JP2003190874A - Method for producing pattern sheet and method for forming fine pattern - Google Patents
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シート状物表面に
親水−撥水パターンを形成し、次いで、そのシート状物
表面の親水性を有する部分に塗布液を塗布して固化させ
ることによりパターンシートを製造するパターンシート
の製造方法、およびそのようなパターンシートの製造方
法によって製造されたパターンシートを用いた微細パタ
ーン形成方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to forming a hydrophilic-water-repellent pattern on the surface of a sheet material, and then applying a coating solution to the hydrophilic portion of the surface of the sheet material to solidify the pattern. The present invention relates to a pattern sheet manufacturing method for manufacturing a sheet, and a fine pattern forming method using a pattern sheet manufactured by such a pattern sheet manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、カラーフィルタ、有機ＥＬなどの
電子ディスプレイ用の材料として、シート上に、単色ま
たは複数色、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）３色
の、ミクロンオーダの微細なストライプ状もしくはマト
リクス状のパターンを形成したパターンシートが用いら
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a material for an electronic display such as a color filter or an organic EL, a micron of a single color or a plurality of colors, for example, R (red), G (green) and B (blue), on a sheet. A pattern sheet on which an orderly fine stripe-shaped or matrix-shaped pattern is formed is used.
【０００３】このパターンシートの製造方法として、ま
ず、表面に、親水性を有する部分と撥水性を有する部分
とからなる親水−撥水パターンを有するシート状物を用
意し、次いで、このシート状物の親水性を有する部分に
塗布液を塗布して固化させることで、パターニングされ
た塗布層を有するパターンシートを製造する方法が知ら
れている。シート状物表面に親水−撥水パターンを得る
には、例えば、シート状物表面をイオン注入によってパ
ターニングする方法（特開平７−２４４３７０号公報参
照）や、親水性を有するシート状物表面に、光照射によ
って除去される撥水層を化学気相法により一旦蒸着させ
たり、あるいは撥水性を有するシート状物表面に、光照
射によって親水化する光触媒含有層を一旦形成させ、そ
れらの撥水層や光触媒含有層を光照射によってパターニ
ングする方法（特開２０００−２８２２４０号公報、特
開２０００−８７０１６号公報，特開２０００−２２３
２７０号公報，特開２００１−２５７０７３号公報参
照）が提案されている。As a method for producing this pattern sheet, first, a sheet-like article having a hydrophilic-water-repellent pattern having a hydrophilic portion and a water-repellent portion is prepared on the surface, and then this sheet-like article is prepared. There is known a method for producing a pattern sheet having a patterned coating layer by applying a coating liquid to the hydrophilic portion of the above and solidifying the coating liquid. In order to obtain a hydrophilic-water-repellent pattern on the surface of the sheet-shaped material, for example, a method of patterning the surface of the sheet-shaped material by ion implantation (see JP-A-7-244370) or a surface of the sheet-shaped material having hydrophilicity is used. A water repellent layer removed by light irradiation is once deposited by a chemical vapor phase method, or a photocatalyst-containing layer that is made hydrophilic by light irradiation is once formed on the surface of a sheet-like material having water repellency, and these water repellent layers are formed. And a method of patterning the photocatalyst-containing layer by light irradiation (Japanese Patent Laid-Open Nos. 2000-822240, 2000-87016, 2000-223).
No. 270, and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-257073) are proposed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ニングにイオン注入を用いる方法や、撥水層の蒸着に化
学気相法を用いる方法では、イオン注入や化学気相法を
実施するまでの工程が煩雑になってしまう。また、光触
媒含有層を一旦形成させる方法では、親水化した光触媒
含有層が塗布液に影響し、塗布液の性能を低下させてし
まう恐れがある。However, in the method using ion implantation for patterning and the method using chemical vapor deposition for vapor deposition of the water-repellent layer, the steps until the ion implantation and chemical vapor deposition are complicated. Become. Further, in the method of once forming the photocatalyst-containing layer, the hydrophilized photocatalyst-containing layer may affect the coating liquid, and the performance of the coating liquid may be deteriorated.
【０００５】また、電子ディスプレイ用の材料として、
このようにして製造したパターンシートを用いずに、こ
のパターンシートに形成された塗布層を、電極が形成さ
れた支持体表面に転写し、塗布層が転写された支持体を
電子ディスプレイ用の材料として用いることもある。As a material for electronic displays,
The coating layer formed on the pattern sheet is transferred onto the surface of the support on which the electrodes are formed without using the pattern sheet thus manufactured, and the support on which the coating layer is transferred is used as a material for an electronic display. Sometimes used as.
【０００６】本発明は、上記事情に鑑み、シート状物の
表面に、塗布液の性能を低下させることがない親水−撥
水パターンを簡単な工程で形成することができるパター
ンシートの製造方法、およびそのようなパターンシート
の製造方法によって製造されたパターンシートを用いた
微細パターン形成方法を提供することを目的とする。In view of the above circumstances, the present invention provides a method for producing a pattern sheet, which can form a hydrophilic-water-repellent pattern on the surface of a sheet-like material in a simple process without deteriorating the performance of a coating liquid, Another object of the present invention is to provide a fine pattern forming method using a pattern sheet manufactured by such a method for manufacturing a pattern sheet.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のうちのパターンシートの製造方法は、表面が撥水性
を有するシート状物の該表面に、親水性を有する部分と
撥水性を有する部分とからなる親水−撥水パターンを形
成し、次いで、該シート状物表面の親水性を有する部分
に塗布液を塗布して固化させることによりパターンシー
トを製造するパターンシートの製造方法において、表面
が撥水性を有するシート状物の表面を複数の開口が配列
されたマスクで覆い、前記シート状物表面の、前記マス
クの開口から露出した部分のみ気体雰囲気に晒された状
態で気体放電を行うことにより、該シート状物表面の前
記マスクの開口から露出した部分を親水化することを特
徴とする。The method for producing a patterned sheet according to the present invention, which achieves the above object, has a water-repellent sheet-like material having a hydrophilic portion and a water-repellent portion on the surface. In the method for producing a pattern sheet, a hydrophilic-water-repellent pattern comprising a portion and a pattern sheet is produced by applying a coating solution to the hydrophilic portion of the surface of the sheet material and then solidifying the coating solution. Covers the surface of a sheet-like material having water repellency with a mask in which a plurality of openings are arranged, and gas discharge is performed in a state where only a portion of the surface of the sheet-like material exposed from the opening of the mask is exposed to a gas atmosphere. Thus, the portion of the surface of the sheet-like material exposed from the opening of the mask is made hydrophilic.
【０００８】本発明のパターンシートの製造方法によれ
ば、上記マスクをのせて気体放電を行うことで親水−撥
水パターンが形成されるため、簡単な工程で親水−撥水
パターンを形成することができる。また、気体放電によ
る上記シート状物の表面の改質作用によってその表面を
親水化させるため、塗布液の性能を低下させる恐れがな
い親水−撥水パターンを形成することができる。According to the method for producing a pattern sheet of the present invention, a hydrophilic-water repellent pattern is formed by placing a gas on the mask and performing gas discharge, so that the hydrophilic-water repellent pattern can be formed by a simple process. You can Further, since the surface of the sheet-like material is modified by the gas discharge to make the surface hydrophilic, it is possible to form a hydrophilic-water-repellent pattern that does not deteriorate the performance of the coating liquid.
【０００９】また、本発明のパターンシートの製造方法
において、上記気体放電は、炭酸ガスを含む雰囲気中で
行うコロナ放電であることや、あるいは、上記気体放電
は、炭酸ガスを含む雰囲気中で行うプラズマ放電である
ことが好ましい。In the method for manufacturing a patterned sheet of the present invention, the gas discharge is corona discharge performed in an atmosphere containing carbon dioxide gas, or the gas discharge is performed in an atmosphere containing carbon dioxide gas. It is preferably plasma discharge.
【００１０】炭酸ガスを含む雰囲気中でコロナ放電やプ
ラズマ放電を行えば、効率よく親水化させることができ
る。また、このようにして親水化された部分は、上記塗
布液の密着性が良好なものとなる。By performing corona discharge or plasma discharge in an atmosphere containing carbon dioxide gas, it is possible to efficiently make hydrophilic. In addition, the thus hydrophilized portion has good adhesion to the coating liquid.
【００１１】ここで、コロナ放電は、炭酸ガス濃度５０
〜１００％の雰囲気中で行うことがより好ましい。Here, the corona discharge is a carbon dioxide gas concentration of 50.
It is more preferable to carry out in an atmosphere of -100%.
【００１２】また、上記塗布液が、有機ＥＬ素材であっ
てもよく、あるいは、上記シート状物が、ポリテトラフ
ルオロエチレンであってもよい。The coating liquid may be an organic EL material, or the sheet-like material may be polytetrafluoroethylene.
【００１３】さらに、上記マスクが、非導伝性材料であ
ることが好ましい。Further, it is preferable that the mask is made of a non-conductive material.
【００１４】上記目的を達成する本発明のうちの微細パ
ターン形成方法は、本発明のパターンシートの製造方法
によって製造されたパターンシートを、電極の形成され
た支持体上にのせ、上記塗布液を上記支持体側へ転写す
ることを特徴とする。In the fine pattern forming method of the present invention for achieving the above object, the pattern sheet produced by the method for producing a pattern sheet of the present invention is placed on a support on which electrodes are formed, and the above coating solution is applied. It is characterized in that it is transferred to the support side.
【００１５】本発明の微細パターン形成方法によれば、
シート状物の表面に、簡単な工程で形成された、塗布液
の性能を低下させることがない親水−撥水パターンの、
親水性の部分に塗布して固化させた塗布層が、上記支持
体に転写される。According to the fine pattern forming method of the present invention,
A hydrophilic-water-repellent pattern formed by a simple process on the surface of the sheet-like material, which does not deteriorate the performance of the coating liquid,
The coating layer coated on the hydrophilic portion and solidified is transferred to the support.
【００１６】また、本発明の微細パターン形成方法にお
いて、転写温度が２００℃以下であることが好ましい。In the fine pattern forming method of the present invention, the transfer temperature is preferably 200 ° C. or lower.
【００１７】このように転写温度を２００℃以下にする
ことで、熱による塗布層への影響をなくすことができ
る。By thus setting the transfer temperature at 200 ° C. or lower, the influence of heat on the coating layer can be eliminated.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態として有
機薄膜層を形成する場合について説明する。この実施形
態で形成される有機薄膜層は、一対の対向電極に挟み込
まれて発光素子として使用される。すなわち、有機薄膜
層を挟み込んだ一対の対向電極間に電界を印加すること
で、有機薄膜層内に陰極から電子を注入するとともに、
陽極から正孔を注入する。注入された電子と正孔は有機
薄膜層中で再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電
子帯に戻る際にエネルギーが光として放出され、有機薄
膜層は発光する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a case of forming an organic thin film layer will be described as an embodiment of the present invention. The organic thin film layer formed in this embodiment is sandwiched between a pair of counter electrodes and used as a light emitting element. That is, by applying an electric field between a pair of opposing electrodes sandwiching the organic thin film layer, while injecting electrons from the cathode into the organic thin film layer,
Holes are injected from the anode. The injected electrons and holes are recombined in the organic thin film layer, energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band, and the organic thin film layer emits light.
【００１９】以下の説明では、パターニングした有機薄
膜層をシート状の仮支持体の表面に一旦形成し、その有
機薄膜層を、支持体表面に転写することにより、支持体
表面に有機薄膜層を形成する方法について説明する。In the following description, a patterned organic thin film layer is once formed on the surface of a sheet-like temporary support, and the organic thin film layer is transferred onto the surface of the support to form an organic thin film layer on the surface of the support. A method of forming will be described.
【００２０】図１は、仮支持体に有機薄膜層を形成して
いる最中の仮支持体処理ラインの様子を簡略化して示し
た図である。FIG. 1 is a simplified view showing a state of a temporary support treatment line during the formation of the organic thin film layer on the temporary support.
【００２１】図１に示す仮支持体処理ライン１は、本発
明のうちのパターンシートの製造方法の一実施形態であ
る、仮支持体の表面に有機薄膜層を形成する方法を実施
するためのラインであって、仮支持体を搬送しながら、
仮支持体に、コロナ処理、塗布処理、および乾燥処理を
順次施すラインである。このような仮支持体処理ライン
１には、上流端に送出ロール１０が配備され、搬送経路
に沿って、回転ロール２０、塗布装置３０、および乾燥
装置４０も配備されている。またさらに、この仮支持体
処理ライン１には、回転ロール２０に対向する位置にコ
ロナ処理装置５０が配備されている。The temporary support treatment line 1 shown in FIG. 1 is for carrying out a method for forming an organic thin film layer on the surface of a temporary support, which is one embodiment of the method for producing a patterned sheet of the present invention. It is a line, while transporting the temporary support,
In this line, a corona treatment, a coating treatment, and a drying treatment are sequentially performed on the temporary support. In such a temporary support processing line 1, a delivery roll 10 is provided at the upstream end, and a rotating roll 20, a coating device 30, and a drying device 40 are also provided along the transport path. Furthermore, in this temporary support processing line 1, a corona processing device 50 is provided at a position facing the rotating roll 20.
【００２２】図１に示す仮支持体２は、ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる厚さ１００μｍの長
尺なシート状物であって、水との接触角に換算して１０
４度の撥水性を有するものである。このような仮支持体
２は、ロール状に巻回された状態で送出ロール１０にセ
ットされ、この仮支持体処理ライン１の搬送経路を搬送
される（図中の矢印参照）。なお、仮支持体は、本実施
形態のものに限らず、化学的及び熱的に安定であって、
表面が撥水性を有する、可撓性のシート状物であればよ
い。具体的には、フッ素樹脂［例えば、３フッ化塩化エ
チレン樹脂（ＰＣＴＦＥ））、ポリオレフィン（例えば
ポリエチレン、ポリプロピレン）等の薄いシート、又は
これらの積層体であることが好ましい。また、仮支持体
の厚さは、１μｍ〜３００μｍであってもよく、特に微
細パターン状の有機薄膜層を形成する場合には、３μｍ
〜２０μｍであることが好ましい。The temporary support 2 shown in FIG. 1 is a long sheet-like material made of polytetrafluoroethylene (PTFE) and having a thickness of 100 μm, and is 10 in terms of contact angle with water.
It has a water repellency of 4 degrees. The temporary support 2 as described above is set on the delivery roll 10 in a state of being wound into a roll, and is transported through the transport path of the temporary support processing line 1 (see an arrow in the figure). The temporary support is not limited to that of this embodiment, is chemically and thermally stable,
A flexible sheet-like material having a water-repellent surface may be used. Specifically, it is preferably a thin sheet of fluororesin [eg, trifluorochloroethylene resin (PCTFE)], polyolefin (eg, polyethylene, polypropylene), or a laminated body thereof. The thickness of the temporary support may be 1 μm to 300 μm, and particularly 3 μm when an organic thin film layer having a fine pattern is formed.
It is preferably ˜20 μm.
【００２３】送出ロール１０から送り出された仮支持体
２は、まずコロナ処理される。このコロナ処理はコロナ
処理装置５０によって行われる。コロナ処理装置５０
は、チャンバ５０１とコロナ電極５０２とを備えてい
る。チャンバ５０１内の雰囲気は、炭酸ガス（ＣＯ2）
濃度（ｍｏｌ％）９５％の雰囲気である。コロナ電極５
０２は、このようなチャンバ５０１内に、回転ロール２
０に対向するように設けられている。また、この図１に
示す仮支持体処理ライン１には、非導伝性材料からなる
無端状のマスク６０が設けられている。この無端状のマ
スク６０は、チャンバ５０１内を経由して循環するもの
である。すなわち、このマスク６０は、回転ロール２０
よりも上流側で、搬送中の仮支持体２の表面に接し、仮
支持体２の表面を覆った状態で仮支持体２とともに回転
ロール２０に巻き掛かかり、回転ロール２０よりも下流
側で、搬送中の仮支持体２の表面から離れるように循環
している。このコロナ処理では、このようにして循環す
るマスクを仮支持体にのせて処理を行う。したがって、
このようにマスク６０を循環させることで、連続してコ
ロナ処理を行うことができ、処理効率は良好になる。The temporary support 2 delivered from the delivery roll 10 is first subjected to corona treatment. This corona treatment is performed by the corona treatment device 50. Corona treatment device 50
Includes a chamber 501 and a corona electrode 502. The atmosphere in the chamber 501 is carbon dioxide (CO 2 )
The atmosphere is 95% in concentration (mol%). Corona electrode 5
02 is a rotary roll 2 in such a chamber 501.
It is provided so as to face 0. Further, the temporary support processing line 1 shown in FIG. 1 is provided with an endless mask 60 made of a non-conductive material. The endless mask 60 is circulated through the chamber 501. That is, this mask 60 is used for the rotating roll 20.
On the upstream side, contact the surface of the temporary support 2 being conveyed, and wrap around the rotary roll 20 together with the temporary support 2 while covering the surface of the temporary support 2, and on the downstream side of the rotary roll 20. , Is circulated away from the surface of the temporary support 2 being transported. In this corona treatment, the mask thus circulated is placed on the temporary support and treated. Therefore,
By circulating the mask 60 in this manner, the corona treatment can be continuously performed, and the treatment efficiency is improved.
【００２４】ここで、図１からを一旦離れて、図２を用
いてコロナ処理について詳述する。Here, the corona treatment will be described in detail with reference to FIG. 2 once leaving FIG.
【００２５】図２は、図１に示すコロナ処理装置による
コロナ処理を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the corona treatment by the corona treatment device shown in FIG.
【００２６】図２には、搬送中の仮支持体２、回転ロー
ル２０、コロナ処理装置のコロナ電極５０２、および循
環中のマスク６０が示されている。FIG. 2 shows the temporary support 2 being conveyed, the rotating roll 20, the corona electrode 502 of the corona treatment device, and the circulating mask 60.
【００２７】回転ロール２０は、図２中の１点鎖線を中
心にして回転するものであり、グランドに接続されてい
る。一方、コロナ電極５０２には所定の高電圧が印加さ
れる。コロナ電極５０２に所定の高電圧が印加される
と、コロナ電極５０２と回転ロール２０との間で、０．
１５ｋＷ／ｍ2／ｍｉｎの大きさのコロナ放電が発生す
る。上述のごとく、チャンバ５０１内が、炭酸ガス（Ｃ
Ｏ2）濃度（ｍｏｌ％）９８％の雰囲気下であるため、
このコロナ放電は、このような雰囲気下で発生する。The rotating roll 20 rotates about the one-dot chain line in FIG. 2 and is connected to the ground. On the other hand, a predetermined high voltage is applied to the corona electrode 502. When a predetermined high voltage is applied to the corona electrode 502, a voltage of 0.
Corona discharge having a magnitude of 15 kW / m 2 / min occurs. As described above, the inside of the chamber 501 is carbon dioxide gas (C
Since it is under an atmosphere of O 2 ) concentration (mol%) of 98%,
This corona discharge occurs in such an atmosphere.
【００２８】続いて、図３を用いて、図２に示すマスク
６０について詳述する。Next, the mask 60 shown in FIG. 2 will be described in detail with reference to FIG.
【００２９】図３は、図２に示すマスクの一部を示す図
である。FIG. 3 is a view showing a part of the mask shown in FIG.
【００３０】図３の左側には、マスク６０の一部を示す
平面図が示されており、図３の右側には、この左側の平
面図中の１点鎖線で囲んだ範囲を拡大した部分拡大図が
示されている。On the left side of FIG. 3, a plan view showing a part of the mask 60 is shown, and on the right side of FIG. 3, a portion enlarging a range surrounded by a chain line in the left side plan view is shown. An enlarged view is shown.
【００３１】この図３に示すマスク６０はポリイミドか
らなるものであるが、ポリイミドに限らず、非導電性材
料からなるものであればよい。このマスク６０には、マ
トリクス状に複数の矩形孔６０１が設けられている。こ
れらの矩形孔６０１それぞれは、右側の部分拡大図に示
すように、縦の長さが１００μｍ、横の長さが５０μｍ
である。また、互いに隣接する矩形孔６０１どうしの
縦、横それぞれの間隔は１０μｍである。Although the mask 60 shown in FIG. 3 is made of polyimide, it is not limited to polyimide and may be made of a non-conductive material. The mask 60 has a plurality of rectangular holes 601 arranged in a matrix. Each of these rectangular holes 601 has a vertical length of 100 μm and a horizontal length of 50 μm, as shown in a partially enlarged view on the right side.
Is. The vertical and horizontal intervals between the rectangular holes 601 adjacent to each other are 10 μm.
【００３２】このようなマスク６０の循環速度と、仮支
持体２の搬送速度は同速度であり、両者は重なった状態
で回転ロール２０に巻き掛けられる。すなわち、回転ロ
ール２０上では、仮支持体表面の、マスク６０の矩形孔
６０１から露出した部分が、チャンバ内の雰囲気に晒さ
れる。したがって、コロナ電極に所定の高電圧が印加さ
れてコロナ放電が発生すると、その露出した部分が、炭
酸ガスを含む雰囲気中のコロナ放電によってコロナ処理
される。炭酸ガスを含む雰囲気中でコロナ放電が生じる
と、その雰囲気がプラズマ状態になりラジカルが生じ
る。この際、雰囲気中の炭酸ガス濃度が高ければ高いほ
ど、仮支持体表面の分子鎖を切るラジカルの発生が抑え
られ、逆に、仮支持体表面の親水化に寄与するラジカル
の発生が盛んになる。仮支持体表面の、マスク６０の矩
形孔６０１から露出した部分は、この親水化に寄与する
ラジカルが結合して、水との接触角に換算して６０度の
親水性を有する部分になる。なお、仮支持体表面の分子
鎖が切られると、その分子鎖が切られた部分は低分子化
し、後に説明する塗布液が塗布されても密着性が悪くな
る。The circulation speed of the mask 60 and the transportation speed of the temporary support 2 are the same, and the two are wound around the rotary roll 20 in an overlapping state. That is, on the rotating roll 20, the part of the surface of the temporary support exposed from the rectangular hole 601 of the mask 60 is exposed to the atmosphere in the chamber. Therefore, when a predetermined high voltage is applied to the corona electrode and corona discharge occurs, the exposed portion is corona-treated by the corona discharge in the atmosphere containing carbon dioxide gas. When corona discharge occurs in an atmosphere containing carbon dioxide, the atmosphere becomes a plasma state and radicals are generated. At this time, the higher the carbon dioxide concentration in the atmosphere, the more the generation of radicals that cut the molecular chains on the surface of the temporary support is suppressed, and conversely, the generation of radicals that contribute to the hydrophilization of the surface of the temporary support is increased. Become. The portion of the surface of the temporary support exposed from the rectangular hole 601 of the mask 60 becomes a portion having a hydrophilicity of 60 degrees in terms of a contact angle with water, due to the binding of radicals that contribute to the hydrophilicity. When the molecular chain on the surface of the temporary support is cut, the molecular chain is cut to a low molecular weight, resulting in poor adhesion even when the coating liquid described later is applied.
【００３３】以上説明したようなコロナ処理により、撥
水性を有する仮支持体表面のうち、マスク６０の矩形孔
６０１から露出した部分のみが親水化され、マトリクス
状の親水―撥水パターンが形成される。本実施形態にお
けるコロナ処理では、仮支持体表面にマスクをのせてコ
ロナ放電を行うことで親水−撥水パターンを形成するこ
とができるため、簡単な工程で親水−撥水パターンを形
成することができる。By the corona treatment as described above, only the portion of the surface of the temporary support having water repellency exposed from the rectangular holes 601 of the mask 60 is hydrophilized to form a matrix hydrophilic-water repellent pattern. It In the corona treatment in the present embodiment, a hydrophilic-water repellent pattern can be formed by placing a mask on the surface of the temporary support and performing corona discharge, so that the hydrophilic-water repellent pattern can be formed by a simple process. it can.
【００３４】また、コロナ処理に代えてプラズマ処理を
行っても、簡単な工程で親水−撥水パターンを形成する
ことができる。このプラズマ処理でも仮支持体表面に図
３に示すようなマスクをのせて処理を行う。プラズマ処
理では、Ａｒ等の不活性ガスを主成分とするガスに炭酸
ガスを混合させた混合ガスの雰囲気下でプラズマ放電を
生じさせることにより、コロナ処理と同じく、仮支持体
表面のうちの、マスク６０の矩形孔６０１から露出した
部分のみを親水化させる。Even if plasma treatment is performed instead of corona treatment, the hydrophilic-water repellent pattern can be formed in a simple process. Also in this plasma treatment, the treatment is performed by placing a mask as shown in FIG. 3 on the surface of the temporary support. In the plasma treatment, plasma discharge is generated in an atmosphere of a mixed gas in which carbon dioxide is mixed with a gas containing an inert gas such as Ar as a main component. Only the portion of the mask 60 exposed from the rectangular hole 601 is made hydrophilic.
【００３５】ここで図１を再び用いて、仮支持体処理ラ
イン１におけるコロナ処理より後の処理について説明す
る。Here, referring to FIG. 1 again, the process after the corona process in the temporary support processing line 1 will be described.
【００３６】親水―撥水パターンが形成された仮支持体
２は、塗布装置３０に搬送されて塗布処理される。この
塗布処理で塗布される塗布液３は、少なくとも一種の発
光性化合物を含有するものである。発光性化合物の含有
量は、特に制限されないが、例えば０．１〜７０質量％
であり、１〜２０質量％であることが好ましい。発光性
化合物の含有量が０．１質量％未満であるか、７０質量
％を超えると、発光効果が十分に発揮されない場合があ
る。また、発光性化合物は特に限定的されるものではな
く、蛍光発光性化合物であっても燐光発光性化合物であ
ってもよいし、あるいは蛍光発光性化合物及び燐光発光
性化合物を同時に用いてもよい。The temporary support 2 having the hydrophilic-water repellent pattern formed thereon is conveyed to the coating device 30 and subjected to coating treatment. The coating liquid 3 applied by this coating treatment contains at least one luminescent compound. The content of the luminescent compound is not particularly limited, but is, for example, 0.1 to 70% by mass.
And is preferably 1 to 20 mass%. When the content of the light emitting compound is less than 0.1% by mass or exceeds 70% by mass, the light emitting effect may not be sufficiently exhibited. Further, the light emitting compound is not particularly limited, and may be a fluorescent light emitting compound or a phosphorescent light emitting compound, or a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound may be used at the same time. .
【００３７】本実施形態においては、発光輝度及び発光
効率の点から燐光発光性化合物を用いている。具体的に
は、三重項励起子から発光することができる化合物であ
るオルトメタル化錯体を用いている。ここにいうオルト
メタル化錯体とは、山本明夫著「有機金属化学 基礎と
応用」， １５０頁及び２３２頁， 裳華房社（１９８
２年）、Ｈ． Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ
Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」，
７１〜７７頁及び１３５〜１４６頁， Ｓｐｒｉｎｇｅ
ｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）等に記載されている
化合物群の総称である。オルトメタル化錯体を形成する
配位子は特に限定されないが、２−フェニルピリジン誘
導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエ
ニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン
誘導体又は２−フェニルキノリン誘導体であることが好
ましい。これら誘導体は置換基を有していてもよい。ま
た、これらのオルトメタル化錯体形成に必須の配位子以
外に他の配位子を有していてもよい。オルトメタル化錯
体を形成する中心金属としては、遷移金属であればいず
れも使用可能であり、ロジウム、白金、金、イリジウ
ム、ルテニウム、パラジウム等を好ましく用いることが
できる。このようなオルトメタル化錯体を含む有機化合
物層は、発光輝度及び発光効率に優れている。オルトメ
タル化錯体については、特願２０００−２５４１７１号
の段落番号０１５２〜０１８０にもその具体例が記載さ
れている。また、本実施形態で用いたオルトメタル化錯
体は、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ３０， １６８
５， １９９１、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ２７，
３４６４， １９８８、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．，
３３， ５４５， １９９４、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｉ
ｍ． Ａｃｔａ， １８１， ２４５， １９９１、
Ｊ． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．， ３３５，
２９３， １９８７、Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓ
ｏｃ．， １０７， １４３１， １９８５ 等に記載
の公知の手法で合成することができる。In the present embodiment, a phosphorescent compound is used from the viewpoint of luminous brightness and luminous efficiency. Specifically, an orthometalated complex which is a compound capable of emitting light from triplet excitons is used. The ortho-metallated complex referred to here is “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications” by Akio Yamamoto, pp. 150 and 232, Sokabosha (198)
2 years), H. Yersin "Photochemi
story and Photophysics of
Coordination Compounds ",
71-77 and 135-146, Springe
It is a general term for a group of compounds described in r-Verlag (1987) and the like. The ligand forming the orthometallated complex is not particularly limited, but it may be a 2-phenylpyridine derivative, a 7,8-benzoquinoline derivative, a 2- (2-thienyl) pyridine derivative, a 2- (1-naphthyl) pyridine derivative or It is preferably a 2-phenylquinoline derivative. These derivatives may have a substituent. Further, it may have other ligands in addition to the ligands essential for forming the orthometalated complex. As the central metal forming the ortho-metallated complex, any transition metal can be used, and rhodium, platinum, gold, iridium, ruthenium, palladium and the like can be preferably used. The organic compound layer containing such an orthometalated complex is excellent in light emission brightness and light emission efficiency. Specific examples of orthometalated complexes are described in Japanese Patent Application No. 2000-254171, paragraphs 0152 to 0180. In addition, the ortho-metallated complex used in the present embodiment is described in Inorg. Chem. , 30, 168
5, 1991, Inorg. Chem. , 27,
3464, 1988, Inorg. Chem. ，
33, 545, 1994, Inorg. Chi
m. Acta, 181, 245, 1991,
J. Organomet. Chem. , 335
293, 1987, J. Am. Chem. S
oc. , 107, 1431, 1985 and the like, can be used for the synthesis.
【００３８】また、オルトメタル化錯体に代えて、ポル
フィリン錯体を用いてもよい。ポルフィリン錯体もオル
トメタル化錯体と同じく燐光発光性化合物である。ポル
フィリン錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好まし
い。なお、燐光発光性化合物は単独で使用しても２種以
上を併用してもよい。A porphyrin complex may be used instead of the orthometalated complex. The porphyrin complex is also a phosphorescent compound like the orthometalated complex. Among the porphyrin complexes, the porphyrin platinum complex is preferable. The phosphorescent compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００３９】さらに、発光性化合物として蛍光発光性化
合物を用いる場合には、ベンゾオキサゾール誘導体、ベ
ンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ス
チリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニ
ルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン
誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリ
ドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリ
ジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデ
ン化合物、金属錯体（８−キノリノール誘導体の金属錯
体、希土類錯体等）、高分子発光性化合物（ポリチオフ
ェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビ
ニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等）等を用いるこ
とができる。これらは単独で用いても二種以上を混合し
て用いてもよい。Further, when a fluorescent light emitting compound is used as the light emitting compound, a benzoxazole derivative, a benzimidazole derivative, a benzothiazole derivative, a styrylbenzene derivative, a polyphenyl derivative, a diphenylbutadiene derivative, a tetraphenylbutadiene derivative, naphthalimide. Derivatives, coumarin derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, pyraridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyrylanthracene derivatives, quinacridone derivatives, pyrrolopyridine derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, styrylamine derivatives, aromatics Dimethylidene compound, metal complex (metal complex of 8-quinolinol derivative, rare earth complex, etc.), polymer light-emitting compound (polythiophene derivative, polyphenylene compound) Vinylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like), or the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
【００４０】またさらに、塗布液３には必要に応じて、
ホスト化合物、ホール輸送材料、電子輸送材料、電気的
に不活性なポリマーバインダー等を含有させてもよい。Furthermore, if necessary, the coating liquid 3
A host compound, a hole transport material, an electron transport material, an electrically inactive polymer binder and the like may be contained.
【００４１】ホスト化合物とはその励起状態から発光性
化合物へエネルギー移動が起こり、その結果、その発光
性化合物を発光させる化合物である。その具体例として
は、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサ
ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導
体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ア
リールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチ
リルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラ
ゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香
族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族
ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、アントラキ
ノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ
ン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミ
ド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリル
ピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラ
カルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリ
ノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベン
ゾオキサゾールやベンゾチアゾール等を配位子とする金
属錯体、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾ
ール）誘導体、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマ
ー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポリチオフェン
誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレ
ン誘導体、ポリフルオレン誘導体等があげられる。ホス
ト化合物は１種単独で使用しても２種以上を併用しても
よい。The host compound is a compound that causes energy transfer from its excited state to the light emitting compound, and as a result causes the light emitting compound to emit light. Specific examples thereof include a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, and a styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, silazane derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidene compound, porphyrin compound, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyran dioxide Heterocyclic tetra derivatives such as derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, and naphthaleneperylene Rubonic acid anhydride, phthalocyanine derivative, metal complex of 8-quinolinol derivative, metal phthalocyanine, metal complex having benzoxazole or benzothiazole as a ligand, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer Conductive polymers such as thiophene oligomers and polythiophenes, polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like. The host compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００４２】ホール輸送材料は陽極からホールを注入す
る機能、ホールを輸送する機能、及び陰極から注入され
た電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであ
れば特に限定されず、低分子材料であっても高分子材料
であってもよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン化合
物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリ（Ｎ
−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン共重合体、チ
オフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分
子、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等
があげられる。これらは単独で使用しても２種以上を混
合して使用してもよい。The hole transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting holes from the anode, the function of transporting holes, and the function of blocking the electrons injected from the cathode, and it is low. It may be a molecular material or a polymeric material. Specific examples thereof include a carbazole derivative, a triazole derivative, an oxazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, and a styrylanthracene derivative. , Fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N
-Vinylcarbazole) derivative, aniline copolymer, thiophene oligomer, conductive polymer such as polythiophene, polythiophene derivative, polyphenylene derivative, polyphenylenevinylene derivative, polyfluorene derivative and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【００４３】電子輸送材料は陰極から電子を注入する機
能、電子を輸送する機能、及び陽極から注入されたホー
ルを障壁する機能のいずれかを有しているものであれば
特に限定されず、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘
導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導
体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘
導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン
誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレ
ン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン
誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタロフ
タロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール
等を配位子とする金属錯体、アニリン共重合体、チオフ
ェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子、ポ
リチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェ
ニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等が使用
可能である。The electron transport material is not particularly limited as long as it has any of the function of injecting electrons from the cathode, the function of transporting electrons, and the function of blocking holes injected from the anode. Triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, fluorenone derivative, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyran dioxide derivative, carbodiimide derivative, fluorenylidenemethane derivative, distyrylpyrazine derivative, naphthaleneperylene, etc. Heterocyclic tetracarboxylic acid anhydride, phthalocyanine derivative, metal complex of 8-quinolinol derivative, metallophthalocyanine, metal complex having benzoxazole, benzothiazole, etc. as a ligand, aniline copolymer, thiophene oligomer, Conductive polymer, polythiophene derivatives such as thiophene, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like can be used.
【００４４】ポリマーバインダーとしては、ポリ塩化ビ
ニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタ
ジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステ
ル、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアセタール等が使用可能
である。塗布液にポリマーバインダーを含有させると、
塗布液を、容易に且つ大面積に塗布することができる。As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin,
Polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal and the like can be used. When a coating solution contains a polymer binder,
The coating liquid can be easily applied to a large area.
【００４５】このような塗布液３を塗布する塗布装置３
０は、ロールコート法を採用した塗布装置であって、ロ
ールコータ３０１を備えている。このロールコータ３０
１は、その表面が搬送されてきた仮支持体表面に接する
ように配置されており、塗布処理中には回転させられ
る。塗布処理では、ロールコータ３０１を回転させるこ
とで、ロールコータ表面に塗布液３を供給しつつ仮支持
体表面に塗布液を塗布する。なお、スピンコート法、ス
クリーン印刷法、グラビアコート法（例えばマイクログ
ラビアコート法）、ディップコート法、キャスト法、ダ
イコート法、バーコート法、エクストルージェンコート
法、インクジェット塗布法等を採用した塗布装置を用い
てもよい。Coating device 3 for coating such coating liquid 3
Reference numeral 0 is a coating device adopting a roll coating method, which includes a roll coater 301. This roll coater 30
No. 1 is arranged such that its surface is in contact with the surface of the transported temporary support, and is rotated during the coating process. In the coating process, by rotating the roll coater 301, the coating liquid 3 is supplied to the surface of the roll coater while the coating liquid is coated on the surface of the temporary support. In addition, a coating device employing a spin coating method, a screen printing method, a gravure coating method (for example, a micro gravure coating method), a dip coating method, a casting method, a die coating method, a bar coating method, an extrusion coating method, an inkjet coating method, or the like. May be used.
【００４６】以上説明したような塗布処理が施される
と、搬送されてきた仮支持体の、撥水性を有する部分で
は塗布された塗布液がはじかれ、親水性を有する部分の
みに塗布液３が残留する。このように、本実施形態で
は、塗布処理を施す前に、仮支持体表面に他の塗布液を
塗布することがないため、塗布液の性能を低下させる恐
れがない。When the coating treatment as described above is applied, the applied coating liquid is repelled at the water-repellent portion of the transported temporary support, and the coating liquid 3 is applied only to the hydrophilic portion. Remains. As described above, in the present embodiment, since the other coating liquid is not coated on the surface of the temporary support before the coating treatment is performed, there is no fear that the performance of the coating liquid is deteriorated.
【００４７】なお、青色の発光性化合物を含有する塗布
液と、緑色の発光性化合物を含有する塗布液と、赤色の
発光性化合物を含有する塗布液それぞれを用意し、それ
らの塗布液を塗布用マスクを介して順次所定のパターン
に塗布することにより、青、緑及び赤の３原色の発光画
素がパターニングされた有機薄膜層を仮支持体の表面に
形成することもできる。塗布用マスクの材質は限定的で
ないが、金属、ガラス、セラミック、耐熱性樹脂等の耐
久性があって安価なものが好ましい。またこれらの材料
を組み合わせて使用することもできる。また機械的強度
及び有機薄膜層の発光画素のパターン精度の観点から、
マスクの厚さは２〜１００μｍであることが好ましく、
５〜６０μｍがより好ましい。A coating solution containing a blue light-emitting compound, a coating solution containing a green light-emitting compound, and a coating solution containing a red light-emitting compound were prepared, and these coating solutions were applied. It is also possible to form an organic thin film layer in which light emitting pixels of three primary colors of blue, green and red are patterned on the surface of the temporary support by sequentially applying it in a predetermined pattern through a mask for use. The material of the coating mask is not limited, but a durable and inexpensive material such as metal, glass, ceramic, and heat resistant resin is preferable. Further, these materials can be used in combination. From the viewpoint of mechanical strength and pattern accuracy of the light emitting pixel of the organic thin film layer,
The thickness of the mask is preferably 2 to 100 μm,
5-60 micrometers is more preferable.
【００４８】最後に、塗布液が塗布された仮支持体２
は、乾燥装置４０に搬送されて乾燥処理される。この乾
燥処理では、先の塗布処理で塗布された塗布液が乾燥さ
れて固化される。固化された塗布液は有機薄膜層にな
る。したがって、乾燥処理が施された仮支持体には、親
水パターンにそって有機薄膜層が形成される。Finally, the temporary support 2 coated with the coating liquid
Is transported to the drying device 40 and dried. In this drying process, the coating liquid applied in the previous coating process is dried and solidified. The solidified coating solution becomes an organic thin film layer. Therefore, the organic thin film layer is formed along the hydrophilic pattern on the temporary support that has been subjected to the drying treatment.
【００４９】続いて、このようにして製造された仮支持
体の表面に形成された有機薄膜層を、電極の形成された
支持体表面に転写することにより、支持体表面に有機薄
膜層を形成する方法について説明する。Subsequently, the organic thin film layer formed on the surface of the temporary support thus manufactured is transferred to the surface of the support on which the electrodes are formed to form an organic thin film layer on the surface of the support. The method for doing so will be described.
【００５０】図４は、仮支持体における有機薄膜層の形
成から支持体における有機薄膜層の形成までの大まかな
流れを仮支持体と支持体とを用いて示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a rough flow from the formation of the organic thin film layer on the temporary support to the formation of the organic thin film layer on the support using the temporary support and the support.
【００５１】図４の（ａ）から（ｃ）までは、上述した
仮支持体における有機薄膜層の形成の流れを示したもの
であって、（ａ）は、コロナ処理の様子を模式的に示す
図であり、（ｂ）はそのコロナ処理が施された後の仮支
持体を模式的に示す図である。（ａ）に示すコロナ処理
は、上述したように、炭酸ガスを含む雰囲気中のコロナ
放電によって、撥水性を有する仮支持体２の表面のう
ち、マスク６０の矩形孔６０１から露出した部分のみを
親水化させる処理である。このようなコロナ処理を施す
ことで、（ｂ）に示すように、仮支持体２の表面には、
マトリクス状の親水―撥水パターンが形成される。
（ｂ）以降の各図では、仮支持体２の表面のうち、親水
化された親水化部分２１をハッチングによって表してい
る。（ｃ）は、有機薄膜層が形成された仮支持体を模式
的に示す図である。仮支持体２の表面のうち、親水化さ
れた親水化部分２１のみに有機薄膜層３０が形成されて
いる。FIGS. 4A to 4C show the flow of forming the organic thin film layer on the temporary support described above, and FIG. 4A schematically shows the corona treatment. It is a figure which shows, and (b) is a figure which shows typically the temporary support body after the corona treatment was given. As described above, in the corona treatment shown in (a), only the portion of the surface of the temporary support 2 having water repellency that is exposed from the rectangular hole 601 of the mask 60 due to corona discharge in the atmosphere containing carbon dioxide gas. This is a treatment for making hydrophilic. By performing such corona treatment, as shown in (b), the surface of the temporary support 2 is
A matrix-like hydrophilic-water-repellent pattern is formed.
In each of the drawings after (b), the hydrophilized portion 21 of the surface of the temporary support 2 is shown by hatching. (C) is a figure which shows typically the temporary support body in which the organic thin film layer was formed. The organic thin film layer 30 is formed only on the hydrophilized portion 21 of the surface of the temporary support 2.
【００５２】図４の（ｄ）と（ｅ）は、支持体表面に有
機薄膜層を形成する流れを示したものであって、この支
持体表面への有機薄膜層の形成においては、大きく分け
て転写処理と剥離処理が行われる。（ｄ）は、その転写
処理の様子を示す図であり、（ｅ）は、その剥離処理の
様子を示す図である。FIGS. 4D and 4E show the flow of forming the organic thin film layer on the surface of the support. The formation of the organic thin film layer on the surface of the support is roughly divided. Transfer processing and peeling processing are performed. (D) is a figure which shows the mode of the transfer process, (e) is a figure which shows the mode of the peeling process.
【００５３】まず、支持体４は、基板４１の上に透明電
極４２が形成されたものである。したがって、支持体４
の表面は透明電極４２の表面になる。First, the support 4 is a substrate 41 on which a transparent electrode 42 is formed. Therefore, the support 4
Is the surface of the transparent electrode 42.
【００５４】基板４１は、ガラスからなるものである。
しかしながら、ガラスに限らず、ジルコニア安定化イッ
トリウム（ＹＳＺ）等の無機材料、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート等のポリエステルやポリスチレン、ポリカ
ーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、
アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシ
クロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリ
フルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテト
ラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子
材料等からなるものであってよい。中でも、支持体４に
フレキシブルな有機薄膜層を形成するためには高分子材
料が好ましく、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶
縁性及び加工性に優れ、且つ低通気性及び低吸湿性であ
るポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスル
ホンや、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロ
ン、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合
体等のフッ素原子を含む高分子材料がより好ましい。な
お、基板４１は、これらの単一材料で形成しても、２種
以上の材料で形成してもよい。The substrate 41 is made of glass.
However, not limited to glass, inorganic materials such as zirconia-stabilized yttrium (YSZ), polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate,
It may be made of a polymer material such as allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon (registered trademark), polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer, or the like. . Among them, polymer materials are preferable for forming a flexible organic thin film layer on the support 4, and are excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electric insulation and processability, and have low air permeability and low moisture absorption. More preferred are polymeric materials containing a fluorine atom such as polyester, polycarbonate, polyether sulfone, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon, and polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer, which are organic. The substrate 41 may be formed of these single materials or two or more kinds of materials.
【００５５】また、基板４１は板状の単層構造であるが
積層構造であってもよく、基板４１の形状、大きさ等は
有機薄膜層の用途及び目的に応じて適宜選択することが
できる。さらに、有機薄膜層から発せられる光を散乱又
は減衰させることがない点で、基板４１は無色透明であ
るが、有色透明であってもよい。The substrate 41 has a plate-like single-layer structure, but may have a laminated structure, and the shape, size, etc. of the substrate 41 can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film layer. . Further, the substrate 41 is colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate the light emitted from the organic thin film layer, but it may be colored and transparent.
【００５６】このような基板４１の上に形成される透明
電極４２は、有機薄膜層にホール（正孔）を供給する陽
極としての機能を有するが、陰極として機能させること
もできる。以下、透明電極４２を陽極とする場合につい
て説明する。The transparent electrode 42 formed on such a substrate 41 has a function as an anode for supplying holes to the organic thin film layer, but can also function as a cathode. Hereinafter, the case where the transparent electrode 42 is used as an anode will be described.
【００５７】本実施形態の透明電極４２は、酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）からなるものである。この透明電極
４２の形状、構造、大きさ等は特に制限されず、有機薄
膜層の用途及び目的に応じて適宜選択することができ
る。なお、透明電極４２を形成する材料としては、酸化
インジウムスズ（ＩＴＯ）に限られることなく、様々な
金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの
混合物等を用いることができ、仕事関数が４ｅＶ以上の
材料であることが好ましい。具体的には、アンチモンを
ドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素をドープした酸
化スズ（ＦＴＯ）、半導性金属酸化物（酸化スズ、酸化
亜鉛、酸化インジウム、、酸化亜鉛インジウム（ＩＺ
Ｏ）等）、金属（金、銀、クロム、ニッケル等）、これ
ら金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、無機
導電性物質（ヨウ化銅、硫化銅等）、有機導電性材料
（ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等）及
びこれらとＩＴＯとの積層物等があげられる。The transparent electrode 42 of this embodiment is made of indium tin oxide (ITO). The shape, structure, size, etc. of the transparent electrode 42 are not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic thin film layer. The material for forming the transparent electrode 42 is not limited to indium tin oxide (ITO), and various metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, mixtures thereof, and the like can be used. It is preferable that the material has a function of 4 eV or more. Specifically, antimony-doped tin oxide (ATO), fluorine-doped tin oxide (FTO), semiconductive metal oxides (tin oxide, zinc oxide, indium oxide, zinc indium oxide (IZ)
O) etc.), metals (gold, silver, chromium, nickel, etc.), mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive substances (copper iodide, copper sulfide, etc.), organic conductive materials (Polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc.) and laminates of these with ITO.
【００５８】また、透明電極４２は真空蒸着法により基
板上に形成されたものである。なお、透明電極４２の形
成方法は、透明電極材料との適性を考慮して適宜選択す
ればよく、印刷法、コーティング法等の湿式方法、真空
蒸着法をはじめとするスパッタリング法、イオンプレー
ティング法等の物理的方法、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法
等の化学的方法等があげられる。本実施形態のように透
明電極材料としてＩＴＯを用いる場合には、真空蒸着法
の他、直流又は高周波スパッタ法、イオンプレーティン
グ法等を用いることができる。また透明電極４２の材料
として有機導電性材料を用いる場合には、湿式製膜法が
好適である。The transparent electrode 42 is formed on the substrate by the vacuum evaporation method. The method for forming the transparent electrode 42 may be appropriately selected in consideration of the suitability for the transparent electrode material, and may be a printing method, a wet method such as a coating method, a sputtering method including a vacuum deposition method, an ion plating method. And the like, and chemical methods such as CVD and plasma CVD. When ITO is used as the transparent electrode material as in this embodiment, a direct current or high frequency sputtering method, an ion plating method or the like can be used in addition to the vacuum deposition method. When an organic conductive material is used as the material of the transparent electrode 42, the wet film forming method is suitable.
【００５９】このようにして形成された透明電極４２の
厚さは１０μｍであるが、その材料に応じて１０ｎｍ〜
５０μｍの範囲で適宜選択すればよく、５０ｎｍ〜２０
μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。また、透明
電極４２の抵抗値は１０3Ω／□以下にすることが好ま
しく、１０2Ω／□以下にすることがより好ましい。さ
らに、透明電極４２は無色透明であっても有色透明であ
ってもよい。またさらに、透明電極側から有機薄膜層の
発光を取り出すためには、その透過率を６０％以上にす
ることが好ましく、７０％以上にすることがより好まし
い。透過率は分光光度計を用いた公知の方法に従って測
定することができる。なお、「透明導電膜の新展開」
（沢田豊監修、シーエムシー刊、１９９９年）等に詳細
に記載されている電極も本実施形態の透明電極として適
用することができる。特に耐熱性の低いプラスチック基
板の上に透明電極を形成する場合には、透明電極材料と
してＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で
製膜することが好ましい。The transparent electrode 42 thus formed has a thickness of 10 μm.
It may be appropriately selected within a range of 50 μm, and may be 50 nm to 20 nm.
It is preferable to select appropriately in the range of μm. The resistance value of the transparent electrode 42 is preferably 10 3 Ω / □ or less, more preferably 10 2 Ω / □ or less. Further, the transparent electrode 42 may be colorless and transparent or colored and transparent. Further, in order to take out the light emission of the organic thin film layer from the transparent electrode side, the transmittance thereof is preferably 60% or more, more preferably 70% or more. The transmittance can be measured according to a known method using a spectrophotometer. “New development of transparent conductive film”
Electrodes described in detail in (Supervised by Yutaka Sawada, published by CMC, 1999) and the like can also be applied as the transparent electrode of the present embodiment. In particular, when forming a transparent electrode on a plastic substrate having low heat resistance, it is preferable to use ITO or IZO as a transparent electrode material and form the film at a low temperature of 150 ° C. or lower.
【００６０】（ｄ）に示す転写処理は、仮支持体２の表
面に形成された有機薄膜層３０を、このような支持体４
の透明電極４２表面に対面させた状態で、仮支持体２と
支持体３との間に挟み込み、透明電極４２表面に密着さ
せる。この際、熱ヘッドを用いて、有機薄膜層３０を加
熱して軟化させる。熱ヘッドとしては、例えば熱転写プ
リント用の熱ヘッド等を用いることができる。また、有
機薄膜層３０の加熱は、熱ヘッドを用いることに限ら
ず、ラミネータ、赤外線ヒータ、レーザ等を用いた加熱
方法を用いることもできる。また、有機薄膜層３０を加
熱する温度（転写温度）は特に限定的でなく、有機薄膜
層の材質において変更することができるが、ほとんどの
有機被膜層の耐熱温度が２００℃以下であるという実情
から、転写温度も２００℃以下にすることが好ましい。
このような転写処理により、仮支持体２の表面に形成さ
れた有機薄膜層３０は、透明電極４２表面に接着する。In the transfer process shown in (d), the organic thin film layer 30 formed on the surface of the temporary support 2 is treated with such a support 4.
In the state of facing the surface of the transparent electrode 42, it is sandwiched between the temporary support 2 and the support 3 and brought into close contact with the surface of the transparent electrode 42. At this time, the organic thin film layer 30 is heated and softened using a thermal head. As the thermal head, for example, a thermal head for thermal transfer printing can be used. Further, the heating of the organic thin film layer 30 is not limited to using the thermal head, and a heating method using a laminator, an infrared heater, a laser, or the like can be used. The temperature for heating the organic thin film layer 30 (transfer temperature) is not particularly limited and can be changed depending on the material of the organic thin film layer. However, the heat resistant temperature of most organic coating layers is 200 ° C. or less. Therefore, it is preferable that the transfer temperature is 200 ° C. or lower.
By such a transfer process, the organic thin film layer 30 formed on the surface of the temporary support 2 adheres to the surface of the transparent electrode 42.
【００６１】（ｅ）に示す剥離処理は、転写処理によっ
て透明電極４２表面に接着した有機薄膜層３０から仮支
持体２を引きはがし、透明電極４２表面に有機薄膜層３
０のみを残留させる処理である。この剥離処理を終える
ことにより、支持体４表面に有機薄膜層４２が形成され
る。このようにして形成する有機薄膜層の厚さは１０〜
２００ｎｍにすることが好ましく、２０〜８０ｎｍにす
ることがより好ましい。厚さが２００ｎｍを超えると駆
動電圧が上昇する場合があり、１０ｎｍ未満であると有
機薄膜層が短絡する場合がある。In the peeling process shown in (e), the temporary support 2 is peeled from the organic thin film layer 30 adhered to the surface of the transparent electrode 42 by the transfer process, and the organic thin film layer 3 is formed on the surface of the transparent electrode 42.
This is a process of leaving only 0. By completing this peeling process, the organic thin film layer 42 is formed on the surface of the support 4. The organic thin film layer thus formed has a thickness of 10 to 10.
The thickness is preferably 200 nm, more preferably 20 to 80 nm. If the thickness exceeds 200 nm, the driving voltage may increase, and if it is less than 10 nm, the organic thin film layer may short-circuit.
【００６２】なお、以上説明した有機薄膜層を形成する
方法は、電子ディスプレイ用の多色微細パターンの形成
に、広く適用することができる。The method of forming the organic thin film layer described above can be widely applied to the formation of multicolor fine patterns for electronic displays.
【００６３】[0063]
【実施例】以下、本発明の微細パターン形成方法を適用
した実施例について説明する。EXAMPLES Examples to which the fine pattern forming method of the present invention is applied will be described below.
【００６４】（実施例１）水との接触角に換算して１０
４度の撥水性を有する、厚さが１００μｍのポリテトラ
フルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルムに、図３を用い
て説明したポリイミド製のマスクをのせ、コロナ処理装
置（春日電機（株）製ＨＦ−８０２）を用いて、ＣＯ2
濃度９５ｍｏｌ％の雰囲気下にて、０．１５ｋＷ／ｍ2
／ｍｉｎの大きさのコロナ放電を発生させコロナ処理を
行った。このコロナ処理により、ＰＴＦＥフィルムの表
面には、水との接触角に換算して６０度の親水性パター
ンが形成された。続いて、このような親水性パターンが
形成されたＰＴＦＥフィルムの表面に、有機ＥＬ発光素
材をロールコータにて１０ｍ／ｍｉｎの速度で塗布し
た。この結果、ＰＴＦＥフィルム表面の親水性パターン
の部分のみに３０ｃｃ／ｍ 2の有機ＥＬ発光素材が塗布
された。その後、ＰＴＦＥフィルムを１００℃で乾燥す
ることで、ＰＴＦＥフィルム表面に、有機ＥＬ発光層の
微細パターンを形成した。(Example 1) 10 in terms of contact angle with water
Polytetrad having a water repellency of 4 degrees and a thickness of 100 μm
Figure 3 is used for the fluoroethylene (PTFE) film.
Place the polyimide mask described above
Using a device (HF-802 manufactured by Kasuga Denki Co., Ltd.)2
0.15 kW / m in an atmosphere with a concentration of 95 mol%2
/ Min of corona discharge is generated and corona treatment is performed.
went. By this corona treatment, the surface of the PTFE film is
The surface has a hydrophilic pattern of 60 degrees converted to the contact angle with water.
Formed. Then, such a hydrophilic pattern
On the surface of the formed PTFE film, the organic EL luminescent element
The material is applied with a roll coater at a speed of 10 m / min.
It was As a result, the hydrophilic pattern on the surface of the PTFE film
30cc / m only in the part 2Organic EL light emitting material is applied
Was done. Then, dry the PTFE film at 100 ° C.
By doing so, the organic EL light emitting layer is formed on the surface of the PTFE film.
A fine pattern was formed.
【００６５】続いて、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）か
らなる透明電極が形成されたガラス基板上に、その透明
電極に有機ＥＬ発光層が対面するようにＰＴＦＥフィル
ムを導き、回転する２本のゴムロール間にてラミネート
するタイプのラミネータ（大成ラミネータ（株）製ファ
ーストラミネータＶＡ−４００ＩＩＩ）を用いて、圧力
３ｋｇ／ｃｍ2、温度１６０℃、送出速度５．０ｃｍ／
ｍｉｎの条件で、ガラス基板とＰＴＦＥフィルムを熱圧
着させ、ＰＴＦＥフィルム表面に形成された有機ＥＬ発
光層を透明電極表面に転写し、ガラス基板上に有機ＥＬ
発光層を形成した。Then, a PTFE film was introduced on a glass substrate on which a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) was formed so that the organic EL light emitting layer faced the transparent electrode, and between two rotating rubber rolls. Using a laminator of the type to be laminated in (Fast Laminator VA-400III manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.), pressure 3 kg / cm 2 , temperature 160 ° C., delivery speed 5.0 cm /
Under the condition of min, the glass substrate and the PTFE film are thermocompression bonded, the organic EL light emitting layer formed on the PTFE film surface is transferred to the transparent electrode surface, and the organic EL is formed on the glass substrate
A light emitting layer was formed.
【００６６】（実施例２）実施例１とは異なる雰囲気下
でコロナ処理を行った他は、実施例１と同じ条件でガラ
ス基板上に有機ＥＬ発光層を形成した。この実施例２に
おけるコロナ処理は、ＣＯ2濃度６０ｍｏｌ％の雰囲気
下で行った。Example 2 An organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that the corona treatment was performed in an atmosphere different from that of Example 1. The corona treatment in Example 2 was performed in an atmosphere having a CO 2 concentration of 60 mol%.
【００６７】（実施例３）実施例２と同じく、実施例１
とは異なる雰囲気下でコロナ処理を行った他は、実施例
１と同じ条件でガラス基板上に有機ＥＬ発光層を形成し
た。この実施例３におけるコロナ処理は、ＣＯ2濃度４
０ｍｏｌ％の雰囲気下で行った。Example 3 Example 1 is the same as Example 2.
An organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that the corona treatment was performed in an atmosphere different from the above. The corona treatment in this Example 3 was performed with a CO 2 concentration of 4
It was performed under an atmosphere of 0 mol%.
【００６８】（実施例４）この実施例４でも、実施例１
とは異なる雰囲気下でコロナ処理を行った他は、実施例
１と同じ条件でガラス基板上に有機ＥＬ発光層を形成し
た。この実施例４におけるコロナ処理は、空気雰囲気下
で行った。(Embodiment 4) In this Embodiment 4 as well, Embodiment 1
An organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that the corona treatment was performed in an atmosphere different from the above. The corona treatment in Example 4 was performed in an air atmosphere.
【００６９】（実施例５）実施例１とは異なる大きさの
コロナ放電を発生させコロナ処理を行った他は、実施例
１と同じ条件でガラス基板上に有機ＥＬ発光層を形成し
た。この実施例５におけるコロナ処理では、０．０３ｋ
Ｗ／ｍ2／ｍｉｎの大きさのコロナ放電を発生させて行
った。(Example 5) An organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that a corona discharge having a size different from that in Example 1 was generated and corona treatment was performed. In the corona treatment in Example 5, 0.03k
It was performed by generating a corona discharge having a magnitude of W / m 2 / min.
【００７０】（実施例６）実施例１のコロナ処理に代え
て、プラズマ処理を行った他は、実施例１と同じ条件で
ガラス基板上に有機ＥＬ発光層を形成した。プラズマ処
理は、ヤマト科学社製ＰＡ６００Ｄのプラズマ処理装置
を用いて、チャンバ内に１０ｃｃ／ｍｉｎの導入速度で
Ａｒ９０％，ＣＯ2１０％の混合ガスを導入し、真空度
０．０１Ｔｏｒｒで３００Ｗの大きさのプラズマ放電を
５秒間発生させて行った。Example 6 An organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate under the same conditions as in Example 1 except that plasma treatment was performed instead of the corona treatment in Example 1. For the plasma treatment, a PA600D plasma treatment apparatus manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. was used to introduce a mixed gas of 90% Ar and 10% CO 2 into the chamber at an introduction rate of 10 cc / min, and a magnitude of 300 W at a vacuum degree of 0.01 Torr. Plasma discharge was performed for 5 seconds.
【００７１】（比較例）上述の各実施例との比較のた
め、コロナ処理もプラズマ処理を行わずにガラス基板上
に有機ＥＬ発光層を形成した。この比較例では、コロナ
処理を行わなかった点を除いて、実施例１と同じ条件で
有機ＥＬ発光層を形成した。(Comparative Example) For comparison with the above-mentioned respective examples, an organic EL light emitting layer was formed on a glass substrate without corona treatment or plasma treatment. In this comparative example, an organic EL light emitting layer was formed under the same conditions as in Example 1 except that the corona treatment was not performed.
【００７２】以上説明した各実施例および比較例いずれ
においても使用した、図３に示すポリイミド製のマスク
６０の一つの矩形孔６０１の大きさを１００％とし、こ
の矩形孔６０１の大きさに対する、ガラス基板上に形成
した有機ＥＬ発光層の一つの微細な矩形パターンの大き
さの比率を、ガラス基板上に形成される有機ＥＬ発光層
の形成率として求めた。表１に、各実施例および比較例
それぞれによって形成された有機ＥＬ発光層の形成率を
示す。The size of one rectangular hole 601 of the polyimide mask 60 shown in FIG. 3 used in each of the examples and comparative examples described above is 100%, and the size of the rectangular hole 601 is The ratio of the size of one fine rectangular pattern of the organic EL light emitting layer formed on the glass substrate was determined as the formation rate of the organic EL light emitting layer formed on the glass substrate. Table 1 shows the formation rates of the organic EL light emitting layers formed in the respective examples and comparative examples.
【００７３】[0073]
【表１】 [Table 1]
【００７４】表１は、各実施例および比較例ごとの、ガ
ラス基板上における有機ＥＬ発光層の形成率と親水化判
定結果を横一列ずつ示すものである。比較例では、有機
ＥＬ発光層の形成率が０％になっているが、これは、有
機ＥＬ発光層がガラス基板上に全く形成されなかったこ
とを表している。親水化判定結果は、ＰＴＦＥフィルム
表面の親水化を判定した結果である。すなわち、各実施
例および比較例における形成率から、ガラス基板上での
有機ＥＬ発光層の形成率が高いということは、ＰＴＦＥ
フィルム上での形成率も高いことを表し、ＰＴＦＥフィ
ルム上での形成率が高いということは、ＰＴＦＥフィル
ム表面における、マスク３０のマトリクス状のパターン
に従った親水化が確実に行われていることを表すものと
してＰＴＦＥフィルム表面の親水化を判定した。ここで
は、形成率７０％未満を親水化不十分と判定して不合格
（×）とし、形成率７０％以上の中でも、形成率９９％
以上を三重丸、形成率９５％以上９９％未満を二重丸、
形成率７０％以上９５％未満を一重丸とした。実施例１
における形成率から、ＣＯ2濃度９５ｍｏｌ％の雰囲気
下におけるコロナ処理を行うと、ＰＴＦＥフィルム表面
が、マスク３０のマトリクス状のパターンに従って確実
に親水化されることがわかる。また、実施例４と比較例
における形成率を比べると、コロナ処理を行う雰囲気下
のＣＯ2濃度を空気よりも高めなくても、コロナ処理を
行うだけで、ＰＴＦＥフィルム表面は十分に親水化され
ることがわかる。しかしながら、実施例１から実施例４
それぞれにおける形成率を比べると、コロナ処理を行う
雰囲気下のＣＯ2濃度は高ければ高いほど好ましいこと
がわかる。本発明者らは、この点についてさらなる検討
を進めた結果、コロナ処理を行う雰囲気下のＣＯ2濃度
は、５０％以上であることが好ましく、８０％以上であ
ることがさらに好ましく、最も好ましくは９５％以上で
あるという結論に達した。また、実施例５における形成
率から、コロナ放電の大きさがある程度小さくても、Ｐ
ＴＦＥフィルム表面は親水化されることがわかる。本発
明者らは、この点についてさらなる検討を進めた結果、
コロナ放電の大きさが逆に大きすぎても、ＰＴＦＥフィ
ルム表面をあらしてしまい、有機ＥＬ発光素材を塗布し
た時に塗布不良になる恐れがあり、コロナ放電の大きさ
は、０．０５ｋＷ／ｍ2／ｍｉｎ以上０．３ｋＷ／ｍ2／
ｍｉｎ以下であることが好ましく、０．１ｋＷ／ｍ2／
ｍｉｎ以上０．２ｋＷ／ｍ2／ｍｉｎ以下であることが
さらに好ましく、最も好ましくは０．１２ｋＷ／ｍ2／
ｍｉｎ以上０．１８ｋＷ／ｍ2／ｍｉｎ以下であるとい
う結論に達した。さらに、実施例６における形成率か
ら、一般的にはＡｒ等の不活性ガスのみの雰囲気下で行
われるプラズマ処理もＣＯ2を含む雰囲気下でプラズマ
処理を行うことで、ＰＴＦＥフィルム表面が、マスク３
０のマトリクス状のパターンに従ってほぼ確実に親水化
されることがわかる。Table 1 shows the formation rate of the organic EL light emitting layer on the glass substrate and the hydrophilicity determination result for each of the Examples and Comparative Examples, one row at a time. In the comparative example, the formation rate of the organic EL light emitting layer was 0%, which means that the organic EL light emitting layer was not formed at all on the glass substrate. The hydrophilicity determination result is the result of determining the hydrophilicity of the surface of the PTFE film. That is, from the formation rate in each Example and Comparative Example, the high formation rate of the organic EL light emitting layer on the glass substrate means that the PTFE
The formation rate on the film is also high, and the high formation rate on the PTFE film means that the surface of the PTFE film is reliably hydrophilized according to the matrix pattern of the mask 30. The hydrophilicity of the surface of the PTFE film was judged as a value. Here, a formation rate of less than 70% was judged as insufficient hydrophilicity and was rejected (x), and among the formation rates of 70% or more, the formation rate was 99%.
The above is Miemaru, the formation rate is 95% or more and less than 99% is Double circle,
The formation rate of 70% or more and less than 95% was defined as a single circle. Example 1
It can be seen from the formation rate in Example 2 that the surface of the PTFE film is surely hydrophilized according to the matrix-shaped pattern of the mask 30 when the corona treatment is performed in an atmosphere having a CO 2 concentration of 95 mol%. Further, comparing the formation rates of Example 4 and Comparative Example, the surface of the PTFE film was sufficiently hydrophilized only by the corona treatment without increasing the CO 2 concentration in the atmosphere for performing the corona treatment higher than that of air. I understand that However, Examples 1 to 4
Comparing the formation rates in each case, it is understood that the higher the CO 2 concentration in the atmosphere in which the corona treatment is performed, the more preferable. As a result of further study on this point, the present inventors have found that the CO 2 concentration in the atmosphere in which corona treatment is performed is preferably 50% or more, more preferably 80% or more, and most preferably. We have come to the conclusion that it is above 95%. Further, from the formation rate in Example 5, even if the magnitude of corona discharge is small to some extent, P
It can be seen that the surface of the TFE film is made hydrophilic. As a result of further study on this point, the present inventors have
On the contrary, if the corona discharge is too large, the surface of the PTFE film may be roughened, resulting in coating failure when the organic EL light emitting material is applied. The corona discharge is 0.05 kW / m 2 / Min or more 0.3 kW / m 2 /
It is preferably less than or equal to min, and 0.1 kW / m 2 /
It is more preferable that it is not less than min and not more than 0.2 kW / m 2 / min, most preferably 0.12 kW / m 2 /
It was concluded that it is not less than min and not more than 0.18 kW / m 2 / min. Further, from the formation rate in Example 6, the plasma treatment generally performed in the atmosphere of only an inert gas such as Ar is also performed in the atmosphere containing CO 2 , so that the surface of the PTFE film is masked. Three
It can be seen that it is almost certainly hydrophilized according to a matrix pattern of 0.
【００７５】また、本発明者らは、ガラス基板とＰＴＦ
Ｅフィルムを熱圧着させる際の温度（転写温度）につい
ても検討を進めた結果、転写温度が、有機ＥＬ発光素材
の耐熱温度を超えると有機ＥＬ発光素材を失効させてし
まう恐れがあり、反対にあまり低すぎても転写効率に劣
ることが判明した。そこで、本発明者らは、転写温度
は、６０℃以上２００℃以下であることが好ましく、８
０℃以上１８０℃以下であることがさらに好ましく、最
も好ましくは１００℃以上１５０℃以下であるという結
論に達した。Further, the present inventors have found that the glass substrate and PTF
As a result of further studying the temperature (transfer temperature) for thermocompression bonding of the E film, if the transfer temperature exceeds the heat resistant temperature of the organic EL light emitting material, the organic EL light emitting material may be invalidated. It was found that the transfer efficiency was inferior even if it was too low. Therefore, the present inventors prefer that the transfer temperature is 60 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.
It was concluded that it is more preferably 0 ° C. or higher and 180 ° C. or lower, and most preferably 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.
【００７６】[0076]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、シート状物の表面に、塗布液の性能を低下させるこ
とがない親水−撥水パターンを簡単な工程で形成するこ
とができるパターンシートの製造方法、およびそのよう
なパターンシートの製造方法によって製造されたパター
ンシートを用いた微細パターン形成方法を提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, a hydrophilic-water-repellent pattern that does not deteriorate the performance of the coating liquid can be formed on the surface of the sheet-like material by a simple process. It is possible to provide a method for producing a pattern sheet, and a fine pattern forming method using a pattern sheet produced by such a method for producing a pattern sheet.
【図１】仮支持体に有機薄膜層を形成している最中の仮
支持体処理ラインの様子を簡略化して示した図である。FIG. 1 is a diagram showing a simplified state of a temporary support treatment line during the formation of an organic thin film layer on a temporary support.
【図２】図１に示すコロナ処理装置によるコロナ処理を
説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining corona treatment by the corona treatment device shown in FIG.
【図３】図２に示すマスクの一部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a part of the mask shown in FIG.
【図４】仮支持体における有機薄膜層の形成から支持体
における有機薄膜層の形成までの大まかな流れを仮支持
体と支持体とを用いて示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a rough flow from the formation of the organic thin film layer on the temporary support to the formation of the organic thin film layer on the support using the temporary support and the support.
１ 仮支持体処理ライン ２０ 回転ロール ３０ 塗布装置 ４０ 乾燥装置 ５０ コロナ処理装置 ６０ マスク ６０１ 矩形孔 ２０１ チャンバ ５０２ コロナ電極 ２ 仮支持体 ２１ 親水化部分 ３ 塗布液 ３０ 有機薄膜層 ４ 支持持体 ４１ 基板 ４２ 透明電極 1 Temporary support processing line 20 rotating rolls 30 coating device 40 Dryer 50 Corona treatment device 60 mask 601 rectangular hole 201 chamber 502 Corona electrode 2 Temporary support 21 Hydrophilized part 3 coating liquid 30 organic thin film layer 4 Supporting body 41 substrate 42 transparent electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝本 隆一 静岡県富士宮市大中里200番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 4D075 AC21 AC43 AC72 AC96 AD09 AE02 BB26Z BB44Y BB49Y BB52Y BB91Y CA37 CB08 CB37 DA04 DA06 DB13 DB14 DB36 DB37 DB39 DB48 DB53 DC24 EA07 EB07 EB08 EB12 EB14 EB15 EB19 EB22 EB32 EB33 EB35 EB36 EB38 EB39 EB43 EB44 EC07 EC60 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Ryuichi Katsumoto 200, Onakazato, Fujinomiya City, Shizuoka Prefecture Fuji Photo Within Film Co., Ltd. F-term (reference) 4D075 AC21 AC43 AC72 AC96 AD09 AE02 BB26Z BB44Y BB49Y BB52Y BB91Y CA37 CB08 CB37 DA04 DA06 DB13 DB14 DB36 DB37 DB39 DB48 DB53 DC24 EA07 EB07 EB08 EB12 EB14 EB15 EB19 EB22 EB32 EB33 EB35 EB36 EB38 EB39 EB43 EB44 EC07 EC60
Claims (9)
面に、親水性を有する部分と撥水性を有する部分とから
なる親水−撥水パターンを形成し、次いで、該シート状
物表面の親水性を有する部分に塗布液を塗布して固化さ
せることによりパターンシートを製造するパターンシー
トの製造方法において、 表面が撥水性を有するシート状物の表面を複数の開口が
配列されたマスクで覆い、 前記シート状物表面の、前記マスクの開口から露出した
部分のみ気体雰囲気に晒された状態で気体放電を行うこ
とにより、該シート状物表面の前記マスクの開口から露
出した部分を親水化することを特徴とするパターンシー
トの製造方法。1. A hydrophilic-water-repellent pattern composed of a hydrophilic portion and a water-repellent portion is formed on the surface of a sheet-like material having a water-repellent surface. A method for manufacturing a pattern sheet, comprising manufacturing a pattern sheet by applying a coating liquid to a portion having hydrophilicity and solidifying the coating solution. , The portion of the surface of the sheet material exposed from the opening of the mask is exposed to a gas atmosphere, and gas discharge is performed to make the portion of the surface of the sheet material exposed from the opening of the mask hydrophilic. A method for manufacturing a pattern sheet, comprising:
中で行うコロナ放電であることを特徴とする請求項１記
載のパターンシートの製造方法。2. The method of manufacturing a pattern sheet according to claim 1, wherein the gas discharge is corona discharge performed in an atmosphere containing carbon dioxide gas.
中で行うプラズマ放電であることを特徴とする請求項１
記載のパターンシートの製造方法。3. The gas discharge is a plasma discharge performed in an atmosphere containing carbon dioxide gas.
A method for manufacturing the described pattern sheet.
００％の雰囲気中で行うコロナ放電であることを特徴と
する請求項１又は２記載のパターンシートの製造方法。4. The carbon dioxide concentration of the gas discharge is 50 to 1
The method for producing a patterned sheet according to claim 1 or 2, wherein the corona discharge is performed in an atmosphere of 00%.
を特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項記載の
パターンシートの製造方法。5. The method of manufacturing a pattern sheet according to claim 1, wherein the coating liquid is an organic EL material.
エチレンであることを特徴とする請求項１から５のうち
いずれか１項記載のパターンシートの製造方法。6. The method for producing a patterned sheet according to claim 1, wherein the sheet-shaped material is polytetrafluoroethylene.
を特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項記載の
パターンシートの製造方法。7. The method of manufacturing a pattern sheet according to claim 1, wherein the mask is made of a non-conductive material.
のパターンシートの製造方法によって製造されたパター
ンシートを、電極の形成された支持体上にのせ、前記塗
布液を前記支持体側へ転写することを特徴とする微細パ
ターン形成方法。8. A pattern sheet manufactured by the method for manufacturing a pattern sheet according to claim 1 is placed on a support on which electrodes are formed, and the coating liquid is applied to the support side. A fine pattern forming method characterized by transferring.
徴とする請求項８記載の微細パターン形成方法。9. The fine pattern forming method according to claim 8, wherein the transfer temperature is 200 ° C. or lower.
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006167696A (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Sony Corp | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and method for manufacturing electronic application apparatus |
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-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001397031A patent/JP2003190874A/en not_active Withdrawn
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