JP2003226965A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2003226965A JP2003226965A JP2002026406A JP2002026406A JP2003226965A JP 2003226965 A JP2003226965 A JP 2003226965A JP 2002026406 A JP2002026406 A JP 2002026406A JP 2002026406 A JP2002026406 A JP 2002026406A JP 2003226965 A JP2003226965 A JP 2003226965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic flux
- sputtering target
- grooves
- sputtering
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲット寿命の延長とスパッタ組成及び膜
厚分布の均一性向上とを達成できるスパッタリングター
ゲットを提供する。 【解決手段】 バッキングプレート１２を介して磁界が
印加される磁性材製のスパッタリングターゲット１４に
おいて、スパッタ面には、エロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域１４ａの近傍に磁束漏洩用の溝１
８，２２，２６，３０を設ける。これらの溝を設けるこ
とでターゲットの均一消費が可能となる。磁束漏洩用の
溝は、複数並設したり、深さを異ならせたりしてもよ
い。
厚分布の均一性向上とを達成できるスパッタリングター
ゲットを提供する。 【解決手段】 バッキングプレート１２を介して磁界が
印加される磁性材製のスパッタリングターゲット１４に
おいて、スパッタ面には、エロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域１４ａの近傍に磁束漏洩用の溝１
８，２２，２６，３０を設ける。これらの溝を設けるこ
とでターゲットの均一消費が可能となる。磁束漏洩用の
溝は、複数並設したり、深さを異ならせたりしてもよ
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マグネトロン放
電型スパッタ装置に用いるに好適な磁性材製のスパッタ
リングターゲットに関する。
電型スパッタ装置に用いるに好適な磁性材製のスパッタ
リングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のスパッタリングターゲッ
トとしては、図７，８に示すものが知られている（例え
ば、特開平６−２６４２１８号公報参照）。
トとしては、図７，８に示すものが知られている（例え
ば、特開平６−２６４２１８号公報参照）。
【０００３】支持部材１の上には、磁界発生装置２を介
してバッキングプレート３が設けられており、バッキン
グプレート３の表面には、磁性材製のスパッタリングタ
ーゲット４が装着されている。磁界発生装置２は、バッ
キングプレート３側がＳ極になるようにバッキングプレ
ート３の中央部に配置された永久磁石２ａと、この永久
磁石２ａを四角枠状に取囲み且つバッキングプレート３
側がＮ極になるように配置された永久磁石２ｂとを備え
ている。スパッタリングターゲット４において、スパッ
タ面には、漏れ磁束を多くするために、深さ３ｍｍ程度
の溝４Ａが磁石２ａ，２ｂ間の空間に対応して四角枠状
に形成されている。
してバッキングプレート３が設けられており、バッキン
グプレート３の表面には、磁性材製のスパッタリングタ
ーゲット４が装着されている。磁界発生装置２は、バッ
キングプレート３側がＳ極になるようにバッキングプレ
ート３の中央部に配置された永久磁石２ａと、この永久
磁石２ａを四角枠状に取囲み且つバッキングプレート３
側がＮ極になるように配置された永久磁石２ｂとを備え
ている。スパッタリングターゲット４において、スパッ
タ面には、漏れ磁束を多くするために、深さ３ｍｍ程度
の溝４Ａが磁石２ａ，２ｂ間の空間に対応して四角枠状
に形成されている。
【０００４】図９，１０は、従来の磁性材製のスパッタ
リングターゲットの他の例を示すもので、図７，８と同
様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略す
る。図９のスパッタリングターゲット５は、図７のスパ
ッタリングターゲット４とは４Ａ相当の溝がない点で異
なるものである。また、図１０のスパッタリングターゲ
ット６は、図７のスパッタリングターゲット４とは４Ａ
相当の溝がない点と、形状が円形である点とで異なるも
のである。
リングターゲットの他の例を示すもので、図７，８と同
様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略す
る。図９のスパッタリングターゲット５は、図７のスパ
ッタリングターゲット４とは４Ａ相当の溝がない点で異
なるものである。また、図１０のスパッタリングターゲ
ット６は、図７のスパッタリングターゲット４とは４Ａ
相当の溝がない点と、形状が円形である点とで異なるも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９，１０のスパッタ
リングターゲットによると、スパッタ面において、磁石
２ａ，２ｂ間の空間に対応する個所に磁束が集中するた
め、エロージョン（磁界による自己スパッタ）が進行し
てエロージョン溝５ａ，６ａが形成される。この結果、
ターゲット寿命が短くなる。また、ターゲットの一部分
が集中的にイオンに打たれるため、スパッタ粒径が不揃
いになり、スパッタ組成や膜厚分布の均一性が低下す
る。
リングターゲットによると、スパッタ面において、磁石
２ａ，２ｂ間の空間に対応する個所に磁束が集中するた
め、エロージョン（磁界による自己スパッタ）が進行し
てエロージョン溝５ａ，６ａが形成される。この結果、
ターゲット寿命が短くなる。また、ターゲットの一部分
が集中的にイオンに打たれるため、スパッタ粒径が不揃
いになり、スパッタ組成や膜厚分布の均一性が低下す
る。
【０００６】一方、図７，８のスパッタリングターゲッ
トによると、溝４Ａに放電プラズマが集中的に作用する
ため、高速のスパッタリングが可能になるものの、溝４
Ａにてエロージョンが進行するのを避けることができな
い。このため、ターゲット寿命が短くなると共にスパッ
タ粒径が不揃いになるという問題点を免れない。
トによると、溝４Ａに放電プラズマが集中的に作用する
ため、高速のスパッタリングが可能になるものの、溝４
Ａにてエロージョンが進行するのを避けることができな
い。このため、ターゲット寿命が短くなると共にスパッ
タ粒径が不揃いになるという問題点を免れない。
【０００７】この発明の目的は、ターゲット寿命の延長
とスパッタ組成及び膜厚分布の均一性向上とを達成でき
る新規なスパッタリングターゲットを提供することにあ
る。
とスパッタ組成及び膜厚分布の均一性向上とを達成でき
る新規なスパッタリングターゲットを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係るスパッタ
リングターゲットは、バッキングプレートを介して磁界
が印加される磁性材製のスパッタリングターゲットであ
って、スパッタ面においてエロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域の近傍に磁束漏洩用の溝を設けたこ
とを特徴とするものである。
リングターゲットは、バッキングプレートを介して磁界
が印加される磁性材製のスパッタリングターゲットであ
って、スパッタ面においてエロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域の近傍に磁束漏洩用の溝を設けたこ
とを特徴とするものである。
【０００９】この発明のスパッタリングターゲットによ
れば、スパッタ面においてエロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域の近傍に磁束漏洩用の溝を設けたの
で、放電プラズマは、磁束集中領域のみならず磁束漏洩
用の溝及びその近傍にも作用するようになり、スパッタ
面積が拡大される。このため、ターゲットの均一消費が
可能となり、ターゲット寿命が延長される。また、スパ
ッタ粒径が揃うようになり、スパッタ組成の均一性及び
スパッタ膜厚分布の均一性が向上する。
れば、スパッタ面においてエロージョン溝の形成が予想
される磁束集中領域の近傍に磁束漏洩用の溝を設けたの
で、放電プラズマは、磁束集中領域のみならず磁束漏洩
用の溝及びその近傍にも作用するようになり、スパッタ
面積が拡大される。このため、ターゲットの均一消費が
可能となり、ターゲット寿命が延長される。また、スパ
ッタ粒径が揃うようになり、スパッタ組成の均一性及び
スパッタ膜厚分布の均一性が向上する。
【００１０】この発明のスパッタリングターゲットにお
いては、磁束集中領域を両側から挟むように磁束漏洩用
の溝を複数設けたり、磁束集中領域の一方側及び他方側
にそれぞれ磁束漏洩用の溝を複数並設したりしてもよ
く、磁束漏洩用の溝を複数並設したときは磁束集中領域
に近い溝より磁束集中領域から遠い溝を深く形成しても
よい。このようにすると、スパッタ面積が一層拡大さ
れ、ターゲット消費の均一性が一層向上する。
いては、磁束集中領域を両側から挟むように磁束漏洩用
の溝を複数設けたり、磁束集中領域の一方側及び他方側
にそれぞれ磁束漏洩用の溝を複数並設したりしてもよ
く、磁束漏洩用の溝を複数並設したときは磁束集中領域
に近い溝より磁束集中領域から遠い溝を深く形成しても
よい。このようにすると、スパッタ面積が一層拡大さ
れ、ターゲット消費の均一性が一層向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１，２は、この発明の一実施形
態に係るスパッタリングターゲットを示すもので、図１
は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す。
態に係るスパッタリングターゲットを示すもので、図１
は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す。
【００１２】Ｃｕ等の導電材からなるバッキングプレー
ト１２の一方の主面には、磁界発生装置１０が設けられ
と共に、バッキングプレート１２の他方の主面には、Ｆ
ｅ等の磁性材からなるスパッタリングターゲット１４が
設けられている。磁界発生装置１０は、バッキングプレ
ート１２側がＮ極になるようにバッキングプレート１２
の中央部に配置された永久磁石１０ａと、この永久磁石
１０ａを四角枠状に取囲み且つバッキングプレート１２
側がＳ極になるように配置された永久磁石１０ｂとを備
えている。スパッタリングターゲット１４には、破線Ｍ
で磁束分布を示すように磁界発生装置１０からバッキン
グプレート１２を介して磁界が印加される。
ト１２の一方の主面には、磁界発生装置１０が設けられ
と共に、バッキングプレート１２の他方の主面には、Ｆ
ｅ等の磁性材からなるスパッタリングターゲット１４が
設けられている。磁界発生装置１０は、バッキングプレ
ート１２側がＮ極になるようにバッキングプレート１２
の中央部に配置された永久磁石１０ａと、この永久磁石
１０ａを四角枠状に取囲み且つバッキングプレート１２
側がＳ極になるように配置された永久磁石１０ｂとを備
えている。スパッタリングターゲット１４には、破線Ｍ
で磁束分布を示すように磁界発生装置１０からバッキン
グプレート１２を介して磁界が印加される。
【００１３】スパッタリングターゲット１４のスパッタ
面において、エロージョン溝の形成が予想される磁束集
中領域１４ａの内側には、磁石１０ａの４つの外側壁に
それぞれ対応して磁束漏洩用の溝１６，１８，２０，２
２が形成されると共に、磁束集中領域１４ａの外側に
は、磁石１０ｂの４つの内側壁にそれぞれ対応して磁束
漏洩用の溝２４，２６，２８，３０が形成されている。
溝１６〜３０について、深さＤは、０．２〜０．６ｍｍ
程度とすることができる。溝１６〜３０の形成は、切削
加工等により行うことができる。
面において、エロージョン溝の形成が予想される磁束集
中領域１４ａの内側には、磁石１０ａの４つの外側壁に
それぞれ対応して磁束漏洩用の溝１６，１８，２０，２
２が形成されると共に、磁束集中領域１４ａの外側に
は、磁石１０ｂの４つの内側壁にそれぞれ対応して磁束
漏洩用の溝２４，２６，２８，３０が形成されている。
溝１６〜３０について、深さＤは、０．２〜０．６ｍｍ
程度とすることができる。溝１６〜３０の形成は、切削
加工等により行うことができる。
【００１４】溝１６〜３０を設けたので、磁束集中領域
１４ａのみならず磁束漏洩用の溝１６〜３０及びその近
傍にも導電プラズマが作用するようになり、スパッタ面
積が拡大される。このため、ターゲット１４の均一消費
が可能となり、ターゲット寿命が延長される。また、ス
パッタ粒径が揃うようになり、スパッタ組成や膜厚分布
の均一性が向上する。
１４ａのみならず磁束漏洩用の溝１６〜３０及びその近
傍にも導電プラズマが作用するようになり、スパッタ面
積が拡大される。このため、ターゲット１４の均一消費
が可能となり、ターゲット寿命が延長される。また、ス
パッタ粒径が揃うようになり、スパッタ組成や膜厚分布
の均一性が向上する。
【００１５】図３，４は、この発明の他の実施形態に係
るスパッタリングターゲットを示すもので、図３は、図
４のＢ−Ｂ’線断面を示す。図３，４において、図１，
２と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省
略する図３，４のスパッタリングターゲット１４は、図
１，２に関して前述したスパッタリングターゲットにお
いて、溝１６〜３０をいずれも２本にしたものに相当す
る。すなわち、エロージョン溝の形成が予想される磁束
集中領域１４ａの内側には、４組の磁束漏洩用の溝１６
ａ−１６ｂ，１８ａ−１８ｂ，２０ａ−２０ｂ，２２ａ
−２２ｂが磁石１０ａの４つの外側壁にそれぞれ対応し
て設けられると共に、磁束集中領域１４ａの外側には、
４組の磁束漏洩用の溝２４ａ−２４ｂ，２６ａ−２６
ｂ，２８ａ−２８ｂ，３０ａ−３０ｂが磁石１０ｂの４
つの内側壁にそれぞれ対応して設けられている。磁束漏
洩用の各組の２本の溝は、ほぼ平行に延長するように形
成されている。
るスパッタリングターゲットを示すもので、図３は、図
４のＢ−Ｂ’線断面を示す。図３，４において、図１，
２と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省
略する図３，４のスパッタリングターゲット１４は、図
１，２に関して前述したスパッタリングターゲットにお
いて、溝１６〜３０をいずれも２本にしたものに相当す
る。すなわち、エロージョン溝の形成が予想される磁束
集中領域１４ａの内側には、４組の磁束漏洩用の溝１６
ａ−１６ｂ，１８ａ−１８ｂ，２０ａ−２０ｂ，２２ａ
−２２ｂが磁石１０ａの４つの外側壁にそれぞれ対応し
て設けられると共に、磁束集中領域１４ａの外側には、
４組の磁束漏洩用の溝２４ａ−２４ｂ，２６ａ−２６
ｂ，２８ａ−２８ｂ，３０ａ−３０ｂが磁石１０ｂの４
つの内側壁にそれぞれ対応して設けられている。磁束漏
洩用の各組の２本の溝は、ほぼ平行に延長するように形
成されている。
【００１６】図５は、図３，４のスパッタリングターゲ
ットの変形例を示すもので、図３，４と同様の部分には
同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
ットの変形例を示すもので、図３，４と同様の部分には
同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００１７】図５のスパッタリングターゲット１４は、
図３，４に関して前述したスパッタリングターゲットに
おいて、磁束漏洩用の各組の２本の溝のうち磁束集中領
域１４ａに近い溝より磁束集中領域１４ａから遠い溝を
深く形成したものに相当する。すなわち、溝１６ａ〜３
０ａより溝１６ｂ〜３０ｂが深く形成されている。溝１
６ａ〜３０ａについて、深さＤ１は、０．２〜０．６ｍ
ｍとすることができると共に、溝１６ｂ〜３０ｂについ
て、深さＤ２は、０．６〜０．７ｍｍとすることができ
る。
図３，４に関して前述したスパッタリングターゲットに
おいて、磁束漏洩用の各組の２本の溝のうち磁束集中領
域１４ａに近い溝より磁束集中領域１４ａから遠い溝を
深く形成したものに相当する。すなわち、溝１６ａ〜３
０ａより溝１６ｂ〜３０ｂが深く形成されている。溝１
６ａ〜３０ａについて、深さＤ１は、０．２〜０．６ｍ
ｍとすることができると共に、溝１６ｂ〜３０ｂについ
て、深さＤ２は、０．６〜０．７ｍｍとすることができ
る。
【００１８】図６は、図３，４のスパッタリングターゲ
ットの他の変形例を示すもので、図３，４と同様の部分
には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
ットの他の変形例を示すもので、図３，４と同様の部分
には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００１９】図６のスパッタリングターゲット１４は、
図３，４に関して前述したスパッタリングターゲットに
おいて、磁束漏洩用の各組の２本の溝をそれぞれ複数に
分割したものに相当する。すなわち、溝１６ａ，１６
ｂ、２０ａ，２０ｂ、２４ａ，２４ｂ、２８ａ，２８ｂ
は、各組毎に２分割されると共に、溝１８ａ，１８ｂ、
２２ａ，２２ｂ、２６ａ，２６ｂ、３０ａ，３０ｂは、
各組毎に３分割されている。
図３，４に関して前述したスパッタリングターゲットに
おいて、磁束漏洩用の各組の２本の溝をそれぞれ複数に
分割したものに相当する。すなわち、溝１６ａ，１６
ｂ、２０ａ，２０ｂ、２４ａ，２４ｂ、２８ａ，２８ｂ
は、各組毎に２分割されると共に、溝１８ａ，１８ｂ、
２２ａ，２２ｂ、２６ａ，２６ｂ、３０ａ，３０ｂは、
各組毎に３分割されている。
【００２０】図３〜６に関して前述したパッタリングタ
ーゲットによれば、図１，２に関して前述したパッタリ
ングターゲットに比べてスパッタ面積が一層拡大され
る。従って、ターゲット寿命が一層延長されると共に、
スパッタ組成や膜厚分布の均一性が一層向上する。
ーゲットによれば、図１，２に関して前述したパッタリ
ングターゲットに比べてスパッタ面積が一層拡大され
る。従って、ターゲット寿命が一層延長されると共に、
スパッタ組成や膜厚分布の均一性が一層向上する。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、磁性
材製のスパッタリングターゲットのスパッタ面において
エロージョン溝の形成が予想される磁束集中領域の近傍
に磁束漏洩用の溝を設けてターゲットの均一消費を可能
としたので、ターゲット寿命の延長とスパッタ組成及び
膜厚分布の均一性向上とを達成できる効果が得られる。
材製のスパッタリングターゲットのスパッタ面において
エロージョン溝の形成が予想される磁束集中領域の近傍
に磁束漏洩用の溝を設けてターゲットの均一消費を可能
としたので、ターゲット寿命の延長とスパッタ組成及び
膜厚分布の均一性向上とを達成できる効果が得られる。
【図１】 この発明の一実施形態に係るスパッタリング
ターゲットを示す断面図である。
ターゲットを示す断面図である。
【図２】 図１のスパッタリングターゲットのスパッタ
面を示す平面図である。
面を示す平面図である。
【図３】 この発明の他の実施形態に係るスパッタリン
グターゲットを示す断面図である。
グターゲットを示す断面図である。
【図４】 図３のスパッタリングターゲットのスパッタ
面を示す平面図である。
面を示す平面図である。
【図５】 図３，４のスパッタリングターゲットの変形
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図６】 図３，４のスパッタリングターゲットの他の
変形例を示す断面図である。
変形例を示す断面図である。
【図７】 従来のスパッタリングターゲットの一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】 図７のＸ−Ｘ’線に沿う断面図である。
【図９】 従来のスパッタリングターゲットの他の例を
示す一部断面斜視図である。
示す一部断面斜視図である。
【図１０】 従来のスパッタリングターゲットの更に他
の例を示す一部断面斜視図である。
の例を示す一部断面斜視図である。
１０：磁界発生装置、１２：バッキングプレート、１
４：スパッタリングターゲット、１４ａ：磁束集中領
域、１６〜３０，１６ａ〜３０ａ，１６ｂ〜３０ｂ：磁
束漏洩用の溝。
４：スパッタリングターゲット、１４ａ：磁束集中領
域、１６〜３０，１６ａ〜３０ａ，１６ｂ〜３０ｂ：磁
束漏洩用の溝。
Claims (4)
- 【請求項１】 バッキングプレートを介して磁界が印加
される磁性材製のスパッタリングターゲットであって、 スパッタ面においてエロージョン溝の形成が予想される
磁束集中領域の近傍に磁束漏洩用の溝を設けたことを特
徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 前記磁束集中領域を両側から挟むように
前記溝を複数設けたことを特徴とする請求項１記載のス
パッタリングターゲット。 - 【請求項３】 前記磁束集中領域の一方側及び他方側に
それぞれ前記溝を複数並設したことを特徴とする請求項
１記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 前記磁束集中領域に近い溝より前記磁束
集中領域から遠い溝を深く形成したことを特徴とする請
求項３記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026406A JP4007010B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026406A JP4007010B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003226965A true JP2003226965A (ja) | 2003-08-15 |
| JP4007010B2 JP4007010B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=27748251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002026406A Expired - Fee Related JP4007010B2 (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4007010B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007239099A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
| US20080116066A1 (en) * | 2004-11-17 | 2008-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering Target, Sputtering Target-Backing Plate Assembly and Deposition System |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
| JP5377796B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| CN107151784A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-12 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种阴极磁控溅射靶装置 |
| KR20180110109A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-08 | 제이엑스금속주식회사 | 이그니션을 안정화하는 것이 가능한 스퍼터링 타깃 |
| KR20200129190A (ko) | 2015-05-21 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107866286A (zh) * | 2013-03-15 | 2018-04-03 | 金马克诊断股份有限公司 | 用于操纵可变形流体容器的系统、方法和设备 |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002026406A patent/JP4007010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9685307B2 (en) | 2004-11-17 | 2017-06-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target, sputtering target-backing plate assembly and deposition system |
| US20080116066A1 (en) * | 2004-11-17 | 2008-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering Target, Sputtering Target-Backing Plate Assembly and Deposition System |
| EP2236644A3 (en) * | 2004-11-17 | 2012-01-04 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target backing plate assembly and film deposition system |
| JP2007239099A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
| US8778150B2 (en) | 2009-02-26 | 2014-07-15 | Canon Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing magnetic device |
| JP5377796B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR20200129190A (ko) | 2015-05-21 | 2020-11-17 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 |
| US10984992B2 (en) | 2015-05-21 | 2021-04-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target |
| KR20180110109A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-08 | 제이엑스금속주식회사 | 이그니션을 안정화하는 것이 가능한 스퍼터링 타깃 |
| US11193199B2 (en) | 2016-03-09 | 2021-12-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target capable of stabilizing ignition |
| CN107151784A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-12 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种阴极磁控溅射靶装置 |
| CN107151784B (zh) * | 2017-05-26 | 2019-08-16 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种阴极磁控溅射靶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4007010B2 (ja) | 2007-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100396456B1 (ko) | 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 | |
| US6395146B2 (en) | Sputtering assembly and target therefor | |
| JP5059429B2 (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| US20120119861A1 (en) | Permanent Magnets Array for Planar Magnetron | |
| JP2003226965A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH11500490A (ja) | 磁性ターゲット材料のスパッタ方法及び装置 | |
| KR20100040855A (ko) | 멀티타겟 스퍼터 소스 및 다층 증착 방법 | |
| JP2001064770A (ja) | スパッタリング装置 | |
| CN109371372A (zh) | 一种平衡磁场溅射镀膜装置 | |
| WO2003023814A3 (en) | Flat magnetron sputter apparatus | |
| KR950000011B1 (ko) | 마그네트론 스패터링장치 및 박막형성방법 | |
| US20020195336A1 (en) | System for unbalanced magnetron sputtering with AC power | |
| US20090277780A1 (en) | Sputtering device | |
| JPH02194171A (ja) | マグネトロンスパッタリング源 | |
| JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
| CN101142094A (zh) | 磁控管溅射室上的分离磁体环 | |
| KR101330651B1 (ko) | 타깃 조립체 및 이 타깃 조립체를 구비한 스퍼터링 장치 | |
| JPS6217175A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP4071861B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3414667B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法 | |
| JP5145020B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JPS6039158A (ja) | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト | |
| CN111996504A (zh) | 铁磁性靶材磁控溅射装置 | |
| JP4270669B2 (ja) | 強磁性体のマグネトロンスパッタ方法および装置 | |
| JP4056132B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040521 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070508 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070709 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070807 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |