JP2003209279A

JP2003209279A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2003209279A
Application number: JP2002004343A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Kodera; 秀和小寺; Hirotoshi Yonezawa; 宏敏米澤; Kiyohide Sakai; 清秀酒井; Hiroshi Izawa; 浩井沢; Akira Takemoto; 彰武本; Tatsuo Hatta; 竜夫八田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2002-01-11
Filing date: 2002-01-11
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】光出力モニタ用受光素子の実装に際し、組立
工数を削減し、コストを低減した光モジュールを提供す
る。【解決手段】本発明に係る光モジュールは、発光素子
とその光出力モニタ用受光素子とそのモニタする光の波
長を透過する材質で形成されたサブマウント部材とその
実装基板を備え、光出力モニタ用受光素子の平面状に形
成された受光感度層が基材側に感度を持つ構造とし、上
記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板上
に水平に実装される、光モジュールである。その光モジ
ュールは、上記モニタ用受光素子の入射光側基材端面に
回折格子、凹凸パターンを備えるプリズム等の光学素子
が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用に用いら
れる半導体レーザダイオード（以下、ＬＤと示す）等の
発光素子とその光出力モニタ用の受光素子を使用した半
導体レーザ装置及びその製造方法に関わり、特に、半導
体ＬＤの背面側からの出射光を取り込むための受光素子
を実装する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバを用いた公衆通信網の普及に
は、高性能の半導体レーザ装置を廉価で製造することが
重要である。

【０００３】半導体ＬＤは、時間経過による劣化や作動
中の温度上昇に伴って、出力が低下する。このため、光
通信用の半導体ＬＤにおいては、半導体ＬＤの裏面側か
らの出射光（以下、モニタ光と示す）をその光出力モニ
タ用の受光素子（以下、モニタ用受光素子と示す）で受
け、ここで発生する電流に基づいて半導体ＬＤを制御
し、半導体ＬＤの出力を一定に保っている。

【０００４】図７は、特開２０００−３２３７４５号で
開示された従来技術に係る半導体レーザ装置５０の一つ
の例の（１）斜視図、及び（２）一部破断側面図であ
る。図８において、２は基板、４は半導体ＬＤ素子、６
は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光素子の基
材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１２はモニ
タ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ出力光、
１０２は半導体ＬＤサブキャリア、１０４はモニタ用受
光素子のサブマウントである。

【０００５】図７の半導体レーザ装置５０においては、
半導体ＬＤ素子４の後方から出射されたモニタ光１４を
効率よく受光するために、モニタ光１４に対してモニタ
用受光素子１２が垂直となるよう配置されている。

【０００６】図８は、特開平９−３１２４０７号で開示
された従来技術に係る半導体レーザ装置の別の例の一部
破断側面図である。図７と同じ符号は、同じものまたは
相当のものを示す。更に、１０６はレンズである。

【０００７】図８の半導体レーザ装置５０においては、
モニタ光１４をレンズ１０６で収集し、溝の反射性端部
にその焦点を結ばせ、その光を受光感度面１０に導いて
いる。

【０００８】図７に係る半導体レーザ装置５０において
は、確かに、モニタ用受光素子１２の受光感度層１０に
多くの光を取り入れることが可能である。しかし一方
で、モニタ用受光素子１２をモニタ光１４に対して垂直
となるように設定するのは、時間及び工数がかかるとい
った問題がある。また、モニタ用受光素子１２とモニタ
用受光素子サブマウント１０４との間のワイヤリング作
業が困難であるという問題もある。

【０００９】また、図８に係る半導体レーザ装置５０に
おいては、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２と
が水平（即ち、基板２に平行）に配設されるので、図７
に係る半導体レーザ装置５０における問題点は解決され
ている。しかしながら、構造が複雑であるため、実装コ
ストを大きく低減させることができない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、モニタ用受
光素子１２の実装の工程においてコストを低減し、更
に、低コスト部品を使用して、モニタ用受光素子の実装
に掛かるコスト全体を低減することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために為されたものである。本発明に係る請求
項１に記載の光モジュールは、発光素子とその光出力モ
ニタ用受光素子、モニタ光の波長を透過する材質で形成
された受光素子サブマウント部材、及び実装基板から構
成される。上記モニタ用受光素子は、サブマウント部材
上に接合される。その光モジュールは、モニタ用受光素
子の平面状に形成された受光感度層が基材側に感度を有
するものであり、上記発光素子とサブマウント上に接合
された上記モニタ用受光素子を実装基板上に水平に実装
している。

【００１２】本発明に係る請求項２に記載の光モジュー
ルは、上記サブマウント部材のモニタ光の入射側端面に
回折格子、又は凹凸部を備えるプリズムが形成されてい
ることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュールで
ある。

【００１３】本発明に係る請求項３に記載の光モジュー
ルは、上記サブマウント部材のモニタ光の入射側端面に
粗面が形成されていることを特徴とする、請求項１に記
載の光モジュールである。

【００１４】本発明に係る請求項４に記載の光モジュー
ルは、上記サブマウント部材に、屈折率分布層が形成さ
れていることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュ
ールである。

【００１５】本発明に係る請求項５に記載の光モジュー
ルは、上記サブマウント部材が上記モニタ用受光素子を
搭載する面が、上記実装基板に対して、勾配を有するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の光モジュールであ
る。

【００１６】本発明に係る請求項６に記載の光モジュー
ルは、上記サブマウント部材のモニタ光の入射側端面に
反射防止膜が施され、その反対側の端面に高反射膜が施
されることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュー
ルである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下において、図面を参照しつつ
本発明に係る実施の形態について説明する。

【００１８】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。図１において、２は基板、４は半導体ＬＤ素子、６
は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光素子の基
材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１２はモニ
タ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ出力光で
ある。更に、２０は光学素子であるサブマウントであっ
て、該光学素子（サブマウント）の上にモニタ用受光素
子１２が接合されている。

【００１９】図１の半導体レーザ装置５０では、半導体
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基板２上
に水平に実装される。更に、モニタ用受光素子１２内で
平面状に形成される受光感度層１０にて、基板２側が感
度面となるよう設定されている。

【００２０】ここで、上記のサブマウント２０の端面に
は、回折格子２４、又は、凹凸部を有するプリズム等が
形成されている。

【００２１】従って、上記のサブマウント２０におい
て、モニタ光１４は、サブマウント２０のモニタ光１４
の入射側端面で屈折され、受光感度層１０に導かれる。
ここで、モニタ用受光素子１２は、受光感度層１０にお
いて、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得られ
る位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装されている。

【００２２】実施の形態１に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００２３】（１）まず、サブマウント２０の端面に、
凹凸のパターン、もしくは回折格子２４を形成する。（２）次に、サブマウント２０上に、モニタ用受光素子
１２を実装する。（３）続いて、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装す
る。（４）最後に、サブマウント２０と一体となったモニタ
用受光素子１２を、前工程（１）で凹凸パターン、回折
格子２４等が刻み込まれたサブマウント２０の端面側
が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）１４と対向
するよう実装する。（４）以上により実施の形態１に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００２４】本実施の形態では、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００２５】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態２は、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。

【００２６】図２の半導体レーザ装置５０においても、
サブマウント２０の上にモニタ用受光素子１２が接合さ
れている。更に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子
１２とが、実装基板２上に水平に実装され、モニタ用受
光素子１２内で平面状に形成される受光感度層１０に
て、基板２側が感度面になるよう設定されている。然る
に、この実施の形態２では、上記サブマウント２０のモ
ニタ光の入射側端面に、粗面２６が形成される。

【００２７】従って、実施の形態２のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４がサブマウント２０のモニタ光
１４の入射側端面が粗面２６であるため、散乱され、受
光感度層１０に導かれる。ここで、モニタ用受光素子１
２は、受光感度層１０において、半導体ＬＤの出力を制
御するに足る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４
に対して実装されている。

【００２８】実施の形態２に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００２９】（１）まず、サブマウント２０の端面に、
粗面２６を形成する。（２）次に、サブマウント２０上に、モニタ用受光素子
１２を実装する。（３）続いて、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装す
る。（４）最後に、サブマウント２０と一体となったモニタ
用受光素子１２を、前工程（１）で粗面２６が刻み込ま
れた端面側が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）
１４と対向するよう実装する。（５）以上により実施の形態２に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００３０】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００３１】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態３も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。

【００３２】図３の半導体レーザ装置５０においても、
サブマウント２０の上にモニタ用受光素子１２が接合さ
れている。更に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子
１２とが、実装基板２上に水平に実装されている。ここ
でも、モニタ用受光素子１２内において平面状に形成さ
れた受光感度層１０において、基板２側が感度面になる
よう設定されている。然るに、この実施の形態３では、
上記サブマウント２０に、屈折率を変化させるドーパン
ドが選択拡張され、屈折率分布層２８が形成される。

【００３３】従って、実施の形態３のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４がサブマウント２０の屈折率分
布層２８において屈折され、受光感度層１０に導かれ
る。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光感度層１０
において、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得
られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装されてい
る。

【００３４】実施の形態３に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００３５】（１）まず、サブマウント２０の端面に、
屈折率変化のドーパンドを選択拡張しておく。（２）次に、サブマウント２０上に、モニタ用受光素子
１２を実装する。（３）続いて、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装す
る。（４）最後に、サブマウント２０と一体になったモニタ
用受光素子１２を、前工程（１）で屈折率変化のドーパ
ンドが刻み込まれた端面側が、半導体ＬＤ素子４の背面
光（モニタ光）１４と対向するよう実装する。（５）以上により実施の形態３に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００３６】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００３７】実施の形態４．図４（１）（２）は、本発
明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置５０の一部破
断側面図である。この実施の形態４も、上記の実施の形
態１に係る半導体レーザ装置５０と略同様の構成であ
り、よって同一箇所には同一符号を付して説明を略し、
異なる部位及び箇所を中心に説明を進める。

【００３８】図４（１）（２）の半導体レーザ装置５０
でも、サブマウント２０の上にモニタ用受光素子１２が
接合されている。更に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受
光素子１２とが実装基板２に実装される。但し、サブマ
ウント２０は勾配を有している。

【００３９】一方、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０は、本実施の形態４において
も基板２側が感度面となるように設定されている。

【００４０】従って、実施の形態４のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４の一部がサブマウント２０のモ
ニタ光１４の入射側端面で屈折され、受光感度層１０に
導かれる。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光感度
層１０において、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光
量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装さ
れている。

【００４１】実施の形態４に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００４２】（１）まず、サブマウント２０に斜面を形
成する。（２）次に、サブマウント２０の斜面上に、モニタ用受
光素子１２を実装する。（３）続いて、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装す
る。（４）最後に、サブマウント２０と一体になったモニタ
用受光素子１２を、その端面側が、半導体ＬＤ素子４の
背面光（モニタ光）１４と所定の角度を形成して対向す
るように、実装する。（５）以上により実施の形態４に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００４３】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００４４】また、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置５０によれば、モニタ用受光素子１２及びサブマウン
ト２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光（モ
ニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り光３
０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定した
レーザ光出力を得ることができる。

【００４５】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態５も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。

【００４６】図５の半導体レーザ装置５０でも、サブマ
ウント２０の上にモニタ用受光素子１２が接合されてい
る。更に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２と
が実装基板２に実装される。但し、基板２は表面に大き
さの異なる２対のＡｕバンプ３２を有しており、モニタ
用受光素子１２及びサブマウント２０はそれらＡｕバン
プ３２上に基板２に対して傾斜して搭載される。

【００４７】一方、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０は、本実施の形態５において
も基板２側が感度面となるように設定されている。

【００４８】従って、実施の形態５のモニタ用受光素子
１２においても、実施の形態４と同様、モニタ光１４
が、サブマウント２０のモニタ光の入射側端面で屈折さ
れ、受光感度層１０に導かれる。ここで、モニタ用受光
素子１２は、受光感度層１０において、半導体ＬＤの出
力を制御するに足る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ
素子４に対して実装されている。

【００４９】実施の形態５に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００５０】（１）まず、基板２上に半導体ＬＤ素子４
を実装する。（２）次に、サブマウント２０上に、モニタ用受光素子
１２を実装する。（３）続いて、基板２上にて、モニタ用受光素子１２と
一体となったサブマウント２０の実装位置にあたる箇所
に大きさの異なる２対のＡｕバンプ３２を形成する。（４）最後に、サブマウント２０と一体となったモニタ
用受光素子１２を、前工程（３）で形成されたＡｕバン
プ３２上に実装する。半導体ＬＤ素子４に近い方のＡｕ
バンプ３２の対は小さく遠い方の対は大きく形成されて
いるため、モニタ用受光素子１２は基板２に対して傾斜
して実装される。（５）以上により実施の形態５に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００５１】上記の製造工程において、対となるＡｕバ
ンプ３２の大きさを制御することにより、半導体ＬＤ素
子４に対するモニタ用受光素子１２の位置を制御するこ
とができる。

【００５２】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００５３】また、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置５０においても、モニタ用受光素子１２及びサブマウ
ント２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光
（モニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り
光３０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定
したレーザ光出力を得ることができる。

【００５４】実施の形態６．図６は、本発明の実施の形
態６に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態６も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。

【００５５】図６の半導体レーザ装置５０でも、実施の
形態１と同様に、サブマウント２０の上にモニタ用受光
素子１２が接合されている。更に、半導体ＬＤ素子４と
モニタ用受光素子１２とが、実装基板２上に水平に実装
され、モニタ用受光素子１２内で平面状に形成される受
光感度層１０にて、基板２側が感度面となるよう設定さ
れている。然も、この実施の形態６では、上記のサブマ
ウント２０に関して、背面光（モニタ光）１４の入射側
端面にＡＲコート（反射防止膜）３４が、その反対側の
端面にＨＲコート（高反射膜）３６が施される。

【００５６】従って、実施の形態６のモニタ用受光素子
１２では、サブマウント２０に入射したモニタ光１４が
サブマウント２０内に閉じ込められ、受光感度層１０に
効率よく取り込まれる。ここで、モニタ用受光素子１２
は、受光感度層１０に導かれる光量が、半導体ＬＤの出
力を制御するために十分な範囲内になるよう、半導体Ｌ
Ｄ素子４に対し、実装されている。

【００５７】実施の形態６に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。

【００５８】（１）まず、サブマウント２０の向かい合
う２つの端面に、夫々ＡＲコート３４およびＨＲコート
３６を形成しておく。（２）次に、サブマウント２０上にモニタ用受光素子１
２を実装する。（３）続いて、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装す
る。（４）最後に、サブマウント２０と一体になったモニタ
用受光素子１２を、前工程（１）でＡＲコート３４が施
された端面側が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ
光）１４と対向するよう実装する。（５）以上により実施の形態６に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。

【００５９】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。

【００６０】

【発明の効果】以上により、本発明によれば、光出力モ
ニタ用受光素子の実装に際し、組立工数の削減により、
実装に伴うコストを大幅に低減することができる。特
に、本発明に係る請求項５の光モジュールによれば、モ
ニタ用受光素子の基材端面からの反射戻り光が半導体Ｌ
Ｄに入ることも抑制でき、安定したレーザ光出力を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図５】本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図６】本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。

【図７】従来技術に係る半導体レーザ装置の一つの例
の（１）斜視図、及び（２）一部破断側面図である。

【図８】従来技術に係る半導体レーザ装置の別の例の
一部破断側面図である。

【符号の説明】

２基板、４半導体レーザダイオード素子、６
半導体レーザダイオード素子活性層、８モニタ用受
光素子基材、１０モニタ用受光素子受光感度層、
１２モニタ用受光素子、１４モニタ光、１６
レーザ出力光、２０サブマウント、２４回折格
子、２６粗面、２８屈折率分布層、３０反
射戻り光、３２Ａｕバンプ、３４反射防止膜
（ＡＲコート）、３６高反射膜（ＨＲコート）、
５０半導体レーザ装置、１０２半導体ＬＤサブキャ
リア、１０４モニタ用受光素子のサブマウント、
１０６レンズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者酒井清秀東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者井沢浩東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者武本彰東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者八田竜夫東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AB27 AB28 BA02 FA02 FA23 5F088 AA01 BA01 BA16 BB01 EA09 EA11 GA07 HA01 HA09 JA03 JA11 5F089 AA01 AC19 AC20 CA15 CA20 EA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、受光感度層が基材側に感度を持つ光出力モニタ用受光素
子を、モニタ光の波長を透過する材質で形成されたサブ
マウント部材の上に接合、上記発光素子とサブマウント
に接合された上記光出力モニタ用受光素子を実装基板上
に水平に実装することを特徴とした光モジュール。
【請求項２】上記サブマウント部材において、モニタ
光の入射側基材端面に回折格子、又は凹凸パターンを備
えるプリズム等の光学素子が形成されていることを特徴
とした、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】上記サブマウント部材において、モニタ
光の入射側基材端面が粗面であることを特徴とした、請
求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】上記サブマウント部材内部に、屈折率を
変化させるドーパンドが注入されていることを特徴とし
た、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】上記サブマウント部材において、上記モ
ニタ用受光素子を搭載する面が、上記基板に対して、勾
配を有することを特徴とする、請求項１に記載の光モジ
ュール。
【請求項６】上記サブマウント部材において、モニタ
光の入射側基材端面に反射防止膜（ＡＲコート）が施さ
れ、その反対側に高反射膜（ＨＲコート）が施されてい
ることを特徴とする、請求項１に記載の光モジュール。