JPH01189123A - 高分子樹脂被膜の除去方法 - Google Patents
高分子樹脂被膜の除去方法Info
- Publication number
- JPH01189123A JPH01189123A JP63012642A JP1264288A JPH01189123A JP H01189123 A JPH01189123 A JP H01189123A JP 63012642 A JP63012642 A JP 63012642A JP 1264288 A JP1264288 A JP 1264288A JP H01189123 A JPH01189123 A JP H01189123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer resin
- resist
- resin film
- chamber
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、高分子樹脂被膜の除去方法に係り、特に半導
体集積回路製造工程におけるリソグラフィ工程で用いら
れるレジストの除去を行う乾式処理方法に関するもので
ある。 （従来の技術） 従来の半導体集積回路製造工程におけるリソグラフィ工
程で用いられるレジストの除去方法は、真空容器内に酸
素ガスを導入し、１３．５６ＭＨｚ等の高周波励起によ
り、酸素ガスプラズマを発生させ、そのガスプラズマ中
で行っていた。 この酸素プラズマによるレジスト除去作用の機構は酸素
プラズマ中に生じた原子状酸素
体集積回路製造工程におけるリソグラフィ工程で用いら
れるレジストの除去を行う乾式処理方法に関するもので
ある。 （従来の技術） 従来の半導体集積回路製造工程におけるリソグラフィ工
程で用いられるレジストの除去方法は、真空容器内に酸
素ガスを導入し、１３．５６ＭＨｚ等の高周波励起によ
り、酸素ガスプラズマを発生させ、そのガスプラズマ中
で行っていた。 この酸素プラズマによるレジスト除去作用の機構は酸素
プラズマ中に生じた原子状酸素
〔０〕とレジストを形成
する高分子樹脂との化学反応による高分子樹脂の低分子
化、及び低分子樹脂の酸化によるＣＯ２およびＨｚＯへ
の分解気化作用を利用したものである。 しかしながら、このようなプラズマレジスト除去方法は
、以下の欠点を有している。 （１）プラズマ中で除去を行うため荷電粒子により素子
へ電気的損傷を与える。 （２）被処理材料はプラズマ輻射、荷電粒子等の影響に
より著しく温度上昇を来たし、素子への悪影響がでる。 これらの欠点を除去する方法として放電室（プラズマ発
生室）と処理室（反応室）を分離した装置が用いられて
いる。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記構成の装置ではレジスト除去速度が
遅いという問題点がある。特にリン、ヒ素の不純物打ち
込み工程におけるマスキングに使用されるレジストにつ
いては除去速度が遅い。 また、上記構成の装置でも、荷電粒子による素子への電
気的損傷及び温度上昇による素子への悪影響の問題は完
全に解決したとは言えない。 本発明は、上記問題点を除去し、放電室と処理室を分離
した装置を用いた高分子樹脂被膜の除去方法において、
高分子樹脂被膜の除去速度を高め、しかも荷電粒子によ
る素子への電気的損傷及び温度上昇による素子への悪影
響をなくした高分子樹脂被膜の除去方法を提供すること
を目的とする。 （課題を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、放電室と処理
室を分離した装置を用いた高分子樹脂被膜の除去方法に
おいて、処理室において紫外光を照射することにより、
高分子樹脂被膜中の炭素と水素の結合を分解する工程と
、放電室で得られた中性酸素ラジカルを処理室に送り、
前記高分子樹脂被膜を除去する工程とを施すようにした
ものである。 （作用） 本発明によれば、上記のように、放電室と処理室を分離
した高分子樹脂被膜の除去装置において、処理室に、例
えば、２００ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射することによ
り高分子樹脂被膜、例えば、レジスト中の炭素と水素の
結合を分解した後、マイクロ波で励起された中性酸票ラ
ジカルでレジストを除去するようにしたものである。 （実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。 図は本発明の実施例を示す高分子樹脂被膜の除去装置の
構成図である。 図中、１０は反応室（処理室）であり、この反応室１０
の材料はアルミを用い、アースされている。 １１は発光器であり、ＵＶ（紫外光）を発生させる。 １２はステージであり、そのステージ１２上には、被処
理材料１３、つまり、高分子樹脂被膜であるレジストが
形成されたウェハが載置される。ここで、被処理材料１
３ヲフローテイングの状態にするため、ステージ１２の
材料は絶縁物である石英を用いる。 １４はガスの排気口である。１５はプラズマ発生部であ
り、このプラズマ発生部１５はマイクロ波発生室１６及
び水冷装置１７を有している。また、１８はアースされ
たメツシュ状アルミ仮、１９はガスの導入口である。 図において、発光器１１からは波長２００ｎｍのＵＶ光
を照射し、被処理材料１３であるウェハ上に塗布された
レジスト中の炭素と水素の結合を分解する。 つまり、原子間の結合エネルギーよりも大きいエネルギ
ーの光を当てると分解される。ここで、エネルギーは周
波数×ブランク定数である。 次に、ガス導入口１９から入った酸素ガスは、マイクロ
波発生室１６において、マイクロ波励起により酸素プラ
ズマとなる。ここで、マイクロ波発生室１６のマイクロ
波パワーは８００Ｗであり、アッシング条件は、ガスは
酸素、ガス流１２０００（ＣＣ／ｍ１ｎ）、圧力’ｌ
Ｔｏｒｒである。そこで生成した酸素プラズマ中の荷電
粒子及び電子はアースされたメ・ノシュ状のアルミ板１
Ｂで捕獲される。そして、メツシュ状のアルミ板１日を
通った中性酸素ラジカルは、炭素と水素の結合が分解さ
れたレジストと容易に反応し、レジストが除去される。 なお、マイクロ波発生室１６はガスプラズマの発生によ
り多量の熱を生じるので水冷装置１７を設置して、その
発生する熱を冷却する。つまり、マイクロ波発生室１６
を水冷装置で冷却することにより低温プラズマ処理を行
うことができる。 また、上記した発光器から得られるＵＶ光の波長の範囲
は１５０〜２５０ｎｍ程度が望ましい。つまり、波長が
長すぎると、レジスト分解能力が落ちることになり、波
長が短すぎると、デバイスにダメージを与え、酸化膜の
劣化（耐圧低下）を招くことになる。 更に、プラズマ発生部１５から発生したプラズマ中の荷
電粒子はメツシュ状アルミ板で中和させて、レジスト除
去を酸素ラジカルのみで行うことができる。 特に、従来のレジスト除去方法においては、ＵＶ光照射
後のレジストやイオン打ち込み後のレジストの場合はレ
ジストの除去に長時間を要していたが、本発明によれば
、これらのレジストの除去も迅速に行うことができよう
になり、レジストの除去効率の向上を図ることができる
。 また、上記構成により、スパッタエッチや不純物打ち込
み後の変質したレジストも容易に除去することができる
。この場合、不純物打ち込みレジストに対しては、前記
ＵＶ光の照射により、炭素と炭素、炭素とリン、炭素と
ヒ素の結合を分解することが可能である。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。 （発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、紫外光
によりレジスト中の炭素と水素の結合を分解した後、マ
イクロ波で励起された中性酸素ラジカルで高分子樹脂被
膜（レジスト）の除去を容易に行うことができる。 また、低温で、かつ、荷電粒子を遮断して、レジストを
除去するためアッシング中に起こるレジストからのアル
カリ金属汚染及び重金属汚染の問題と荷電粒子による素
子への電気的損傷の問題をなくすことができる。また、
酸素ガスのみによるプラズマであるため下地の膜への影
響もない。 なお、本発明によれば、イオンエツチングやスパッタエ
ッチ後、及び不純物打ち込み後の変質したレジストも容
易に除去することができる。
する高分子樹脂との化学反応による高分子樹脂の低分子
化、及び低分子樹脂の酸化によるＣＯ２およびＨｚＯへ
の分解気化作用を利用したものである。 しかしながら、このようなプラズマレジスト除去方法は
、以下の欠点を有している。 （１）プラズマ中で除去を行うため荷電粒子により素子
へ電気的損傷を与える。 （２）被処理材料はプラズマ輻射、荷電粒子等の影響に
より著しく温度上昇を来たし、素子への悪影響がでる。 これらの欠点を除去する方法として放電室（プラズマ発
生室）と処理室（反応室）を分離した装置が用いられて
いる。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記構成の装置ではレジスト除去速度が
遅いという問題点がある。特にリン、ヒ素の不純物打ち
込み工程におけるマスキングに使用されるレジストにつ
いては除去速度が遅い。 また、上記構成の装置でも、荷電粒子による素子への電
気的損傷及び温度上昇による素子への悪影響の問題は完
全に解決したとは言えない。 本発明は、上記問題点を除去し、放電室と処理室を分離
した装置を用いた高分子樹脂被膜の除去方法において、
高分子樹脂被膜の除去速度を高め、しかも荷電粒子によ
る素子への電気的損傷及び温度上昇による素子への悪影
響をなくした高分子樹脂被膜の除去方法を提供すること
を目的とする。 （課題を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、放電室と処理
室を分離した装置を用いた高分子樹脂被膜の除去方法に
おいて、処理室において紫外光を照射することにより、
高分子樹脂被膜中の炭素と水素の結合を分解する工程と
、放電室で得られた中性酸素ラジカルを処理室に送り、
前記高分子樹脂被膜を除去する工程とを施すようにした
ものである。 （作用） 本発明によれば、上記のように、放電室と処理室を分離
した高分子樹脂被膜の除去装置において、処理室に、例
えば、２００ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射することによ
り高分子樹脂被膜、例えば、レジスト中の炭素と水素の
結合を分解した後、マイクロ波で励起された中性酸票ラ
ジカルでレジストを除去するようにしたものである。 （実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。 図は本発明の実施例を示す高分子樹脂被膜の除去装置の
構成図である。 図中、１０は反応室（処理室）であり、この反応室１０
の材料はアルミを用い、アースされている。 １１は発光器であり、ＵＶ（紫外光）を発生させる。 １２はステージであり、そのステージ１２上には、被処
理材料１３、つまり、高分子樹脂被膜であるレジストが
形成されたウェハが載置される。ここで、被処理材料１
３ヲフローテイングの状態にするため、ステージ１２の
材料は絶縁物である石英を用いる。 １４はガスの排気口である。１５はプラズマ発生部であ
り、このプラズマ発生部１５はマイクロ波発生室１６及
び水冷装置１７を有している。また、１８はアースされ
たメツシュ状アルミ仮、１９はガスの導入口である。 図において、発光器１１からは波長２００ｎｍのＵＶ光
を照射し、被処理材料１３であるウェハ上に塗布された
レジスト中の炭素と水素の結合を分解する。 つまり、原子間の結合エネルギーよりも大きいエネルギ
ーの光を当てると分解される。ここで、エネルギーは周
波数×ブランク定数である。 次に、ガス導入口１９から入った酸素ガスは、マイクロ
波発生室１６において、マイクロ波励起により酸素プラ
ズマとなる。ここで、マイクロ波発生室１６のマイクロ
波パワーは８００Ｗであり、アッシング条件は、ガスは
酸素、ガス流１２０００（ＣＣ／ｍ１ｎ）、圧力’ｌ
Ｔｏｒｒである。そこで生成した酸素プラズマ中の荷電
粒子及び電子はアースされたメ・ノシュ状のアルミ板１
Ｂで捕獲される。そして、メツシュ状のアルミ板１日を
通った中性酸素ラジカルは、炭素と水素の結合が分解さ
れたレジストと容易に反応し、レジストが除去される。 なお、マイクロ波発生室１６はガスプラズマの発生によ
り多量の熱を生じるので水冷装置１７を設置して、その
発生する熱を冷却する。つまり、マイクロ波発生室１６
を水冷装置で冷却することにより低温プラズマ処理を行
うことができる。 また、上記した発光器から得られるＵＶ光の波長の範囲
は１５０〜２５０ｎｍ程度が望ましい。つまり、波長が
長すぎると、レジスト分解能力が落ちることになり、波
長が短すぎると、デバイスにダメージを与え、酸化膜の
劣化（耐圧低下）を招くことになる。 更に、プラズマ発生部１５から発生したプラズマ中の荷
電粒子はメツシュ状アルミ板で中和させて、レジスト除
去を酸素ラジカルのみで行うことができる。 特に、従来のレジスト除去方法においては、ＵＶ光照射
後のレジストやイオン打ち込み後のレジストの場合はレ
ジストの除去に長時間を要していたが、本発明によれば
、これらのレジストの除去も迅速に行うことができよう
になり、レジストの除去効率の向上を図ることができる
。 また、上記構成により、スパッタエッチや不純物打ち込
み後の変質したレジストも容易に除去することができる
。この場合、不純物打ち込みレジストに対しては、前記
ＵＶ光の照射により、炭素と炭素、炭素とリン、炭素と
ヒ素の結合を分解することが可能である。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。 （発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、紫外光
によりレジスト中の炭素と水素の結合を分解した後、マ
イクロ波で励起された中性酸素ラジカルで高分子樹脂被
膜（レジスト）の除去を容易に行うことができる。 また、低温で、かつ、荷電粒子を遮断して、レジストを
除去するためアッシング中に起こるレジストからのアル
カリ金属汚染及び重金属汚染の問題と荷電粒子による素
子への電気的損傷の問題をなくすことができる。また、
酸素ガスのみによるプラズマであるため下地の膜への影
響もない。 なお、本発明によれば、イオンエツチングやスパッタエ
ッチ後、及び不純物打ち込み後の変質したレジストも容
易に除去することができる。
図は本発明の実施例を示す高分子樹脂被膜の除去装置の
構成図である。 １０・・・反応室（処理室）、１１・・・発光器、１２
・・・ステージ、１３・・・被処理材料、１４・・・ガ
スの排気口、１５・・・プラズマ発生部、１６・・・マ
イクロ波発生室、１７・・・水冷装置、１８・・・メツ
シュ状アルミ板、１９・・・ガスの導入口。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 清 水 守１８゛ノッシ
ニネ；つトミ４ン
構成図である。 １０・・・反応室（処理室）、１１・・・発光器、１２
・・・ステージ、１３・・・被処理材料、１４・・・ガ
スの排気口、１５・・・プラズマ発生部、１６・・・マ
イクロ波発生室、１７・・・水冷装置、１８・・・メツ
シュ状アルミ板、１９・・・ガスの導入口。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 清 水 守１８゛ノッシ
ニネ；つトミ４ン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放電室と処理室を分離した装置を用いた高分子樹脂被
膜の除去方法において、 （ａ）処理室において紫外光を照射することにより高分
子樹脂被膜中の炭素と水素の結合を分解する工程と、 （ｂ）放電室で得られた中性酸素ラジカルを処理室に送
り前記高分子樹脂被膜を除去する工程とを施すようにし
たことを特徴とする高分子樹脂被膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012642A JPH01189123A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高分子樹脂被膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012642A JPH01189123A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高分子樹脂被膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189123A true JPH01189123A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11811017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63012642A Pending JPH01189123A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 高分子樹脂被膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211114A (ja) * | 1990-03-05 | 1992-08-03 | Nec Corp | フォトレジスト除去装置 |
| JPH0620940A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Shimadzu Corp | レジストパターン作製方法 |
| JP2003203902A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | アッシング処理方法 |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63012642A patent/JPH01189123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211114A (ja) * | 1990-03-05 | 1992-08-03 | Nec Corp | フォトレジスト除去装置 |
| JPH0620940A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Shimadzu Corp | レジストパターン作製方法 |
| JP2003203902A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | アッシング処理方法 |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
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