JP2003229263A - 発光装置及び発光方法 - Google Patents

発光装置及び発光方法

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JP2003229263A
JP2003229263A JP2002023438A JP2002023438A JP2003229263A JP 2003229263 A JP2003229263 A JP 2003229263A JP 2002023438 A JP2002023438 A JP 2002023438A JP 2002023438 A JP2002023438 A JP 2002023438A JP 2003229263 A JP2003229263 A JP 2003229263A
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electrode
thin film
organic thin
anode electrode
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Yuji Ichinohe
裕司 一戸
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電極や有機薄膜に欠陥部分があったとしても、
全体の発光量の低下が少ない発光装置を得る。 【解決手段】本発明の発光装置10では、アノード電極
13が複数本に分離されており、各アノード電極13に
同じ電圧を印加することによって、有機薄膜16で構成
された発光単位を全て発光させ、各発光単位から放射さ
れる光によって一つの照明光が構成される。発光単位を
構成する有機薄膜16は互いに分離されており、一つの
有機薄膜16に欠陥があったとしても、周囲の有機薄膜
16は影響を受けない。また、アノード電極13も複数
に分離されているので、1本のアノード電極13に欠陥
があっても他のアノード電極13に影響はない。このよ
うに、本発明の発光装置10では、欠陥があったとして
も全体の光量の低下が少ない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL素子の分
野にかかり、特に、有機EL素子を発光装置に用いる技
術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、発光装置として、電極間に配置さ
れた有機薄膜を有し、該電極間に電圧を印加することに
よって有機薄膜を発光させる発光装置が注目されてい
る。図11の符号110は従来技術の発光装置を示して
いる。
【0003】発光装置110は1枚の透明な基板111
と、基板111表面に形成された1枚の透明なアノード
電極113と、アノード電極113表面に形成された1
枚の有機薄膜116と、有機薄膜116表面に形成され
た1枚のカソード電極119とを有している。
【0004】アノード電極113とカソード電極119
との間に電圧を印加すると、有機薄膜116に電流が流
れて発光し、有機薄膜116から放射された光が透明な
アノード電極113と透明な基板111とを透過して発
光装置110外部へ放射されるようになっている。
【0005】発光装置110全体から得られる光量を大
きくするために、有機薄膜116のアノード電極113
とカソード電極119とで挟まれた部分の面積が大きく
されており、この発光装置110では発光する部分の面
積が大きい。
【0006】ところで、アノード電極113としては、
一般にITO(インジウム錫酸化物)薄膜が用いられて
いるが、ITO薄膜を大面積に成膜すると、成膜の際に
生じる応力によりITO薄膜にひび等の欠陥が生じやす
い。
【0007】アノード電極113の一縁に外部電源を接
続し、アノード電極113全体に電流を流すようになっ
ているため、ひび等の欠陥が生じたアノード電極113
に電圧を印加すると、欠陥が生じた部分に電流が流れ
ず、その部分が発光しないだけではなく、欠陥周囲の部
分に外部電源から電流が流れ難くなり、その部分の発光
量が小さくなる。
【0008】また、有機薄膜116は成膜の際に不純物
が混入しやすく、その場合も、有機薄膜116の不純物
が存する部分と、その周囲の部分の発光量が小さくな
る。いずれにしろ、従来の発光装置110では、アノー
ド電極113や有機薄膜116に欠陥部分よりも大きい
面積で発光不良が起こりやすく、発光装置110から得
られる光量が大幅に減少してしまう。一方、パッシブマ
トリクス型有機EL素子においては、クロストークと呼
ばれる異常発光の問題が最近とりざたされている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、発光不良が少ない有機EL素子を製造する技術
を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、基板と、前記基板上に互い
に平行に配置された複数本の第一の電極と、前記各第一
の電極に対して垂直に配置された複数本の第二の電極
と、有機薄膜で構成され、前記第一の電極と第二の電極
とが交差する位置毎に設けられた発光単位とを有し、前
記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加する
と、前記発光単位を構成する有機薄膜の少なくとも一部
が発光する発光装置であって、前記各発光単位を構成す
る有機薄膜は前記各発光単位毎に分離され、前記第二の
電極は、前記第一の電極と交差する位置では、前記発光
単位を構成する有機薄膜上に密着された発光装置であ
る。請求項2記載の発明は、請求項1記載の発光装置で
あって、前記発光単位を構成する有機薄膜は、前記第二
の電極の幅方向の両側にはみ出た縁部分を有する発光装
置である。請求項3記載の発明は、請求項2記載の発光
装置であって、前記第二の電極の幅方向の縁から前記縁
部分の幅方向の縁までの距離は、前記発光単位上の前記
第二の電極の幅の大きさの5%以上10%以下の範囲に
形成された発光装置である。請求項4記載の発明は、請
求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の発光装置であ
って、前記第一の電極はインジウム錫酸化物の薄膜から
なる発光装置である。請求項5記載の発明は、基板と、
前記基板上に配置された複数本の第一の電極と、少なく
とも一部が前記第一の電極上に配置された有機薄膜と、
少なくとも一部が前記有機薄膜上に配置された第二の電
極とを有する発光装置の、前記第一の電極と前記第二の
電極との間に電圧を印加し、前記有機薄膜の少なくとも
一部を発光させる発光方法であって、前記複数の第一の
電極に同じ大きさの電圧を印加する発光方法である。
【0011】本発明は上記のように構成されており、発
光単位を構成する有機薄膜が互いに分離されているの
で、一つの発光単位を構成する有機薄膜に、不純物の混
入等の欠陥が生じた場合、欠陥が生じた発光単位の周囲
は影響を受けずに発光する。
【0012】第一の電極は複数本に分離されているた
め、第一の電極がITOのようにもろい物質で構成さ
れ、第一の電極にひび等の欠陥が生じた場合でも、欠陥
が生じた第一の電極に隣接する他の第一の電極には影響
が生ない。このように、本発明の発光装置では、発光単
位や第一の電極に欠陥があったとしても、その周囲に影
響を与えないので、発光不良の面積が大きくならない。
【0013】本発明の発光方法によれば、各第一の電極
に同時に同じ電圧を印加させることによって、全ての発
光単位が同時に同じ光量で発光し、各発光単位から同時
に放射される光によって発光装置の照明光が構成され
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による発光装置の
一例をその製造工程と共に説明する。図1(a)はガラ
スからなる矩形の基板11の平面図であり、図6(a)
は図1(a)のA−A切断線断面図を、図7(a)は図
1(a)のB−B切断線断面図をそれぞれ示している。
【0015】図1(a)を参照し、基板11表面には複
数本の直線状のアノード電極(第一の電極)13が同じ
間隔を空けて配置されており、各アノード電極13の幅
は略等しくなっている。ここでは、アノード電極13は
ITO薄膜で構成されている。また、図6(a)を参照
し、アノード電極13間の隙間には基板11表面が露出
している。
【0016】図4の符号80は成膜装置を示しており、
成膜装置80は真空槽81と、真空槽81内の底壁側に
配置された蒸着源85とを有している。アノード電極1
3が形成された状態の基板11を成膜装置80の真空槽
81内へ搬入し、該基板11のアノード電極13が形成
された面を蒸着源85に向けて水平に配置し、金属板か
らなるマスク30を基板11のアノード電極13が形成
された側の面の近傍に配置し、マスク30と基板11と
を相対的に位置合わせする。
【0017】図1(b)は位置合わせされた状態の平面
図であり、図6(b)は図1(b)のA−A切断線断面
図を示し、図7(b)は図1(b)のB−B切断線断面
図を示している。図1(b)を参照し、マスク30は正
方形の貫通孔からなる複数の開口32と、該開口32間
の金属板で構成された遮蔽部31とを有しており、開口
32は互いに間隔を空けて形成されている。
【0018】マスク30が位置合わせされた状態では、
各アノード電極13に沿った方向に複数の開口32が並
び、各開口32の底面にアノード電極13が露出した状
態になる。開口32の1辺の大きさは、アノード電極1
3の幅よりも大きく、位置合わせされた状態では各開口
32の中心は、アノード電極13の幅方向の中心に位置
するので、開口32内にはアノード電極13の他、アノ
ード電極13の長手方向両側に位置する基板11の表面
部分が露出する。
【0019】蒸着源85には蒸着材料である有機材料が
収容されており、位置合わせ後、蒸着材料を昇温させて
蒸着材料の蒸気を発生させると、開口32を通った蒸気
は、アノード電極13の表面とアノード電極13両側位
置の基板11の表面に到達すると共に、アノード電極1
3の側面にも回り込み、アノード電極13表面及び側面
と、アノード電極13の長手方向の両側に位置する基板
11表面とを覆う有機薄膜が形成される。ここでは、有
機薄膜の膜厚は0.2μmになるように蒸着を行った
が、有機薄膜56の膜厚はそれ以下でもよい。
【0020】開口32の間隔は充分に離れているので、
蒸気が回り込みがあったとしても、遮蔽部31で隠され
た部分には有機薄膜が形成されないので、有機薄膜は互
いに分離された状態になる。図2(c)は有機薄膜16
が形成された状態の平面図であり、図6(c)は図2
(c)のA−A切断線断面図を示し、図7(c)は図2
(c)のB−B切断線断面図を示している。
【0021】マスク30の開口32は行列状に配置され
ており、有機薄膜16は開口32の位置に応じた位置に
形成されるので、有機薄膜16はアノード電極13上に
一列に並ぶだけではなく、アノード電極13と直角方向
にも一列に並ぶことになる。その状態の基板11を図5
に示すスパッタ装置90内へ搬入する。スパッタ装置9
0は真空槽91を有しており、真空槽91内の天井側に
はアルミニウムからなるターゲットが配置されている。
【0022】基板11を真空槽91内に搬入し、有機薄
膜16が形成された面がターゲット95と対向するよう
に基板11を水平配置し、基板11の有機薄膜16が形
成された側の面の近傍に、金属板からなるマスク35を
水平に配置し、基板11とマスク35とを相対的に位置
合わせする。
【0023】図2(d)は位置合わせされた後の状態を
示す平面図であり、図6(d)は図2(d)のA−A切
断線断面図である。マスク35は複数の開口37と、開
口37間の金属板で構成された遮蔽部36とを有してい
る。各開口37は直線状に成形されており、各開口37
は互いに平行に延設されている。アノード電極13とは
直角方向に並んだ有機薄膜16の列同士の間隔は互いに
等しくなっており、それらの列の間隔と開口37同士の
間隔とは等しくなっている。
【0024】マスク35が位置合わせされた状態では、
開口37はアノード電極13と直角方向に向けられ、か
つ有機薄膜16上に位置するので、各開口37の底面に
は有機薄膜16の表面の一部と、基板11の表面の一部
とが露出する。図7(d)は図2(d)のB−B切断線
断面図であり、開口37の幅は、有機薄膜16の開口3
7の幅方向の大きさよりも小さくされているので、有機
薄膜16の開口37の幅方向の縁部分18a、18bは
両方とも遮蔽部36で覆われており、有機薄膜16のう
ち、2つの縁部分18a、18bの間に位置する中央部
分17のみが開口37内に露出している。
【0025】マスク35の位置合わせによって、有機薄
膜16の中心が開口37の幅方向の中心に位置されてい
るから、2つの縁部分18a、18bの開口37の幅方
向の長さw1、w2は同じ大きさである。マスク35が位
置合わせされた状態でターゲット95をスパッタリング
すると、遮蔽部36で覆われた部分の表面にはスパッタ
粒子が付着せず、開口37内に露出する有機薄膜16上
と、基板11上にだけスパッタ粒子が付着し、開口37
と同形状のアルミニウム薄膜からなるカソード電極が有
機薄膜16の表面及び側面と、基板11の表面に密着し
て形成される。
【0026】図6(e)と図7(e)の符号19はその
カソード電極(第二の電極)を示している。ここではカ
ソード電極19の膜厚は0.1μmであるが、カソード
電極19をスパッタ法により成膜する場合にはその膜厚
は0.1μm以上0.2μm以下になる。
【0027】図6(e)は、カソード電極19が形成さ
れる前の状態を示す図2(d)のA−A線に相当する位
置の断面図であり、カソード電極19が形成された後の
状態を示している。上述したように開口37はアノード
電極13とは直角方向に向けられており、カソード電極
19は開口37と対応する位置に形成されるため、カソ
ード電極19はアノード電極13とは直角方向に位置す
る。
【0028】アノード電極13のうち、有機薄膜16が
形成されていない部分は遮蔽部36で覆われており、開
口37内にアノード電極13の表面が露出しないので、
アノード電極13の表面にカソード電極19が形成され
ることがなく、カソード電極19とアノード電極13と
の間が短絡しない。
【0029】上述したように開口37はアノード電極1
3とは直角方向に位置し、アノード電極13のうち、開
口37底面に位置し、開口37と交差する部分には有機
薄膜16が形成されており、カソード電極19は開口3
7と対応する位置に形成されるので、アノード電極13
とカソード電極19とが交差する位置には有機薄膜16
が位置する。
【0030】図7(e)は、カソード電極19が形成さ
れる前の状態を示す図2(d)のB−B線に相当する位
置の断面図であり、カソード電極19が形成された後の
状態を示している。また、カソード電極19は遮蔽部3
6で覆われた部分には形成されないので、有機薄膜16
のうち、中央部分17の両側に位置し、遮蔽部36で覆
われた両方の縁部分18a、18bはカソード電極19
の幅方向の両側から長さw1、w2だけはみ出したことに
なる。
【0031】それらの長さw1、w2は、カソード電極1
9の幅dの5%以上10%以下と充分に大きくなってお
り、マスク35と基板11の相対的な位置のずれによっ
て、カソード電極19がずれて形成されたとしても、そ
のずれは長さw1、w2に吸収されるので、カソード電極
19が縁部分18a、18bを超えてアノード電極13
表面に形成されることがなく、カソード電極19とアノ
ード電極13とが短絡することがない。
【0032】図3(e)は本発明の発光装置10の平面
図を示している。この発光装置10では、アノード電極
13の端部とカソード電極19の端部がそれぞれ基板1
1の四辺近傍に位置しており、基板11の四辺近傍のア
ノード電極13の端部とカソード電極19の端部よりも
内側の位置に、不図示の接着剤層がリング状に形成され
ている。
【0033】接着剤層はアノード電極13端部の表面
と、カソード電極19の端部の表面と、基板11の表面
に密着し、該接着剤層によって不図示の蓋部材が基板1
1上に固定されている。全ての有機薄膜16は接着剤層
の内側に位置しており、接着剤層の内側に位置する部分
は蓋部材と基板11によって外部の大気から封止される
ので、有機薄膜16が大気と接触して化学的劣化するこ
とはない。
【0034】上述したように、接着剤層はアノード電極
13の端部とカソード電極19は接着剤層よりも内側に
位置しており、アノード電極13の端部とカソード電極
19の端部は基板11の四辺近傍で露出し、それらの端
部に外部電源を接続可能になっている。
【0035】本発明の発光装置10を照明装置として用
いる場合には、全てのアノード電極13に同じ電位の電
圧を印加すると共に、全てのカソード電極19に同じ電
圧を印加し、アノード電極13とカソード電極19との
間に電位差を生じさせる。具体的には、全てのアノード
電極13端部と全てのカソード電極19の端部とをそれ
ぞれ外部電源に接続し、全てのアノード電極13に同じ
大きさの正の電圧を、全てのカソード電極19に同じ大
きさの負の電圧を印加すると、カソード電極19とアノ
ード電極13とで挟まれた有機薄膜16に電流が流れて
発光する。
【0036】ここでは、アノード電極13と基板11は
それぞれ透明であり、各有機薄膜16からアノード電極
13側へ放射された光は、透明なアノード電極13と透
明な基板11とを透過して発光装置10外部へそれぞれ
放射され、各有機薄膜16から放射される光で発光装置
10の照明光が構成される。
【0037】このように、本発明の発光装置10では、
全ての有機薄膜16が発光するようになっており、一つ
の発光する部分を一発光単位とすると、一つ一つの有機
薄膜16で発光装置10の発光単位が構成されている。
発光単位を構成する有機薄膜16は互いに分離されてい
るので、一つの発光単位に欠陥があったとしても、該発
光単位の周囲に位置する発光単位は影響を受けずに発光
する。
【0038】また、各アノード電極13も互いに分離さ
れているので、有機薄膜16の場合と同様に、1本のア
ノード電極13にひび等の欠陥があっても他のアノード
電極13は影響を受けない。即ち、本発明の発光装置1
0では、有機薄膜16やアノード電極13の欠陥部分
が、その周囲の部分に影響しないので、発光装置10全
体の光量の減少が少なくて済む。
【0039】また、本発明の発光装置10を表示装置と
して用いる場合には、電圧を印加するアノード電極13
とカソード電極19とをそれぞれ選択し、選択されたア
ノード電極13と選択されたカソード電極19との間に
電位差を発生させる。具体的には、選択されたアノード
電極13に正の電圧を印加すると共に、選択されたカソ
ード電極19に負の電圧を印加すると、それらのアノー
ド電極13とカソード電極19とが交差する位置の有機
薄膜16のみが発光する。
【0040】即ち、電圧を印加するアノード電極13と
カソード電極19とを選択することで発光単位を選択
し、選択された発光単位のみを発光させることで、文字
や図形を表示することができる。この場合も、発光単位
を構成する有機薄膜16が互いに分離されているため、
一つの有機薄膜16や1本のアノード電極13に欠陥が
生じた場合も他の発光単位が影響が受けない。
【0041】また、図3に示す発光装置10では、有機
薄膜16は互いに分離されているため、選択された有機
薄膜16からその周囲に位置する有機薄膜16に電流が
流れることがないので、選択された発光単位の周囲が光
る所謂クロストーク現象が起こらない。図3に示す発光
装置10では、第一、第二の電極43、49が複数本に
分離されていたが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。
【0042】図8は本発明他の例の発光装置40の平面
図である。この発光装置40ではアノード電極43を構
成する導電性材料を成膜し、パターニングによってアノ
ード電極43を形成する際に、アノード電極43を構成
させる導電性材料からなり、各アノード電極43の一端
を短絡させる第一の接続端子44が形成されており、第
一の接続端子44に電圧を印加することで各アノード電
極43に同じ電圧を印加してもよい。
【0043】更に、図8に示すようにカソード電極49
についても、アノード電極43と同様に、各カソード電
極49を構成する導電性材料を成膜する際に、カソード
電極49を構成させる導電性材料からなり、各カソード
電極49の一端を短絡させる第二の接続端子45を形成
すれば、第二の接続端子45に電圧を印加することで、
各カソード電極49に同じ電圧を印加することができ
る。
【0044】要するに、本発明の発光装置40ではアノ
ード電極43が複数本設け、各アノード電極43に同じ
電圧を印加できれば良い。この場合も、図3に示した発
光装置10のように、有機薄膜46が分離していること
が望ましい。上述した発光方法では、図3に示す発光装
置10を用い、各アノード電極13に同じ電圧を印加す
ると共に各カソード電極19に同じ電圧を印加したが、
本発明の発光方法はそれにされるものではなく、他の発
光装置を用いることができる。
【0045】図9は本発明の発光方法に用いられる発光
装置50の他の例の平面図であり、図7は図6のC−C
切断線断面図を示している。発光装置50は矩形の基板
51と、複数本のアノード電極53と、有機薄膜56
と、カソード電極59とを有している。各アノード電極
53は細長のITO薄膜で構成され、基板51上に互い
に平行に配置されており、アノード電極53の間には基
板51の表面が位置する。
【0046】有機薄膜56は、リング状のマスクによ
り、基板51の四辺が、四辺の縁から所定距離だけ覆わ
れた状態で成膜されている。従って、有機薄膜56は基
板51の表面上では基板51の縁からマスクの幅の分だ
け内側の領域に形成されるため有機薄膜56の表面形状
はマスクのリング内周と同形状になる。
【0047】また、有機薄膜56は、マスクのリング内
周よりも内側に、アノード電極53の表面及び側面とア
ノード電極53間に位置する基板51の表面が露出した
状態で形成されるため、アノード電極53と基板51の
露出した部分と密着する。
【0048】他方、マスクのリング内周よりも外側はマ
スクによって全部覆われているため、有機薄膜56は、
マスクのリング内周よりも外側では、マスクの除去と共
に除去されるので、マスクの内周よりも外側にはアノー
ド電極53の端部と基板51の縁部分は有機薄膜56か
ら露出している。
【0049】カソード電極59は有機薄膜56形成後、
有機薄膜56の形成に用いた場合とは異なるマスクが基
板51上に配置された状態で形成されている。そのマス
クは、基板51の四辺のうち、アノード電極53の端部
が位置する辺を縁から所定距離だけ覆っている。
【0050】従って、アノード電極53と、その間に位
置する基板51の表面にはカソード電極59が形成され
ず、カソード電極59は有機薄膜56表面及び有機薄膜
56が覆われていない基板51の縁部分の表面に密着し
て形成される。有機薄膜56はアノード電極53の表面
に密着して形成されているので、有機薄膜56のうちア
ノード電極53表面に位置する部分は、アノード電極5
3の表面とカソード電極59の裏面とで挟まれた状態に
なる。
【0051】有機薄膜56は基板51の縁からマスクの
幅の分だけ内側に形成されているので、有機薄膜56よ
り外側の領域に接着剤を塗布し、不図示のリング状の接
着剤層を形成し、次いで、接着剤層上に不図示の蓋を載
せ、接着剤を硬化させると、有機薄膜56は蓋と接着剤
層とで封止された空間に収容された状態になる。
【0052】接着剤層は有機薄膜56の外側であって、
基板51の縁から所定距離だけ内側に位置するので、カ
ソード電極59の先端とアノード電極53の端部はそれ
ぞれ接着剤層から露出した状態になっている。アノード
電極53の露出した部分とカソード電極59の露出した
部分を外部電源にそれぞれ接続し、アノード電極53と
カソード電極59に電圧を印加すると、有機薄膜56の
うち、アノード電極53表面に位置し、アノード電極5
3とカソード電極59とで挟まれた部分に電流が流れて
発光するようになっている。
【0053】図3に示した発光装置10の場合と同様
に、一つの発光する部分を一発光単位とすると、この発
光装置50では、有機薄膜56のアノード電極53表面
に位置し、アノード電極53とカソード電極59とで挟
まれた部分で発光単位が構成されている。従って、この
発光装置50では発光単位の平面形状はアノード電極5
3と同様の細長であり、その本数はアノード電極53の
本数と同じ複数本である。
【0054】この発光装置50を照明装置として用いる
場合には、例えば全てのアノード電極53に極性が同じ
で大きさも同じ電圧を印加すると共に、カソード電極5
9に逆極性の電圧を印加すると、各発光単位から同じ光
量の光が放射されるので、発光装置50の輝度が面内均
一になる。
【0055】この発光装置50においても、アノード電
極53が複数本に分離されており、1本のアノード電極
53に欠陥があり、該アノード電極53表面に位置する
発光単位が発光しない場合でも、隣接するアノード電極
53は影響を受けずに電流が流れるので、欠陥が生じた
アノード電極53の周囲に発光不良の部分が生じない。
【0056】以上は、有機薄膜16が一層構造の場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、有機薄膜が2層以上の構造を有する場合も本発明
には含まれる。有機薄膜16の成膜方法は真空蒸着法に
限定されるものではなく、例えば、インクジェットプリ
ンタを用いるインクジェット法や、スピンコート法等種
々の方法を用いることができる。
【0057】カソード電極19を成膜する方法もスパッ
タ法に限定されるものではなく、蒸着法やCVD法等の
成膜方法を用いることができる。カソード電極19をス
パッタ法以外の方法で成膜する場合には、その膜厚は
0.2μm未満又は0.5μmを超える場合もある。
【0058】カソード電極19を構成する物質はアルミ
ニウムに限定されるものではなく、金や銅等種々の導電
性材料を用いることができる。アノード電極13を構成
する物質もITOに限定されるものではなく、要するに
透明な物質であればよく、酸化亜鉛(ZnO2)、金
(Au)、銀(Ag)等の導電性材料を用いることがで
きる。
【0059】以上は、第一の電極であるアノード電極が
正、第二の電極であるカソード電極が負になるよう電圧
を印加する場合について説明したが、各電極の電圧極性
は特に限定されるものではなく、第一の電極が負、第二
の電極が正になるよう電圧を印加してもよいし、どちら
か一方の電極を接地電位においてもよい。
【0060】本発明の発光装置10では、アノード電極
13とカソード電極19とが交差する位置毎に発光単位
が設けられており、アノード電極13とカソード電極1
9をより多くより広範囲に設ければ、発光単位がより多
くより広範囲に設けられることになるので、発光装置1
0の発光する領域が大きくなる。
【0061】
【発明の効果】本発明によれば、アノード電極や発光単
位に欠陥がある場合であっても欠陥部分以外の部分の発
光に影響がでない発光装置を得ることができる。アノー
ド電極をITOなどもろい物質で構成した場合、平面形
状が大きくなるほどひびが生じやすくなる。本発明で
は、発光する領域の面積を大きくしたい場合であって
も、従来のようにアノード電極の平面形状を大きくする
必要がなく、アノード電極の本数を多くすれば良いの
で、アノード電極の欠陥が少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b):本発明の第一例の発光装置の
製造工程の前半を説明する平面図
【図2】(c)、(d):本発明の第一例の発光装置の
製造工程の中半を説明する平面図
【図3】(e):本発明の第一例の発光装置の製造工程
の後半を説明する平面図
【図4】本発明に用いる真空蒸着装置の一例を説明する
ための図
【図5】本発明に用いるスパッタ装置の一例を説明する
ための図
【図6】(a)〜(e):図1〜図3のA−A切断線断
面図
【図7】(a)〜(e):図2、図3のB−B切断線断
面図
【図8】本発明第二例の発光装置を説明する平面図
【図9】本発明の第三例の発光装置を説明する平面図
【図10】図9のC−C切断線断面図
【図11】従来技術の発光装置を説明する斜視図
【符号の説明】
10、40、50……発光装置 11、41、51……基板 13、43、53……アノード電極(第一の電極) 19、49、59……カソード電極(第二の電極) 16、46、56……有機薄膜 18a、18b……縁部分 21a、21b……縁

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、 前記基板上に互いに平行に配置された複数本の第一の電
    極と、 前記各第一の電極に対して垂直に配置された複数本の第
    二の電極と、 有機薄膜で構成され、前記第一の電極と第二の電極とが
    交差する位置毎に設けられた発光単位とを有し、 前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加す
    ると、前記発光単位を構成する有機薄膜の少なくとも一
    部が発光する発光装置であって、 前記各発光単位を構成する有機薄膜は前記各発光単位毎
    に分離され、 前記第二の電極は、前記第一の電極と交差する位置で
    は、前記発光単位を構成する有機薄膜上に密着された発
    光装置。
  2. 【請求項2】前記発光単位を構成する有機薄膜は、前記
    第二の電極の幅方向の両側にはみ出た縁部分を有する請
    求項1記載の発光装置。
  3. 【請求項3】前記第二の電極の幅方向の縁から前記縁部
    分の幅方向の縁までの距離は、前記発光単位上の前記第
    二の電極の幅の大きさの5%以上10%以下の範囲に形
    成された請求項2記載の発光装置。
  4. 【請求項4】前記第一の電極はインジウム錫酸化物の薄
    膜からなる請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の
    表示装置
  5. 【請求項5】基板と、前記基板上に配置された複数本の
    第一の電極と、少なくとも一部が前記第一の電極上に配
    置された有機薄膜と、少なくとも一部が前記有機薄膜上
    に配置された第二の電極とを有する発光装置の、前記第
    一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加し、前記
    有機薄膜の少なくとも一部を発光させる発光方法であっ
    て、 前記複数の第一の電極に同じ大きさの電圧を印加する発
    光方法。
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