JP2003175677A

JP2003175677A - 光学記録媒体および光学記録方法

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Publication number: JP2003175677A
Application number: JP2002286354A
Authority: JP
Inventors: Takashi Miyazawa; 隆司宮沢; Shuichi Maeda; 修一前田; Tetsuo Murayama; 徹郎村山
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2001-10-02
Filing date: 2002-09-30
Publication date: 2003-06-24
Anticipated expiration: 2022-09-30
Also published as: JP4120340B2

Abstract

(57)【要約】【課題】短波長のレーザー光にて好適に記録再生
可能な光学記録媒体を提供する。【解決手段】基板上にレーザーによる情報の記録又は
再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体におい
て、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有し
かつ下記一般式（１）で示される化合物を含有すること
を特徴とする光学記録媒体。（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていて
もよい芳香族環を表し、Ｒ₁ないしＲ₄は各々独立に水素
原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。またＲ
₁ないしＲ₄から選ばれる２以上が結合して環を形成して
いてもよく、Ｒ ₁ないしＲ₄が各々独立に、環Ａまたは環
Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成し
ていてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を
表し、１≦ｎ＋ｍ≦４である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機色素を記録層
に用いた追記型光学記録媒体および光学記録方法に係わ
るものであり、詳しくは青色レーザー対応の追記型光学
記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長７
８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用い
た高密度の記録再生可能な光学記録媒体が求められてい
る。従来提案されている光学記録媒体としては、光磁気
記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒
体、有機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で有
機色素系光記録媒体は、比較的に安価で且つ容易に製造
できるという点で優位性を有するものと考えられてい
る。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプのＣ
Ｄ−Ｒが量産化され広く知られているが、このＣＤ−Ｒ
の記録再生に使用されるレーザーよりもさらに短波長
の、赤色半導体レーザーで記録再生する高密度の有機色
素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化さ
れている。

【０００４】しかし青色半導体レーザーなどの、より短
波長のレーザー発振が現実的になるに従い、これを用い
た記録再生が可能な光学記録媒体の必要性が高まりつつ
ある。

【０００５】

【特許文献１】特開２００１−１５８８６２号公報

【特許文献２】特開２００１−１８１５２４号公報

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】一般に、ＣＤ−Ｒ或い
はＤＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、い
わゆる青色半導体レーザーで記録再生するには反射率が
低く、記録や再生ができないという問題を有している。
本発明は、青色半導体レーザーによって記録および再生
が可能な有機色素系光学記録媒体を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは青色半導体
レーザー、特に波長４２０ｎｍ以下という、比較的短波
長の青色レーザー光に高い感受性を有する有機色素につ
いて種々検討した結果、２つの芳香族環をエチレン基や
カルボニル基などで結合した、特定構造の化合物を、青
色半導体レーザーに対応する光学記録媒体の記録層に使
用し得ることを知得し本発明に到達した。

【０００８】すなわち本発明の要旨は、基板上にレーザ
ーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられ
た光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ
以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（１）で示される
化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体に存す
る。該レーザーの波長は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであ
ることが好ましい。より好ましくは３５０ｎｍ〜４３０
ｎｍである。

【０００９】

【化５】

【００１０】（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置
換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ₁ないしＲ₄は各
々独立に水素原子、置換されていてもよいアルキル基を
表す。またＲ₁ないしＲ₄から選ばれる２以上が結合して
環を形成していてもよく、Ｒ ₁ないしＲ₄が各々独立に、
環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合す
る環を形成していてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０
〜２の整数を表し、１≦ｎ＋ｍ≦４である。）

【００１１】

【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明で使用される化合物は、４２０ｎｍの青色光
領域に吸収極大を有し、青色レーザーでの記録に適する
色素である。青色半導体レーザーに対応した記録媒体を
設計するにあたり、既存のＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒにおけ
る色素開発と同様に、色素の吸収スペクトルピークの長
波長側の裾となる領域を、レーザーの発振波長に合わせ
ることにより反射率を向上させる場合には、使用される
レーザーより短波長側に吸収極大を持つ色素が必要とさ
れる。使用するレーザーの発振波長（中心波長）に対応
する、色素の吸収極大波長の好ましい範囲は、スペクト
ルの形状、吸収極大波長における吸光度の値などにより
変化するが、およそ発振波長より１０〜９０ｎｍ程度短
波長側にあたる場合が好ましい。

【００１２】例えば日亜化学により開発され実用化が間
近とされる、発振波長４０５ｎｍの青色半導体レーザー
に対応する光学記録媒体用色素としては、吸収極大波長
が３１５〜３９５ｎｍ程度の範囲にあることが望まし
い。また吸収極大は第２吸収帯等でも良いが、最大吸収
波長である方が好ましい。かかる色素のうち、本発明の
光学記録媒体に用いる色素としては、下記一般式（１）
によって示される色素が挙げられる。

【００１３】

【化６】

【００１４】（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に芳香
族環を表し、Ｒ₁ないしＲ₄は各々独立に水素原子、置換
されてもよいアルキル基を表す。またＲ₁ないしＲ₄から
選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ
₁ないしＲ₄が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原
子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。
ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を表し、１≦ｎ＋
ｍ≦４である。）説明の便宜上、本発明に係る化合物を示す前記一般式
（１）において、環Ａ、環Ｂをベンゼン環（以下の説明
でも同様に仮定）で表すと、

【００１５】

【化７】

【００１６】と表される。ここでｎ、ｍは、不飽和結合
の数であり、各々独立に０〜２の整数を表して、１≦ｎ
＋ｍ≦４である。ここでＲ₁ないしＲ₄が、各々独立に水
素原子または置換されていてもよいアルキル基である
（つまり、環の形成に携わっていない）場合、一般式
（１）が示す構造としては、以下に示すような各種の直
鎖状構造が挙げられる。（以下、ｎまたはｍ＝２の場
合、カルボニルに近い方の不飽和結合からのびる結合を
Ｒ、環ＡまたはＢに近い方の不飽和結合から伸びる結合
をＲ’とする。）

【００１７】

【化８】

【００１８】ｎ＋ｍの好ましい値は、環Ａ、Ｂの構造、
環の有する置換基の種類にもよるが、好ましくは１〜３
であり、特に好ましくは１〜２である。Ｒ₁ないしＲ
₄は、環の形成に携わっていない場合、水素原子または
置換されてもよいアルキル基である。中でも好ましく
は、水素原子または直鎖状のアルキル基であり、さらに
好ましくは、水素原子または無置換の直鎖状の炭素数１
〜３のアルキル基である。

【００１９】Ｒ₁ないしＲ₄は、２つ以上が互いに結合し
て環を形成していてもよく、例えばｎ＝１、ｍ＝１の場
合、下記に示されるような結合の様式などが挙げられ
る。

【００２０】

【化９】

【００２１】またｎ、ｍ＝２の場合、例えば以下のよう
に表される結合の様式などが挙げられる。

【００２２】

【化１０】

【００２３】結合の組み合わせは複数考えられるが、環
状構造の安定性、合成方法、立体障害等を考えると、カ
ルボニル基のα位同士の結合したもの、またはα位とβ
位が結合したものが好ましく、特に好ましくはカルボニ
ル基のα位同士で結合したもの、すなわち下記一般式
（３）で表される化合物である。

【００２４】

【化１１】

【００２５】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけ
ると同義であり、Ｒ₁′、Ｒ₁″、Ｒ₂′、Ｒ₃′、Ｒ₄′
およびＲ₄″は、各々独立に、水素原子または置換され
てもよいアルキル基を表す。環Ａ２は置換されていても
よい炭化水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１、ｋ＝
ｎ−１である。）前記のようなＲ₁ないしＲ₄が互いに結合して環状構造を
形成する際には、点線で示された結合は、２つのＲが形
成する環状構造を表す。点線部とカルボニル基の炭素原
子、不飽和結合を有する炭素原子が形成する環状構造と
して好ましい構造は、５〜７員環構造である。このとき
点線の部分においては不飽和結合を有していないことが
好ましく、飽和の炭化水素環であるか、またはヘテロ原
子と１以上の炭素原子を含む飽和複素環構造であること
が好ましい。またこれらの飽和炭化水素の部分は置換基
を有していてもよい。

【００２６】Ｒ₁ないしＲ₄はまた、各々独立に環Ａまた
は環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形
成してもよく、該環は１分子中に複数であってもよい。
これらの構造を示すものとして、例えば下記に示される
ような結合の様式などが挙げられる。

【００２７】

【化１２】

【００２８】Ｒ同士の結合と同様に、組み合わせは複数
考えられるが、縮合環を形成する場合の好ましい構造と
しては、縮合環の数は１分中に１つで、カルボニル基の
α位（Ｒ₂またはＲ₃）がどちらかの環に縮合したものが
好ましく、特に好ましくはｎ＝０でＲ₃が環Ａに縮合し
たものすなわち下記式（２）で表される化合物か、ｎ＝
１でＲ₂が環Ａと縮合したもの、すなわち下記式（４）
で表される化合物である。

【００２９】

【化１３】

【００３０】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけ
ると同義であり、Ｒ₃′、Ｒ₄′およびＲ₄″は各々独立
に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基を
表す。環Ａ１は置換されていてもよい、炭化水素環また
は複素環を表す。ｌ＝ｍ−１を表す。）

【００３１】

【化１４】

【００３２】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけ
ると同義であり、Ｒ₁、Ｒ₃およびＲ₄は各々独立に、水
素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。
環Ａ３は置換されていてもよい、炭化水素環または複素
環を表す。ｊは０または１を表す。）Ｒ₁ないしＲ₄が環Ａまたは環Ｂと縮合環を形成するとき
に、点線部とカルボニル基の炭素原子、不飽和結合を有
する炭素原子、および環Ａまたは環Ｂが形成する環状構
造として好ましい構造は、５〜７員環構造である。この
とき点線の部分においては不飽和結合を有していないこ
とが好ましく、飽和の炭化水素環、またはヘテロ原子と
１以上の炭素原子を含む飽和複素環構造であることが好
ましい。またこれらの飽和炭化水素の部分は置換基を有
していてもよい。

【００３３】環Ａおよび環Ｂは各々独立に芳香族環を表
す。芳香族環として表されるものとしては、ベンゼン
環、ナフチル環などの芳香族炭化水素環、フラン環、ピ
リジン環、キノリン環等の芳香族複素環が挙げられる。
これらの芳香族環として好ましい構造としては、５〜６
員環の単環またはその２〜３縮合環が好ましく、例えば
下記に示すような化合物などが挙げられる。

【００３４】

【化１５】

【００３５】これらの中で特に好ましいものとしては、
５〜６員環の単環または２縮合環である、炭化水素環ま
たは複素環構造が挙げられる。本発明において、環Ａ、
環Ｂで表される芳香族環は置換基を有していてもよい。
個々で用いられる置換基としては任意のものでよく、更
に置換されていてもよいが、あまり大きすぎると基本骨
格に予期せぬ影響を与えるので通常、置換基の分子量が
１０００以下である。下限は特になく１以上である。該
任意の置換基の例としては、次のようなものが例示され
る。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｎ−へプチル基等の置換されてもよい炭素数１〜
１８の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基等の置換されてもよい炭素数３〜１８の環状アルキ
ル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の置換
されてもよい炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルケ
ニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の
置換されてもよい炭素数３〜１８の環状アルケニル基；
２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、
フルフリル基、モルホリノ基等の置換されてもよい複素
環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基
等の置換されてもよい炭素数６〜１８のアリール基；ベ
ンジル基、フェネチル基等の置換されてもよい炭素数７
〜２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の置換され
てもよい炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ
基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニ
ルオキシ基等の置換されてもよい炭素数３〜１８の直鎖
または分岐のアルケニルオキシ基；フェノキシ基トリル
オキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の置
換されてもよい炭素数６〜１２のアリールオキシ基；メ
チルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−
ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチ
ルチオ基等の置換されてもよい炭素数１〜１８の直鎖ま
たは分岐のアルキルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；ニト
ロソ基；シアノ基；イソシアノ基；シアナト基；イソシ
アナト基；チオシアナト基；イソチオシアナト基；メル
カプト基；ヒドロキシ基；ヒドロキシアミノ基；ホルミ
ル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＮＲ₅Ｒ₆で表
されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ ₇で表されるアシルアミ
ノ基；−ＮＨＣＯＯＲ₈で表されるカーバメート基；−
ＣＯＲ₉で表されるアシル基；−ＣＯＯＲ₁₀で表される
カルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ₁₁Ｒ₁₂で表されるカ
ルバモイル基；−ＯＣＯＲ₁₃で表されるアシルオキシ
基；−ＳＯＲ₁₄で表されるスルフィニル基；−ＳＯ₂Ｒ
₁₅で表されるスルフォニル基；−ＳＯ₂ＮＲ₁₆Ｒ₁₇で表
されるスルファモイル基；−ＳＯ₃Ｒ₁₈で表されるスル
ホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ₂Ｒ₁₉で表されるスルホ
ンアミド基等が挙げられる。これらの置換基は環Ａ、環
Ｂの種類を問わず、１環中に複数有していてもよい。複
数の置換基を有する場合、同種でも異なってもよい。ま
た結合位置も特定されるものではない。またこれらの中
で、アルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基は後述
する置換基で置換されてもよい。

【００３６】ここで、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀、Ｒ₁₃、Ｒ
₁₄、Ｒ₁₅、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉置換されてもよい炭化水素基、ま
たは置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₁₁、Ｒ ₁₂、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は水素原子、置換されてもよい
炭化水素基、置換されてもよい複素環基のいずれかを表
す。このＲ₅〜Ｒ₁₉で表される炭化水素基とは、直鎖ま
たは分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖または分
岐のアルケニル基、環状アルケニル基、アラルキル基、
アリール基を表す。中でも好ましくは、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-
ブチル基、tert-ブチル基、n-へプチル基等の炭素数１
〜１８の直鎖または分岐のアルキル基、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基、ビニル基、
プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖
または分岐のアルケニル基、シクロペンテニル基、シク
ロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル
基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のア
ラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシ
チル基等の炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。

【００３７】これらの基のアリール基部分は前述の環
Ａ、環Ｂが有し得ると同様の置換基で更に置換されてい
てもよい。また、これらの基のアルキル鎖部分は後述す
る置換基で更に置換されていてもよい。またＲ₅〜Ｒ₁₉
で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ
基、2-モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環で
も、2-フリル基、2-ピリジル基、2-チアゾリル基、2-キ
ノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘ
テロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していても
よく、また結合位置も問わない。複素環として好ましい
構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の
単環およびその２縮合環の芳香族複素環である。

【００３８】具体的には、−ＮＲ₅Ｒ₆で表される置換さ
れていてもよいアミノ基、−ＮＨＣＯＲ₇で表される置
換されていてもよいアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ₈
で表される置換されていてもよいカーバメート基、−Ｃ
ＯＲ₉で表される置換されていてもよいアシル基、−Ｃ
ＯＯＲ₁₀で表される置換されていてもよいカルボン酸エ
ステル基、−ＣＯＮＲ₁₁Ｒ₁₂で表される置換されていて
もよいカルバモイル基、−ＯＣＯＲ₁₃で表される置換さ
れていてもよいアシルオキシ基、−ＳＯＲ₁₄で表される
置換されていてもよいスルフィニル基、−ＳＯ₂Ｒ₁₅で
表される置換されていてもよいスルホニル基、−ＳＯ₂
ＮＲ₁₆Ｒ₁₇で表される置換されていてもよいスルファモ
イル基、−ＳＯ₃Ｒ₁₈で表される置換されていてもよい
スルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ₂Ｒ₁₉で表される置
換されていてもよいスルホンアミド基等が挙げられる。
アミノ基（−ＮＲ₅Ｒ₆）

【００３９】

【化１６】

【００４０】アシルアミノ基（−ＮＨＣＯＲ₇）

【００４１】

【化１７】

【００４２】カーバメート基（−ＮＨＣＯＯＲ₈）

【００４３】

【化１８】

【００４４】アシル基（−ＣＯＲ₉）

【００４５】

【化１９】

【００４６】カルボン酸エステル基（−ＣＯＯＲ₁₀）

【００４７】

【化２０】

【００４８】カルバモイル基（−ＣＯＮＲ₁₁Ｒ₁₂）

【００４９】

【化２１】

【００５０】アシルオキシ基（−ＯＣＯＲ₁₃）

【００５１】

【化２２】

【００５２】スルフィニル基（−ＳＯＲ₁₄）

【００５３】

【化２３】

【００５４】スルホニル基（−ＳＯ₂Ｒ₁₅）

【００５５】

【化２４】

【００５６】スルファモイル基（−ＳＯ₂ＮＲ₁₆Ｒ₁₇）

【００５７】

【化２５】

【００５８】スルホン酸エステル基（−ＳＯ₃Ｒ₁₈）

【００５９】

【化２６】

【００６０】スルホンアミド基（−ＮＨＳＯ₂Ｒ₁₉）

【００６１】

【化２７】

【００６２】前記環Ａ、環Ｂが有し得る直鎖または分岐
のアルキル基、環状アルキル基、直鎖または分岐のアル
ケニル基、環状アルケニル基、直鎖または分岐のアルコ
キシ基、直さまたは分岐のアルキルチオ基、およびＲ₅
〜Ｒ₁₉が示すアルキル基のアルキル鎖部分は、更に置換
基を有し得るが、その置換基としては、例えば以下のよ
うなものが挙げられる。メトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ
基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭
素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメト
キシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、
エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアル
コキシアルコキシアルコキシ基；フェニル基、トリル
基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基（これ
らは任意の置換基でさらに置換されていてもよい。）；
フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナ
フチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ
基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１
２のアルケニルオキシ基等が例示される。

【００６３】更に、他の置換基として、２−チエニル
基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基
等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；
アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メ
チルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、
ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のア
ルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭
素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキ
シカルボニル等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等
の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキ
シカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、
ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカ
ルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等
の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙
げられる。

【００６４】環Ａおよび環Ｂの置換基がアルコキシ基、
アルキルチオ基または−ＮＲ₅Ｒ₆基の場合、これらは互
いに結合して環状構造を形成してもよく、環Ａまたは環
Ｂを構成する原子と結合して該環と縮合する環を形成し
ていてもよい。また結合部分にヘテロ原子を介すること
により、ヘテロ原子を含む複素環を形成してもよい。こ
れらがつくる複素環としては、５〜７員環の飽和複素環
が好ましく、例えば下記に示すような環構造が挙げられ
る。

【００６５】

【化２８】

【００６６】（式中ＸおよびＸ′は水素原子、または環
Ａおよび環Ｂが有しうる置換基と同様の基を表す。なお
環Ａへの縮合環は、ＸおよびＸ′以外にも置換基を有し
ていてもよいが、図中では割愛した。）これらの縮合位置は隣接する置換基同士の間であれば、
その位置や数は特定されるものではない。また、これら
の縮合環の炭化水素は、環Ａおよび環Ｂが有しうる基と
して前述したような置換基を有していてもよい。

【００６７】環Ａまたは環Ｂの置換基として好ましいも
のとしては、置換されてもよい直鎖または分岐のアルキ
ル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、メルカプト基、置換されてもよいアルキルチオ基、
置換されてもよいアルコキシ基、置換基同士が結合して
形成する環状構造、置換基が環Ａまたは環Ｂを構成する
原子と結合して形成する、環Ａまたは環Ｂへの縮合環、
置換されてもよいアミノ基、アシルアミノ基、カーバメ
ート基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基であ
る。

【００６８】中でも特に好ましい置換基としては、置換
されてもよい直鎖または分岐のアルキル基、ヒドロキシ
基、メルカプト基、置換されてもよいアルキルチオ基、
置換されてもよいアルコキシ基、置換基同士が結合して
形成する環状構造、置換基が環Ａまたは環Ｂを構成する
原子と結合して形成する、環Ａまたは環Ｂへの縮合環、
置換されてもよいアミノ基、アシルアミノ基である。

【００６９】置換基の結合位置としては、環Ａまたは環
Ｂがベンゼン環の場合、一般式（１）で表される化合物
の主鎖に対してパラ位が好ましい。一般式（１）で表さ
れる化合物の好ましい例としては下記のものが挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。

【００７０】

【化２９】

【００７１】

【化３０】

【００７２】

【化３１】

【００７３】

【化３２】

【００７４】

【化３３】

【００７５】

【化３４】

【００７６】

【化３５】

【００７７】前記一般式（１）で表される化合物は、薄
膜状に形成した際の最大吸収波長（λmax）が４２０ｎ
ｍ以下、特に３２０〜４００ｎｍ程度の比較的短波長領
域に存在するものが多いこと、吸収スペクトルのピーク
形状が比較的シャープであること、モル吸光係数εが２
万以上であること等、青色半導体レーザーを用いて記録
・再生を行なう上で優れた光学的特性を備えている。こ
こで、最大吸収波長とは、通常、波長３００ｎｍ以上に
おける最大吸収波長を言う。また、溶媒に溶解あるいは
分散した状態での薄膜形成性に優れているため、光学記
録媒体を製造する際に要求される化学的特性をも満たし
ている。従って、一般式（１）で表される化合物は、青
色半導体レーザーを用いて記録・再生を行なう光学記録
媒体の記録層に、極めて好適に使用することができる。

【００７８】なお、本発明の光学記録媒体の記録層に用
いうる化合物は、溶液状態での光学密度ＯＤが８０以上
あること、一般的に用いられる無害且つ安価な溶媒への
溶解性が高いこと、薄膜を形成する際に良質な膜が形成
されること（成膜時に結晶化しないこと）、溶液状態お
よび薄膜状態での保存安定性が良いこと、などを満たす
ことがより好ましい。また、本発明の光学記録媒体の記
録層は、記録および再生光波長における消衰係数（複素
屈折率の虚部）ｋが０〜０．２０であることが好まし
い。さらに、屈折率（複素屈折率の実部）ｎが１．８以
上であることが好ましい。

【００７９】次に、本発明の光学記録媒体について説明
する。本発明の光学記録媒体は少なくとも、基板と、前
記一般式（１）で表される化合物を含有する記録層とか
ら構成される。更に、必要に応じて下引き層、反射層、
保護層等を設けても良い。好ましい層構成の一例として
は、基板の上に記録層を設け、その上に更に反射層、保
護層をこの順に積層した、高反射率の媒体が挙げられ
る。この場合、基板側からレーザー光を照射して、情報
の記録・再生を行なうことになる（媒体構造例１）。以
下、こうした構造の媒体（媒体構造例１）を例にとりな
がら、本発明の光学記録媒体について説明する。なお、
以下の記載では、説明の便宜上、積層時に保護層が存在
する側及び基板が存在する側を、それぞれ上方及び下方
とみなし、これらの方向に対応する各層の各面を、それ
ぞれ各層の上面及び下面と呼ぶことにする。

【００８０】本発明の光学記録媒体における基板は、基
本的に記録光及び再生光の波長において透明な材質であ
れば、様々な材質を用いたものを使用することができ
る。具体的には、例えばアクリル系樹脂、メタクリル系
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂
（特に非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、
ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂製の基板、ガ
ラス製の基板、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化
性樹脂からなる樹脂層を設けた基板等が挙げられる。中
でも、高生産性、コスト、耐吸湿性などの観点からは、
射出成型ポリカーボネート製の基板が好ましい。また、
耐薬品性、耐吸湿性などの観点からは、非晶質ポリオレ
フィン製の基板が好ましい。更に、高速応答などの観点
からは、ガラス製の基板が好ましい。

【００８１】樹脂製の基板を使用した場合、又は、記録
層と接する側（上側）に樹脂層を設けた基板を使用した
場合には、その樹脂製基板又は樹脂層の上面に、記録再
生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状
としては、光学記録媒体の中心を基準とした同心円状の
形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状
の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２〜１．
２μｍ程度であることが好ましい。基板の上側に直接、
又は必要に応じて基板上に設けた下引き層等の上側に、
前記一般式（１）で表される化合物を含む記録層を形成
する。記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッ
タリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜
形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、ス
ピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層が得られ
るという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が
好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は
５００〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によ
っては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあ
てる等の処理を施しても良い。

【００８２】ドクターブレード法、キャスト法、スピン
コート法、浸漬法等の塗布法により記録層を形成する場
合に、前記一般式（１）で表される化合物を溶解させて
基板に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板を侵食
しない溶媒であれば特に限定されない。具体的に挙げる
と、例えばジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３
−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系
溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系
溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチル
シクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル
シクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シ
クロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロ
プロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフ
ルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール
系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ
酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等
が挙げられる。

【００８３】真空蒸着法を用いる場合には、例えば、前
記一般式（１）で表される化合物と、必要に応じて他の
色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設
置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポ
ンプで１０^-2〜１０^-5Ｐａ程度にまで排気した後、るつ
ぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合っ
て置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層を
形成する。また、記録層には、前記一般式（１）で表さ
れる化合物に加えて、安定性や耐光性の向上のために、
一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニ
ルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチ
オ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向
上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有さ
せたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金
属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物
に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯
体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯
体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼ
ン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノー
ル系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセト
ナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体
のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子として
は特に限定されないが、遷移金属であることが好まし
い。

【００８４】なお、記録層には、必要に応じて、前記一
般式（１）で表される化合物を複数種類併用しても良
い。更に記録層には、前記一般式（１）で表される化合
物に加え、必要に応じて他系統の色素を併用することも
できる。他系統の色素としては、主として記録用レーザ
ーの発振波長域に適度な吸収を有するものであればよ
く、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒ等に使用され、
７７０〜８３０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する近
赤外レーザーを用いた記録・再生に適する色素や、ＤＶ
Ｄ−Ｒ等に使用され、６２０〜６９０ｎｍの波長帯域中
に発振波長を有する赤色レーザーを用いた記録・再生に
適する色素等を、前記一般式（１）で表される化合物と
併用して記録層に含有させることにより、異なる波長帯
域に属する複数種のレーザー光を用いた記録・再生に対
応する光学記録媒体を製造することもできる。

【００８５】前記一般式（１）で表される化合物以外の
他系統の色素としては、含金属アゾ系色素、ベンゾフェ
ノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン
系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム
系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメ
タン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、イン
ドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系
色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。更に、必要に
応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用す
ることもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹
脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニル
ブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙
げられる。

【００８６】記録層の膜厚は、記録方法などにより適し
た膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録
を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるた
め、通常、少なくとも１ｎｍ以上であり、好ましくは５
ｎｍ以上である。但しあまり厚すぎても記録が良好に行
えなくなるおそれがあり、通常３００ｎｍ以下、好まし
くは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下で
ある。記録層の上には、反射層を形成する。その膜厚
は、好ましくは５０〜３００ｎｍである。反射層の材料
としては、再生光の波長において十分高い反射率を有す
る材料、例えばＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金
にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａ
ｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層の材料として適してい
る。また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他
の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率
が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料とし
ては、例えばＭｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄなどの金属及
び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分と
するものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、
後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいも
のが得られる点等から、特に好ましい。例えば、Ａｇに
Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＮｄから選ばれる一種以
上を０．１〜５原子％程度含有させた合金は、高反射
率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。具
体的には、例えばＡｇＰｄＣｕ合金、ＡｇＣｕＡｕ合
金、ＡｇＣｕＡｕＮｄ合金、ＡｇＡｕＮｄ合金、ＡｇＣ
ｕＮｄ合金等である。金属以外の材料としては、低屈折
率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成
し、これを反射層として用いることも可能である。

【００８７】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着
法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射
層の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向
上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着
層を設けることもできる。反射層の上に形成する保護層
の材料は、反射層を外力から保護するものであれば、特
に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂
等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸
化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられ
る。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いる場合は、
適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層の上に塗
布して乾燥させれば、保護層を形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層の上に
塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液
を反射層の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させるこ
とによって、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化
性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポ
キシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのア
クリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料
は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。
また、保護層は、単層として形成しても、多層として形
成してもよい。

【００８８】保護層の形成方法としては、記録層と同様
に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッ
タリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中で
もスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、その保
護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされる
ため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ
以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらない
だけでなく保護層の形成に時間がかかったりコストが高
くなる虞があるので通常１００μｍ以下であり、好まし
くは３０μｍ以下である。以上、光学記録媒体の層構造
として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層
して成る構造を例に採って説明したが、前述した如く、
この他の層構造を採っても構わない。

【００８９】例えば、上例の層構造における保護層の上
面に、又は上例の層構造から保護層を省略して反射層の
上面に、更に別の基板を貼り合わせてもよい。この際の
基板は、何ら層を設けていない基板そのものであっても
よく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層など任意の
層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を
有する光記録媒体や、上例の層構造から保護層を省略し
た光学記録媒体を、それぞれの保護層及び／又は反射層
の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。更
に、本発明の好ましい光学記録媒体の層構成の一例とし
ては、基板の上に反射層を設け、その上にさらに記録
層、保護被膜をこの順に積層した媒体が挙げられる。こ
の場合、保護被膜を通してレーザー光を照射して、情報
の記録・再生を行うことになる（媒体構造例２）。

【００９０】この保護被膜は、フィルムまたはシート状
のものを接着剤によって貼り合わせてもよいし、あるい
は前述の保護層と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗
布し硬化または乾燥することにより形成しても良い。保
護被膜の厚みは、その保護機能を果たすためにはある程
度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上で
あり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎ
ると、効果が変わらないだけでなく保護層の形成に時間
がかかったりコストが高くなる虞があるので通常３００
μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。こ
のような層構成においても、記録層、反射層などの各層
は通常、前述の媒体構造例１と同様のものが用い得る。
但し、本層構成では基板は透明である必要はなく、従っ
て、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、
金属（合金を含む）などからなる基板が用い得る。

【００９１】このような層構成においても、上記各層間
には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任
意の層を有してよい。ところで、光学記録媒体の記録密
度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口
数を上げることがある。これにより情報記録面に集光さ
れる光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レ
ンズの開口数を上げると、記録・再生を行うためにレー
ザー光を照射した際に、光学記録媒体の反り等に起因す
る光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記
録再生信号が安定して得られない場合がある。このよう
な収差は、レーザー光が透過する透明基板や保護被膜の
膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくす
るためには基板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好
ましい。ただし、通常、基板は光学記録媒体の強度を確
保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、
媒体構造例２（基板、反射層、記録層、薄い保護被膜な
る基本的層構成の光学記録媒体）を採用するのが好まし
い。媒体構造例１の基板を薄くするのに比べると、媒体
構造例２の保護被膜は薄くしやすいため、好ましくは媒
体構造例２を用いる。

【００９２】但し、媒体構造例１（透明基板、記録層、
反射層、保護層なる基本的層構成の光学記録媒体）であ
っても、記録・再生用レーザー光が通過する透明基板の
厚みを５０〜３００μｍ程度にまで薄くすることで、収
差を小さくして使用できるようになる。また、他の各層
の形成後に、記録・再生レーザー光の入射面（通常は基
板の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的
で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成しても
よく、記録・再生レーザー光の入射面ではない面（通常
は反射層や保護層の上面）に、インクジェット、感熱転
写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入
や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。本発明の光
学記録媒体において、情報の記録・再生のために使用す
るレーザー光は、高密度記録を実現する観点から波長が
短いほど好ましいが、特に波長３５０〜５３０ｎｍのレ
ーザー光が好ましい。かかるレーザー光の代表例とし
て、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレ
ーザー光が挙げられる。３５０〜５３０ｎｍのレーザー
光は、４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの
青緑色の高出力半導体レーザーを使用することによって
得られるが、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長
が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ
ー、及び（ｂ）半導体レーザーによって励起される基本
発振波長７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レー
ザーの何れかの発振レーザー光を、第二高調波発生素子
（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られ
る。

【００９３】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８
６０ｎｍの半導体レーザーの場合には、その基本発振波
長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザー励起
の固体レーザーの場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡ
ｌＦ₆結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４
３０ｎｍなどが挙げられる。本発明の光学記録媒体に対
して情報の記録を行なう際には、記録層に対して（通常
は基板側から基板を透過させ）、通常、０．４〜０．６
μｍ程度に集束したレーザー光を照射する。記録層のレ
ーザー光が照射された部分は、レーザー光のエネルギー
を吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形
を起こすため、光学的特性が変化する。記録された情報
の再生を行なう際には、同じく記録層に対して（通常は
記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザ
ー光を照射する。記録層において、光学的特性の変化が
起きた部分（すなわち、情報が記録された部分）の反射
率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みと
ることにより、情報の再生が行なわれる。

【００９４】

【実施例】以下本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、これら実施
例によって限定されるものではない。［化合物の合成法］前記一般式（１）においてｎ＋ｍ＝
１または２で表される化合物の合成法としては、一般的
には芳香族アルデヒドとケトン（α位に活性メチレン基
をもつもの）の脱水縮合により合成でき、環Ａ、Ｂをベ
ンゼン環で代表すると以下のように表される。

【００９５】ｎ＝１，ｍ＝０の化合物（カルコン）は、
ベンズアルデヒドとアセトフェノンのエタノール溶液中
に、触媒として塩基（ＮａＯＨ水溶液など）を加えるこ
とにより合成できる。

【００９６】

【化３６】

【００９７】同様の方法で、ｎ＝２、ｍ＝０の化合物
は、シンナムアルデヒドとアセトフェノンより合成でき
る。

【００９８】

【化３７】

【００９９】またｎ＝１、ｍ＝１の化合物（ジベンジリ
デンアセトン）は、２倍量のベンズアルデヒドとアセト
ンから合成することができる（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎ
ｔｈｅｓｅｓ，Ｃｏｌ．Ｖｏｌ．ＩＩ，１６７）。また
同様に環状ケトンとも反応させることもできる。

【０１００】

【化３８】

【０１０１】この他の方法としては、例えばＴｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ３７，Ｎｏ，
５，ｐ６１９（１９９６）に記載されているようなＤｏ
ｍｉｎｏ−Ｈｅｃｋアルドール縮合などでも合成するこ
とができる。

【０１０２】

【化３９】

【０１０３】このようにしてベンゼン環の誘導体や複素
芳香環等を用いることで、例示化合物に示されるような
化合物を合成できる。実施例１（ａ）製造例

【０１０４】

【化４０】

【０１０５】上記構造式［Ｉ］で示されるｐ−メトキシ
アセトフェノン５０ｇをエタノール２００ｍｌを溶解さ
せ、そこに撹拌しながら水酸化ナトリウム２ｇ／水５０
ｍｌ水溶液を加え、水浴で１０℃以下に冷却した。この
溶液に温度が１０℃以上にならないように上記構造式
［ＩＩ］で示されるアニスアルデヒド５０ｇを滴下し
た。滴下終了後１０℃以下で３時間撹拌し、一晩放置し
た。翌日結晶が析出した溶液に水２００ｍｌ加えて、さ
らに撹拌した後、濾別した。

【０１０６】得られた粗結晶をＴＨＦ４００ｍｌに溶解
させ、炭酸カリウムを加えて脱水した後エタノール１０
０ｍｌを加えて加熱濃縮して冷却、これを濾過して乾燥
させることにより例示化合物（１）を７５．５ｇ得るこ
とができた（収率８４％、ＭＳ；ｍ／ｚ＝２６８確
認）。生成物のクロロホルム溶液中での最大吸収波長λ
ｍａｘ＝３４０．５ｎｍ、モル吸光係数は３．１×１０
⁴であった。クロロホルム溶液中の吸収スペクトルを図
１に示す。（ｂ）記録媒体例例示化合物（１）をオクタフルオロペンタノールに溶解
し、１．０ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶
解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリ
カーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗
布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布
膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３４１．５ｎｍであ
った。塗布膜の吸収スペクトルを図２に示す。実施例２

【０１０７】

【化４１】

【０１０８】前述のｐ−メトキシアセトフェノン５０ｇ
をエタノール２００ｍｌを溶解させ、そこに撹拌しなが
ら水酸化ナトリウム２ｇ／水５０ｍｌ水溶液を加え、水
浴で１０℃以下に冷却した。この溶液に温度が１０℃以
上にならないように上記構造式［ＩＩＩ］で示されるα
―メチル桂皮アルデヒド５２ｇを滴下した。滴下終了後
１０℃以下で３時間撹拌し、一晩放置した。翌日結晶が
析出した溶液に水３００ｍｌ加えて、さらに撹拌した
後、濾別した。

【０１０９】得られた粗結晶をＴＨＦ２００ｍｌに溶解
させ、炭酸カリウムを加えて脱水した後エタノール２０
０ｍｌを加えて加熱濃縮して冷却、これを濾過して乾燥
させることにより例示化合物（２）を４８．３ｇ得るこ
とができた（収率５２％、ＭＳ；ｍ／ｚ＝２７８確
認）。生成物のクロロホルム中でのλｍａｘ＝３３５．
５ｎｍ、モル吸光係数は３．８×１０⁴であった。（ｂ）記録媒体例例示化合物（２）をジイソブチルケトンに溶解し、１．
０ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液を直
径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネ
ート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗
布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大
吸収波長（λｍａｘ）は、３３４．５ｎｍであった。実施例３（ａ）製造例

【０１１０】

【化４２】

【０１１１】上記化合物［ＩＶ］で示される４−ｎ−ブ
トキシベンズアルデヒド０．８９ｇ（５ｍｍｏｌ）をエ
タノール１５ｍｌに溶解させ、ここに上記化合物［Ｖ］
で示されるα―テトラロン０．７３ｇ（５ｍｍｏｌ）を
滴下した。この溶液を室温で撹拌しながら２５％水酸化
ナトリウム水溶液３ｍｌを滴下し、１０時間撹拌した。
その後この溶液を濾過して、得られた濾過物をメタノー
ルで洗浄し、乾燥させることにより例示化合物（１５）
を１．２ｇ（収率９６％）得ることができた。生成物の
クロロホルム中でのλｍａｘ＝３４４．５ｎｍ、モル吸
光係数は２．０×１０⁴であった。（ｂ）記録媒体例例示化合物（１５）の化合物をオクタフルオロペンタノ
ールに溶解し、１．０ｗｔ％に調整した。これをろ過し
てできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射
出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー
法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥し
た。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３４８
ｎｍであった。

【０１１２】実施例４〜２３以下、前記の合成法と同様の方法で、例示化合物（３）
〜（１４）、（４９）〜（５６）の化合物を合成し、表
−１に示す溶媒を使用した以外は実施例１〜３と同様に
塗布膜を形成した。合成した化合物のクロロホルム溶液
中での最大吸収波長、モル吸光係数、塗布膜での最大吸
収波長を、実施例１〜３の結果と合わせて表−１に示
す。

【０１１３】

【表１】

【０１１４】これらの塗布膜上に、例えば、Ａｇなどを
スパッタリング法等にて成膜して反射層を形成し、次い
で紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等にて塗布したの
ち紫外線を照射して硬化させて保護層を形成することで
光学記録媒体とすることができる。これらの光学記録媒
体は、塗布膜の最大吸収波長（λmax）の値から、例え
ば中心波長４０５ｎｍの半導体レーザーによる記録再生
が可能であることが明らかである。

【０１１５】

【発明の効果】本発明化合物の含有溶液は、短波長のレ
ーザー光による記録再生に適した吸収を有する塗布膜を
形成することが出来、且つ成膜性にも優れているので、
本発明化合物を用いた記録層を有する記録媒体は、短波
長レーザーに対応する記録再生用光学記録媒体として有
用である。従って、波長が３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの短
波長レーザー光を用いて本光学記録媒体に対して情報の
記録を行えば、より高密度に、かつ大容量の情報を記録
・再生することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における、例示化合物（１）
のクロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。

【図２】本発明の実施例１における、例示化合物（１）
の塗布膜の吸収スペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村山徹郎神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社内Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 FA01 FB41 FB42 5D029 JA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の記録又は
再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体におい
て、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有し
かつ下記一般式（１）で示される化合物を含有すること
を特徴とする光学記録媒体。【化１】（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていて
もよい芳香族環を表し、Ｒ₁ないしＲ₄は各々独立に水素
原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。またＲ
₁ないしＲ₄から選ばれる２以上が結合して環を形成して
いてもよく、Ｒ ₁ないしＲ₄が各々独立に、環Ａまたは環
Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成し
ていてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を
表し、１≦ｎ＋ｍ≦４である。）
【請求項２】前記一般式（１）において、Ｒ₁ないし
Ｒ₄が各々独立に、水素原子または置換基されていても
よいアルキル基である、請求項１に記載の光学記録媒
体。
【請求項３】前記一般式（１）で表される化合物が、
下記一般式（２）で表されることを特徴とする、請求項
１に記載の光学記録媒体。【化２】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であ
り、Ｒ₃′、Ｒ₄′およびＲ₄″は各々独立に水素原子ま
たは置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ１は
置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表
す。（ｌ＝ｍ−１を表す。）
【請求項４】前記一般式（１）で表される化合物が、
下記一般式（３）で表されることを特徴とする、請求項
１に記載の光学記録媒体。【化３】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であ
り、Ｒ₁′，Ｒ₁″、Ｒ₂′、Ｒ₃′、Ｒ₄′およびＲ₄″
は、各々独立に水素原子または置換されていてもよいア
ルキル基を表す。環Ａ２は置換されていてもよい、炭化
水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１、ｋ＝ｎ−１を
表す。）
【請求項５】前記一般式（１）で表される化合物が、
下記一般式（４）で表されることを特徴とする、請求項
１に記載の光学記録媒体。【化４】（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であ
り、Ｒ₁、Ｒ₃およびＲ₄は各々独立に水素原子または置
換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ３は置換さ
れていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｊは
０または１を表す。）
【請求項６】前記（１）ないし（４）において、環Ａ
及び環Ｂが各々独立に、置換されてもよい、５〜６員環
の単環または２〜３縮合環を表すことを特徴とする、請
求項１ないし４のいずれかに記載の光学記録媒体。
【請求項７】波長が３５０〜５３０ｎｍのレーザ光を
用い、請求項１ないし６に記載の光学記録媒体に対して
情報の記録を行うことを特徴とする光学記録方法。