JP2003188041A - チップ部品およびそれを実装した回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ部品１２Ｂの電極をＮｉ膜で形成し、
共晶型合金が形成されるのを防止する。そして、回路装
置１０をリフローする時に、絶縁性樹脂にクラックが発
生するのを防止する。 【解決手段】 チップ部品１２Ｂの電極をＮｉ膜１８で
形成する。半田１５Ｂを介してチップ部品１２Ｂを導電
パターン１１に実装する。ここで、Ｎｉの半田付け性を
向上させるために、半田１５Ｂには比較的多量のフラッ
クスが含まれる。以上のことにより、固相線温度が低い
共晶型合金が形成されてしまうのを防止することができ
る。従って、回路装置１０をリフローにより基板に実装
した際に、絶縁性樹脂１３にクラックが入り、回路装置
１０が破損してしまうのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はチップ部品およびそ
れを実装した回路装置に関し、特に、回路装置を実装基
板にリフローする工程に於いて回路装置が破損してしま
うのを防止できるチップ部品およびそれを実装した回路
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】チップ抵抗やチップコンデンサ等の受動
部品は、外部との電気的接続が考慮されて、その両端に
は厚膜電極または薄膜電極を有する。そして、半田等の
導電ペーストを用いて、これら受動部品は実装基板に実
装される。

【０００３】また従来は、プリント基板等のインターポ
ーザにチップ抵抗や半導体素子を実装して、回路装置を
形成していた。しかし、このインターポーザは本来不必
要な材料である。従って、インターポーザを採用した回
路装置は、薄型化・軽量化が難しい問題点を有してい
た。更に、プリント基板等をインターポーザとして使用
した場合、半導体素子等から発せられる熱の放熱性が悪
い問題もあった。

【０００４】そこで本出願人は、実装基板を不要にした
軽量・薄型の回路装置を開発した。プリント基板等のイ
ンターポーザを不要にすることにより、回路装置の放熱
性を向上することが可能になった。以下に、実装基板を
不要にした回路装置１０の構成を説明する。

【０００５】図４を参照して、実装基板を不要にした回
路装置１０の構成を説明する。図４は回路装置１０の断
面図であり、図４（Ｂ）はチップ部品１２Ｂが実装され
る部分の拡大図である。

【０００６】回路装置１０は、導電パターン１１と、導
電パターン１１の表面に形成されたメッキ膜１４と、メ
ッキ膜１４の上部に実装された半導体素子１２Ａと、導
電パターン１１上に半田１５Ｂを介して実装されたチッ
プ部品１２Ｂと、半導体素子１２Ａと導電パターン１１
との電気的接続を行う金属細線１５Ａと、上記要素を被
覆し且つ全体を支持する絶縁性樹脂１３と、導電パター
ン１１の裏面に形成される接続電極１６とから構成され
ている。

【０００７】上記した回路装置１０を構成する各要素の
説明を行う。

【０００８】導電パターン１１としては、Ｃｕを主材料
とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ
−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん他の導電材料でも可能であり、特にエッチ
ングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好まし
い。

【０００９】半導体素子１２Ａとしては、例えば、半導
体ベアチップが採用される。そして、半導体素子１２Ａ
はフェイスアップで固着され、金属細線１５Ａを介して
導電パターン１１Ｂとの電気的接続が行われている。

【００１０】絶縁性樹脂１３としては、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサル
ファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また
絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗
布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用で
きる。本発明に於いて、絶縁性樹脂１３は半導体素子等
を封止すると同時に、回路装置全体を支持する働きも有
する。

【００１１】図４（Ｂ）を参照して、チップ部品１２Ｂ
の説明を行う。チップ部品１２Ｂとしてはチップ抵抗、
チップコンデンサ、コイル等を採用することができる。
そして、チップ部品１２Ｂは半田を介して導電パターン
１１に固着されている。

【００１２】チップ部品１２Ｂの両端には、チップ部品
１２Ｂとの接着性が考慮されてＡｇ膜１８Ａが形成され
る。更に、半田耐熱向上のために、Ａｇ膜１８Ａの表面
にはＮｉ膜１８Ｂが形成される。更にまた、半田濡れ性
を向上させるために、電極の最外殻にはＳｎ膜１８Ｃが
形成される。このように、チップ部品１２Ｂの電極は、
３層構造となっている。斯かる構造をとることにより、
良好に半田付けを行うことが可能となる。

【００１３】図５を参照して、チップ部品１２Ｂの電極
の具体的な形状を説明する。図５（Ａ）は電極として厚
膜型端子電極を有するチップ部品１２Ｂの斜視図であ
り、図５（Ｂ）は電極として薄膜型端子電極を有するチ
ップ部品１２Ｂの斜視図である。

【００１４】具体的に、チップ部品１２Ｂがチップコン
デンサの場合、Ａｇ膜１８Ａの厚さは２０〜１４０μｍ
であり、Ｎｉ膜１８Ｂの厚さは１〜６μｍであり、Ｓｎ
膜１８Ｃの厚さは２〜１０μｍである。

【００１５】そして、チップ部品１２Ｂがチップ抵抗の
場合、Ａｇ膜１８Ａの厚さは１０〜２０μｍであり、Ｎ
ｉ膜１８Ｂの厚さは３〜１０μｍであり、Ｓｎ膜１８Ｃ
の厚さは３〜１０μｍである。

【００１６】上記に於いて、Ａｇ膜１８Ａの材料として
はＡｇの他に、Ａｇを含む合金等を用いる場合もある。
また、Ｎｉ膜１８Ｂの材料としてはＮｉの他にＮｉを含
む合金を用いる場合もある。また、Ｓｎ膜１８Ｃの材料
としては、Ｓｎの他に半田、Ａｇ合金等を用いる場合も
ある。

【００１７】上記の様な構成を有するチップ部品１２Ｂ
は、半田１５Ｂを用いて導電パターン１１に実装され
る。ここで用いる半田１５Ｂとしては高温半田が採用さ
れる。具体的に、高温半田の組成は例えば９５Ｐｂ−５
Ｓｎである。ここで、（９５Ｐｂ−５Ｓｎ）とは、Ｐｂ
の重量比が９５％でありＳｎの重量比が５％であること
を意味する。この様な組成を有する高温半田の固相線温
度は、例えば２７０℃である。

【００１８】外部電極１６について説明を行う。外部電
極１６は導電パターン１１の裏面に形成され、回路装置
１０が実装される実装基板との電気的接続を行う。外部
電極１６は半田で形成され、その組成は例えば４０Ｐｂ
−６０Ｓｎである。従って、接続電極１６Ｃを構成する
半田の固相線温度は、例えば１８３℃である。

【００１９】回路装置１０は、リフローによって接続電
極１６を融解することにより、実装基板に実装される。
リフロー時の温度は、接続電極１６を完全に融解させる
ために、外部電極１６を構成する半田の固相線温度より
も高い温度である。具体的にその温度は、例えば２２０
℃である。

【００２０】以上にて説明したように、チップ部品１２
Ｂを導電パターン１１に実装するために使用する半田１
５Ｂの固相線温度は、例えば３００℃と高い。それに対
して、外部電極１６を構成する半田の固相線温度は１８
３℃であり、半田１５Ｂの固相線温度よりも低い。従っ
て、回路装置１０を約２２０℃の温度でリフローして
も、半田１５Ｂは融解しない。

【００２１】図６のグラフを参照して、半田のＰｂとＳ
ｎとの割合と、固相線温度・液相線温度との関係を説明
する。同グラフに於いて、点線で示されるのは固相線温
度の変化であり、実線で示されるのは液相線温度の変化
である。

【００２２】ここで、固相線温度とは物体が溶解を始め
る温度であり、液相線温度とは物体が完全に溶解して液
相となる温度である。そして、固相線温度と液相線温度
の間の温度に於いては、物体は固相と液相が入り混じっ
た状態となっている。

【００２３】同グラフからも明らかなように、Ｐｄの重
量割合が大きい半田の固相線温度および液相線温度は高
い。それに対して、６０Ｐｄ−４０Ｓｎの半田の固相線
温度および液相線温度は、１８３℃であり非常に低い。
また、６０Ｐｄ−４０Ｓｎの半田は、固相線温度と液相
線温度が共に１８３℃であるので、この温度を境にして
半田は固相から液相に変化することになる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｎ膜
１８Ｃを最外殻に有するチップ部品を半田１５Ｂを介し
て導電パターン１１に実装すると、チップ部品の最外殻
メッキ層であるＳｎと接続半田との界面付近で共晶型合
金が形成されてしまう。すなわち、回路装置１０を約２
２０℃の温度でリフローにより基板に実装する際に、こ
のＳｎ／Ｐｂ共晶型合金の部分は融解してしまう。この
共晶型合金の部分は、融解することにより体積が膨張す
る。従って、絶縁性樹脂１３にクラックが発生したり、
他の接合界面を剥離させたりしてしまう問題があった。

【００２５】回路装置１０では、Ｃｕを主材料とする導
電パターン１１上にチップ部品１２Ｂが固着されてい
る。ここで、Ｃｕは熱の伝導性が非常に良い材料であ
る。従って、リフロー時の熱が、導電パターン１１を介
して共晶型合金の部分に容易に到達してしまうのも、上
記のような問題が発生してしまう原因の１つである。

【００２６】また、従来例の説明では、実装基板を不要
とした構成を有する回路装置１０について説明を行っ
た。しかし、実装基板を使用するタイプの回路装置でも
上記のような問題が発生する場合がある。

【００２７】従って、本発明の目的は、チップ部品１２
Ｂと半田１５Ｂとの界面に共晶型合金が形成されない回
路装置１０を提供するのが目的である。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ部品は、
前述した課題に鑑みて成され、請求項１の発明のチップ
部品は、メタル端子と、前記メタル端子を保護するＮｉ
膜とから形成される電極を両端に有することを特徴とす
る。

【００２９】請求項２の発明のチップ部品は、メタル端
子と、前記メタル端子を保護するＮｉ膜とから形成され
る電極を両端に有するチップ部品であり、前記Ｎｉ膜を
前記チップ部品の電極の最外殻とすることにより、前記
チップ部品を半田を用いて実装する際に、前記チップ部
品の電極と前記半田とで金属間化合物が形成され、前記
金属間化合物の固相線温度は、リフロー時の温度よりも
高いことを特徴とする。

【００３０】請求項３の発明のチップ部品は、請求項１
または請求項２の発明に於いて、前記チップ部品は、コ
ンデンサ、抵抗またはコイルであることを特徴とする。

【００３１】請求項４の発明のチップ部品は、請求項１
〜請求項３のいずれかの発明に於いて、前記メタル端子
は、Ａｇを主体とする材料から形成されることを特徴と
する。

【００３２】請求項５の発明のチップ部品は、請求項１
〜請求項４のいずれかの発明に於いて、前記Ｎｉ膜は、
Ｎｉを主体とする材料から形成されることを特徴とす
る。

【００３３】請求項６の発明の回路装置は、請求項１〜
請求項５のいずれか一項記載のチップ部品と、前記チッ
プ部品が実装される導電パターンと、前記チップ部品と
前記導電パターンとの電気的接続を行う半田と、前記チ
ップ部品を被覆し且つ全体を支持する絶縁性樹脂とを有
することを特徴とする。

【００３４】請求項７の発明の回路装置は、請求項６の
発明に於いて、前記半田には、塩素換算で０．７％以上
のフラックスが添加されることを特徴とする。

【００３５】請求項８の発明の回路装置は、請求項７の
発明に於いて、前記フラックスは、ロジン系フラックス
または水溶性フラックスであることを特徴とする。

【００３６】請求項９の発明の回路装置は、請求項１〜
請求項５のいずれか一項記載のチップ部品と、前記チッ
プ部品が実装される導電パターンが表面に形成された基
板と、前記チップ部品と前記導電パターンとの電気的接
続を行う半田と、前記チップ部品を被覆し、全体を支持
する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする。

【００３７】請求項１０の発明の回路装置は、請求項９
の発明に於いて、前記基板は、絶縁金属基板、プリント
基板、セラミック基板、またはアルミナ基板であること
を特徴とする。

【００３８】請求項１１の発明の回路装置は、請求項９
または請求項１０の発明に於いて、前記半田には、塩素
換算で０．７％以上のフラックスが添加されることを特
徴とする。

【００３９】請求項１２の発明の回路装置は、請求項１
１の発明に於いて、前記フラックスは、ロジン系フラッ
クスまたは水溶性フラックスであることを特徴とする。

【００４０】チップ部品の電極の最外殻にＮｉ膜を採用
することにより、固相線温度の低い共晶型合金の形成を
防止することができる。共晶型合金が生成されなけれ
ば、回路装置を実装基板に実装する際のリフロー時に、
半田と母材との接合部が融解しない。従って、リフロー
時に共晶型合金が融解して、絶縁性樹脂にクラックが発
生してしまうのを防止することができる。

【００４１】更に、チップ部品を導電パターンに実装す
る際に使用する半田に多量のフラックスを添加すること
により、Ｎｉの半田付け性を向上させることができる。

【００４２】

【発明の実施の形態】本発明に斯かる回路装置１０につ
いて、図１を参照しながら説明する。図１（Ａ）は回路
装置１０の断面図であり、図１（Ｂ）はチップ部品１２
Ｂが実装される部分の拡大図である。尚、従来例と同じ
番号を付した部分は同一物を表している。

【００４３】図１（Ａ）を参照して、本発明に係る回路
装置１０は、導電パターン１１と、導電パターン１１の
表面に形成されたメッキ膜１４と、メッキ膜１４の上部
に実装された半導体素子１２Ａと、導電パターン１１上
に半田１５Ｂを介して実装されたチップ部品１２Ｂと、
半導体素子１２Ａと導電パターン１１Ｂとの電気的接続
を行う金属細線１５Ａと、上記要素を被覆し且つ全体を
支持する絶縁性樹脂１３と、導電パターン１１の裏面に
形成される外部電極１６とから構成されている。

【００４４】上記したように、本発明に斯かる回路装置
１０の構造は基本的に従来例と同一である。本発明の特
徴とする部分は、チップ部品１２Ｂの電極の構造にあ
る。従って、本実施の形態ではこの点についてのみ説明
を行う。

【００４５】図１（Ｂ）を参照して、チップ部品１２Ｂ
の両端の電極には、チップ部品１２Ｂとの接着性が考慮
されてＡｇ膜１８Ａが形成される。更に、半田中へのＡ
ｇの拡散を防止するためにのために、Ａｇ膜１８Ａの表
面にはＮｉ膜１８Ｂが形成される。

【００４６】本発明のポイントは、チップ部品１２Ｂの
電極がＡｇ膜１８ＡとＮｉ膜１８Ｂとから構成されるこ
とにある。つまり、従来例のＳｎ膜１８Ｃを除去した構
造と成っており、電極の最外殻はＮｉ膜１８Ｂで形成さ
れる。この様なチップ部品１２Ｂを半田１５Ｂを用いて
実装することにより、Ｎｉ膜１８Ｂと半田１５Ｂとの界
面には合金化合物が形成される。

【００４７】この合金化合物は、従来のチップ部品の電
極と半田とで形成されていたＳｎ／Ｐｂ共晶型合金とは
性質が異なるものである。従来に於いて形成されたＳｎ
／Ｐｂ共晶型合金は、固相線温度が低いために、リフロ
ー時の温度（例えば２２０℃）で融解してしまう。それ
に対して、Ｎｉ膜１８Ｂと半田１５Ｂとの界面に形成さ
れる合金化合物は、固相線温度が約４００℃と非常に高
く、リフロー時の温度（例えば２２０℃）でも融解しな
い。従って、リフロー時の加熱による樹脂のクラック発
生や界面剥離等の問題は発生しない。

【００４８】図２を参照して、本発明に斯かるチップ部
品１２Ｂの電極の具体的な形状を説明する。図２（Ａ）
は電極として厚膜型端子電極を有するチップ部品１２Ｂ
の斜視図であり、図２（Ｂ）は電極として薄膜型端子電
極を有するチップ部品１２Ｂの斜視図である。

【００４９】具体的に、チップ部品１２Ｂがチップコン
デンサの場合、Ａｇ膜１８Ａの厚さは２０〜１４０μｍ
であり、Ｎｉ膜１８Ｂの厚さは１〜６μｍである。

【００５０】そして、チップ部品１２Ｂがチップ抵抗の
場合、Ａｇ膜１８Ａの厚さは１０〜２０μｍであり、Ｎ
ｉ膜１８Ｂの厚さは３〜１０μｍである。

【００５１】上記に於いて、Ａｇ膜１８Ａの材料として
はＡｇの他に、Ａｇを含む合金等を用いる場合もある。
また、Ｎｉ膜１８Ｂの材料としてはＮｉの他にＮｉを含
む合金を用いる場合もある。

【００５２】半田１５Ｂに添加するフラックスについて
説明する。本発明では、半田付け性が悪いＮｉ膜１８Ｂ
と半田１５Ｂとの拡散を促すためにフラックスを用いて
いる。フラックスを使用することにより、Ｎｉ膜１８Ｂ
の表面に形成される酸化膜を除去することができる。更
に、半田付け時のＮｉ膜１８Ｂの再酸化をも防止するこ
とができる。

【００５３】ここで用いるフラックスの種類は、大きく
分けて２つある。１つはロジン系フラックスであり、も
う１つは水溶性フラックスである。ロジン系フラックス
は、ロジン系樹脂を含み、半田付け後に洗浄を行うタイ
プのフラックスである。そしてこのロジン系フラックス
には、活性剤としてカルボン酸類やアミンハロゲン化塩
が加えられる。

【００５４】水溶性フラックスは、溶剤に非イオン系界
面活性剤を溶融したもので、半田付け後の残渣は温水で
洗浄除去が可能である。活性剤としてはアミン酸塩等が
使用される。

【００５５】通常の場合、半田に含まれるフラックスの
量は、例えば塩素換算で０．３％程度である。しかし本
発明の場合、Ｎｉ膜１８Ｂの半田付け性の悪さが考慮さ
れて多量のフラックスが使用される。具体的に、本発明
において使用するフラックスの量は、例えば塩素換算で
０．７％程度である。このように多量のフラックスを使
用することにより、Ｎｉ膜１８Ｂの半田付け性を向上さ
せることができる。

【００５６】以上の説明に於いては、ＰｂとＳｎとから
構成される半田を用いて説明を行った。しかし環境への
配慮から、Ｐｂを用いない半田が使用されるようになっ
た。このようにＰｂを使用しない半田を、一般的に鉛フ
リー半田という。本発明に於いても、鉛フリー半田を使
用することが可能である。具体的に、鉛フリー半田の組
成としては、Ｓｎ−５８Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ
−２Ａｇ−７．５Ｂｉ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ
−Ｉｎ、Ｓｎ−３．５ＡｇおよびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ等が
挙げられる。

【００５７】図３を参照して、プリント基板２１等のイ
ンターポーザを用いた回路装置２０について説明を行
う。図３（Ａ）は回路装置２０の断面図であり、図３
（Ｂ）は図３（Ｂ）はチップ部品１２Ｂが実装される部
分の拡大図である。

【００５８】図３（Ａ）を参照して、本発明に係る回路
装置２０は、プリント基板２１と、プリント基板２１上
に形成された導電パターン１１と、導電パターン１１の
表面に形成されたメッキ膜１４と、メッキ膜１４の上部
に実装された半導体素子１２Ａと、導電パターン１１上
に半田１５Ｂを介して実装されたチップ部品１２Ｂと、
半導体素子１２Ａと導電パターン１１Ｂとの電気的接続
を行う金属細線１５Ａと、上記要素を被覆する絶縁性樹
脂１３と、プリント基板２１の裏面に形成される外部電
極１６とから構成されている。

【００５９】このように、回路装置２０の構成はプリン
ト基板２１以外の構成は回路装置１０と同様である。こ
こでプリント基板の替わりに絶縁金属基板、セラミック
基板またはアルミナ基板を使用することが可能である。

【００６０】回路装置２０は、外部電極１６と半田１５
Ｂとの間にプリント基板２１を有する。従って、基板を
不要にした回路装置１０と比較すると、リフロー時に半
田１５Ｂに伝わる熱量は少ない。それにもかかわらず、
従来に於いては、半田１５ＢとＳｎ膜１８Ｃとで形成さ
れた共晶型合金が、リフロー時に融解してしまう問題が
発生していた。

【００６１】このような問題も、回路装置１０と同じよ
うに、Ｎｉ膜１８Ｂを半田１５Ｂで直接半田付けするこ
とによって解決することができる。

【００６２】チップ部品１２Ｂの形状は、回路装置１０
の場合と同様である。また半田１５Ｂに添加されるフラ
ックスの種類およびその量も、回路装置１０の場合と同
様である。従ってこれらの説明は省略する。

【００６３】

【発明の効果】本発明のチップ部品およびそれを実装し
た回路装置によれば、以下に示すような効果を奏するこ
とができる。

【００６４】第１に、チップ部品の電極の最外殻をＮｉ
膜で形成することにより、半田を用いてチップ部品を導
電パターンに実装する際に、半田とＮｉ膜との界面に金
属間化合物を生成することができる。この金属間化合物
は、固相線温度が非常に高い物質である。従って、チッ
プ部品が実装された回路装置をリフローで基板に実装す
る際に、共晶型合金が融解して回路装置が破損してしま
うのを防止することができる。

【００６５】第２に、半田に多量のフラックスを添加す
ることにより、チップ部品の電極のＮｉ膜表面に形成さ
れた酸化膜を除去することができる。従って、Ｎｉ膜の
半田付け性を向上させ、半田とチップ部品との結合を強
固にすることができる。

【００６６】第３に、従来のチップ部品の電極はＡｇ
膜、Ｎｉ膜およびＳｎ膜とで形成されていたが、本発明
に斯かるチップ部品の電極はＡｇ膜およびＮｉ膜のみで
形成されている。従って、チップ部品の構造を簡素化す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に斯かるチップ部品およびそれを実装し
た回路装置を説明する図である。

【図２】本発明に斯かるチップ部品の電極の形状を説明
する図である。

【図３】本発明に斯かるチップ部品およびそれを実装し
た回路装置を説明する図である。

【図４】従来の回路装置を説明する図である。

【図５】従来の回路装置に実装するチップ部品の電極の
形状を説明する図である。

【図６】半田の組成と、固相線温度および液相線温度と
の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１０ 回路装置 １１ 導電パターン １２Ｂ チップ部品 １５Ｂ 半田 １８Ａ Ａｇ膜 １８Ｂ Ｎｉ膜

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Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 メタル端子と、前記メタル端子を保護す
   るＮｉ膜とから形成される電極を両端に有することを特
   徴とするチップ部品。
2. 【請求項２】 メタル端子と、前記メタル端子を保護す
   るＮｉ膜とから形成される電極を両端に有するチップ部
   品であり、 前記Ｎｉ膜を前記チップ部品の電極の最外殻とすること
   により、前記チップ部品を半田を用いて実装する際に、
   前記チップ部品の電極と前記半田とで金属間化合物が形
   成され、 前記金属間化合物の固相線温度は、リフロー時の温度よ
   りも高いことを特徴とするチップ部品。
3. 【請求項３】 前記チップ部品は、コンデンサ、抵抗ま
   たはコイルであることを特徴とする請求項１または請求
   項２記載のチップ部品。
4. 【請求項４】 前記メタル端子は、Ａｇを主体とする材
   料から形成されることを特徴とする請求項１〜請求項３
   のいずれか一項記載のチップ部品。
5. 【請求項５】 前記Ｎｉ膜は、Ｎｉを主体とする材料か
   ら形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４のい
   ずれか一項記載のチップ部品。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５のいずれか一項記載
   のチップ部品と、 前記チップ部品が実装される導電パターンと、 前記チップ部品と前記導電パターンとの電気的接続を行
   う半田と、 前記チップ部品を被覆し且つ全体を支持する絶縁性樹脂
   とを有することを特徴とする回路装置。
7. 【請求項７】 前記半田には、塩素換算で０．７％以上
   のフラックスが添加されることを特徴とする請求項６記
   載の回路装置。
8. 【請求項８】 前記フラックスは、ロジン系フラックス
   または水溶性フラックスであることを特徴とする請求項
   ７記載の回路装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜請求項５のいずれか一項記載
   のチップ部品と、 前記チップ部品が実装される導電パターンが表面に形成
   された基板と、 前記チップ部品と前記導電パターンとの電気的接続を行
   う半田と、 前記チップ部品を被覆し、全体を支持する絶縁性樹脂と
   を有することを特徴とする回路装置。
10. 【請求項１０】 前記基板は、絶縁金属基板、プリント
    基板、セラミック基板、またはアルミナ基板であること
    を特徴とする請求項９記載の回路装置。
11. 【請求項１１】 前記半田には、塩素換算で０．７％以
    上のフラックスが添加されることを特徴とする請求項９
    または請求項１０記載の回路装置。
12. 【請求項１２】 前記フラックスは、ロジン系フラック
    スまたは水溶性フラックスであることを特徴とする請求
    項１１記載の回路装置。