JP2003202575A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造が容易で、液晶層のスプレイ−ベンド転
移を高速かつ確実に実現できる液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、一対の基板
と、一対の基板の間に設けられた液晶層と、一対の基板
のうちの少なくとも一方の基板の液晶層側に設けられた
配向膜とを有する液晶表示装置であり、液晶層は、配向
膜の表面の配向規制力によって配向が規制された液晶分
子のプレチルト方向が第１方向である第１領域と、プレ
チルト方向が第１方向とは異なる第２方向である第２領
域とを有し、第１領域の液晶層のベンド配向を用いて表
示を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に、動画像特性が要求される携帯情報機器、ノー
トブックＰＣ、デスクトップモニター、テレビ等に好適
に用いられる液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ネマティック液晶を用いた液
晶表示装置は時計や電卓等の数値セグメント 型表示装
置として広く用いられてきた。さらに近年においては、
省スペースかつ低消費電力という長所を活かしてノート
ブックＰＣやデスクトップモニター用ディスプレイとし
ても広く普及してきており、特にデスクトップモニター
の市場では従来のＣＲＴモニターはＬＣＤモニターに置
き換わりつつあると言っても過言ではない。そしてこの
流れはＣＲＴで独占されていたテレビの市場にも及んで
おり、ＣＲＴ−ＴＶをＬＣＤ−ＴＶで置き換えるべく各
社の研究開発が盛んに行なわれている。
【０００３】このＬＣＤ−ＴＶの普及に当たって最大の
課題と言われているのが動画に対応し得る高速応答特性
と見る角度に依存しない広視野角性能である。これらは
液晶の電気光学特性に 関わる本質的問題であり、これ
までも様々な提案がされてきたが、これといった解決策
がまだ見つかっていないのが現状である。そのような中
で高速応答特性と広視野角特性を両立し得るモードとし
て近年注目されているのがＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ
Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃ
ｅ）モードである。
【０００４】しかしながら、このＯＣＢモードは使用す
る初期にスプレイ配向からベンド配向に転移させた上で
駆動させるという非常にやっかいな問題を抱えている。
このスプレイ配向からベンド配向への転移に関してはこ
れまでに詳細に解析されているが、まだはっきりとした
メカニズムは解明されていない。
【０００５】スプレイ配向とベンド（ツイスト）配向と
は位相幾何学的（トポロジー的）に位相が異なるため、
スプレイ配向からベンド配向に至るには必ず不連続な両
方の領域を隔てるディスクリネーションラインの移動を
通してのみ行なわれる。つまり、スプレイ配向領域内に
ベンド配向領域を発生させるにはあるエネルギー・バリ
アが存在する。セル内のスペーサ近傍やラビングの際に
できたと思われる配向膜上の傷、何らかの原因で液晶の
配向が乱れている場所等は比較的このエネルギー・バリ
アが低いと考えられ、スプレイ配向とベンド配向のＧｉ
ｂｂｓの自由エネルギーが等しくなる臨界電圧（Ｖｃ
ｒ）以上の電圧を印加した際にこのようなエネルギー・
バリアの低い領域の近傍がきっかけ（核）となってベン
ド配向領域が発生し、成長していくと言われている。
【０００６】しかし、このようなスペーサや配向膜上の
傷、配向乱れ等によるベンド転移は確率的要素が大きく
確実性に欠け、再現性も乏しい。全パネルの全画素を高
速かつ確実にベンド転移させるには１画素内に最低１
個、ベンド転移への核となる部分を予め形成しておくこ
とが必須である。
【０００７】例えば特開平１１−７０１８号公報には、
画素内に部分的に高チルト角領域を設けることによっ
て、初期からベンド配向している領域を形成するか、或
いはベンドに非常に転移し易い領域を形成し、この領域
をベンド配向転移核とする方法が開示されている。
【０００８】しかしながら上記特開平１１−７０１８号
公報に記載されているように、画素内に部分的に高チル
ト領域を設けるためには、水平配向膜形成後に部分的に
垂直配向膜を形成するか、もしくは特殊な混合配向膜材
料を用いた相分離を利用してチルト角の高い領域と低い
領域とを形成しなければならず、使用できる配向膜材料
の種類はかなり限定されてしまう。その他、ベンド転移
核の形成にあたり、使用できる液晶材料、配向膜材料が
限定されてしまうような方法であると、生産工程のプロ
セス上の観点から好ましくない。
【０００９】また、例えば特開平９−９６７９０号公報
には、カイラル剤添加液晶を用いて初期配向状態をπツ
イスト配向とする方法が開示されている。この手法では
初期配向がπツイスト配向であるため、電圧を印加する
だけでπツイスト配向は擬似的なベンド配向に連続的に
変形し、スプレイ−ベンド転移の問題は回避できる。液
晶表示装置の駆動電圧レンジでの高電圧側ではπツイス
ト配向は擬似的に一軸性配向のベンド配向とみなすこと
ができ、高電圧側から低電圧側への緩和時間は純粋なベ
ンド配向と同様にフローの効果が有効に働き、ＯＣＢモ
ードと同等の数ｍｓｅｃという高速応答特性を得ること
ができる。
【００１０】しかしながらこの場合、初期配向をπツイ
スト配向とするため、カイラル剤を多量に添加しなけれ
ばならない。液晶セルのセル厚をｄ、カイラル剤添加液
晶材のナチュラルカイラルピッチをｐとすると、これら
の比ｄ／ｐはマージンを考慮すると０．５０程度添加し
なければならない。この程度までカイラル剤を添加する
と低電圧側での光学特性、特にクロスニコル下、４５°
方位での透過率特性が著しく低下する。この場合、液晶
パネルの正面方向の光学特性劣化のみならず、斜め方向
の光学特性即ち視野角特性も劣化することは言うまでも
ない。
【００１１】そこで本発明は上述した課題を解決するた
めのものであり、製造が容易で、また、液晶層のスプレ
イ−ベンド転移を高速かつ確実に実現することができる
液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、一対の基板と、一対の基板の間に設けられた液晶層
と、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の液晶層
側に設けられた配向膜とを有する液晶表示装置であり、
液晶層は、配向膜の表面の配向規制力によって配向が規
制された液晶分子のプレチルト方向が第１方向である第
１領域と、プレチルト方向が第１方向とは異なる第２方
向である第２領域とを有し、第１領域の液晶層のベンド
配向を用いて表示を行なうことを特徴とする。このよう
な液晶表示装置によると、スプレイ−ベンド臨界電圧
（Ｖｃｒ）以上の電圧を液晶層に印加した時に、液晶層
の第２領域が、第１領域のスプレイ−ベンド転移の核と
なり、第１領域において、高速かつ確実なベンド転移が
可能となる。
【００１３】典型的には、第１領域の液晶層は、電圧無
印加時にスプレイ配向を呈し、電圧印加時にベンド配向
を呈する。
【００１４】第２領域の液晶層はツイスト配向を呈する
ことが好ましい。
【００１５】第２領域の液晶層の全領域にわたって、Ｖ
ｃｒ以上の電圧印加時にベンド配向に連続的に繋がり得
るＴＮ配向がトラップされていることが好ましい。第２
領域の液晶層の全領域にわたってＶｃｒ以上の電圧印加
時にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向がトラッ
プされている場合、第２領域の液晶層の全領域が、第１
領域の液晶層がスプレイ−ベンド転移するための転移核
となるので、第１領域の液晶層がより高速かつ確実にベ
ンド転移する。
【００１６】液晶表示装置が複数の画素を有し、この複
数の画素のそれぞれにおける液晶層が、第１領域及び第
２領域を含むことが好ましい。複数の画素のそれぞれに
おいて、液晶層が第１及び第２領域を含む場合、各画素
の各第１領域において、より確実にベンド転移されるか
らである。
【００１７】第１領域のプレチルト方向である第１方向
と、第２領域のプレチルト方向である第２方向とのなす
角度Ψが３０°≦Ψ≦１５０°の範囲にあれば、第２領
域を非常に効果的なスプレイ−ベンド転移の核として作
用させることができるので好ましい。
【００１８】第１領域のプレチルト方向である第１方向
と、第２領域のプレチルト方向である第２方向とのなす
角度Ψが７０°≦Ψ≦１１０°の範囲にあれば、実駆動
前に高電圧を印加させて前記第１領域を完全にベンド化
させた後電圧を切った際に発現するπ（１８０°）ツイ
スト配向を、前記第２領域の全面に確実にトラップさせ
ることが可能となり、ひいてはより高速かつ確実なベン
ド転移が実現される。
【００１９】さらに、液晶層の配向を制御する配向膜の
形成の容易さを考慮すると、液晶層の第２領域は、第２
領域のプレチルト方向である第２方向と平行に伸びたス
トライプ形状を有することが好ましい。
【００２０】液晶層はカイラル剤を含むことが好まし
い。これにより、より高速に第１領域の液晶層でスプレ
イ−ベンド配向転移を実現させることができる。
【００２１】さらに液晶層がカイラル剤を含有する場
合、カイラル剤の添加量は、液晶層の厚さをｄとし、液
晶層のナチュラルカイラルピッチをｐとした場合に、０
＜ｄ／ｐ＜０．５０という関係式を満たすように設定さ
れることが好ましい。この場合、スプレイ−ベンド臨界
電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧を印加した時のベンド配向の
転移がより高速かつ確実なものとなると共に、液晶表示
装置を実際に駆動させて白表示させた時に、透過率の低
下を抑制することができる。
【００２２】特に０＜ｄ／ｐ≦０．１５という関係式を
満たすように設定されている場合、カイラル剤を添加し
ていない液晶表示装置に比べて透過率の低下がほとんど
なく、光学特性の劣化のない、高品位な液晶表示装置を
実現することができる。
【００２３】液晶層は、電圧無印加時に、第２領域の液
晶層がスプレイ歪みのないツイスト配向（ユニフォーム
チルト状態）を呈するように選択された所定のカイラル
剤を含んでいることが好ましい。これにより、第２領域
の液晶層の全領域にわたって、Ｖｃｒ以上の電圧印加時
にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向をトラップ
することができるので、第２領域の液晶層の全領域が、
第１領域の液晶層がスプレイ−ベンド転移するための転
移核となり、第１領域の液晶層において、より高速かつ
確実なベンド転移が可能となる。
【００２４】本発明の液晶表示装置の製造方法は、それ
ぞれの主面に電極を有する一対の基板を準備する工程
と、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の前記電
極上に、配向膜を形成する工程であって、配向膜は、液
晶分子のプレチルト方向を第１方向に配向させる配向規
制力を有する第１配向膜領域と、液晶分子のプレチルト
方向を前記第１方向とは異なる第２方向に配向させる配
向規制力を有する第２配向膜領域とを備える、配向膜を
形成する工程と、一対の基板の間に液晶層を設ける工程
であって、液晶層は、配向膜の配向規制力によって配向
が規制された液晶分子のプレチルト方向が第１方向であ
る第１領域と、配向膜の配向規制力によって配向が規制
された液晶分子のプレチルト方向が第２方向であり、か
つ、全領域にわたって、Ｖｃｒ以上の電圧印加時にベン
ド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向がトラップされた
第２領域とを有する、前記液晶層を設ける工程とを包含
する。 この液晶表示装置の製造方法によると、第２領
域の液晶層の全領域にわたって、Ｖｃｒ以上の電圧印加
時にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向がトラッ
プされた液晶層を設ける工程を含むことにより、第１領
域の液晶層をスプレイ−ベンド転移するためのより効果
的な転移核を、第２領域の液晶層の全領域に形成でき
る。従って、高速かつ確実なベンド転移が可能な液晶表
示装置を製造することができる。
【００２５】上記液晶層を設ける工程は、所定のカイラ
ル剤を含む液晶材料を用意する工程を含み、電圧無印加
時に、第２領域の液晶層が、スプレイ歪みのないツイス
ト配向を呈していてもよい。
【００２６】上記液晶層を設ける工程は、第１領域の液
晶層のほぼ全体をベンド配向させた後、ベンド配向から
πツイスト配向を経て、スプレイ配向させる配向リフレ
ッシュ工程を包含してもよい。
【００２７】上記配向リフレッシュ工程は、例えば、液
晶層にＶｃｒの２倍以上の電圧を所定の時間印加するこ
とによって行われる。
【００２８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の液晶表
示装置は、液晶分子のベンド配向を用いて表示を行い、
好ましくは、高速応答特性および広視野角特性を両立し
得るＯＣＢモードの液晶表示装置である。本発明の一実
施形態の液晶表示装置４０は、図２（ａ）に示すよう
に、一対の偏光板（偏光子）２および３と、これらの偏
光板に挟まれた液晶素子３０と、一方の偏光板２と液晶
素子３０との間に挟まれた光学位相差素子４と、液晶素
子３０を駆動する駆動回路１６とを有する。液晶素子３
０は、シール樹脂１４によって貼り合わされた一対の電
極基板５および６と、これらの電極基板とシール樹脂１
４とによって囲まれる空間内に液晶層２７とを有する。
【００２９】電極基板５は、基板（透光性基板）２１
と、基板２１の液晶層２７側表面に設けられた透明電極
２２と、透明電極２２の液晶層２７側表面に設けられた
配向膜２３とを有し、これと同様に、電極基板６は、基
板２４と、基板２４の液晶層２７側表面に設けられた透
明電極２５と、透明電極２５の液晶層２７側表面に設け
られた配向膜２６とを有する。透明電極２２および２５
は駆動回路１６に接続されており、透明電極２２および
２５を介して、駆動回路１６から表示データに基づいた
電圧が液晶層２７に印加される。なお、上記基板２１、
２４は、例えばガラスからなり、透明電極２２、２５は
ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる。
【００３０】なお、図２（ａ）の液晶素子３０は１画素
内の領域を示しているので、透明電極２２、２５が基板
の表面全面に形成されているが、実際には、透明電極２
２、２５はいずれも、所定幅を有する複数の帯状の電極
からなり、基板面に垂直な方向から見て互いに交差（こ
こでは直交）するように形成されている。透明電極２２
と２５との各交差部が表示を行う画素に相当し、これら
の画素は液晶表示装置の全面にマトリクス状に配置され
ている。
【００３１】以下、図１を参照して、液晶表示装置４０
に用いられる液晶素子３０を説明する。なお、以下では
簡単のために、液晶素子３０の１画素について説明す
る。図１は、液晶素子３０の構成を模式的に示す図であ
る。図１（ａ）は、液晶素子の配向膜２６の平面図であ
り、図１（ｂ）および（ｃ）は図１（ａ）のＲ−Ｒ’部
に対応する液晶素子の断面図であり、図１（ｂ）は電圧
無印加時を示し、図１（ｃ）は電圧印加時を示す。
【００３２】本実施形態の液晶素子３０において、配向
膜２３および２６に挟まれた液晶層２７は、第１液晶領
域２７Ｆと、第２液晶領域２７Ｓとを有している。第１
液晶領域２７Ｆは、電圧印無加時に図１（ｂ）に示すよ
うにスプレイ配向を呈し、所定の電圧印加時に図１
（ｃ）に示すようにベンド配向を呈する。この第１液晶
領域２７Ｆのベンド配向を用いて、液晶表示装置４０の
表示が行われる。液晶素子３０では、第１液晶領域２７
Ｆをスプレイ配向―ベンド配向転移させて表示を行うの
で、第１液晶領域２７Ｆのプレチルト角θは電圧無印加
時に０≦θ≦４５°である必要がある。ここで、プレチ
ルト角とは、図１（ｄ）に示すように、基板の主面にＸ
―Ｙ―Ｚ座標系を規定した場合に、配向膜表面の配向規
制力によって配向が規制された液晶分子３２の長軸と、
基板表面とのなす角度θをいう。なお、本実施形態の液
晶素子３０では第１液晶領域２７Ｆをスプレイ配向とす
る必要あり、このためには、プレチルト角θは０≦θ＜
４５°が必要である。これは、一般に、液晶分子のプレ
チルト角が４５°未満のときにはスプレイ配向の方がギ
ブスの自由エネルギーが低く安定で、プレチルト角が４
５°を超えるとベンド配向の方が安定だからである。
【００３３】本実施形態の液晶素子３０は、一方の配向
膜２６付近において、第１液晶領域２７Ｆの液晶分子の
プレチルト方向（第１の方向）と、第２液晶領域２７Ｓ
の液晶分子のプレチルト方向（第２の方向）とが互いに
異なることを特徴としている。なお、プレチルト方向と
は、図１（ｄ）に示すように、基板の主面にＸ―Ｙ―Ｚ
座標系を規定した場合に、配向膜表面の配向規制力によ
って配向が規制された液晶分子３２（配向膜と液晶層と
の界面近傍における液晶分子）の長軸がとる方位角方向
（方位角Ψ）をいう。なお、液晶分子のプレチルト方向
は配向膜の配向規制力によって規定されるので、配向膜
の配向規制力の方向をも「プレチルト方向」という用語
を用いて表すこともある。
【００３４】上述したプレチルト方向およびプレチルト
角は、液晶層２７に接して設けられた配向膜２３および
２６によって規定される。本実施形態では、液晶分子３
２のプレチルト方向は、配向膜２３および２６のラビン
グによって規定される。
【００３５】以下に図１（ａ）を参照して、配向膜２３
および２６のラビングを説明する。
【００３６】下側基板２４側の配向膜２６には、第１方
向（図１（ａ）の矢印１７方向）にラビングされた第１
配向膜領域２６Ｆと、第１方向とは異なる第２方向（矢
印１９方向）にラビングされた第２配向膜領域２６Ｓと
が設けられている。第２方向は図１（ａ）に示すよう
に、第１方向と角度Ψをなすように設定され、後の実施
例１で説明するが、Ψは好ましくは３０°≦Ψ≦１５０
°の範囲に設定される。第２配向膜領域２６Ｓは、第２
配向膜領域２６Ｓのラビング方向（第２の方向１９）に
伸びるストライプ形状を有している。
【００３７】ラビング方向に伸びるストライプ形状の第
２配向膜領域２６Ｓを採用すると、配向膜に第２配向膜
領域２６Ｓを形成する際に使用するマスクのパターン形
成が容易になり、また、第２配向膜領域２６Ｓを均一に
ラビングすることができるという効果が得られる。な
お、本実施形態の第２配向膜領域２６Ｓの形状はこれに
限定されず、後で図７を参照して説明するように様々な
形状をとることが可能である。
【００３８】また、１つの画素に１つの第２配向膜領域
２６Ｓを形成する場合には、図１（ａ）のように、画素
の対向する長辺を横切るように第２配向膜領域２６Ｓを
形成し、さらに、第２配向膜領域２６Ｓを画素のほぼ中
央部に形成して、この第２配向膜領域２６Ｓによって分
断される２つの第１配向膜領域２６Ｆの面積がほぼ同程
度になるようにすることが好ましい。これにより、液晶
層のスプレイ−ベンド転移に必要な時間を最も短縮する
ことができる。
【００３９】さらに、スプレイ−ベンド配向転移核の効
率的な形成と、表示面積の低下とを考慮すれば、１画素
（例えば８０μｍ×２４０μｍ）に占める第２配向膜領
域２６Ｓの幅ｗが５μｍ〜６０μｍの範囲にあることが
好ましい。また、第２配向膜領域２６Ｓの面積は、１画
素の面積を１とすると、１/４８〜１/４程度であること
が好ましい。
【００４０】このように、下側基板２４側の配向膜２６
において、第１液晶領域２７Ｆに接する第１配向膜領域
２６Ｆを第１方向にラビングし、第１配向膜領域２６Ｆ
近傍での液晶分子のプレチルト方向を第１方向に規制す
る。また基板２４側の配向膜２６において、第２液晶領
域２７Ｓに接する第２配向膜領域２６Ｓを第２方向にラ
ビングし、第２配向膜領域２６近傍Ｓでの液晶分子のプ
レチルト方向を第２方向に規制する。
【００４１】一方、上側基板２１側の配向膜２３は、そ
のほぼ全面が第１方向（矢印１８方向）にラビングされ
ている。これにより、配向膜２３近傍の液晶分子のプレ
チルト方向を第１方向に規制される。配向膜２３のラビ
ング方向と、配向膜２６の第１配向膜領域２６Ｆのラビ
ング方向とは平行であるので、第１液晶領域２７Ｆでは
両方の配向膜２および２６の近傍において、プレチルト
方向が第１方向となり、第１液晶領域２７Ｆはスプレイ
配向を呈する。
【００４２】上述したように、配向膜２３および２６を
ラビングすることにより、電圧無印加時に、図１（ｂ）
に示すように、基板２４側の配向膜２６近傍において、
第１液晶領域２７Ｆの液晶分子のプレチルト方向と、第
２液晶領域２７Ｓの液晶分子のプレチルト方向とを不連
続にし、かつ、第１液晶領域２７Ｆの液晶分子をスプレ
イ配向させることができる。このような液晶層２７にス
プレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧を印加す
ると、第２液晶領域２７Ｓが、第１液晶領域２７Ｆの液
晶分子をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる核
（ベンド配向転移核）として作用し、図１（ｃ）に示す
ように、第１液晶領域２７Ｆで、高速かつ確実にスプレ
イ−ベンド転移が起こる。
【００４３】次に、上述した配向膜２３および２６の形
成方法を説明する。まず、上側基板２１の透明電極２２
上および、下側基板２６の透明電極２５上に、例えばポ
リイミド膜を形成し、配向膜２３および２６のほぼ全面
を第１の方向（矢印１７、１８方向）にラビングする。
配向膜２６については、さらに、配向膜２６の第１配向
膜領域２６Ｆをマスクし、第２配向膜領域２６Ｓを露出
させて、第１の方向と角度Ψをなす第２の方向（矢印１
９方向）にラビングする。これにより、配向膜２６に
は、第１の方向にラビングされた第１配向膜領域２６Ｆ
と、第１の方向と角度Ψをなす第２の方向にラビングさ
れた第２配向膜領域２６Ｓとが形成される。以上のよう
にして配向膜２３、２６が形成される。
【００４４】あるいは、本実施形態の配向膜２３および
２６には、光配向膜を適用してもよい。以下に、光配向
膜の形成方法の一例を説明する。上側基板２１の透明電
極２２、および下側基板２６の透明電極２５上に、ポリ
ビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）膜を形成し、いずれも
第１方向に全面ラビングする。下側基板２６上のポリビ
ニルシンナメート（ＰＶＣｉ）膜については、上記のよ
うに全面ラビングした後、第２領域２６Ｓのみに深紫外
（ｄｅｅｐＵＶ、波長２５４ｎｍ）光を照射する。以
下、図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）を参照し
ながら、第２領域２６Ｓの形成方法を説明する。図２
（ｂ）は配向膜（ＰＶＣｉ膜）２６の平面図であり、図
２（ｃ）および（ｄ）は、図２（ｂ）のＰＶＣｉ膜２６
の２ｃ―２ｄにおける断面図である。また、図２（ｅ）
は、図２（ｄ）での光の照射方向と、配向膜２６の高分
子鎖との関係を模式的に示す図である。
【００４５】まず、図２（ｂ）の第２領域２６Ｓに対し
て、図２（ｃ）に示すように正面方向からｓ波のｄｅｅ
ｐＵＶ偏光を１Ｊ／ｃｍ2の光量で照射する。このｓ波
のｄｅｅｐＵＶ偏光の照射により、ｓ波の振動方向に伸
びる高分子鎖が切断される。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、ｐ波のｄｅｅｐＵＶ偏光を、斜め方向（例えば入
射角８０°）から１Ｊ／ｃｍ2の光量で第２領域２６Ｓ
に照射する。このｐ波のｄｅｅｐＵＶ偏光の照射によ
り、ｐ波のｄｅｅｐＵＶ偏光の振動方向に伸びる高分子
鎖Ａ（図２（ｅ））が切断される。従って、ｐ波の振動
方向に垂直に伸びる高分子鎖Ｂ（図２（ｅ））が切断さ
れないまま残る。結果として、高分子鎖Ｂの伸びる方向
に液晶分子３２のプレチルト方向が生じる。
【００４６】以上のように、照射する偏光の方向などを
適宜調整することにより、配向膜２６の第２領域のプレ
チルト方向を制御し、配向膜２３、２６が形成される。
【００４７】本実施形態の液晶素子３０の液晶層２７の
配向状態を確認するために、液晶層２７の偏光顕微鏡観
察を行った。クロスニコル下で偏光子の方向とラビング
方向とを一致させて観察すると、第１液晶領域２７Ｆは
消光位で黒く見えた。これにより、第１液晶領域２７Ｆ
では、液晶分子の方向と偏光子の方向とが一致してお
り、液晶分子がスプレイ配向を取っていることが確認さ
れた。
【００４８】これに対して、第２液晶領域２７Ｓでは、
消光位が存在せず、入射偏光が旋光していることが観察
された。これにより、第２液晶領域２７Ｓでは、液晶分
子がツイスト配向を取っていることが確認された。
【００４９】なお、本実施形態では、電圧無印加時に、
第１液晶領域２７Ｆがスプレイ配向を呈し、第２液晶領
域２７Ｓがツイスト配向を呈する例を説明したが、本発
明の液晶素子の配向状態はこれに限定されない。少なく
とも一方の配向膜表面において、第１液晶領域と第２液
晶領域とのプレチルト方向が互いに異なっていれば、第
２液晶領域２７Ｓをベンド配向転移核として作用させる
ことができ、同様の効果を得ることができる。
【００５０】なお、本実施形態では、下側基板２４側の
配向膜２６の画素内にプレチルト方向が不連続な領域で
ある第２配向膜領域２６Ｓを設けたが、第２配向膜領域
２６Ｓの配置はこれに限定されない。例えば、この第２
配向膜領域を、上側基板２１側の配向膜２３に設けても
よいし、上側基板２１の配向膜２３と下側基板２４の配
向膜２６との両方に設けてもよい。また、第２配向膜領
域を画素外に設けてもよい。
【００５１】さらに、本実施形態では、上側基板２１と
下側基板２４との両方にそれぞれ配向膜２３と２６とが
設けられているが、少なくとも一方の基板に配向膜が設
けられていれば本発明と同様の効果が得られ、いずれか
一方の配向膜は適宜省略可能である。
【００５２】また、本実施形態の液晶素子の液晶層２７
に、カイラル剤を添加すると、液晶層２７の第２液晶領
域２７Ｓを、より効果的にベンド配向転移核として作用
させることができる。特に、後の実施例２で詳述する
が、液晶層の厚さをｄとし、カイラル剤を添加した液晶
層のナチュラルカイラルピッチをｐとした場合、比ｄ／
ｐが、０＜ｄ／ｐ＜０．５０の範囲内に設定されるよう
にカイラル剤の添加量を決定すれば、液晶層２７の第２
液晶領域２７Ｓを、極めて効果的なベンド配向転移核と
して作用させることができると共に、液晶表示装置を実
際に駆動させて白表示させた時に、透過率の低下を抑制
することができる。
【００５３】さらに、より好ましくはカイラル剤の添加
量を、０＜ｄ／ｐ≦０．１５の範囲内に設定しておく
と、液晶表示装置を実際に駆動させて白表示させた時
に、カイラル剤なしの液晶サンプルと比べて透過率の低
下をほとんどないものとすることができる。
【００５４】以下、本発明の実施例１および２を説明す
る。
【００５５】（実施例１）本実施例１の液晶表示装置
は、図１および図２（ａ）を参照して説明した実施形態
の液晶表示装置４０と同様の構造を有し、上記実施形態
と同様の方法で作製される。ただし、本実施例１では、
下側基板２４の配向膜２６の第２配向膜領域２６Ｓ（ラ
ビング方向の不連続な領域）のラビング方向を様々に変
化させて、複数の液晶表示装置を作製した。
【００５６】具体的には、配向膜２６の第１のラビング
方向（図１（ａ）の矢印１７、１８方向）と第２のラビ
ング方向（矢印１９方向）とのなす角度Ψを３０°以上
１５０°以下の範囲で変化させて、下記の表１に示され
る５つの液晶表示装置（サンプル＃１１〜＃１５）を作
製した。なお図１（ａ）に示すように、第２配向膜領域
２６Ｓは、第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向に伸び
たストライプ形状を有している。また下側基板２４側の
配向膜２６の第１配向膜領域２６Ｆのラビング方向（矢
印１７方向）と、上側基板２１側の配向膜２３のラビン
グ方向（矢印１８方向）とは、互いに平行である。
【００５７】さらに、比較のために、上記角度Ψが上述
した３０°≦Ψ≦１５０°の範囲外にある３つの液晶表
示装置（サンプル＃２０１〜＃２０３）、及び、第２配
向膜領域２６Ｓのような領域を全く設けなかった液晶表
示装置（サンプル＃２０４）も本実施例１のサンプルと
同様に作製した。なお、サンプル＃２０１は、第１配向
膜領域２６Ｆのラビング方向（矢印１７方向）と、上側
基板２１側の配向膜２３のラビング方向（矢印１８方
向）とが正反対方向である。
【００５８】
【表１】
【００５９】上記サンプル＃１１〜＃１５、及び、比較
サンプル＃２０１〜＃２０４について、６Ｖ、１ｋＨｚ
の矩形波の電圧を印加した時の観察結果を表２に示す。
また、電圧印加時の本実施例のサンプル＃１４および比
較例のサンプル＃２０４の液晶層の観察結果をそれぞれ
図３および図４に模式的に示す。
【００６０】
【表２】
【００６１】表２および図３より、本実施例のサンプル
＃１１〜＃１５については、６Ｖ程度の電圧印加によっ
て、第２液晶領域が、第１液晶領域を効果的にスプレイ
配向−ベンド配向転移させる核として作用し、さらに、
第１液晶領域で発生したベンド配向領域が拡大している
ことが分かる。特に本実施例のサンプル＃１２〜＃１４
に関しては、図３に示されるように、第２液晶領域のほ
ぼ全面からベンド配向の核が発生し、＃１１および＃１
５と比べてより一層効果的に作用していることが分か
る。
【００６２】これに対して表２および図４に示すよう
に、比較サンプル＃２０１および＃２０４については、
ベンド配向転移核が全く発生していない。また、比較サ
ンプル＃２０２および＃２０３については、第２液晶領
域のごく一部からベンド配向転移核が発生するが、第１
液晶領域において、ベンド配向を呈する領域が拡大しな
い。従って、比較サンプル＃２０１〜＃２０４について
はいずれも、第２液晶領域がベンド配向転移核として作
用しているとは言えない。
【００６３】図５は、第２液晶領域がベンド配向転移核
として作用するメカニズムを模式的に示す図であり、
（ａ）は電圧無印加時を示し、（ｂ）は電圧印加時を示
す。図５（ａ）に示すように電圧無印加時では、配向膜
２６付近において、第２液晶領域２７Ｓの液晶分子は、
第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向（第２方向）に沿
って配向しており、この第２方向は、第１配向膜領域２
６Ｆのラビング方向（第１方向）と異なる。また、第１
液晶領域２７Ｆはスプレイ配向を呈し、第２液晶領域２
７Ｓはツイスト配向を呈している。
【００６４】このような液晶層２７にスプレイ−ベンド
臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧を印加すると、まず、第
２配向膜領域２６Ｓ近傍の第１液晶領域２７Ｆの液晶分
子５２に、歪が最も集中する。従って、図５（ａ）に示
すように、この歪が緩和するように、上記液晶分子５２
が、第２配向膜領域２６Ｓ付近の第２液晶領域２７Ｓの
液晶分子５４の配向方向に整合するように回転する。こ
の液晶分子５２のトルクにより、第１液晶領域２７Ｆの
液晶分子は、配向膜２６から配向膜２３の方向に向かっ
て回転しようとする。この回転角は、第２配向膜領域２
６Ｓのラビング方向と第１配向膜領域２６Ｆのラビング
方向とのなす角Ψ（３０°≦Ψ≦１５０°）に依存す
る。このとき、印加電圧が臨界電圧Ｖｃｒ以上であるの
で、第１液晶領域２７Ｆの液晶分子は、スプレイ配向に
戻るよりもベンド配向に転移した方がエネルギー的に安
定となる。これより、図５（ｂ）に示すように、ベンド
配向領域４２が効果的に発生し、ベンド配向領域がスプ
レイ配向領域４４内に拡大していく。
【００６５】これに対して、比較例のサンプル２０１お
よび２０４のように、第２液晶領域が全く存在しない場
合、液晶層全体の液晶配向は図６に示すようにスプレイ
配向のままで、ベンド配向転移核が形成されず、変化し
ない。また比較例のサンプル２０２および２０３のよう
に、第１配向膜領域２６Ｆのラビング方向と、第２配向
膜領域２６Ｓのラビング方向とが近くなると、第１液晶
領域２７Ｆのプレチルト方向と、第２液晶領域２７Ｓの
プレチルト方向とが近くなるので、スプレイ配向の歪集
中部の液晶分子を、十分な角度回転させることができ
ず、ベンド配向転移核としての作用は弱められる。
【００６６】本実施例では、ストライプ状の第２配向膜
領域２６Ｓを、下側基板２４側の配向膜２６のみに設け
た液晶表示装置を説明したが、第２配向膜領域の配置は
これに限定されない。第２配向膜領域は、上側基板２１
の配向膜２３と下側基板２６の配向膜２６との両方に設
けられてもよい。
【００６７】以下、図７を参照して、第２配向膜領域２
３Ｓおよび２６Ｓの配置例を説明する。図７（Ａ）〜
（Ｆ）は、様々な配向膜２３および２６の透過平面図を
示す。矢印１８は上側基板２１に設けられた配向膜２３
の第１配向膜領域のラビング方向を示し、矢印１７は下
側基板２５に設けられた配向膜２６の第１配向膜領域の
ラビング方向を示す。これらの方向は、いずれも平行で
ある。また、矢印４８は上側基板２１に設けられた配向
膜２３の第２配向膜領域２３Ｓのラビング方向を示し、
矢印４７は下側基板２５に設けられた配向膜２６の第２
配向膜領域２６Ｓのラビング方向を示す。
【００６８】図７（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示す配
向膜では、第２配向膜領域２３Ｓと第２配向膜領域２６
Ｓとが画素を横断するストライプ形状を有している。ま
た、図７（Ｄ）および（Ｅ）に示す配向膜では、第２配
向膜領域２３Ｓと第２配向膜領域２６Ｓとは、複数のス
トライプが接続された形状を有している。なお、図７
（Ａ）〜（Ｅ）の配向膜において、第２配向膜領域２３
Ｓおよび第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向は、スト
ライプの伸びる方向と平行である。
【００６９】また、図７（Ｆ）では、第２配向膜領域２
３Ｓと第２配向膜領域２６Ｓとは、ある曲率を持った形
状を有している。図７（Ｆ）の場合、第２配向膜領域の
ある点での接線の傾きの方向と、第２配向膜領域のラビ
ング方向とのなす角度Ψが上述した３０°≦Ψ≦１５０
°の範囲内にあることが好ましい。図７を参照して第２
配向膜領域２３Ｓおよび２６Ｓのとり得る形状の例を説
明したが、どのような形状が最適であるかは、表示装置
の画素サイズや画素の形状などに応じて、最短時間でベ
ンド配向への転移が達成されるように適宜決定すればよ
い。
【００７０】なお、図７（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、
第２配向膜領域２３Ｓおよび２６Ｓは、ｘ−ｙ平面内
（図７のｘｙｚ座標参照）、すなわち、基板２１および
２４の法線方向で重ならず、互いにずれていることが好
ましい。第２液晶領域２７Ｓは、スプレイ配向よりもツ
イスト配向を呈する方が効率的なベンド配向転移核とし
て作用させることができる。従って、上記のように第２
配向膜領域２３Ｓと２６Ｓとが互いにずれていれば、第
２液晶領域２７Ｓをツイスト配向させることができるの
で、好ましい。ずれ量の最適値は、液晶パネルの画素サ
イズ、および開口率等に依存して適宜決めることが好ま
しい。
【００７１】（実施例２）本実施例２では、液晶層に添
加するカイラル剤の量を様々に変化させて、上述した実
施形態と同様の液晶表示装置４０を実施形態と同様の方
法で作製した。具体的には、液晶素子３０の液晶層の厚
さｄとカイラル剤を添加した液晶層のナチュラルカイラ
ルピッチｐとの比が下記の表３に示される４つの液晶表
示装置（サンプル＃３１〜＃３４）を作製した。本実施
例２のサンプルにおけるｄ／ｐの値は、０以上０．５０
未満の範囲内に設定してある。
【００７２】本実施例２の液晶素子では、第２配向膜領
域２６Ｓは、図９に示すように下側基板２４の配向膜２
６のみに設けられている。また、配向膜２６において、
第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向１９と、第１配向
膜領域２６Ｆのラビング方向１８とのなす角度Ψは１２
０°に設定されており、第２配向膜領域２６Ｓはこのラ
ビング方向１９と平行に伸びたストライプ形状であり、
５０μｍの幅を有している。また、基板２１、２４およ
び配向膜２３、２６のサイズは、縦２０ｍｍ×横１０ｍ
ｍである。
【００７３】さらに、比較のために、上記ｄ／ｐの値が
上記範囲以外の２つの液晶表示装置（サンプル＃４０１
および＃４０２）も、本実施例２のサンプルと同様の方
法で作製した。
【００７４】
【表３】
【００７５】上記サンプル＃３１〜＃３４、及び、比較
サンプル＃４０１および＃４０２について、６Ｖ、１ｋ
Ｈｚの矩形波の電圧を印加し、偏光顕微鏡観察を行っ
た。偏光顕微鏡による観察は、偏光子をクロスニコルに
配置し、ノーマリーホワイトの動作の下で行った。この
観察結果を表４に示す。また、液晶層の全部をベンド転
移させた後に、上記６Ｖ、１ｋＨｚの矩形波の印加電圧
を切った（電圧０）場合の観察結果を表５に示す。な
お、印加電圧０の下では、ベンド配向は瞬時（数１０ｍ
ｓｅｃ）に１８０°ツイスト配向に変形する。
【００７６】さらに図８に、上記電圧印加時と、印加電
圧を切った時とにおける観察結果を模式的に示す。図８
では実施例２を代表してサンプル＃３１および＃３３
を、比較例のサンプルを代表してサンプル＃４０１につ
いて示した。図８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は６Ｖ、１ｋ
Ｈｚの矩形波の電圧を印加した時の様子を示し、図８
（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ）は全面ベンド転移させた後にそ
の印加電圧を切った時の様子を示す。図８（Ａ），
（Ｄ）は本実施例のサンプル＃３１を示し、図８
（Ｂ），（Ｅ）は本実施例のサンプル＃３３を示し、図
８（Ｃ），（Ｆ）は比較サンプル＃４０１を示す。
【００７７】さらに、本実施例のサンプル＃３１〜＃３
４、及び、比較サンプル＃４０１および＃４０２につい
て、６Ｖ、１ｋＨｚの矩形波の電圧を印加した瞬間から
液晶層の全体がベンド配向に転移するまでにかかった時
間を表６に示す。また、液晶層の全体をベンド転移させ
た後に、上記６Ｖ、１ｋＨｚの矩形波の電圧を切った時
に、電圧を切った瞬間から液晶層全体がスプレイ配向に
戻るまでにかかった時間を表７に示す。
【００７８】
【表４】
【００７９】
【表５】
【００８０】
【表６】
【００８１】
【表７】
【００８２】表４および表６より、本実施例のサンプル
＃３１〜＃３４については、６Ｖ程度の電圧印加によっ
て第２液晶領域が核となって、第１液晶領域にベンド配
向転移が効果的に進行していくが、ベンド配向領域の進
行速度に違いがあることが分かる。具体的には、カイラ
ル剤の添加量が増えると、すなわち、セル厚ｄと液晶層
のカイラルピッチｐとの比ｄ／ｐが大きくなると、ベン
ド配向領域の拡大速度は速くなることが分かる。
【００８３】これに対して比較サンプル＃４０１および
＃４０２程度までカイラル剤を添加すると、電圧無印加
の初期状態から、液晶分子が、配向膜２３から配向膜２
６方向に向かって液晶分子の長軸方向が１８０°ねじれ
るという、１８０°ツイスト配向を呈してしまう。電圧
無印加の初期状態から液晶層が１８０°ツイスト配向を
呈する場合、電圧を印加すると、液晶層は１８０°ツイ
スト配向から連続的にベンド配向に変化し、ベンドへの
転移は不要となる。しかし、このような液晶表示装置を
実際に駆動すると、黒表示時には問題ないが、白表示時
に数〜数十ｍｓｅｃという短時間のうちに、液晶層がベ
ンド配向からツイスト配向に移行して、透過率が大幅に
低下してしまうという問題がある。従って、ベンド転移
を容易にするためにはカイラル剤の添加量は多い（ｄ／
ｐは大きい）方が好ましいが、実駆動における白表示時
の透過率（パネルの輝度）という観点から考えると、カ
イラル剤の添加量は少ない方が好ましい。
【００８４】また、表５および表７から分かるように、
本実施例のサンプル＃３１〜＃３４は、電圧を切った時
に、時間が経つに従ってスプレイ配向に戻るが、比較サ
ンプル＃４０１および＃４０２は、１８０°ツイスト配
向が保持されたままでスプレイ配向に戻らない。従っ
て、液晶層がベンド配向からスプレイ配向に戻る時間を
長くするには、カイラル剤の添加量が多い（ｄ／ｐが大
きい）方が、好ましいことが分かる。
【００８５】以上説明したように、電圧印加時（表４お
よび表６）と、電圧を切ったとき（表５および表７）と
における結果を比較考量することにより、カイラル剤の
添加量の好適な範囲は、０≦ｄ／ｐ＜０．５０を満たす
範囲であるという結論に至った。
【００８６】（実施の形態２）本発明の実施形態２の液
晶表示装置は、Ｖｃｒ以上の電圧印加時にベンド配向に
連続的に繋がり得るＴＮ配向が、第２液晶領域の全領域
にわたってトラップされている。本明細書でＴＮ配向
は、ツイスト角が３０°以上１５０°以下、より好まし
くは、７０°以上１１０°以下の範囲にあるツイスト配
向をいう。以下の説明では、ツイスト角が９０°の場合
を例示する。
【００８７】実施形態２の液晶表示装置は、上記第２液
晶領域の全領域が、液晶表示装置の実駆動時（Ｖｃｒ以
上の電圧印加時）に第１液晶領域がスプレイ−ベンド配
向転移するための転移核となる。従って、実施形態１の
液晶表示装置よりも、さらに確実かつ高速に、第１液晶
領域のスプレイ―ベンド転移を実現できる。
【００８８】上記第２液晶領域の形成には、例えば、第
１液晶領域のほぼ全体をベンド配向させた後、ベンド配
向からπツイスト配向を経て、スプレイ配向させる、配
向リフレッシュ工程を用いることができる。この配向リ
フレッシュ工程は、例えば、液晶層にＶｃｒの２倍以上
高い電圧を所定の時間印加することによって行われる。
【００８９】あるいは、液晶材料に所定量のカイラル剤
を添加することによっても、上記第２液晶領域を形成で
きる。
【００９０】以下、図面を参照して、実施形態２の液晶
表示装置を具体的に説明する。
【００９１】［配向リフレッシュ処理］まず、配向リフ
レッシュ工程を用いて、上記第２液晶領域を形成する場
合を説明する。
【００９２】実施形態２の液晶表示装置４０および、液
晶表示装置４０が備える液晶素子３０の構造は、それぞ
れ、図２（ａ）に示した実施の形態１の液晶表示装置４
０および、液晶表示装置４０が備える液晶素子３０の構
造と同様であるので、その説明を省略する。なお、以下
では、簡単のために液晶素子３０の１画素について説明
する。
【００９３】図１０は、実施形態２の液晶表示装置４０
が備える液晶素子３０の１画素を、基板法線方向から見
た時の平面図である。
【００９４】図１０に示すように液晶素子３０は、液晶
層２７が、第１液晶領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓと
を有している。第２液晶領域２７Ｓは、例えば、画素内
の外縁部に存在し、かつ、画素を２分するように画素の
中央付近を横断するストライプ形状を有している。これ
により、周囲を第２液晶領域２７Ｓで包囲された２つの
第１液晶領域２７Ｆが、１画素内に形成される。なお、
第２液晶領域２７Ｓは、画素外に存在してもよい。
【００９５】液晶層２７は、液晶層２７に接して設けら
れた配向膜２３および２６の表面の配向規制力によって
配向が規制されている。図１０の場合、配向膜２３およ
び２６は、例えばラビングによって、液晶分子のプレチ
ルト方向およびプレチルト角を規定している。
【００９６】下側基板２４の配向膜２６の第１配向膜領
域２６Ｆのラビング方向（第１方向）１７は、配向膜２
６付近の第１液晶領域２７Ｆのプレチルト方向と平行で
あり、配向膜２６の第２配向膜領域２６Ｓのラビング方
向（第２方向）１９は、配向膜２６付近の第２液晶領域
２７Ｓのプレチルト方向と平行である。図１０に示すよ
うに液晶素子３０では、下側基板２４の配向膜２６付近
において、第１液晶領域２７Ｆのプレチルト方向と、第
２液晶領域２７Ｓのプレチルト方向とは、互いに直交し
ている。
【００９７】上側基板の配向膜２３は、そのほぼ全面
が、下側基板の配向膜２６の第１配向膜領域２６Ｆのラ
ビング方向１７（第１方向）に対して平行にラビングさ
れている。この上側基板の配向膜２３のラビング方向
を、図１０では参照番号１８で示している。
【００９８】第１液晶領域２７Ｆは電圧無印加時にスプ
レイ配向を呈し、第２液晶領域２７Ｓは電圧無印加時に
ＴＮ配向（９０°ツイスト配向）を呈する。スプレイ−
ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧を印加すると、第
１液晶領域２７Ｆはベンド配向を呈し、このベンド配向
状態の第１液晶領域２７Ｆを用いて、液晶表示装置１７
の表示が行なわれる。
【００９９】実施形態１で説明したように、第２液晶領
域２７Ｓは、スプレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上
の電圧が印加された際に、第１液晶領域２７Ｆのスプレ
イ―ベンド転移の核となる。
【０１００】以下、図１１、図１２、および図１３を参
照して、配向リフレッシュ工程を詳細に説明する。図１
１、図１２、および図１３はいずれも、液晶層２７の配
向状態を示す図である。図１１および図１２は、液晶表
示装置の実駆動前に行う配向リフレッシュ工程における
液晶層の配向状態を示し、図１３は、配向リフレッシュ
工程を行った後の実駆動時における液晶層の配向状態を
示している。図１１、図１２、および図１３の各図にお
いて、ディスクリネーションラインを太線で示す。但
し、画素の外延も同じ太線で示している。ここでは、液
晶材料にカイラル剤を添加していない場合を例示する
が、後述するように、カイラル剤の種類（旋回方向）お
よび添加量を調整することによって、ディスクリネーシ
ョンラインで包囲された領域のＴＮ配向を安定化でき
る。
【０１０１】図１１および図１２に示す配向リフレッシ
ュ工程は、液晶表示装置の実駆動前に最低一回施され
る。
【０１０２】対向する電極基板５および６の間に液晶材
料を注入すると、図１１（ａ）に示すように、液晶層２
７は、第１液晶領域２７Ｆがスプレイ配向を呈し、第２
液晶領域２７Ｓが９０°ツイスト配向（ＴＮ配向）を呈
する。ＴＮ配向を呈する第２液晶領域２７Ｓには、複数
のディスクリネーションラインが形成される。
【０１０３】図１１（ａ）に示した液晶層２７に、高電
圧を印加する。印加電圧は、Ｖｃｒの２倍以上高い電圧
であることが好ましい。液晶材料のＶｃｒは実測で２．
３Ｖであるため、本実施形態では例えば８Ｖとした。電
圧が印加されると、図１１（ｂ）に示すように、第２液
晶領域２７Ｓ内で、ディスクリネーションラインに包囲
されたＴＮ配向領域が転移核となり、この転移核に近接
する第１液晶領域２７Ｆが、ベンド配向に変形する。こ
のベンド配向への変形に伴って、ディスクリネーション
ラインが、第１液晶領域２７Ｆ内部に移動する。
【０１０４】以下、図１１（ｄ）、および図３６
（ａ）、（ｂ）を参照して、図１１（ａ）および（ｂ）
における液晶層の配向状態を詳細に説明する。図１１
（ｄ）は、図１１（ａ）の破線で囲まれた領域１１Ａの
部分拡大図である。
【０１０５】図１１（ａ）に示す電圧無印加時では、第
２液晶領域２７Ｓは全面がＴＮ配向を呈しているが、そ
の中に２種類の異なる配向状態が存在している。一方
は、図１１（ａ）および（ｄ）にで示すように、ディ
スクリネーションラインで周囲が包囲された領域に存在
する配向状態であり、他方は、とディスクリネーショ
ンラインを介して隣接する、で示す領域に存在する配
向状態である。
【０１０６】ＴＮ配向領域である第２液晶領域２７Ｓで
は、両基板界面付近の液晶分子の配向方向は、図１１
（ｄ）に示すラビング方向１８（上側基板２１のラビン
グ方向）および１９（下側基板２４のラビング方向）に
よって規制されている。従って、第２液晶領域２７Ｓの
液晶配向状態には、左回り９０°ツイストおよび右回り
９０°ツイストが存在する。偏光顕微鏡観察の結果よ
り、領域は左回り９０°ツイスト配向であり、領域
は右回り９０°ツイスト配向であることを確認した。な
お、図１１（ｄ）の領域および領域にそれぞれ、下
側基板の配向膜２６近傍の液晶分子６８ａおよび上側基
板の配向膜２３近傍の液晶分子６８ｂを模式的に示す。
領域では、上側基板から下側基板に向かって、液晶分
子が左回りに９０°ツイストしている状態を示してお
り、領域では、上側基板から下側基板に向かって、液
晶分子が右回りに９０°ツイストしている状態を示して
いる。
【０１０７】上記では、領域およびのツイストの方
向の違いを説明したが、実際には、チルト角の違いも存
在する。次に、図３６（ａ）および（ｂ）を参照して、
チルト角を説明する。図３６（ａ）および（ｂ）はそれ
ぞれ、領域およびの液晶分子の配向状態を模式的に
示す図である。これらの図では、液晶分子のツイストを
ほどいて、チルト状態のみに注目して２次元平面上に示
している。
【０１０８】領域の液晶分子は図３６（ａ）に示すよ
うに、上基板から下基板にかけてチルト方向が一様なチ
ルト（ユニフォームチルト）状態にある。ユニフォーム
チルト状態とは、図３６（ａ）に示すように、片側基板
（例えば上側基板）界面の液晶分子の頭５３ａがセル内
部に向いているとすると、反対側基板（例えば下側基
板）界面の液晶分子の頭５４ａが基板面に接触するよう
な配向状態のことをいう。
【０１０９】一方、領域の液晶分子は図３６（ｂ）に
示すように、液晶層の中央部にスプレイ歪みが集中した
チルト（スプレイチルト）状態にある。スプレイチルト
状態とは、図３６（ｂ）に示すように、片側基板（例え
ば上側基板）界面の液晶分子の頭５３ｂがセル内部に向
いているとすると、反対側基板（例えば下側基板）界面
の液晶分子の頭５４ｂもセル内部に向いているような配
向状態をいう。つまり、液晶層の中央付近の液晶分子
に、スプレイ歪みが集中しているような配向状態であ
る。
【０１１０】ユニフォームチルト状態にある液晶分子
と、スプレイチルト状態にある液晶分子とを、連続的な
変形（ベンド、ツイスト、スプレイ）によって同じもの
とすることは不可能である。従って領域ととは、明
確なディスクリネーションで隔てられる。
【０１１１】πツイスト配向やベンド配向は、捩れをほ
どいてチルト状態のみに着目すると、上述した領域と
同様のユニフォームチルト状態であり、これらは位相幾
何学的（トポロジー的）に同類である。従って、領域
は、πツイストまたはベンド配向に連続的に（滑らか
に）変形可能であるため、領域は、ベンド転移核とし
て作用する。これに対して、領域は、スプレイチルト
状態であり、これがπツイスト、またはベンドに変形す
るには、ディスクリネーション等の配向不連続点を形成
する過程を経なければならない。従って、領域は、ベ
ンド転移核にはなり得ない。
【０１１２】以上説明したように、図１１（ａ）では、
第２液晶領域２７Ｓ内の一部に存在する領域がベンド
転移核として作用する。従って、電圧が印加されると、
図１１（ｂ）に示したように、第２液晶領域２７Ｓ内の
一部の領域が転移核となり、第１液晶領域２７Ｆがベ
ンド配向に変形していく。
【０１１３】所定の時間が経過すると、図１１（ｃ）に
示すように、第１液晶領域２７Ｆは完全にベンド配向に
変形する。第１液晶領域２７Ｆが完全にベンド配向に変
形した後、電圧印加を止める。
【０１１４】電圧印加を止めた後、数十〜百数十ｍｓｅ
ｃの時間を経ると、図１２（ａ）に示すように、第１液
晶領域２７Ｆのほぼ全体が、πツイスト配向に変形す
る。
【０１１５】この後さらに時間が経過すると、図１２
（ｂ）に示すように、πツイスト配向を呈していた第１
液晶領域２７Ｆの一部からスプレイ配向領域が発生す
る。このスプレイ配向領域は、ディスクリネーションを
伴って、πツイスト配向を呈していた第１液晶領域２７
Ｆ内に拡がり、πツイスト配向領域は、第１液晶領域２
７Ｆ内で徐々に縮小していく。
【０１１６】電圧印加をやめて十分な時間が経過する
と、図１２（ｃ）に示すように、第１液晶領域２７Ｆ内
を第２液晶領域２７Ｓに向かって移動するディスクリネ
ーションラインが、第１液晶領域２７Ｆと第２液晶領域
２７Ｓとの境界で停止する。第１液晶領域２７Ｆは、ほ
ぼ全体がスプレイ配向を呈しており、第１液晶領域２７
Ｆからπツイスト配向領域が消滅している。このとき、
πツイスト配向は、第２液晶領域２７Ｓ内の全領域にわ
たって、電圧印加時（特にＶｃｒ以上の電圧印加時）に
ベンド配向へ連続的に繋がり得るＴＮ配向（９０°ツイ
スト配向）としてトラップされる。第２液晶領域２７Ｓ
の全領域は、図１１（ｄ）の領域と同様に、ツイスト
方向が左回り９０°であり、ユニフォームチルト状態
（図３６（ａ））である。従って、第２液晶領域２７Ｓ
の全領域が、ベンド転移核となる。
【０１１７】上記の説明で、「トラップ」とは、「閉じ
込めて保持させる」ということを意味し、「πツイスト
配向を、第２液晶領域２７Ｓ内の全領域にわたって、電
圧印加時（特にＶｃｒ以上の電圧印加時）にベンド配向
へ連続的に繋がり得るＴＮ配向（９０°ツイスト配向）
としてトラップする」とは、πツイスト配向と連続的に
（滑らかに）繋がり得るツイスト配向を、ＴＮ配向領域
（第２液晶領域２７Ｓ）の全領域に、９０°ツイスト配
向として閉じ込め、尚かつ、その位置に保持させること
を意味する。また、上記の説明で、「連続的に繋がり得
る」とは、ＴＮ配向領域が、πツイスト配向領域と、デ
ィスクリネーションライン等の配向不連続点を介するこ
となく接し得ることを示す。
【０１１８】図１２（ｂ）に示したように、電圧ＯＦＦ
状態において、第１液晶領域２７Ｆ（パラレルラビング
領域、すなわち上側基板２１の配向膜２３のラビング方
向と下側基板２４の配向膜２６のラビング方向とが平行
である、）では、πツイスト配向よりもスプレイ配向の
方がエネルギー的に安定であるため、πツイスト配向領
域は、スプレイ配向領域の拡大に伴って縮小する。この
とき、液晶層の中にＴＮ領域が存在していなければ、π
ツイスト配向（あるいはそれと連続的に繋がり得るツイ
スト配向）領域は、スプレイ配向領域の拡大に伴って縮
小し、最終的に消滅する。しかし、本実施形態のように
液晶層内にＴＮ配向領域（第２液晶領域２７Ｓ）を設け
ておくことで、図１２（ｃ）に示すように、πツイスト
配向（あるいはそれと連続的に繋がり得るツイスト配
向）が、このＴＮ配向領域に吸収される。これにより、
このπツイスト配向は、最終的に消滅することなく、π
ツイスト配向に連続的に繋がり得る９０°ツイスト配向
としてＴＮ配向領域２７Ｓに閉じ込められ、尚かつ、そ
の位置に保持されることになる。
【０１１９】以上説明した配向リフレッシュ処理を行っ
た後、表示を行うためにＶｃｒ以上の電圧を印加する
と、配向リフレッシュ処理を行わずにＶｃｒ以上の電圧
を印加した場合に比べて、第２液晶領域２７Ｓがより効
果的な転移核となり、第１液晶領域２７Ｆがより高速か
つ確実にスプレイ−ベンド転移する。以下、図１３
（ａ）〜（ｃ）を参照して、表示を行うためにＶｃｒ以
上の電圧を印加した後の液晶層２７の配向状態の変化を
説明する。
【０１２０】上述した配向リフレッシュ処理を施した液
晶層（図１３（ａ））２７にＶｃｒ以上の電圧を印加す
ると、図１３（ｂ）に示すように、ＴＮ配向を呈してい
る第２液晶領域２７Ｓの全領域が転移核となって、第１
液晶領域２７Ｆがスプレイ−ベンド転移する。このスプ
レイ−ベンド転移は、第２液晶領域２７Ｓの全領域が転
移核となるので、配向リフレッシュ処理を行わないで実
駆動用の電圧を印加した場合に比べて、高速かつ、確実
に起こる。このスプレイ−ベンド転移に伴って、第１液
晶領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓとの境界に存在して
いたディスクリネーションラインが、第１液晶領域２７
Ｆ内部に向かって移動する。電圧印加から所定の時間が
経過すると、図１３（ｃ）に示すように、第１液晶領域
２７Ｆのほぼ全体が、ベンド配向に転移する。
【０１２１】上記説明で、第２液晶領域２７Ｓが 、図
１１（ｂ）ではベンド配向、図１２（ｂ）ではπツイス
ト配向を呈すると説明したが、ベンド配向とπツイスト
配向とは基本的に同じ配向状態であり、印加電圧の大き
さに応じて、名称を変えている。すなわち、印加電圧が
０Ｖ〜Ｖｃｒ未満のときはπツイスト配向と称し、印加
電圧がＶｃｒ以上のときはベンド配向と称する。従っ
て、第２液晶領域２７ＳにトラップされているＴＮ配向
は、電圧無印加時（電圧ＯＦＦ時）には、「πツイスト
配向と連続的に繋がる」という表現になり、Ｖｃｒ以上
の電圧印加時には、「ベンド配向と連続的に繋がる」と
いう表現になる。
【０１２２】以下、図１０を参照して、配向膜２３及び
２６のラビングを説明する。
【０１２３】下側基板２４側の配向膜２６には、第１方
向（図１０の矢印１７方向）にラビングされた第１配向
膜領域２６Ｆと、第１方向とは異なる第２方向（矢印１
９方向）にラビングされた第２配向膜領域２６Ｓとが設
けられている。第２方向は図１０に示すように、第１方
向と角度９０°程度をなすように設定されている。
【０１２４】第２配向膜領域２６Ｓは、第２配向膜領域
２６Ｆの周囲全体を包囲するように形成されていること
が好ましい。例えば第２配向膜領域２６Ｓは、図１０に
示すように、１画素に、面積のほぼ等しい２つの分離し
た第２配向膜領域２６Ｆを形成し、かつ、この２つの第
２配向膜領域２６Ｆを包囲するように設けられる。第２
配向膜領域２６Ｓが図１０に示す形状である場合、例え
ば第２配向膜領域２６Ｓが図１に示す形状である場合比
べて、第１配向膜領域をベンド化するのに要する時間を
さらに短縮することができる。
【０１２５】また、例えばプロセス上、第１配向膜領域
２６Ｆを第２配向膜領域２６Ｓで囲むように形成するこ
とが困難な場合は、第２配向膜領域２６Ｆの一方の辺に
沿って、第２配向膜領域２６Ｓを形成してもよい。例え
ば図１４（ａ）に示すように、第２配向膜領域２６Ｓは
ストライプ形状を有し、画素の２つの短辺付近と、画素
の中央付近との３箇所に設けられる。
【０１２６】あるいは第２配向膜領域２６Ｓをポイント
状に設けても良い。図１４（ｂ）に示すように、第２配
向膜領域２６Ｓは例えば、正方形状を有し、画素の中央
付近と、画素の２つの短辺のそれぞれの中央付近との３
箇所に設けられる。各配向膜領域が図１４に示す形状を
有している場合でも、第１配向膜領域をベンド化するの
に要する時間を短縮することができる。なお、第２配向
膜領域２６Ｓの形状等は、上述したものに限定されるも
のではなく、パネルの設計に合わせて適時決定される。
【０１２７】実施形態１で説明したように、１画素（例
えば８０μｍ×２４０μｍ）に占める第２配向膜領域２
６Ｓの幅ｗは、５μｍ〜６０μｍの範囲にあることが好
ましい。また、第２配向膜領域２６Ｓの面積は、１画素
の面積を１とすると、１／４８〜１／４程度であること
が好ましい。第２配向膜領域２６Ｓのサイズが上記範囲
にある場合、配向リフレッシュ処理によって、第２液晶
領域２７Ｓの全面に１８０°ツイスト配向を９０°ツイ
スト配向として効率的にトラップさせることができるの
で、第２液晶領域２７Ｓを効果的な転移核として作用さ
せることができる。
【０１２８】次に、配向膜２３及び２６の作製方法を説
明する。なお、以下の説明では、第１配向膜領域２６Ｆ
および第２配向膜領域２６Ｓが、図１０に示したように
配置された配向膜に限らず、各配向膜領域が様々な形状
を有する配向膜の作製方法を説明する。なお本実施形態
２の配向膜は、実施形態１で説明した方法によっても作
製可能であり、実施形態１の配向膜は、以下に説明する
方法によっても作製可能である。
【０１２９】まず、上側基板２１の透明電極２２上に配
向膜２３を形成し、下側基板２４の透明電極２５上に配
向膜２６を形成する。配向膜２３および２６には、例え
ばポリイミド膜を用いる。この配向膜２３及び２６のほ
ぼ全面を、第１の方向（矢印１８および１７の方向）に
ラビングする。
【０１３０】配向膜２６にはさらに、マスクを用いたラ
ビング処理を施す。以下、図１５（ａ）〜（ｃ）を参照
して、配向膜２６のラビング処理を説明する。なお、な
お、１５（ａ）〜（ｃ）に示すマスク６５は、一部の開
口部のみを図示している。開口部の１つが１画素に対応
していてもよいし、複数の開口部が１画素に対応してい
てもよい。
【０１３１】まず、配向膜２６の上に、物理的なスリッ
ト（空間）の空いたプラスチック製のマスク６５を載せ
る。この物理的なマスクは、プラスチック製に限定され
るものではなく、金属製であっても、ガラス基板であっ
てもよい。またスリットの形状等は、所望とする第２配
向膜領域２６Ｓの形状等に対応して適宜決定される。所
望とする第２配向膜領域２６Ｓの形状に対応して、スリ
ットは、図１５（ａ）に示すような平行な複数のストラ
イプ状、図１５（ｂ）に示すようなマトリクス状に配置
されたポイント状、あるいは図１５（ｃ）に示すような
マトリクス状に配置された四角形状であってもよい。図
示する以外にも、様々な形状の微細なスリットを有する
マスクを使用することができる。マスクの厚さは例え
ば、約５０μｍである。
【０１３２】配向膜２６の上にプラスチック製マスク２
４を載せて固定したうえで、スリット部分に対応する配
向膜の領域を露出させて、第１の方向と角度９０°をな
す第２の方向（矢印１９方向）にラビングする。これに
より、配向膜２６に、第１の方向にラビングされた第１
配向膜領域２６Ｆと、第１の方向と角度９０°をなす第
２の方向にラビングされた第２配向膜領域２６Ｓとが形
成される。
【０１３３】以上のようにして配向膜２３、２６が形成
される。
【０１３４】配向膜２６は例えば、以下に説明する方法
によっても形成可能である。なお、図１５（ｄ）に示す
配向膜２６は、１画素に対応していてもよいし、複数の
画素に対応していてもよい。
【０１３５】配向膜２６のほぼ全面を第１の方向（矢印
１７方向）にラビングした後、さらに図１５（ｄ）に示
すように、微細な周期性の凹凸形状を有するステンレス
製のローラー５５を用いて、配向膜２６の所定の領域を
選択的に矢印１９の方向（第２方向）にラビングする。
【０１３６】ローラーの材質は、ステンレス製に限ら
ず、プラスチック製やその他の材質であってもよい。図
１５（ｄ）に示すステンレス製ローラー５５は、微細な
複数の凹凸を有するように加工されている。例えば、凸
部の幅ｗは１０μｍ、凸部同士の間隔Δは１００μｍで
あり、凸部のそれ以外の部分に対する高さｈは３００μ
ｍである。なお、凸部の幅ｗ、凸部同士の間隔Δ、凸部
の高さｈは、上記の値に限られず、実際に作製する液晶
表示装置の画素設計、所望の第２配向膜領域の２６Ｓの
形状、生産プロセス上の良品率、または歩留まり等に応
じて適時決められる。
【０１３７】ステンレス製ローラー５５の凸部が配向膜
２６上に丁度接触するところから、凸部が配向膜２６に
約５０μｍ程度押し込まれる位置にローラー５５の回転
軸を固定する。このローラー５５を毎分５００回転（５
００ｒｐｍ）の回転数で回転させながら、ローラー５５
の下で、１．０ｃｍ／ｓの移動速度で配向膜２６を通過
させる。このような処理を施すと、配向膜２６上にステ
ンレス製ローラー５５の凸部が押し込まれた領域が選択
的に矢印１９の方向に削られて（ラビングされて）、第
２配向膜領域２６Ｓが形成される。
【０１３８】また、ステンレス製ローラー５５の隣接す
る凸部の間隙部分が通過した領域は、凸部の配向膜表面
への押し込み量が５０μｍで凸部の高さｈが３００μｍ
であるため、ローラーが接触せず、先に施しておいた矢
印１７の方向のラビングが保持され、この部分が画像表
示に用いる第１配向膜領域２６Ｆとなる。
【０１３９】以上のようにして配向膜２６が形成され
る。
【０１４０】あるいは、本実施形態の配向膜２６を、半
導体工程で用いられるフォトリソグラフィープロセスを
適用して作製してもよい。以下、フォトリソグラフィー
プロセスを用いたマスクラビングの一例を、図１６を参
照して説明する。なお、図１６に示すフォトマスク６０
は、一部の開口部のみを図示している。開口部の１つが
１画素に対応していてもよいし、複数の開口部が１画素
に対応していてもよい。
【０１４１】図１６（ａ）に示すように配向膜２６のほ
ぼ全面を第１の方向（矢印１７方向）にラビングした
後、図１６（ｂ）に示すように、配向膜２６の上にポジ
型のフォトレジスト２９を塗布する。プリベークした
後、図１６（ｃ）に示すように、フォトマスク６０を介
してＵＶ照射し、現像液に浸す。その後、ポストベーク
を行い、レジスト６１を定着させる。
【０１４２】上記工程によって、図１６（ｄ）に示すよ
うに、最終的に第２配向膜領域２６Ｓとなる所定の領域
を選択的に露出させて、第１の方向と角度９０°をなす
第２の方向（矢印１９方向）にラビングし、レジスト６
１を剥離する。以上により、配向膜２６に、第１の方向
にラビングされた第１配向膜領域２６Ｆと、第１の方向
と角度９０°をなす第２の方向にラビングされた第２配
向膜領域２６Ｓとが形成される。以上のようにして配向
膜２６が形成される。
【０１４３】配向膜２３及び２６は、光配向膜であって
もよい。以下に光配向膜の形成方法の一例を図１７〜図
２０を参照して説明する。なお、図１７に示すフォトマ
スク６２は一部の開口部のみを図示している。開口部１
つが１画素に対応していてもよいし、複数の開口部が１
画素に対応していてもよい。
【０１４４】まず、上側基板２１の透明電極２２、およ
び下側基板２４の透明電極２５上のそれぞれに、ポリビ
ニルシンナメート（ＰＶＣｉ）からなる配向膜２３、お
よび２６を形成する。続いて、配向膜２３については、
全面に、非偏光ＵＶを照射する。一方、配向膜２６につ
いては図１７に示すように、最終的に第１配向膜領域と
なる領域が選択的に光照射されるように、フォトマスク
６２を介して非偏光のＵＶを照射する。
【０１４５】フォトマスク６２としては、図１７に示す
ように、マトリクス状に複数の正方形の開口部が設けら
れたものを用いたが、開口部の形状などは、所望とする
第２配向膜領域２６Ｓの形状などによって適宜決定され
る。ＵＶ照射量は、例えば２５４ｎｍの波長において６
０Ｊ／ｃｍ2とした。
【０１４６】上記のように光照射を行った後、配向膜２
３及び２６の全面にラビング処理を施す。
【０１４７】得られた配向膜２３及び２６を用いて液晶
表示素子を作製すると、第１液晶領域２７Ｆは、ラビン
グ方向に沿って一軸配向し、第２液晶領域２７Ｓは、Ｔ
Ｎ配向（９０°ツイスト配向）する。また、第１液晶領
域２７Ｆの配向膜２６付近のプレチルト方向と、第２液
晶領域２７Ｓの配向膜２６付近のプレチルト方向とは、
ほぼ９０°をなす。
【０１４８】以下、図１８〜図２０を参照しながら、各
液晶領域２７Ｆ、２７Ｓが上記のように配向する理由を
説明する。
【０１４９】図１８および図１９（ａ）に示すように、
ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）膜は、主鎖部とそ
れに直交する側鎖部からなる。これに偏光ＵＶを照射し
た場合、図１８に示すように、側鎖部と偏光方向が一致
した方向で選択的に光二量化反応が進むことが知られて
いる。その結果、液晶分子は、偏光ＵＶ方向と直交する
方向、即ち、主鎖と平行な方向に配向する。
【０１５０】一方、非偏光ＵＶを照射すると、図１９
（ｂ）の左図に示すように、全方位で光二量化反応が進
行する。この全方位で光二量化反応が進行した配向膜に
ラビング処理を施すと、図１９（ｃ）の左図に示すよう
に、ＰＶＣｉの主鎖がラビング方向に整列するので、結
果として、液晶分子がラビング方向に配向することとな
る。
【０１５１】これに対して、図１９（ｂ）の右図に示す
ように配向膜にＵＶを照射しないでラビング処理を施す
と、図１９（ｃ）の右図に示すように、ＰＶＣｉの主鎖
はラビング方向に整列するが、側鎖は未反応であり、結
果として液晶分子はラビング方向と直交する方向に配向
することになる。
【０１５２】以上を考慮して、図１７を参照して説明し
た方法を用いて配向膜２６を光照射し、図２０に示すよ
うに、第１配向膜領域２６Ｆと第２配向膜領域２６Ｓと
を有する配向膜２６を形成する。以上のようにして光配
向膜２３、２６が形成される。
【０１５３】以上説明したように、様々な方法を用いて
配向膜２３、２６が形成可能である。
【０１５４】本実施形態の液晶素子の液晶層２７に、カ
イラル剤を添加すると、第２液晶領域２７Ｓを、より確
実に電圧印加時にベンド配向への配向転移核として作用
させることができる。
【０１５５】カイラル剤の添加量は例えば実施例１で説
明したように、また、後述する実施例３で説明するよう
に、液晶層の厚さをｄとし、カイラル剤を添加した液晶
層のナチュラルカイラルピッチをｐとした場合、これら
の比ｄ／ｐが、０≦ｄ／ｐ＜０．５０の範囲内に設定さ
れることが好ましい。
【０１５６】カイラル剤の添加量を上記の範囲内に少な
く抑えているため、液晶表示装置を実際に駆動させて白
表示させた時に、透過率の低下や視野角特性の非対称性
を抑制することができる。
【０１５７】より好ましくはカイラル剤の添加量を、０
＜ｄ／ｐ≦０．１５の範囲内に設定しておくと、液晶表
示装置を実際に駆動させて白表示させた時に、カイラル
剤なしの液晶サンプルと比べて透過率の低下をほとんど
ないものとすることができる。つまり本実施形態によれ
ば、従来の手法では解決し得なかったベンド転移の確実
化と光学特性の維持という相容れない２条件を満足する
ことができる。
【０１５８】以上の説明では、第２液晶領域２７Ｓのプ
レチルト方向１９と、第１液晶領域２７Ｆのプレチルト
方向１７とのなす角Ψがほぼ９０°であるとしていた
が、角Ψは９０°に限られない。Ψが、７０°≦Ψ≦１
１０°の範囲にあれば、実駆動前に配向リフレッシュ処
理を施すことにより、第２液晶領域の全面に発生したπ
ツイスト配向を、ＴＮ配向として効率的にトラップさせ
ることが可能となる。
【０１５９】次に、本実施形態のように配向リフレッシ
ュ処理を施すことによって、ベンド転移が容易になる理
由を、ギブスのフリーエネルギーを用いて説明する。始
めに、配向リフレッシュ処理を施した際の液晶分子の配
向変化（図１３および図１４に対応）を説明する。
【０１６０】ここで計算に用いたセルパラメーターは、
セル厚ｄが６μｍ、液晶材のカイラルピッチｐが４０μ
ｍである。また、図２１に示すように、１画素内に第１
液晶領域２７Ｆ及び第２液晶領域２７Ｓが配置され、配
向膜２６側における第１液晶領域２７Ｆのプレチルト方
向（第１方向１７）と第２液晶領域２７Ｓのプレチルト
方向（第２方向１９）とが、互いに直交している場合を
考える。また、液晶層には、左回りカイラル剤のコレス
テリルノナノエート（ＣＮ）が添加されているとする。
【０１６１】配向リフレッシュ処理によって、第１また
は第２液晶領域内に発生する液晶配向は、左回りπツイ
スト、左回りπ／２ツイスト、スプレイの３状態であ
る。この３つの配向状態における電圧無印加時のギブス
のフリーエネルギーを理論計算した結果を次の表８に示
す。
【０１６２】
【表８】
【０１６３】図２２に、リフレッシュ処理によって液晶
層２７に発現する各配向状態を模式的に示す。時刻Ｔ＝
ｔ1はリフレッシュ処理のための高電圧印加を止めて、
暫く時間が経過した後を示し、時刻Ｔ＝ｔ2は、ｔ1より
もさらに時間が経過して、スプレイ配向とπツイスト配
向とを隔てるディスクリネーションラインが、第１液晶
領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓとの間の境界線に到達
した時刻を示す。
【０１６４】表８のギブスフリーエネルギー計算値を用
いて、時刻Ｔ＝ｔ1およびｔ2での各配向状態のエネルギ
ーの大小関係を模式的に示したのが図２３である。図２
３の縦軸は、ギブスフリーエネルギーの計算値を示し、
横軸は、図２２に示すように、液晶層２７にＸ軸をとっ
た場合における、第１液晶領域と第２液晶領域との境界
線からの距離（単位：任意）を示す。
【０１６５】時刻Ｔ＝ｔ1のとき、第１液晶領域（ｘ＞
０）２７Ｆ内には、画素周囲から発生した、よりエネル
ギーの低いスプレイ配向領域が形成されている。図２３
に示すように、このスプレイ配向領域の拡大により、エ
ネルギーのより高い左πツイスト配向領域が縮小してい
く。すなわち、スプレイ配向領域が、エネルギーのより
高い左πツイスト配向領域を侵食する。以下、ある配向
状態（Ａ）の領域に、他の配向状態（Ｂ）の領域が形成
され、その他の配向状態（Ｂ）の領域が拡大するに伴っ
て、配向状態（Ａ）の領域が徐々に縮小していく状態を
「侵食」と称する場合がある。スプレイ配向と左πツイ
スト配向とは、連続的に繋がり得ないので、図２３に示
すように両配向領域の間にはエネルギーギャップが存在
し、両配向領域の境界は、ディスクリネーションライン
として区別される。
【０１６６】スプレイ配向と左πツイスト配向とを隔て
るディスクリネーションラインは、第１液晶領域と第２
液晶領域との境界線（ｘ＝０）に向かって移動し、時刻
Ｔ＝ｔ2のときに、第１液晶領域と第２液晶領域との境
界線上で止まる。これは図２３に示すように、第２液晶
領域（ｘ≦０）の配向状態である左π／２ツイスト配向
の方が、スプレイ配向よりもエネルギー的に安定（エネ
ルギーが低い）であるため、スプレイ配向が、よりエネ
ルギーが低い第２液晶領域内に入りこめないからと言え
る。
【０１６７】以上により、配向リフレッシュ処理によ
り、左πツイスト配向に連続的に繋がる左π／２ツイス
ト配向を、第２液晶領域内（ｘ≦０）に完全にトラップ
できることがエネルギー計算上でも示された。
【０１６８】次に、上記配向リフレッシュ処理によっ
て、第１液晶領域２７Ｆを完全にベンド配向に変形した
後、スプレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧を
印加した際に、第２液晶領域内にトラップされていたＴ
Ｎ配向から、ベンド配向が第１液晶領域内に成長するこ
との説明を行なう。実験に用いた液晶材料のＶｃｒは実
測で２．３Ｖであったため、例えば３Ｖ印加時のエネル
ギー状態を計算する。
【０１６９】ここで第１液晶領域または第２液晶領域内
に発生し得る液晶配向は、ベンド、左π／２ツイスト、
およびスプレイの３状態である。これらの３状態のギブ
スフリーエネルギーを理論計算で見積もると、次の表９
のようになる。印加電圧は３Ｖとした。
【０１７０】
【表９】
【０１７１】３Ｖの電圧を印加して所定の時間経過後の
液晶層２７の配向状態を図２４に模式的に示す。表９の
計算結果を用いて、このときの各配向状態の大小関係を
図２５に示す。図２５の縦軸はギブスフリーエネルギー
の計算値を示し、横軸は、図２４に示すように液晶層に
ｘ軸を取った場合における、第１液晶領域２７Ｆと第２
液晶領域２７Ｓとの境界線からの距離（単位：任意）を
示す。
【０１７２】左π／２ツイスト配向とベンド配向とは連
続的に繋がり、３Ｖ印加時に、第１液晶領域（ｘ＞０）
において、左π／２ツイストから連続的に繋がるベンド
が第１液晶領域内のよりエネルギーの高いスプレイ配向
を侵食する。ベンドとスプレイとは連続的に繋がらない
ので、両者間はエネルギーギャップが存在し、ディスク
リネーションラインで隔てられる。
【０１７３】以上、スプレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃ
ｒ）以上の電圧を印加すると、第２液晶領域内にトラッ
プされていたＴＮ配向から、第１液晶領域のスプレイ配
向領域内にスムーズにベンドが成長できることがエネル
ギー計算上でも矛盾なく説明されることが示された。
【０１７４】以下、本発明の実施例３〜５を詳細に説明
する。
【０１７５】（実施例３）以上までの説明では、主とし
て、第２液晶領域２７Ｓのプレチルト方向１９と第１液
晶領域２７Ｆのプレチルト方向１７とのなす角Ψがほぼ
９０°であるとして話を進めてきたが、必ずしもこの角
度でなくともよい。なす角Ψとスプレイ−ベンド転移の
し方との相関を調べるべく、本実施例３では、下側基板
２４の配向膜２６の第２配向膜領域２６Ｓのラビング方
向を様々に変化させて複数の液晶表示装置を作製した。
【０１７６】具体的には、第２液晶領域２７Ｓのプレチ
ルト方向１９と第１液晶領域２７Ｆのプレチルト方向１
７とのなす角Ψを３０°以上１５０°以下の範囲で変化
させて、下記の表１０に示される５つの液晶表示装置
（サンプル＃１１〜＃１５）を作製した。尚、図２６に
示したように、第２液晶領域２７Ｓは、第２液晶領域２
７Ｓのラビング方向に伸びたストライプ形状を有してい
る。また、下側基板２４側の配向膜２６の第１配向膜領
域２６Ｆのラビング方向（矢印１７方向）と上側基板２
１側の配向膜２３のラビング方向（矢印１８方向）とは
互いに平行である。
【０１７７】さらに、比較のために、上記角度Ψが上述
した３０°≦Ψ≦１５０°の範囲外にある３つの液晶表
示装置（サンプル＃２０１〜＃２０３）、及び、第２配
向膜領域２６Ｓのような領域を全く設けなかった液晶表
示装置（サンプル＃２０４）も本実施例３のサンプルと
同様に作製した。尚、サンプル＃２０１は、第１配向膜
領域２６Ｆのラビング方向（矢印１９方向）と、第２配
向膜領域２６Ｓのラビング方向とは正反対方向である。
【０１７８】
【表１０】
【０１７９】上記サンプル＃１１〜＃１５、及び、比較
サンプル＃２０１〜＃２０４について、６Ｖ、１ｋＨｚ
の矩形波の電圧を印加した時の観察結果を表１１に示
す。また、電圧印加時の本実施例のサンプル＃１４及び
比較例のサンプル＃２０４の液晶層の観察結果をそれぞ
れ図２７及び図２８に模式的に示す。
【０１８０】
【表１１】
【０１８１】表１１及び図２７より、本実施例のサンプ
ル＃１１〜＃１５については、６Ｖ程度の電圧印加によ
って、第２液晶領域２７Ｓが、第１液晶領域２７Ｆを効
果的にスプレイ−ベンド配向転移させる核として作用
し、さらに、第１液晶領域２７Ｆで発生したベンド配向
領域が拡大していることが分かる。
【０１８２】これに対して、比較例のサンプル＃２０１
及び＃２０４の場合、液晶層全体の液晶配向は図２８に
示すようにスプレイ配向のままで、ベンド配向転移核が
形成されず、変化しない。また比較例のサンプル＃２０
２及び＃２０３のように、第１配向膜領域２６Ｆのラビ
ング方向と第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向とが近
くなると、第１液晶領域２７Ｆのプレチルト方向と、第
２液晶領域２７Ｓのプレチルト方向とが近くなるのでス
プレイ配向の歪集中部の液晶分子を充分な角度回転させ
ることができず、ベンド配向転移核としての作用は弱め
られる。
【０１８３】次に、上記サンプル＃１１〜＃１５、及
び、比較サンプル＃２０１〜＃２０４に、配向リフレッ
シュ処理を施した結果を説明する。この配向リフレッシ
ュ処理は実施形態２で説明したように、各サンプルの基
板間に液晶材料を注入した後、実駆動前に、所定の時
間、高電圧を印加することによって行われる。
【０１８４】高電圧印加をやめた後の目視観察結果につ
いて、表１２にまとめた。また、高電圧印加をやめて所
定の時間経過後の観察結果を模式的に図２９に示す。
【０１８５】
【表１２】
【０１８６】表１２、図２９より分かるように第２液晶
領域２７Ｓと第１液晶領域１７Ｆのプレチルト方向のな
す角Ψが７０°≦Ψ≦１１０°の範囲内にある本実施例
のサンプル（＃１２〜＃１４）では、配向リフレッシュ
処理を施すと、発生したπツイスト配向を第２領域の全
面にＴＮ配向としてトラップさせ、かつ、そこに保持す
ることが可能となる。従ってΨのより最適な角度範囲は
７０°≦Ψ≦１１０°であり、この範囲内に設定してお
けば、スプレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧
を印加するだけで、第２液晶領域内に予めトラップされ
ていたＴＮ配向からスムーズにベンド配向が成長し、よ
り一層高速かつ確実なベンド転移が実現することが分か
った。
【０１８７】（実施例４）本実施例４では、液晶層に添
加するカイラル剤の量を様々に変化させて、上述した実
施形態２と同様の液晶表示装置４０（図１０および図２
（ａ））を実施形態２と同様の方法で作製した。具体的
には、液晶素子３０の液晶層の厚さｄとカイラル剤を添
加した液晶層のナチュラルカイラルピッチｐとの比ｄ／
ｐが下記の表１３に示される８つの液晶表示装置（サン
プル＃２１〜＃２８）を作製した。本実施例４のサンプ
ルにおけるｄ／ｐの値は０以上０．５０未満の範囲内に
設定してある。
【０１８８】
【表１３】
【０１８９】本実施例４の液晶素子では、下側基板２４
の配向膜２６に図１０に示すように、第１配向膜領域２
６Ｆおよび第２配向膜領域２６Ｓが形成されている。ま
た、配向膜２６において、第２配向膜領域２６Ｓのラビ
ング方向と第１配向膜領域のラビング方向とのなす角度
Ψは９０°に設定されている。第２配向膜領域２６Ｓは
このラビング方向１９と平行に伸びたストライプ形状で
あり、５０μｍの幅を有している。また、基板２１、２
４及び配向膜２３、２６のサイズは縦２０ｍｍ×横１０
ｍｍである。
【０１９０】さらに比較のために、上記ｄ／ｐの値が上
記範囲以外の２つの液晶表示装置（サンプル＃３０１及
び＃３０２）も本実施例４のサンプルと同様の方法で作
製した。本実施例４のサンプル、比較サンプルともに液
晶素子のセル厚ｄは６μｍとした。
【０１９１】上記サンプル＃２１〜＃２８、及び、比較
サンプル＃３０１及び＃３０２について、６Ｖ、１ｋＨ
ｚの矩形波の電圧を印加し、偏光顕微鏡観察を行なっ
た。偏光顕微鏡のよる観察は、偏光子をクロスニコルに
配置し、ノーマリーホワイトの動作の下で行なった。こ
の観察結果を表１４に示す。
【０１９２】
【表１４】
【０１９３】さらに、本実施例のサンプル＃２１〜＃２
８、及び、比較サンプル＃３０１、＃３０２について６
Ｖ、１ｋＨｚの矩形波の電圧を印加した瞬間から液晶層
の全体がベンド配向に転移するまでにかかった時間を表
１５に示す。
【０１９４】
【表１５】
【０１９５】表１４及び表１５より、本実施例のサンプ
ル＃２１〜＃２８については、６Ｖ程度の電圧印加によ
って第２液晶領域２７Ｓが核となって、第１液晶領域２
７Ｆにベンド配向転移が効果的に進行していくが、ベン
ド配向領域の進行速度に違いがあることが分かる。具体
的には、カイラル剤の添加量が増えると、即ち、セル厚
ｄと液晶層のカイラルピッチｐとの比ｄ／ｐが大きくな
ると、ベンド配向領域の拡大速度は速くなることが分か
る。
【０１９６】これに対して比較サンプル＃３０１及び＃
３０２程度までカイラル剤を添加してしまうと電圧無印
加の初期状態から、液晶分子が配向膜２６から配向膜２
３方向に向かって液晶分子の長軸方向が１８０°捩れる
という、πツイスト配向を呈してしまう。電圧無印加の
初期状態から液晶層がπツイスト配向を呈する場合、電
圧を印加すると液晶層はπツイスト配向から連続的にベ
ンド配向に変形し、ベンドへの転移は不要となる。しか
し、このような液晶表示装置を実際に駆動すると、黒表
示時には問題ないが、白表示時に数〜数十ｍｓｅｃとい
う短時間のうちに液晶層がベンド配向からツイスト配向
に移行して透過率が大幅に低下してしまうという問題が
ある。従って、ベンド転移を容易にするためにはカイラ
ル剤の添加量は多い（ｄ／ｐは大きい）方が好ましい
が、実駆動における白表示時の透過率（パネル輝度）と
いう観点から考えるとカイラル剤の添加量は少ない方が
好ましい。
【０１９７】次に、上記サンプルに、配向リフレッシュ
処理を施した結果を説明する。この配向リフレッシュ処
理は実施形態２で説明したように、各サンプルの基板間
に液晶材料を注入した後、実駆動前に、所定の時間、高
電圧を印加することによって行われる。高電圧印加後、
充分時間が経過した後（１ヶ月程度）の第１及び第２液
晶領域の液晶配向状態を、偏光顕微鏡を用いて観察し
た。液晶配向状態の目視観察結果を表１６に示す。ま
た、観察結果の代表図面を図３０に示す。
【０１９８】なお、偏光顕微鏡による観察は、偏光子を
クロスニコルとし、第１液晶領域２７Ｆのパラレルラビ
ング方向と偏光子の軸とを合致させた消光位にて行なっ
た。尚、第２液晶領域２７ＳであるＴＮ部位の液晶分子
のツイスト方向が右回りか左回りかは、偏光顕微鏡の検
光子を固定した時に偏光子のみを時計回り或いは反時計
回りに回転させて、その時の色変化で判断した。
【０１９９】
【表１６】
【０２００】表１６および図３０から分かるように、配
向リフレッシュ処理により、本実施例４のサンプル＃２
１ではほぼ全面に、本実施例４のサンプル＃２２〜＃２
８では全面に、電圧印加時にベンド配向へ連続的に繋が
り得る左回りＴＮ配向を第２液晶領域２７Ｓ内にトラッ
プさせることが可能となる。このようにして第２液晶領
域２７Ｓ内にトラップされた左回りＴＮ配向は、スプレ
イ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）以上の電圧が印加される
と、図３１に示すように、ディスクリネーションライン
の移動を伴ってスムーズに第１液晶領域２７Ｆ内のスプ
レイ配向領域に侵食して、高速かつ確実なベンド転移が
実現する。
【０２０１】これに対して比較サンプル＃３０１及び＃
３０２程度までカイラル剤を添加してしまうと、配向リ
フレッシュ処理後に第１液晶領域２７Ｆはπツイスト配
向を呈したままで、スプレイ配向に戻らないことが分か
る。液晶層がπツイスト配向を呈する場合、電圧を印加
すると液晶層はπツイスト配向から連続的にベンド配向
に変形し、ベンドへの転移は不要となる。しかし、この
ような液晶表示装置を実際に駆動すると、黒表示時には
問題ないが、白表示時に数〜数十ｍｓｅｃという短時間
のうちに液晶層がベンド配向からツイスト配向に移行し
て透過率が大幅に低下してしまうという問題がある。従
って、ベンド転移を容易にするためにはカイラル剤の添
加量は多い（ｄ／ｐは大きい）方が好ましいが、実駆動
における白表示時の透過率（パネル輝度）という観点か
ら考えるとカイラル剤の添加量は少ない方が好ましい。
【０２０２】従って、第２液晶領域のスプレイ−ベンド
転移の配向転移核としての有効性、及び、リフレッシュ
処理後にベンド配向へ連続的に繋がり得るＴＮ配向の第
２液晶領域へのトラップ性と、透過率の劣化を勘案し第
１液晶領域は初期状態で少なくともスプレイ配向でなけ
ればならないという要請から、セル厚ｄとナチュラルカ
イラルピッチｐとの比ｄ／ｐは０≦ｄ／ｐ＜０．５０の
範囲が好ましいといえる。
【０２０３】上述のように、ベンド転移の容易性のみを
追求している限りでは、カイラル剤添加量は多ければ多
い方が望ましいが、カイラル剤を添加しすぎると光学特
性、即ち、白表示時の低電圧側での透過率の低下や視野
角特性の劣化、視野角特性の非対称性が発現して特性が
悪くなる。そこで次に、本実施例４のサンプル＃２１〜
＃２８及び比較サンプル＃３０１、＃３０２の電圧−透
過率特性を測定した。測定系は図３２に示したような系
で行った。
【０２０４】偏光顕微鏡をクロスニコルにし、第１液晶
領域のラビング方向が偏光子および検光子の透過軸と４
５°をなすように、液晶表示素子を偏光顕微鏡に配置し
た。第２液晶領域は、ブラックマトリクスで遮光した。
まずＶｃｒ以上の電圧を印加して、画像表示に用いる第
１液晶領域を完全にベンド化する。本測定では例えば６
Ｖの電圧印加時における第１液晶領域の透過率を黒表示
と定め、６Ｖ印加時の液晶素子の第１液晶領域の残留リ
ターデーションを補償するために、液晶層の遅相軸と直
交する方位に遅相軸が配置されるように位相差板を挿入
して、合計のリターデーションをゼロ、即ち、黒表示を
得た。
【０２０５】この黒表示の６Ｖから電圧を低下させた場
合の電圧−透過率特性をフォトマルチプライヤーで検出
し、グラフ化したものが図３３である。図３３より、カ
イラル剤の添加量によってｄ／ｐを異ならせた本実施例
４のサンプル＃２１〜＃２８のうち、特に＃２２〜＃２
６は、カイラル剤を添加していない液晶サンプル＃２１
と比べて、透過率の低下がほとんどなく、光学特性が維
持されていることが分かる。尚、本実施例の液晶材料の
スプレイ−ベンド臨界電圧Ｖｃｒは２．３Ｖであるた
め、駆動電圧マージンを考慮して、実駆動における駆動
電圧レンジは２．５Ｖから６．０Ｖの間とし、６．０Ｖ
で黒表示、２．５Ｖで白表示させるものとする。
【０２０６】本実施例４のサンプルと比較例のサンプル
の透過率比較を行なったものを図３４に改めて示す。透
過率の比較は、白表示電圧２．５Ｖにおけるカイラル剤
なしのサンプル＃２１の透過率を１００として、他のサ
ンプルの透過率を規格化することによって行なった。図
３４から明らかであるように、本実施例４のサンプル＃
２１〜＃２８のうち、特に＃２２〜＃２６は、ノンカイ
ラルのサンプル＃２１と比較して、透過率の低下が数％
以内に抑えられており、光学特性が維持されていること
が分かる。
【０２０７】以上より、より最適なｄ／ｐの範囲は、０
＜ｄ／ｐ≦０．１５であり、液晶材料に対するカイラル
剤の添加量が上記関係式を満たすように設定されている
場合、カイラル剤の添加による液晶表示素子の光学特性
の低下はわずかであり、実用上問題ない。
【０２０８】以上の説明では、配向リフレッシュ処理を
用いて、第２液晶領域の全領域にわたって、Ｖｃｒ以上
の電圧印加時にベンド配向に連続的に繋がり得る９０°
ツイスト配向をトラップしたが、液晶材料に添加するカ
イラル剤の種類（旋回方向）および添加量を調整するこ
とによって、配向リフレッシュ処理を行うことなしに、
上記第２液晶領域を形成することができる。以下、カイ
ラル剤の添加によって上記第２液晶領域を形成する方法
を説明する。
【０２０９】［カイラル剤の添加］図１０に示す液晶表
示素子３０において、左回り用のカイラル剤を所定量添
加することによって、配向リフレッシュ処理を行わなく
ても、第２液晶領域２７Ｓの全領域にわたって液晶分子
のツイスト方向を図３６（ａ）に示すようなユニフォー
ムチルト状態（スプレイひずみのないツイスト配向）と
することができる。配向リフレッシュ処理を行なうこと
なく、液晶材料にカイラル剤を添加して上記ユニフォー
ムチルト状態を得るには、ｄ／ｐが０．０７以上である
ようにカイラル剤の添加量を設定することが好ましい。
実施例４で説明したように、カイラル剤の添加量が多く
なると光学特性が低下するので、光学特性を重視する場
合には、カイラル剤の添加量は、ｄ／ｐが０．５未満、
より好ましくは０．１５以下であるように設定すること
が好ましい。
【０２１０】上述したように、所定の旋回方向のカイラ
ル剤を液晶材料に添加することによって、配向リフレッ
シュ処理を行うことなしに、液晶層の配向状態を図１２
（ｃ）に示したように、Ｖｃｒ以上の電圧印加時にベン
ド配向に連続的に繋がり得る９０°ツイスト配向が、第
２液晶領域２７Ｓの全領域にトラップされた液晶層を形
成することができる。従って、第２液晶領域２７Ｓの全
領域が転移核となって、第１液晶領域のスプレイ−ベン
ド配向転移がより確実かつ、高速に実現する。この液晶
層にさらに配向リフレッシュ処理を施してもよい。
【０２１１】（実施例５）本実施例５では、所定の旋回
方向のカイラル剤を液晶層に添加することによって、Ｖ
ｃｒ以上の電圧印加時にベンド配向に連続的に繋がり得
る９０°ツイスト配向が第２液晶領域の全領域にわたっ
てトラップされた液晶層を有する液晶表示装置を作製し
た。
【０２１２】図３５（ａ）に示すように、液晶層２７
が、２つの分離した第１液晶領域２７Ｆと、この２つの
第１液晶領域２７Ｆの周囲を包囲する第２液晶領域２７
Ｓとを有する実施例５の液晶表示装置（サンプル＃３
１）を作製した。下側基板の配向膜２６は、第１配向膜
領域２６Ｆが第１の方向１７にラビングされており、第
２配向膜領域２６Ｓは第１の方向１７にほぼ直交する第
２の方向１９ａにラビングされている。上側基板の配向
膜２３は、ほぼ全面が上記第１方向１７に平行な方向１
８にラビングされている。第１液晶領域２７Ｆおよび第
２液晶領域２７Ｓの配向状態は、配向膜２３および２６
のラビング方向によって規定されている。１画素のサイ
ズは８０μｍ×２４０μｍであり、第２液晶領域２７Ｓ
の幅ｗは１０μｍである。液晶層２７には、左回りカイ
ラル剤であるコレステリルノナノエート（ＣＮ）を添加
した。添加量は、液晶分子のピッチｐが４０μｍになる
ように調整した。
【０２１３】サンプル＃３１は、配向膜２６付近におい
て、第２液晶領域２７Ｓのプレチルト方向が左から右方
向（図３５（ａ）の矢印１９ａの方向）であり、かつ、
添加したカイラル剤が左回り（矢印６４ａの方向）であ
る。従って、第２液晶領域２７ＳのＴＮ配向は、ツイス
ト状態が左回りツイストであり、チルト状態が図３６
（ａ）に示すようなユニフォームチルト状態である。
【０２１４】さらに、比較のための液晶表示装置を作製
した。比較例の液晶表示装置（サンプル＃４０１）は、
配向膜２６の第２配向膜領域２６Ｓのラビング方向１９
ｂが、サンプル＃３１の第２配向膜領域２６Ｓのラビン
グ方向１９ａと逆向きである点で、サンプル＃３１と異
なる。比較例の液晶表示装置＃４０１は、配向膜２６付
近において、第２液晶領域２７Ｓのプレチルト方向が右
から左方向（図３５（ｂ）の矢印１９ｂの方向）であ
り、かつ、添加したカイラル剤が左回り（矢印６４ａの
方向）である。従って、第２液晶領域２７ＳのＴＮ配向
は、ツイスト状態が左回りツイストであり、チルト状態
が図３６（ｂ）に示すようなスプレイチルト状態であ
る。
【０２１５】ここで、液晶層の配向状態を示す表現の定
義を、表１７に示す。表１７では、各配向状態を呈する
液晶層の領域の発生場所（第１液晶領域か第２液晶領域
か）、ツイスト角度（何度捩れているか）、ツイスト方
向（上基板から下基板に向かって右回りに捩れているか
左回りに捩れているか）、および、チルト状態（ユニフ
ォームチルトかスプレイチルトか）を示す。
【０２１６】
【表１７】
【０２１７】サンプル＃３１およびサンプル＃４０１に
液晶材料を等方相で注入し、常温に戻した後の液晶層の
配向状態を、クロスニコル下で偏光顕微鏡を用いて観察
した。液晶注入後、電圧印加前の観察結果を図３７に示
す。図３７（ａ）および（ｂ）は、本実施例５サンプル
＃３１の観察結果であり、図３７（ｃ）および（ｄ）
は、比較サンプル＃４０１の観察結果である。図３７で
は、ディスクリネーションラインを太線で示す。但し、
画素の外延も同じ太線で示している。
【０２１８】本実施例５のサンプル＃３１では、液晶材
料を注入するだけで、図３７（ａ）に示すように第２液
晶領域２７Ｓ内の全面に、電圧印加時にベンド配向へ連
続的に繋がり得る、左回りのユニフォームチルト状態を
伴ったＴＮ配向が、トラップされる。この左回りのユニ
フォームチルト状態を伴ったＴＮ配向を呈する液晶領域
を、参照番号ＬＵ−９０で示している。
【０２１９】液晶層にスプレイ−ベンド臨界電圧Ｖｃｒ
以上の電圧を印加すると、図３７（ｂ）に示すように、
第１液晶領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓとの境界に形
成されていたディスクリネーションラインＤが、第１液
晶領域２７Ｆに向かってスムーズに移動するのに伴い、
第１液晶領域２７Ｆでベンド配向領域Ｂが拡大し、第１
液晶領域２７Ｆのスプレイ配向領域Ｓは縮小し、第１液
晶領域２７Ｆでスムーズにスプレイ−ベンド転移が実現
する。
【０２２０】一方、比較サンプル＃４０１の場合は、液
晶材料を注入すると、図３７（ｃ）に示すように第２液
晶領域２７Ｓが、左回りのスプレイチルト状態を伴った
ＴＮ配向を呈する。この左回りのスプレイチルト状態を
伴ったＴＮ配向を呈する液晶領域を、参照番号ＬＳ−９
０で示している。第２液晶領域２７Ｓが左回りのスプレ
イチルト状態を伴ったＴＮ配向になるのは、第２液晶領
域２７Ｓの下側基板のラビング方向が、図３５（ｂ）に
示す矢印１９ｂの方向に規定されており、下側基板の界
面付近の液晶分子のプレチルト方向が、このラビング方
向に拘束されるためである。この左回りのスプレイチル
ト状態のＴＮ配向はスプレイ配向と位相幾何学的（トポ
ロジー的）に同類であるため、第２液晶領域２７Ｓに形
成されている左回りのＴＮ配向を呈する液晶領域ＬＳ−
９０と、第１液晶領域２７Ｆに形成されているスプレイ
配向領域Ｓとの境界には、明確なディスクリネーション
ラインが観察されない。しかし、この左回りのスプレイ
チルト状態のＴＮ配向は、電圧印加時にベンド配向に連
続的に繋がらない。
【０２２１】その証拠に、スプレイ−ベンド臨界電圧Ｖ
ｃｒ以上の電圧を印加すると、図３７（ｄ）に示すよう
に、まず、第２液晶領域２７Ｓ内に、ディスクリネーシ
ョンラインＤで囲まれた、右回りのユニフォームチルト
状態を伴ったＴＮ配向領域ＲＵ−９０が発生する。続い
て、この右回りのユニフォームチルト状態を伴ったＴＮ
配向領域ＲＵ−９０を転移核として、ディスクリネーシ
ョンラインＤの移動を伴って、第１液晶領域２７Ｆ内に
ベンド配向領域Ｂが拡大していく。これに伴い、第１液
晶領域２７Ｆのスプレイ配向領域Ｓが侵食される。
【０２２２】従って、比較サンプル＃４０１では、電圧
印加後、まず、第２液晶領域２７Ｓ内にユニフォームチ
ルト状態のＴＮ配向領域ＲＵ−９０が発生し、これを転
移核として、第１液晶領域２７Ｆ内にベンド配向領域Ｂ
が拡大していくという二重のプロセスが必要となる。こ
の第２液晶領域２７Ｓ内の転移核発生プロセスは、従来
のスペーサや、突起、または配向膜表面の傷等からの転
移核発生プロセスと同様に、確実性がなく、再現性もな
い。つまり、比較サンプル＃４０１では、高速、かつ確
実なスプレイ−ベンド転移が実現されにくい。
【０２２３】以上説明したように、実施例５の液晶表示
装置は、電圧無印加状態で第２液晶領域２７Ｓの液晶分
子のツイスト方向がユニフォームチルト状態（スプレイ
ひずみのないツイスト配向）となるように、液晶材料に
添加するカイラル剤の種類（旋回方向）およびラビング
方向が設定されている。従って、Ｖｃｒ以上の電圧印加
時にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向が、第２
液晶領域２７Ｓの全面にトラップされる。結果として、
Ｖｃｒ以上の電圧印加時に、第１液晶領域２７Ｓのスプ
レイ−ベンド転移がより確実かつ高速に実現する。
【０２２４】本実施例５の液晶表示装置に配向リフレッ
シュ処理を施すと、さらに第２液晶領域２７Ｓのスプレ
イ−ベンド転移がより確実かつ高速に実現する。以下、
図３８を参照して、本実施例５の液晶表示装置に配向リ
フレッシュ処理を行った場合の液晶層の配向状態の変化
を、比較例の液晶表示装置に配向リフレッシュ処理を行
った場合の液晶層の配向状態の変化と対比しながら、説
明する。図３８は、配向リフレッシュ処理工程の液晶配
向状態を、クロスニコル下で偏光顕微鏡観察した結果を
示す。図３８（ａ）〜（ｄ）は、本実施例５のサンプル
＃３１の液晶配向状態の時系列変化を示し、図３８
（ｅ）〜（ｈ）は、比較サンプル＃４０１の液晶配向状
態の時系列変化を示す。図３８では、ディスクリネーシ
ョンラインを太線で示す。但し、画素の外延も同じ太線
で示している。
【０２２５】まず、両サンプルに、２Ｖｃｒ以上の電圧
を印加する。電圧印加により、サンプル＃３１は、図３
８（ａ）に示すように、第１液晶領域２７Ｆがベンド配
向領域Ｂとなり、第２液晶領域２７Ｓが左回りユニフォ
ームＴＮ配向領域ＬＵ−９０となる。比較サンプル＃４
０１は、図３８（ｅ）に示すように、第１液晶領域２７
Ｆがベンド配向領域Ｂとなり、第２液晶領域２７Ｓが右
回りユニフォームＴＮ配向領域ＲＵ−９０となる。
【０２２６】電圧印加をやめると、図３８（ｂ）および
（ｆ）に示すようにサンプル＃３１および＃４０１はい
ずれも、その直後（十数ｍｓｅｃ後）に、第１液晶領域
２７Ｆ内のベンド配向が、左回りのπツイスト配向に変
形し、第１液晶領域２７Ｆの全面が左回りのπツイスト
配向領域Ｌ−πになる。なお、上記のように、ベンド配
向から左回りのπツイスト配向に変形するのは、両サン
プルに、左回りカイラル剤コレステリルノナノエート
（ＣＮ）を添加した液晶材料を用いているためである。
【０２２７】この後、左回りのπツイスト配向領域Ｌ−
πである第１液晶領域２７Ｆが、より安定なスプレイ配
向に転移していく。この転移過程は、サンプル＃３１と
サンプル＃４０１とでは、第１液晶領域２７Ｆ内でスプ
レイ配向領域Ｓの拡がり方（左回りのπツイスト配向領
域Ｌ−πの侵食のされ方）が大きく異なる。
【０２２８】本実施例５のサンプル＃３１では、図３８
（ｃ）に示すように、例えば第１液晶領域２７Ｆの中央
付近のスペーサ等の周囲からスプレイ配向領域Ｓが発生
し、第１液晶領域２７Ｆにおいて、スプレイ配向領域Ｓ
が左回りπツイスト配向領域Ｌ−πを侵食していく。こ
れに伴い、左回りπツイスト配向領域Ｌ−πは縮小し、
第２液晶領域２７Ｓの方向に後退していく。
【０２２９】電圧印加をやめて所定の時間が経過すると
図３８（ｄ）に示すように、ディスクリネーションライ
ンＤが、第１液晶領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓとの
境界に到達して静止し、第１液晶領域２７Ｆの全面がス
プレイ領域Ｓとなる。このとき、第２液晶領域２７Ｓ内
の全面に、電圧印加時にベンド配向へ連続的に繋がり得
る左回りＴＮ配向がトラップされている。
【０２３０】ディスクリネーションラインＤが第１液晶
領域２７Ｆと第２液晶領域２７Ｓとの境界で静止し、第
２液晶領域２７Ｓの全領域に、Ｖｃｒ以上の電圧印加時
にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向がトラップ
された状態が維持されており、その結果、Ｖｃｒ以上の
電圧を印加すると、第２液晶領域２７Ｓ内の全領域にわ
たってベンド配向転移核が形成されているので、ベンド
配向領域が第１液晶領域２７Ｆのスプレイ配向領域内に
拡がっていく。これに伴って、第１液晶領域２７Ｆ内で
スプレイ配向領域が縮小していく。最終的に、第１液晶
領域２７Ｆの全領域がベンド配向領域Ｂになる。
【０２３１】上述したように本実施例５のサンプル＃３
１では、Ｖｃｒ以上の電圧を印加するだけで、第２液晶
領域２７Ｓ内にトラップされていたＴＮ配向からベンド
配向が容易に拡がる。結果として、第１液晶領域２７Ｆ
で、高速かつ確実なベンド転移が実現する。
【０２３２】一方、比較サンプル＃４０１では、配向リ
フレッシュ処理のための電圧が印加された後、図３８
（ｇ）に示すように、第１液晶領域２７Ｆの四隅付近か
ら、より安定なスプレイ配向領域Ｓが発生する。このス
プレイ配向領域Ｓは、第１液晶領域２７Ｆの中央付近に
向かって、左回りπツイスト配向領域Ｌ−πを侵食して
いく。このとき、左回りπツイスト配向領域Ｌ−πは侵
食されるのみであり、第２液晶領域２７ＳにＴＮ配向が
トラップされることはない。
【０２３３】なお、高電圧印加時に、液晶材料に添加し
たカイラル剤が左回りであるにもかかわらず、図３８
（ｇ）に示すように第２液晶領域２７Ｓが右回りＴＮ配
向を取るのは、高電圧を印加すると、スプレイ歪みが大
きくなり、不安定となるため、スプレイ歪のない右回り
ＴＮ配向を取るためである。従って高電圧ＯＦＦ直後に
は、右回りのユニフォームチルト状態のＴＮ配向を呈し
ていた第２液晶領域２７Ｓは、時間の経過と共に、左回
りカイラル剤の効果が支配的となり、より安定な左回り
のスプレイチルト状態のＴＮ配向に変形する。従って、
第２液晶領域内に、電圧印加時にベンド配向へ連続的に
繋がり得るＴＮ配向がトラップされることはない。
【０２３４】以上より、結論として、液晶層のカイラル
剤の自発的なツイスト方向（左回り或いは右回り）と第
２液晶領域の界面での液晶分子のプレチルト方向とをマ
ッチングさせて、第２液晶領域で、カイラル剤の自発的
ツイスト方向に液晶分子が旋回する、スプレイ歪のない
ユニフォームチルト状態を伴ったＴＮ配向が許容される
ように設定しておくと、液晶材料を注入しただけで、第
２液晶領域の全面に、電圧印加時にベンド配向へ連続的
に繋がり得るＴＮ配向をトラップさせることが可能とな
る。また、配向リフレッシュ処理を施せば、より確実
に、第２液晶領域の全面に、電圧印加時にベンド配向へ
連続的に繋がり得るＴＮ配向をトラップさせることが可
能となる。
【０２３５】上記のように第２液晶領域にＴＮ配向をト
ラップできれば、スプレイ−ベンド臨界電圧Ｖｃｒ以上
の電圧を印加するだけで、第１液晶領域内にスムーズに
ベンド配向領域が拡がり、高速かつ確実なベンド転移が
実現する。
【０２３６】
【発明の効果】上述したように本発明の液晶表示装置
は、液晶層が、配向膜の表面の配向規制力によって配向
が規制された液晶分子のプレチルト方向が第１方向であ
る第１液晶領域と、プレチルト方向が第１方向とは異な
る第２方向である第２液晶領域とを有し、第１領域の液
晶層のベンド配向を用いて表示を行なうことを特徴と
し、これにより、スプレイ−ベンド臨界電圧（Ｖｃｒ）
以上の電圧を液晶層に印加した時に、液晶層の第２領域
が、第１領域のスプレイ−ベンド転移の核となり、第１
領域において、高速かつ確実なベンド転移が可能とな
る。
【０２３７】また、第１液晶領域内に発生したπツイス
ト配向を、第２液晶領域の全領域にＴＮ配向としてトラ
ップさせることにより、より一層高速かつ確実なベンド
転移を実現できる。
【０２３８】さらに、本発明の液晶表示装置は、カイラ
ル添加量を少なく抑えることができるので、Ｖｃｒ付近
の低電圧側において、カイラル剤による旋光性の発現に
よる透過率の低下等の光学特性の低下を抑えることが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶素子の構成を模
式的に示す図であり、（ａ）は、液晶素子に用いられる
配向膜の平面図であり、（ｂ）および（ｃ）はそれぞ
れ、電圧無印加時および電圧印加時の液晶素子の断面図
であり、（ｄ）はプレチルト方向およびプレチルト角を
示す図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施形態である液晶表示装
置の断面図であり、（ｂ）は配向膜の平面図であり、
（ｃ）および（ｄ）は（ｂ）の配向膜の断面図であり、
（ｅ）は（ｄ）の光の照射方向と配向膜の高分子鎖との
関係を模式的に示す図である。
【図３】実施例１の液晶素子の液晶層を基板法線方向か
ら見た時の観察結果を模式的に示す図である。
【図４】比較例の液晶素子の液晶層を基板法線方向から
見た時の観察結果を模式的に示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）実施例１の液晶素子におけ
るベンド配向への転移のメカニズムを説明するための液
晶素子の断面図である。
【図６】比較例の液晶素子の断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例１の液晶素子に適用
可能な配向膜を説明するための図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）および（Ｅ）は、実施
例２の液晶素子の液晶層の観察結果を模式的に示す図で
あり、（Ｃ）および（Ｆ）は、比較例の液晶素子の液晶
層の観察結果を模式的に示す図である。
【図９】実施例２の液晶素子の配向膜の平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る液晶素子の１画素
の構成を基板法線方向から見た時の模式図である。
【図１１】（ａ）は本発明の一実施形態である液晶素子
の液晶材料を注入した後の電圧印加前の液晶配向状態を
模式的に示した図であり、（ｂ）は同素子の高電圧印加
直後の液晶配向状態を模式的に示した図であり、（ｃ）
は同素子の高電圧印加後の最終的な液晶配向状態を模式
的に示した図であり、（ｄ）は（ａ）の破線で囲まれた
領域１１Ａの部分拡大図である。
【図１２】（ａ）は本発明の一実施形態である液晶素子
の高電圧印加を止めた直後の液晶配向状態を模式的に示
した図であり、（ｂ）は同素子の電圧ＯＦＦして暫く後
の液晶配向状態を模式的に示した図であり、（ｃ）は同
素子の電圧印加を止めた後の最終的な液晶配向状態を模
式的に示した図である。
【図１３】（ａ）は本発明の一実施形態である液晶素子
に、一旦高電圧を印加するというリフレッシュ処理を施
した後、電圧印加前の液晶配向状態を模式的に示した図
であり、（ｂ）は同素子の高電圧印加直後の液晶配向状
態を模式的に示した図であり、（ｃ）は同素子の高電圧
印加後の最終的な液晶配向状態を模式的に示した図であ
る。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態
に係る液晶素子の１画素の構成を基板法線方向から見た
時の模式図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係
る液晶素子における下側基板の配向膜上に第２液晶領域
を作製する手法の例を示す図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係
る液晶素子における下側基板の配向膜上に第２液晶領域
を作製する手法の一例を示す図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る液晶素子における
下側基板の配向膜上に第２液晶領域を作製する手法の一
例を示す図である。
【図１８】光配向膜ポリビニルシンナメート（ＰＶＣ
ｉ）の分子構造と光二量化反応過程を説明するための図
である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る液晶素子における
下側基板の配向膜上に第２液晶領域を作製する手法とし
て光配向膜ポリビニルシンナメート（ＰＶＣｉ）を用い
る際のプロセスを説明するための図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る液晶素子における
下側基板の配向膜上に第２液晶領域を作製する手法の一
例を示す図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る液晶素子の構成を
基板法線方向から見た時の模式図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る液晶素子において
リフレッシュ処理後の配向状態の様子を説明するための
図である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る液晶素子において
リフレッシュ処理後に発現する各種液晶配向状態のギブ
スフリーエネルギーの大小関係を説明するための図であ
る。
【図２４】本発明の一実施形態に係る液晶素子において
３Ｖの電圧を印加した直後の配向状態の様子を説明する
ための図である。
【図２５】本発明の一実施形態に係る液晶素子において
３Ｖの電圧を印加した直後に発現する各種液晶配向状態
のギブスフリーエネルギーの大小関係を説明するための
図である。
【図２６】実施例５の液晶素子の構成を基板法線方向か
ら見た時の模式図である。
【図２７】実施例５の液晶素子の液晶層を基板法線方向
から見た時の観察結果を模式的に示す図である。
【図２８】比較例の液晶素子の液晶層を基板法線方向か
ら見た時の観察結果を模式的に示す図である。
【図２９】（ａ）〜（ｅ）は、実施例５の液晶素子の液
晶層を基板法線方向から見た時の観察結果を模式的に示
す図である。
【図３０】（ａ）および（ｂ）は実施例４の液晶素子の
液晶層を基板法線方向から見た時の観察結果を模式的に
示す図であり、（ｃ）は比較例の液晶素子の液晶層を基
板法線方向から見た時の観察結果を模式的に示す図であ
る。
【図３１】実施例４の液晶素子の液晶層を基板法線方向
から見た時の観察結果を模式的に示す図である。
【図３２】実施例４及び比較例の液晶素子の電圧−透過
率特性を測定するための測定系を示した図である。
【図３３】実施例４及び比較例の液晶素子の電圧−透過
率特性の測定結果を示したグラフである。
【図３４】実施例４及び比較例の液晶素子において白表
示電圧印加時の透過率をノンカイラルサンプルに対する
比で表わした図である。
【図３５】（ａ）は実施例５の液晶素子の構成を基板法
線方向から見た時の模式図であり、（ｂ）は比較例の液
晶素子の構成を基板法線方向から見た時の模式図であ
る。
【図３６】（ａ）はユニフォームチルト配向状態を説明
するための図であり、（ｂ）はスプレイチルト配向状態
を説明するための図である。
【図３７】（ａ）は実施例５の液晶素子の液晶材料を注
入した後の電圧印加前に液晶配向状態を示した模式図で
あり、（ｂ）は実施例５の液晶素子の電圧印加した直後
の液晶配向状態を示した模式図である。（ｃ）は比較例
の液晶素子の液晶材料を注入した後の電圧印加前に液晶
配向状態を示した模式図であり、（ｄ）は比較例の液晶
素子の電圧印加した直後の液晶配向状態を示した模式図
である。
【図３８】（ａ）〜（ｄ）は実施例５の液晶素子をリフ
レッシュ処理してから電圧をＯＦＦした際の液晶配向状
態の時系列変化を示した模式図であり、（ｅ）〜（ｈ）
は比較例の液晶素子をリフレッシュ処理してから電圧を
ＯＦＦした際の液晶配向状態の時系列変化を示した模式
図である。
【符号の説明】
２ 偏光板 ３ 偏光板 ４ 光学位相差素子 ５ 電極基板 ６ 電極基板 １４ シール樹脂 １６ 駆動回路 １７ 第１方向 １８ 第１方向 １９ 第２方向 ２１ 基板 ２２ 透明電極 ２３ 配向膜 ２４ 基板 ２５ 透明電極 ２６ 配向膜 ２６Ｆ 第１配向膜領域 ２６Ｓ 第２配向膜領域 ２７ 液晶層 ３０ 液晶素子 ４０ 液晶表示装置 ５５ 凹凸形状を有するステンレス製ローラー ５９ ポジ型フォトレジスト ６０ フォトマスク ６１ 定着したフォトレジスト ６２ フォトマスク ６５ 物理的マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 龍男 宮城県仙台市宮城野区高砂２丁目１−11 Ｆターム(参考） 2H088 GA02 GA17 JA04 JA05 JA11 KA02 KA12 KA13 KA14 MA07 2H090 KA04 KA05 MA02 MA06 MA10 MA12 MB01

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の基板と、前記一対の基板の間に設
    けられた液晶層と、前記一対の基板のうちの少なくとも
    一方の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜とを有す
    る液晶表示装置であって、前記液晶層は、前記配向膜の
    表面の配向規制力によって配向が規制された液晶分子の
    プレチルト方向が第１方向である第１領域と、前記プレ
    チルト方向が前記第１方向とは異なる第２方向である第
    ２領域とを有し、前記第１領域の前記液晶層のベンド配
    向を用いて表示を行なう液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記第１領域の前記液晶層は、電圧無印
    加時にスプレイ配向を呈し、電圧印加時にベンド配向を
    呈する請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記第２領域の前記液晶層は、ツイスト
    配向を呈する請求項１または請求項２に記載の液晶表示
    装置。
  4. 【請求項４】 前記第２領域の前記液晶層の全領域にわ
    たって、Ｖｃｒ以上の電圧印加時にベンド配向に連続的
    に繋がり得るＴＮ配向がトラップされている、請求項１
    から請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 複数の画素を有し、前記複数の画素のそ
    れぞれにおける前記液晶層が、前記第１領域および前記
    第２領域を含む請求項１から請求項４のいずれかに記載
    の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記第１方向と前記第２方向とのなす角
    度Ψが３０°≦Ψ≦１５０°の範囲にある請求項１から
    請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１方向と前記第２方向とのなす角
    度Ψが７０°≦Ψ≦１１０°の範囲にある請求項１から
    請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記第２領域は、前記第２方向と平行に
    伸びたストライプ形状を有する請求項１から請求項７の
    いずれかに記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記液晶層はカイラル剤を含む請求項１
    から請求項８のいずれかに記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記液晶層の厚さをｄとし、前記液晶
    層のナチュラルカイラルピッチをｐとした場合に、０＜
    ｄ／ｐ＜０．５０である請求項９に記載の液晶表示装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記液晶層の厚さをｄとし、前記液晶
    層のナチュラルカイラルピッチをｐとした場合に、０＜
    ｄ／ｐ≦０．１５である請求項９または請求項１０に記
    載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記液晶層は、電圧無印加時に、前記
    第２領域の前記液晶層がスプレイ歪みのないツイスト配
    向を呈するように選択された所定のカイラル剤を含んで
    いる、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の液晶
    表示装置。
  13. 【請求項１３】 それぞれの主面に電極を有する一対の
    基板を準備する工程と、 前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の前記電
    極上に、配向膜を形成する工程であって、前記配向膜
    は、液晶分子のプレチルト方向を第１方向に配向させる
    配向規制力を有する第１配向膜領域と、液晶分子のプレ
    チルト方向を前記第１方向とは異なる第２方向に配向さ
    せる配向規制力を有する第２配向膜領域とを備える、配
    向膜を形成する工程と、 前記一対の基板の間に液晶層を設ける工程であって、前
    記液晶層は、前記配向膜の前記配向規制力によって配向
    が規制された液晶分子のプレチルト方向が前記第１方向
    である第１領域と、前記配向膜の前記配向規制力によっ
    て配向が規制された液晶分子のプレチルト方向が前記第
    ２方向であり、かつ、全領域にわたって、Ｖｃｒ以上の
    電圧印加時にベンド配向に連続的に繋がり得るＴＮ配向
    がトラップされた第２領域とを有する、前記液晶層を設
    ける工程とを包含する、液晶表示装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記液晶層を設ける工程は、所定のカ
    イラル剤を含む液晶材料を用意する工程を含み、電圧無
    印加時に、前記第２領域の前記液晶層が、スプレイ歪み
    のないツイスト配向を呈している、請求項１３に記載の
    液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記液晶層を設ける工程は、前記第１
    領域の前記液晶層のほぼ全体をベンド配向させた後、前
    記ベンド配向からπツイスト配向を経て、スプレイ配向
    させる配向リフレッシュ工程を包含する、請求項１３ま
    たは請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記配向リフレッシュ工程は、前記液
    晶層にスプレイ−ベンド臨界電圧の２倍以上の電圧を所
    定の時間印加することによって行われる、請求項１３か
    ら請求項１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記第１方向と前記第２方向とのなす
    角度Ψが７０°≦Ψ≦１１０°の範囲にある、請求項１
    ５または請求項１６のいずれかに記載の液晶表示装置の
    製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023416A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Tohoku Univ 液晶配向用基板
JP2007178834A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Tohoku Univ 液晶表示装置の製造方法及びそれにより得られた液晶表示装置
JP2009222829A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及び電子機器
JP2012032779A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Samsung Electronics Co Ltd 複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスク
JP2012242510A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Dainippon Printing Co Ltd ３次元表示用パターン配向層用原版、その製造方法ならびにそれを用いたパターン配向膜の製造方法およびパターン位相差フィルムの製造方法
JP2012242511A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Dainippon Printing Co Ltd ３次元表示用パターン配向層用原版、その製造方法ならびにそれを用いたパターン配向膜の製造方法およびパターン位相差フィルムの製造方法
WO2013058228A1 (ja) * 2011-10-20 2013-04-25 富士フイルム株式会社 ラビングローラ及び配向フィルムの製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3925813B2 (ja) * 2003-11-17 2007-06-06 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法、ハードマスク
KR20050089463A (ko) * 2004-03-05 2005-09-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 표시판의 제조 방법
KR100725218B1 (ko) * 2005-01-27 2007-06-07 부산대학교 산학협력단 듀얼모드 액정표시장치 및 그의 구동방법
KR101107709B1 (ko) * 2005-06-01 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 배향막 러빙 장치
KR20060130388A (ko) * 2005-06-14 2006-12-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
TWI356247B (en) * 2006-10-12 2012-01-11 Chimei Innolux Corp Liquid crystal display
US8358391B2 (en) * 2008-05-06 2013-01-22 The Hong Kong University Of Science And Technology Method to obtain a controlled pretilt and azimuthal angles in a liquid crystal cell
KR20090119450A (ko) * 2008-05-16 2009-11-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI382218B (zh) * 2008-07-03 2013-01-11 Taiwan Tft Lcd Ass Ｏｃｂ型液晶盒及其製作方法
TWI400536B (zh) * 2008-11-21 2013-07-01 Taiwan Tft Lcd Ass 光學補償雙折射液晶面板之製作與驅動方法
CN101750773B (zh) * 2008-12-17 2012-08-08 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 光学补偿双折射液晶面板的制作与驱动方法
TWI381233B (zh) * 2009-09-24 2013-01-01 Taiwan Tft Lcd Ass 光學補償雙折射型液晶顯示面板
KR101874046B1 (ko) * 2011-08-24 2018-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 제조하는 배향 마스크
TWI467293B (zh) 2011-12-09 2015-01-01 Chimei Innolux Corp 液晶顯示器與其製法
CN103163692B (zh) * 2011-12-09 2016-04-13 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器与其制法
KR102004526B1 (ko) * 2012-01-17 2019-10-17 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 액정소자 및 그 구동방법
US10699932B2 (en) * 2018-04-10 2020-06-30 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method for inspecting substantially transparent electronic devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0996790A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Toshiba Corp 液晶電気光学素子
JP3417218B2 (ja) 1996-07-03 2003-06-16 松下電器産業株式会社 液晶表示パネル
JP3183633B2 (ja) * 1996-09-04 2001-07-09 松下電器産業株式会社 液晶表示装置、およびその製造方法
US6437844B1 (en) * 1996-09-04 2002-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and associated fabrication method
US6177968B1 (en) * 1997-09-01 2001-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Optical modulation device with pixels each having series connected electrode structure
KR20010042407A (ko) 1998-04-08 2001-05-25 모리시타 요이찌 패럴렐배향 액정표시소자 및 그 제조방법, 그리고스플레이-벤드 전이시간의 평가법 및 그 평가장치
EP1235101A3 (en) * 1998-09-03 2008-08-20 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device, method for manufacturing the same, and method for driving a liquid crystal display device
JP3338025B2 (ja) * 1999-10-05 2002-10-28 松下電器産業株式会社 液晶表示素子
JP3910370B2 (ja) 2000-02-08 2007-04-25 シャープ株式会社 液晶表示デバイス
KR20020050017A (ko) * 2000-12-20 2002-06-26 윤종용 액정 표시 장치의 제조 방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006023416A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Tohoku Univ 液晶配向用基板
JP2007178834A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Tohoku Univ 液晶表示装置の製造方法及びそれにより得られた液晶表示装置
JP2009222829A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及び電子機器
JP2012032779A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Samsung Electronics Co Ltd 複数のドメインを有する単位画素が形成される液晶表示パネル及びこれを製造する光学マスク
US9494816B2 (en) 2010-07-30 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel with multi-domain unit pixels and an optical mask for manufacturing the same
JP2012242510A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Dainippon Printing Co Ltd ３次元表示用パターン配向層用原版、その製造方法ならびにそれを用いたパターン配向膜の製造方法およびパターン位相差フィルムの製造方法
JP2012242511A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Dainippon Printing Co Ltd ３次元表示用パターン配向層用原版、その製造方法ならびにそれを用いたパターン配向膜の製造方法およびパターン位相差フィルムの製造方法
WO2013058228A1 (ja) * 2011-10-20 2013-04-25 富士フイルム株式会社 ラビングローラ及び配向フィルムの製造方法
JP2013088712A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Fujifilm Corp ラビングローラ及び配向フィルムの製造方法
KR101536087B1 (ko) * 2011-10-20 2015-07-10 후지필름 가부시키가이샤 러빙 롤러 및 배향 필름의 제조 방법

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