JP2003232897A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

放射線画像変換パネルの製造方法

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修 森川
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寧 中野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡便に輝尽性蛍光体を外気より密封し、水分
による劣化を抑えた放射線画像変換パネルの製造方法を
提供すること、気相成長法で得られた輝尽性蛍光体を湿
度の低い環境で密封し、感度が高く安定した特性を有す
る放射線画像変換パネルを得る放射線画像変換パネルの
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 支持体、該支持体上に成膜された輝尽性
蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽性
蛍光体の周縁部を取り囲むように封着剤が設けられ密閉
された放射線画像変換パネルの製造方法において、支持
体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、該輝尽性蛍光体の含
水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐａの雰囲気と平
衡にある含水率以下において、封着剤を用いて保護層と
支持体を封止することを特徴とする放射線画像変換パネ
ルの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製造安定性に優れ
た、感度の高い放射線画像変換パネルの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いら
れるようになってきた。
【０００３】これは例えば米国特許第３，８５９，５２
７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様に
支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パ
ネルを使用するものである。この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、
この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられ
る）で走査することによって各部に蓄積された放射線エ
ネルギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読み
とって画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプ
レイ上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生
してもよい。
【０００４】この放射線像変換方法に用いられる放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及
び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性
であることが要求される。
【０００５】通常、放射線感度を高くするには輝尽性蛍
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【０００６】又鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄
層化するほど向上するが、薄すぎると感度の減少が大き
くなる。
【０００７】又粒状性についても画像の粒状性は放射線
量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線画像
変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モト
ル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚
が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数
が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化し
て構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従
って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層
の層厚が厚い必要があった。
【０００８】この様に様々な要因から放射線画像変換パ
ネルを用いた放射線像変換方法の画質及び感度は決定さ
れる。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整し
て感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がさ
れてきた。
【０００９】それらの内放射線画像の鮮鋭性改善の為の
手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状その
ものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試み
がされている。
【００１０】これらの試みの１つとして、例えば特開昭
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。
【００１１】又、特開昭６１−１４２５００号に記載の
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６
２−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形
成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさ
せ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更
には、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支
持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を
形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設
ける方法等も提案されている。
【００１２】又、特開平２−５８０００号においては、
気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対
し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性
蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されてい
る。
【００１３】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向へ
の拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反
射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させ
ることができるという特徴がある。
【００１４】これらの気相成長（堆積）法により形成さ
れた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにお
いて、得られる放射線画像の画質を劣化させることなく
長期間或いは多数回の繰り返しの使用に耐える性能を有
することが望ましく、その為には、前記変換パネルの輝
尽性蛍光体層が外部からの物理的或いは化学的刺激から
充分に保護される必要がある。特に水分による劣化につ
いては十分に注意する必要があり、従来から上記の問題
を解決するため、変換パネルの支持体の輝尽性蛍光体層
面を被覆する保護層を設け、変換パネル周縁を密閉し、
輝尽性蛍光体層を保護する方法がとられてきた。
【００１５】この保護層は、例えば特開昭５９−４２５
００号公報に開示されているように、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成されるか、或いは
予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する
方法により形成されている。
【００１６】又、変換パネル周縁の密閉には、例えば有
機高分子中溶液中に変換パネルの周縁部のみを浸漬する
か、或いは周縁部に有機高分子溶液を塗布して高分子膜
を形成してシールする方法、周縁部をシール材により封
止し、シール材を固定部材により外側から固定する方法
（特開昭６１−２３７０９９号公報）、周縁部が保護層
の延長部分により被覆された状態でシールする方法（特
開昭６１−２３７１００号公報）等が用いられている。
【００１７】更に、内部の湿度を可能な限り低下させる
ため、保護膜及び支持体の周辺部にスペーサを挟んで接
着して内部に輝尽性蛍光体層を密封する際に、スペーサ
に切り欠き部を設けておいて、内部の水分を例えば、加
熱或いは真空により乾燥させた後密封する方法が特開平
２−８５７９９号に、又、更に、密封の際、内部に乾燥
ガスを封入する方法で耐久性を更に向上させる方法が、
特開平１−３１６６９７号に記載されている。その他、
特開平６−３０８２９８号、同７−１２０５９８号等に
も乾燥を行った後、封着する旨の記載がある。低湿度雰
囲気に、輝尽性蛍光体を密封する際には、内部を充分に
低湿度とした後でも、内部と外部の気圧差や温度の違い
により、シール材又はスペーサと支持体、保護膜の接着
が均一に行われない場合があることから、これを防ぐ上
でシール材やスペーサの一部に切り欠き部を設ける方法
は有効である。しかしながら、水分の存在或いは侵入に
対し特性が響影を受けやすい蛍光体の場合には、例え
ば、真空乾燥等を行うと、切り欠き部近傍と、切り欠き
部より離れた奥の部分の乾燥の不均一が発生し、安定し
た特性が得られず、封止後に蛍光体の感度が低下した
り、画質にも影響を与える場合があり、改善が求められ
ていた。
【００１８】又、スペーサに或いは封着剤による封止時
に切り欠き部を設けて封止を行うのは、真空乾燥、更
に、ガスの置換を行うなど操作が複雑で、特に輝尽性蛍
光体が水分を吸収しやすい場合には手早く各作業を行わ
ないと蛍光体が周囲の雰囲気から吸湿してしまうため作
業にも熟練が必要であった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、より
簡便に輝尽性蛍光体を外気より密封し、水分による劣化
を抑えた放射線画像変換パネルの製造方法を提供するこ
とにあり、詳しくは、気相成長法で得られた輝尽性蛍光
体を湿度の低い環境で密封し、感度が高く安定した特性
を有する放射線画像変換パネルを得ることができる放射
線画像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、以
下の手段により達成される。
【００２１】１．支持体、該支持体上に成膜された輝尽
性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽
性蛍光体の周縁部を取り囲むように封着剤が設けられ密
閉された放射線画像変換パネルの製造方法において、支
持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、該輝尽性蛍光体の
含水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐａの雰囲気と
平衡にある含水率以下において、封着剤を用いて保護層
と支持体を封止することを特徴とする放射線画像変換パ
ネルの製造方法。
【００２２】２．支持体、該支持体上に成膜された輝尽
性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽
性蛍光体の周縁部を取り囲むようにスペーサが設けられ
封着剤により密閉された放射線画像変換パネルの製造方
法において、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、該
輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．６６×１０ 3
Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下において、封着剤
を用いて支持体、保護層及びスペーサを封止することを
特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２３】３．支持体、該支持体上に成膜された輝尽
性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽
性蛍光体の周縁部を取り囲むように封着剤が設けられ密
閉された放射線画像変換パネルの製造方法において、支
持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、支持体、保護層及
び封着剤により輝尽性蛍光体を取り囲んで形成される密
閉容器の表面積に対し開口率が１０％以上である状態に
おいて、輝尽性蛍光体の乾燥をおこない、且つ、該輝尽
性蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐａ
の雰囲気と平衡にある含水率以下において、封着剤を用
いて保護層と支持体を封止することを特徴とする放射線
画像変換パネルの製造方法。
【００２４】４．支持体、該支持体上に成膜された輝尽
性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽
性蛍光体の周縁部を取り囲むようにスペーサが設けられ
封着剤により密閉された放射線画像変換パネルの製造方
法において、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、支
持体、保護層及びスペーサにより輝尽性蛍光体を取り囲
んで形成される密閉容器の表面積に対し開口率が１０％
以上である状態において、輝尽性蛍光体の乾燥をおこな
い、且つ、該輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．
６６×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下にお
いて、封着剤を用いて保護層、支持体及びスペーサを封
止することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方
法。
【００２５】５．輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で
１．３３×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下
において、封着剤を用いて保護層及び支持体を、或い
は、保護層、支持体及びスペーサを封止することを特徴
とする前記１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
【００２６】６．輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で
０．６６×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下
において、封着剤を用いて保護層及び支持体を、或い
は、保護層、支持体及びスペーサを封止することを特徴
とする前記１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変
換パネルの製造方法。
【００２７】７．輝尽性蛍光体が、下記一般式（１）で
表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体が気相
成長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ以上の膜
厚を有するように成膜されることを特徴とする前記１〜
６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造
方法。
【００２８】一般式（１） Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｃＡ （式中、Ｍ1はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ば
れる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮ
ｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属で
あり、Ｍ3はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選
ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及び
Ｘ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少
なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも
１種の金属であり、又、ａ，ｂ及びｅは、それぞれ０≦
ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｃ≦０．２の範囲の
数値を表す。） ８．一般式（１）において、Ｍ1がＫ、Ｒｂ及びＣｓか
らなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属で
あることを特徴とする前記７に記載の放射線画像変換パ
ネルの製造方法。
【００２９】９．一般式（１）において、ＸがＢｒ及び
Ｉから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であるこ
とを特徴とする前記７又は８に記載の放射線画像変換パ
ネルの製造方法。
【００３０】１０．一般式（１）において、Ｍ2がＢ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも
１種の２価金属であることを特徴とする前記７〜９のい
ずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００３１】１１．一般式（１）において、Ｍ3がＹ，
Ｃｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ａｌ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｇａ及び
Ｉｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属
であることを特徴とする前記７〜１０のいずれか１項に
記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００３２】１２．一般式（１）において、ｂが０≦ｂ
≦０．０１であることを特徴とする前記７〜１１のいず
れか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００３３】１３．一般式（１）において、ＡがＥｕ，
Ｃｓ，Ｓｍ，Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少な
くとも１種の金属であることを特徴とする前記７〜１２
のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方
法。
【００３４】１４．輝尽性蛍光体が柱状結晶を有するこ
とを特徴とする前記１〜１３のいずれか１項に記載の放
射線画像変換パネルの製造方法。
【００３５】１５．柱状結晶が主成分として下記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴と
する前記１４に記載の放射線画像変換パネルの製造方
法。
【００３６】一般式（２） ＣｓＸ：Ａ （式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ
又はＣｅを表す。） １６．支持体上に輝尽性蛍光体を気相成長法により成膜
することを特徴とする前記１〜１１のいずれか１項に記
載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００３７】
【発明の実施の形態】支持体、該支持体上に成膜された
輝尽性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の層間
に輝尽性蛍光体の周縁部を取り囲む封着剤或いはスペー
サと封着剤が設けられ密閉された放射線画像変換パネル
においては、通常、支持体、保護層の封着剤による、或
いは、スペーサを挟んで封着剤で接着する際には、スペ
ーサや封着剤の、一部に、切り欠き部を設ける方が均一
に接着できる。一度に変換パネル周縁を密閉すると、封
着部が完全に封着しなかったり、又、封着後も周囲温度
の温度差による変換パネル内部の空気の膨張等により、
封着の不均一な部分が破壊されたりするためである。切
り欠き部を設けて封着した後、例えば真空引きで乾燥
し、更に乾燥ガスを注入して通気口を封着する。又、内
部空間に湿気が入りにくいよう、切り欠き部の封着・密
閉は乾燥ガス雰囲気中で行う。
【００３８】しかしながら、この様な方法においても、
封着する際の周囲の雰囲気の湿度が高い場合や、温度が
高い場合や、又特に水分に弱い蛍光体を用いる場合に
は、例え、乾燥した後といえども、切り欠き部からの外
部雰囲気を形成するガスや水蒸気等の侵入により、これ
が内部に封じ込められて、輝尽性蛍光体が吸湿し、変換
パネルの初期特性が低下してしまったり、乾燥時におい
て切り欠き部より遠いところでの乾燥が不十分となり初
期特性が低下したり、又、吸湿の程度は製造時の製造工
程の雰囲気に大きく左右されるので、変換パネル毎のバ
ラツキが大きくなってしまう等の問題点を有している。
【００３９】本発明においては、支持体、該支持体上に
成膜された輝尽性蛍光体及び保護層を有し、支持体と保
護層の層間に輝尽性蛍光体の周縁部を取り囲む封着剤或
いはスペーサと封着剤が設けられ、輝尽性蛍光体を密閉
された空間に封じ込める際に、切り欠き部の開口率を大
きくすることで解決せんとしたものである。
【００４０】図１に、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜し
た後、支持体、保護層及びスペーサ又は封着剤により輝
尽性蛍光体を取り囲んで、これを密封した放射線画像変
換パネルの一例を示す。図１（ａ）は、放射線画像変換
パネルを側面から見た断面図であり、支持体３上に輝尽
性蛍光体１が設けられ、輝尽性蛍光体１上に設けられた
保護層２とスペーサ５を介して支持体が接着されること
で、蛍光体が密封されている。尚、４は低屈折率層（気
体）を表す。又図１の（ｂ）は図１の（ａ）におけるＡ
−Ａ′で切断したときの上面からみた断面図を示してい
る。（ｂ）においては切り欠き部６（長さ＝ｄ）が設け
られている。
【００４１】本発明において、密閉容器の表面積の開口
率が１０％以上であるとは、この様な支持体、保護層及
びスペーサによって形成される内部空間の表面積（図で
点線で示される）に対し、開口部の面積比率をしめして
いる。従って、図においては、開口部はパネルの表面積
に対して、スペーサの一部、パネルでみればパネル側面
の一部に開口部があるのみであり、当然開口率は非常に
小さい値である。例えば大きさが４１０ｍｍ×４１０ｍ
ｍの大きさの放射線画像変換パネルの場合、パネル両平
面の面積は合わせて３３６，２００ｍｍ2程度であり、
又、スペーサの厚みは、蛍光体の厚みを、例えば、３０
０μｍとし、後述する低屈折率層（気体）の厚みを３０
０μｍとすると、計約６００μｍとなり、側面の表面積
は４つの面あわせて９８４ｍｍ2であり、その表面積は
全体で３３７，１８４ｍｍ3程度となり、図１における
ｄを１０ｍｍとすると、即ちこの長さだけ切り欠き部を
のこしてスペーサと支持体、保護層を封着する場合で
は、ここで形成される開口部の面積は６ｍｍ2となるの
で、３／３３７，１８４×１００（％）、即ち、０．０
０１８％が開口部の割合を示す。
【００４２】従って、本発明においては、開口率を１０
％以上とした状態において、例えば、真空、或いは加熱
により乾燥して、開口部を封止するが、開口部の面積は
大きい方が、蛍光体の乾燥の、局部的な不均一をなくす
にはよいので、例えば、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜
した後、その状態で（その場合には開口率が殆ど５０％
ということになる）、乾燥しその後、周囲の湿度を調整
することで、丁度輝尽性蛍光体の含水率が絶対湿度で
２．６６×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下
となるような状態で、保護層を重ね保護層とスペーサを
用いて封着する場合も含む。従って、輝尽性蛍光体膜
を、例えば、蒸着法によって成膜した場合、装置内は
１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空に保たれているの
で、支持体上に形成された輝尽性蛍光体膜に、直ちに、
保護膜を重ねスペーサ又は封着剤を用いて封止するのも
本発明の一態様である。又、輝尽性蛍光体膜を形成後一
旦取り出し、通常の湿度下におき、蛍光体の含水率が増
加しても、真空乾燥或いは加熱乾燥により蛍光体中の含
水量を前記の含水量以下とした状態で封止すればよい。
或いは、そのまま低湿度の状態で保管できれば、特に乾
燥工程を経ずに、保護膜、スペーサ又は封着剤と組み合
わせ、密閉容器を形成し封止すればよい。いずれも、ス
ペーサに切り欠き部を一時的に設けて封止する必要もな
く好ましい。
【００４３】又、本発明においては、必ずスペーサを用
いる必要はなく、例えば、保護層として或いは支持体と
して、可撓性のあるプラスチックフィルムを使用した場
合等にはスペーサ無しで支持体と保護層を直接、封着剤
で封止することも可能である。
【００４４】本発明においては、この様に開口率を大き
くし、支持体上に成膜した輝尽性蛍光体の乾燥を効率よ
く行い、局所的な乾燥の不均一による、その後の、蛍光
体の劣化を防止するが、封着時には、輝尽性蛍光体の含
水率を充分乾燥により低下させた後、封着時に再び吸水
しないように、低湿度の状態で封着する必要がある。湿
度は一義的には決まらないが（例えば、湿度が高いとき
には短時間で封着すればよいし、湿度が低い場合には、
ある程度の時間、その状態で放置しても吸湿は小さ
い）、従って、本発明においては、輝尽性蛍光体の含水
率でこれを測るのがよい。輝尽性蛍光体の種類によっ
て、この値は幾分か異なってくるので、蛍光体近傍にあ
る雰囲気の湿度と平衡にある含水率で定義するのがよ
い。本発明においては、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐ
ａの雰囲気と平衡にある含水率以下で輝尽性蛍光体層を
封着すればよい。又、特に吸水しやすい蛍光体の場合更
に絶対湿度が１．３３×１０3の雰囲気と平衡にある含
水率以下で封着するのがよい。
【００４５】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４
８７号に記載されているＢａＳＯ4：Ａｘで表される蛍
光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ4：Ａ
ｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載
されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭
５１−２９８８９号に記載されているＮａ2ＳＯ4、Ｃａ
ＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なく
とも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号
に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ4及びＣａ
Ｆ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載され
ているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５
４−４７８８３号に記載されているＬｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ
2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５
９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、Ｓ
ｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚ
ｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。
又、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：
Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一
般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ 2：Ａで表されるアルカリ
土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
【００４６】又、特開昭５５−１２１４３号に記載され
ている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で
表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯ
Ｘ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号
に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：
ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記
載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表され
る蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されてい
る一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土
類元素付活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式Ｚ
ｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表
される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されて
いる下記いずれかの一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ で表される蛍光体等、又、特開昭６１−２２８４００号
に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉで表される
ビスマス付活アルカリハライド蛍光体等があげられる。
【００４７】しかしながら、特に、特開昭６１−７２０
８７号、特開平２−５８０００号等に記載されたよう
な、下記一般式（１）で表されるアルカリハライド系輝
尽性蛍光体が好ましい。
【００４８】一般式（１） Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｃＡ 式中、Ｍ1はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ばれ
る少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮｉか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であ
り、Ｍ3はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，
Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
ｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる
少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及びＸ″は
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくと
も１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉｎ，Ｇ
ａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，
Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の
金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦ａ＜
０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｅ≦０．２の範囲の数値
を表す。
【００４９】これらのアルカリハライド系輝尽性蛍光体
は気相堆積法により支持体上に成膜することで、支持体
の法線方向に対し一定の傾きをもった（勿論、傾きがな
く、支持体面に対して垂直でもよいが）細長い柱状結晶
を形成する。この様な柱状結晶の形成により、輝尽励起
光（又輝尽発光）の横方向への拡散を抑えることができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性がよいことがこれ
らの蛍光体を用いたときの特徴である。アルカリハライ
ド系輝尽性蛍光体のなかでもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍
光体が高輝度、高画質であり好ましいが、水分に弱いこ
とから、本発明の製造方法との組合せ効果が高い。
【００５０】本発明において、特に好ましいのはこれら
の中でも下記一般式（２）で表される蛍光体である。
【００５１】一般式（２） ＣｓＸ：Ａ 式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ又
はＣｅを表す。
【００５２】中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に輝度が高く
高画質であり、本発明の封着方法（製造方法）との組合
せ効果が高くこのましい。
【００５３】本発明において好ましい、これらの輝尽性
蛍光体を用いて得られる柱状結晶、即ち各々の結晶があ
る間隙をおいて柱状に成長している結晶は、前記、特開
平２−５８０００号に記載された方法により得ることが
できる。
【００５４】即ち、支持体上に輝尽性蛍光体の蒸気又は
該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法
によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体
層を得ることができる。
【００５５】例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流を
基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入射させるこ
とにより、基板面に対してほぼ垂直柱状の結晶を得るこ
とが出来る。
【００５６】これらの場合において、支持体と坩堝との
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね
１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが適当である。
【００５７】蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解
させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃
により発した電子ビームの走査により行われるが、これ
以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００５８】また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。
【００５９】また、付活剤は母体（ｂａｓｉｃ ｓｕｂ
ｓｔａｎｃｅ）に対して付活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）
を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着し
た後、あとから付活剤をドープしてもよい。例えば、母
体であるＣｓＢｒのみを蒸着した後、例えば付活剤であ
るＩｎをドープしてもよい。即ち、結晶が独立している
ため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成
長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからであ
る。
【００６０】ドーピングは形成された蛍光体の母体層中
にドーピング剤（付活剤）を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。
【００６１】これらの柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層
において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、
柱状結晶の大きさ（柱状結晶を支持体と平行な面から観
察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平
均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野
中に含む顕微鏡写真から計算する）は０．５〜５０μｍ
程度がよく、更に好ましくは、０．５〜２０μｍであ
る。即ち、柱状結晶が０．５μｍより細い場合は、柱状
結晶により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下す
るし、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指
向性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００６２】該輝尽性蛍光体を気相成長（堆積）させる
方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法がある。
【００６３】蒸着法は支持体を蒸着装置内に設置したの
ち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真
空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗
加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発さ
せて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに斜め堆積
させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽
性蛍光体層を形成することも可能である。また、前記蒸
着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビーム
を用いて蒸着を行うことも可能である。また蒸着法にお
いては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器或いはエ
レクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上で目的とす
る輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形
成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着
時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよ
い。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理して
もよい。
【００６４】スパッタ法は前記蒸着法と同様に支持体を
スパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して
１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパ
ッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内
に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とす
る。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、斜め
にスパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍
光体を所望の厚さに斜めに堆積させる。このスパッタ工
程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を
形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或
いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ
法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用
い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であ
るし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性
スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法において
は、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱
してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。
【００６５】ＣＶＤ法は目的とする輝尽性蛍光体或いは
輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周
波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上
に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであ
り、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対し
て特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成
長させることが可能である。
【００６６】これらの方法により形成した輝尽性蛍光体
層の層厚は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に
対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、
５０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好まし
く、８０μｍ〜８００μｍから選ばれるのがより好まし
い。
【００６７】図２はこの様にして支持体上に形成した柱
状結晶からなる輝尽性蛍光体層の断層写真である（日立
製走査型電子顕微鏡Ｓ−８００にて、３０００倍で撮影
した）。
【００６８】これらの柱状結晶は前記の通り特開平２−
５８０００号に記載された方法、即ち、支持体上に輝尽
性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長
（堆積）させる方法で得ることができる。
【００６９】図３は支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着に
より形成される様子を示す図である。１３は形成される
輝尽性蛍光体柱状結晶を模式的に表している。輝尽性蛍
光体蒸気流Ｖの支持体面の法線方向（Ｐ）に対する入射
角度をθ２とすると、形成される柱状結晶の支持体面の
法線方向（Ｐ）に対する角度はθ１で表される。入射角
度θ２に依存して一定の角度θ１で柱状結晶が形成され
るが、本発明において、前記のように、例えば、蒸着時
の輝尽性蛍光体の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜
５度の範囲で入射させる（即ちθ２が０〜５度）ことに
より、基板面に対してほぼ垂直柱状（θ１がほぼ０度）
の結晶を得ることが出来る。
【００７０】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００７１】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。又高光
吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全
に防止できる。
【００７２】高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５０
０〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反
射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシ
ウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び
緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００７３】白色顔料は輝尽発光も反射することができ
る。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル
型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳ
Ｏ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢ
ａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣ
ｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、Ｃａ
ＣＯ 3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポ
ン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性
珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげ
られる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大
きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽
発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの
感度を顕著に向上させうる。
【００７４】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など
及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発
光も吸収する。
【００７５】また、色材は、有機若しくは無機系色材の
いずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファース
トブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブル
ーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１
（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷
化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント
製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカ
チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルー
ＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産
業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、
７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２
３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５
７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４
２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【００７６】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る支持体としては水分の透過性の低いものが好ましく、
各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例
えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板
ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエス
テルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテ
ートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチ
ックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シー
ト等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する
金属シートが好ましい。これら支持体の表面は滑面であ
ってもよいし、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる目
的でマット面としてもよい。
【００７７】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体の接着性を向上させるために、必要に応じて支持
体の表面に予め接着層を設けてもよい。
【００７８】これら支持体の厚みは用いる支持体の材質
等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μ
ｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８
０μｍ〜１０００μｍである。
【００７９】又、本発明の保護層としては、透光性がよ
くシート状に形成できるものを用いることができる。例
えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板
ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニルなどの有機
高分子があげられる。
【００８０】本発明の保護層は単一層であってもよい
し、多層であってもよく、材質の異なる２種類以上の層
からなっていてもよい。例えば２層以上の高分子膜を複
合したフィルムを用いることができる。この様な複合高
分子フィルムの製法としては、ドライラミネート、押し
出しラミネートまたは共押し出しコーティングラミネー
トなどの方法があげられる。２層以上の保護層の組合せ
としては有機高分子同士に限られるものではなく、板ガ
ラス同士や板ガラスと有機高分子などがあげられる。例
えば、板ガラスと高分子層とを組み合わせる方法として
は、保護層用塗布液を板ガラス上に直接塗布して形成す
るか、或いは予め別途形成した高分子保護層を板ガラス
上に接着する方法があげられる。尚２層以上の保護層は
互いに密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
【００８１】本発明の保護層の厚さは、実用上は１０μ
ｍ〜３ｍｍまでである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得る
ためには保護層の厚さは１００μｍ以上が好ましく、特
に５００μｍ以上の保護層を設けた場合、耐久性、耐用
性に優れた変換パネルが得られて、一層好ましい。
【００８２】また、保護層として板ガラスを用いた場合
には、極めて耐湿性に優れており特に好ましい。
【００８３】保護層は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よ
く透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すこ
とが望ましく、透過率は６０％以上、好ましくは８０％
以上である。これを満たすものとしては例えば石英ガラ
ス、ホウ珪酸ガラスなどがあげられる。ホウ珪酸ガラス
は３３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の透
過率を示し、石英ガラスでは更に短波長においても高い
透過率を示す。
【００８４】また、保護層の表面にＭｇＦ2などの反射
防止層を設けると、輝尽励起光及び輝尽性発光を効率よ
く透過すると共に鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり
好ましい。保護層の屈折率は特に規定しないが、実用的
に用いる材質では１．４〜２．０の間にあるものが多
い。
【００８５】又、鮮鋭性の向上のため、ガラスに例えば
リン酸鉛等の着色剤を含有させ着色し、輝尽励起光を吸
収する機能をもたせてもよい。
【００８６】その為に、ガラスに輝尽励起光を吸収する
色材（顔料又は色素）で着色したフィルムを積層した
り、ガラスのどちらか一方の面に色素乃至顔料を含有す
る層を塗布により設けたり、ガラス自身に、色材とし
て、分散された顔料や着色剤を含有させる方法もある。
【００８７】着色したフィルムの製造方法としては、色
材を練り込んだプラスチックフィルムやプラスチックフ
ィルムの表面に色材（顔料又は染料）を含有する層を塗
布等によって形成する方法があり、着色したプラスチッ
クフィルムを接着剤等を用いて均一にガラス表面に貼り
合わせる方法で着色したガラスを得ることが出来る。
【００８８】又、ガラスに直接ガラスと接着性のよいバ
インダー（水ガラス、ポリビニルブチラール等の有機ポ
リマー等）中に分散乃至溶解した顔料又は染料を塗布し
てもよい。
【００８９】これらの保護層に用いる励起光を吸収でき
る色材としては、有機若しくは無機系色材のいずれでも
よいが、有機系色材としては、ザボンファーストブルー
３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３
ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナ
ルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、
オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブ
ルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧ
ＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産
業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリル
アシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブル
ーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳ
Ｌ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデ
クスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４
２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４
０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０
７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６
１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８
０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩染料又
は顔料もあげられる。特に金属フタロシアニン系顔料が
好ましい。無機系色材としては群青、コバルトブルー、
セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃ
ｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【００９０】又、スペーサとしては、輝尽性蛍光体層を
外部雰囲気から遮断した状態で保持することができるも
のであれば特に限定されず、ガラス、セラミックス、金
属、プラスチック等を用いることができる。
【００９１】又、スペーサは、その透湿度が３０ｇ／ｍ
2・２４ｈｒ以下であることが好ましい。この透湿度が
余り大きすぎる場合には、外部から進入する水分により
輝尽性蛍光体が劣化する。
【００９２】スペーサの厚さは、輝尽性蛍光体層の厚さ
以上であることが好ましく、幅は主に、このスペーサと
支持体及び保護層との密着部分の防湿性（透湿度）に関
連して決定されるものであり、１〜３０ｍｍが好まし
い。スペーサの幅が余り小さすぎる場合にはスペーサの
安定性、強度及び防湿性の点から好ましくない。又、余
り大きすぎる場合には必要以上に放射線画像変換パネル
が大型化するので好ましくない。
【００９３】尚、スペーサと支持体及び保護層との密着
部分の透湿度は、３０ｇ／ｍ2・２４ｈｒ以下であるこ
とが好ましい。
【００９４】スペーサは、支持体と保護層に密着してい
ることが変換パネルに防湿性を与える点及び低屈折率層
の層厚を一定に保持する点から必要である。ここでスペ
ーサを支持体及び保護層に密着・封着するには封着剤を
用いる。
【００９５】本発明において、封着剤とはスペーサを支
持体及び保護層に、又、支持体と保護層を直接接着する
ものであり接着剤が用いられるが、この接着剤としては
防湿性を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ
系樹脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹
脂、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系
樹脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、オ
レフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴム
等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤、アル
ミナ、シリカ等を主成分とする無機系接着剤等が挙げら
れる。これらの中でも半導体や電子部品の封止に用いら
れるエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂が耐湿性に優れ
好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度が低く好適で
ある。
【００９６】尚、スペーサと支持体又はスペーサと保護
層との密着部分の接着性を向上させる目的で、スペー
サ、支持体及び保護層の層との接着面に下引き層を設け
たり、粗面化処理を施すこともできる。
【００９７】又、スペーサなしに、上記封着剤のみで、
支持体と保護層を接着し封着することも可能である。
【００９８】又、本発明においては低屈折率層を設けて
もよい。低屈折率層は保護層よりも屈折率の低い素材か
らなり、この層が存在することにより、保護層を厚くし
ても鮮鋭性の低下を小さくすることができる。例えば以
下に示す物質を用いる事ができ、蒸着等気相成長法で形
成された薄膜の状態で用いるのが好ましい。
【００９９】 或いは、以下の様な液体層を用いることもできる。
【０１００】 又、本発明の低屈折率層として、空気、窒素、アルゴン
などの気体層や真空層など屈折率が実質的に１である層
を用いると、鮮鋭性の低下を防止する効果が高く特に好
ましい。
【０１０１】本発明の低屈折率層の厚さは０．０５μｍ
から３ｍｍまでが実用的である。本発明の低屈折率層
は、輝尽層と密着状態にあってもよいし、離れていても
よい。低屈折率層と輝尽層を密着させるためには、接着
剤を用いるのが１つの方法であるが、その場合、接着剤
の屈折率は輝尽層の屈折率または低屈折率層の屈折率に
近いことが好ましい。
【０１０２】又、図４は、放射線画像変換パネルの構成
の一例を示す断面図であり、低屈折率層として空気層を
設けた場合を示している。パネルの側縁部にスペーサ５
を輝尽性蛍光体層１を取り囲むように設けて空気層４を
一定の厚みに保つ。この場合スペーサに切り欠き部は形
成しない。
【０１０３】図５に、本発明の放射線画像変換パネルを
用いた放射線像変換方法を概略的に示す。
【０１０４】即ち、図５において、２１は放射線発生装
置、２２は被写体、２３は本発明に係わる放射線画像変
換パネル、２４は（レーザ等の）輝尽励起光源、２５は
該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出する光電
変換装置、２６は２５で検出された信号を画像として再
生する装置、２７は再生された画像を表示する装置、２
８は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを
透過させるフィルタである。尚、２５以降は２３からの
光情報を何らかの形で画像として再生できるものであれ
ばよく、上記に限定されるものではない。
【０１０５】図５に示されるように、放射線発生装置２
１からの放射線（Ｒ）は被写体２２を通して放射線画像
変換パネル２３に入射する（ＲＩ）。この入射した放射
線はパネル２３の輝尽層に吸収され、そのエネルギーが
蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。
【０１０６】次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。
【０１０７】放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放
射線エネルギー量に比例するので、この光信号を例えば
光電子倍増管等の光電変換装置２５で光電変換し、画像
生成装置２６によって画像として再生し画像表示装置２
７によって表示することにより、被写体の放射線透過像
を観察することができる。
【０１０８】
【実施例】以下実施例により本発明を説明するが本発明
はこれにより限定されるものではない。
【０１０９】実施例１ 《放射線画像変換パネル試料１〜７の作製》１ｍｍ厚、
面積４１０ｍｍ×４１０ｍｍの結晶化ガラス（日本電気
ガラス社製）支持体の表面に図６に示した蒸着装置を用
いて輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍
光体層を形成した。
【０１１０】図６に示した蒸着装置において、スリット
としてアルミニウム製スリットを用い、但し、θ２＝０
度とし、支持体とスリットとの距離ｄを６０ｃｍとし
て、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら蒸着を
行なった。電子顕微鏡観察によれば、θ１＝０度、結晶
径３μｍの柱状結晶からなる厚み３００μｍの輝尽性蛍
光体層が得られた。
【０１１１】尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着
器内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）
を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。
【０１１２】その後、蒸着器内を排気し、器内の真空度
を６．５５×１０-4Ｐａに維持した後、支持体の温度
（基板温度ともいう）を約３００℃に保持しながら、蒸
着を開始した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとな
ったところで蒸着を終了させた。
【０１１３】この様にして得られた輝尽性蛍光体層を形
成した支持体を直ちに作業室（絶対湿度２．６６×１０
3Ｐａ）に移し、支持体の上、輝尽性蛍光体層の周囲
に、３００μｍの厚さの空気層が設けられるように厚さ
６００μｍで幅５ｍｍのガラスのスペーサを配置しエポ
キシ系接着剤（スリーボンド社製）で接着する加工を行
った。尚、スペーサに切り欠き部は設けなかった。
【０１１４】又、別途、保護層として用いる、以下に従
って作製されたガラスを準備しておき、これを重ねて同
様にエポキシ系接着剤で直ちに封着し、放射線画像変換
パネル試料１を作製した。
【０１１５】ガラス製の保護層は以下のように作製し
た。着色無しの透明ガラス（厚みが５５０μｍ、屈折率
１．５２、輝尽励起光（半導体レーザ；６８０ｎｍ）に
おける透過率が９８％）の透明ガラス表面に直接、以下
に示す顔料分散塗布液を塗布してガラスの片面に輝尽励
起光（半導体レーザ；６８０ｎｍ）における透過率がそ
れぞれ８５％となるように厚みを調整しバーコーターに
て塗布し乾燥したもの。
【０１１６】 （顔料分散塗布液） 銅フタロシアニン １．０ｇ ポリビニルブチラール １０００ｇ メチルエチルケトン １００００ｇ をサンドミル（ウイリー・エ・バッコーフェン社製ダイ
ノーミルＫＤ−６０）を用いて６時間分散し塗布液を調
製した。
【０１１７】次に、前記輝尽性蛍光体層を形成した支持
体を、今度は作業室（絶対湿度４．００×１０3Ｐａ）
に移し、支持体の上、輝尽性蛍光体層の周囲に、３００
μｍの厚さの空気層が設けられるように厚さ６００μｍ
で幅５ｍｍのガラスのスペーサを配置しエポキシ系接着
剤（スリーボンド社製）で接着する加工を行った。これ
も、スペーサに切り欠き部は設けなかった。
【０１１８】この様にして得られた、輝尽性蛍光体層の
周囲にスペーサを形成し接着した支持体を、８０℃、２
時間減圧乾燥（真空度１．３３Ｐａ）後、別の作業室内
（絶対湿度２．６６×１０3Ｐａ）に取り出し、上記保
護層ガラスをスペーサ上に配置し、スペーサと保護層が
接する部分をエポキシ系接着剤を用いて接着し輝尽性蛍
光体層を封着して、放射線画像変換パネル試料２を得
た。
【０１１９】放射線画像変換パネル試料２の作製におい
て、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成後、作業室（絶対
湿度４．００×１０3Ｐａ）に移してスペーサを接着し
たのち、真空度１．３３Ｐａにおいて８０℃、２時間減
圧乾燥したのち、絶対湿度１．３３×１０3Ｐａの作業
室内に取り出して、保護層ガラスを重ね同様に封着作業
を行った以外は同様にして、放射線画像変換パネル試料
３を作製した。
【０１２０】放射線画像変換パネル試料２の作製におい
て、同様に減圧乾燥後、絶対湿度０．６６×１０3Ｐａ
の作業室内に取り出して、保護層ガラスを重ね同様に封
着作業を行った以外は同様にして、放射線画像変換パネ
ル試料４を作製した。
【０１２１】放射線画像変換パネル試料２の作製におい
て、スペーサを接着し、８０℃、２時間減圧乾燥（真空
度１．３３Ｐａ）後、絶対湿度６．５５×１０3Ｐａの
作業室内に取り出して、上記保護層ガラスを重ね同様に
封着作業を行った以外は同様にして、放射線画像変換パ
ネル試料５（比較）を作製した。
【０１２２】又、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した
後、前記支持体に接着するスペーサとして図１（ｂ）で
示されるような切り欠き部６（ｄ＝１０ｍｍ）を有する
ものを用いた以外、放射線画像変換パネル２と同様にし
て、保護層ガラスを重ねて封止し、切り欠き部分に開口
部ができるようにした。スペーサの切り欠き部分の開口
率は０．０１８％である。
【０１２３】次いで、切り欠き部を有するスペーサを用
いて仮封止した上記試料を真空乾燥機中で８０℃、２時
間減圧乾燥（真空度１．３３Ｐａ）した後、次いで、こ
れを絶対湿度２．６６×１０3Ｐａの作業室内に取り出
し同様に封着剤を用いて密封し放射線画像変換パネル試
料６（比較）を作製した。
【０１２４】又、スペーサの切り欠き部（開口部）から
減圧ポンプにて８０℃、２時間減圧乾燥（真空度１．３
３Ｐａ）した後、次いで、これを絶対湿度１．３３×１
０3Ｐａの作業室内に取り出し同様に封着剤を用いて保
護層ガラスを重ね密封し放射線画像変換パネル試料７
（比較）を作製した。
【０１２５】このようにして得られた放射線画像変換パ
ネル試料１〜７について、下記のように感度を評価し
た。
【０１２６】〈放射線画像変換パネルの評価〉各放射線
画像変換パネルに８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体
までの距離；１．５ｍ）照射した後、半導体レーザ光
（６８０ｎｍ、パネル上でのパワー４０ｎＷ）を照射し
て、得られた信号の大きさから、Ｘ線に対するパネルの
輝度を求め感度とした。尚、パネルの輝度は、放射線画
像変換パネルの中心部から周辺部について図７に示すよ
うに等間隔な３６点の測定点で測定し、平均を算出した
ものである。又、レーザの径は１００μｍφである。な
お、比較として放射線画像変換パネル１の感度を１００
として相対的に各パネルの感度を求めた。
【０１２７】
【表１】
【０１２８】表１から、比較の試料と比べて、本発明の
試料は感度が良好であることが明らかである。
【０１２９】
【発明の効果】本発明により、製造安定性に優れた、感
度の高い放射線画像変換パネルの製造方法を得ることが
できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】支持体、保護層及びスペーサ又は封着剤により
輝尽性蛍光体を密封した放射線画像変換パネルの一例を
示す図。
【図２】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層の断層写真で
ある。
【図３】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成さ
れる様子を示す図である。
【図４】本発明の放射線画像変換パネルの構成の一例を
示す断面図である。
【図５】本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線
像変換方法を示す概略図である。
【図６】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製す
る方法の一例を示す概略図である。
【図７】Ｘ線に対する放射線画像パネルの輝度測定点を
示す図である。
【符号の説明】
１ 輝尽性蛍光体 ２ 保護層 ３ 支持体 ４ 低屈折率層 ５ スペーサ ６ 切り欠き部 １３ 柱状結晶 ２１ 放射線発生装置 ２２ 被写体 ２３ 放射線画像変換パネル ２４ 輝尽励起光源 ２５ 光電変換装置 ２６ 放射線画像再生装置 ２７ 放射線画像表示装置 ２８ フィルタ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC01 CC03 CC04 CC10 DD02 DD11 EE02 EE03 EE08 4H001 CA02 CA08 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 XA57 XA58 XA59 XA60 XA61 XA62 XA63 XA64 XA65 XA66 XA67 XA68 XA69 XA70 XA71 YA11 YA12 YA29 YA31 YA39 YA47 YA49 YA55 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 支持体、該支持体上に成膜された輝尽性
    蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽性
    蛍光体の周縁部を取り囲むように封着剤が設けられ密閉
    された放射線画像変換パネルの製造方法において、支持
    体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、該輝尽性蛍光体の含
    水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐａの雰囲気と平
    衡にある含水率以下において、封着剤を用いて保護層と
    支持体を封止することを特徴とする放射線画像変換パネ
    ルの製造方法。
  2. 【請求項２】 支持体、該支持体上に成膜された輝尽性
    蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽性
    蛍光体の周縁部を取り囲むようにスペーサが設けられ封
    着剤により密閉された放射線画像変換パネルの製造方法
    において、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、該輝
    尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐ
    ａの雰囲気と平衡にある含水率以下において、封着剤を
    用いて支持体、保護層及びスペーサを封止することを特
    徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
  3. 【請求項３】 支持体、該支持体上に成膜された輝尽性
    蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽性
    蛍光体の周縁部を取り囲むように封着剤が設けられ密閉
    された放射線画像変換パネルの製造方法において、支持
    体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、支持体、保護層及び
    封着剤により輝尽性蛍光体を取り囲んで形成される密閉
    容器の表面積に対し開口率が１０％以上である状態にお
    いて、輝尽性蛍光体の乾燥をおこない、且つ、該輝尽性
    蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．６６×１０3Ｐａの
    雰囲気と平衡にある含水率以下において、封着剤を用い
    て保護層と支持体を封止することを特徴とする放射線画
    像変換パネルの製造方法。
  4. 【請求項４】 支持体、該支持体上に成膜された輝尽性
    蛍光体及び保護層を有し、支持体と保護層の間に輝尽性
    蛍光体の周縁部を取り囲むようにスペーサが設けられ封
    着剤により密閉された放射線画像変換パネルの製造方法
    において、支持体上に輝尽性蛍光体を成膜した後、支持
    体、保護層及びスペーサにより輝尽性蛍光体を取り囲ん
    で形成される密閉容器の表面積に対し開口率が１０％以
    上である状態において、輝尽性蛍光体の乾燥をおこな
    い、且つ、該輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で２．
    ６６×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下にお
    いて、封着剤を用いて保護層、支持体及びスペーサを封
    止することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で
    １．３３×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下
    において、封着剤を用いて保護層及び支持体を、或い
    は、保護層、支持体及びスペーサを封止することを特徴
    とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像
    変換パネルの製造方法。
  6. 【請求項６】 輝尽性蛍光体の含水率が、絶対湿度で
    ０．６６×１０3Ｐａの雰囲気と平衡にある含水率以下
    において、封着剤を用いて保護層及び支持体を、或い
    は、保護層、支持体及びスペーサを封止することを特徴
    とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像
    変換パネルの製造方法。
  7. 【請求項７】 輝尽性蛍光体が、下記一般式（１）で表
    される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体が気相成
    長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ以上の膜厚
    を有するように成膜されることを特徴とする請求項１〜
    ６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造
    方法。 一般式（１） Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｃＡ （式中、Ｍ1はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ば
    れる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢ
    ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮ
    ｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属で
    あり、Ｍ3はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
    ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
    ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選
    ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及び
    Ｘ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少
    なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉ
    ｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
    ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
    Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも
    １種の金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦
    ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｃ≦０．２の範囲の
    数値を表す。）
  8. 【請求項８】 一般式（１）において、Ｍ1がＫ、Ｒｂ
    及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアル
    カリ金属であることを特徴とする請求項７に記載の放射
    線画像変換パネルの製造方法。
  9. 【請求項９】 一般式（１）において、ＸがＢｒ及びＩ
    から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であること
    を特徴とする請求項７又は８に記載の放射線画像変換パ
    ネルの製造方法。
  10. 【請求項１０】 一般式（１）において、Ｍ2がＢｅ，
    Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種
    の２価金属であることを特徴とする請求項７〜９のいず
    れか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
  11. 【請求項１１】 一般式（１）において、Ｍ3がＹ，Ｃ
    ｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ａｌ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｇａ及びＩ
    ｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属で
    あることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に
    記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
  12. 【請求項１２】 一般式（１）において、ｂが０≦ｂ≦
    ０．０１であることを特徴とする請求項７〜１１のいず
    れか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
  13. 【請求項１３】 一般式（１）において、ＡがＥｕ，Ｃ
    ｓ，Ｓｍ，Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なく
    とも１種の金属であることを特徴とする請求項７〜１２
    のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 輝尽性蛍光体が柱状結晶を有すること
    を特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の放
    射線画像変換パネルの製造方法。
  15. 【請求項１５】 柱状結晶が主成分として下記一般式
    （２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴と
    する請求項１４に記載の放射線画像変換パネルの製造方
    法。 一般式（２） ＣｓＸ：Ａ （式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ
    又はＣｅを表す。）
  16. 【請求項１６】 支持体上に輝尽性蛍光体を気相成長法
    により成膜することを特徴とする請求項１〜１１のいず
    れか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
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