JP2003196821A - 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置Info
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- JP2003196821A JP2003196821A JP2001392508A JP2001392508A JP2003196821A JP 2003196821 A JP2003196821 A JP 2003196821A JP 2001392508 A JP2001392508 A JP 2001392508A JP 2001392508 A JP2001392508 A JP 2001392508A JP 2003196821 A JP2003196821 A JP 2003196821A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/73923—Organic polymer substrates
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば−４０℃〜８０℃／８０％の環境下に
おいても膨れの発生しない磁気記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 プラスチック基板１上の下地膜２の構造
を柱状構造に制御することによって、基板と膜の間に溜
まった水（水蒸気）の凝集を防ぐことができ、膜の膨れ
が起こらなくなる。
おいても膨れの発生しない磁気記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 プラスチック基板１上の下地膜２の構造
を柱状構造に制御することによって、基板と膜の間に溜
まった水（水蒸気）の凝集を防ぐことができ、膜の膨れ
が起こらなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータの外部
記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される磁
気記録媒体とその製造方法および、それを用いた磁気記
録装置に関するものである。
記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される磁
気記録媒体とその製造方法および、それを用いた磁気記
録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高い記録密度とヘッドの低浮上が要求さ
れる磁気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の
組成、構造、非磁性下地層の材料および非磁性基板の材
料等が提案されている。非磁性基板材料として、現状で
はアルミニウム及びガラスが主流であるが、特に近年、
非磁性基板に、一般にプラスチック基板と呼ばれる、高
分子樹脂基板が提案されている。
れる磁気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の
組成、構造、非磁性下地層の材料および非磁性基板の材
料等が提案されている。非磁性基板材料として、現状で
はアルミニウム及びガラスが主流であるが、特に近年、
非磁性基板に、一般にプラスチック基板と呼ばれる、高
分子樹脂基板が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これからの磁気記録媒
体は、高記録密度化に伴うヘッドの低浮上化のため、ま
た近い将来発展しつつあるデジタル家電製品向け磁気記
録媒体においては、現状よりもより過酷な環境下での長
期信頼性が要求されている。過酷な環境下の具体的な例
として、−４０℃の極低温から８０℃／８０％の高温高
湿までの環境下で５年間の正常動作可能を求めてくる家
電メーカーもある。さらに、デジタル家電製品向け磁気
記録媒体は低コストであることが必須である。このよう
な状況の中でプラスチック基板を用いた磁気記録媒体が
有望視されている。しかしながら、現状でのプラスチッ
ク基板を用いた磁気記録媒体は、過酷な環境下での試験
の中で膜膨れ（膜剥がれの一種）が発生するという問題
が起こっている。
体は、高記録密度化に伴うヘッドの低浮上化のため、ま
た近い将来発展しつつあるデジタル家電製品向け磁気記
録媒体においては、現状よりもより過酷な環境下での長
期信頼性が要求されている。過酷な環境下の具体的な例
として、−４０℃の極低温から８０℃／８０％の高温高
湿までの環境下で５年間の正常動作可能を求めてくる家
電メーカーもある。さらに、デジタル家電製品向け磁気
記録媒体は低コストであることが必須である。このよう
な状況の中でプラスチック基板を用いた磁気記録媒体が
有望視されている。しかしながら、現状でのプラスチッ
ク基板を用いた磁気記録媒体は、過酷な環境下での試験
の中で膜膨れ（膜剥がれの一種）が発生するという問題
が起こっている。
【０００４】そこで本発明の目的は以上のような問題を
解消した磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装
置を提供することにある。
解消した磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装
置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】プラスチック基板と磁性
層の間には、電磁変換特性を上げる為、一般的に下地層
（基板上）や中間層（磁性層下）が設けられている。こ
の下地層や中間層の構造を制御することで、膜膨れの発
生を抑えることが出来る。構造の制御として、下地層や
中間層の材料を選定するかもしくは、成膜条件、特に成
腹圧力を制御することが好ましい。材料としては、Ｍｏ
やＣｒＷ，ＮｉＰが比較的広範囲の圧力で柱状構造にな
りやすい。また、良好な電磁変換特性を得ることが出来
るＴｉＷやＲｕは高圧力の条件で柱状構造にすることが
可能である。
層の間には、電磁変換特性を上げる為、一般的に下地層
（基板上）や中間層（磁性層下）が設けられている。こ
の下地層や中間層の構造を制御することで、膜膨れの発
生を抑えることが出来る。構造の制御として、下地層や
中間層の材料を選定するかもしくは、成膜条件、特に成
腹圧力を制御することが好ましい。材料としては、Ｍｏ
やＣｒＷ，ＮｉＰが比較的広範囲の圧力で柱状構造にな
りやすい。また、良好な電磁変換特性を得ることが出来
るＴｉＷやＲｕは高圧力の条件で柱状構造にすることが
可能である。
【０００６】プラスチック媒体で問題になる膜膨れは、
基板と膜の間に溜まった水（水蒸気）の凝集が原因であ
ることがわかっている。よって、下地膜や中間層の構造
を制御することで水（水蒸気）の凝集を防ぐことがで
き、膜の膨れが起こらなくなる。
基板と膜の間に溜まった水（水蒸気）の凝集が原因であ
ることがわかっている。よって、下地膜や中間層の構造
を制御することで水（水蒸気）の凝集を防ぐことがで
き、膜の膨れが起こらなくなる。
【０００７】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
で、請求項１の発明は、非磁性基板上に少なくとも、磁
性層、保護膜及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる磁
気記録媒体において、非磁性基板が高分子樹脂基板であ
る磁気記録媒体を特徴とする。
で、請求項１の発明は、非磁性基板上に少なくとも、磁
性層、保護膜及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる磁
気記録媒体において、非磁性基板が高分子樹脂基板であ
る磁気記録媒体を特徴とする。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１において、前
記非磁性基板上に、非磁性下地層があることを特徴とす
る。
記非磁性基板上に、非磁性下地層があることを特徴とす
る。
【０００９】請求項３の発明は、請求項２において、前
記下地層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｍｏのうち
の１種以上からなる金属または合金、あるいは少なくと
もＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上とＷからなる合
金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む合金であること
を特徴とする。
記下地層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｍｏのうち
の１種以上からなる金属または合金、あるいは少なくと
もＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上とＷからなる合
金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む合金であること
を特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
かの磁気記録媒体を製造する際に、前記下地層の成膜条
件が、ＴｉＷ合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合
金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主
体とする金属または合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍ
ｏを主体とする金属または合金の場合５ｍＴｏｒｒ以
上、ＮｉＰ合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上であることを特
徴とする。
かの磁気記録媒体を製造する際に、前記下地層の成膜条
件が、ＴｉＷ合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合
金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主
体とする金属または合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍ
ｏを主体とする金属または合金の場合５ｍＴｏｒｒ以
上、ＮｉＰ合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上であることを特
徴とする。
【００１１】請求項５の発明は、請求項１〜３のいずれ
かにおいて、前記非磁性下地層上に、中間層があること
を特徴とする。
かにおいて、前記非磁性下地層上に、中間層があること
を特徴とする。
【００１２】請求項６の発明は、請求項５において、前
記中間層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｍｏのうち
の１種以上からなる金属または合金、あるいは少なくと
もＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上とＷからなる合
金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む合金であること
を特徴とする。
記中間層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｍｏのうち
の１種以上からなる金属または合金、あるいは少なくと
もＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上とＷからなる合
金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む合金であること
を特徴とする。
【００１３】請求項７の発明は、請求項５または６の磁
気記録媒体を製造する際に、前記中間層の成膜条件が、
ＴｉＷ合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合金の場
合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主体とす
る金属または合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍｏを主
体とする金属または合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｎｉ
Ｐ合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上であることを特徴とす
る。
気記録媒体を製造する際に、前記中間層の成膜条件が、
ＴｉＷ合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合金の場
合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主体とす
る金属または合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍｏを主
体とする金属または合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、Ｎｉ
Ｐ合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上であることを特徴とす
る。
【００１４】請求項８の発明は、請求項１〜３、５およ
び６のいずれかの磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置
を特徴とする。
び６のいずれかの磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置
を特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を記す。
【００１６】［実施例１］図１に示すように、プラスチ
ック基板１／下地膜２／ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２膜３／
Ｔｉ膜４／ＣＮ膜５／潤滑膜６の層構成媒体において、
下地層（膜）にＴｉＷ，ＣｒＷ，Ｍｏ、ＮｉＰ膜を、５
ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を行っ
た。その膜厚は１０ｎｍ固定である。その後、環境放置
試験を行い膜膨れの発生を確認した。放置の条件は、恒
温槽内にて、常温⇒８０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０
℃（４ｈｒ）⇒常温のサイクルで行っている。膜膨れは
光学顕微鏡にて観察を行った。結果を表１に示す。
ック基板１／下地膜２／ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２膜３／
Ｔｉ膜４／ＣＮ膜５／潤滑膜６の層構成媒体において、
下地層（膜）にＴｉＷ，ＣｒＷ，Ｍｏ、ＮｉＰ膜を、５
ｍＴｏｒｒ〜３０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を行っ
た。その膜厚は１０ｎｍ固定である。その後、環境放置
試験を行い膜膨れの発生を確認した。放置の条件は、恒
温槽内にて、常温⇒８０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０
℃（４ｈｒ）⇒常温のサイクルで行っている。膜膨れは
光学顕微鏡にて観察を行った。結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】それぞれの膜の構造を、透過電子線顕微鏡
で観察した所、ＣｒＷ，Ｍｏ，ＮｉＰ膜は上記成膜条件
において柱状構造もしくはそれに近い構造になっていた
が、ＴｉＷ膜は柱状構造にはならずベタ膜になってしま
った。その結果、ＣｒＷ，Ｍｏ，ＮｉＰ膜を下地膜に用
いた場合、膜膨れは発生せず、ＴｉＷ膜の場合は膜膨れ
が発生した。
で観察した所、ＣｒＷ，Ｍｏ，ＮｉＰ膜は上記成膜条件
において柱状構造もしくはそれに近い構造になっていた
が、ＴｉＷ膜は柱状構造にはならずベタ膜になってしま
った。その結果、ＣｒＷ，Ｍｏ，ＮｉＰ膜を下地膜に用
いた場合、膜膨れは発生せず、ＴｉＷ膜の場合は膜膨れ
が発生した。
【００１９】［実施例２］図１に示すように、プラスチ
ック基板１／下地膜２／ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２膜３／
Ｔｉ膜４／ＣＮ膜５／潤滑膜６の層構成媒体において、
下地層（膜）にＴｉＷ，Ｒｕ膜を、３０ｍＴｏｒｒ〜８
０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を行った。その膜厚は１
０ｎｍ固定である。その後、環境放置試験を行い膜膨れ
の発生を確認した。放置の条件は、恒温槽内にて、常温
⇒８０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０℃（４ｈｒ）⇒常
温のサイクルで行っている。膜膨れは光学顕微鏡にて観
察を行った。結果を表２に示す。
ック基板１／下地膜２／ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２膜３／
Ｔｉ膜４／ＣＮ膜５／潤滑膜６の層構成媒体において、
下地層（膜）にＴｉＷ，Ｒｕ膜を、３０ｍＴｏｒｒ〜８
０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を行った。その膜厚は１
０ｎｍ固定である。その後、環境放置試験を行い膜膨れ
の発生を確認した。放置の条件は、恒温槽内にて、常温
⇒８０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０℃（４ｈｒ）⇒常
温のサイクルで行っている。膜膨れは光学顕微鏡にて観
察を行った。結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】それぞれの膜の構造を、透過電子線顕微鏡
で観察した所、ＴｉＷ，Ｒｕ膜共に成膜条件が低圧力の
場合は柱状構造にならず、成膜条件が高圧力の場合は柱
状構造もしくは柱状に近い構造になった。その結果、Ｔ
ｉＷ，Ｒｕ膜共に、成腹圧力が６０ｍＴｏｒｒ以上の場
合は膨れが発生しなかった。
で観察した所、ＴｉＷ，Ｒｕ膜共に成膜条件が低圧力の
場合は柱状構造にならず、成膜条件が高圧力の場合は柱
状構造もしくは柱状に近い構造になった。その結果、Ｔ
ｉＷ，Ｒｕ膜共に、成腹圧力が６０ｍＴｏｒｒ以上の場
合は膨れが発生しなかった。
【００２２】［実施例３］図２に示すように、プラスチ
ック基板７／下地膜８／中間層９／ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ
Ｏ２膜１０／Ｔｉ膜１１／ＣＮ膜１２／潤滑膜１３の層
構成媒体において、下地層（膜）にＴｉＷ，ＣｒＷ膜
を、３０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で、中間層としてＲｕ膜
を３０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を
行った。その膜厚は下地層は１０ｎｍ、中間層は２０ｎ
ｍ固定である。その後、環境放置試験を行い膜膨れの発
生を確認した。放置の条件は、恒温槽内にて、常温⇒８
０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０℃（４ｈｒ）⇒常温の
サイクルで行っている。膜膨れは光学顕微鏡にて観察を
行った。結果を表３に示す。
ック基板７／下地膜８／中間層９／ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ
Ｏ２膜１０／Ｔｉ膜１１／ＣＮ膜１２／潤滑膜１３の層
構成媒体において、下地層（膜）にＴｉＷ，ＣｒＷ膜
を、３０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で、中間層としてＲｕ膜
を３０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒの成腹圧力で成膜を
行った。その膜厚は下地層は１０ｎｍ、中間層は２０ｎ
ｍ固定である。その後、環境放置試験を行い膜膨れの発
生を確認した。放置の条件は、恒温槽内にて、常温⇒８
０℃／８０％（４ｈｒ）⇒−４０℃（４ｈｒ）⇒常温の
サイクルで行っている。膜膨れは光学顕微鏡にて観察を
行った。結果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】それぞれの膜の構造を、透過電子線顕微鏡
で観察した所、下地層のＣｒＷ膜は柱状構造、ＴｉＷ膜
はベタ膜であった。中間層のＲｕ膜は共に６０ｍＴｏｒ
ｒ以上で柱状構造になっていた。その結果、下地層、中
間層の両方が柱状構造の場合は膨れが発生せず、どちら
かが柱状構造でない場合は膨れが発生した。
で観察した所、下地層のＣｒＷ膜は柱状構造、ＴｉＷ膜
はベタ膜であった。中間層のＲｕ膜は共に６０ｍＴｏｒ
ｒ以上で柱状構造になっていた。その結果、下地層、中
間層の両方が柱状構造の場合は膨れが発生せず、どちら
かが柱状構造でない場合は膨れが発生した。
【００２５】
【発明の効果】上記より本発明によれば、プラスチック
基板上の下地層の構造を例えば柱状構造に制御すること
で、例えば、−４０℃〜８０℃／８０％の環境下におい
ても膨れの発生しない磁気記録媒体を提供することが出
来る。
基板上の下地層の構造を例えば柱状構造に制御すること
で、例えば、−４０℃〜８０℃／８０％の環境下におい
ても膨れの発生しない磁気記録媒体を提供することが出
来る。
【図１】本発明による磁気記録媒体の構成を示す断面模
式図である。
式図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体の他の構成を示す断
面模式図である。
面模式図である。
１，７ プラスチック基板
２，８ 下地膜
３，１０ ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２膜
４，１１ Ｔｉ膜
５，１２ ＣＮ膜
６，１３ 潤滑膜
９ 中間層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 貴宏
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 滝澤 直樹
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 中村 雅
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 CA01 CA06 CB01 DA03 EA03
5D112 AA02 AA03 AA24 BA01 BD03
BD04 BD06
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも、磁性層、保
護膜及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒
体において、非磁性基板が高分子樹脂基板であることを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記非磁性基板上に、非磁性下地層があ
ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，
Ｏｓ，Ｍｏのうちの１種以上からなる金属または合金、
あるいは少なくともＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上
とＷからなる合金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む
合金であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの磁気記録媒体
を製造する際に、前記下地層の成膜条件が、ＴｉＷ合金
の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合金の場合５ｍＴｏ
ｒｒ以上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主体とする金属また
は合金の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍｏを主体とする金
属または合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、ＮｉＰ合金の場
合５ｍＴｏｒｒ以上であることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項５】 前記非磁性下地層上に、中間層があるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項６】 前記中間層が、少なくともＲｕ，Ｒｅ，
Ｏｓ，Ｍｏのうちの１種以上からなる金属または合金、
あるいは少なくともＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒのうちの１種以上
とＷからなる合金、あるいは少なくともＮｉとＰを含む
合金であることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項７】 請求項５または６の磁気記録媒体を製造
する際に、前記中間層の成膜条件が、ＴｉＷ合金の場合
６０ｍＴｏｒｒ以上、ＣｒＷ合金の場合５ｍＴｏｒｒ以
上、Ｒｕ，ＲｅまたはＯｓを主体とする金属または合金
の場合６０ｍＴｏｒｒ以上、Ｍｏを主体とする金属また
は合金の場合５ｍＴｏｒｒ以上、ＮｉＰ合金の場合５ｍ
Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜３、５および６のいずれかの
磁気記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001392508A JP2003196821A (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
| SG200207758A SG116474A1 (en) | 2001-12-25 | 2002-12-18 | Magnetic recording medium, the method of manufacturing the same, and the magnetic storage using the magnetic recording medium. |
| US10/324,105 US20030170501A1 (en) | 2001-12-25 | 2002-12-20 | Magnetic recording medium, a method of manufacturing the same, and a magnetic storage using the magnetic recording medium |
| MYPI20024842A MY133408A (en) | 2001-12-25 | 2002-12-23 | Magnetic recording medium, the method of manufacturing the same, and the magnetic storage using the magnetic recording medium |
| US10/915,565 US7160571B2 (en) | 2001-12-25 | 2004-08-11 | Method of manufacturing a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001392508A JP2003196821A (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003196821A true JP2003196821A (ja) | 2003-07-11 |
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ID=27599804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001392508A Pending JP2003196821A (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030170501A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003196821A (ja) |
| MY (1) | MY133408A (ja) |
| SG (1) | SG116474A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4626840B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4582978B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2003178423A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 長手記録用磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2003217107A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-12-25 JP JP2001392508A patent/JP2003196821A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-18 SG SG200207758A patent/SG116474A1/en unknown
- 2002-12-20 US US10/324,105 patent/US20030170501A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-23 MY MYPI20024842A patent/MY133408A/en unknown
-
2004
- 2004-08-11 US US10/915,565 patent/US7160571B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG116474A1 (en) | 2005-11-28 |
| US20050008773A1 (en) | 2005-01-13 |
| US20030170501A1 (en) | 2003-09-11 |
| MY133408A (en) | 2007-11-30 |
| US7160571B2 (en) | 2007-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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