JP2003248093A

JP2003248093A - 放射線画像変換パネル

Info

Publication number: JP2003248093A
Application number: JP2002046110A
Authority: JP
Inventors: Kuniaki Nakano; 中野　　邦昭; Satoru Honda; 哲本田; Osamu Morikawa; 修森川
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-02-22
Filing date: 2002-02-22
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、カセッテに収納可能な、気
相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネルを得ることにあり、又、マンモ撮影用と
して用いることのできる、気相堆積法により形成した輝
尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを得ること
にある。【解決手段】支持体、輝尽性蛍光体層、保護層からな
る放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気
相堆積法により形成され、且つ、放射線画像変換パネル
端面と支持体上に形成された輝尽性蛍光体層端面の距離
をＬとしたとき、放射線画像変換パネルの４辺全てにお
いて、０≦Ｌ≦４ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カセッテに収納可
能とした、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線像
変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いられ
るようになってきた。

【０００３】これは、例えば、米国特許第３，８５９，
５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された
様に支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線像変換
パネルを使用するものである。この放射線像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線をあてて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、
この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられ
る）で走査することによって各部に蓄積された放射線エ
ネルギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読み
とって画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプ
レイ上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生
してもよい。

【０００４】この放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び
光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性で
あることが要求される。

【０００５】通常、放射線感度を高くするには輝尽性蛍
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。

【０００６】又鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄
層化するほど向上するが、薄すぎると感度の現象が大き
くなる。

【０００７】又粒状性についても画像の粒状性は放射線
量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線像変
換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）
等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄
くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減
少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構
造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って
画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層
厚が厚い必要があった。

【０００８】この様に様々な要因から放射線像変換パネ
ルを用いた放射線像変換方法の画質及び感度は決定され
る。これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して
感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされ
てきた。

【０００９】それらの内放射線画像の鮮鋭性改善の為の
手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状その
ものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試み
がされている。

【００１０】これらの試みの１つとして、例えば特開昭
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。

【００１１】又、特開昭６１−１４２５００号に記載の
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２
−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形成
された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ
擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持
体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形
成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設け
る方法等も提案されている。

【００１２】又、特開平２−５８０００号においては、
気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対
し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性
蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されてい
る。

【００１３】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向へ
の拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反
射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させ
ることができるという特徴がある。

【００１４】また、更に、これらの気相成長（堆積）に
より形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネ
ルにおいても、前記感度と鮮鋭性の関係について、更に
向上させるため、前記擬柱状輝尽性蛍光体結晶からなる
蛍光体層を低屈折率層と組み合わせることによって、放
射線像変換パネル中の層界面での反射や屈折を抑える等
の方法が、例えば特開平１−１３１４９８号において行
われている。

【００１５】これらの気相堆積法により形成される輝尽
性蛍光体プレートを放射線画像変換パネルとして用いる
場合には、パネル自体は撮影装置中の支持部材に固定さ
れ使用されるのが常であった。しかしながら、これまで
のスクリーン／フィルム法と同様に、放射線画像変換パ
ネルをカセッテ中に収納し、カセッテ中において撮影を
行い、撮影済みの放射線画像変換パネルをカセッテごと
移動して、別装置で読みとりを行う方法に気相堆積法に
より形成される輝尽性蛍光体プレートを採用するには、
幾つかの改善しなければならない問題点がわかってき
た。

【００１６】通常、気相堆積法により支持体上に輝尽性
蛍光体膜を形成する場合には、気相堆積装置内に支持体
を支持、設置する制約上から、支持体の周縁部が蒸気流
に対してマスクされた状態になり、その結果輝尽性蛍光
体プレート周縁部、即ち支持体端面と輝尽性蛍光体膜端
面の間に距離があるのが一般的である。

【００１７】前記のように、カセッテ中に、取り外し可
能な状態で放射線画像変換パネルを内蔵させるには、輝
尽性蛍光体の成膜されていない周縁部（即ち放射線画像
変換パネル端面と輝尽性蛍光体膜端面間の距離）が大き
いままだと、カセッテの周縁部に加えて更に使用できな
い領域が大きくなり充分な画像領域を確保できない、重
さが重くなる、又、材料も無駄になる等、より適した形
態の放射線画像変換パネルが必要であった。

【００１８】又、マンモグラフィー撮影に用いられるプ
レートにおいても、周縁部に画像領域として使用できな
い大きな領域が存在するパネルでは、撮影、従って診断
の都合上改善が必要である。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、カセッテに収納可能であり、カセッテ撮影で撮影領
域が大きくとれる、気相堆積法により形成した輝尽性蛍
光体層を有する放射線画像変換パネルを得ることにあ
り、又、マンモ撮影用として用いることのできる、気相
堆積法により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画
像変換パネルを得ることにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の手段によって達成される。

【００２１】１．支持体、輝尽性蛍光体層、保護層から
なる放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が
気相堆積法により形成され、且つ、放射線画像変換パネ
ル端面と支持体上に形成された輝尽性蛍光体層端面の距
離をＬとしたとき、放射線画像変換パネルの４辺全てに
おいて、０≦Ｌ≦４ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。

【００２２】２．支持体、輝尽性蛍光体層、保護層から
なる放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が
気相堆積法により形成され、且つ、放射線画像変換パネ
ル端面と支持体上に形成された輝尽性蛍光体層端面の距
離をＬとしたとき、放射線画像変換パネルの４辺の少な
くとも１つにおいて、０≦Ｌ≦２ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。

【００２３】３．放射線画像変換パネルの４辺の少なく
とも１つが、０≦Ｌ≦０．５ｍｍであることを特徴とする前記２に記載の放射線画像変換
パネル。

【００２４】４．輝尽性蛍光体層が、５０μｍ以上の膜
厚を有し、気相堆積法により形成された下記一般式
（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴と
する前記１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換
パネル。

【００２５】一般式（１）Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｃＡ（式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ば
れる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮ
ｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属で
あり、Ｍ³はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選
ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及び
Ｘ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少
なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも
１種の金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦
ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｃ≦０．２の範囲の
数値を表す。）５．一般式（１）において、Ｍ¹がＫ、Ｒｂ及びＣｓか
らなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属で
あることを特徴とする前記４に記載の放射線画像変換パ
ネル。

【００２６】６．一般式（１）において、ＸがＢｒ及び
Ｉから選ばれる少なくとも１種のハロゲンであることを
特徴とする前記４又は５に記載の放射線画像変換パネ
ル。

【００２７】７．一般式（１）において、Ｍ²がＢｅ，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種
の２価金属であることを特徴とする前記４〜６のいずれ
か１項に記載の放射線画像変換パネル。

【００２８】８．一般式（１）において、Ｍ³がＹ，Ｃ
ｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ａｌ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｇａ及びＩ
ｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属で
あることを特徴とする前記４〜７のいずれか１項に記載
の放射線画像変換パネル。

【００２９】９．一般式（１）において、ｂが０≦ｂ≦
０．０１であることを特徴とする前記４〜８のいずれか
１項に記載の放射線画像変換パネル。

【００３０】１０．一般式（１）において、ＡがＥｕ，
Ｃｓ，Ｓｍ，Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少な
くとも１種の金属であることを特徴とする前記４〜９の
いずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。

【００３１】１１．輝尽性蛍光体層が柱状結晶を有する
ことを特徴とする前記１〜１０のいずれか１項に記載の
放射線画像変換パネル。

【００３２】１２．柱状結晶が主成分として下記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴と
する前記１１に記載の放射線画像変換パネル。

【００３３】一般式（２）ＣｓＸ：Ａ（式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ
又はＣｅを表す。）以下本発明について、実施の形態を図によって詳細に説
明する。

【００３４】

【発明の実施の形態】気相堆積法により形成された輝尽
性蛍光体（単に蛍光体ということがある）層を有する放
射性画像変換パネルは、高感度、高鮮鋭性であるという
特徴があるが、気相堆積法によって形成されるアルカリ
ハライド系の輝尽性蛍光体においては、周囲の水分の影
響を除くために輝尽性蛍光体層を支持体上に形成した
後、透湿性の低い例えばガラスのような素材からなる保
護層を重ね、スペーサ等を用いて接着剤で支持体とこれ
を接着することで輝尽性蛍光体層を外部雰囲気から遮断
・封止した構成をとっている。

【００３５】支持体上に輝尽性蛍光体膜を気相堆積法に
より形成する際には、例えば真空蒸着装置中に、ソーダ
ガラスなどの支持体を、支持部材により固定して支持体
上に蒸着を行う。支持部材がマスクと同じ作用をするた
め、蛍光体が堆積成長する領域の外側には、支持部材に
よりマスキングされた、ガラス面が露出した、蛍光体膜
の端面から支持体の端面までの未蒸着領域ができるのが
普通である。図１は真空蒸着装置中において、真空蒸着
装置の支持部材Ｓにより保持された支持体１３上に輝尽
性蛍光体層１４が気相堆積法によって形成される様子を
示しており、Ｖは蛍光体材料蒸気を表している。図で、
輝尽性蛍光体膜の端面から支持体の端面まで距離（Ｌ）
で表される領域が蛍光体が形成されないマスクされた部
分である。

【００３６】図２はこの様にして支持体上に輝尽性蛍光
体層を形成したのち、輝尽性蛍光体層１４を有する支持
体１３上に保護層１５を重ね、保護層１５と支持体１３
を、間にスペーサ１６を介して接着剤で封着した放射線
画像変換パネル１１の一例を示す断面図及びこれを上面
からみた上面図である。

【００３７】図２においてはＬで表される蛍光体層端面
から支持体の端面間の距離Ｌ（この場合蛍光体端面から
放射線画像変換パネルの端面の距離と同じ）が蛍光体の
蒸着時にマスクされていた領域である。これらの蛍光体
層１４が成膜された支持体１３に保護層１５を重ねスペ
ーサ１６を間に挟んで封着することで外気から密封され
た放射線画像変換パネルが形成される。

【００３８】これらの放射線画像変換パネルを固定して
Ｘ線撮影装置に用いる際には、図３に示すようにこの放
射線画像変換パネル１１をＸ線撮影装置の支持部材Ｓ
１、Ｓ２に直接固定して使用するのがその使用形態であ
った。従って、一度しっかり固定し、設置すれば、Ｘ線
撮影装置からこれを取り外して使用することはなく、支
持体と保護層、或いは、支持体、保護層及びスペーサの
接着において接着面積を大きくとれるため封止を十分且
つ完全に行える。又、放射線画像変換パネルをＸ線撮影
装置の支持部材へ取り付ける際には周縁の非画像領域が
大きい方が容易且つ確実であるため、輝尽性蛍光体膜が
形成された領域の周辺にマスクされた領域がある程度あ
ることはむしろ好都合であった。

【００３９】従来、気相堆積法によって形成される輝尽
性蛍光体層を有するパネルは、特公平６−５３６０号に
紹介されているように、Ｘ線撮影装置内に固定されて使
用される形態が一般的であり、カセッテ中にこれを収納
し、使用する用途においては、これまで、ＢａＦＢｒ系
塗布型プレートが使用されてきた。

【００４０】カセッテを用いて撮影する方法を図４に示
した。即ち、放射線源１００から出射された放射線が被
写体３０に照射されると、被写体３０を透過した放射線
は、カセッテ２０中に収納された放射線画像変換パネル
に入射し、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には
放射線のエネルギーの一部が蓄積される。このようにし
て放射線画像を記録した後、カセッテ２０から放射線画
像変換パネルを取り出し、放射線画像変換パネルに励起
光を照射し、蓄積されていたエネルギーに応じて輝尽発
光させ、この輝尽発光した輝尽発光光を光電変換手段で
光電変換して適宜処理を施すことにより、放射線画像変
換パネルに記録された放射線画像を読み取る。輝尽発光
光が読み取られた後に放射線画像変換パネル（輝尽性蛍
光体）に対して光照射を施し、放射線画像変換パネルに
残存した（蓄積された）放射線エネルギーを放出させ、
残像を消去（以下、一次消去）し、放射線画像変換パネ
ルについてはこれを繰り返し使用する。

【００４１】カセッテ中への放射線画像変換パネルの収
納は、例えば、図５の（ａ）に外観図を、又、（ｂ）に
断面図で示されるように、放射線画像変換パネル１１を
支持する高剛性（後段において詳述するが、放射線画像
変換パネル１１がトレー１２上でカセッテ２０の支持手
段により支持されたときに、パネル１１が平面性を保て
るような剛性）を有しており、カーボン繊維強化樹脂板
（例えば、東レ製のトレカ（商標））やＭｇ合金、Ａｌ
等の金属板により形成されるトレー１２により放射線画
像変換パネル１１を支持するように構成した放射線画像
変換プレート１０として行う。このトレー１２は、放射
線画像変換パネル１１の表面側（放射線が曝射される側
であり、パネル１１が設けられた側）から見てパネル１
１より大きく、このパネル１１から大きくはみ出た部分
に被支持部１７を有する。

【００４２】なお、トレー１２を設けずに、パネル１１
の支持体１３を高剛性としてもよい。この場合、支持体
１３を放射線画像変換パネル１１の表面側から見て蛍光
体層１４より大きくする。

【００４３】この様な放射線画像変換パネル１１をトレ
ー１２上に支持し、トレーと放射線画像変換パネル１１
と一体とした放射線画像変換プレート１０としてこれを
カセッテ中に収納して撮影を行う。

【００４４】この様に形成した放射線画像変換プレート
１０を収容するカセッテの一例としてカセッテ２０につ
いて説明する。図６（ａ）は、カセッテ２０の外観斜視
図であり、図６（ｂ）は該カセッテ２０の上面の一部を
切り取り中を見えるようにした斜視図である。また、図
７（ａ）は図６において手前側から見た蓋側と反対側の
拡大断面図であり、図７（ｂ）はカセッテ上面側から見
た同じ部分の拡大断面図であり、図７（ｃ）は蓋側から
見た拡大断面図である。

【００４５】カセッテ２０は、アルミニウム及び／又は
樹脂等で構成される筐体２１の端部に蓋２２を有してい
る。この蓋２２は、開状態では放射線画像変換パネル１
１を有する放射線画像変換プレート１０を筐体２１内に
着脱可能にし、閉状態では筐体２１内を光密（遮光）状
態にする部材である。蓋２２を開状態及び閉状態にする
には、軸２３を中心に回動させることにより行う。な
お、蓋２２が閉状態の時には、図示しないロック手段に
よりロックがなされる。なお、本態様では、カセッテ２
０の上面からみて一端側を開閉するようにしたが、これ
に限られず他の開閉も行うことができ、例えば、カセッ
テ２０の上面を開閉する蓋であってもよい。

【００４６】カセッテ２０には、その筐体２１内に、収
納された放射線画像変換プレート１０を支持する支持手
段２４が設けられている。この支持手段２４は、収納さ
れた放射線画像変換プレート１０の非画像部である被支
持部１７を支持する。そして、支持手段２４により放射
線画像変換プレート１０が支持されたときには、例えば
カセッテ２０を床に落とす等衝撃を与えたとき損傷を与
え難くするよう、筐体２１の内壁２５と放射線画像変換
プレート１０の表面（更に詳しくは放射線画像変換プレ
ート１０の画像領域の表面であり、パネル１１の表面で
ある）との間に間隙を有するようになっている。

【００４７】また、収納された放射線画像変換プレート
１０は、表面がカセッテ２０の筐体２１の表面（放射線
が曝射される面）と平行になるように支持手段２４によ
り支持される。

【００４８】また、この支持手段２４は、放射線画像変
換プレート１０を着脱する際に、プレートを案内する案
内手段としても機能している。即ち、支持手段２４は、
カセッテ２０の表面と平行方向に伸びる溝を形成するこ
とにより、蓋２２を開状態にして解放された部分からプ
レートを該溝に沿って挿入することにより、放射線画像
変換プレート１０をカセッテ内に収納する。従って、プ
レートを挿入或いは取り出す際には、溝に沿って行われ
るので、プレートを筐体２１内にぶつける心配が無く、
放射線画像変換プレート１０に損傷を与え難くなる。

【００４９】なお、放射線画像変換プレート１０の着脱
に際して、操作性を向上させるために、支持手段２４の
溝と放射線画像変換プレート１０の被支持部１７とにす
べり加工或いはすべり部材を設けてもよい。

【００５０】この様なカセッテ中に、トレーと放射線画
像変換パネルを組合せ収納し用いる使い方においては、
従来の気相堆積法により形成した放射線画像変換パネル
では、該輝尽性蛍光体層がない周縁部の面積が大きいた
め、これをカセッテに収納したときにトレーにより形成
される被支持部１７に加え、放射線画像変換パネルの周
縁の領域も非画像領域となるため実効撮影面積が小さく
なる不効率があった。又、放射線画像変換パネルの作製
において支持体、保護膜等、実際には撮影上使われない
無駄な領域がかなりの割合を占めることになり、材料の
無駄も無視出来ない。カセッテについてはＪＩＳ規格が
あり、実効撮影面積を拡大するためのカセッテ自体、
又、カセッテの支持部材等の大きな変更は困難である。

【００５１】本発明においては、従来のこれら放射線画
像変換パネルの欠点を除き、カセッテに用いる際に、実
効撮影面積（画像領域）が大きく、それにより、高画
質、高鮮鋭性という気相堆積法により形成した輝尽性蛍
光体の特徴をより生かせる放射線画像変換パネルを提供
する。

【００５２】前記カセッテ中において、カセッテに収納
するときの前記被支持部１７の領域は小さい方がよく、
支持手段２４で遮蔽される部分以外の領域はできるだけ
画像領域として用いるのが効率がよい。トレー１２は、
カセッテの支持手段２４の溝に沿って滑らかに挿入でき
るよう、又、これをしっかりと保持できるように放射線
画像変換パネル１１に比べて大きくしなければならず、
又、カセッテへの装着に必要なトレー１２の被支持部１
７は、放射線画像変換パネル１１が支持部材に接触し
て、損傷する等のことがないようにある大きさを有する
ことも必要であるが、この分を除くと、支持体上に形成
された輝尽性蛍光体層は最大限の大きさを有しているこ
とが実効撮影面積を大きくするためには有効である。即
ち、図２における蛍光体層端面と支持体端面間距離Ｌは
画像面積を稼ぐ上ではなるべく小さいことが好ましい。

【００５３】従って、本発明の放射線画像変換パネル
は、支持体、気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体
層、保護層からなる放射線画像変換パネルにおいて、該
輝尽性蛍光体層が、支持体上に形成された蛍光体層端面
と放射線画像変換パネルの端面の距離をＬとしたとき、
パネルの４辺全てにおいて、０≦Ｌ≦４ｍｍであることが特徴である。

【００５４】以下、本発明に係わる、有効撮影面積の大
きい放射線画像変換パネルの幾つかを例示する。

【００５５】図８の（ａ）に示すように、気相堆積法に
より形成された輝尽性蛍光体層を有する例えばガラス支
持体を、Ｃで表される位置で裏面からカッターにより切
断しマスク部分を切り落とすことによって、同じ図８の
（ｂ）で表される様な支持体端面まで蛍光体層が形成さ
れたガラス支持体が得られる。次いで、図９で示される
ようにスペーサ１６としてガラスを用い、スペーサの幅
分だけ４つの辺を長くした同じくガラス製の保護層１５
と組み合わせ封着剤で封止することで蛍光体端面と放射
線画像変換パネル端面間の距離がスペーサ幅分の長さを
有する放射線画像変換パネル１１となる。この様なパネ
ルにおいて例えば３ｍｍ幅のスペーサを用いることによ
り、蛍光体層１４の端面とパネル端面の距離ＬがＬ＝３
ｍｍである放射線画像変換パネルが得られる。

【００５６】この様な放射線画像変換パネルを、前記の
トレー上にのせ、カセッテに収納することで充分な画像
面積を得ることが出来る。

【００５７】この様に蛍光体端面とパネル側面間の距離
を少なくしたパネルはスペーサ、保護層として用いる、
例えばガラスの大きさ、そしてその組合せ方等により幾
つかのバリエーションはあるが、要するに蛍光体端面と
パネル端面の距離Ｌが４ｍｍ以下となるよう作製されて
いればよい。

【００５８】図１０に、保護層としてプラスチックシー
トを用いた本発明に係わる放射線画像変換パネルの別の
例を示す。

【００５９】図１０の（ａ）は、前記図８の（ｂ）で示
される蛍光体層１４が形成されたガラスの支持体１３
に、プラスチックシート例えばポリエチレンテレフタレ
ートシートを保護膜１５として用い、支持体の裏面で接
着し封止した形態の放射線画像形成パネルである。支持
体より少し大きいポリエチレンテレフタレートシートを
重ね十分密着したのち、先ず、３辺をしっかり裏面で後
述する封着剤或いは熱接着等を用いて接着し、後に、残
った１辺から減圧により保護層のシートを蛍光体層とよ
く密着させ完全に封着剤を用いて或いは熱接着し封着す
る。この方法によれば蛍光体端面からパネルの各辺の端
面までの長さＬは実質的にポリエチレンテレフタレート
シートの厚みであり、例えばシートの厚みが１８０μｍ
であればほぼＬ＝１８０μｍである。

【００６０】又、図１０の（ｂ）には、別の形態の放射
線画像変換パネルを示すが、保護層としてやはりプラス
チックシート例えばポリエチレンテレフタレートシート
を用いて封止するものである。先ず、１枚のポリエチレ
ンテレフタレートシートを二つ折りしたときに、蛍光体
層を製膜した支持体の大きさより３辺がやや大きくなる
（図でそれぞれＬ及びＬ′）ような大きさに断裁する。
Ｌ、Ｌ′は同じでもよい。次いで、二つ折りしたシート
の間に前記の図８の（ｂ）で示される蛍光体層１４を製
膜した支持体１３を挟み、先ず２辺を熱接着等を用いて
封着する。次いで、のこりの１辺を、シート間から減圧
によって空気を十分除き保護層を十分密着させた後、や
はり熱接着等により接着封止する。接着に使用する糊代
部分Ｐを小さくする、即ち蛍光体層端面とパネル端面間
の距離Ｌ、Ｌ′を４ｍｍ以下とすることで同様にデッド
エリアの小さい放射線画像変換パネルが得られる。尚、
１つの辺についてはこれもやはり実質的にはシートの厚
みとなり、図でＬ″がこれにあたり、シートの厚みが２
００μｍであれば実質的にＬ″＝２００μｍである。

【００６１】本発明のもう一つの態様は、気相堆積法に
より形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルをマンモグラフィー用途のカセッテに対応させた
ものである。

【００６２】マンモグラフィー用の放射線画像変換パネ
ルにおいては、図１１に示すように、放射線画像変換パ
ネルを収納したカセッテを乳房（検体）の直下に配置し
てこれを例えば上部からＸ線撮影する用途に用いるた
め、このようなカセッテの場合、人体側において、カセ
ッテの端面まで撮影可能領域が広がっている放射線画像
変換パネルが好適であり、従って、カセッテに収納する
放射線画像変換パネルの蛍光体塗布端面からパネルの端
面距離は、少なくとも人体側になる１つの辺においては
なるべく少ない方がよい。

【００６３】従って、本発明の放射線画像変換パネルの
もう一つの有用な態様においては、支持体、輝尽性蛍光
体層が気相堆積法により形成される輝尽性蛍光体層、保
護層からなる放射線画像変換パネルにおいて、パネルの
４辺の少なくとも１つにおいて、０≦Ｌ≦２ｍｍであることを特徴とする。

【００６４】ここでＬはやはり蛍光体端面とパネルの端
面間の距離であり、これらの長さＬは小さい方が、上記
撮影を行うマンモグラフィー用途においては撮影範囲が
広がるため、診断に必要な情報が多く得られ好ましい。
パネルの少なくとも１つの辺において、更に好適には、０≦Ｌ≦０．５ｍｍである。

【００６５】鮮鋭性に優れた気相堆積法により形成され
たアルカリハライド系輝尽性蛍光体を用いる放射線画像
変換パネルは、鮮鋭性の高い画像が得られ微小な変異を
検出し易いためマンモグラフィー用として優れており、
この様な構成とすることで有用性の高いパネルとなる。

【００６６】次いで、これらに対応した本発明に係わる
放射線画像変換パネルの一例を図１２の（ａ）及び
（ｂ）に示す。（ａ）は前記同様にガラス支持体上に輝
尽性蛍光体層を気相堆積法により形成した後、１つの辺
について、スペーサ１６として用いるガラスの幅分だけ
の長さを蛍光体層端面から残し、ここの部分で、支持
体、スペーサ１６及び保護層１５（ガラス製）を接着し
て蛍光体層を密封したものであり、（ｂ）は蛍光体層形
成後、図８におけるように１つの辺を蛍光体の端面があ
らわれるようにカットし、カットした支持体と同じ大き
さの保護層と重ね蛍光体の端部をガラス製のスペーサ１
６で封止した構造である。いずれも１つの辺において、
蛍光体端面とパネルの端面との距離Ｌが殆どスペーサ１
６の幅に限定されており、例えばスペーサの幅１ｍｍと
することで、この辺においては放射線画像変換パネルの
端面からすぐに撮影領域となっているため、こちら側を
人体の側として撮影するのに都合がよい。

【００６７】又、前記図１０における、保護層を別のプ
ラスティックシートとした放射線画像変換パネルをマン
モグラフィー用のパネルとして用いることができる。即
ち図１０の（ａ）における蛍光体層端面とパネル端面間
の距離は４つの辺とも実質的にプラスチックシートの厚
みであるため、シート厚が２ｍｍ以下である場合、前記
蛍光体層端面とパネル端面間の距離Ｌが２ｍｍ以下であ
る放射線画像変換パネルの好ましい一例である。

【００６８】又、二つ折りしたプラスチックシートに蛍
光体層１４を形成した支持体１３を挟みこみこれを３方
から接着して蛍光体層を密封した図１０の（ｂ）で表さ
れる放射線画像変換パネルにおいて、２つ折りした辺に
おいては、蛍光体端面からパネルの端面の距離は実質的
にはプラスチックシートの厚みになるので（図で
Ｌ″）、例えばプラスチックシートとして、厚みが２０
０μｍのポリエチレンテレフタレートシートを用いれ
ば、この辺での蛍光体層端面とパネルの端面の距離は２
００μｍ（０．２ｍｍ）程度となるので、Ｐで表される
接着領域における蛍光体端面からパネルの端面の距離
Ｌ、Ｌ′の大きさ如何によらず、２つ折りした辺を撮影
時に人体側とすることで、本発明に係わる放射線画像変
換パネルが得られる。

【００６９】本発明においては、気相成長法による輝尽
性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルを、以上の如く
パネルの封止を含めた作製方法を検討することで、カセ
ッテを用いた撮影方法に適用できる、高画質、高鮮鋭性
である、放射線画像変換パネルとすることができた。

【００７０】次いで、本発明において用いられる輝尽性
蛍光体及び放射線画像変換パネルを構成する各要素につ
いて説明する。

【００７１】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体としては、気相堆積法によって形成され
る蛍光体であれば特に限定はないが、中でも、特開昭６
１−７２０８７号、特開平２−５８０００号等に記載さ
れたような、下記一般式（１）で表されるアルカリハラ
イド系輝尽性蛍光体が好ましい。

【００７２】一般式（１）Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｃＡ式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ばれ
る少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮｉか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であ
り、Ｍ³はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，
Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
ｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる
少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及びＸ″は
Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくと
も１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉｎ，Ｇ
ａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，
Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の
金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦ａ＜
０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｃ≦０．２の範囲の数値
を表す。

【００７３】これらのアルカリハライド系輝尽性蛍光体
は気相堆積法により支持体上に成膜することで、支持体
の法線方向に対し一定の傾きをもった或いは傾きがな
く、支持体面に対して垂直な、細長い柱状結晶を形成す
る。この様な柱状結晶の形成により、輝尽励起光（又輝
尽発光）の横方向への拡散を抑えることができるため、
輝尽発光による画像の鮮鋭性がよいことがこれらの蛍光
体を用いたときの特徴である。アルカリハライド系輝尽
性蛍光体のなかでもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体は高
輝度、高画質であり好ましいが、水分に弱いため、前記
のように封止して用いる。

【００７４】本発明において、特に好ましいのはこれら
の中でも下記一般式（２）で表される蛍光体である。

【００７５】一般式（２）ＣｓＸ：Ａ式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ又
はＣｅを表す。

【００７６】中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に輝度が高く
高画質であり好ましい。本発明において好ましい、これ
らの輝尽性蛍光体を用い気相堆積法によって得られる柱
状結晶、即ち各々の結晶がある間隙をおいて柱状に成長
している結晶は、前記、特開平２−５８０００号に記載
された方法により得ることができる。

【００７７】即ち、支持体上に輝尽性蛍光体の蒸気又は
該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法
によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体
層を得ることができる。

【００７８】これらの場合において、支持体と坩堝との
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね
１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが適当である。

【００７９】蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解
させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃
により発した電子ビームの走査により行われるが、これ
以外の方法にて蒸発させることもできる。

【００８０】また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。

【００８１】また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃｓｕｂ
ｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）
を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着し
た後、あとから賦活剤をドープしてもよい。例えば、母
体であるＣｓＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であ
るＩｎをドープしてもよい。即ち、結晶が独立している
ため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成
長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからであ
る。

【００８２】ドーピングは形成された蛍光体の母体層中
にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。

【００８３】これらの柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層
において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、
柱状結晶の大きさ（柱状結晶を支持体と平行な面から観
察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平
均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野
中に含む顕微鏡写真から計算する）は０．５〜５０μｍ
程度がよく、更に好ましくは、０．５〜２０μｍであ
る。即ち、柱状結晶が０．５μｍより細い場合は、柱状
結晶により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下す
るし、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指
向性が低下し、ＭＴＦは低下する。

【００８４】該輝尽性蛍光体を気相成長（堆積）させる
方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法がある。

【００８５】蒸着法は支持体を蒸着装置内に設置したの
ち、装置内を排気して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真
空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗
加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発さ
せて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに斜め堆積
させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽
性蛍光体層を形成することも可能である。また、前記蒸
着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビーム
を用いて蒸着を行うことも可能である。また蒸着法にお
いては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器或いはエ
レクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上で目的とす
る輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形
成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着
時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよ
い。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理して
もよい。

【００８６】スパッタ法は前記蒸着法と同様に支持体を
スパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して
１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパ
ッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内
に導入して１．３３３×１０^-1Ｐａ程度のガス圧とす
る。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、斜め
にスパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍
光体を所望の厚さに斜めに堆積させる。このスパッタ工
程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を
形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或
いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ
法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用
い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であ
るし、必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して反応性
スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法において
は、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱
してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。

【００８７】ＣＶＤ法は目的とする輝尽性蛍光体或いは
輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周
波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上
に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであ
り、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対し
て特定の傾きをもって（或いは垂直でもよいが）独立し
た細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。

【００８８】これらの方法により形成した輝尽性蛍光体
層の層厚は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に
対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、
５０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好まし
く、８０μｍ〜８００μｍから選ばれるのがより好まし
い。

【００８９】図１３は支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着
により形成される様子を示す図である。１０１が形成さ
れる輝尽性蛍光体柱状結晶を模式的に表している。輝尽
性蛍光体蒸気流（蒸発源からの矢印で表す）の支持体面
の法線方向に対する入射角度をθ２とすると、形成され
る柱状結晶の支持体面の法線方向に対する角度はθ１で
表される。入射角度θ２に依存して一定の角度θ１で柱
状結晶が形成されるが、例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体
の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入
射させる（即ちθ２が０〜５度）ことにより、基板面に
対してほぼ垂直柱状（θ１がほぼ０度）の結晶を得るこ
とが出来る。

【００９０】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。

【００９１】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。又高光
吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全
に防止できる。

【００９２】高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５０
０〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反
射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシ
ウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び
緑色から赤色領域の色材を用いることができる。

【００９３】白色顔料は輝尽発光も反射することができ
る。白色顔料として、ＴｉＯ₂（アナターゼ型、ルチル
型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ₃・Ｐｂ（ＯＨ）₂、ＢａＳ
Ｏ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢ
ａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣ
ｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、Ｃａ
ＣＯ ₃、ＺｎＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、リトポ
ン（ＢａＳＯ₄・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性
珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげ
られる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大
きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽
発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの
感度を顕著に向上させうる。

【００９４】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など
及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発
光も吸収する。

【００９５】また、色材は、有機若しくは無機系色材の
いずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファース
トブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブル
ーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１
（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷
化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント
製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカ
チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルー
ＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産
業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、
７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２
３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５
７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４
２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
₂−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。

【００９６】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る支持体としては水分の透過性の低いものが好ましく、
各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例
えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板
ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエス
テルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテ
ートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチ
ックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シー
ト等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する
金属シートが好ましい。これら支持体の表面は滑面であ
ってもよいし、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる目
的でマット面としてもよい。

【００９７】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体の接着性を向上させるために、必要に応じて支持
体の表面に予め接着層を設けてもよい。

【００９８】これら支持体の厚みは用いる支持体の材質
等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μ
ｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８
０μｍ〜１０００μｍである。

【００９９】又、本発明の保護層としては、透光性がよ
くシート状に形成できるものを用いることができる。例
えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板
ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニルなどの有機
高分子があげられる。

【０１００】本発明の保護層は単一層であってもよい
し、多層であってもよく、材質の異なる２種類以上の層
からなっていてもよい。例えば２層以上の高分子膜を複
合したフィルムを用いることができる。この様な複合高
分子フィルムの製法としては、ドライラミネート、押し
出しラミネートまたは共押し出しコーティングラミネー
トなどの方法があげられる。２層以上の保護層の組合せ
としては有機高分子同士に限られるものではなく、板ガ
ラス同士や板ガラスと有機高分子などがあげられる。例
えば、板ガラスと高分子層とを組み合わせる方法として
は、保護層用塗布液を板ガラス上に直接塗布して形成す
るか、或いは予め別途形成した高分子保護層を板ガラス
上に接着する方法があげられる。尚２層以上の保護層は
互いに密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。

【０１０１】本発明の保護層の厚さは、実用上は１０μ
ｍ〜３ｍｍまでである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得る
ためには保護層の厚さは１００μｍ以上が好ましく、特
に５００μｍ以上の保護層を設けた場合、耐久性、耐用
性に優れた変換パネルが得られて、一層好ましい。

【０１０２】また、保護層として板ガラスを用いた場合
には、極めて耐湿性に優れており特に好ましい。

【０１０３】保護層は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よ
く透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すこ
とが望ましく、透過率は６０％以上、好ましくは８０％
以上である。これを満たすものとしては例えば石英ガラ
ス、ホウ珪酸ガラスなどがあげられる。ホウ珪酸ガラス
は３３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の透
過率を示し、石英ガラスでは更に短波長においても高い
透過率を示す。

【０１０４】また、保護層の表面にＭｇＦ₂などの反射
防止層を設けると、輝尽励起光及び輝尽性発光を効率よ
く透過すると共に鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり
好ましい。保護層の屈折率は特に規定しないが、実用的
に用いる材質では１．４〜２．０の間にあるものが多
い。

【０１０５】又、鮮鋭性の向上のため、ガラスに例えば
リン酸鉛等の着色剤を含有させ着色し、輝尽励起光を吸
収する機能をもたせたり、励起光を吸収できる色材で着
色したフィルムを積層したり、ガラスのどちらか一方の
面に色素乃至顔料を含有する層を塗布により設けたりし
てもよい。

【０１０６】又、スペーサには、輝尽性蛍光体層を外部
雰囲気から遮断した状態で保持することができるもので
あれば特に限定されず、ガラス、セラミックス、金属、
プラスチック等を用いることができる。

【０１０７】又、スペーサは、その透湿度が３０ｇ／ｍ
²・２４ｈｒ以下であることが好ましい。この透湿度が
余り大きすぎる場合には、外部から進入する水分により
輝尽性蛍光体が劣化する。

【０１０８】スペーサの厚さは、輝尽性蛍光体層の厚さ
以上であることが好ましく、幅は主に、このスペーサと
支持体及び保護層との密着部分の防湿性（透湿度）に関
連して決定されるものであり、１〜３０ｍｍが好まし
い。スペーサの幅が余り小さすぎる場合にはスペーサの
安定性、強度及び防湿性の点から好ましくない。又、余
り大きすぎる場合には必要以上に放射線画像変換パネル
が大型化するので好ましくない。

【０１０９】尚、スペーサと支持体及び保護層との密着
部分の透湿度は、３０ｇ／ｍ²・２４ｈｒ以下であるこ
とが好ましい。

【０１１０】スペーサは、支持体と保護層に密着してい
ることが変換パネルに防湿性を与える点及び低屈折率層
の層厚を一定に保持する点から必要である。ここでスペ
ーサを支持体及び保護層に密着・封着するには封着剤を
用いる。

【０１１１】本発明において、封着剤とはスペーサを支
持体及び保護層に、又、支持体と保護層を直接接着する
ものであり接着剤が用いられるが、この接着剤としては
防湿性を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ
系樹脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹
脂、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系
樹脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、オ
レフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴム
等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤、アル
ミナ、シリカ等を主成分とする無機系接着剤等が挙げら
れる。これらの中でも半導体や電子部品の封止に用いら
れるエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂が耐湿性に優れ
好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度が低く好適で
ある。

【０１１２】尚、スペーサと支持体又はスペーサと保護
層との密着部分の接着性を向上させる目的で、スペー
サ、支持体及び保護層の層との接着面に下引き層を設け
たり、粗面化処理を施すこともできる。

【０１１３】又、スペーサなしに、上記封着剤のみで、
支持体と保護層を接着し封着することも可能である。

【０１１４】又、放射線画像変換パネルには低屈折率層
を設けてもよい。低屈折率層は保護層よりも屈折率の低
い素材からなり、この層が存在することにより、保護層
を厚くしても鮮鋭性の低下を小さくすることができる。
例えば、ＣａＦ（１．２３〜１．２６）、Ｎａ₂ＡｌＦ₆
（１．３５）、ＭｇＦ₂（１．３８）、ＳｉＯ₂（１．４
６）等の物質を用いる事ができ、蒸着等気相成長法で形
成された薄膜の状態で用いるのが好ましい。ここで（）
内は屈折率である。

【０１１５】或いは、エチルアルコール（１．３６）、
メチルアルコール（１．３３）の様な液体層を用いるこ
ともできる。

【０１１６】又、本発明の低屈折率層として、空気、窒
素、アルゴンなどの気体層や真空層など屈折率が実質的
に１である層を用いると、鮮鋭性の低下を防止する効果
が高く特に好ましい。

【０１１７】低屈折率層の厚さは０．０５μｍから３ｍ
ｍまでが実用的である。低屈折率層は、輝尽性蛍光体層
と密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。低屈
折率層と輝尽性蛍光体層を密着させるためには、接着剤
を用いるのが１つの方法であるが、その場合、接着剤の
屈折率は輝尽性蛍光体層の屈折率または低屈折率層の屈
折率に近いことが好ましい。例えば前記図２或いは図９
等に示される放射線画像変換パネルの断面図において、
輝尽性蛍光体層上部の空間は、低屈折率層として設けら
れ空気層を示している。

【０１１８】

【発明の効果】気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体
層を有し、カセッテに収納したときに撮影領域が大きく
とれ、診断能に優れた放射線画像変換パネルを得ること
ができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】支持体上に輝尽性蛍光体層が気相堆積法によっ
て形成される様子を示す図である。

【図２】放射線画像変換パネルの一例を示す断面図及び
上面図である。

【図３】放射線画像変換パネルをＸ線撮影装置の支持部
材に固定した様子を示す図である。

【図４】カセッテを用いて撮影する方法を示す図であ
る。

【図５】トレーにより放射線画像変換パネルを支持した
プレートの構成を示す図である。

【図６】カセッテの外観斜視図及び該カセッテの上面の
一部を切り取り中を見えるようにした斜視図である。

【図７】カセッテ手前側から見た拡大断面図、カセッテ
上面側から見た同じ部分の拡大断面図及び蓋側から見た
拡大断面図である。

【図８】気相堆積法により輝尽性蛍光体層が形成された
ガラス支持体を示す図である。

【図９】本発明の放射線画像変換パネルの一例を示す図
である。

【図１０】本発明の放射線画像変換パネルの別の一例を
示す図である。

【図１１】カセッテを用い乳房をＸ線撮影する一方法を
示す図である。

【図１２】本発明に係わる放射線画像変換パネルの一例
を示す図である。

【図１３】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成
される様子を示す図である。

【符号の説明】

Ｓ，Ｓ１，Ｓ２支持部材１０放射線画像変換プレート１１放射線画像変換パネル１２トレー１３支持体１４輝尽性蛍光体層１５保護層１６スペーサ１７被支持部２０カセッテ２１筐体２２蓋２３軸２４支持手段２５内壁３０被写体１００放射線源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｋ 11/62 Ｃ０９Ｋ 11/62 11/85 11/85 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 ＢＦターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 CC04 CC09 CC10 DD02 DD11 DD16 4H001 CA02 CA04 CA08 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 YA00 YA11 YA12 YA29 YA31 YA47 YA49 YA55 YA63 YA65 YA66 YA69 YA81

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体、輝尽性蛍光体層、保護層からな
る放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気
相堆積法により形成され、且つ、放射線画像変換パネル
端面と支持体上に形成された輝尽性蛍光体層端面の距離
をＬとしたとき、放射線画像変換パネルの４辺全てにお
いて、０≦Ｌ≦４ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】支持体、輝尽性蛍光体層、保護層からな
る放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気
相堆積法により形成され、且つ、放射線画像変換パネル
端面と支持体上に形成された輝尽性蛍光体層端面の距離
をＬとしたとき、放射線画像変換パネルの４辺の少なく
とも１つにおいて、０≦Ｌ≦２ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項３】放射線画像変換パネルの４辺の少なくと
も１つが、０≦Ｌ≦０．５ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像変
換パネル。
【請求項４】輝尽性蛍光体層が、５０μｍ以上の膜厚
を有し、気相堆積法により形成された下記一般式（１）
で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネ
ル。一般式（１）Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｃＡ（式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ば
れる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮ
ｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属で
あり、Ｍ³はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選
ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及び
Ｘ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少
なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎ
ｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，
Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも
１種の金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦
ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｃ≦０．２の範囲の
数値を表す。）
【請求項５】一般式（１）において、Ｍ¹がＫ、Ｒｂ
及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアル
カリ金属であることを特徴とする請求項４に記載の放射
線画像変換パネル。
【請求項６】一般式（１）において、ＸがＢｒ及びＩ
から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであることを特
徴とする請求項４又は５に記載の放射線画像変換パネ
ル。
【請求項７】一般式（１）において、Ｍ²がＢｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種の
２価金属であることを特徴とする請求項４〜６のいずれ
か１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】一般式（１）において、Ｍ³がＹ，Ｃ
ｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ａｌ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｇａ及びＩ
ｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属で
あることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記
載の放射線画像変換パネル。
【請求項９】一般式（１）において、ｂが０≦ｂ≦
０．０１であることを特徴とする請求項４〜８のいずれ
か１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１０】一般式（１）において、ＡがＥｕ，Ｃ
ｓ，Ｓｍ，Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なく
とも１種の金属であることを特徴とする請求項４〜９の
いずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１１】輝尽性蛍光体層が柱状結晶を有するこ
とを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の
放射線画像変換パネル。
【請求項１２】柱状結晶が主成分として下記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴と
する請求項１１に記載の放射線画像変換パネル。一般式（２）ＣｓＸ：Ａ（式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ
又はＣｅを表す。）