JP2003166876A - 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ - Google Patents
熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイInfo
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- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ダイアフラムの強度を低下させることなく、
フィルファクター率を大きくして熱吸収層の占有面積を
拡大し、その結果、高感度でしかも出力信号を大きくす
る。 【解決手段】 凹部８を有するシリコン基板２と、この
シリコン基板２の凹部８の開口を略被覆する絶縁材料か
らなるダイアフラム３と、このダイアフラム３上に位置
する赤外線検知部４を備え、シリコン基板２に、ダイア
フラム３をシリコン基板２から離して支持する熱良導体
からなる突起部９を設けた。
フィルファクター率を大きくして熱吸収層の占有面積を
拡大し、その結果、高感度でしかも出力信号を大きくす
る。 【解決手段】 凹部８を有するシリコン基板２と、この
シリコン基板２の凹部８の開口を略被覆する絶縁材料か
らなるダイアフラム３と、このダイアフラム３上に位置
する赤外線検知部４を備え、シリコン基板２に、ダイア
フラム３をシリコン基板２から離して支持する熱良導体
からなる突起部９を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、防犯・防災の監視
や非接触温度測定などに用いられる熱型赤外線検出素子
およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ
に関するものである。
や非接触温度測定などに用いられる熱型赤外線検出素子
およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記した熱型赤外線検出素子とし
ては、サーモパイル型や、焦電型や、ボロメータ型があ
るが、いずれの型の赤外線検出素子においても、赤外線
検知部は、感度を向上させるために半導体基板から熱分
離させて配置したダイアフラム上に設けられている。
ては、サーモパイル型や、焦電型や、ボロメータ型があ
るが、いずれの型の赤外線検出素子においても、赤外線
検知部は、感度を向上させるために半導体基板から熱分
離させて配置したダイアフラム上に設けられている。
【０００３】そこで、従来における熱型赤外線検出素子
の代表例として、サーモパイル型の熱型赤外線検出素子
について説明すると、図７に示すように、この熱型赤外
線検出素子１０１は、シリコンマイクロマシニング技術
で形成された熱分離構造をなしている。
の代表例として、サーモパイル型の熱型赤外線検出素子
について説明すると、図７に示すように、この熱型赤外
線検出素子１０１は、シリコンマイクロマシニング技術
で形成された熱分離構造をなしている。
【０００４】すなわち、この熱型赤外線検出素子１０１
は、半導体基板としてのシリコン基板１０２と、絶縁材
料からなるダイアフラム１０３と、このダイアフラム１
０３上に位置する赤外線検知部１０４を備えており、シ
リコン基板１０２には、エッチング穴１０５を通して浸
潤させたシリコンエッチング液によりダイアフラム１０
３の下方をエッチング除去してなる凹部１０６が設けて
あって、ダイヤフラム１０３は、この凹部１０６を介し
てシリコン基板１０２から熱分離した状態となってい
る。
は、半導体基板としてのシリコン基板１０２と、絶縁材
料からなるダイアフラム１０３と、このダイアフラム１
０３上に位置する赤外線検知部１０４を備えており、シ
リコン基板１０２には、エッチング穴１０５を通して浸
潤させたシリコンエッチング液によりダイアフラム１０
３の下方をエッチング除去してなる凹部１０６が設けて
あって、ダイヤフラム１０３は、この凹部１０６を介し
てシリコン基板１０２から熱分離した状態となってい
る。
【０００５】ダイアフラム１０３上の赤外線検知部１０
４は、互いに対をなすｎ型半導体（例えばｎ型ポリシリ
コン）１０７およびｐ型半導体（例えばｐ型ポリシリコ
ン）１０８からなる複数の熱電対１０９を並列配置して
電気的に直列に接続してなるサーモパイル１１０と、こ
のサーモパイル１１０上に絶縁層１１１を介して積層さ
れる熱吸収層１１２を具備しており、熱電対１０９の両
端にアルミニウムなどの配線１１３を接続して電気信号
を読み出す構成となっていて、図示例では、感度の向上
を図るために高熱抵抗の梁構造が用いられている。
４は、互いに対をなすｎ型半導体（例えばｎ型ポリシリ
コン）１０７およびｐ型半導体（例えばｐ型ポリシリコ
ン）１０８からなる複数の熱電対１０９を並列配置して
電気的に直列に接続してなるサーモパイル１１０と、こ
のサーモパイル１１０上に絶縁層１１１を介して積層さ
れる熱吸収層１１２を具備しており、熱電対１０９の両
端にアルミニウムなどの配線１１３を接続して電気信号
を読み出す構成となっていて、図示例では、感度の向上
を図るために高熱抵抗の梁構造が用いられている。
【０００６】この場合、犠牲層を利用する表面マイクロ
マシニング技術を用いた製造方法もあるが、ダイアフラ
ム１０３は、いずれの方法によっても、その熱電対１０
９の冷接点部１０９Ｃの下方に位置する部分がシリコン
基板１０２上に直接形成されるか、あるいは、シリコン
基板１０２上に枠状の層を介して形成される構造をなし
ている。
マシニング技術を用いた製造方法もあるが、ダイアフラ
ム１０３は、いずれの方法によっても、その熱電対１０
９の冷接点部１０９Ｃの下方に位置する部分がシリコン
基板１０２上に直接形成されるか、あるいは、シリコン
基板１０２上に枠状の層を介して形成される構造をなし
ている。
【０００７】このような熱型赤外線検出素子１０１は、
図８に示すように、複数並べて配置されて熱型赤外線検
出素子アレイ１２０を形成し、この熱型赤外線検出素子
アレイ１２０において、熱電対１０９における冷接点部
１０９Ｃ以外の基板領域の大半には、配線１２１や素子
選択スイッチング機構１２２が配置されるようになって
いる。
図８に示すように、複数並べて配置されて熱型赤外線検
出素子アレイ１２０を形成し、この熱型赤外線検出素子
アレイ１２０において、熱電対１０９における冷接点部
１０９Ｃ以外の基板領域の大半には、配線１２１や素子
選択スイッチング機構１２２が配置されるようになって
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した従
来の熱型赤外線検出素子１０１において、ダイアフラム
１０３における熱電対１０９の冷接点部１０９Ｃの下方
に位置する部分をシリコン基板１０２上に直接形成する
か、あるいは、シリコン基板１０２上に枠状の層を介し
て形成するようにしているので、ダイアフラム１０３を
シリコン基板１０２上に直接形成する場合には、熱電対
１０９の冷接点部１０９Ｃの領域に、素子に必要な配線
１１３が配置されることとなり（熱型赤外線検出素子ア
レイ１２０では素子選択スイッチング機構１２２が配置
されることとなり）、この配線１１３や回路領域は素子
の外周部分に位置するため、素子に割り当てられた面積
の大半を占めてしまう。
来の熱型赤外線検出素子１０１において、ダイアフラム
１０３における熱電対１０９の冷接点部１０９Ｃの下方
に位置する部分をシリコン基板１０２上に直接形成する
か、あるいは、シリコン基板１０２上に枠状の層を介し
て形成するようにしているので、ダイアフラム１０３を
シリコン基板１０２上に直接形成する場合には、熱電対
１０９の冷接点部１０９Ｃの領域に、素子に必要な配線
１１３が配置されることとなり（熱型赤外線検出素子ア
レイ１２０では素子選択スイッチング機構１２２が配置
されることとなり）、この配線１１３や回路領域は素子
の外周部分に位置するため、素子に割り当てられた面積
の大半を占めてしまう。
【０００９】一方、ダイアフラム１０３をシリコン基板
１０２上に枠状の層を介して形成する場合には、枠状の
層の下部に配線１１３や素子選択スイッチング機構１２
２が配置されるが、枠状層の領域のうち冷接点部１０９
Ｃ以外と接する領域が多くなることから、上記いずれの
場合も、赤外線検出素子１０１に割り当てられた面積に
対して、赤外線検出の信号に直接影響する熱吸収層１１
２の面積が相対的に狭くなってしまい、すなわち、検出
素子の開口率（以下「ｆｆ率：フィルファクター率」と
呼ぶ）が低下してしまい、その結果、微弱な赤外線を検
出し得ないことがあるという問題を有しており、この問
題を解決することが従来の課題となっていた。
１０２上に枠状の層を介して形成する場合には、枠状の
層の下部に配線１１３や素子選択スイッチング機構１２
２が配置されるが、枠状層の領域のうち冷接点部１０９
Ｃ以外と接する領域が多くなることから、上記いずれの
場合も、赤外線検出素子１０１に割り当てられた面積に
対して、赤外線検出の信号に直接影響する熱吸収層１１
２の面積が相対的に狭くなってしまい、すなわち、検出
素子の開口率（以下「ｆｆ率：フィルファクター率」と
呼ぶ）が低下してしまい、その結果、微弱な赤外線を検
出し得ないことがあるという問題を有しており、この問
題を解決することが従来の課題となっていた。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、上記した従来の課題に着目し
てなされたものであり、ダイアフラムの強度を低下させ
ることなく、フィルファクター率を大きくして熱吸収層
の占有面積を拡大することができ、その結果、高感度で
しかも出力信号を大きくすることが可能である熱型赤外
線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出
素子アレイを提供することを目的としている。
てなされたものであり、ダイアフラムの強度を低下させ
ることなく、フィルファクター率を大きくして熱吸収層
の占有面積を拡大することができ、その結果、高感度で
しかも出力信号を大きくすることが可能である熱型赤外
線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出
素子アレイを提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる熱型赤外
線検出素子は、請求項１に記載しているように、凹部を
有する半導体基板と、この半導体基板の凹部の開口を略
被覆する絶縁材料からなるダイアフラムと、このダイア
フラム上に位置する赤外線検知部を備えた熱型赤外線検
出素子において、半導体基板に、ダイアフラムを半導体
基板から離して支持する熱良導体からなる突起部を設け
た構成としたことを特徴としており、この熱型赤外線検
出素子の構成を前述した従来の課題を解決するための手
段としている。
線検出素子は、請求項１に記載しているように、凹部を
有する半導体基板と、この半導体基板の凹部の開口を略
被覆する絶縁材料からなるダイアフラムと、このダイア
フラム上に位置する赤外線検知部を備えた熱型赤外線検
出素子において、半導体基板に、ダイアフラムを半導体
基板から離して支持する熱良導体からなる突起部を設け
た構成としたことを特徴としており、この熱型赤外線検
出素子の構成を前述した従来の課題を解決するための手
段としている。
【００１２】本発明に係わる熱型赤外線検出素子は、請
求項２として、熱良導体をシリコン系の多結晶材料から
なるものとした構成とし、請求項３として、熱良導体を
金属材料からなるものとした構成とし、請求項４とし
て、サーモパイル型，ボロメータ型および焦電型のいず
れかである構成としている。
求項２として、熱良導体をシリコン系の多結晶材料から
なるものとした構成とし、請求項３として、熱良導体を
金属材料からなるものとした構成とし、請求項４とし
て、サーモパイル型，ボロメータ型および焦電型のいず
れかである構成としている。
【００１３】また、本発明に係わる熱型赤外線検出素子
の製造方法は、請求項５に記載しているように、請求項
１および２に記載の熱型赤外線検出素子を製造するに際
して、半導体基板に形成されている絶縁層の一部を除去
して異方性エッチング用の開口を設けた後、半導体基板
上の絶縁層および異方性エッチング用開口の全体にエッ
チング犠牲層を積層するのに続いてダイアフラムおよび
絶縁層を順次積層し、突起部を形成するべき部位に耐エ
ッチング手段を講じつつダイアフラムおよび絶縁層の各
所定位置に設けたエッチング穴からシリコンエッチング
液を浸潤させて、突起部を残してエッチング犠牲層をエ
ッチング除去すると共に、エッチング犠牲層の除去で開
放された異方性エッチング用開口から浸潤するシリコン
エッチング液で半導体基板の一部をエッチング除去して
凹部を形成する構成としたことを特徴としており、この
熱型赤外線検出素子の製造方法の構成を前述した従来の
課題を解決するための手段としている。
の製造方法は、請求項５に記載しているように、請求項
１および２に記載の熱型赤外線検出素子を製造するに際
して、半導体基板に形成されている絶縁層の一部を除去
して異方性エッチング用の開口を設けた後、半導体基板
上の絶縁層および異方性エッチング用開口の全体にエッ
チング犠牲層を積層するのに続いてダイアフラムおよび
絶縁層を順次積層し、突起部を形成するべき部位に耐エ
ッチング手段を講じつつダイアフラムおよび絶縁層の各
所定位置に設けたエッチング穴からシリコンエッチング
液を浸潤させて、突起部を残してエッチング犠牲層をエ
ッチング除去すると共に、エッチング犠牲層の除去で開
放された異方性エッチング用開口から浸潤するシリコン
エッチング液で半導体基板の一部をエッチング除去して
凹部を形成する構成としたことを特徴としており、この
熱型赤外線検出素子の製造方法の構成を前述した従来の
課題を解決するための手段としている。
【００１４】さらに、本発明に係わる熱型赤外線検出素
子アレイは、請求項６に記載しているように、請求項１
ないし４のいずれかに記載の熱型赤外線検出素子を複数
並べて配置してなっている構成とし、請求項７におい
て、複数並べて配置した熱型赤外線検出素子のうちの互
いに隣接する熱型赤外線検出素子の各突起部を連続させ
てある構成としている。
子アレイは、請求項６に記載しているように、請求項１
ないし４のいずれかに記載の熱型赤外線検出素子を複数
並べて配置してなっている構成とし、請求項７におい
て、複数並べて配置した熱型赤外線検出素子のうちの互
いに隣接する熱型赤外線検出素子の各突起部を連続させ
てある構成としている。
【００１５】
【作用】本発明の請求項１〜３に係わる熱型赤外線検出
素子において、冷接点部領域の配線を赤外線検知部の下
方に配置し、不連続に配置される壁または柱状をなす熱
良導体からなる突起部を介してダイアフラム上に位置す
る赤外線検知部の冷接点部領域と半導体基板とを熱的に
接続するようにしているため、ダイアフラムの機械的強
度が損なわれることなく熱吸収層に利用し得る面積が広
がることとなって、フィルファクター率が格段に大きく
なり、その結果、熱吸収エネルギーが増大して、出力信
号が大きくなる。
素子において、冷接点部領域の配線を赤外線検知部の下
方に配置し、不連続に配置される壁または柱状をなす熱
良導体からなる突起部を介してダイアフラム上に位置す
る赤外線検知部の冷接点部領域と半導体基板とを熱的に
接続するようにしているため、ダイアフラムの機械的強
度が損なわれることなく熱吸収層に利用し得る面積が広
がることとなって、フィルファクター率が格段に大きく
なり、その結果、熱吸収エネルギーが増大して、出力信
号が大きくなる。
【００１６】とくに、請求項２に係わる熱型赤外線検出
素子において、不連続の壁または柱状をなす熱良導体か
らなる突起部をシリコン系材料、例えば、ポリシリコン
で形成すれば、シリコンの犠牲層エッチングと半導体基
板の異方性エッチングが同じエッチング液、例えば、ヒ
ドラジンで一気になされてダイアフラムの下方に凹部が
形成されることとなる。
素子において、不連続の壁または柱状をなす熱良導体か
らなる突起部をシリコン系材料、例えば、ポリシリコン
で形成すれば、シリコンの犠牲層エッチングと半導体基
板の異方性エッチングが同じエッチング液、例えば、ヒ
ドラジンで一気になされてダイアフラムの下方に凹部が
形成されることとなる。
【００１７】また、本発明の請求項５に係わる熱型赤外
線検出素子の製造方法において、凹部の形成を犠牲層エ
ッチングと異方性エッチングとの組み合わせにより行う
ようにしているので、ダイアフラムと半導体基板とのス
ティッキング現象が回避されることとなり、そして、こ
のスティッキング現象の回避により、冷接点部領域と半
導体基板とを熱的に結合する突起部の高さが低く抑えら
れることとなる。これは、突起部の熱良導体の熱抵抗を
小さくできるということであり、冷接点部と半導体基板
との間の温度差を無視可能な程度に小さくすることがで
きる。
線検出素子の製造方法において、凹部の形成を犠牲層エ
ッチングと異方性エッチングとの組み合わせにより行う
ようにしているので、ダイアフラムと半導体基板とのス
ティッキング現象が回避されることとなり、そして、こ
のスティッキング現象の回避により、冷接点部領域と半
導体基板とを熱的に結合する突起部の高さが低く抑えら
れることとなる。これは、突起部の熱良導体の熱抵抗を
小さくできるということであり、冷接点部と半導体基板
との間の温度差を無視可能な程度に小さくすることがで
きる。
【００１８】さらに、本発明の請求項６に係わる熱型赤
外線検出素子アレイにおいて、素子選択スイッチング機
構を赤外線検知部の下方に配置し、熱良導体からなる突
起部を介してダイアフラム上に位置する赤外線検知部の
冷接点部領域と半導体基板とを熱的に接続するようにし
ているため、ダイアフラムが半導体基板から同じ高さで
形成されることとなり、ダイアフラムの機械的強度が損
なわれることなくフィルファクター率が大幅にアップす
ることとなる。
外線検出素子アレイにおいて、素子選択スイッチング機
構を赤外線検知部の下方に配置し、熱良導体からなる突
起部を介してダイアフラム上に位置する赤外線検知部の
冷接点部領域と半導体基板とを熱的に接続するようにし
ているため、ダイアフラムが半導体基板から同じ高さで
形成されることとなり、ダイアフラムの機械的強度が損
なわれることなくフィルファクター率が大幅にアップす
ることとなる。
【００１９】さらにまた、本発明の請求項７に係わる熱
型赤外線検出素子アレイでは、上記した構成としている
ので、素子間の無駄な領域が減って一画素の占有面積の
縮小化が図られることとなり、その結果、素子アレイの
コストの低減が図られることとなる。
型赤外線検出素子アレイでは、上記した構成としている
ので、素子間の無駄な領域が減って一画素の占有面積の
縮小化が図られることとなり、その結果、素子アレイの
コストの低減が図られることとなる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【００２１】図１〜図３は本発明に係わる熱型赤外線検
出素子の一実施例を示しており、図１（ａ）はサーモパ
イル型赤外線検出素子の平面図、図１（ｂ）は図１Ａ−
Ａ線に基づく断面図である。
出素子の一実施例を示しており、図１（ａ）はサーモパ
イル型赤外線検出素子の平面図、図１（ｂ）は図１Ａ−
Ａ線に基づく断面図である。
【００２２】図１に示すように、この赤外線検出素子１
は、半導体基板としてのシリコン基板２と、絶縁材料で
あるシリコン窒化膜からなる梁部を有するダイアフラム
３と、このダイアフラム３上に位置する赤外線検知部４
を備えている。
は、半導体基板としてのシリコン基板２と、絶縁材料で
あるシリコン窒化膜からなる梁部を有するダイアフラム
３と、このダイアフラム３上に位置する赤外線検知部４
を備えている。
【００２３】シリコン基板２には、シリコン酸化膜の複
合層またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との複合層
などから構成される絶縁層５で保護された配線６が設け
てあると共に、エッチング穴７を通して浸潤させたシリ
コンエッチング液によりエッチング除去してなる凹部８
が設けてあって、ダイヤフラム３は、柱状をなす熱良導
体からなる突起部９を介してシリコン基板２の凹部８か
ら熱分離した状態となっている。
合層またはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との複合層
などから構成される絶縁層５で保護された配線６が設け
てあると共に、エッチング穴７を通して浸潤させたシリ
コンエッチング液によりエッチング除去してなる凹部８
が設けてあって、ダイヤフラム３は、柱状をなす熱良導
体からなる突起部９を介してシリコン基板２の凹部８か
ら熱分離した状態となっている。
【００２４】ダイアフラム３上の赤外線検知部４は、互
いに対をなすｎ型半導体（例えばｎ型ポリシリコン）１
０およびｐ型半導体（例えばｐ型ポリシリコン）１１か
らなる複数の熱電対１２を並列配置して電気的に直列に
接続してなるサーモパイル１３と、このサーモパイル１
３上に絶縁層１４を介して積層される熱吸収膜としての
金黒膜１５を具備しており、この際、金黒膜１５の下側
に金との密着性に優れたニッケルなどの層を形成しても
良い。
いに対をなすｎ型半導体（例えばｎ型ポリシリコン）１
０およびｐ型半導体（例えばｐ型ポリシリコン）１１か
らなる複数の熱電対１２を並列配置して電気的に直列に
接続してなるサーモパイル１３と、このサーモパイル１
３上に絶縁層１４を介して積層される熱吸収膜としての
金黒膜１５を具備しており、この際、金黒膜１５の下側
に金との密着性に優れたニッケルなどの層を形成しても
良い。
【００２５】シリコン基板２側に形成されている高融点
金属材料、例えば、Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉなどやそのシリコン
化合物などからなる配線６および熱電対１２の冷接点１
６は、ダイアフラム３および突起部９を貫通する連通孔
１８を通るアルミニウム配線１９を介して電気的に接続
してあり、この連通孔１８内のアルミニウム配線１９は
ダイアフラム３および熱電対１２間に設けた絶縁層２０
で被覆され、熱電対１２の冷接点１６および温接点１７
は上記絶縁層１４および熱電対１２上の絶縁層２１で被
覆されている。
金属材料、例えば、Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉなどやそのシリコン
化合物などからなる配線６および熱電対１２の冷接点１
６は、ダイアフラム３および突起部９を貫通する連通孔
１８を通るアルミニウム配線１９を介して電気的に接続
してあり、この連通孔１８内のアルミニウム配線１９は
ダイアフラム３および熱電対１２間に設けた絶縁層２０
で被覆され、熱電対１２の冷接点１６および温接点１７
は上記絶縁層１４および熱電対１２上の絶縁層２１で被
覆されている。
【００２６】上記赤外線検出素子１を製造するに際して
は、図２（ａ）に示すように、まず、シリコン基板２の
配線６を保護している絶縁層５の一部を除去して、シリ
コン基板２の異方性エッチングを行うための異方性エッ
チング用開口部２ａを形成する。
は、図２（ａ）に示すように、まず、シリコン基板２の
配線６を保護している絶縁層５の一部を除去して、シリ
コン基板２の異方性エッチングを行うための異方性エッ
チング用開口部２ａを形成する。
【００２７】配線６は、高融点金属材料、例えば、Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｔｉなどやそのシリコン化合物などから形成さ
れるが、この後のプロセスの温度に耐えられるのであれ
ば、ここに挙げている材料以外の材料でも良い。また、
絶縁層５は、シリコン酸化膜の複合層やシリコン酸化膜
とシリコン窒化膜との複合層などからなるものとしてい
るが、配線６や回路を保護できる層であれば、この限り
ではない。
ｏ，Ｗ，Ｔｉなどやそのシリコン化合物などから形成さ
れるが、この後のプロセスの温度に耐えられるのであれ
ば、ここに挙げている材料以外の材料でも良い。また、
絶縁層５は、シリコン酸化膜の複合層やシリコン酸化膜
とシリコン窒化膜との複合層などからなるものとしてい
るが、配線６や回路を保護できる層であれば、この限り
ではない。
【００２８】次いで、図２（ｂ）に示すように、シリコ
ン基板２の全体に突起部９およびエッチング犠牲層とな
るポリシリコン層２２を、例えば、ＣＶＤ法を用いて形
成する。この状態において、異方性エッチング用開口部
２ａでは、多結晶シリコンとシリコン基板２の単結晶シ
リコンが直に接触している。
ン基板２の全体に突起部９およびエッチング犠牲層とな
るポリシリコン層２２を、例えば、ＣＶＤ法を用いて形
成する。この状態において、異方性エッチング用開口部
２ａでは、多結晶シリコンとシリコン基板２の単結晶シ
リコンが直に接触している。
【００２９】次に、この後の犠牲エッチング層のエッチ
ング工程時に突起部９がエッチングされるのを防ぐため
に、図２（ｃ）に示すように、耐エッチング手段を施
す、すなわち、Ｂ＋などの不純物を高濃度にドープする
ｐ型半導体にするのに続いて、この突起部９およびポリ
シリコン層２２の上側にシリコン窒化膜からなるダイア
フラム３を、例えば、低圧ＣＶＤ法を用いて形成する。
ング工程時に突起部９がエッチングされるのを防ぐため
に、図２（ｃ）に示すように、耐エッチング手段を施
す、すなわち、Ｂ＋などの不純物を高濃度にドープする
ｐ型半導体にするのに続いて、この突起部９およびポリ
シリコン層２２の上側にシリコン窒化膜からなるダイア
フラム３を、例えば、低圧ＣＶＤ法を用いて形成する。
【００３０】なお、上記不純物を高濃度にドープする方
法以外に、ポリシリコンのエッチング液に耐性のある材
料、例えば、シリコン酸化膜を突起部９の周囲に形成す
る方法を採用しても良い。また、突起部９を構成する熱
良導体が金属、例えば、ニッケルあるいはチタニウムな
どの後のプロセスに問題とならない材料の場合には、こ
の金属エッチング液とシリコンエッチング液の両方に耐
性のある材料、例えば、シリコン酸化膜を突起部９の周
囲に形成する。
法以外に、ポリシリコンのエッチング液に耐性のある材
料、例えば、シリコン酸化膜を突起部９の周囲に形成す
る方法を採用しても良い。また、突起部９を構成する熱
良導体が金属、例えば、ニッケルあるいはチタニウムな
どの後のプロセスに問題とならない材料の場合には、こ
の金属エッチング液とシリコンエッチング液の両方に耐
性のある材料、例えば、シリコン酸化膜を突起部９の周
囲に形成する。
【００３１】この後、図２(ｄ）に示すように、ダイア
フラム３および突起部９に、冷接点１６となる部位とシ
リコン基板２の配線６とを連通させる連通孔１８を設
け、この連通孔１８を含めたダイアフラム３上に絶縁層
２０（例えばシリコン酸化膜）を形成するのに続いてポ
リシリコンを形成し、このポリシリコンに不純物をドー
プしてｎ型ポリシリコン１０とｐ型ポリシリコン１１か
らなる熱電対１２を形成した後、再度、絶縁層２１を形
成する。なお、この実施例では、ｎ型ポリシリコン１０
およびｐ型ポリシリコン１１からなる熱電対１２を複数
対接続してサーモパイル１３としているが、熱電対が他
の組み合わせ、例えば、金属と半導体などの組み合わせ
であっても良い。
フラム３および突起部９に、冷接点１６となる部位とシ
リコン基板２の配線６とを連通させる連通孔１８を設
け、この連通孔１８を含めたダイアフラム３上に絶縁層
２０（例えばシリコン酸化膜）を形成するのに続いてポ
リシリコンを形成し、このポリシリコンに不純物をドー
プしてｎ型ポリシリコン１０とｐ型ポリシリコン１１か
らなる熱電対１２を形成した後、再度、絶縁層２１を形
成する。なお、この実施例では、ｎ型ポリシリコン１０
およびｐ型ポリシリコン１１からなる熱電対１２を複数
対接続してサーモパイル１３としているが、熱電対が他
の組み合わせ、例えば、金属と半導体などの組み合わせ
であっても良い。
【００３２】そして、図２(ｅ）に示すように、突起部
９の連通孔１８にアルミニウム配線１９を設けると共
に、ｎ型ポリシリコン１０とｐ型ポリシリコン１１にそ
れぞれコンタクトホールを形成してアルミニウム配線１
９をパターン化して設置した後、絶縁層１４を形成し、
これに続いて、エッチング穴７を形成する領域の絶縁層
１４，２１，２２およびダイアフラム３を除去する。
９の連通孔１８にアルミニウム配線１９を設けると共
に、ｎ型ポリシリコン１０とｐ型ポリシリコン１１にそ
れぞれコンタクトホールを形成してアルミニウム配線１
９をパターン化して設置した後、絶縁層１４を形成し、
これに続いて、エッチング穴７を形成する領域の絶縁層
１４，２１，２２およびダイアフラム３を除去する。
【００３３】次に、エッチング穴７からシリコンエッチ
ング液、例えば、ヒドラジン液を浸潤させて、エッチン
グ犠牲層としてのポリシリコン層２２とシリコン基板２
の一部を順次エッチング除去すると、図１に示すよう
に、梁部があるダイアフラム３が形成されることとな
り、最後に、熱吸収膜（望ましくは必要な波長での吸収
率が高いもの）を必要な領域に形成すると、赤外線検出
素子１が完成することとなる。例えば、１０μｍ帯の長
波長赤外線の場合には、本実施例で用いた金黒膜１５が
高い赤外線吸収能を発揮する。
ング液、例えば、ヒドラジン液を浸潤させて、エッチン
グ犠牲層としてのポリシリコン層２２とシリコン基板２
の一部を順次エッチング除去すると、図１に示すよう
に、梁部があるダイアフラム３が形成されることとな
り、最後に、熱吸収膜（望ましくは必要な波長での吸収
率が高いもの）を必要な領域に形成すると、赤外線検出
素子１が完成することとなる。例えば、１０μｍ帯の長
波長赤外線の場合には、本実施例で用いた金黒膜１５が
高い赤外線吸収能を発揮する。
【００３４】図３は、上記赤外線検出素子１を画素とし
て多数を同じ向きに２次元配置して形成した素子アレイ
３０の概要を示している。なお、従来例の図８と比較す
るため、図３において外周に位置するエッチング穴７の
中心位置の寸法と図８における異方性エッチングの寸法
とを同じにしている。お互いの赤外線検出素子１はエッ
チング穴７で分離されており、冷接点１６の下方に突起
部９が形成されている。また、素子アレイ３０に必要な
配線３１や素子選択スイッチング機構（図示省略）がシ
リコン基板２内に形成されている。
て多数を同じ向きに２次元配置して形成した素子アレイ
３０の概要を示している。なお、従来例の図８と比較す
るため、図３において外周に位置するエッチング穴７の
中心位置の寸法と図８における異方性エッチングの寸法
とを同じにしている。お互いの赤外線検出素子１はエッ
チング穴７で分離されており、冷接点１６の下方に突起
部９が形成されている。また、素子アレイ３０に必要な
配線３１や素子選択スイッチング機構（図示省略）がシ
リコン基板２内に形成されている。
【００３５】図４は、本発明に係わる赤外線検出素子の
他の実施例を示しており、この実施例では、本発明に係
わる赤外線検出素子がボロメータ型の赤外線検出素子で
ある場合を示している。
他の実施例を示しており、この実施例では、本発明に係
わる赤外線検出素子がボロメータ型の赤外線検出素子で
ある場合を示している。
【００３６】図４に示す赤外線検出素子４１が先の実施
例における赤外線検出素子１と異なるところは、赤外線
検出材料の電気抵抗が温度変化に依存して変化する抵抗
体４２から形成され、コンタクト４３に配線４４で接続
されている点にある。この抵抗体４２は、例えば、チタ
ニウムなどの金属膜やＶＯ２などの酸化物半導体の温度
によって電気抵抗が変化する材料であればよい。この抵
抗体４２が配線４４を通してシリコン基板２の配線６に
接続されている。
例における赤外線検出素子１と異なるところは、赤外線
検出材料の電気抵抗が温度変化に依存して変化する抵抗
体４２から形成され、コンタクト４３に配線４４で接続
されている点にある。この抵抗体４２は、例えば、チタ
ニウムなどの金属膜やＶＯ２などの酸化物半導体の温度
によって電気抵抗が変化する材料であればよい。この抵
抗体４２が配線４４を通してシリコン基板２の配線６に
接続されている。
【００３７】図５は、本発明に係わる赤外線検出素子の
さらに他の実施例を示しており、この実施例では、本発
明に係わる赤外線検出素子が焦電型の赤外線検出素子で
ある場合を示している。
さらに他の実施例を示しており、この実施例では、本発
明に係わる赤外線検出素子が焦電型の赤外線検出素子で
ある場合を示している。
【００３８】図５に示す赤外線検出素子５１が図４に示
したボロメータ型の赤外線検出素子４１と異なるところ
は、コンタクト４３にダイアフラム３上に形成されたＰ
ｔ／ＴｉＮ／ＴｉやＩｒ／ＴｉＮ／Ｔｉなどからなる下
部電極５２が形成され、この上にＰｂＴｉＯ３やＰＺＴ
などの焦電材料５３が形成され、さらに、前述の電極材
料やアルミニウムなどからなる上部電極５４および熱吸
収層１５が形成された点にある。ここで、上部電極とし
て熱吸収効率が比較的高いＮｉＣｒなどを利用すれば、
別途考えている熱吸収層１５は不要になる。また、焦電
材料を成膜するとき、ダイアフラム３の上の下地膜とし
てＭｇＯなどの酸化膜が形成すると、Ｃ軸配向した膜が
形成し易くなる。下部電極としては、焦電材料がＣ軸配
向し易いものであればなんでも良い。また、焦電材料と
しては、前述以外のものでも良い。
したボロメータ型の赤外線検出素子４１と異なるところ
は、コンタクト４３にダイアフラム３上に形成されたＰ
ｔ／ＴｉＮ／ＴｉやＩｒ／ＴｉＮ／Ｔｉなどからなる下
部電極５２が形成され、この上にＰｂＴｉＯ３やＰＺＴ
などの焦電材料５３が形成され、さらに、前述の電極材
料やアルミニウムなどからなる上部電極５４および熱吸
収層１５が形成された点にある。ここで、上部電極とし
て熱吸収効率が比較的高いＮｉＣｒなどを利用すれば、
別途考えている熱吸収層１５は不要になる。また、焦電
材料を成膜するとき、ダイアフラム３の上の下地膜とし
てＭｇＯなどの酸化膜が形成すると、Ｃ軸配向した膜が
形成し易くなる。下部電極としては、焦電材料がＣ軸配
向し易いものであればなんでも良い。また、焦電材料と
しては、前述以外のものでも良い。
【００３９】図６は、本発明に係わる赤外線検出素子ア
レイの他の実施例を示しており、この実施例の赤外線検
出素子アレイ６０が先の実施例における赤外線検出素子
アレイ３０と異なるところは、互いに隣接する熱型赤外
線検出素子１の各突起部９を連続させてある点にある。
レイの他の実施例を示しており、この実施例の赤外線検
出素子アレイ６０が先の実施例における赤外線検出素子
アレイ３０と異なるところは、互いに隣接する熱型赤外
線検出素子１の各突起部９を連続させてある点にある。
【００４０】図６では、２個の突起部９を連続させる場
合を示しているが、隣接する３個の熱型赤外線検出素子
１が各々の突起部９を連続させる場合や、隣接する４個
の熱型赤外線検出素子１が各々の突起部９を連続させる
場合であってもよく、連続のさせ方が入り交じっていて
も良い。
合を示しているが、隣接する３個の熱型赤外線検出素子
１が各々の突起部９を連続させる場合や、隣接する４個
の熱型赤外線検出素子１が各々の突起部９を連続させる
場合であってもよく、連続のさせ方が入り交じっていて
も良い。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
〜４に係わる熱型赤外線検出素子によれば、上記した構
成としているので、ダイアフラムの機械的強度を損なう
ことなくフィルファクター率を大幅に高めることがで
き、その結果、出力信号を大きくすることが可能である
という非常に優れた効果がもたらされる。
〜４に係わる熱型赤外線検出素子によれば、上記した構
成としているので、ダイアフラムの機械的強度を損なう
ことなくフィルファクター率を大幅に高めることがで
き、その結果、出力信号を大きくすることが可能である
という非常に優れた効果がもたらされる。
【００４２】とくに、請求項２に係わる熱型赤外線検出
素子では、上記した構成としたから、ダイアフラムの形
成の歩留まり低下を回避することができる。
素子では、上記した構成としたから、ダイアフラムの形
成の歩留まり低下を回避することができる。
【００４３】また、本発明の請求項５に係わる熱型赤外
線検出素子の製造方法において、上記した構成としたた
め、シリコンの犠牲層エッチングと異方性エッチングを
連続して行うことができ、この際、ダイアフラムと半導
体基板との間隔が大きく取れるため、スティッキングの
現象を回避して、突起部の高さを低く抑えることが可能
であるという非常に優れた効果がもたらされる。
線検出素子の製造方法において、上記した構成としたた
め、シリコンの犠牲層エッチングと異方性エッチングを
連続して行うことができ、この際、ダイアフラムと半導
体基板との間隔が大きく取れるため、スティッキングの
現象を回避して、突起部の高さを低く抑えることが可能
であるという非常に優れた効果がもたらされる。
【００４４】さらに、本発明の請求項６に係わる熱型赤
外線検出素子アレイにおいて、上記した構成としたか
ら、熱型赤外線検出素子個々のフィルファクター率が大
幅にアップすることで、画素の占有面積を小さくでき、
したがって、素子アレイ全体の面積の縮小を実現可能で
あり、加えて、素子アレイのアドレス用配線を突起部下
方の半導体基板に形成することで、画素間の無駄な領域
を少なくすることができ、その結果、素子アレイ面積の
より一層の縮小化およびこれに伴う素子アレイのコスト
の低減を実現することが可能であるという非常に優れた
効果がもたらされる。
外線検出素子アレイにおいて、上記した構成としたか
ら、熱型赤外線検出素子個々のフィルファクター率が大
幅にアップすることで、画素の占有面積を小さくでき、
したがって、素子アレイ全体の面積の縮小を実現可能で
あり、加えて、素子アレイのアドレス用配線を突起部下
方の半導体基板に形成することで、画素間の無駄な領域
を少なくすることができ、その結果、素子アレイ面積の
より一層の縮小化およびこれに伴う素子アレイのコスト
の低減を実現することが可能であるという非常に優れた
効果がもたらされる。
【００４５】さらにまた、本発明の請求項７に係わる熱
型赤外線検出素子アレイでは、上記した構成としたた
め、素子間の無駄な領域が減って一画素の占有面積のよ
り一層縮小化が図られることとなり、その結果、素子ア
レイのコストのさらなる低減を実現することができると
いう非常に優れた効果がもたらされる。
型赤外線検出素子アレイでは、上記した構成としたた
め、素子間の無駄な領域が減って一画素の占有面積のよ
り一層縮小化が図られることとなり、その結果、素子ア
レイのコストのさらなる低減を実現することができると
いう非常に優れた効果がもたらされる。
【図１】本発明に係わる熱型赤外線検出素子の一実施例
を示す平面説明図（ａ）および図１（ａ）Ａ−Ａ線位置
に基づく断面説明図（ｂ）である。
を示す平面説明図（ａ）および図１（ａ）Ａ−Ａ線位置
に基づく断面説明図（ｂ）である。
【図２】図１に示した熱型赤外線検出素子の製造工程説
明図（ａ）〜（ｅ）である。
明図（ａ）〜（ｅ）である。
【図３】図１に示した熱型赤外線検出素子を複数並べて
配置してなる熱型赤外線検出素子アレイの平面説明図で
ある。
配置してなる熱型赤外線検出素子アレイの平面説明図で
ある。
【図４】本発明に係わる熱型赤外線検出素子の他の実施
例を示す平面説明図（ａ）および図４（ａ）Ｂ−Ｂ線位
置に基づく断面説明図（ｂ）である。
例を示す平面説明図（ａ）および図４（ａ）Ｂ−Ｂ線位
置に基づく断面説明図（ｂ）である。
【図５】本発明に係わる熱型赤外線検出素子のさらに他
の実施例を示す平面説明図（ａ）および図５（ａ）Ｃ−
Ｃ線位置に基づく断面説明図（ｂ）である。
の実施例を示す平面説明図（ａ）および図５（ａ）Ｃ−
Ｃ線位置に基づく断面説明図（ｂ）である。
【図６】図３の熱型赤外線検出素子アレイにおける素子
の他の配置例を示す平面説明図である。
の他の配置例を示す平面説明図である。
【図７】従来の赤外線検出素子を示す平面説明図（ａ）
および図７（ａ）Ｄ−Ｄ線位置に基づく断面説明図
（ｂ）である。
および図７（ａ）Ｄ−Ｄ線位置に基づく断面説明図
（ｂ）である。
【図８】図７に示した従来の熱型赤外線検出素子を複数
並べて配置してなる熱型赤外線検出素子アレイの平面説
明図である。
並べて配置してなる熱型赤外線検出素子アレイの平面説
明図である。
１ 熱型赤外線検出素子
２ シリコン基板（半導体基板）
２ａ 異方性エッチング用の開口
３ ダイアフラム
４ 赤外線検知部
７ エッチング穴
８ 凹部
９ 突起部
１４，２０，２１ 絶縁層
２２ ポリシリコン層（エッチング犠牲層）
４１ ボロメータ型赤外線検出素子
５１ 焦電型赤外線検出素子
３０，６０ 熱型赤外線検出素子アレイ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｊ 5/48 Ｇ０１Ｊ 5/48 Ｆ
Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０１Ｌ 35/14
35/14 35/22
35/22 35/30
35/30 35/32 Ａ
35/32 35/34
35/34 37/00
37/00 37/02
37/02 Ｈ０４Ｎ 5/33
Ｈ０４Ｎ 5/33 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ
Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB02 BA11 BA12 BA13
BA34 BE08 CA13 CA21 DA06
DA20
2G066 AC13 AC14 BA04 BA05 BA08
BA09 BA55 BB09 BB11 CA02
CA20
4M118 AA01 AA08 BA30 CA15 CB07
CB12 EA01 GA10
5C024 AX06 CX41 CY47 EX21
Claims (7)
- 【請求項１】 凹部を有する半導体基板と、この半導体
基板の凹部の開口を略被覆する絶縁材料からなるダイア
フラムと、このダイアフラム上に位置する赤外線検知部
を備えた熱型赤外線検出素子において、半導体基板に、
ダイアフラムを半導体基板から離して支持する熱良導体
からなる突起部を設けたことを特徴とする熱型赤外線検
出素子。 - 【請求項２】 熱良導体をシリコン系の多結晶材料から
なるものとした請求項１に記載の熱型赤外線検出素子。 - 【請求項３】 熱良導体を金属材料からなるものとした
請求項１に記載の熱型赤外線検出素子。 - 【請求項４】 サーモパイル型，ボロメータ型および焦
電型のいずれかである請求項１ないし３のいずれかに記
載の熱型赤外線検出素子。 - 【請求項５】 請求項１および２に記載の熱型赤外線検
出素子を製造するに際して、半導体基板に形成されてい
る絶縁層の一部を除去して異方性エッチング用の開口を
設けた後、半導体基板上の絶縁層および異方性エッチン
グ用開口の全体にエッチング犠牲層を積層するのに続い
てダイアフラムおよび絶縁層を順次積層し、突起部を形
成するべき部位に耐エッチング手段を講じつつダイアフ
ラムおよび絶縁層の各所定位置に設けたエッチング穴か
らシリコンエッチング液を浸潤させて、突起部を残して
エッチング犠牲層をエッチング除去すると共に、エッチ
ング犠牲層の除去で開放された異方性エッチング用開口
から浸潤するシリコンエッチング液で半導体基板の一部
をエッチング除去して凹部を形成することを特徴とする
熱型赤外線検出素子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかに記載の熱
型赤外線検出素子を複数並べて配置してなっていること
を特徴とする熱型赤外線検出素子アレイ。 - 【請求項７】 複数並べて配置した熱型赤外線検出素子
のうちの互いに隣接する熱型赤外線検出素子の各突起部
を連続させてある請求項６に記載の熱型赤外線検出素子
アレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370379A JP3604130B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ |
| US10/411,221 US6750452B1 (en) | 2001-12-04 | 2003-04-11 | Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370379A JP3604130B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ |
| US10/411,221 US6750452B1 (en) | 2001-12-04 | 2003-04-11 | Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003166876A true JP2003166876A (ja) | 2003-06-13 |
| JP3604130B2 JP3604130B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=32929608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001370379A Expired - Lifetime JP3604130B2 (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 熱型赤外線検出素子およびその製造方法ならびに熱型赤外線検出素子アレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6750452B1 (ja) |
| JP (1) | JP3604130B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007121047A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2008082790A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2008134113A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Hioki Ee Corp | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
| JP2010528300A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ピレオス エルテーデー | 膜構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 |
| JP2011014710A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 紫外線センサ |
| JP2011145296A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Heimann Sensor Gmbh | モノリシックシリコン微細加工式サーモパイル赤外線センサー |
| JP2011191215A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2011191214A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| CN102650552A (zh) * | 2011-02-23 | 2012-08-29 | 精工爱普生株式会社 | 热式检测器、热式检测装置以及电子设备 |
| JP2012173187A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器 |
| KR101731798B1 (ko) * | 2016-04-27 | 2017-05-02 | ㈜시리우스 | 필 팩터가 향상된 마이크로 볼로미터 및 마이크로 볼로미터의 제조 방법 |
| WO2022224879A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 国立大学法人東京大学 | センサ素子及びセンサ装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516252A (ja) * | 2005-09-20 | 2008-05-15 | ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− | センサー装置 |
| DE102008041587B4 (de) * | 2008-08-27 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturiertes Temperatursensorelement mit zusätzlicher IR-absorbierender Schicht |
| JP5750827B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 熱型光検出器の製造方法 |
| CN102947683B (zh) * | 2010-04-26 | 2016-04-06 | Hme有限公司 | 多层薄膜热电堆及采用该多层薄膜热电堆的辐射温度计、多层薄膜热电堆的制造方法 |
| CN102288300B (zh) * | 2011-05-10 | 2012-11-07 | 中国科学技术大学 | 一种基于双材料微悬臂梁的辐射热通量测量装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06160194A (ja) | 1992-04-25 | 1994-06-07 | Nippon Ceramic Co Ltd | 焦電型赤外線センサ |
| US6040577A (en) * | 1996-08-08 | 2000-03-21 | Mauduit; Nicolas | Chopperless operation of a thermal infrared radiation sensor system by application of heat pulses to thermally isolated pixel sensor elements |
| JP3109480B2 (ja) | 1998-06-15 | 2000-11-13 | 日本電気株式会社 | 熱型赤外線検出素子 |
| JP2000146684A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Nec Corp | 傾斜したダイアフラム構造を有する熱型赤外線検出素子 |
| JP2000230857A (ja) | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線センサおよび熱型赤外線アレイ素子 |
| JP3460810B2 (ja) | 1999-07-26 | 2003-10-27 | 日本電気株式会社 | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
| JP3514681B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 赤外線検出器 |
-
2001
- 2001-12-04 JP JP2001370379A patent/JP3604130B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-11 US US10/411,221 patent/US6750452B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007121047A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2008082790A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2008134113A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Hioki Ee Corp | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
| US9279730B2 (en) | 2007-05-29 | 2016-03-08 | Pyreos, Ltd. | Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, and method for production thereof |
| JP2010528300A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ピレオス エルテーデー | 膜構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 |
| KR101612400B1 (ko) * | 2007-05-29 | 2016-04-14 | 파이레오스 엘티디. | 막 구조물을 갖춘 열 복사 검출 장치, 그 장치의 제조 방법 및 용도 |
| JP2011014710A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 紫外線センサ |
| JP2011145296A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Heimann Sensor Gmbh | モノリシックシリコン微細加工式サーモパイル赤外線センサー |
| JP2011191214A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| JP2011191215A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | サーモパイル型赤外線センサおよびその製造方法 |
| CN102650552A (zh) * | 2011-02-23 | 2012-08-29 | 精工爱普生株式会社 | 热式检测器、热式检测装置以及电子设备 |
| JP2012173187A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Seiko Epson Corp | 熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器 |
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| KR101731798B1 (ko) * | 2016-04-27 | 2017-05-02 | ㈜시리우스 | 필 팩터가 향상된 마이크로 볼로미터 및 마이크로 볼로미터의 제조 방법 |
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