JP2003209100A - Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 - Google Patents
Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法Info
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- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 14
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ装置による窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）の
膜付けの実施にあたり、ランニングコストの節減、装置
稼働率の向上および／または装置コストの低減が図れる
ようなＣＶＤ装置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌ
の除去方法を確立する。 【解決手段】 ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排
気系配管内に、予め、ＮＨ４Ｃｌの昇華温度以上に加熱
保温した不活性ガスを導入するか、または配管温度をＮ
Ｈ４Ｃｌの昇華温度以上に加熱保持することによって、
付着堆積したＮＨ ４Ｃｌを昇華温度以上に加温し、ＮＨ
３ガスとＨＣｌガスに解離して、該ガスを該配管内から
排出させようとするものである。 【効果】 ＣＶＤ装置の排気系配管に付着堆積したＮＨ
４Ｃｌの除去にあたり、ＣＶＤ装置に組み込まれた排気
系配管を取り外す必要がないので、配管の取り外し、ク
リーニングおよび配管の組み立てに要する手間・隙を省
くことができるため、ランニングコストの節減を図るこ
とができ、また、予備配管を必要としないので、装置コ
ストの低減を図ることができる。
膜付けの実施にあたり、ランニングコストの節減、装置
稼働率の向上および／または装置コストの低減が図れる
ようなＣＶＤ装置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌ
の除去方法を確立する。 【解決手段】 ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排
気系配管内に、予め、ＮＨ４Ｃｌの昇華温度以上に加熱
保温した不活性ガスを導入するか、または配管温度をＮ
Ｈ４Ｃｌの昇華温度以上に加熱保持することによって、
付着堆積したＮＨ ４Ｃｌを昇華温度以上に加温し、ＮＨ
３ガスとＨＣｌガスに解離して、該ガスを該配管内から
排出させようとするものである。 【効果】 ＣＶＤ装置の排気系配管に付着堆積したＮＨ
４Ｃｌの除去にあたり、ＣＶＤ装置に組み込まれた排気
系配管を取り外す必要がないので、配管の取り外し、ク
リーニングおよび配管の組み立てに要する手間・隙を省
くことができるため、ランニングコストの節減を図るこ
とができ、また、予備配管を必要としないので、装置コ
ストの低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＣＶＤ装置において、半導体
ウエハ表面に窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を膜付けする際
に、ＮＨ４Ｃｌが副生されＣＶＤ装置排気系配管内面へ
付着堆積する。本発明はＣＶＤ装置排気系配管内面に付
着堆積したＮＨ４Ｃｌを除去する方法に関するものであ
る。
ウエハ表面に窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を膜付けする際
に、ＮＨ４Ｃｌが副生されＣＶＤ装置排気系配管内面へ
付着堆積する。本発明はＣＶＤ装置排気系配管内面に付
着堆積したＮＨ４Ｃｌを除去する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置の高温拡散炉中で、半導体ウ
エハの表面に窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を成長させて膜付
けする際に、副生されたＮＨ４Ｃｌは、ＣＶＤ装置排気
系配管内面に付着堆積する。この付着堆積したＮＨ４Ｃ
ｌを除去するために、排気系配管をＣＶＤ装置から取り
外して、配管内面に付着堆積しているＮＨ４Ｃｌを水洗
などにより除去している。さらに、最近では、排気系配
管を約１５０℃に加熱保温して、ＮＨ４Ｃｌの析出を最
小限にして、配管内面への付着を防止している。
エハの表面に窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）を成長させて膜付
けする際に、副生されたＮＨ４Ｃｌは、ＣＶＤ装置排気
系配管内面に付着堆積する。この付着堆積したＮＨ４Ｃ
ｌを除去するために、排気系配管をＣＶＤ装置から取り
外して、配管内面に付着堆積しているＮＨ４Ｃｌを水洗
などにより除去している。さらに、最近では、排気系配
管を約１５０℃に加熱保温して、ＮＨ４Ｃｌの析出を最
小限にして、配管内面への付着を防止している。
【０００３】しかし、ＮＨ４Ｃｌの除去のために、配管
を取り外して、クリーニングするには、かなりの手間・
隙を要するので、ランニングコストが嵩むことになる。
しかも、装置の稼動を休止しなければならず、装置稼働
率の低下を招くことになる。なお、装置稼働率の低下を
最小限にするために予備配管を準備すれば、装置コス
ト、すなわち、イニシャルコストが嵩むことになる。
を取り外して、クリーニングするには、かなりの手間・
隙を要するので、ランニングコストが嵩むことになる。
しかも、装置の稼動を休止しなければならず、装置稼働
率の低下を招くことになる。なお、装置稼働率の低下を
最小限にするために予備配管を準備すれば、装置コス
ト、すなわち、イニシャルコストが嵩むことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の課題、すなわち、ＣＶＤ装置による窒化膜（Ｓｉ３
Ｎ４膜）の膜付けの実施にあたり、ランニングコストの
節減、装置稼働率の向上および／または装置コストの低
減が図れるようなＣＶＤ装置排気系配管に付着堆積した
ＮＨ４Ｃｌの除去方法を確立することを目的とする。
術の課題、すなわち、ＣＶＤ装置による窒化膜（Ｓｉ３
Ｎ４膜）の膜付けの実施にあたり、ランニングコストの
節減、装置稼働率の向上および／または装置コストの低
減が図れるようなＣＶＤ装置排気系配管に付着堆積した
ＮＨ４Ｃｌの除去方法を確立することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、本発明の第１のＣＶＤ装
置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除去方法は、
ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配管内に、
予め、３４０℃以上に加熱保温された不活性ガスを導入
して、付着堆積したＮＨ４ＣｌをＮＨ３ガスとＨＣｌガ
スに解離させ、該ガスを該配管内から排出させることを
特徴とするものである。そして、本発明の第２のＣＶＤ
装置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除去方法
は、ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配管を
３４０℃以上に加熱保温して、付着堆積したＮＨ４Ｃｌ
をＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離させた後、該配管内に
不活性ガスを導入して、前記ＮＨ３ガスとＨＣｌガスを
該配管内から排出させることを特徴とするものである。
成するためになされたもので、本発明の第１のＣＶＤ装
置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除去方法は、
ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配管内に、
予め、３４０℃以上に加熱保温された不活性ガスを導入
して、付着堆積したＮＨ４ＣｌをＮＨ３ガスとＨＣｌガ
スに解離させ、該ガスを該配管内から排出させることを
特徴とするものである。そして、本発明の第２のＣＶＤ
装置排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除去方法
は、ＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配管を
３４０℃以上に加熱保温して、付着堆積したＮＨ４Ｃｌ
をＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離させた後、該配管内に
不活性ガスを導入して、前記ＮＨ３ガスとＨＣｌガスを
該配管内から排出させることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】高温（４５０〜８５０）のＣＶＤ装置の拡散炉
中で、半導体ウエハの表面にＳｉ３Ｎ４膜を成長させ膜
付けする際、拡散炉内にＳｉＣｌ２Ｈ２ガスおよびＮＨ
３ガスを導入すると ３ＳｉＣｌ２Ｈ２＋４ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４＋６ＨＣｌ＋６Ｈ２ ・・・・ なる化学反応が生じる。式の化学反応によって、副生
されたＨＣｌガスと最初に導入したＮＨ３ガスとが、排
気配管を通って排気される際に、排気配管内で式に示
す化学反応を起こしてＮＨ４Ｃｌを析出し、排気配管内
面に付着堆積する。 ＨＣｌ＋ＮＨ３→ＮＨ４Ｃｌ ・・・・
中で、半導体ウエハの表面にＳｉ３Ｎ４膜を成長させ膜
付けする際、拡散炉内にＳｉＣｌ２Ｈ２ガスおよびＮＨ
３ガスを導入すると ３ＳｉＣｌ２Ｈ２＋４ＮＨ３→Ｓｉ３Ｎ４＋６ＨＣｌ＋６Ｈ２ ・・・・ なる化学反応が生じる。式の化学反応によって、副生
されたＨＣｌガスと最初に導入したＮＨ３ガスとが、排
気配管を通って排気される際に、排気配管内で式に示
す化学反応を起こしてＮＨ４Ｃｌを析出し、排気配管内
面に付着堆積する。 ＨＣｌ＋ＮＨ３→ＮＨ４Ｃｌ ・・・・
【０００７】このＮＨ４Ｃｌは３３７．８℃で昇華し
て、ＮＨ３ガスとＨＣｌガスとに解離する性質を有して
おり、本発明はこの性質を利用したものである。すなわ
ち、第１の発明はＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置
排気系配管内に、予め、ＮＨ４Ｃｌの昇華温度以上に加
熱保温した不活性ガス例えば、Ｎ２ガスを導入して、付
着堆積したＮＨ４Ｃｌを昇華温度以上にＮ２ガスにて加
温し、ＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離して、該ガスを該
配管内から排出させようとするものである。また、第２
の発明はＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配
管を昇華温度以上に加熱保温して、付着堆積したＮＨ４
ＣｌをＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離させた後、該配管
内にＮ２などの不活性ガスを導入して、前記ＮＨ３ガス
とＨＣｌガスを該配管内から排出させようとするもので
ある。したがって、本発明は、ＣＶＤ装置に組み込まれ
ている排気系配管を取り外すことなく実施できるため、
配管の取り外しや組み込みのための手間、隙が省けるの
で、ランニングコストの節減がはかれる。また、予備配
管を必要としないので装置コストの低減を図ることがで
きる。
て、ＮＨ３ガスとＨＣｌガスとに解離する性質を有して
おり、本発明はこの性質を利用したものである。すなわ
ち、第１の発明はＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置
排気系配管内に、予め、ＮＨ４Ｃｌの昇華温度以上に加
熱保温した不活性ガス例えば、Ｎ２ガスを導入して、付
着堆積したＮＨ４Ｃｌを昇華温度以上にＮ２ガスにて加
温し、ＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離して、該ガスを該
配管内から排出させようとするものである。また、第２
の発明はＮＨ４Ｃｌが付着堆積したＣＶＤ装置排気系配
管を昇華温度以上に加熱保温して、付着堆積したＮＨ４
ＣｌをＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離させた後、該配管
内にＮ２などの不活性ガスを導入して、前記ＮＨ３ガス
とＨＣｌガスを該配管内から排出させようとするもので
ある。したがって、本発明は、ＣＶＤ装置に組み込まれ
ている排気系配管を取り外すことなく実施できるため、
配管の取り外しや組み込みのための手間、隙が省けるの
で、ランニングコストの節減がはかれる。また、予備配
管を必要としないので装置コストの低減を図ることがで
きる。
【０００８】
【実施例１】第１の発明の実施例として、図１に示すよ
うに、配管内面にＮＨ４Ｃｌが付着堆積した３インチの
配管１を用意し、その一端から予めヒータ２ａにて３５
０℃に加熱されたＮ２ガスを配管温度が３５０℃になる
まで流し続け、他端に連接したスクラバ３内に排気し
た。配管１全体が３５０℃になった時点でＮ２ガスの配
管１内への給気をやめて、配管１を取り外して縦割り
し、その内面を観察してＮＨ４Ｃｌが付着してないこと
を確認した。
うに、配管内面にＮＨ４Ｃｌが付着堆積した３インチの
配管１を用意し、その一端から予めヒータ２ａにて３５
０℃に加熱されたＮ２ガスを配管温度が３５０℃になる
まで流し続け、他端に連接したスクラバ３内に排気し
た。配管１全体が３５０℃になった時点でＮ２ガスの配
管１内への給気をやめて、配管１を取り外して縦割り
し、その内面を観察してＮＨ４Ｃｌが付着してないこと
を確認した。
【０００９】
【実施例２】第２の発明の実施例として、図２に示すよ
うに、第１の発明の実施例と同様に配管内面にＮＨ４Ｃ
ｌが付着堆積した３インチの配管１を用意し、該配管１
の外面にヒータ２ｂを巻き付けて、配管１全体を３５０
℃に加熱保持したまま、ボンベ５から配管１内へＮ２ガ
スを１０分間流し続け、配管１の端部に連接したスクラ
バ３内に排気した。次いで配管１を取り外して縦割り
し、その内面を観察してＮＨ４Ｃｌが付着してないこと
を確認した。
うに、第１の発明の実施例と同様に配管内面にＮＨ４Ｃ
ｌが付着堆積した３インチの配管１を用意し、該配管１
の外面にヒータ２ｂを巻き付けて、配管１全体を３５０
℃に加熱保持したまま、ボンベ５から配管１内へＮ２ガ
スを１０分間流し続け、配管１の端部に連接したスクラ
バ３内に排気した。次いで配管１を取り外して縦割り
し、その内面を観察してＮＨ４Ｃｌが付着してないこと
を確認した。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＣＶＤ装置の排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除
去にあたり、ＣＶＤ装置に組み込まれた排気系配管を取
り外す必要がないので、配管の取り外し、クリーニング
および配管の組み立てに要する手間・隙を省くことがで
きるため、ランニングコストの節減を図ることができ、
また、予備配管を必要としないので、装置コストの低減
を図ることができる。
ＣＶＤ装置の排気系配管に付着堆積したＮＨ４Ｃｌの除
去にあたり、ＣＶＤ装置に組み込まれた排気系配管を取
り外す必要がないので、配管の取り外し、クリーニング
および配管の組み立てに要する手間・隙を省くことがで
きるため、ランニングコストの節減を図ることができ、
また、予備配管を必要としないので、装置コストの低減
を図ることができる。
【００１１】
【図１】 本発明の請求項１の実施例を示す図
【図２】 本発明の請求項２の実施例を示す図
１ ＮＨ４Ｃｌが付着堆積した３インチ配管
２ａ ヒータ
２ｂ ヒータ
３ スクラバ
４ Ｎ２ボンベ
Claims (2)
- 【請求項１】 塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）が付着
堆積したＣＶＤ装置排気系配管内に、予め、３４０℃以
上に加熱保温された不活性ガスを導入して、付着堆積し
た塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）をＮＨ３ガスとＨＣ
ｌガスに解離させ、該ガスを該配管内から排出させるこ
とを特徴とするＣＶＤ装置排気系配管に付着堆積した塩
化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）の除去方法 - 【請求項２】 塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）が付着
堆積したＣＶＤ装置排気系配管を３４０℃以上に加熱保
温して、付着堆積した塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）
をＮＨ３ガスとＨＣｌガスに解離させた後、該配管内に
不活性ガスを導入して、前記ＮＨ３ガスとＨＣｌガスを
該配管内から排出させることを特徴とするＣＶＤ装置排
気系配管に付着堆積した塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃ
ｌ）の除去方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006245A JP2003209100A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006245A JP2003209100A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209100A true JP2003209100A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27645069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006245A Pending JP2003209100A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | Ｃｖｄ排気系配管に付着堆積した塩化アンモニウムの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006013957A1 (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Ｇａ含有窒化物半導体単結晶、その製造方法、並びに該結晶を用いた基板およびデバイス |
| WO2018070284A1 (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社Ihi | 気相プロセス用再熱捕集装置 |
| JP2023538677A (ja) * | 2020-08-21 | 2023-09-08 | エスケイ スペシャルティ コンパニー リミテッド | トリシリルアミンの合成装置および合成方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54160172A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device and cvd device used for the said manufacture |
| JPH08172083A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Ebara Corp | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 |
| JPH08176829A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Nec Kansai Ltd | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 |
| JPH1032194A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Nippon Steel Corp | 半導体製造装置 |
| JPH10154702A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置 |
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002006245A patent/JP2003209100A/ja active Pending
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| WO2018070284A1 (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社Ihi | 気相プロセス用再熱捕集装置 |
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| US10507414B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-12-17 | Ihi Corporation | Reheating collection device for gas phase process |
| JP2023538677A (ja) * | 2020-08-21 | 2023-09-08 | エスケイ スペシャルティ コンパニー リミテッド | トリシリルアミンの合成装置および合成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |