガラス基板
１側のマイクロ波１１としては、通常数ＧＨｚ以上のも
のを用いるが、より良質の膜を得るためには、ダメージ
を与えずに成膜を行なう原子がマイグレーションを起こ
すことができるエネルギーを十分に与える必要があるた
め、周波数は高い方（例えば８ＧＨｚ以上）が望まし
い。
【００３０】このスパッタ装置では、ガス供給管３より
アルゴン（Ａｒ）等の所定の処理用ガス４をチャンバー
３１内に供給し、ラジアルラインスロットアンテナ８よ
り、底板７およびガラス基板１を通してチャンバー３１
内の処理空間にマイクロ波１１を供給することによりプ
ラズマ９を発生させるとともに、ＲＦ電源３４よりバッ
キングプレート３２を介してターゲット３３にマイクロ
波１１より低い周波数の電磁波を供給することにより、
プラズマ９による荷電粒子をターゲット３３に照射さ
せ、ターゲット３３から発生したＡｌ原子等によりガラ
ス基板１に対してスパッタリングを行なう。
アルゴン（Ａｒ）等の所定の処理用ガス４をチャンバー
３１内に供給し、ラジアルラインスロットアンテナ８よ
り、底板７およびガラス基板１を通してチャンバー３１
内の処理空間にマイクロ波１１を供給することによりプ
ラズマ９を発生させるとともに、ＲＦ電源３４よりバッ
キングプレート３２を介してターゲット３３にマイクロ
波１１より低い周波数の電磁波を供給することにより、
プラズマ９による荷電粒子をターゲット３３に照射さ
せ、ターゲット３３から発生したＡｌ原子等によりガラ
ス基板１に対してスパッタリングを行なう。
【００３１】本実施の形態のスパッタ装置によれば、ラ
ジアルラインスロットアンテナ８より底板７およびガラ
ス基板１を通してチャンバー３１内の処理空間にマイク
ロ波１１を供給する構成としたので、チャンバー３１の
底部以外の部分、ガス供給管３および排気口５をマイク
ロ波が透過し易い材料で構成する必要がなくなり、チャ
ンバー３１の底部以外の部分やガス供給管３および排気
口５の設計が容易になり、装置設計上の制約をなくすこ
とができる。
ジアルラインスロットアンテナ８より底板７およびガラ
ス基板１を通してチャンバー３１内の処理空間にマイク
ロ波１１を供給する構成としたので、チャンバー３１の
底部以外の部分、ガス供給管３および排気口５をマイク
ロ波が透過し易い材料で構成する必要がなくなり、チャ
ンバー３１の底部以外の部分やガス供給管３および排気
口５の設計が容易になり、装置設計上の制約をなくすこ
とができる。
【００３２】また、チャンバー３１の底板７にラジアル
ラインスロットアンテナ８を設けたので、チャンバー３
１の大型化を防止することができ、装置全体をさらに小
型化することができる。また、マイクロ波１１をガラス
基板１側から印加するので、マイクロ波プラズマの特徴
である高密度プラズマ、低電子温度、低イオンエネルギ
ーを成膜に活用することができる。一方、ターゲット３
３にはマイクロ波１１より低い周波数の電磁波を印加す
るので、スパッタリングに必要なイオンエネルギーを得
ることができる。
ラインスロットアンテナ８を設けたので、チャンバー３
１の大型化を防止することができ、装置全体をさらに小
型化することができる。また、マイクロ波１１をガラス
基板１側から印加するので、マイクロ波プラズマの特徴
である高密度プラズマ、低電子温度、低イオンエネルギ
ーを成膜に活用することができる。一方、ターゲット３
３にはマイクロ波１１より低い周波数の電磁波を印加す
るので、スパッタリングに必要なイオンエネルギーを得
ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
プラズマ処理装置によれば、チャンバー内でプラズマを
生成させるためのマイクロ波を被処理物保持部および被
処理物を通して供給するマイクロ波供給手段を具備した
ので、ガス供給手段をマイクロ波が透過し易い材料によ
り構成する必要がなくなり、前記ガス供給手段の構成を
制約する必要がなくなる。また、上記マイクロ波供給手
段をチャンバーの被処理物保持部および被処理物を透過
させる位置に設ければよいので、プラズマ処理装置全体
を小型化することができる。
プラズマ処理装置によれば、チャンバー内でプラズマを
生成させるためのマイクロ波を被処理物保持部および被
処理物を通して供給するマイクロ波供給手段を具備した
ので、ガス供給手段をマイクロ波が透過し易い材料によ
り構成する必要がなくなり、前記ガス供給手段の構成を
制約する必要がなくなる。また、上記マイクロ波供給手
段をチャンバーの被処理物保持部および被処理物を透過
させる位置に設ければよいので、プラズマ処理装置全体
を小型化することができる。
【００３４】本発明のスパッタ装置によれば、チャンバ
ー内でプラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理
物保持部および被処理物を通して供給するマイクロ波供
給手段を具備したので、ガス供給手段をマイクロ波が透
過し易い材料により構成する必要がなくなり、上記ガス
供給手段の構成を制約する必要がなくなる。また、マイ
クロ波供給手段をチャンバーの被処理物保持部および被
処理物を透過させる位置に設ければよいので、スパッタ
装置全体を小型化することができる。
ー内でプラズマを生成させるためのマイクロ波を被処理
物保持部および被処理物を通して供給するマイクロ波供
給手段を具備したので、ガス供給手段をマイクロ波が透
過し易い材料により構成する必要がなくなり、上記ガス
供給手段の構成を制約する必要がなくなる。また、マイ
クロ波供給手段をチャンバーの被処理物保持部および被
処理物を透過させる位置に設ければよいので、スパッタ
装置全体を小型化することができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態のプラズマ処理装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２】 同プラズマ処理装置に用いるラジアルライン
スロットアンテナを示す平面図である。
スロットアンテナを示す平面図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態のプラズマ処理装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図４】 本発明の第３の実施の形態のスパッタ装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
１，２１ ガラス基板（マイクロ波を透過し得る材料か
らなる被処理物） ２，２２，３１ チャンバー ３ ガス供給管（ガス供給手段） ４ 処理用ガス ５ 排気口 ６ 排ガス ７，２５ 底板（被処理物保持部） ８ ラジアルラインスロットアンテナ（マイクロ波供給
手段） ９ プラズマ １０ マイクロ波発生源 １１ マイクロ波 ２３ シャワーヘッド（ガス供給手段） ２４ 基板搬入搬出口 ３３ ターゲット ３４ ＲＦ電源（電磁波供給手段）
らなる被処理物） ２，２２，３１ チャンバー ３ ガス供給管（ガス供給手段） ４ 処理用ガス ５ 排気口 ６ 排ガス ７，２５ 底板（被処理物保持部） ８ ラジアルラインスロットアンテナ（マイクロ波供給
手段） ９ プラズマ １０ マイクロ波発生源 １１ マイクロ波 ２３ シャワーヘッド（ガス供給手段） ２４ 基板搬入搬出口 ３３ ターゲット ３４ ＲＦ電源（電磁波供給手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 蛇口 広行 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 (72)発明者 笠間 泰彦 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ケ袋２−１−17− 301 (72)発明者 小野 昭一 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 マイクロ波を透過し得る材料からなる被
処理物を収容するチャンバーと、 該チャンバー内に処理用ガスを供給するガス供給手段
と、 マイクロ波を透過し得る材料からなり、前記チャンバー
に設けられて前記被処理物を保持する被処理物保持部
と、 前記チャンバー内でプラズマを生成させるためのマイク
ロ波を、前記被処理物保持部および被処理物を通して供
給するマイクロ波供給手段と、を具備したことを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記マイクロ波供給手段がラジアルライ
ンスロットアンテナであることを特徴とする請求項１に
記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給手段が、前記被処理物に対
向する方向から前記処理用ガスを供給する構成となって
いることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 マイクロ波を透過し得る材料からなる被
処理物を収容するチャンバーと、 該チャンバー内に処理用ガスを供給するガス供給手段
と、 マイクロ波を透過し得る材料からなり、前記チャンバー
に設けられて前記被処理物を保持する被処理物保持部
と、 前記チャンバー内でプラズマを生成させるためのマイク
ロ波を、前記被処理物保持部および被処理物を通して供
給するマイクロ波供給手段と、 前記チャンバー内に前記被処理物の処理面に対向するよ
うに設置され、前記プラズマによる荷電粒子が照射され
るターゲットと、 前記マイクロ波よりも低い周波数の電磁波を前記ターゲ
ットに供給する電磁波供給手段と、を具備したことを特
徴とするスパッタ装置。 - 【請求項５】 前記マイクロ波供給手段がラジアルライ
ンスロットアンテナであることを特徴とする請求項４に
記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27018797A JP3566046B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | プラズマ処理装置およびスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27018797A JP3566046B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | プラズマ処理装置およびスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111620A true JPH11111620A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3566046B2 JP3566046B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=17482742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27018797A Expired - Fee Related JP3566046B2 (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | プラズマ処理装置およびスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3566046B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274149A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ生成導入部材及び誘電体 |
| WO2004095560A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2003088345A1 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子デバイス用材料およびその製造方法 |
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| JPWO2004012252A1 (ja) * | 2002-07-30 | 2006-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| US7392760B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-07-01 | Ulvac, Inc. | Microwave-excited plasma processing apparatus |
| JP2008306199A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2013021129A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-02 JP JP27018797A patent/JP3566046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274149A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ生成導入部材及び誘電体 |
| US7560396B2 (en) | 2002-03-29 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Material for electronic device and process for producing the same |
| JPWO2003088345A1 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 電子デバイス用材料およびその製造方法 |
| JP4580235B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| JPWO2004012252A1 (ja) * | 2002-07-30 | 2006-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| US7842160B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-11-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor producing device and semiconductor device producing method |
| JP2009010413A (ja) * | 2003-04-18 | 2009-01-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2004095560A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| US8906161B2 (en) | 2003-04-18 | 2014-12-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor producing device and semiconductor device producing method |
| CN100405533C (zh) * | 2003-11-17 | 2008-07-23 | 爱发科股份有限公司 | 微波激励的等离子体处理设备 |
| US7392760B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-07-01 | Ulvac, Inc. | Microwave-excited plasma processing apparatus |
| JPWO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2008-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| CN100449708C (zh) * | 2004-05-27 | 2009-01-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| WO2005117083A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置 |
| JP4652327B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2008306199A (ja) * | 2008-07-14 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2013021129A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3566046B2 (ja) | 2004-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6325018B1 (en) | Flat antenna having openings provided with conductive materials accommodated therein and plasma processing apparatus using the flat antenna | |
| TWI681073B (zh) | 電漿處理裝置 | |
| JP3650025B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JP3828539B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマイクロ波放射部材 | |
| TW200810613A (en) | Plasma treatment device, and plasma treatment method | |
| WO2002005339A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR100960424B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
| US6729261B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| CN107393798A (zh) | 等离子体处理装置和气体导入机构 | |
| JP2000260747A (ja) | 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2002134418A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3566046B2 (ja) | プラズマ処理装置およびスパッタ装置 | |
| JP2002050613A (ja) | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JP2002231637A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI393488B (zh) | 電漿處理裝置及電漿密度分布之調整方法 | |
| JP2003203869A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3117366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11186222A (ja) | Ｅｃｒエッチング装置 | |
| JP2008182102A (ja) | 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JP2000315679A (ja) | プラズマプロセス用装置 | |
| WO2007083653A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10294199A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| US20240339299A1 (en) | Microwave antenna, and power supplying device and substrate processing apparatus including same | |
| JP2967681B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3662101B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040322 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040601 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040609 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120618 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |