JP2003174254A - 鉛フリーはんだを用いた回路基板への電子部品の接合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、Ｓｎ、Ｚｎを含む鉛フリーはんだ
を使用して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだと同等以上の接続
信頼性を得ることが可能なはんだ接合方法を提供する。 【解決手段】 ＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ合金よ
りも低い温度で溶融するはんだボールおよび溶融される
ことなく鉛フリーはんだ合金と接合するＣｕボール、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金ボールを用いてはんだ付け接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ、パーソナ
ルコンピュータ、オーティオ、ビデオ、炊飯器、冷蔵庫
等の電子機器の回路基板に部品等を接続するために、Ｓ
ｎとＺｎを含む鉛フリーはんだを用い、従来のＳｎ−Ｐ
ｂ共晶はんだと同等以上の信頼性を有するはんだ付け方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の回路基板のはんだ付けに用い
られるはんだとしては、Ｓｎ、Ｐｂより構成されるはん
だ（以下Ｓｎ−Ｐｂ系はんだ）が一般的であり、古来よ
り長い間使用されてきた。Ｓｎ−Ｐｂ系はんだは、共晶
組成（６３Ｓｎ−Ｐｂ）の融点が１８３摂氏度（以下単
に「度」という）という低いものであり、そのはんだ付
け温度は２２０〜２３０度という熱に弱い電子部品に対
しては熱損傷を与えることがない温度である。

【０００３】しかもＳｎ−Ｐｂ系はんだは、はんだ付け
時に直ぐに凝固して、はんだ付け接合部に振動や衝撃が
加わってもヒビ割れや剥離を起こさないという優れた特
長も有している。

【０００４】一般に、テレビ、パーソナルコンピュー
タ、オーティオ、ビデオ、炊飯器、冷蔵庫等の電子機器
は、故障したり、古くなって使い勝手が悪くなったりし
た場合は廃棄処分される。これらの電子機器は、外装や
プリント基板がプラスチックのような合成樹脂であり、
また導体部やフレームが金属製であるため、焼却処分で
きず、ほとんど地中に埋められている。

【０００５】ところで近年、ガソリン、重油等の石化燃
料の多用により、大気中に硫黄酸化物が大量に放出さ
れ、その結果、地上に降る雨は酸性雨となっている。酸
性雨は地中に埋められた電子機器の回路基板のはんだを
溶出させて地下に染み込み、地下水を汚染するようにな
る。このように鉛を含んだ地下水を長年飲用している
と、人体に鉛分が蓄積され、鉛中毒を起こす虞が出てく
る。

【０００６】このような機運から、電子機器業界では鉛
を含まないはんだ、所謂「鉛フリーはんだ」の出現が望
まれてきておりＳｎ−Ｐｂはんだの代替材料を開発する
ことが急務となっている。

【０００７】ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）や
ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などの電子部品の接合
にはＳｎ−Ｐｂ系はんだが広く用いられてきた。しか
し、鉛を含有するため廃棄された場合環境に悪影響を及
ぼすため、電子部品の接合に鉛フリーはんだの使用が考
えられいる。

【０００８】従来、鉛フリーはんだとしてＳｎ主成分の
Ｓｎ、Ａｇより構成されるはんだ（以下Ｓｎ−Ａｇ系は
んだ）やＳｎ、Ｓｂより構成されるはんだ（以下Ｓｎ−
Ｓｂ系はんだ）、Ｓｎ、Ｚｎより構成されるはんだ（以
下Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ）等はあった。

【０００９】Ｓｎ−Ａｇ系はんだは、最も溶融温度の低
い組成がＳｎ−３。５Ａｇの共晶組成であり、その溶融
温度は２２１度である。この組成のはんだのはんだ付け
温度は２６０〜２７０度というかなり高い温度となる。

【００１０】また、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだは、最も溶融温
度の低い組成がＳｎ−５Ｓｂであるが、この組成の溶融
温度は、固相線温度が２３５度、液相線温度が２４０度
という高い温度であるため、はんだ付け温度は、上述Ｓ
ｎ−３。５Ａｇはんだよりもさらに高い２８０〜３００
度となる。

【００１１】Ｓｎ−Ｚｎ系はんだは、共晶組成がＳｎ−
９Ｚｎでその共晶温度が１９９度であり、溶融温度が従
来の６３Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだの共晶温度１８３度に近
いという温度的な優位性を有している。またＳｎ−Ｚｎ
系はんだはＳｎ−Ｐｂ系はんだよりも機械的強度に優れ
ているものである。

【００１２】Ｓｎ−Ｚｎ系はんだを使用してＱＦＰやＢ
ＧＡなどの部品をはんだ付けする場合はＳｎ−Ｐｂ系は
んだよりもわずかながら高い温度ではんだ付けする必要
がある。そのためＳｎ−Ｚｎ系はんだにＢｉを添加し溶
融温度を下げたはんだ（以下Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はん
だ）の開発が行われている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ＢＧＡやＱＦＰなどの
電子部品は樹脂部分の耐熱保証温度がおおむね２２０〜
２３０度程度と低く、部品の形状や比熱、大きさにより
生じるリフロー炉内での温度ばらつきによりはんだ接合
部は樹脂部よりも１０〜２０度程度低くなってしまう。

【００１４】しかしながらＳｎ−Zｎ−Ｂｉ系はんだを
使用しても、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだよりも高い温度ではん
だ付けしなければならない。そのためはんだ接合に必要
な溶融時間が短くなり電子部品の耐熱保証温度内で安定
した接合信頼性が得られない。

【００１５】さらにＢＧＡに使用されているはんだボー
ルはＳｎ−Ｐｂ系はんだであり、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系は
んだなどＢｉを含むはんだとＰｂは混合すると化合物を
形成し接合部の信頼性を損なうことが知られている。そ
してＳｎ−Ａｇ系の鉛フリーボールが提案されている
が、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだよりも融点が高いため温度ばら
つきを考慮すると電子部品の耐熱保証温度内では安定し
た接合信頼性が得られない。

【００１６】本発明は、ＳｎとＺｎを含む鉛フリーはん
だを使用して従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだと同等以上の接
続信頼性を得ることが可能なはんだ付け方法を提供する
ものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明はＢＧＡに用いる鉛フリーはんだボールの溶
融温度がＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだの溶融温度よ
り低いことを特徴とするはんだ付け方法で達成すること
ができる。これによりＢＧＡに使用した鉛フリーはんだ
ボールが先に溶融することで、前記鉛フリーはんだボー
ルに接触した前記鉛フリーはんだは溶融接合することが
でき、電子部品の耐熱保証温度内であっても安定した接
合信頼性を得ることができる。

【００１８】また、上記はんだ付け方法において、鉛フ
リーはんだボールの表面を有機物で覆うことにリフロー
炉内において前記鉛フリーはんだボールが酸化すること
を抑制し、さらに溶融性が向上し安定した接合信頼性を
得ることができる。

【００１９】また、上記課題を解決するため本発明はＢ
ＧＡに用いる鉛フリーボールをＣｕボール、Ｎｉ−Ｆｅ
合金ボールなど前記鉛フリーはんだと金属間化合物を形
成することができるボールにすることを特徴とするはん
だ付け方法で達成することができる。これによりＢＧＡ
に使用するボールが溶融しなくとも前記鉛フリーはんだ
が溶融さえすれば金属間化合物層を形成するためはんだ
付け接合でき、部品の耐熱保証温度内であっても安定し
た接合信頼性を得ることができる。

【００２０】また、上記はんだ付け方法において、鉛フ
リーボールの表面を前記鉛フリーはんだよりも低い温度
で溶融する合金膜で覆うことで前記鉛フリーボールに接
触した前記鉛フリーはんだは部分的に溶融を開始し、同
じ温度でリフローはんだ付けするよりも長い時間溶融す
ることができ、さらに安定した接合信頼性を得ることが
できる。

【００２１】さらに上記はんだ付け方法において、鉛フ
リーボールの表面を有機物やＮｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜の
順に構成される金属膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜の順で構成され
る金属膜で覆うことにより、リフロー炉内で前記鉛フリ
ーはんだが溶融する前に前記鉛フリーボールとＺｎとの
反応生成物を抑制するため、さらに安定した接合信頼性
を得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。

【００２３】（実施の形態１）図１は本実施形態による
はんだ付け方法の要部断面図である。半導体素子が搭載
された回路基板１０とはんだボール２０を接続するため
Ｃｕ膜１２上にＮｉ膜１４を形成しさらにその上にＡｕ
膜１６を形成することにより電極１８を形成する。電極
１８とはんだボール２０を接合するためには低活性のフ
ラックスを使用し、窒素雰囲気で接合することが望まし
い。

【００２４】このようにしてはんだボール２０が形成さ
れた半導体パッケージ２２とガラスエポキシ基板３０と
をはんだ付けするため、ガラスエポキシ基板３０上に形
成されたＣｕ膜３２上にＳｎとＺｎを含む鉛フリーはん
だと溶剤、ロジン、活性剤、粘度安定剤等を混合したソ
ルダーペースト３４をスクリーン印刷によりＣｕ膜３２
の上の形成されたプリフラックス膜３３上に形成する。

【００２５】スクリーン印刷によりガラスエポキシ基板
上３０上に形成されたソルダーペースト３４と半導体パ
ッケージ２２に形成されたはんだボール２０をリフロー
炉にて加熱することによりはんだ付けする。リフロー炉
内では予備加熱１５０度約６０秒、本加熱２００度約３
０秒、最高温度は２２０度とした。

【００２６】はんだボール２０の溶融温度がソルダーペ
ースト３４の溶融温度よりも低い温度のはんだボールを
使用すると次のような効果が得られる。すなわちはんだ
ボール２０の溶融温度が低いことより、はんだボールに
接触したＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだはその合金の
融点よりも低い温度で溶融をはじめる。そのためリフロ
ーはんだ付け時に生じた温度ばらつきがあるにもかかわ
らず、はんだ接合に必要な溶融時間を確保できるため安
定した接合信頼性を得ることができる。

【００２７】また、はんだボール中に鉛を含まないため
接合信頼性を損なうことがない。さらにリフロー炉内に
おいてソルダーペーストに使用しているＳｎとＺｎを含
む鉛フリーはんだの酸化は固相線温度を超えて溶融を始
めると急激に増加する。そこでＳｎとＺｎを含む鉛フリ
ーはんだが溶融する前にはんだボール２０が溶融を始め
ることにより、ソルダーペースト３４中のはんだが大気
と接触する時間を少なくし、本加熱で酸化されるＳｎと
Ｚｎを含む鉛フリーはんだの酸化量を減少させることに
よりはんだボールの発生が抑制される効果もある。

【００２８】（実施の形態２）本発明で用いる有機物
は、鉛フリーはんだボール成分と結合が容易な有機物で
あり、ソルダーペーストの溶媒に不溶のものが好まし
く、特にアニオン性のものが好ましい。リフロー後のは
んだ付け部のフラックス残渣の信頼性からフラックスに
含まれている有機物が好ましく、例示すれば、フタル酸
銅、クエン酸銅、特に、ステアリン酸銅が好ましい。

【００２９】上記有機酸銅を溶かす溶媒は、可溶、不溶
等特に制限されるわけではないが、溶媒としての安全
性、有機酸銅形成時のはんだ粉末の乾燥の容易さ、コス
トからエタノール等のアルコール系の溶媒が好ましい。
実施の形態１と同様にはんだ付けを行うのにあたり、Ｂ
ＧＡに搭載されるはんだボールの表面をＢＧＡに搭載す
る前にあらかじめ、有機溶剤に溶融させた有機物、有機
物で被覆することにより、リフロー炉内でのはんだボー
ルの酸化を抑制することができ、安定した接合信頼性を
得ることができる。

【００３０】（実施の形態３）図２は本実施形態による
はんだ付けの方法におけるはんだ付け断面図である。半
導体素子が搭載された回路基板１０とＣｕボール２１を
接続するためＣｕ膜１２上にＮｉ膜１４を形成しさらに
その上にＡｕ膜１６を形成することにより電極１８を形
成する。電極１８と合金膜２３で覆われたＣｕボール２
１を接合するためにはＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ
を含有したソルダーペーストを用い、窒素雰囲気で接合
することが好ましい。

【００３１】このようにしてＣｕボール２１が形成され
た半導体パッケージ２２とガラスエポキシ基板３０とを
はんだ付けするため、ガラスエポキシ基板３０上に形成
されたＣｕ膜３２上にＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ
と溶剤、ロジン、活性剤、粘度安定剤等を混合したソル
ダーペースト３４をスクリーン印刷によりＣｕ膜３２の
上の形成されたプリフラックス膜３３上に形成する。

【００３２】スクリーン印刷によりガラスエポキシ基板
上３０上に形成されたソルダーペースト３４と半導体パ
ッケージ２２に形成されたＣｕボール２１をリフロー炉
にて加熱することによりはんだ付けする。リフロー炉内
では予備加熱１５０度約６０秒、本加熱２００度約３０
秒、最高温度は２２０度とした。

【００３３】Ｃｕボール２１を用いると次のような効果
が得られる。すなわちリフロー炉内においてソルダーペ
ーストに使用しているＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ
とＣｕボールが接合するためには金属間化合物層を形成
する必要がある。金属間化合物の融点はリフロー炉内の
最高温度よりもはるかに高いが上記条件によりリフロー
炉内ではんだ付けしても金属間化合物層は形成される。
この方法ではんだ付けすれば、鉛フリーはんだボールと
して提案されているＳｎ−Ａｇ系ボールを使用するより
も低い温度で接合することがで、電子部品の耐熱保証温
度内で安定した接合信頼性を得ることができる。

【００３４】またＣｕボールの表面をソルダーペースト
３４に含まれるはんだよりも低い温度で溶融する合金膜
２３で覆うことにより、実施の形態１と同様の効果が得
られる。そのため本加熱で酸化されるＳｎとＺｎを含む
鉛フリーはんだの酸化量を減少させることができ、はん
だボールの発生が抑制される。

【００３５】（実施の形態４）実施の形態３と同様には
んだ付けを行うのにあたり、ＢＧＡに搭載されるボール
の表面を有機物で被覆することにより、リフロー炉内で
のＣｕボール２１の表面を覆った合金膜２３の酸化を抑
制することができ、さらにはんだボールの発生が少ない
はんだ付けが可能になり、安定した接合信頼性を得るこ
とができる。

【００３６】（実施の形態５）実施の形態３と同様には
んだ付けを行うのにあたり、ＢＧＡに搭載されるボール
の表面をＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｐｄ膜の順で被覆することに
より、リフロー炉内でソルダーペースト３４に含まれる
ＺｎがＣｕボール２１と接触し加熱されることで生成す
る反応物の発生を抑制し、さらにはんだボールの発生が
少ないはんだ付けが可能になり、安定した接合信頼性を
得ることができる。

【００３７】

【実施例】以下に実施例を説明する。実施例及び比較例
で用いたはんだとＢＧＡはんだボールの組成およびはん
だボール被覆膜の状態は以下のようであった。

【００３８】実施例１ ○はんだ（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○はんだボール被覆膜 なし 実施例２ ○はんだ（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成３） Ｓｎ ８７重量％ Ｚｎ ７重量％ Ｂｉ ６重量％ ○はんだボール被覆膜 なし 実施例３ ○はんだ（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○はんだボール被覆膜 有機物 実施例４ ○はんだ（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成３） Ｓｎ ８７重量％ Ｚｎ ７重量％ Ｂｉ ６重量％ ○はんだボール被覆膜 有機物 実施例５ ○はんだ（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○ＢＧＡボール Ｃｕ １００重量％ ○ＢＧＡボール合金膜（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡボール被覆膜 なし 実施例６ ○はんだ（表１の組成３） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡボール Ｃｕ １００重量％ ○ＢＧＡボール合金膜（表１の組成３） Ｓｎ ８７重量％ Ｚｎ ７重量％ Ｂｉ ６重量％ ○ボール被覆膜なし 実施例７ ○はんだ（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○ＢＧＡボール Ｃｕ １００重量％ ○ＢＧＡボール合金膜（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡボール被覆膜 有機物 実施例８ ○はんだ（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡボール Ｃｕ １００重量％ ○ＢＧＡボール合金膜（表１の組成３） Ｓｎ ８７重量％ Ｚｎ ７重量％ Ｂｉ ６重量％ ○ボール被覆膜有機物 比較例１ ○はんだ（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成１） Ｓｎ ９１重量％ Ｚｎ ９重量％ ○はんだボール被覆膜 なし 比較例２ ○はんだ（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成４） Ｓｎ ９６．５重量％ Ａｇ ３．０重量％ Ｃｕ ０．５重量％ ○はんだボール被覆膜 なし 比較例３ ○はんだ（表１の組成２） Ｓｎ ８９重量％ Ｚｎ ８重量％ Ｂｉ ３重量％ ○ＢＧＡはんだボール（表１の組成５） Ｓｎ ６３重量％ Ｐｂ ３７重量％ ○はんだボール被覆膜 なし 実施例および比較例に用いたはんだ組成と融点を表１に
示す。上記実施例と比較例のはんだを用いてソルダーペ
ーストを作製し、試験基板を試作し、信頼性評価を行
う。

【００３９】

【表１】

【００４０】試験基板は材質がガラスエポキシではんだ
付けするランド部がＣｕめっきであるプリント配線板を
使用し、厚み１５０μｍでエッチングにより開口部を有
するメタルマスクで金属スキージにてソルダーペースト
を印刷する。電子部品は、ボール直径７６０μｍ、１．
２７ｍｍピッチのＢＧＡであり、ソルダーペーストを印
刷したランド部にマウントし、大気熱風リフロー炉を用
いて、はんだ付け部の最高温度が２１０度になるよう設
定しはんだを溶融させ接合する。

【００４１】はんだ付け接合性の評価は、ＢＧＡ搭載基
板は−４０度を３０分、＋１２５度を３０分、これを１
サイクルとする温度サイクル試験を行い、はんだボール
と回路基板の接合部の導通により評価した。またリフロ
ーする時ＢＧＡのボールの周りに発生するボールの数を
数えて行った。評価結果を表２に示す。

【００４２】

【表２】

【００４３】実施例１から８に示すようＢＧＡのはんだ
付け接合部においてはいずれも温度サイクル試験では導
通がなくなることはなく１５００サイクル経過しても問
題がなく接合されている。

【００４４】一方、比較例２のようにはんだの温度より
もＢＧＡ用のはんだボールの溶融温度が高ものはリフロ
ーした直後より導通がなくはんだ付け接合ができていな
いことがわかる。また比較例３のようにＢＧＡ用のはん
だボールを従来使用しているＳｎ−Ｐｂ系で行うと温度
サイクル５００サイクルで導通がなくなってしまう。

【００４５】また、実施例３、４および５、６のように
ＢＧＡのボール表面に有機物を被覆すると温度サイクル
試験では有機物がないものと同等の性能であるが、リフ
ロー時に発生するボールが飛躍的に減少する。このこと
より有機物を被覆することによりボールの発生を抑制し
ていることがわかる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によるはんだ付け
接合を行うことにより、電子部品の耐熱保証温度内では
んだ付け温度を設定することが可能となり、信頼性の高
いはんだ付けが可能となる。

【００４７】また、本発明のはんだ付け方法を用いれば
はんだおよび合金膜中にＰｂを含まないため人や環境に
対して有害でなく安全である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１におけるはんだ付け方法
の要部断面図

【図２】本発明の実施の形態３におけるはんだ付け方法
の要部断面図

【符号の説明】

１０ 回路基板 １２ Ｃｕ膜 １４ Ｎｉ膜 １６ Ａｕ膜 １８ 電極 ２０ はんだボール ２１ Ｃｕボール ２２ 半導体パッケージ ２３ 合金膜 ３０ ガラスエポキシ基板 ３２ Ｃｕ膜 ３３ プリフラックス ３４ ソルダーペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 久彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 BB01 CC36

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 鉛フリーはんだボールを有するＢＧＡ
   （ボールグリッドアレイ）と、ＳｎとＺｎを含む鉛フリ
   ーはんだを用いて回路基板に接合するものであって、前
   記鉛フリーはんだボールの液相線温度が前記ＳｎとＺｎ
   を含む鉛フリーはんだの液相線温度より低いことを特徴
   とするはんだ付け方法。
2. 【請求項２】 鉛フリーはんだボールの固相線温度がＳ
   ｎとＺｎを含む鉛フリーはんだの固相線温度より低いこ
   とを特徴とする請求項１記載のはんだ付け方法。
3. 【請求項３】 鉛フリーはんだボールの液相線温度がＳ
   ｎとＺｎを含む鉛フリーはんだの固相線温度より低いこ
   とを特徴とする請求項１記載のはんだ付け方法。
4. 【請求項４】 鉛フリーはんだボールの表面を有機物で
   覆ったことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
   のはんだ付け方法。
5. 【請求項５】 鉛フリーボールを有するＢＧＡとＳｎと
   Ｚｎを含む鉛フリーはんだを接合する方法におてい、前
   記鉛フリーボールがＣｕであることを特徴とするはんだ
   付け方法。
6. 【請求項６】 Ｃｕボールの表面を鉛フリーはんだより
   も低い温度で溶融する合金膜で覆ったことを特徴とする
   請求項５記載のはんだ付け方法。
7. 【請求項７】 Ｃｕボールの表面をＮｉ膜、Ｐｄ膜、Ａ
   ｕ膜の順に覆ったことを特徴とする請求項５記載のはん
   だ付け方法。
8. 【請求項８】 Ｃｕボールの表面をＮｉ膜、Ａｕ膜の順
   に覆ったことを特徴とする請求項５記載のはんだ付け方
   法。
9. 【請求項９】 鉛フリーボールを有するＢＧＡとＳｎと
   Ｚｎを含む鉛フリーはんだを接合する方法におてい、前
   記鉛フリーボールがＮｉ−Ｆｅ合金であることを特徴と
   するはんだ付け方法。
10. 【請求項１０】 Ｎｉ−Ｆｅ合金ボールの表面を前記鉛
    フリーはんだよりも低い温度で溶融する合金膜で覆った
    ことを特徴とする請求項９記載のはんだ付け方法。
11. 【請求項１１】 鉛フリーボールの表面を有機物で覆っ
    たことを特徴と請求項５〜１０のいずれかに記載のはん
    だ付け方法。