JP2003229083A - 改良された環境型走査電子顕微鏡 - Google Patents
改良された環境型走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JP2003229083A JP2003229083A JP2003006761A JP2003006761A JP2003229083A JP 2003229083 A JP2003229083 A JP 2003229083A JP 2003006761 A JP2003006761 A JP 2003006761A JP 2003006761 A JP2003006761 A JP 2003006761A JP 2003229083 A JP2003229083 A JP 2003229083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- sample
- electron
- electrode
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 title claims abstract description 96
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 53
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 2
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
- H01J37/228—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object whereby illumination or light collection take place in the same area of the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2002—Controlling environment of sample
- H01J2237/2003—Environmental cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
- H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
する環境型走査電子顕微鏡を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 バイアスを加えられたリング電極が試料
からの2次電子を検出するほか、後方散乱電子に由来す
る信号を低減し、かつ電子ビームによって発生させられ
る信号雑音を低減するために、バイアスを加えられた圧
力制限開口電子検出器も備えられる。光学窓装置が備え
られ、使用者は従来の環境型SEM電子像(直径0.5
mmが限界である)を約7〜10mmに至る視野を包含
する標本の光学的可視光観察に容易に切り換えることが
できる。更に、この環境型SEMの構造は、慣用のSE
MにおけるEDX検出器の取り出し角と同等なX線検出
器(EDX検出器)の取り出し角を実現する。
Description
詳しくは、気体環境において標準的なSEMの解像性能
に到達する環境型(environmental)走査電子顕微鏡に
関するものである。
準的な走査電子顕微鏡(SEM)に優る利点は、SEM
における通常の真空環境では像を形成することが極めて
困難な、水分を含んだ試料あるいは非導電性試料(例え
ば、生体系材料、プラスチック類、セラミック類、繊維
類)の高解像電子像を結ぶ能力にある。環境型電子顕微
鏡は、高真空電子ビーム観察で通常必要とされるような
乾燥、冷凍、もしくは真空コーティングによって試料が
変形されることがなく、試料の「自然な」状態はそのま
ま保たれる。また、環境型電子顕微鏡の試料室でたいて
い許容される比較的高いガス圧は効果的に作用して、非
導電性試料の表面に通常生成して高品質な像形成を阻害
する表面電荷を消衰させる。また、環境型走査電子顕微
鏡は、通常のSEM試料室で許容される蒸気圧とは掛け
離れた比較的高い蒸気圧で起こる流動性輸送、化学反
応、溶解、水和作用、結晶化、その他の過程を直接に実
時間で観察することを可能にする。
れているように、米国特許第4,596,928号で提
唱された環境型電子顕微鏡の当初の構想は、試料室を気
体環境に曝して、試料を液体中もしくは自然の状態に保
持するための条件付与媒体として作用させることであっ
た。また、試料室の気体環境を2次電子信号の増幅媒体
として使用する方法が、米国特許第4,785,182
号に開示されている。
SEMでは、試料を電子ビーム柱の磁気対物レンズ内に
完全に収容し、圧力制御と信号検出手段とを組み合せ
て、高真空下において、前処理を施さないフルサイズ試
料の電子ビーム観察が実現された。米国特許第4,82
3,006号の環境型SEM設計は、圧力制御、電子ビ
ーム集束、及び信号増幅に関する諸要求を同時に満足
し、しかも試料の取扱いあるいは顕微鏡の解像力に関し
て実用上の制限を生ずることもなかった。しかし、米国
特許第4,824,006号の環境型SEMの弱点は、
最終圧力制限開口によって標本を観察できる視野が制限
されることである。試料室から流出する気体が電子柱の
作用に影響を与えたり、1次電子ビームを吸収したりす
るのを防ぐためには、圧力制限開口が必要である。この
圧力制限開口も典型的には直径0.5ミリメートルであ
る。また、このことによって、視野は直径約0.5ミリ
メートルに制限される。このように視野が制限される
と、操作者は、標本の何処を観察しているか、また観察
したい領域はどこにあるのか、を知ることが困難にな
る。
電子像(直径略0.5ミリメートル制限される)と、S
EMの典型的な視野性能と同等な略7〜10mmの視野
を含む標本の光学的可視光観察とを、操作者が切り換え
できる光学窓装置を具備した環境型走査電子顕微鏡を実
現することが望ましい。
特許第4,826,006号で開示されたものよりも更
に複雑な検出器配列を開示して、異なるバイアスを印加
した1組の電極を用いて気体中のその他の信号(例え
ば、後方散乱電子)の検出を可能にしている。米国特許
第4,897,545号は、各種の電極を使用して、試
料室からの様々な信号を収集する手段を論じているが、
一方の電極からの信号を最適化するために他方の電極に
印加すべき適切なバイアスについて論ずるには至ってい
ない。更に、米国特許第4,897,545号では、不
要な信号の収集手段として電極を使用したり、あるいは
1次ビームによって生じた信号雑音を低減させるために
電極を使用したりする構想についてはなんら言及してい
ない。したがって、信号の後方散乱電子成分、及び1次
電子ビームによって生ずる信号雑音を低減させることに
よって、2次電子検出能力を向上する環境型SEMの実
現が望ましい。
び米国特許第4,897,545号の環境型SEMの比
較において、所望の2次電子の検出後における信号増幅
を最適化して、検出器雑音を信号それ自身に含まれる雑
音以下に低減させるが、像を形成するために適切な全信
号帯域幅を保持できる環境型SEMの実現が望ましいこ
とが明らかになった。
築したりあるいは標本からX線データのような他の情報
を収集したりするために、電子ビームが標本を覆うよう
に走査できる方法を用いている。これらの方法では、標
本の像の幾何学的な歪みを許容範囲内に抑えたまま、標
本の大部分を走査できる。典型的なSEMでは、電子銃
は比較的大きな(20マイクロメートル)電子源を発生
するが、標本の微小な詳細部の像を描くためには、この
電子群を所要の微小サイズに縮小する必要がある。この
縮小化は典型的には光学真空柱内の3つの電子レンズに
よって行われる。電子群の小部分のみが、「ペンシルビ
ーム」と便宜的にと呼ばれる最終ビームとして、標本に
到達する(図1の参照番号2を見よ)。
1次ビームを走査させるために、対物レンズ組立体5内
に3及び4のような走査コイルが配置される。2組の走
査コイル3及び4を通って電流が流れると、ペンシルビ
ームは図2に示すように偏向する。
力制限開口6及び7によって、試料室8内では高圧(例
えば、略5トル)が保たれるが、走査コイル9a、9b
の領域では高真空(例えば、略0.0001トル)が保
たれるようにできる。これらの圧力制限開口は通常は直
径0.3mm〜0.5mmであるから、前述のように、
これらの開口が標本を観察する視野を直径約0.5mm
に制限する。対照的に、典型的なSEMでは同じ動作条
件下で少なくとも10倍の視野が可能になる。したがっ
て、視野を増した少なくとも2つの圧力制限開口を備え
た環境型走査電子顕微鏡用の走査コイル偏向機構の実現
が望ましい。
ような従来の環境型SEMでは、X線検出器(EDX検
出器)の取り出し角は慣用のSEMのEDX検出器の取
り出し角と同等ではない。図4に示すように、慣用のS
EMでは、対物レンズ202の円錐状基底部201の効
果によって、エネルギー分散形X線検出器(EDX)20
3はEDX検出器の柱体部を標本空間に張り出さないで
取り出し角略30%で標本表面から出たX線を収集でき
る。
うに、偏平な下方柱端部205を持つ対物レンズ204
と、ガスマニホルド206及び207(圧力制限開口を
通って流入するガスを排気するために使用される)は、
同じ高さにある。環境型SEMでは、標本とデータ収集
デバイスとの間の作動距離は可能な限り短縮しなければ
ならないから、EDX検出器が標本室内で占有できる空
間は制約される。このようなわけで、図5の環境型SE
Mの設計では、この作動距離を制限するために、標本室
におけるEDX検出器208の取り出し角を略20°に
制限している。したがって、慣用のSEMのEDX検出
器の取り出し角と同等のEDX検出器の取り出し角を備
えた環境型SEMの実現が望まれる。
解消する改良された環境型走査電子顕微鏡を提供するこ
とである。
送、化学反応、溶解、水和作用、結晶化、その他の過程
を直接に実時間で観察できるようにする改良された環境
型走査電子顕微鏡を提供することも、この発明の目的で
ある。
いは顕微鏡解像力についてはなんらの実用上の制限も設
けないで、圧力制御、電子ビーム集束及び信号増幅に関
する所要の条件を同時に満たす改良された環境型走査電
子顕微鏡を提供することである。
的なSEM解像度に到達できる改良された環境型走査電
子顕微鏡を提供することである。
信号の後方散乱電子成分を低減するとともに、1次ビー
ムによって生ずる信号雑音を低減して、性能を向上した
2次電子検出器を具備する改良された環境型走査電子顕
微鏡を提供することである。
い表面積に電子ビームが入射できる改良された環境型走
査電子顕微鏡を提供し、それによって、標準的SEMの
試料観察視野と同等に拡大された試料観察視野を更に提
供することである。
器によって検出された信号用の改良された増幅器を具備
する改良された環境型走査電子顕微鏡を提供することで
ある。
察するための改良された方法を備える改良された環境型
走査電子顕微鏡を提供することである。
使用しながら同時に、試料の光学的観察を可能にする走
査電子顕微鏡を提供することである。
MのEDX検出器の取り出し角と同等にまでEDX検出
器の取り出し角を向上した改良された環境型走査電子顕
微鏡を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、電極が機械的
に支持されている検出器組立体を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、電極検出器に
よって検出された信号のそれぞれは、電極検出器組立体
の他の電極検出器によって検出された信号から分離でき
る検出器組立体を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、電子雑音の収
集を低減するために静電シールドを備える検出器組立体
を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、圧力制限開口
を絶縁するが、支持構造体の絶縁材は1次ビームを乱さ
ないように「隠される」検出器組立体を提供することで
ある。
子顕微鏡用の電極組立体であって、電極の支持構造体は
電気的に絶縁されて、電極によって収集される各種の信
号が相互結合しないようにする電極組立体を提供するこ
とである。
顕微鏡用の電極検出器組立体であって、強固な(例え
ば、標本との接触その他の所要の条件によって生ずる機
械的損傷を最小化するに十分な強度を有する)電極構造
体を備える検出器組立体を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、軽易にクリー
ニング可能であり、それによって含水もしくは汚染した
標本で実施された実験の残留物を除去できる検出器組立
体を提供することである。
子顕微鏡用の電極検出器組立体であって、比較的安価に
交換できる検出器組立体を提供することである。
特徴は次の詳細な説明から容易に明らかになろうが、そ
の斬新な特徴は添付の特許請求の範囲に詳細に示してあ
る。
する改良された環境型走査電子顕微鏡に関するものであ
る。
は、電子ビームを発生し、そのビームを観察対象の試料
に指向するための電子銃を具備する。この環境型走査電
子顕微鏡の対物レンズ組立体内で、電子ビームは電子光
学柱を通過して、差動的に排気される開口柱に到る。差
動的に排気される開口柱内で、電子ビームは集束し、最
終圧力制限開口の直径を横切るように走査する。
され、試料を圧力制限開口に正対させ気体環境で包まれ
た状態に保持して、試料の表面が電子の集束ビームに曝
されるようにする。試料マウントは試料室の内部に設置
され、試料を圧力制限開口の略1〜25mm下方に支持
するように配置され、電子の集束ビームが試料と相互作
用できるようにする。
境型SEMは電子検出器構造体を具備してなり、この構
造体は試料の表面から出た信号のうち後方散乱した電子
成分を低減し、かつ1次電子ビームによって生ずる信号
雑音を低減する。更に詳細に述べると、この構造体は、
試料室内であってかつ試料の表面の上方において、圧力
制限開口と、最終圧力制限開口もしくはその直下に設け
られてバイアスを印加されるリング電極とが一体構造に
なった、バイアス印加圧力制限開口電極を備える。この
リング電極組立体は、略50〜100μm径の細いリン
グ構造体で構成され、金属、焦性黒鉛等のような導電性
材料から作られる。リング電極は、適切にバイアスをか
けられて、標本の表面から出た2次電子からの所望の信
号を収集する。
器電極は適切にバイアスをかけられて、(1)1次電子
と試料室内の気体との衝突によって生じた2次電子、
(2)圧力制限開口を通過した後方散乱電子と試料室内
の気体との衝突によって生じた2次電子、(3)標本と
試料室のその他の部分との間の気体を通過した後方散乱
電子の衝突によって生じた2次電子、および(4)圧力
制限開口に衝突した後方散乱電子によって生じた2次電
子、を含む有害な2次電子は圧力制限開口電極によって
途中で遮られて収集されるようになる。したがって、こ
れらの有害な2次電子信号成分はリング電極には収集さ
れず、リング電極から導出された2次電子像は一層純粋
な2次電子像であり、一層低い雑音レベルを示すように
もなる。
型SEMは、リング電極で収集された信号を増幅するた
めの改良された増幅器を具備する。この増幅器はリング
電極のバイアス電圧で浮かせてあり、増幅器の出力はビ
デオ表示装置に供給される。増幅器は抵抗値Rの抵抗を
含むフィードバック機構を備える。増幅器の出力信号は
増幅され、Rによって損失した高周波信号を復元するよ
うにする。更に、増幅器は、いわゆるバーチャルアース
もしくは接地モードで動作する。
ング電極の電圧を保つ。この設計によって、増幅器の出
力端における雑音も低減し、この環境型SEMの雑音の
主源はビームのショット雑音に由来するようになる。こ
の雑音低減を達成するためには、抵抗Rは少なくとも1
Mオームとなる。
の環境型走査電子顕微鏡電子像(典型的には直径0.5
mmに制限される)と略7〜10mmの視野をカバーす
る標本の光学的可視光観察とを容易に切り換えることも
できる。この環境型走査電子顕微鏡の光学覗窓装置は
(1)光源から試料を照射し試料の像を反射して試料の
継続的光学像を供給する光学像生成装置と、(2)光学
像を環境型SEM表示装置および制御画面に表示できる
光学的表示装置とを備える。
が磁界集束レンズに取り付けられて試料に正対する。試
料はミラー(および対物レンズの下面)の反射光で照射
される。ミラーは標本の像を得るためにも使用され、レ
ンズを介して電荷結合素子(「CCD」)TVカメラに
像を送り返す。カメラからのTV信号は標準TVモニタ
に直接供給され、標本の継続的光学観察を実現する。こ
の光学像生成装置によって、実質的に「垂直俯瞰(top
down)」観察に等しい標本の観察が可能になる。
者に操作および状態情報を表示するためのメニュー表示
領域とを有する表示画面を備える。影像表示領域には、
リング電極によって受け取られた電子像あるいは光学像
生成装置によって生成された光学像のいずれでも表示で
きる。更に、影像表示領域では、標本の電子像が光学像
のなかに「親子画像(picture-in-picture)」表示とし
て挿入されることも、あるいはその逆も可能であって、
操作者は標本の光学像と電子像とのうち選ばれたほうに
即座に切り換えることができる。
X検出器)の取り出し角は、慣用のSEMのEDX検出
器の取り出し角と同等である。略30°の取り出し角を
実現するために、圧力制限開口組立体は最終磁極片から
下方へ伸びて、試料が圧力制限開口の下方略1〜25m
mに配置されるようにする。
は、試料の視野が拡大されており、標準的SEMの視野
と同等なことである。1次ビームが衝突する試料の表面
積を増すために、対物レンズ組立体は2つの圧力制限開
口と焦点距離を短くした磁気レンズの筐体を通過する電
子ビームを三重偏向させる走査組立体を備える。この設
計の結果として、環境型SEMは標本の視野を略7〜1
0mmにまで到達させている。
走査電子顕微鏡の改良された電極検出器組立体も提供さ
れる。調査中の試料の表面から出た信号を収集する電極
に機械的強度を付与するために、この電子検出器組立体
はプリント回路板の形態をとっている。プリント回路板
は、試料から出た信号を収集するための収集電極を有す
る検出器ヘッドを備えている。一つの実施態様では、こ
れらの収集電極は、バイアスをかけられて試料の表面か
ら出た2次電子を収集するようにされたリング信号電極
と、バイアスをかけられて後方散乱および小角反射の電
子から生ずる信号を低減するようにされた電極パッドと
を備える。
リント回路板は、信号の絶縁手段となり、信号をエッジ
コネクタに伝導する。電線はプリント回路板に埋め込ま
れた導電路の形態をとる。
検出器組立体は、電気雑音の捕捉を低減するための静電
シールド手段も提供する。静電シールドを達成するため
に、プリント回路板の頂面および底面は金めっきされた
銅被覆を備える。
は、信号リング電極からなる内側電子検出器と、内側電
子検出器の半径方向外側に配置されて複数の同心弧状セ
グメントからなる中間電子検出器と、中間電子検出器の
半径方向外側に配置されて第2の複数の同心孤状セグメ
ントからなる外側電子検出器を有してなる全体として環
状の電極組立体を備える。この構成では、信号リング電
極は試料の表面からでた増幅された低エネルギー2次電
子を主として収集する。中間電子検出器の第1の複数の
同心孤状セグメントは増幅された比較的高エネルギーの
後方散乱電子信号を主として収集する。第2の複数の同
心孤状セグメントは増幅された低角後方散乱電子信号を
主として収集する。
回路板は、試料の表面から生じた2次電子を収集するた
めの検出器ヘッドと、その上に一体形成された最終圧力
制限開口の両方を備える。その結果として、圧力制限開
口は異なる寸法に簡単に相互交換可能であり、また、圧
力制限開口/電極構造体を製造するコストは比較的安価
なので、使用者は各種の寸法の圧力制限開口をもつ組立
体を1組と限らず入手できる。
極検出器組立体は、また、対物レンズ組立体と試料室間
の気密シールと、電極検出器組立体を環境型走査電子顕
微鏡から簡単に取り外す手段も提供する。そのような結
果を得るために、真空シール用リングが検出器本体に密
に嵌合したプリント回路板から対物レンズ組立体まで伸
びて、対物レンズ組立体と試料室との間の気密シールを
形成する。更に、この真空シールリングはプリント回路
板を適切に配置させ、それによって、環境型走査電子顕
微鏡の収集電極と検出器ヘッドの圧力制限開口とを一体
構成にする。
備えられ、検出器ヘッドから離隔したプリント回路板の
一端を受け止め、プリント回路板を環境型走査電子顕微
鏡内の所定の位置に保持する。プリント回路板を環境型
走査電子顕微鏡から簡単に取り外せるように、プリント
回路板はプリント回路板コネクタにスナップ止めされ
る。
ずる2次電子および後方散乱電子を発生し、増幅し、検
出するためのデバイスを備えた環境型走査電子顕微鏡が
示してある。電子のビーム12が、電子銃(図示せず)
によって対物レンズ組立体11の電子光学柱10を通っ
て放射される。真空光学柱10は下端部に最終圧力制限
開口14を備えている。この圧力制限開口14は開口担
体15の下端に形成される。この開口担体15は、19
92年7月1日出願の米国特許出願番号07/908,
870号で論じられており、その内容を本明細書に援用
する。この開口担体は最終圧力制限開口14の上方に、
電子光学柱10と直接連通する第2の圧力制限開口17
を有する。好ましくは、最終圧力制限開口14は略50
0ミクロンの直径を有する。電子ビームは、電子ビーム
の強さを制御するために用いられる磁気レンズ16およ
び18を通過する。集束手段20は、真空柱に隣接する
対物レンズ組立体11の内部に位置し、最終圧力制限開
口14を通るように電子のビームを指向することができ
る。
通って試料室22内に指向され、そこで試料ステージ2
6上に支持された試料24に衝突する。試料マウントす
なわちステージ26は試料室22の内部に設置され、最
終圧力制限開口の略1〜25mm、好ましくは1〜10
mm、下方に試料24を支持するように配置され、電子
のビームが試料と相互作用できるようにする。試料室は
光学真空柱10の下方に配置され、圧力略1〜50トル
の気体、好ましくは窒素もしくは水蒸気の環境内におい
て圧力制限開口と正対する位置に試料24を保持するこ
とができ、それによって電子銃から放射されて圧力制限
開口14を通るように指向された荷電粒子ビームに試料
の表面が曝されるようにする。
制限開口14と試料24との間にリング検出器28が備
えられる。このリング電極検出器は好ましくは細いリン
グで形成され金属で作られる。好ましい実施態様では、
リング検出器の線径は略50〜1000ミクロンであ
る。リング検出器28の直径は圧力制限開口14の直径
よりも僅かに大きく、圧力制限開口14の直下に隔離し
て配置される。
図6に示すように、2次電子35と、37、38、およ
び39のような後方散乱電子とが、試料から放出され
る。例示のため、図6では、リング電極28には略+5
00Vのバイアス電圧が印加される。圧力制限開口14
を構成する衝突検出器30はバイアスをかけてない。こ
の構成で、リング電極28の高正電圧が原因となって、
2次電子35が試料から放出され、それらの2次電子が
試料室26内の気体環境の気体分子に衝突するまで加速
されるようになる。気体環境との多重衝突が原因となっ
て、他の電子が放出され、同様にリング電極28に向け
て加速される。一般的には、多数のこのような衝突があ
り、ついには何百何千の電子の雲がリング電極28に到
達する。しかし、リング電極28の主たる目的は、試料
24から出た2次電子によって誘発された電子を収集す
ることである。
他の原因による気体衝突によっても発生する;すなわ
ち: a)1次ビーム12と試料室の気体環境との衝突、これ
らの2次電子は図6では参照番号43で表してある; b)圧力制限開口14を通過する後方散乱電子37と試
料室22の気体環境との衝突、これらの2次電子は参照
番号45と見出しを付けて表してある; c)試料24と試料室のその他の部位との間の気体環境
を通過する後方散乱電子38の衝突、これらの2次電子
は参照番号47で表してある;および d)圧力制限開口14に衝突し、参照番号49で示され
る2次電子を発生する後方散乱電子39である。
次電子は試料室の気体環境における気体増殖によって増
幅され、所望の2次電子信号を増加する。しかし、4
3、45、47および49のような後方散乱電子に由来
する2次電子は、リング検出器28によって受け取られ
た2次電子像に有害な後方散乱成分を付加する。その
上、1次ビーム12と試料室の気体環境との衝突によっ
て生成した2次電子43は有害な背景雑音成分の原因と
なる。
発明の環境型走査電子顕微鏡は性能を向上した2次電子
検出器を組み入れて、図6にある信号43、45、47
および49のような信号の後方散乱電子成分を低減さ
せ、更に信号43のような1次電子によって生成される
信号雑音を低減させる。図7に示す本発明の実施態様で
は、リング電極28は略200〜2000ボルト、好ま
しくは500ボルトの電位にバイアスをかけられる。そ
れに加えて、圧力制限開口電極50は、圧力制限開口を
画定する衝突検出器に一体に形成され、200〜200
0ボルトの電位のバイアスがかけられる。好ましい実施
態様では、リング電極28と圧力制限開口電極50とに
同一電位のバイアスをかけるのが望ましいことが分かっ
た。
極50とが共に500ボルトのバイアスをかけられると
すれば、所望の2次電子35は試料室22の気体環境内
で加速され増幅されて、やはりリング電極28によって
収集される更に多くの2次電子36を発生する。しか
し、この構造では、有害な2次電子の大部分は圧力制限
開口電極50で遮られる。更に詳述すれば、後方散乱電
子37との衝突によって発生する2次電子45は、圧力
制限開口電極50の正電位表面に吸引される。更に、1
次ビーム12と試料室22の気体環境との衝突によって
発生した多数の2次電子も圧力制限開口電極50に吸引
される。また、後方散乱電子39と圧力制限開口50と
の衝突によって発生した2次電子49はもはや加速され
て圧力制限開口から逸走することはなく、気体増幅作用
は起こらない。したがって、大部分の有害な信号成分は
リング電極28によって収集されず、それゆえに、リン
グ電極28から出る画像信号は一層低い雑音レベルを有
する一層純粋な2次電子像である。このようにして、こ
の設計は、標準的なSEMの解像特性と同等な約40n
mという試料の影像解像力を提供することが分かった。
を収集するために、第2のリング電極29が最終圧力制
限開口14の上方の開口担体15の内部に配置されても
よい(図7を見よ)。この電極29も細いリングで形成
され金属で作られる。
子顕微鏡は、リング検出器電極28から出る信号用の性
能を向上した増幅器組立体52も具備する。この環境型
走査電子顕微鏡では、リング電極28からの信号電流
は、いわゆるバーチャルアースモードで使用される電流
増幅器54に流れる。前述のように、リング電極28と
圧力制限開口50は典型的には同一直流バイアス(V
1)(図7の例では、略500V)で最良に動作する。
この電圧は試料室内で十分な気体増殖作用を得るに要す
る電圧に設定される。図8のバーチャルアース増幅器
は、リング電極28に印加されるバイアス電圧を基準と
して浮かせた電源で動作させる。増幅器の他の入力端
(56と指定された+入力端)もバイアス電圧に接続さ
れる。58で示されるような増幅器の出力は、慣用の設
計の光結合増幅器システム(図示せず)を用いて、通常
の接地電位を基準とするように変換される。
の形態のフィードバック系を備える。その結果として、
増幅器54の出力は IsR+V1 によって表され、
Isはリング電極28によって収集される電流であり、
V1は増幅器に印加されるバイアス電圧である。その結
果として、増幅器54はリング電極28の電圧をV1に
極く近くなるように保持する。
4の出力には雑音も存在する。この雑音は多数の原因に
よって発生する;すなわち:(a)信号電流Is中のシ
ョット雑音、(b)増幅器で発生する雑音、および
(c)抵抗60からのジョンソン雑音である。本発明の
環境型SEMを使用して、試料の最良解像度を得るため
に標本の最小スポットサイズを得ようとする場合には、
影像雑音を最小化するように像は比較的緩慢な走査速度
で走査されなければならない。典型的には、略1〜2分
の時間が費やされる。
抵抗値を好ましくは少なくとも1Mオームとする。この
高抵抗値は増幅器54の周波数応答性を制限し、早い走
査速度で適切な影像を得ることは困難となる。適切な影
像を得るためには、ブースタ付高周波応答による別の増
幅器(図示せず)が用いられ、入力端における損失を補
償する。以前の環境型SEMでは、高速走査に適切な高
周波応答性を得るために、増幅器は低抵抗(50kオー
ム)を使用した。しかし、この抵抗は有害なレベルのジ
ョンソン雑音を発生した。したがって、図8の増幅器シ
ステム52も前述のように雑音の主な原因は電子ビーム
12中のショット雑音であるように設計された。
環境型走査電子顕微鏡は光学顕微鏡を使用して大形標本
を観察するという進歩した方法を備える。この光学覗窓
装置によれば使用者は通常の環境型SEM電子像(典型
的には直径0.5mmに制限される)を略7〜10mm
に至る視野をカバーする標本の光学的可視光観察に容易
に切り換えることができ、試料の光学的観察が可能な実
質的に性能を向上したSEMを達成する。標本の著しく
広い観察を可能にするほか、この光学覗窓装置は有利に
はフルカラーの標準的光学像である標本の影像を提供す
る。更に、以下に更に詳細に説明するように、この光学
覗窓装置は顕微鏡の電子柱内を覗き込むかのような標本
の観察を可能にする。
(すなわち、試料室の気体環境に浸された検出器)の既
存の特性を利用しており、検出器は試料室22内の光の
影響を受けるおそれがない。これとは対照的に、慣用の
SEMにおいて2次電子結像に用いられる標準的なEv
erhardt−Thornley検出器は、可視スペ
クトルに敏感な光電子増倍管を使用し、それゆえに、可
視光をSEM試料室内に導入することは不可能である。
また、SEMで使用される後方散乱電子検出器は同様に
光に敏感である。
の2つの主要な構成品は次の通りである: (a)図9から図11に示すように、試料の継続的光学
観察を実現するために光源から試料を照射し、ビデオユ
ニットに試料の像を反射するための光学像生成装置;お
よび (b)図12および図13a−dに示すように、TVカ
メラからの像を正規の環境型SEM表示装置および制御
画面に表示できるようにするビデオ切換え信号もしくは
ビデオ表示装置。
環境型SEMでは、試料24は5軸(XYZ、傾斜およ
び回転)の移動を与える自動ステージ26に載せられて
試料室22内に配置される。環境型SEMの試料室22
の外部筐体64を通って伸びるビューポート62も備え
られ、操作者が調査中に試料を直接観察できるようにす
る。
に、光学覗窓装置の光学像生成装置は磁界集束レンズの
最終磁極片68の下面に取り付けられた比較的小型のミ
ラー66、もしくは最終磁極片の光学研磨された反射面
を具備する。この配置でミラー66は試料24に正対す
る。試料はミラー66(および/もしくは次に示すよう
に、対物レンズ68の下面)の反射光によって照明され
る。ミラーは試料24の像をレンズ組立体を介して比較
的小型のCCD TVカメラに転送するためにも使用さ
れる。カメラからのTV信号は標準TVモニタに直接転
送でき、試料の継続的な光学観察を可能にする。
11に示すように、光源70は光ファイバ束72次いで
鉛ガラス窓74に結合される。鉛ガラス窓74は真空シ
ールを成し、試料から出た電子ビーム12によって生ず
るすべてのX線を吸収する。次に光線はレンズ76によ
って集束され、ミラー66で反射されて、試料24に入
射する。好ましい実施態様では、図11に示すように、
ミラー66は本発明の環境型SEMの気体検出器に近接
して配置される。さらに別の好ましい実施態様で、対物
レンズ68の下面すなわち最終磁極片77は十分に研磨
される場合には、ミラー66は省略でき、光ビームは最
終磁極片77で反射されて試料に入射する。
ンズ組立体80に返送される。像はレンズ80を通って
復路を通過した後、2組のプリズム82および84を通
過して、その後で像のビデオ表示を行うCCD撮像集積
回路86に到達する。図11で最も良く分かるように、
第1のプリズム82は本発明の光学装置の内部に配置さ
れ、像は入射方向から180°反転して反射される。し
たがって、像はプリズム82によって、2つの反射点8
2aおよび82bで反射される。像はプリズム82の反
射点82bで反射された後プリズム84に入射し、反射
点84aで直角に一回だけ反射されてCCD撮像集積回
路86に向かう。試料と画像CCDとの間の偶数回の反
射によって反転しない像が得られる。
ーを使用するので、試料の好ましくない斜め観察が起こ
る。本発明の光学覗窓装置では、試料の「垂直俯瞰」観
察に実質的に等価な試料の観察ができるような角度で、
レンズ80およびCCD撮像チップが取り付けられる。
その上に、使用者が顕微鏡の正面から電子光学柱を見下
ろして標本を見ているかのように像が形成される位置
に、CCDチップ86が取り付けられる。好ましい実施
態様では、CCD撮像チップ86は動作上はCCD T
Vカメラに接続され、カメラからのTV信号は直接標準
TVモニタもしくはビデオレコーダに転送されて、試料
の継続的光学観察を行えるようにする。
立体は、メニュー表示領域90と影像表示領域92を含
むVGA表示画面88を備える。メニュー表示領域90
は操作者に操作および状態情報を表示する。
像表示領域92はリング電極28からの処理された電子
像と前述の光学像生成装置によって作成された光学像の
いずれかを表示できる。本発明の光学表示組立体のさら
に別の有利な特性は、試料の様々な電子像と光学像を同
時に見ることができるように「親子画像」表示として影
像表示領域に電子像もしくは光学像を挿入できることで
ある。図13cに示すように、「親子画像」表示として
影像表示領域の電子像94の中に光学像98が挿入され
ている。図13dでは、「親子画像」表示として影像表
示領域92の光学像96の中に電子像200が挿入され
ている。このようにして、図13cの光学像98と図1
3dの電子像100のいずれかの縮小変形もしくは選択
された部分が他の像の中に表示できる。電子回路が図1
3a−dで示した組合せの間で影像を即座に切り換える
ように作られることは、当業者には容易に理解される。
Mの好ましい実施態様では、X線検出器(EDX検出
器)102は略30°の慣用のSEMにおける取り出し
角と同等な取り出し角を有して、試料の表面から放出さ
れるX線を収集する。この所望の取り出し角を得るため
に、圧力制限開口組立体104は、真空柱を試料室から
分離する対物レンズ108の最終磁極片106から下方
に向かって伸びる。この延伸された圧力制限開口組立体
は、圧力制限開口105から試料103に至る気体行程
長を略1〜25mm、更に好ましくは1〜10mmに保
つために用いられる。その結果として、対物レンズ10
8の最終磁極片106から試料103に至る距離が増し
て、図14で角度αによって示される略30°の増大し
た取り出し角を有するEDX検出器が実現する。
査電子顕微鏡は慣用のSEMで得られる視野と同等な拡
大された試料の視野も提供する。図15でさらに詳細に
示すように、圧力制限開口118および120を貫通す
る電子ビームを指向する3組の走査コイル110、11
2、および114と、短焦点距離の磁気レンズ116を
用いることによって、拡大された視野が得られる。さら
に、走査コイルの組110および112は圧力制限開口
118の上方に配置され、走査コイルの組114は圧力
制限開口118と最終圧力制限開口120の間に配置さ
れる。
ば、電子ビームから発散する電子は116のような磁気
レンズの作用によって試料24の上に集束される。線束
の縁部の電子はレンズの作用によってかなり偏向され
る。しかし、図15の環境型SEMの磁気レンズ116
のように、レンズ巻線の電流を増すことによってレンズ
の焦点距離が短縮されると、線束は磁気レンズに近接し
た点を通るようになる。図15の環境型走査電子顕微鏡
に関する短焦点距離レンズの影響を以下に更に詳しく説
明する。
が電子ビーム12を角βで示されるように、上方の圧力
制限開口118に比較的近接して配置された第2の組の
走査コイル112に向かうように角度的には外向きに偏
向する。第2の組の走査コイル112は、角Φで示され
るように、電子ビームを上方の圧力制限開口112を通
って第3の組の走査コイル114に向かうように角度的
には内向きに偏向する。第3の組の走査コイル114
は、ビームを角度的には内向きに偏向し、見かけの軌跡
が電子源の像から出るようにする。磁界集束レンズ11
6は短焦点距離を有しているから、レンズ集束作用は点
124でビームを曲げて、ビームが下方の圧力制限開口
120を通過するようにする。3組の走査コイル11
0、112、および114と短焦点距離の磁界集束レン
ズ116の組合せによって、ビームは角変位の効果で試
料24の一層大きな表面積(例えば、半径10mm)に
衝突するようになる。その結果として、試料の視野は拡
大され、試料の一層大な表面積から放出される2次電子
およびその他の使用可能な情報(X線、イオン、その
他)が検出できる。
SEM解像性能に到達する環境型走査電子顕微鏡が設計
された。このように、出願人は、本明細書で示すよう
に、適切に変形されたSEMを使用して、水蒸気の存在
下で水蒸気がビームスポット径の有意な劣化をもたらす
ことなく試料を観察できることを説明し、画像雑音が電
子ビームのショット雑音に限定され、何らの計測上の制
限もない検出器および信号処理系を製作した。
上した電子検出器組立体であって、電極は機械的に支持
され、電極構造体は強固であって試料との衝突によって
構造体に生ずる損傷を最小にし、支持構造体は電気的に
絶縁されて試料から放出される様々な信号が相互結合す
ることなく、電極構造体は軽易にクリーニング可能であ
り、それによって含水もしくは汚染した試料で実施され
た実験の残留物を除去できる組立体を提供することであ
る。
れた検出器ヘッド、各種の信号が相互結合しないように
電気的に絶縁された支持構造体、および環境型走査電子
顕微鏡内の電極検出器組立体を機械的に支持する支持構
造体を具備する環境型走査電子顕微鏡のために電子検出
器組立体が設計された。
電極検出器組立体130は、調査すべき試料から出た信
号を収集するための収集電極136および138を有す
る検出器ヘッド134を備えたプリント回路板132の
形態である。前述の原理によれば、内側信号リング電極
136は適切にバイアスをかけられて、試料の表面から
出た2次電子を収集する。この信号リング電極136は
好ましくは3本の支持脚140a、140b、および1
40cによって印刷回路板132の検出器ヘッド134
から下向きに支持される。検出器ヘッド134は適切に
バイアスをかけた電極パッド138も備えて、試料の表
面から発して後方散乱および小角反射された電子に由来
する信号を低減するようにする。また、検出器ヘッドは
参照番号142で示すように、斜め下方に傾いており、
前述のように光学的観察装置による試料の観察を妨げな
いようにする。
体では最終圧力制限開口144が、プリント回路板13
2の検出器ヘッド134の信号リング電極136の内側
に形成される。更に、図17に示すように、この最終圧
力制限開口は逆円錐状リング146の端部に形成され、
好ましくは銅で作られて検出器ヘッドの上面に取り付け
られる。その結果として、信号リング136および電極
パッド138のような収集電極は検出器ヘッド上の最終
圧力制限開口144と一体に形成される。
拾う接続線なしで信号リング136との電気的接続を与
える。この結果を得るために適当な絶縁が本発明の電極
検出器組立体に施されて、電極136と138の間の電
気的漏洩を防ぐ。図16に示すように、この絶縁はプリ
ント回路板支持構造体自身の形態によって成される。複
数の導電路148、150、および152がプリント回
路板132に埋め込まれる。導電路150は電極パッド
138に接続される。導電路152は相殺の目的で電気
雑音を収集して、信号との雑音干渉混信から電子的減算
を行うための信号を収集するようにする。最後に導電路
154は接地接続である。これらの導電路148、15
0および152はそれぞれエッジコネクタ156、15
8および160に接続される。次いで、これらのエッジ
コネクタは、収集電極によって受け取られた情報を増幅
するために、導電路によって運ばれた信号を増幅器(図
示せず)に転送する。更に、これらの導電路の各々は露
出部分を有しているが、銅を有害な気体もしくは酸化か
ら保護するように金で電気めっきされている。
は、図16および図17に示すように、金めっきされた
銅被覆164および166を備える。この銅被覆は電気
シールドとなって、埋込み導電路における信号の電気雑
音の収集を低減させ、絶縁回路板の導電性外被となる。
標準めっきされたスルーホール165は外被164およ
び166を相互に結合するために用いられる。2つの表
面164および166はエッジコネクタ162を介して
接地に接続される。更に、標準めっきされたスルーホー
ル182が備えられ、このスルーホールは銅面164お
よび166をプリント回路板132の両面に結合する
(図20参照)。
「D」字状の絶縁リング168も含んでおり、以下に更
に詳しく説明するように、このリングはプリント回路板
に接着されて対物レンズ組立体と試料室の間の真空シー
ルをもたらす。
板技術を用いた電極検出器組立体を使用する環境型走査
電子顕微鏡が示してある。図18で最も良く分かるよう
に、プリント回路板132は試料室170内にほぼ水平
に配置される。電子ビーム176が通過できるような経
路を設けた検出器本体172は、対物レンズ組立体17
4に取り付けられる。この検出器本体172は本出願と
同一の譲受人に譲渡された米国特許第4,823,00
6号で開示された開口担体と類似であるが、本願では検
出器ヘッドは検出器本体の下方部分を形成する点が異な
っている。
出器本体172は対物レンズ174を貫通するように挿
入されて、圧力制限開口144の中心が正しい位置にく
るように調整する際の補助となる。この構成で、信号収
集リング電極136はプリント回路板136から下方に
延びて、観察中の試料178に正対する。その結果とし
て、1次ビーム176はプリント回路板の最終圧力制限
開口144を通り抜けて、試料178に衝突する。こう
して、試料の表面から放射された2次電子は適切にバイ
アスをかけられた信号リング電極136によって収集さ
れる。
に気密シールを施すために、真空シールリング168が
プリント回路板に接着され、検出器本体172から下方
に伸びる環状フランジ180に嵌合される。真空シール
リングは、圧力制限開口144を環境型走査電子顕微鏡
内の適切な位置に配置して電子ビーム176が試料17
8に適切に衝突するようにする際の補助も行う。
回路板の絶縁表面は1次ビームを乱さないように「隠さ
れる」。図20で最も良く分かるように、プリント回路
板の頂面に取り付けられた銅リング171は十分な幅を
有しており、圧力制限開口144の外側に伸びて1次ビ
ーム176がプリント回路板の絶縁表面に衝突しないよ
うにする。
最終圧力制限開口144を形成する逆円錐部分146は
様々な寸法に変更可能であり、プリント回路板は容易に
取り外されて、各種の寸法が挿入されて異なる目的に応
じて異なる寸法の圧力制限開口が与えられる。したがっ
て、圧力制限開口/電極構造体を製作するコストは十分
に安価であり、使用者は各種の寸法の圧力制限開口をも
つ組立体を1組と限らず入手できる。
46から受信された信号は、実際の後方散乱電子信号検
出器として使用されてもよい。電極パッド146がその
ように使用される場合には、プリント回路板上にあって
電極パッド146に近接する電圧面が、2次電子検出器
信号環状電極144によって収集されない後方散乱電子
信号を収集する。したがって、本発明の電極検出器組立
体では、収集パッド146は単に「不要な後方散乱電子
信号および1次ビーム雑音」のみを収集することはな
い。
第4,897,545号では、異なるタイプの電子信号
を拾う多数の電極を標本に近接して配置することによっ
て気体電子検出器が改良された。本願の図21は、この
ような検出器を示す。この検出器は、米国特許第4,8
97,545号で開示されたものであるが、低エネルギ
ー2次電子(電極X)、高エネルギー反射電子(電極C
およびD)、および低角反射電子(電極AおよびB)の
ように異なるタイプの電子を分離できるようにした。前
記の特許で開示されるように、これらの異なるタイプの
電子の各々は標本に関する異なる情報を伝える。
使用するためにプリント回路板技術を用いた電極検出器
組立体184を示すが、この電極検出器組立体は検出器
ヘッドに多数の電極を含んで米国特許第4,897,5
45号に開示された検出器と類似な方法によって各種の
タイプの電子信号を拾う。以下に更に詳しく説明するよ
うに、図22のこの電極検出器組立体は、検出器ヘッ
ド、適当な絶縁、および本願の図16および図17の実
施態様で示したような支持構造体を更に備えている。
86は、好ましくは銅製の3つの電極190、192お
よび194を備える。内側電子検出器190は信号リン
グとして形成され、検出器ヘッド内に形成された圧力制
限開口の半径方向外側に配置される。この信号リング電
極190は標本の表面から発して増幅された低エネルギ
ー2次電子を収集する。中間電子検出器192は、内側
電子検出器190の半径方向外側に配置され、192a
および192bのような第1の複数の同心分割略偏平弧
状セグメントから形成される。中間電子検出器は、主と
して試料の表面から出て増幅された高エネルギー2次電
子信号と後方散乱電子信号の混合信号を収集する。混合
信号に含まれる信号の相対的な強度は、圧力、試料距離
および使用される電極バイアスといったパラメータに依
存する。外側電子検出器194は中間電子検出器192
の半径方向外側に配置され、第2の複数の同心分割略偏
平弧状セグメント194aおよび194bで形成され
る。外側電子検出器194は、標本の表面形状(topogr
aphy)を示す増幅された低角後方散乱反射信号を収集す
る。
広いスペクトルの撮像能力を備えるためには、中間リン
グ電子検出器192の同心弧状セグメント192aおよ
び192b、および外側電子検出器194の同心弧状セ
グメント194aおよび194bは好ましくは相互に概
略直角な向きにある。弧状セグメントの片方の出力を他
の片方の出力から電子的に減算することによって、通常
は典型的な後方散乱電子検出器に関連してなされる方法
で、Z−コントラスト抑圧による表面形状の陰影効果が
得られる。導電体はやはりプリント回路板に埋め込ま
れ、支持構造体は電気的に絶縁されて、各種の信号が相
互結合しないようにされる。図22に示すように、導電
路196、198、200、202および204は収集
電極190、192および194によって受信された信
号を、それぞれ206、208、210、212および
214のようなエッジコレクタに運ぶ。好ましい実施態
様では、導電路200は信号リング電極190に接続さ
れる。導電路198および204は、中間電子検出器1
92の同心弧状セグメント192aおよび192bにそ
れぞれ接続される。導電路196および202は、外側
電子検出器194の同心弧状セグメント194aおよび
194bに接続される。
ら出る2次電子信号216は、信号リング電極190に
衝突するが、その際に高角反射電子220は中間電子検
出器の同軸弧状セグメント192aもしくは192bの
どちかに衝突する。低角反射電子220は、外側電子検
出器194の同軸弧状セグメント194aおよび194
bに衝突する。
のような電極検出器組立体は、本願の図24ないし図2
6に示すように、環境型走査電子顕微鏡内に機械的に支
持される。前述のように、真空シールリング168はプ
リント回路板から上方へ向けて伸びて、本体コネクタす
なわち開口担体172と密に嵌合して気密シールをなす
とともに、圧力制限開口144を適切な位置に配置す
る。信号ヘッドから遠隔したほうのプリント回路板の端
部は、232のような試料室170内に設けられたプリ
ント回路板コネクタにスナップ止めされる。プリント回
路板コネクタ232においては、156、158、16
0もしくは162(図16)あるいは206、208、
210、212および214(図22)のようなエッジ
コネクタが適当な結線に接続され、結線は信号を増幅器
(図示せず)に運んで収集電極が受け取った情報を増幅
するようにする。プリント回路板コネクタ232はレン
ズ174で支持され、ケーブル結線234および236
によって試料室170に接続される。また、試料室の真
空特性を保持するために、接続ケーブル234と236
の間には真空シールコネクタ238が設けられる。した
がって、このようにして、シールリング171およびP
CBコネクタ232はともに共働して、プリント回路板
を環境型走査電子顕微鏡内で所望の向きに機械的に支持
する。
顕微鏡からのプリント回路板の取り外しが示してある。
図25で、プリント回路板132は最初に矢印aの向き
に回動されて、真空シールリング171が本体検出器す
なわち開口担体172の下方延伸フランジ180から外
される。その後で、プリント回路板132とプリント回
路コネクタ232とのスナップ止めが外され、プリント
回線板が解放されて、プリント回路板は矢印bの方向に
移動され、環境型走査電子顕微鏡から取り外される。そ
の結果として、圧力制限開口は別の寸法に簡単に交換で
きるようになるし、また圧力制限開口/電極構造体を製
作するコストは十分安価になって使用者は異なる寸法の
圧力制限開口を備えた組立体を1組と限らず入手できる
ようになる。
路板検出器によってつくられる高電圧用の離隔空間を詳
細に示す。プリント回路板132と本体検出器180と
の嵌合構造の結果として、高電圧用の離隔空間がつくら
れる(図27の高さcおよび長さdを見よ)。この電圧
隔離は図28にも反映されており、参照番号240とし
て示されている。逆向き部分146および銅リング17
1は、高圧のバイアスをかけられており、検出器本体1
80は略0ボルトにバイアスがかけられている。
結果として、真空環境におけるガス放出は最小化され、
電極構造体は高温実験に伴う高温に対して耐性を有し、
機械的に安定で、かついずれの金属表面も環境型走査電
子顕微鏡で使用される気体環境に対して耐性を有する。
更に、プリント回路板は極めて正確に機械加工できるし
高温で使用することもできる。
路板は主としてガラス繊維およびエポキシで作られる。
しかし、ガラス繊維およびエポキシは多層セラミック基
板に置換されてもよい。
して、比較的安価なプリント回路板構造体が使用され、
電極は機械的に支持され、信号収集のために埋込み導電
路が備えられ、1次ビームに対して露出する絶縁体はな
く、支持構造体は強固であって試料で構造体を打撃した
ために生ずる損傷を最小化し、構造体は簡単にクリーニ
ングでき、かつ安価に交換できる。
て詳しく説明したが、本発明の趣旨および範囲を逸脱す
ることなく、種々な変更および変形が可能なことを当業
者には容易に理解できよう。添付の特許請求の範囲は、
前述した事柄および各種の他の類似の変更および変形を
含むものと解釈されるべきである。
の図面と関連させて最も良く理解できるであろうが、こ
こで説明する特定の実施態様のみに本発明を限定する意
図ではない。
ある。
ある。
る環境型走査電子顕微鏡の概略図である。
概略図である。
X線検出器用の構造体の概略図である。
概略図である。
査電子顕微鏡の好ましい一実施態様の概略図である。
される改良された信号増幅装置の概略図である。
学装置の平面図である。
光学装置の側面図である。
置の表示画面である。
可能な画像組合せの概略図である。
X線検出器組立体の概略図である。
た環境型走査電子顕微鏡の一実施態様の概略図である。
の電極検出器組立体の底面図である。
いた環境型走査電子顕微鏡の好ましい一実施態様の概略
図である。
いた環境型走査電子顕微鏡の別の概略図である。
概略図であって、特に本発明の本体検出器と電極検出器
組立体との間のシーリングを示す。
検出器組立体の正面図である。
の電極検出器組立体の別の好ましい実施態様の底面図で
ある。
査電子顕微鏡の概略図である。
た本発明の教示による電極検出器組立体の別の概略図で
ある。
器の取り外しを示す概略図である。
器の取り外しを示す概略図である。
電極検出器組立体を示す別の概略図であって、更に詳し
くは、それによって与えられる高電圧絶縁のための離間
空間を示す。
の電極検出器組立体の底面図であって、電極検出器組立
体内の高電圧絶縁の離隔空間を示す。
Claims (11)
- 【請求項1】 調査対象の試料から出る信号を収集する
ための収集電極手段を表面に有する検出器ヘッドを含む
プリント回路板を含んでなる環境型走査電子顕微鏡用の
電子検出器。 - 【請求項2】 前記検出器ヘッドがバイアスを加えられ
る信号リング電極を含み、試料の表面から出た2次電子
を収集するようにする請求項1記載の電子検出器。 - 【請求項3】 前記検出器ヘッドがバイアスを加えられ
る電極パッドを含み、試料の表面から出た後方散乱電子
および低角反射電子に由来する信号を低減するようにし
た請求項1記載の電子検出器。 - 【請求項4】 前記プリント回路板が絶縁手段を含ん
で、前記収集電極手段の電極間の電気的漏洩を防止する
ようにする請求項1記載の電子検出器。 - 【請求項5】 前記絶縁手段がプリント回路板に埋め込
まれた導電手段を含んで、前記収集電極手段によって受
信された信号をエッジコレクタ手段へ運ぶようにした請
求項4記載の電子検出器。 - 【請求項6】 請求項1記載の電子検出器であって、静
電雑音の混信を低減するように静電遮蔽手段を更に含む
環境型走査電子顕微鏡。 - 【請求項7】 電子ビームが試料室内に支持された調査
対象の試料に衝突する環境型走査電子顕微鏡のための電
子検出器であって、前記検出器が (a)試料から出た信号を収集するための収集電極手段
を持った検出器ヘッド、 (b)前記収集電極手段の電極間の電気漏洩を防止する
ための絶縁手段、 (c)静電雑音の混信を低減するための静電遮蔽手段、
および (d)環境型走査電子顕微鏡内部に前記プリント回路板
を支持するための支持手段、 を有するプリント回路板を含んでなる電子検出器。 - 【請求項8】 請求項7記載の電子検出器であって、信
号との雑音干渉混信から電子的減算のための信号を収集
するように雑音収集手段を更に含む電子検出器。 - 【請求項9】 前記検出器ヘッドが一体的に形成された
圧力制限開口を含み、その中を電子ビームが通過できる
ようにする請求項7記載の電子検出器。 - 【請求項10】 前記絶縁手段がプリント回路板に埋め
込まれた導電手段を含んで、前記収集電極手段によって
受信された信号をエッジコネクタ手段へ運ぶように構成
され、前記導電手段が複数の導電路を含み、当該導電路
のうちの少なくとも1つは電気雑音を相殺目的で収集す
るための手段を提供する請求項7記載の電子検出器。 - 【請求項11】 前記検出器ヘッドは全体として環状の
電極組立体を含む請求項7記載の電子検出器であって、
前記の環状の電極組立体が、信号リング電極から形成さ
れた内側電子検出器、前記内側電子検出器の半径方向外
側に配置されて第1の複数の同心弧状セグメントから形
成された中間電子検出器、および前記中間電子検出器の
半径方向外側に配置されて第2の複数の同心弧状セグメ
ントから形成された外側電子検出器を有する電子検出
器。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US100,545 | 1993-07-30 | ||
| US08/100,545 US5362964A (en) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | Environmental scanning electron microscope |
| US253,548 | 1994-06-03 | ||
| US08/253,548 US5412211A (en) | 1993-07-30 | 1994-06-03 | Environmental scanning electron microscope |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50591395A Division JP3457671B2 (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-25 | 改良された環境型走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229083A true JP2003229083A (ja) | 2003-08-15 |
| JP4056890B2 JP4056890B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=26797291
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50591395A Expired - Lifetime JP3457671B2 (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-25 | 改良された環境型走査電子顕微鏡 |
| JP2003006761A Expired - Lifetime JP4056890B2 (ja) | 1993-07-30 | 2003-01-15 | 改良された環境型走査電子顕微鏡 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50591395A Expired - Lifetime JP3457671B2 (ja) | 1993-07-30 | 1994-07-25 | 改良された環境型走査電子顕微鏡 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5412211A (ja) |
| EP (2) | EP0924743A1 (ja) |
| JP (2) | JP3457671B2 (ja) |
| AT (1) | ATE189558T1 (ja) |
| DE (1) | DE69422932T2 (ja) |
| WO (1) | WO1995004367A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066715A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Horon:Kk | 試料室差動排気装置 |
| JP2012503856A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ビー−ナノ リミテッド | 真空化されたデバイス、および、走査型電子顕微鏡 |
| WO2014054477A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、隔膜の位置調整方法および隔膜位置調整ジグ |
| US9269533B2 (en) | 2014-03-04 | 2016-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Analysis apparatus and analysis method |
| US9431213B2 (en) | 2008-07-03 | 2016-08-30 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
| US9466458B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-10-11 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9400111A (nl) * | 1994-01-24 | 1995-09-01 | Biomat Res Group Stichting Azl | Elektronenmicroscoop met Ramanspectroscopie. |
| JPH07262959A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Nikon Corp | 走査型電子顕微鏡 |
| US5644132A (en) * | 1994-06-20 | 1997-07-01 | Opan Technologies Ltd. | System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen |
| US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
| US6025592A (en) * | 1995-08-11 | 2000-02-15 | Philips Electronics North America | High temperature specimen stage and detector for an environmental scanning electron microscope |
| EP1003200B1 (en) * | 1996-08-08 | 2004-06-02 | Fei Company | High temperature specimen stage and detector for an environmental scanning electron microscope |
| US5900667A (en) * | 1996-10-04 | 1999-05-04 | Etec Systems, Inc. | Operating a solid state particle detector within a magnetic deflection field so as to minimize eddy currents |
| JPH10134751A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 環境制御型の走査型電子顕微鏡 |
| IL120754A0 (en) | 1997-05-01 | 1998-01-04 | Yeda Res & Dev | Optical resonators with discontinuous phase elements |
| WO1999030345A1 (en) * | 1997-12-08 | 1999-06-17 | Philips Electron Optics B.V. | Environmental sem with a magnetic field for improved secondary electron detection |
| US5945672A (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-31 | Fei Company | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope |
| DE19845329C2 (de) * | 1998-03-10 | 2001-09-27 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
| WO1999046797A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
| US6501077B1 (en) * | 1998-09-25 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| IL127359A0 (en) | 1998-12-01 | 1999-10-28 | Yeda Res & Dev | Computerized adaptive imaging |
| AU7309400A (en) * | 1999-09-15 | 2001-04-17 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Optical resonators with orthogonally polarized modes |
| IL136080A0 (en) * | 2000-05-11 | 2001-05-20 | Yeda Res & Dev | Sequence-to-sequence alignment |
| EP1315957A4 (en) * | 2000-08-17 | 2006-10-11 | Yeda Res & Dev | PROCESS FOR IDENTIFICATION AND QUANTIFICATION OF BIOLOGICAL MOLECULES AND DEVICE THEREFOR |
| AU2002221019B2 (en) * | 2000-12-01 | 2007-02-08 | El-Mul Technologies Ltd. | Device and method for the examination of samples in a non-vacuum environment using a scanning electron microscope |
| JP2004523027A (ja) * | 2000-12-05 | 2004-07-29 | イエダ リサーチ アンド ディベロプメント カンパニー リミテッド | 空間的または時間的にオーバーラップしない画像シーケンスの位置合わせのための装置並びに方法 |
| IL157406A0 (en) * | 2001-02-26 | 2004-03-28 | Yeda Res And Dev Company Ltd Y | Method and apparatus for detecting and quantifying a chemical substance employing a spectral propertty of metallic islands |
| US20020148971A1 (en) * | 2001-03-05 | 2002-10-17 | Michael Sogard | Lens assembly for electron beam column |
| US6563124B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Electron beam apparatus having traversing circuit boards |
| US6803583B2 (en) | 2001-03-21 | 2004-10-12 | M.E. Taylor Engineering Inc. | Scintillator for electron microscope and method of making |
| IL143538A0 (en) * | 2001-06-03 | 2002-04-21 | Yeda Res & Dev | Atomic lithography using squeezed atomic states |
| US20050154563A1 (en) * | 2001-08-27 | 2005-07-14 | Ulf Hassler | Device and method for evaluating a characteristic of an object |
| ATE524821T1 (de) | 2002-05-31 | 2011-09-15 | Zeiss Carl Smt Ltd | Verbesserungen in einem teilchendetektor |
| WO2003104846A2 (en) | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Quantomix Ltd. | A sample enclosure for a scanning electron microscope and methods of use thereof |
| IL150056A0 (en) * | 2002-06-05 | 2002-12-01 | Yeda Res & Dev | Low-pressure chamber for scanning electron microscopy in a wet environment |
| US7076996B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-07-18 | Veeco Instruments Inc. | Environmental scanning probe microscope |
| US6674076B1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-01-06 | Ballard Power Systems Inc. | Humidified imaging with an environmental scanning electron microscope |
| US20070125947A1 (en) * | 2003-02-20 | 2007-06-07 | David Sprinzak | Sample enclosure for a scanning electron microscope and methods of use thereof |
| US7112803B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-09-26 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Beam directing system and method for use in a charged particle beam column |
| JP4319636B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2009-08-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 低真空走査電子顕微鏡 |
| WO2007021163A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Cebt Co. Ltd. | Detector for electron column and method for detecting electrons for electron column |
| NL1030295C2 (nl) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Fei Co | Hermetisch afgesloten behuizing met elektrische doorvoer. |
| EP2109873B1 (en) * | 2007-02-06 | 2017-04-05 | FEI Company | High pressure charged particle beam system |
| CZ2007685A3 (cs) * | 2007-10-04 | 2008-12-17 | Ústav prístrojové techniky AV CR, v.v.i. | Ionizacní detektor environmentálního rastrovacíhoelektronového mikroskopu |
| JP5276860B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2013-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| US7791020B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-07 | Fei Company | Multistage gas cascade amplifier |
| US8299432B2 (en) * | 2008-11-04 | 2012-10-30 | Fei Company | Scanning transmission electron microscope using gas amplification |
| US8059271B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-11-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Reusable sample holding device permitting ready loading of very small wet samples |
| US9189728B2 (en) | 2009-07-23 | 2015-11-17 | I-Property Holding Corp. | Method for the authentication of dosage forms |
| US9679741B2 (en) | 2010-11-09 | 2017-06-13 | Fei Company | Environmental cell for charged particle beam system |
| EP2518755B1 (en) * | 2011-04-26 | 2014-10-15 | FEI Company | In-column detector for particle-optical column |
| US20120306998A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Merrill Ii Dennis E | Macro Area Camera for an Infrared (IR) Microscope |
| JP6364167B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-07-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 環境制御型荷電粒子観察システム |
| CN103594310B (zh) * | 2013-11-22 | 2015-09-16 | 北京中科科仪股份有限公司 | 高温二次电子探测器收集组件及高温扫描电镜 |
| US9097737B2 (en) | 2013-11-25 | 2015-08-04 | Oxford Instruments Asylum Research, Inc. | Modular atomic force microscope with environmental controls |
| US9478390B2 (en) * | 2014-06-30 | 2016-10-25 | Fei Company | Integrated light optics and gas delivery in a charged particle lens |
| US9583307B2 (en) * | 2015-07-01 | 2017-02-28 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for controlling specimen outgassing |
| US11996264B1 (en) * | 2023-09-06 | 2024-05-28 | Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc | Sample mount for electron backscatter diffraction |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2899556A (en) * | 1952-10-17 | 1959-08-11 | Apparatus for the treatment of substances | |
| US2908821A (en) * | 1955-05-06 | 1959-10-13 | Ontario Research Foundation | Apparatus for spectrochemical analysis and structural analysis of solids, fluids andgases by means of x-rays |
| DE1133841B (de) * | 1957-09-11 | 1962-07-26 | Leitz Ernst Gmbh | Elektronenmikroskop zur direkten Abbildung von Oberflaechen durch Sekundaerelektronen, Verfahren zur Untersuchung von Nichtleitern oder Halbleitern und Anordnung zur Durchfuehrung des Verfahrens |
| US2991362A (en) * | 1959-03-27 | 1961-07-04 | Ontario Research Foundation | Means and method for X-ray spectrometry |
| GB918297A (en) * | 1960-04-07 | 1963-02-13 | William Charles Nixon | Improvements in electron microscopes |
| NL289910A (ja) * | 1962-03-08 | |||
| US3509335A (en) * | 1967-06-26 | 1970-04-28 | William Charles Nixon | Electron microscope having two separate specimen stages |
| US3612859A (en) * | 1968-01-31 | 1971-10-12 | Westinghouse Electric Corp | Method for measuring and controlling the density of a metallic vapor |
| US3720633A (en) * | 1968-11-12 | 1973-03-13 | Monsanto Co | Polyvinyl alcohol adhesive composition with high wet tack containing a boron compound and a cis 1,2-polyol compound |
| USRE27005E (en) * | 1969-08-15 | 1970-12-15 | Electron reflection seam tracker | |
| US3629579A (en) * | 1970-01-16 | 1971-12-21 | Hitachi Ltd | Electron probe specimen stage with a scattered electron detector mounted thereon |
| DE2011193C3 (de) * | 1970-03-10 | 1974-03-28 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Vorrichtung für die Elektronen-Rastermikroskopie und die Elektronenstrahl-Mikroanalyse |
| US3761709A (en) * | 1971-03-16 | 1973-09-25 | Jeol Ltd | Method and apparatus for observing biological specimens using a scanning electron microscope |
| GB1447983A (en) * | 1973-01-10 | 1976-09-02 | Nat Res Dev | Detector for electron microscopes |
| US3958124A (en) * | 1973-09-17 | 1976-05-18 | Etec Corporation | Method and apparatus for sem specimen coating and transfer |
| US3885157A (en) * | 1973-12-12 | 1975-05-20 | Electron Optical Research And | Electron beam image processing device |
| US4071766A (en) * | 1974-03-28 | 1978-01-31 | Mta Kozponti Kemiai Kutato Intezet | Micro-chamber for electron optical examinations particularly for the electron microscopic examination of biological objects |
| GB1477458A (en) * | 1974-10-28 | 1977-06-22 | Shah J | Specimen stages for electron beam instruments |
| DE2514266C2 (de) * | 1975-03-27 | 1977-04-28 | Siemens Ag | Korpuskularstrahloptisches geraet mit zwei in strahlrichtung aufeinanderfolgenden teilraeumen unterschiedlicher druecke |
| DE2541245A1 (de) * | 1975-09-12 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Korpuskularstrahl-rastermikroskop |
| JPS52128053A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-27 | Hitachi Ltd | Electron microscope |
| NL175245C (nl) * | 1977-05-26 | 1984-10-01 | Philips Nv | Elektronenmicroscoop met hulplens en elektromagnetische lens hiervoor. |
| JPS583588B2 (ja) * | 1978-02-03 | 1983-01-21 | 株式会社日立製作所 | イオン↓−電子複合分析装置 |
| AU534811B2 (en) * | 1979-07-03 | 1984-02-16 | Unisearch Limited | Atmospheric scanning electron microscope |
| DE3000449A1 (de) * | 1980-01-08 | 1981-09-10 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | Ablenkobjektiv |
| FR2485189A1 (fr) * | 1980-06-19 | 1981-12-24 | Beauvineau Jacky | Spectroscope optique a reseaux et miroirs pour microscope electronique a balyage |
| FR2498767A1 (fr) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Cameca | Micro-analyseur a sonde electronique comportant un systeme d'observation a double grandissement |
| GB2130433B (en) * | 1982-03-05 | 1986-02-05 | Jeol Ltd | Scanning electron microscope with as optical microscope |
| JPS59109840A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-25 | Hitachi Koki Co Ltd | 走査形電子顕微鏡用生物試料の前処理方法 |
| IE58049B1 (en) * | 1985-05-21 | 1993-06-16 | Tekscan Ltd | Surface analysis microscopy apparatus |
| US4720633A (en) * | 1986-01-17 | 1988-01-19 | Electro-Scan Corporation | Scanning electron microscope for visualization of wet samples |
| GB8604004D0 (en) * | 1986-02-18 | 1986-03-26 | Cambridge Instr Ltd | Specimen chamber |
| JPS62223957A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | ハイブリツド荷電粒子光学系 |
| EP0275306B1 (en) * | 1986-08-01 | 1990-10-24 | Electro-Scan Corporation | Multipurpose gaseous detector device for electron microscopes |
| US4798989A (en) * | 1986-09-26 | 1989-01-17 | Research Development Corporation | Scanning tunneling microscope installed in electron microscope |
| US4823006A (en) * | 1987-05-21 | 1989-04-18 | Electroscan Corporation | Integrated electron optical/differential pumping/imaging signal detection system for an environmental scanning electron microscope |
| US4785182A (en) * | 1987-05-21 | 1988-11-15 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
| US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
| US4880976A (en) * | 1987-05-21 | 1989-11-14 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
| JPH01110204A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡用走査トンネル顕微鏡 |
| US4859856A (en) * | 1988-01-11 | 1989-08-22 | International Business Machines Corporation | Telecentric sub-field deflection with vail |
| US4983833A (en) * | 1988-11-21 | 1991-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for the detecting of charged secondary particles |
| JP2794471B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1998-09-03 | 日本電子テクニクス株式会社 | 電子顕微鏡 |
| JPH0687003B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡 |
| US5023452A (en) * | 1990-04-20 | 1991-06-11 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for detecting trace contaminents |
| JP3285092B2 (ja) * | 1990-10-12 | 2002-05-27 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡、及び走査形電子顕微鏡による試料像形成方法 |
| JPH0756443B2 (ja) * | 1990-12-20 | 1995-06-14 | 株式会社島津製作所 | 生体試料観察用走査型トンネル顕微鏡 |
| US5155368A (en) * | 1991-04-16 | 1992-10-13 | Micrion Corporation | Ion beam blanking apparatus and method |
| US5122663A (en) * | 1991-07-24 | 1992-06-16 | International Business Machine Corporation | Compact, integrated electron beam imaging system |
-
1994
- 1994-06-03 US US08/253,548 patent/US5412211A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-25 WO PCT/US1994/008392 patent/WO1995004367A1/en not_active Ceased
- 1994-07-25 JP JP50591395A patent/JP3457671B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-25 EP EP99200725A patent/EP0924743A1/en not_active Withdrawn
- 1994-07-25 DE DE69422932T patent/DE69422932T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-25 AT AT94922723T patent/ATE189558T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-07-25 EP EP94922723A patent/EP0753200B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-15 JP JP2003006761A patent/JP4056890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066715A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Horon:Kk | 試料室差動排気装置 |
| US9431213B2 (en) | 2008-07-03 | 2016-08-30 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
| JP2012503856A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ビー−ナノ リミテッド | 真空化されたデバイス、および、走査型電子顕微鏡 |
| WO2014054477A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、隔膜の位置調整方法および隔膜位置調整ジグ |
| JP2014072111A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、隔膜の位置調整方法および隔膜位置調整ジグ |
| KR20150046265A (ko) * | 2012-10-01 | 2015-04-29 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자선 장치, 격막의 위치 조정 방법 및 격막 위치 조정 지그 |
| US9251996B2 (en) | 2012-10-01 | 2016-02-02 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device, position adjusting method for diaphragm, and diaphragm position adjusting jig |
| KR101691872B1 (ko) | 2012-10-01 | 2017-01-02 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자선 장치, 격막의 위치 조정 방법 및 격막 위치 조정 지그 |
| US9466458B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-10-11 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope |
| US9269533B2 (en) | 2014-03-04 | 2016-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Analysis apparatus and analysis method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0924743A1 (en) | 1999-06-23 |
| EP0753200A4 (en) | 1998-04-01 |
| DE69422932D1 (de) | 2000-03-09 |
| ATE189558T1 (de) | 2000-02-15 |
| JPH09501010A (ja) | 1997-01-28 |
| EP0753200A1 (en) | 1997-01-15 |
| WO1995004367A1 (en) | 1995-02-09 |
| JP4056890B2 (ja) | 2008-03-05 |
| DE69422932T2 (de) | 2000-10-05 |
| EP0753200B1 (en) | 2000-02-02 |
| US5412211A (en) | 1995-05-02 |
| JP3457671B2 (ja) | 2003-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3457671B2 (ja) | 改良された環境型走査電子顕微鏡 | |
| US5362964A (en) | Environmental scanning electron microscope | |
| EP0444085B1 (en) | Improved electron detector for use in a gaseous environment | |
| US5828064A (en) | Field emission environmental scanning electron microscope | |
| EP0970503B1 (en) | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope | |
| EP1022766B1 (en) | Particle beam apparatus | |
| AU748781B2 (en) | Environmental SEM with a magnetic field for improved secondary electron detection | |
| JPH09171791A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| US4596929A (en) | Three-stage secondary emission electron detection in electron microscopes | |
| JP4361603B2 (ja) | 環境走査型電子顕微鏡用高温試料ステージ及び検出器 | |
| US5097127A (en) | Multiple detector system for specimen inspection using high energy backscatter electrons | |
| AU748840B2 (en) | Environmental SEM with multipole fields for improved secondary electron detection | |
| JP3244620B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| US6630667B1 (en) | Compact, high collection efficiency scintillator for secondary electron detection | |
| JP3494152B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| EP1003200B1 (en) | High temperature specimen stage and detector for an environmental scanning electron microscope | |
| EP0443410B1 (en) | Multiple detector system for specimen inspection using high energy backscatter electrons | |
| JPS6014737A (ja) | 反射電子検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050105 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061222 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070323 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070522 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070820 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071001 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |