JP2003174351A - 表面波装置及び通信機 - Google Patents

表面波装置及び通信機

Info

Publication number
JP2003174351A
JP2003174351A JP2002229021A JP2002229021A JP2003174351A JP 2003174351 A JP2003174351 A JP 2003174351A JP 2002229021 A JP2002229021 A JP 2002229021A JP 2002229021 A JP2002229021 A JP 2002229021A JP 2003174351 A JP2003174351 A JP 2003174351A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
surface wave
piezoelectric substrate
comb
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002229021A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3744479B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Ito
吉博 伊藤
Michio Kadota
道雄 門田
Koji Fujimoto
耕治 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2002229021A priority Critical patent/JP3744479B2/ja
Priority to DE10244723A priority patent/DE10244723B4/de
Priority to KR10-2002-0058728A priority patent/KR100465975B1/ko
Priority to CNB021440271A priority patent/CN1209888C/zh
Priority to GB0222486A priority patent/GB2381975B/en
Priority to US10/255,968 priority patent/US6847154B2/en
Publication of JP2003174351A publication Critical patent/JP2003174351A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3744479B2 publication Critical patent/JP3744479B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14552Transducers of particular shape or position comprising split fingers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6496Reducing ripple in transfer characteristic
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧電基板を用いたSHタイプの端面反射型表
面波装置において、圧電基板の端面の最適な位置を求め
ると共に当該圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置
を提供する。 【解決手段】 比誘電率ε11 が比較的小さな(例え
ば、比誘電率40以下の)圧電基板12の主面に櫛歯状
電極13、14を形成する。櫛歯状電極13、14のう
ち表面波伝播方向の最外側から数えて2本目の電極指1
3bの中心から圧電基板12の端面12a、12b(表
面波を反射させるための端面)までの距離Lが、 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ただし、λs:表面波の波長 N :0又は正の整数 を満たすように当該端面12a、12bの位置を決め
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は表面波装置及び通信
機に関し、特に、SHタイプの表面波を利用した端面反
射型の表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】圧電基板を伝搬する表面波のうち、変位
が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とするSH
タイプの表面波として、BGS波(圧電表面すべり波)
やラブ波等がある。
【0003】SHタイプの表面波(BGS波)を利用し
た端面反射型の表面波装置としては、例えば昭和51年
春季日本音響学会講演論文集(昭和51年5月発行)
P.351〜352に開示されたものがある。この表面
波装置は、例えば図1に示すような構造を有している。
図1において、符号1は圧電基板を示し、圧電セラミッ
クス材料で形成されている。圧電基板1の上面には、櫛
歯状電極(InterdigitalTransducer)2、3が形成され
ており、両櫛歯状電極2、3は、互い違いに配置された
複数の電極指2a、2b、3a、3b(櫛歯状電極2の
電極指のうち、両端のものを電極指2bとし、それ以外
のものを電極指2aとする。また、櫛歯状電極3の電極
指のうち、両端のものを電極指3bとし、それ以外のも
のを電極指3aとする。)を有している。なお、矢印P
は、圧電基板1の分極方向を表している。この表面波装
置では、櫛歯状電極2、3から交流電圧を印加すること
により、表面波伝播方向Aと垂直な方向の変位のみ、す
なわち横波成分しか有しないBGS波が励振される。
【0004】また、この表面波装置では、BGS波が圧
電基板1の自由端面1a、1b間で完全に反射され、そ
れによって端面1a、1b間で閉じ込められる。すなわ
ち、この表面波装置は、端面反射型の表面波共振子とし
て動作する。レーリー波を利用した従来の表面波共振子
では、櫛歯状電極の側方に反射器を設けておく必要があ
ったのに対し、BGS波を利用した上記表面波装置で
は、このような反射器を省略することができる。よっ
て、従来のレーリー波を利用した表面波共振子と比較し
て、チップサイズを1/10程度と大幅に小型化するこ
とができるという大きな利点を有している。
【0005】」
【発明が解決しようとする課題】図2は表面波伝播方向
と平行な断面における表面波装置の断面図であって、圧
電基板1の端面に接する位置に設けられている電極指3
bを除く各電極指2a、2b、3aの幅はλs/4(λs
は、表面波の波長)となり、各電極指2a、2bの中心
間の距離と各電極指3aの中心間の距離はいずれも波長
λsと等しくなっている。ただし、圧電基板1の端面に
接する位置に設けられている端の電極指3bの幅はλs
/8となっている。従って、この表面波装置では、端か
ら2番目に位置する電極指2bの中心から圧電基板1の
端面1a、1bまでの距離Lは、 L=λs/2 となっている。
【0006】前記文献によれば、端面反射型の表面波装
置においては、端から2番目の電極指2bからの距離L
が表面波の波長λsの半分(つまり、L=λs/2)の位
置に圧電基板1の端面1a、1bを設けるのが最適であ
るとされており、圧電基板1の端面1a、1bの位置が
L=λs/2の位置からずれると、スプリアス振動が発
生し易いと述べられている。
【0007】また、電子情報通信学会 技術報告書(信
学技報)1996年11月 P.41〜48「圧電セラミ
ックスを用いたBGS波共振子とその応用」には、圧電
基板の端面が端から2番目の電極指からL=λs/2の
距離にある表面波装置と、圧電基板の端面がそこからず
れた位置に設けられている表面波装置とを比較して示し
ており、圧電基板の端面が前者の最適位置からずれた場
合には、スプリアス振動が発生することを示している。
【0008】しかし、従来においては、端面反射型の表
面波装置に用いられる圧電基板では、比誘電率の大きな
圧電材料、例えばLiNbOやLiTaO、PZT
などが用いられており、圧電基板の端面の最適位置も比
誘電率が大きな圧電基板を用いた最適位置を意味するも
のでしかなかった。すなわち、比誘電率が小さな圧電基
板を用いた端面反射型の表面波装置については、これま
で圧電基板の端面の最適位置は求められていなかった。
【0009】本発明は、圧電基板、特に比誘電率が比較
的小さな圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置にお
いて、圧電基板の端面の最適な位置を求めると共に、当
該圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置を提供する
ことにある。さらに、その表面波装置を用いた通信機を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる第1の表
面波装置は、圧電基板の主面に櫛歯状電極を形成され、
表面波を反射させるための端面を前記櫛歯状電極の外側
領域において圧電基板に形成され、圧電基板を伝搬する
表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変位
を主体とする表面波装置において、前記櫛歯状電極がシ
ングル電極である場合、その電極指のうち表面波伝播方
向の最外側から数えて2本目の電極指の中心から前記端
面までの距離Lが、次式 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ただし、λs:表面波の波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面を形成したことを特徴として
いる。ここで、シングル電極とは、対向する櫛歯状電極
の電極指どうしが、1本ずつ交互に噛み合うように配列
されたものをいう。
【0011】本発明にかかる第2の表面波装置は、圧電
基板の主面に櫛歯状電極を形成され、表面波を反射させ
るための端面を前記櫛歯状電極の外側領域において圧電
基板に形成され、圧電基板を伝搬する表面波のうち変位
が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とする表面
波装置において、前記櫛歯状電極がマルチ電極である場
合、同電位である電極指対のうち表面波伝播方向の最外
側から数えて2つ目の同電位電極指対を構成する電極指
の中心間の中央から前記端面までの距離Lが、次式 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ただし、λs:表面波の波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
としている。ここで、マルチ電極とは、対向する櫛歯状
電極の電極指どうしが、複数本(2本以上)ずつ交互に
噛み合うように配列されたものをいう。
【0012】本発明にかかる第3の表面波装置は、圧電
基板の主面に櫛歯状電極を形成され、表面波を反射させ
るための端面を前記櫛歯状電極の外側領域において圧電
基板に形成され、圧電基板を伝搬する表面波のうち変位
が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とする表面
波装置において、前記櫛歯状電極が、電極指の幅又は間
隔が一定でないシングル電極である場合、表面波伝播方
向の最外側から数えて2本目の電極指の中心が、表面波
の平均波長λaの1/2に最も近い間隔で並んだ電極指
の中心から端面方向に(λa/2)×M(ただし、Mは
0又は正の正数)ずれた位置に配置され、最外側から数
えて2本目の電極指の中心から前記端面までの距離Lが
次式 (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa ただし、λa:表面波の平均波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
としている。このようなシングル電極の表面波装置にお
いては、最外側の電極指を除いた隣接する電極指どうし
の間隔の平均値が平均波長λaに等しくなっているの
で、シングル電極の表面波装置においては、表面波伝播
方向の最外側から数えて2本目の電極指の中心は、最外
側の電極指を除いた電極指の平均的な周期K(=λa)
の1/2に最も近い部分の電極指の中心間の中央から端
面方向に(K/2)×M(ただし、Mは0又は正の正
数)ずれた位置に配置されているということもできる。
【0013】本発明にかかる第4の表面波装置は、圧電
基板の主面に櫛歯状電極を形成され、表面波を反射させ
るための端面を前記櫛歯状電極の外側領域において圧電
基板に形成され、圧電基板を伝搬する表面波のうち変位
が表面波伝播方向と垂直な方向の変位を主体とする表面
波装置において、前記櫛歯状電極が、電極指の幅又は間
隔が一定でないマルチ電極である場合、表面波伝播方向
の最外側から数えて2つ目の同電位電極指対の中心が、
表面波の平均波長λaの1/2に最も近い間隔で並んだ
電極指対どうしの中心間の中央から端面方向に(λa/
2)×M(ただし、Mは0又は正の正数)ずれた位置に
配置され、最外側から数えて2つ目の同電位電極指対の
中心から前記端面までの距離Lが次式 (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa ただし、λa:表面波の平均波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
としている。ここで、電極指対の中心とは、同電位電極
指対を構成する電極指の中心どうしの中央のことをい
う。このようなダブル電極の表面波装置においては、最
外側の同電位電極指対を除いた隣接する電極指対の中心
どうしの間隔の平均値が平均波長λaに等しくなってい
るので、ダブル電極の表面波装置においては、表面波伝
播方向の最外側から数えて2つ目の同電位電極指対の中
心は、最外側の電極指対を除いた同電位電極指対の中心
間の平均的な周期K(=λa)の1/2に最も近い部分
の電極指対の中心間の中央から端面方向に(K/2)×
M(ただし、Mは0又は正の正数)ずれた位置に配置さ
れているということもできる。
【0014】本発明の第1〜第4の表面波装置は、圧電
基板を伝搬する表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂
直な方向の変位を主体とする、特にBGS波やラブ波な
どのSHタイプの表面波を用いた表面波装置である。圧
電基板としては、比誘電率ε 11 の比較的小さな圧電
基板を用いるのが望ましい。ここで、比誘電率ε11
が比較的小さいとは、端面反射型の表面波装置において
従来より圧電基板に用いられていたLiNbOやLi
TaO、PZTなどの圧電材料よりも比誘電率が小さ
いことを意味している。特に、比較的小さな比誘電率ε
11 の圧電基板としては、比誘電率ε11 が40以
下の圧電材料によって形成された圧電基板が目安とな
る。また、比誘電率ε11 が比較的小さい圧電基板と
しては、具体的には、水晶(例えば、比誘電率ε11
が4.6)又はCaGaGe14型構造を有す
る単結晶又は三方晶構造を有する単結晶からなる圧電基
板を挙げることができ、CaGaGe14型構
造を有する酸化物単結晶としては、例えばランガサイト
(LaGaSiO14)がある。なお、圧電基板に
設けられている表面波反射のための端面は、圧電基板の
外周面によって形成されていてもよく、圧電基板の主面
に設けた溝によって形成されていてもよい。また、表面
波反射のための端面は、圧電基板の両側に形成されてい
てもよく、圧電基板の片側にだけ形成されていてもよ
い。
【0015】
【作用】本発明によれば、圧電基板を用いた端面反射型
の表面波装置においては、表面波反射用の端面の最適な
位置は、シングル電極の場合、櫛歯状電極のうち表面波
伝播方向の最外側から数えて2本目の電極指の中心から
の距離Lが、(N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)
λs[ただし、λsは表面波の波長、N=0、1、2、
…]を満たす位置であることが明らかになった。そし
て、圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置におい
て、表面波反射のための端面をかかる最適位置に設ける
ことにより、リップル(スプリアス振動)がなく、か
つ、インピーダンス比〔共振周波数におけるインピーダ
ンスZrと反共振周波数におけるインピーダンスZaと
の比である山谷比=20Log(Za/Zr)〕の大きな
特性を得ることができた。
【0016】また、ダブル電極の場合には、圧電基板を
用いた端面反射型の表面波装置における表面波反射用の
端面の最適な位置は、同電位である電極指対のうち表面
波伝播方向の最外側から数えて2つ目の同電位電極指対
を構成する電極指の中心間の中央からの距離Lが、(N
+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs[ただし、λs
は表面波の波長、N=0、1、2、…]を満たす位置で
あることが明らかになった。そして、圧電基板を用いた
端面反射型の表面波装置において、表面波反射のための
端面をかかる最適位置に設けることにより、リップル
(スプリアス振動)がなく、かつ、インピーダンス比
〔共振周波数におけるインピーダンスZrと反共振周波
数におけるインピーダンスZaとの比である山谷比=2
0Log(Za/Zr)〕の大きな特性を得ることができ
た。
【0017】また、電極指の幅又は間隔が一定でないシ
ングル電極の場合には、表面波伝播方向の最外側から数
えて2本目の電極指の中心を、λa/2[ただし、λaは
表面波の平均波長]に最も近い間隔で並んだ電極指の中
心間の中央から端面方向に(λa/2)×M[ただし、
M=0、1、2、…]ずれた位置に配置し、しかも、最
外側から数えて2本目の電極指の中心から前記端面まで
の距離Lが、(N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)
λa[ただし、N=0、1、2、…]を満たすよう端面
を形成することにより、リップル(スプリアス振動)が
なく、かつ、インピーダンス比〔共振周波数におけるイ
ンピーダンスZrと反共振周波数におけるインピーダン
スZaとの比である山谷比=20Log(Za/Zr)〕
の大きな特性を得ることができた。
【0018】また、電極指の幅又は間隔が一定でないマ
ルチ電極の場合には、表面波伝播方向の最外側から数え
て2つ目の同電位電極指対の中心を、λa/2[ただ
し、λaは表面波の平均波長]に最も近い間隔で並んだ
電極指対どうしの中心間の中央から端面方向に(λa/
2)×M[ただし、M=0、1、2、…]ずれた位置に
配置し、しかも、最外側から数えて2つ目の同電位電極
指対の中心から前記端面までの距離Lが、(N+5/
8)λa≦L≦(N+7/8)λa[ただし、N=0、
1、2、…]を満たすように端面を形成することによ
り、リップル(スプリアス振動)がなく、かつ、インピ
ーダンス比〔共振周波数におけるインピーダンスZrと
反共振周波数におけるインピーダンスZaとの比である
山谷比=20Log(Za/Zr)〕の大きな特性を得る
ことができた。
【0019】また、本発明にかかる表面波装置は、通信
機に用いるのに適している。
【0020】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図3は本発明
の一実施形態によるシングル電極の表面波装置の斜視図
である。この端面反射型表面波装置11にあっては、圧
電基板12の一方主面上に一対の櫛歯状電極13、14
が形成されている。両櫛歯状電極13、14は、蒸着等
の方法によって圧電基板12の主面に形成されパターニ
ングされており、それぞれ交互に噛み合った複数の電極
指13a、13b、14a、14b(櫛歯状電極13の
電極指のうち、両端のものを電極指13bとし、それ以
外のものを電極指13aとする。また、櫛歯状電極14
の電極指のうち、両端のものを電極指14bとし、それ
以外のものを電極指14aとする。)を備えている。圧
電基板12は、比誘電率ε11 が比較的小さい水晶や
ランガサイトによって形成されており、表面波を反射さ
せるための端面12a、12bが形成されている。
【0021】この表面波装置11にあっても、櫛歯状電
極13、14から交流の入力電圧を印加すると、SHタ
イプの表面波が励振され、励振されたSH波が前記端面
12a、12b間を結ぶ方向(表面波伝播方向A)に伝
搬する。このSH波は端面12a、12b間で反射され
て閉じ込められ、定在波が端面12a、12b間に発生
することにより、SH波を利用した端面反射型共振子と
して動作させることができる。
【0022】この表面波装置11においては、図4
(a)に示すように、櫛歯状電極13、14の各電極指
13a、13b、14a、14bの幅はλs/4(λs
は、表面波の波長)となっており、各電極指13a、1
3b、14a、14b間の距離もλs/4となってい
る。さらに、図4(a)に示すように、櫛歯状電極1
3、14のうち表面波伝播方向Aの最外側から数えて2
本目の電極指13bの中心から前記端面12a、12b
までの距離Lは、次の(1)式を満たしている。 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs …(1) ここで、λsは表面波の波長であり、N=0、1、2、
…(非負整数)である。さらに、端の電極指14bと端
面12a、12bとの間には、電極がなく圧電基板12
の露出した領域15が形成されている。なお、左右の2
番目の電極指13bから端面12a、12bまでの距離
は、等しくなくてもよい(つまり、同じNの値をとらな
くてもよい。)
【0023】図4(b)は距離L=λsの場合を表して
おり、端の電極指14bと端面12a、12bとの間に
は、電極のない領域15がかなり広く形成されている。
これに対して、図4(a)は、距離Lがλs/2よりも
若干大きな場合を表している。
【0024】図5は、端から2番目の電極指の中心から
表面波反射用の端面までの距離Lに対するインピーダン
ス比〔共振点のインピーダンスZrと反共振点のインピ
ーダンスZaの比20log(Za/Zr)〕の変化を測
定した結果を示す図であって、実線は比誘電率が比較的
小さい圧電基板を用いた本発明の場合を示し、破線は非
誘電率が比較的大きい従来例の場合を示している。従来
例の場合には、距離Lがλs/2の時に最大値となって
いるのに対し、本発明の表面波装置11の場合には、次
の(2)式に示す範囲で、インピーダンス比が最大値を
有している。 (5/8)λs≦L≦(7/8)λs …(2) 圧電基板12の端面12a、12bが表面波の波長λs
だけずれた位置でも振動の位相や振動状態は同じである
から、上記(2)式は、前記(1)式のように一般化す
ることができる(その一部は、図5から確認できる)。
【0025】また、図6は比誘電率が比較的小さい圧電
基板12を用いた表面波装置において、表面波伝播方向
Aの最外側から数えて2本目の電極指13bの中心から
圧電基板12の端面12a、12bまでの距離Lを(3
/4)λsとし、周波数(図6の横軸では、共振周波数
が1となるように正規化している。)を変化させたとき
のインピーダンスの大きさと位相を表している。この圧
電基板12では、従来例にある最適端面位置L=λs/
2から大きくずれた位置に端面12a、12bを形成し
ているにもかかわらず、リップルやスプリアス振動がな
く、かつインピーダンス比〔20Log(Za/Zr)〕
の大きな特性が得られている。
【0026】なお、水晶と同じく比誘電率が小さい圧電
基板として、ランガサイトを用いた場合にも、図5及び
図6と同様な結果が得られた。
【0027】よって、比誘電率ε11 が比較的小さい
圧電基板を用いたシングル電極の表面波装置では、電極
指のうち表面波伝播方向の最外側から数えて2本目の電
極指の中心から圧電基板の端面までの距離Lを、 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs が満足されるように決めることにより、リップル(スプ
リアス振動)がなく、かつ、従来の端面の距離にて得る
ことのできるインピーダンス比の最大値よりも大きなイ
ンピーダンス比を有する特性を得ることができる。この
結果、応答レベルが大きく、安定した発振状態を実現す
ることができる良好なSH波を利用した端面反射型の表
面波共振子を実現することができる。
【0028】(第2の実施形態)図7は、本発明の別な
実施形態であって、端面反射型の縦結合共振子型フィル
タ(表面波装置)21の平面図を示している。この端面
反射型の縦結合共振子型フィルタ21の例を図7に示
す。この端面反射型の縦結合共振子型フィルタ21にあ
っては、2つの櫛歯状電極13、14を組み合わせた表
面波共振子22、23が1組、圧電基板12の一方主面
上に横列配置されている。圧電基板12の、表面波伝播
方向Aに位置する両側端面は、表面波を反射させるため
の端面12a、12bとなっている。
【0029】この縦結合共振子型フィルタ21にあって
は、一方の表面波共振子22の櫛歯状電極13、14間
に入力電圧を印加すると、SHタイプの表面波が励振さ
れ、励振されたSH波が前記端面12a、12b間を結
ぶ方向に伝搬する。この表面波は端面12a、12b間
で反射され、さらに表面波の基本波と高次モードの波と
が結合して定在波が端面12a、12b間に発生する。
この定在波に基づく出力は、他方の表面波共振子23の
櫛歯状電極13、14間から取り出され、SH波を利用
した縦結合共振子型フィルタ21として動作させること
ができる。
【0030】この縦結合共振子型フィルタ21に対して
は、表面波伝播方向の最外側から数えて2本目の電極指
13bの中心から表面波反射用の端面12a、12bま
での距離Lが、 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs の条件を満たすように、前記端面12a、12bの位置
を設計している。この結果、共振周波数でのインピーダ
ンスが小さくなり、リップルがなくなるため、縦結合共
振子型フィルタ21の挿入損失が低減し、通過帯域内特
性の平坦性が向上する。また、通過帯域の切れも良好と
なる。
【0031】また、この実施形態では、端面反射型の表
面波装置として、縦結合共振子型フィルタを説明した
が、これに限るものではなく、横結合共振子型フィル
タ、ラダー型フィルタ等でもよい。
【0032】なお、上記各実施形態では、各電極指の幅
をλs/4として説明したが、これに限るものではな
い。また、最外側の電極指の幅についてもλs/4とし
て説明したが、これに限るものではない。
【0033】(第3の実施形態)図8(a)(b)は本
発明のさらに別な実施形態による表面波装置の平面図及
び断面図である。この表面波装置は、マルチ電極(図8
ではダブル電極となっている。)の櫛歯状電極を有する
ものであって、マルチ電極とは、同一櫛歯状電極におい
て隣接する複数本の電極指によって電極指対を構成し、
対向する櫛歯状電極の電極指対どうしが交互に噛み合う
ように配列されたものである。この端面反射型表面波装
置24にあっては、圧電基板12の一方主面上に一対の
櫛歯状電極13、14が形成されており、櫛歯状電極1
3にあっては隣接する複数本(図8では2本)の電極指
13a、13bが同電位の電極指対を構成し(マルチ電
極の場合には、櫛歯状電極13の電極指のうち、両端の
電極指対を構成するものを電極指13bとし、それ以外
の電極指対を構成するものを電極指13aとする。)、
櫛歯状電極14にあっては隣接する複数本(図8では2
本)の電極指14a、14bが同電位の電極指対を構成
しており(マルチ電極の場合には、櫛歯状電極14の電
極指のうち、両端の電極指対を構成するものを電極指1
4bとし、それ以外の電極指対を構成するものを電極指
14aとする。)、櫛歯状電極13の電極指対を構成す
る複数の電極指13a、13bと櫛歯状電極14の電極
指対を構成する複数の電極指14a、14bとが交互に
配列されている。この場合も圧電基板12は、比誘電率
ε11 が比較的小さい水晶やランガサイトによって形
成されており、表面波を反射させるための端面12a、
12bが形成されている。
【0034】この表面波装置24においては、図8
(a)(b)に示すように、櫛歯状電極13、14の各
電極指13a、13b、14a、14bの幅はλs/4
(λsは、表面波の波長)よりも短くなっており、櫛歯
状電極13の隣り合う電極指対の中心間の距離や櫛歯状
電極14の隣り合う電極指対の中心間の距離は、いずれ
もλsとなっている。さらに、図8(a)(b)に示す
ように、櫛歯状電極13、14の電極指対のうち、表面
波伝播方向Aの最外側から数えて2つ目の電極指対を構
成する電極指13b、13bの中心間の中央から前記端
面12a、12bまでの距離Lは、次式を満たしてい
る。 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ここで、λsは表面波の波長であり、N=0、1、2、
…(非負整数)である。
【0035】よって、比誘電率ε11 が比較的小さい
圧電基板を用いたマルチ電極の表面波装置では、同電位
である電極指対のうち表面波伝播方向の最外側から数え
て2つ目の同電位電極指対を構成する電極指の中心間の
中央から前記端面までの距離Lを、 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs が満足されるように決めることにより、リップル(スプ
リアス振動)がなく、かつ、従来の端面の距離にて得る
ことのできるインピーダンス比の最大値よりも大きなイ
ンピーダンス比を有する特性を得ることができる。この
結果、応答レベルが大きく、安定した発振状態を実現す
ることができる良好なSH波を利用した端面反射型の表
面波共振子を実現することができる。
【0036】(第4の実施形態)図9は本発明のさらに
別な実施形態による表面波装置25を示す平面図であ
る。この実施形態は、電極指の幅又は間隔が一定でない
シングル電極からなる櫛歯状電極13、14を備えたも
のである。図9に示すように、櫛歯状電極14におけ
る、最外側の電極指14bをのぞく電極指14aの中心
間の距離をλ11、λ12、…、λ1iとし、櫛歯状電極13
における電極指13a、13b、13cの中心間の距離
をλ21、λ22、…、λ2jとするとき、これらの電極指間
距離の平均値λaは、次の(3)式で表される。このタ
イプの表面波装置25においては、この電極指間距離の
平均値λaは、一般にその表面波の平均波長に等しくな
るように設計されている。
【0037】
【数1】
【0038】また、櫛歯状電極13の電極指13a、1
3b、13c間の各距離と櫛歯状電極14の電極指14
a間の各距離とのうちで、平均値λaに最も近い距離を
隔てている一組の電極指を、例えば図9に示すように電
極指13c、13cであるとする。
【0039】この表面波装置25においては、最外側か
ら2番目に位置する左右の電極指13b、13bの中心
から平均距離に近い電極指13c、13cの中心間の中
央までの距離が、それぞれ λa/2×M1 (M1=0、1、2、…) λa/2×M2 (M2=0、1、2、…) となるように、2番目の電極指13b、13bの中心の
位置を定めている。
【0040】さらには、最外側から数えて2本目に位置
する左右の電極指13b、13bの中心から圧電基板1
2の端面12a、12bまでの距離Lが、いずれも (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa を満たすように、端面12a、12bの位置を定めてい
る。ただし、前記のように、左右の電極指13bの中心
と端面12a、12bとの距離で、Nの値は等しくなく
てもよい。
【0041】このような条件により、共振周波数でのイ
ンピーダンスが小さくなり、リップルがなくなるため、
ランダムな寸法のシングル電極を有する表面波装置にお
ける挿入損失を低減させることができ、通過帯域内特性
の平坦性が向上する。また、通過帯域の切れも良好とな
る。
【0042】(第5の実施形態)図10は本発明のさら
に別な実施形態による表面波装置26を示す平面図であ
る。この実施形態は、電極指の幅又は間隔が一定でない
マルチ電極(図10では、ダブル電極の場合を表してい
る。)からなる櫛歯状電極13、14を備えたものであ
る。図10に示すように、櫛歯状電極14における、最
外側の電極指対14bをのぞく電極指対14a、14c
の中心(各電極指対を構成する電極指14a、14cの
中心間の中央)間の距離をλ11、λ12、…、λ1iとし、
櫛歯状電極13における電極指対13a、13b、13
cの中心(各電極指対を構成する電極指13a、13
b、13cの中心間の中央)間の距離をλ21、λ22、
…、λ2jとするとき、これらの電極指対間距離の平均値
λaは、次の(4)式で表される。このタイプの表面波
装置26においては、この電極指対間距離の平均値λa
は、一般にその表面波の平均波長に等しくなるように設
計されている。
【0043】
【数2】
【0044】また、櫛歯状電極13の電極指対13a、
13b、13c間の各距離と櫛歯状電極14の電極指対
14a、14c間の各距離とのうちで、平均値λaに最
も近い距離を隔てている一組の電極指対を、例えば図1
0に示すように電極指14c、14cであるとする。
【0045】この表面波装置26においては、最外側か
ら2番目に位置する左右の電極指対13b、13bの中
心から平均距離に近い電極指14c、14cの中心間の
中央までの距離が、それぞれ λa/2×M1 (M1=0、1、2、…) λa/2×M2 (M2=0、1、2、…) となるように、2番目の電極指対13b、13bの中心
の位置を定めている。
【0046】さらには、最外側から数えて2本目に位置
する左右の電極指対13b、13bの中心から圧電基板
12の端面12a、12bまでの距離Lが、いずれも (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa を満たすように、端面12a、12bの位置を定めてい
る。この場合も、左右の電極指対13bの中心と端面1
2a、12bとの距離で、Nの値は等しくなくてもよ
い。
【0047】このような条件により、共振周波数でのイ
ンピーダンスが小さくなり、リップルがなくなるため、
ランダムな寸法のマルチ電極を有する表面波装置におけ
る挿入損失を低減させることができ、通過帯域内特性の
平坦性が向上する。また、通過帯域の切れも良好とな
る。
【0048】(第6の実施形態)本発明の表面波装置
は、携帯電話や無線通信機などの受信装置(受信段)と
して用いることができる。例えば、図8は本発明にかか
る表面波装置をRF段用フィルタ33及びIF段用フィ
ルタ35として用いた受信装置のブロック図である。こ
の受信装置31では、受信用のアンテナ32にRF段用
フィルタ33、ミキサー34、IF段用フィルタ35、
ミキサー36及び増幅器(IC)37を接続し、ミキサ
ー34、36にそれぞれVCO(電圧制御発振器)3
8、39を接続して構成されている。
【0049】
【発明の効果】本発明の端面反射型の表面波装置によれ
ば、圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置におい
て、リップル(スプリアス振動)がなく、かつ、インピ
ーダンス比の大きな特性を得ることができる。この結
果、応答レベルが大きく、安定した発振状態を実現する
ことができる良好な端面反射型の表面波装置や、挿入損
失が小さく、通過帯域の平坦性の良好な端面反射型の表
面波装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来例の表面波装置を示す斜視図である。
【図2】表面波伝播方向と平行な断面における、図1の
表面波装置の断面図である。
【図3】本発明の一実施形態による表面波装置の斜視図
である。
【図4】同上の表面波装置の表面波伝播方向と平行な断
面を示す断面図であって、(a)(b)は最外側から数
えて2番目の電極指の中心から端面までの距離の異なる
表面波装置の断面図を表している。
【図5】最外側から数えて2番目の電極指の中心から表
面波反射用の端面までの距離Lに対するインピーダンス
比の変化を測定した結果を示す図である。
【図6】比誘電率が比較的小さい圧電基板を用いた表面
波装置において、表面波伝播方向の最外側から数えて2
本目の電極指の中心から圧電基板の端面までの距離Lを
3λs/4とし、周波数を変化させたときのインピーダ
ンスの大きさと位相の変化を示す図である。
【図7】本発明の別な実施形態であって、端面反射型の
縦結合共振子型フィルタの平面図である。
【図8】(a)(b)は、本発明のさらに別な実施形態
による表面波装置の平面図及び断面図である。
【図9】本発明のさらに別な実施形態による表面波装置
の平面図である。
【図10】本発明のさらに別な実施形態による表面波装
置の平面図である。
【図11】本発明にかかる表面波装置を用いた受信装置
のブロック図である。
【符号の説明】
11 表面波装置 12 圧電基板 12a、12b 表面波反射用の端面 13、14 櫛歯状電極 13a、13b、14a、14b 電極指 21 縦結合共振子型フィルタ 22 表面波共振子 23 表面波共振子
フロントページの続き (72)発明者 藤本 耕治 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J097 AA01 AA11 AA15 BB11 DD05 DD08 DD09 EE08 FF01 GG02 KK01 KK03 KK09

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電基板の主面に櫛歯状電極を形成さ
    れ、表面波を反射させるための端面を前記櫛歯状電極の
    外側領域において圧電基板に形成され、圧電基板を伝播
    する表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂直な方向の
    変位を主体とする表面波装置において、 前記櫛歯状電極がシングル電極である場合、その電極指
    のうち表面波伝播方向の最外側から数えて2本目の電極
    指の中心から前記端面までの距離Lが、次式 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ただし、λs:表面波の波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
    とする表面波装置。
  2. 【請求項2】 圧電基板の主面に櫛歯状電極を形成さ
    れ、表面波を反射させるための端面を前記櫛歯状電極の
    外側領域において圧電基板に形成され、圧電基板を伝搬
    する表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂直な方向の
    変位を主体とする表面波装置において、 前記櫛歯状電極がマルチ電極である場合、同電位である
    電極指対のうち表面波伝播方向の最外側から数えて2つ
    目の同電位電極指対を構成する電極指の中心間の中央か
    ら前記端面までの距離Lが、次式 (N+5/8)λs≦L≦(N+7/8)λs ただし、λs:表面波の波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
    とする表面波装置。
  3. 【請求項3】 圧電基板の主面に櫛歯状電極を形成さ
    れ、表面波を反射させるための端面を前記櫛歯状電極の
    外側領域において圧電基板に形成され、圧電基板を伝搬
    する表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂直な方向の
    変位を主体とする表面波装置において、 前記櫛歯状電極が、電極指の幅又は間隔が一定でないシ
    ングル電極である場合、表面波伝播方向の最外側から数
    えて2本目の電極指の中心が、表面波の平均波長λaの
    1/2に最も近い間隔で並んだ電極指の中心から端面方
    向に(λa/2)×M(ただし、Mは0又は正の正数)
    ずれた位置に配置され、最外側から数えて2本目の電極
    指の中心から前記端面までの距離Lが次式 (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa ただし、λa:表面波の平均波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
    とする表面波装置。
  4. 【請求項4】 圧電基板の主面に櫛歯状電極を形成さ
    れ、表面波を反射させるための端面を前記櫛歯状電極の
    外側領域において圧電基板に形成され、圧電基板を伝搬
    する表面波のうち変位が表面波伝播方向と垂直な方向の
    変位を主体とする表面波装置において、 前記櫛歯状電極が、電極指の幅又は間隔が一定でないマ
    ルチ電極である場合、表面波伝播方向の最外側から数え
    て2つ目の同電位電極指対の中心が、表面波の平均波長
    λaの1/2に最も近い間隔で並んだ電極指対どうしの
    中心間の中央から端面方向に(λa/2)×M(ただ
    し、Mは0又は正の正数)ずれた位置に配置され、最外
    側から数えて2つ目の同電位電極指対の中心から前記端
    面までの距離Lが次式 (N+5/8)λa≦L≦(N+7/8)λa ただし、λa:表面波の平均波長 N :0又は正の整数 を満たすように、前記端面が形成されていることを特徴
    とする表面波装置。
  5. 【請求項5】 前記圧電基板は、比誘電率ε11 が4
    0以下の圧電材料によって形成されていることを特徴と
    する、請求項1、2、3又は4に記載の表面波装置。
  6. 【請求項6】 前記圧電基板は、水晶あるいはCa
    Ge14型構造を有する単結晶あるいは三方晶
    構造を有する単結晶からなることを特徴とする、請求項
    1、2、3、4又は5に記載の表面波装置。
  7. 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5又は6に記載
    した表面波装置を用いて構成された通信機。
JP2002229021A 2001-09-28 2002-08-06 表面波装置及び通信機 Expired - Fee Related JP3744479B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002229021A JP3744479B2 (ja) 2001-09-28 2002-08-06 表面波装置及び通信機
DE10244723A DE10244723B4 (de) 2001-09-28 2002-09-25 Oberflächenwellenbauelement und Kommunikationsvorrichtung
KR10-2002-0058728A KR100465975B1 (ko) 2001-09-28 2002-09-27 표면파 장치 및 통신기
CNB021440271A CN1209888C (zh) 2001-09-28 2002-09-27 表面波装置及通信机
GB0222486A GB2381975B (en) 2001-09-28 2002-09-27 Surface acoustic wave device and communication device.
US10/255,968 US6847154B2 (en) 2001-09-28 2002-09-27 Surface acoustic wave device and communication device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001302365 2001-09-28
JP2001-302365 2001-09-28
JP2002229021A JP3744479B2 (ja) 2001-09-28 2002-08-06 表面波装置及び通信機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003174351A true JP2003174351A (ja) 2003-06-20
JP3744479B2 JP3744479B2 (ja) 2006-02-08

Family

ID=26623359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002229021A Expired - Fee Related JP3744479B2 (ja) 2001-09-28 2002-08-06 表面波装置及び通信機

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6847154B2 (ja)
JP (1) JP3744479B2 (ja)
KR (1) KR100465975B1 (ja)
CN (1) CN1209888C (ja)
DE (1) DE10244723B4 (ja)
GB (1) GB2381975B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006043604A1 (ja) * 2004-10-19 2006-04-27 National University Corporation Saitama University 弾性表面波励振装置
WO2010125940A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2011124638A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Kyocera Kinseki Corp 弾性表面波共振子

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1453199B1 (en) * 2001-10-09 2012-05-09 Toppan Printing Co., Ltd. Surface acoustic wave element, electric signal processing apparatus using the surface acoustic wave element, and environment evaluation apparatus using the electric signal processing apparatus
US9728653B2 (en) * 2013-07-22 2017-08-08 Infineon Technologies Ag MEMS device
IT201700057086A1 (it) * 2017-05-25 2018-11-25 St Microelectronics Srl Risonatore microelettromeccanico con migliorate caratteristiche elettriche

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3196499B2 (ja) * 1994-05-30 2001-08-06 株式会社村田製作所 表面波共振子
JP3731611B2 (ja) * 1995-03-10 2006-01-05 株式会社村田製作所 表面波デバイス
JP3106912B2 (ja) * 1995-06-30 2000-11-06 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置の製造方法
JP3285469B2 (ja) * 1995-07-11 2002-05-27 株式会社日立製作所 弾性表面波装置
JP3526125B2 (ja) * 1996-03-15 2004-05-10 株式会社村田製作所 表面波共振子
JPH1084245A (ja) * 1996-09-10 1998-03-31 Hitachi Ltd 弾性表面波素子
JP3233087B2 (ja) * 1997-01-20 2001-11-26 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3339350B2 (ja) * 1997-02-20 2002-10-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3341699B2 (ja) * 1999-02-18 2002-11-05 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置
JP3397195B2 (ja) * 2000-02-28 2003-04-14 株式会社村田製作所 端面反射型表面波フィルタ
JP2001308675A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Murata Mfg Co Ltd 表面波フィルタ及び共用器、通信機装置
US6455986B2 (en) * 2000-05-03 2002-09-24 Crystal Photonics, Incorporated Electronic device including langasite structure compound and method for making such devices
US6873226B2 (en) * 2001-03-19 2005-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Edge-reflection surface acoustic wave filter

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006043604A1 (ja) * 2004-10-19 2006-04-27 National University Corporation Saitama University 弾性表面波励振装置
US7375454B2 (en) * 2004-10-19 2008-05-20 National University Corporation Saitama University Surface acoustic wave excitation device
JPWO2006043604A1 (ja) * 2004-10-19 2008-05-22 国立大学法人埼玉大学 弾性表面波励振装置
JP4682333B2 (ja) * 2004-10-19 2011-05-11 国立大学法人埼玉大学 弾性表面波励振装置
WO2010125940A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP2011124638A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Kyocera Kinseki Corp 弾性表面波共振子

Also Published As

Publication number Publication date
KR100465975B1 (ko) 2005-01-13
CN1209888C (zh) 2005-07-06
DE10244723B4 (de) 2008-08-21
DE10244723A1 (de) 2003-04-24
GB2381975B (en) 2003-12-31
US6847154B2 (en) 2005-01-25
GB2381975A8 (en) 2004-10-08
KR20030027794A (ko) 2003-04-07
CN1411170A (zh) 2003-04-16
GB0222486D0 (en) 2002-11-06
GB2381975A (en) 2003-05-14
JP3744479B2 (ja) 2006-02-08
US20030071540A1 (en) 2003-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3886504A (en) Acoustic surface wave resonator devices
US7135805B2 (en) Surface acoustic wave transducer
US6346864B1 (en) Saw resonator filter and duplexer utilizing SH waves, substrate edge reflection, and sub-interdigital transducer portions
EP0854571A2 (en) Surface acoustic wave filter
JP5046961B2 (ja) 高周波弾性波装置
KR100317162B1 (ko) 횡결합 공진자형 표면파 필터 및 종결합 공진자형 표면파필터
JPH0969751A (ja) 弾性表面波フィルタ
CN116803003A (zh) 弹性波装置
US11606079B2 (en) Transducer structure for source suppression in saw filter devices
JP2000183681A (ja) 弾性表面波装置
JP2003174351A (ja) 表面波装置及び通信機
CN116232270A (zh) 一种高频多层膜声表面波谐振器
KR0175201B1 (ko) 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법
WO2000067374A1 (fr) Filtre saw transversal en mode double
JP3379383B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3397195B2 (ja) 端面反射型表面波フィルタ
CN101796725B (zh) 弹性边界波器件以及使用该弹性边界波器件的通信器
WO2023171715A1 (ja) 弾性波装置、分波器、通信装置および弾性波装置の製造方法
JP2002223143A (ja) 弾性表面波装置
WO2024257840A1 (ja) 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置
CN121002774A (zh) 弹性波共振子和通信装置
JP2005303518A (ja) 弾性表面波フィルタ
JPH09331226A (ja) 多電極型弾性表面波装置
JP2002271172A (ja) 弾性表面波デバイス
JPH07122962A (ja) 表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051101

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081202

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees