JP2003203902A

JP2003203902A - アッシング処理方法

Info

Publication number: JP2003203902A
Application number: JP2002000751A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Iwane; 和良岩根
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-01-07
Filing date: 2002-01-07
Publication date: 2003-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体製造工程におけるアッシングを、真空
容器を用いる低圧プラズマ法によらず、複雑な形状の物
に対しても処理ムラが起きない方法の提供。【解決手段】半導体製造工程におけるアッシング処理
方法において、被処理体の表面を紫外線照射処理後に、
大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも
一方の対向面を固体誘電体で被覆し、当該一対の電極間
に処理ガスを導入して電界を印加することにより得られ
るグロー放電プラズマを紫外線照射処理後の被処理体に
接触させる放電プラズマ処理を行うことを特徴とするア
ッシング処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おけるアッシング処理方法に関し、特に紫外線照射処理
と常圧プラズマ処理を組み合わせたアッシング処理方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程におけるレジスト
を除去するアッシング工程は、紫外線照射処理や低圧プ
ラズマ処理により、生成した活性酸素分子やオゾン分子
を用いて有機物であるレジスト膜を化学的な作用によっ
て灰化させる一種の燃焼現象を利用して行われている。
しかし、紫外線ランプで処理の場合、複雑な形状の物を
処理する場合、紫外線により発生したオゾンが細部に入
り込みにくいため、処理ムラが発生するというの問題が
あった。一方、低圧プラズマ処理の場合は、ある程度減
圧にしないと安定した放電ができないため、真空チャン
バー内でバッチ処理を行っており、真空排気装置等が必
要であり、バッチ式で処理時間がかかり、アッシング処
理は、生産性が低いものであった。このような問題を解
決する方法として、１回のバッチ処理の時間を短くする
ために、真空チャンバーを小さくして被処理体の１枚１
枚を処理する方法や、多数枚を同時に処理する方法等が
検討されているが、ますます装置は高価なものとなり、
このような方法により大面積基板を処理する場合には、
大容量の真空容器、大出力の真空排気装置が必要になる
ために、表面処理装置は、更に高価なものとなってい
た。さらに、従来、プラズマ処理によるアッシング処理
には、例えば、特開平７−９９１８２号公報に提案され
ているように、ヘリウムを用いた大気圧プラズマを用い
た方法があるが、ヘリウムガスは自然界での存在量が極
めて少なく高価であり、ランニングコスト的に負荷の高
いという問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑み、半導体製造工程におけるアッシングを、真空容
器を用いる低圧プラズマ法によらず、複雑な形状の物に
対しても処理ムラが起きない方法を提供することを目的
とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意研究した結果、紫外線照射処理により被
処理体の表面層の反応性を高めた後に大気圧条件下で安
定した放電状態を実現させることができる放電プラズマ
処理を組合せて用いることにより、互いの長所を引き出
させることができ、紫外線処理のみではできなかったよ
うな微細な処理も可能になり、さらに処理速度も速く正
確になることを見出し、本発明を完成させた。

【０００５】すなわち、本発明の第１の発明は、半導体
製造工程におけるアッシング処理方法において、被処理
体の表面を紫外線照射処理後に、大気圧近傍の圧力下で
グロー放電プラズマ処理を行うことを特徴とするアッシ
ング処理方法である。

【０００６】また、本発明の第２の発明は、グロー放電
プラズマ処理が、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の
電極の少なくとも一方の対向面を固体誘電体で被覆し、
当該一対の電極間に処理ガスを導入して電界を印加する
ことにより得られるグロー放電プラズマを被処理体に接
触させる処理であることを特徴とする第１の発明に記載
のアッシング処理方法である。

【０００７】また、本発明の第３の発明は、グロー放電
プラズマ処理が、処理後の排ガスを吸引除去する方法で
あることを特徴とする第１又は２の発明に記載のアッシ
ング処理方法である。

【０００８】また、本発明の第４の発明は、紫外線照射
処理とグロー放電プラズマ処理を一つのチャンバー内で
行うことを特徴とする第１〜３のいずれかの発明に記載
のアッシング処理方法である。

【０００９】また、本発明の第５の発明は、処理ガスの
存在下に紫外線照射処理を行うことを特徴とする第１〜
４のいずれかの発明に記載のアッシング処理方法であ
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明で用いる被処理体の紫外線
照射処理は、従来公知の方法による。例えば、熱の発生
を非常に少なくした水冷式超高圧水銀灯、空冷式の高圧
水銀灯、メタルハライドランプ等を用いた露光式装置を
用い、ランプを点灯させ、大型の反射鏡と組み合わせて
光の利用率を増加させたり、紫外線照射エリア内のエネ
ルギー分布を改善する構造にになっている装置を用いる
のが好ましい。紫外線の照度としては、８〜２５ｍＷ／
ｃｍ²程度であるのが好ましい。

【００１１】本発明では、被処理体を上記紫外線照射処
理後に、常圧プラズマ処理を行う。プラズマを搬送され
る被処理体に接触させる手段としては、例えば、（１）
対向する電極間で発生するプラズマの放電空間内に被処
理体を搬送して、被処理体にプラズマを接触させる方
法、及び（２）対向する電極間で発生させたプラズマを
放電空間の外に搬送される被処理体に向かって導くよう
にして接触させる方法（リモート型）がある。

【００１２】上記（１）の具体的方法としては、例え
ば、固体誘電体で被覆された平行平板型電極間に電界を
印加してプラズマを発生させながら、電極間に被処理体
を搬送する方法、固体誘電体で被覆されたロール−ロー
ル電極を用いて被処理体を搬送する方法、多数の穴を有
する上部電極を用いてシャワー状にガスを供給しながら
処理する方法、一方の電極に吹き出し口ノズルを有する
容器状固体誘電体を設け、該ノズルからプラズマを他の
電極上を搬送される被処理体に吹き付ける方法等が挙げ
られる。

【００１３】また、上記（２）の具体的方法としては、
平行平板型電極、同軸円筒型電極等の一対の対向電極間
に電界を印加し、電極間に処理ガスを導入して発生した
プラズマを長尺型ノズル、円筒型ノズル等から吹き出さ
せる電極構造（以下、リモートソースと称することがあ
る。）から、放電空間外に搬送される被処理体に吹き付
ける放電プラズマ処理方法で、被処理体を電界等による
ダメージを与えない好ましい方法である。また、上記両
方法において、アッシング処理後の排ガスは、処理後の
廃有機物等と共に処理部近傍に設けられた排ガス吸引口
から回収される。

【００１４】上記電極としては、銅、アルミニウム等の
金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等
からなるものが挙げられる。電極の形状としては、特に
限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が一定となる構造である
ことが好ましい。この条件を満たす電極構造としては、
例えば、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板型、
双曲対向平板型、同軸円筒型構造等が挙げられる。

【００１５】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て適宜決定されるが、０．１〜５０ｍｍであることが好
ましい。０．１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設
置するのに充分でないことがある。５０ｍｍを超える
と、均一な放電プラズマを発生させにくい。

【００１６】さらに、プラズマを発生させる電極は、一
対のうち少なくとも一方の電極の対向面が固体誘電体で
被覆されており、固体誘電体と被覆される側の電極が密
着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにす
る必要がある。固体誘電体によって覆われずに電極同士
が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生
じやすい。

【００１７】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであること
が好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁
破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。

【００１８】固体誘電体の材質としては、例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート
等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化
物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。

【００１９】特に、２５℃環境下における比誘電率が１
０以上のものである固体誘電体を用いれば、低電圧で高
密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率
が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが入手
可能であり、本発明に使用出来る。特に好ましくは比誘
電率が１０〜１００の固体誘電体である。上記比誘電率
が１０以上である固体誘電体の具体例としては、二酸化
ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸
バリウム等の複酸化物を挙げることが出来る。

【００２０】本発明のプラズマ処理では、上記電極間
に、高周波、パルス波、マイクロ波等による電界が印加
され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加する
ことが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／又は立
ち下がり時間が、１０μｓ以下である電界が好ましい。
１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不
安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状
態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち
下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が
効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間の
パルス電界を実現することは、実際には困難である。よ
り好ましくは５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでい
う立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加
する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続
して減少する時間を指すものとする。

【００２１】上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０
００ｋＶ／ｃｍとなるようにするのが好ましい。電界強
度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりす
ぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生し
やすくなる。

【００２２】上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ
以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると
プラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上
限は特に限定されないが、常用されている１３．５６Ｍ
Ｈｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高
周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱
い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。この
ようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大
きく向上させることができる。

【００２３】また、上記パルス電界におけるひとつのパ
ルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好まし
い。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくな
る。ここで、ひとつのパルス継続時間とは、ＯＮ、ＯＦ
Ｆの繰り返しからなるパルス電界における、ひとつのパ
ルスの連続するＯＮ時間を言う。

【００２４】本発明の放電プラズマ処理方法は、大気圧
近傍の圧力下でグロー放電プラズマを発生させる常圧放
電プラズマ処理に用いるとその効果を十分に発揮でき
る。常圧放電プラズマ処理においては、低圧下の処理よ
りも高い電圧を必要とするため、本発明の方法が有利で
ある。

【００２５】上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３
×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの圧力下を指す。中
でも、圧力調整が容易で、装置が簡便になる９．３３１
×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲が好ましい。
放電プラズマ処理に要する時間は、印加電圧の大きさ
や、被処理体、混合ガス配合等によって適宜決定され
る。

【００２６】本発明の処理方法は、上記紫外線照射処理
操作と常圧プラズマ処理操作を一つのチャンバー内で行
う方法が好ましい。特に、両方法とも常圧下で処理が行
えるため、紫外線照射装置とプラズマ処理装置を一つの
チャンバー内に収めることができ、紫外線照射処理と常
圧プラズマ処理を連続して行えるので効率がよく、工程
上も有利である。

【００２７】上記一つのチャンバー内でアッシング処理
する具体例を図で説明する。図１は、チャンバー内に紫
外線照射装置とプラズマ処理装置を収めた装置で被処理
体のアッシング処理を行う工程の一例を説明する模式的
装置図である。図１において、チャンバー１内に、搬送
台５に設置されて搬送される被処理体４を処理できるよ
うに、紫外線照射処理装置２及びプラズマ処理装置３が
順に設けられている。チャンバー１内では、処理ガスを
処理ガス導入筒６から導入し、紫外線照射処理領域か
ら、グロー放電プラズマ処理領域を経て排気筒７から回
収できるようにしてある。被処理体４は、搬送台５で搬
送され、最初に紫外線ランプ２１及び反射鏡２２を備え
た紫外線照射装置２により、表面を活性化処理され、続
いてプラズマ処理装置のリモートソース３で処理され
る。リモートソース３は、電源３１から電界を印加され
る電極３２及び電極３３の間の放電空間に処理ガスを処
理ガス導入口３４から導入しプラズマ化し、プラズマ吹
き出し口３５より紫外線照射処理後の被処理体４の表面
に吹き付け処理する。処理済み排ガスは、全体の処理ガ
ス流と一緒に排気筒７から回収される。

【００２８】なお、紫外線照射処理は、被処理体を搬送
させながら処理を行うが、紫外線発生部の下端から搬送
される被処理体との間隔を１〜１００ｍｍにして処理を
行うのが好ましい。紫外線発生部の下端から被処理体と
の間隔が１ｍｍ未満では、被処理体の搬送が困難とな
り、１００ｍｍ以上では、処理効果が低くなる。

【００２９】また、プラズマ処理は、紫外線照射処理後
の被処理体を搬送させながら処理を行うが、リモートソ
ースのプラズマ吹き出し口から搬送される被処理体との
間隔を１〜１０ｍｍにして処理を行うのが好ましい。リ
モートソースから被処理体との間隔が１ｍｍ未満では、
被処理体の搬送が困難となり、１０ｍｍ以上では、処理
効果が低くなる。

【００３０】図２は、チャンバー内に紫外線照射装置と
プラズマ処理装置を収めた装置で被処理体のアッシング
処理を行う工程の他の例を説明する模式的装置図であ
る。図２において、チャンバー１内に、搬送台５に設置
されて搬送される被処理体４を処理できるように、紫外
線照射処理装置２及びプラズマ処理装置３が順に設けら
れている。チャンバー１内では、処理ガスを処理ガス導
入筒６から導入し、紫外線照射処理領域から、グロー放
電プラズマ処理領域を経て排気筒７から回収できるよう
にしてある。被処理体４は、搬送台５で搬送され、最初
に紫外線ランプ２１及び反射鏡２２を備えた紫外線照射
装置２により、表面を活性化処理され、続いてプラズマ
処理装置で処理される。プラズマ処理装置は、電源３１
から電界を印加される電極３２及び電極３３の間の放電
空間で、紫外線照射処理領域から流れてくる処理ガスを
プラズマ化し、放電空間を搬送される紫外線照射処理後
の被処理体４の表面を処理する。処理済み排ガスは、排
気筒７から回収される。

【００３１】上記の紫外線照射処理とプラズマ処理を組
み合わせた方法によると、紫外線照射で、被処理体表面
の反応性を高めた後にプラズマ処理を行っているので、
紫外線照射単独又はプラズマ処理単独で処理を続けた場
合よりも高い効果を有する。特に、プラズマ処理を常圧
で行えるため、一つのチャンバー内に両装置を収めるこ
とができ、工程的にも容易に行える方法である。

【００３２】さらに、本発明においては、一つのチャン
バー内に処理ガスを導入して、排気するという処理ガス
の流れを作り、その過程で紫外線照射処理、プラズマ処
理を行うことにより、アッシング処理速度が向上する効
果を有する。特に、最初に紫外線照射処理領域において
処理ガスが存在することにより、紫外線により発生した
活性種が次のプラズマ放電領域でさらに活性化するため
アッシング処理を効率良く行える特徴を有する。

【００３３】ここで、図１及び図２における搬送台５
は、送りスピードを任意に調整できるものを用いること
により処理の程度を変更でき、さらに冷却又は加熱機構
を付加することもできる。

【００３４】以上の特徴から、本発明の処理方法は、半
導体素子の被処理体の表面のアッシング処理に有効であ
るが、その他、残留物のデスカム処理、デスミア処理等
に用いることにより、非常に効果的に表面処理を行うこ
ともできる。さらに、ドライエッチングや有機フィルム
の密着性の改善、金属酸化物の還元、表面改質などにも
用いることができる。

【００３５】本発明のアッシング処理における処理ガス
としては、アッシングの燃焼現象を進行させるため、酸
素ラジカルを発生させるガスを用いる。酸化反応に寄与
するラジカルとしては、例えば、酸素分子、励起酸素分
子、酸素分子イオン、酸素原子、酸素原子イオン、励起
オゾン分子、オゾン分子イオン等が挙げられる。これら
の発生源としては、含酸素ガスであれば良く、酸素の他
に一酸化炭素、二酸化炭素、空気、水蒸気等も用いるこ
とができる。プラズマ中に上記のような酸素を含有する
ガスを導入すると、酸化処理による不要樹脂の除去に特
に有効である。また除去材料の種類によって、必要に応
じてフッ素系ガスを添加することもできる。

【００３６】本発明の処理ガスは、酸素を１〜５０体積
％含有するガスが好ましく、それにより高密度のプラズ
マを発生させることができ、高速処理を行うことが可能
となる。酸素が１体積％未満であると、高濃度のプラズ
マが実現しない。酸素が５０体積％を超えても処理はで
きるが、効果は、ほとんど変わらないので、経済性や取
り扱い性の面で下記の希釈ガスを用いるとよい。

【００３７】上記希釈ガスとしては、アルゴン、ネオ
ン、キセノン、ヘリウム、窒素、乾燥空気（空気を用い
る場合の酸素含有量は、空気中の酸素も含めた値であ
る。）等を用いることができ、これらは単独でも２種以
上を混合して用いてもよい。処理効果と経済性や取り扱
い性の兼合いを考慮すると、酸素とアルゴン、窒素又は
空気とからなる処理ガスが好ましい。

【００３８】従来、大気圧近傍の圧力下においては、ヘ
リウムの存在下の処理が行われてきたが、本発明の大気
圧近傍下での電界を印加する方法によれば、ヘリウムに
比較して安価なアルゴン、窒素気体中における安定した
処理が可能であり、特に酸素含有量が少なくても高密度
のプラズマを発生させることができる。

【００３９】本発明におけるアッシング処理の被処理体
としては、液晶ディスプレイ基板、フォトマスク、ガラ
ス基板上にフォトレジストで配線を描画したもの、シリ
コンウェハー基板上にフォトレジストで配線を描画した
ものなどが挙げられる。本発明の処理方法は、これらの
基板上のアッシング処理に非常に有効である。

【００４０】また、アッシング処理においては、被処理
体の温度を好ましくは、１５〜１８０℃、より好ましく
は９０〜１５０℃に加熱することによりその処理能力を
向上させることができる。被処理体の加熱方法として
は、均一で早く被処理体を加熱できるものであれば、特
に制限がないが、シートヒーター等を好ましく用いるこ
とができる。

【００４１】本発明のパルス電界を用いた大気圧放電で
は、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧
に放電を生じせしめることが可能であり、より単純化さ
れた電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及
び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。ま
た、パルス周波数、電圧、電極間隔等のパラメータによ
りクリーニングレート等の処理パラメータも調整でき
る。

【００４２】

【実施例】本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。

【００４３】実施例１図１に示した装置を用い、アッシング処理を行った。紫
外線照射は、二次電圧７００Ｖ、二次電流０．２Ａで紫
外線を照射する３００ｍｍ×５００ｍｍ照射部を有する
装置を用い、被処理体までの距離を５ｍｍとなる様に設
置した。プラズマ処理は、電極の内部に水冷機能を有
し、表面を１．０ｍｍの厚さにアルミナをコーティング
した、３００ｍｍ×５００ｍｍ×厚２０ｍｍのＳＵＳ３
０４製の平行平板電極を用い、１ｍｍの間隔を置いて設
置したリモートソースを用い、被処理体との間隔を３ｍ
ｍとなる様に設置した。被処理体として、表面に２μｍ
厚のレジストを形成させた厚さ１０ｍｍガラス基材を用
い、搬送速度５０ｍｍ／ｍｉｎで移動させた。チャンバ
ー内に導入する処理ガスと、プラズマ処理装置に導入す
る処理ガスとして、両系統とも乾燥空気を用い、プラズ
マ処理部の電極間に、立ち上がり時間５μｓ、電圧２０
ｋＶ_PP、周波数５０ｋＨｚのパルス電界を印加した。そ
の結果、レジスト除去処理は均一に行われ、同様の装
置、処理条件で紫外線照射処理のみの処理を行った場合
よりも、処理能力はレジスト除去率が１５０％向上し、
プラズマ処理のみの処理を行った場合よりも、処理能力
はレジスト除去率が１８０％向上した。なお、レジスト
除去率は、光学式膜厚計で処理前後の膜厚を測定し、次
式で求めた値である。レジスト除去率（％）＝（処理前膜厚−処理後膜厚）／
処理前膜厚×１００

【００４４】実施例２図２に示した装置を用い、アッシング処理を行った。紫
外線照射は、二次電圧７００Ｖ、二次電流０．２Ａで紫
外線を照射する３００ｍｍ×５００ｍｍ照射部を有する
装置を用い、被処理体までの距離を５ｍｍとなる様に設
置した。プラズマ処理は、電極の内部に水冷機能を有
し、表面を１．０ｍｍの厚さにアルミナをコーティング
した、１００ｍｍ×５００ｍｍ×厚２０ｍｍのＳＵＳ３
０４製の平行平板電極を用い、上部電極及び下部電極の
間隔を２０ｍｍにして設置した。被処理体として、表面
に１μｍ厚のレジストを形成させた厚さ１ｍｍのシリコ
ンウェハを用い、搬送速度２５０ｍｍ／ｍｉｎで移動さ
せた。処理ガスとして、乾燥空気を用い、プラズマ処理
部の電極間に、立ち上がり時間５μｓ、電圧１８ｋ
Ｖ _PP、周波数５ｋＨｚのパルス電界を印加した。その結
果、レジスト除去処理は均一に行われ、同様の装置、処
理条件で紫外線照射処理のみの処理を行った場合より
も、処理能力はレジスト除去率が２５０％向上し、プラ
ズマ処理のみの処理を行った場合よりも、処理能力はレ
ジスト除去率が１５０％向上した。

【００４５】比較例１図１に示した装置において、紫外線照射処理を行わない
で、プラズマ処理のみを２回スキャン処理をした。その
結果、レジスト除去処理は均一に行われていたが、レジ
スト除去率は、実施例１の場合の６０％であった。

【００４６】比較例１から分かるように、本発明の紫外
線照射処理と常圧プラズマ処理を組み合わせることによ
るアッシング処理は、それぞれの処理による単なる効果
の和のみでなく、相乗的にレジスト除去率が向上し、優
れたアッシング効果が発揮されている。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造工程で用い
られるアッシング処理を、紫外線照射処理と常圧プラズ
マ処理を組み合わせて常圧で処理できるため、大型のサ
ンプルにも対応でき、かつ連続処理をすることができ
る。そのため、生産性が非常に良い処理方法である。さ
らに、処理をインライン化及び高速化することも可能で
ある。これにより、処理時間の短縮化、コスト低下が可
能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアッシング処理方法の一例を説明する
模式的処理装置の図である。

【図２】本発明のアッシング処理方法の他の例を説明す
る模式的処理装置の図である。

【符号の説明】

１チャンバー２紫外線照射処理装置３プラズマ処理装置（リモートソース）４被処理体５搬送台６ガス導入筒７排気筒２１紫外線ランプ２２反射鏡３１電源３２、３３電極３４処理ガス導入口３５プラズマ吹き出し口

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体製造工程におけるアッシング処理
方法において、被処理体の表面を紫外線照射処理後に、
大気圧近傍の圧力下でグロー放電プラズマ処理を行うこ
とを特徴とするアッシング処理方法。
【請求項２】グロー放電プラズマ処理が、大気圧近傍
の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向
面を固体誘電体で被覆し、当該一対の電極間に処理ガス
を導入して電界を印加することにより得られるグロー放
電プラズマを被処理体に接触させる処理であることを特
徴とする請求項１に記載のアッシング処理方法。
【請求項３】グロー放電プラズマ処理が、処理後の排
ガスを吸引除去する方法であることを特徴とする請求項
１又は２に記載のアッシング処理方法。
【請求項４】紫外線照射処理とグロー放電プラズマ処
理を一つのチャンバー内で行うことを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載のアッシング処理方法。
【請求項５】処理ガスの存在下に紫外線照射処理を行
うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
のアッシング処理方法。