JP2003242911A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JP2003242911A JP2003242911A JP2002043356A JP2002043356A JP2003242911A JP 2003242911 A JP2003242911 A JP 2003242911A JP 2002043356 A JP2002043356 A JP 2002043356A JP 2002043356 A JP2002043356 A JP 2002043356A JP 2003242911 A JP2003242911 A JP 2003242911A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放電によるダメージを低減可能な画像表示装置
を提供することにある。 【解決手段】画像表示装置の前面基板2は、蛍光体層お
よび遮光層22を含む蛍光面6と、蛍光面に重ねて設け
られた導電性薄膜からなるメタルバック層7とを有して
いる。前面基板と対向して配置された背面基板には、蛍
光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子が配置
されている。メタルバック層は、メタルバック層は複数
の領域に分割され、シート抵抗が10Ω/□以上であ
る。
を提供することにある。 【解決手段】画像表示装置の前面基板2は、蛍光体層お
よび遮光層22を含む蛍光面6と、蛍光面に重ねて設け
られた導電性薄膜からなるメタルバック層7とを有して
いる。前面基板と対向して配置された背面基板には、蛍
光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子が配置
されている。メタルバック層は、メタルバック層は複数
の領域に分割され、シート抵抗が10Ω/□以上であ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置に係
り、特に、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置
に関する。
り、特に、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、次世代の画像表示装置として、電
子放出素子(以下、エミッタと称する)を多数並べ、蛍
光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進め
られている。エミッタには様々な種類があるが、いずれ
も基本的には電界放出を用いており、これらのエミッタ
を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッショ
ン・ディスプレイ(以下、FEDと称する)と呼ばれて
いる。FEDの内、表面伝導型エミッタを用いた表示装
置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ(以下、SED
と称する)とも呼ばれているが、本願においてはSED
も含む総称としてFEDという用語を用いる。
子放出素子(以下、エミッタと称する)を多数並べ、蛍
光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進め
られている。エミッタには様々な種類があるが、いずれ
も基本的には電界放出を用いており、これらのエミッタ
を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッショ
ン・ディスプレイ(以下、FEDと称する)と呼ばれて
いる。FEDの内、表面伝導型エミッタを用いた表示装
置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ(以下、SED
と称する)とも呼ばれているが、本願においてはSED
も含む総称としてFEDという用語を用いる。
【0003】FEDは、一般に、所定の隙間を置いて対
向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの
基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接
合することにより真空外囲器を構成している。真空容器
の内部は、真空度が10−4Pa程度以下の高真空に維
持されている。また、背面基板および前面基板に加わる
大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数
の支持部材が配設されている。
向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの
基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接
合することにより真空外囲器を構成している。真空容器
の内部は、真空度が10−4Pa程度以下の高真空に維
持されている。また、背面基板および前面基板に加わる
大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数
の支持部材が配設されている。
【0004】前面基板の内面には赤、青、緑の蛍光体層
を含む蛍光面が形成され、背面基板の内面には、蛍光体
を励起して発光させる電子を放出する多数のエミッタが
設けられている。また、多数の走査線および信号線がマ
トリックス状に形成され、各エミッタに接続されてい
る。
を含む蛍光面が形成され、背面基板の内面には、蛍光体
を励起して発光させる電子を放出する多数のエミッタが
設けられている。また、多数の走査線および信号線がマ
トリックス状に形成され、各エミッタに接続されてい
る。
【0005】蛍光面にはアノード電圧が印加され、エミ
ッタから出た電子ビームがアノード電圧により加速され
て蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が
表示される。
ッタから出た電子ビームがアノード電圧により加速され
て蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が
表示される。
【0006】このようなFEDでは、前面基板と背面基
板との隙間を数mm以下に設定することができ、現在の
テレビやコンピュータのディスプレイとして使用されて
いる陰極線管(CRT)と比較して、軽量化、薄型化を
達成することができる。
板との隙間を数mm以下に設定することができ、現在の
テレビやコンピュータのディスプレイとして使用されて
いる陰極線管(CRT)と比較して、軽量化、薄型化を
達成することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
たFEDにおいて、実用的な表示特性を得るためには、
通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の
上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光
面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加
するアノード電圧は最低でも数kV、できれば10kV
以上にすることが望まれる。
たFEDにおいて、実用的な表示特性を得るためには、
通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の
上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光
面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加
するアノード電圧は最低でも数kV、できれば10kV
以上にすることが望まれる。
【0008】しかし、前面基板と背面基板との間の隙間
は、解像度や支持部材の特性などの観点からあまり大き
くすることはできず、1〜2mm程度に設定する必要が
ある。
は、解像度や支持部材の特性などの観点からあまり大き
くすることはできず、1〜2mm程度に設定する必要が
ある。
【0009】したがって、FEDでは、前面基板と背面
基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けら
れず、両基板間の放電(絶縁破壊)が問題となる。
基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けら
れず、両基板間の放電(絶縁破壊)が問題となる。
【0010】放電が起こると、瞬間的に100A以上の
電流が流れることがあり、エミッタや蛍光面の破壊ある
いは劣化、さらには駆動回路の破壊を引き起こす可能性
もある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶこ
とにする。このような不良発生につながる放電は製品と
しては許容されない。したがって、FEDを実用化する
ためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生し
ないように構成しなければならない。しかしながら、放
電を長期間に渡って完全に抑制するのは非常に難しい。
電流が流れることがあり、エミッタや蛍光面の破壊ある
いは劣化、さらには駆動回路の破壊を引き起こす可能性
もある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶこ
とにする。このような不良発生につながる放電は製品と
しては許容されない。したがって、FEDを実用化する
ためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生し
ないように構成しなければならない。しかしながら、放
電を長期間に渡って完全に抑制するのは非常に難しい。
【0011】一方、放電が発生しないようにするのでは
なく、放電が起きてもエミッタヘの影響を無視できるよ
う、放電の規模を抑制するという対策も考えられる。こ
のような考え方に関連する技術として、例えば、特開2
000−311642号公報には、蛍光面に設けられた
メタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパター
ンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス・抵抗を
高める技術が開示されている。しかし、さまざまに検討
を行った結果、この技術では、放電規模を小さくするこ
とはできても、その効果に限界があり、放電のダメージ
を長期間に渡って完全に抑制することは困難であること
がわかった。
なく、放電が起きてもエミッタヘの影響を無視できるよ
う、放電の規模を抑制するという対策も考えられる。こ
のような考え方に関連する技術として、例えば、特開2
000−311642号公報には、蛍光面に設けられた
メタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパター
ンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス・抵抗を
高める技術が開示されている。しかし、さまざまに検討
を行った結果、この技術では、放電規模を小さくするこ
とはできても、その効果に限界があり、放電のダメージ
を長期間に渡って完全に抑制することは困難であること
がわかった。
【0012】また、特開平10−326583号公報に
は、メタルバックを分割する技術、さらに特開2000
−251797号公報には、分割部での沿面放電を抑制
するために、分割部に導電性材料の被覆を設けるという
技術が開示されている。しかし、これらの技術によって
も放電ダメージを充分に抑制することは困難であった。
は、メタルバックを分割する技術、さらに特開2000
−251797号公報には、分割部での沿面放電を抑制
するために、分割部に導電性材料の被覆を設けるという
技術が開示されている。しかし、これらの技術によって
も放電ダメージを充分に抑制することは困難であった。
【0013】本発明は、このような課題を解決するため
のものであり、その目的は、放電の規模を十分に小さく
し、エミッタや蛍光面の破壊、劣化や回路の破壊を防止
することが可能な画像表示装置を提供することにある。
のものであり、その目的は、放電の規模を十分に小さく
し、エミッタや蛍光面の破壊、劣化や回路の破壊を防止
することが可能な画像表示装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光体層およ
び遮光層を含む蛍光面と上記蛍光面に重ねて設けられた
導電性薄膜からなるメタルバック層とを有した前面基板
と、上記前面基板と対向して配置されているとともに、
上記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子
が配置された背面基板と、を備え、上記メタルバック層
は複数の領域に分割され、シート抵抗が10Ω/□以上
に形成されている。
め、本発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光体層およ
び遮光層を含む蛍光面と上記蛍光面に重ねて設けられた
導電性薄膜からなるメタルバック層とを有した前面基板
と、上記前面基板と対向して配置されているとともに、
上記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子
が配置された背面基板と、を備え、上記メタルバック層
は複数の領域に分割され、シート抵抗が10Ω/□以上
に形成されている。
【0015】また、この発明の他の態様に係る画像表示
装置は、蛍光体層および遮光層を含む蛍光面と上記蛍光
面に重ねて設けられた導電性薄膜からなるメタルバック
層とを有した前面基板と、上記前面基板と対向して配置
されているとともに、上記蛍光面に向けて電子を放出す
る複数の電子放出素子が配置された背面基板と、を備
え、上記メタルバック層は、所定の隙間を置いて並んだ
複数の直線部と、隣合う直線部の端部同士を連結した複
数の折返し部とを有したジグザグパターンに形成され、
上記メタルバック層のシート抵抗が10Ω/□以上に形
成されている。
装置は、蛍光体層および遮光層を含む蛍光面と上記蛍光
面に重ねて設けられた導電性薄膜からなるメタルバック
層とを有した前面基板と、上記前面基板と対向して配置
されているとともに、上記蛍光面に向けて電子を放出す
る複数の電子放出素子が配置された背面基板と、を備
え、上記メタルバック層は、所定の隙間を置いて並んだ
複数の直線部と、隣合う直線部の端部同士を連結した複
数の折返し部とを有したジグザグパターンに形成され、
上記メタルバック層のシート抵抗が10Ω/□以上に形
成されている。
【0016】上記構成の画像表示装置によれば、アノー
ド電圧を上げ、また、前面基板と背面基板との間のギャ
ップを小さくすることが可能となり、輝度や解像度など
の表示特性が向上した画像表示装置を得ることができ
る。また、アノード電圧が低いほど、蛍光体劣化が問題
となるが、上記のようにアノード電圧を高く設定可能で
あることから、蛍光体劣化を緩和し、製品の寿命を延ば
すことが可能となる。
ド電圧を上げ、また、前面基板と背面基板との間のギャ
ップを小さくすることが可能となり、輝度や解像度など
の表示特性が向上した画像表示装置を得ることができ
る。また、アノード電圧が低いほど、蛍光体劣化が問題
となるが、上記のようにアノード電圧を高く設定可能で
あることから、蛍光体劣化を緩和し、製品の寿命を延ば
すことが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明を適用したFEDの実施の形態について詳細に説明
する。図1および図2に示すように、このFEDは、そ
れぞれ矩形状のガラスからなる前面基板2、および背面
基板1を備え、これらの基板は1〜2mmの隙間を置い
て対向配置されている。そして、前面基板2および背面
基板1は、矩形枠状の側壁3を介して周縁部同士が接合
され、内部が10−4Pa程度以下の高真空に維持され
た偏平な矩形状の真空外囲器4を構成している。
発明を適用したFEDの実施の形態について詳細に説明
する。図1および図2に示すように、このFEDは、そ
れぞれ矩形状のガラスからなる前面基板2、および背面
基板1を備え、これらの基板は1〜2mmの隙間を置い
て対向配置されている。そして、前面基板2および背面
基板1は、矩形枠状の側壁3を介して周縁部同士が接合
され、内部が10−4Pa程度以下の高真空に維持され
た偏平な矩形状の真空外囲器4を構成している。
【0018】前面基板2の内面には蛍光面6が形成され
ている。この蛍光面6は、後述するように、赤、緑、青
に発光する蛍光体層とマトリックス状の黒色遮光層とで
構成されている。蛍光体層はストライプ状あるいはドッ
ト状に形成されている。蛍光面6上には、アノード電極
として機能するメタルバック層7が形成されている。表
示動作時、メタルバック層7には所定のアノード電圧が
印加される。
ている。この蛍光面6は、後述するように、赤、緑、青
に発光する蛍光体層とマトリックス状の黒色遮光層とで
構成されている。蛍光体層はストライプ状あるいはドッ
ト状に形成されている。蛍光面6上には、アノード電極
として機能するメタルバック層7が形成されている。表
示動作時、メタルバック層7には所定のアノード電圧が
印加される。
【0019】背面基板1の内面上には、蛍光体層を励起
する電子ビームを放出する多数の電子放出素子8が設け
られている。これらの電子放出素子8は、画素毎に対応
して複数列および複数行に配列されている。電子放出素
子は図示しないマトリックス配線により駆動される。
する電子ビームを放出する多数の電子放出素子8が設け
られている。これらの電子放出素子8は、画素毎に対応
して複数列および複数行に配列されている。電子放出素
子は図示しないマトリックス配線により駆動される。
【0020】また、背面基板1および前面基板2の間に
は、耐大気圧のため、板状あるいは柱状に形成された多
数のスペーサ10が配置されている。蛍光面6にはメタ
ルバック層7を介してアノード電圧が印加され、電子放
出素子8から放出された電子ビームはアノード電圧によ
り加速され蛍光面6に衝突する。これにより、対応する
蛍光体層が発光し映像が表示される。
は、耐大気圧のため、板状あるいは柱状に形成された多
数のスペーサ10が配置されている。蛍光面6にはメタ
ルバック層7を介してアノード電圧が印加され、電子放
出素子8から放出された電子ビームはアノード電圧によ
り加速され蛍光面6に衝突する。これにより、対応する
蛍光体層が発光し映像が表示される。
【0021】次に、上記FEDにおける蛍光面6および
メタルバック層7について詳細に説明する。図3および
図4に示すように、前面基板2の内面に設けられた蛍光
面6は、黒色遮光層22を有している。この黒色遮光層
22は、例えば、所定の隙間を置いて平行に並んだ多数
のストライプ部22aおよび蛍光面6の周縁に沿って延
びた矩形枠部22bで形成されている。また、蛍光面6
は、それぞれ黒色遮光層22のストライプ部22aの間
に形成され赤、青、緑に発光する多数の蛍光体層R、
G、Bを有している。
メタルバック層7について詳細に説明する。図3および
図4に示すように、前面基板2の内面に設けられた蛍光
面6は、黒色遮光層22を有している。この黒色遮光層
22は、例えば、所定の隙間を置いて平行に並んだ多数
のストライプ部22aおよび蛍光面6の周縁に沿って延
びた矩形枠部22bで形成されている。また、蛍光面6
は、それぞれ黒色遮光層22のストライプ部22aの間
に形成され赤、青、緑に発光する多数の蛍光体層R、
G、Bを有している。
【0022】また、蛍光面6上に形成されたメタルバッ
ク層7は、抵抗性分割メタルバック層として形成されて
いる。すなわち、メタルバック層7は、黒色遮光層22
のストライプ部22aと対向する位置で多数の分割領域
7aに分割され、各分割領域7aは黒色遮光層22に対
応して細長いストライプ状に形成されている。そして、
高抵抗領域として機能するこれらの分割領域7aは、蛍
光面6上において蛍光体層R、G、Bに重ねて設けら
れ、所定の隙間をおいて互いに平行に延びている。これ
により、メタルバック層7の内、黒色遮光層22と重な
る領域は隙間となり、黒色遮光層の大部分は露出してい
る。なお、必要に応じて、分割領域7a間の隙間7bに
別の材料層を形成してもよい。メタルバック層7は、こ
のメタルバック層に通電するための端子部30を含んで
形成されている。
ク層7は、抵抗性分割メタルバック層として形成されて
いる。すなわち、メタルバック層7は、黒色遮光層22
のストライプ部22aと対向する位置で多数の分割領域
7aに分割され、各分割領域7aは黒色遮光層22に対
応して細長いストライプ状に形成されている。そして、
高抵抗領域として機能するこれらの分割領域7aは、蛍
光面6上において蛍光体層R、G、Bに重ねて設けら
れ、所定の隙間をおいて互いに平行に延びている。これ
により、メタルバック層7の内、黒色遮光層22と重な
る領域は隙間となり、黒色遮光層の大部分は露出してい
る。なお、必要に応じて、分割領域7a間の隙間7bに
別の材料層を形成してもよい。メタルバック層7は、こ
のメタルバック層に通電するための端子部30を含んで
形成されている。
【0023】メタルバック層7は蒸着等の薄膜プロセス
により形成される。この際、蛍光面6は凸凹を有してい
るため、メタルバック層7を蛍光面6に直接成膜をする
と、鏡面を形成することができない。そのため、ラッカ
ーなどにより平滑化処理を行った後、蒸着を行うという
方法が周知である。別の方法として、アルミニウムを蒸
着したシートを加熱転写する方法を用いることもでき
る。メタルバック層7の膜厚は、電子ビームの透過能や
膜強度を考慮すると、50〜200nm程度が好適であ
る。
により形成される。この際、蛍光面6は凸凹を有してい
るため、メタルバック層7を蛍光面6に直接成膜をする
と、鏡面を形成することができない。そのため、ラッカ
ーなどにより平滑化処理を行った後、蒸着を行うという
方法が周知である。別の方法として、アルミニウムを蒸
着したシートを加熱転写する方法を用いることもでき
る。メタルバック層7の膜厚は、電子ビームの透過能や
膜強度を考慮すると、50〜200nm程度が好適であ
る。
【0024】分断パターンを形成するには、成膜時にマ
スキングを行う方法や、分断していない膜を形成した
後、レーザーで分断する方法などを用いることができ
る。
スキングを行う方法や、分断していない膜を形成した
後、レーザーで分断する方法などを用いることができ
る。
【0025】なお、メタルバック層という用語を用いて
いるが、本発明では、その材料は単純なメタル(金属)
に限定されるものではない。しかし、本実施の形態にお
ける説明では、便宜上、メタルバック層という用語を用
いている。
いるが、本発明では、その材料は単純なメタル(金属)
に限定されるものではない。しかし、本実施の形態にお
ける説明では、便宜上、メタルバック層という用語を用
いている。
【0026】本実施の形態においては、メタルバック層
7はアルミニウムよりも抵抗の高い材料からなる導電性
膜で形成される。アルミニウムの場合、シート抵抗は1
Ω/□程度以下であるが、本実施の形態においては10
Ω/□以上に設定される。このための材料としては、ま
ずは、ニクロムなど抵抗の高い金属が候補となる。10
0℃での体積抵抗率で比較すると、アルミニウムが3.
55E−8Ω・mであるのに対し、ニクロムは108E
−8Ω・mであり、約30倍である。したがって、シー
ト抵抗が10Ω/□以上のメタルバックを実現すること
ができる。
7はアルミニウムよりも抵抗の高い材料からなる導電性
膜で形成される。アルミニウムの場合、シート抵抗は1
Ω/□程度以下であるが、本実施の形態においては10
Ω/□以上に設定される。このための材料としては、ま
ずは、ニクロムなど抵抗の高い金属が候補となる。10
0℃での体積抵抗率で比較すると、アルミニウムが3.
55E−8Ω・mであるのに対し、ニクロムは108E
−8Ω・mであり、約30倍である。したがって、シー
ト抵抗が10Ω/□以上のメタルバックを実現すること
ができる。
【0027】しかしながら、メタルバックとして使う場
合、ニクロムのような密度の大きい材料を用いると、電
子の透過量が減少するため、輝度の損失が大きくなる。
また、重い原子ほど電子の散乱量が増えるため、コント
ラストを低下させるという問題もある。このため、実用
上は、ニクロムのような金属を用いることは問題が多
い。検討の結果、密度が小さくかつ抵抗が高い合金は見
出すことができなかった。
合、ニクロムのような密度の大きい材料を用いると、電
子の透過量が減少するため、輝度の損失が大きくなる。
また、重い原子ほど電子の散乱量が増えるため、コント
ラストを低下させるという問題もある。このため、実用
上は、ニクロムのような金属を用いることは問題が多
い。検討の結果、密度が小さくかつ抵抗が高い合金は見
出すことができなかった。
【0028】そこで、このような目的に合致した材料に
ついて検討を進めた結果、金属と絶縁物とが混在した膜
を用いるという可能性を見出した。このような膜はサー
メットとして周知のものであり、抵抗材料として工業用
に用いられてもいるが、それはCr−SiOなど特定の
金属に限られており、既存の材料の中には今回の目的に
合致したものはなかった。今回の目的からすると、密度
の点から、アルミニウムをベースにするのが好適であ
る。そこで、アルミニウムとAl2O3の混在膜につい
て実験を進めた結果、シート抵抗にして、1E3Ω/□
程度までのメタルバック層を形成できることがわかっ
た。これより高くしようとすると、急激に抵抗が高くな
り絶縁になってしまうため、安定して同じ抵抗の膜を形
成することはできないと思われた。
ついて検討を進めた結果、金属と絶縁物とが混在した膜
を用いるという可能性を見出した。このような膜はサー
メットとして周知のものであり、抵抗材料として工業用
に用いられてもいるが、それはCr−SiOなど特定の
金属に限られており、既存の材料の中には今回の目的に
合致したものはなかった。今回の目的からすると、密度
の点から、アルミニウムをベースにするのが好適であ
る。そこで、アルミニウムとAl2O3の混在膜につい
て実験を進めた結果、シート抵抗にして、1E3Ω/□
程度までのメタルバック層を形成できることがわかっ
た。これより高くしようとすると、急激に抵抗が高くな
り絶縁になってしまうため、安定して同じ抵抗の膜を形
成することはできないと思われた。
【0029】放電効果を高める上で必要なシート抵抗に
ついては、理論的に導くことは困難なため、以下のよう
な実験により検討を行った。実験は、対角サイズが36
インチのSEDを用いて行った。メタルバック層を蒸着
する際にメタルマスクを用いることで、ピッチ約1.2
mmで分断されたメタルバック層を形成した。黒色遮光
層22の抵抗値を制御することで、分断されたメタルバ
ック間の抵抗は10kΩになるようにした。メタルバッ
ク層のシート抵抗を1、3、10、30、100Ω/
□、300Ω/□と変えたSEDを製作し、高圧を所定
の電圧より高めることで放電を引き起こし、その際の放
電ダメージの有無を評価した。放電は毎回同じものが起
こるわけではないので、10回放電を起こし、そのうち
電子放出素子に放電ダメージがあった回数を放電ダメー
ジ指数とした。その結果を表1に示す。なお、蛍光面の
ダメージ、回路のダメージについては、メタルバック層
を分断することで既に放電規模がかなり小さくなってい
るため、いずれについても認められなかった。
ついては、理論的に導くことは困難なため、以下のよう
な実験により検討を行った。実験は、対角サイズが36
インチのSEDを用いて行った。メタルバック層を蒸着
する際にメタルマスクを用いることで、ピッチ約1.2
mmで分断されたメタルバック層を形成した。黒色遮光
層22の抵抗値を制御することで、分断されたメタルバ
ック間の抵抗は10kΩになるようにした。メタルバッ
ク層のシート抵抗を1、3、10、30、100Ω/
□、300Ω/□と変えたSEDを製作し、高圧を所定
の電圧より高めることで放電を引き起こし、その際の放
電ダメージの有無を評価した。放電は毎回同じものが起
こるわけではないので、10回放電を起こし、そのうち
電子放出素子に放電ダメージがあった回数を放電ダメー
ジ指数とした。その結果を表1に示す。なお、蛍光面の
ダメージ、回路のダメージについては、メタルバック層
を分断することで既に放電規模がかなり小さくなってい
るため、いずれについても認められなかった。
【0030】
【表1】
【0031】このように、アルミニウムでは、放電ダメ
ージを完全には抑制できていなかったのが、シート抵抗
を10Ω/□以上に高めることで、放電抑制効果が高ま
ることが確認できた。シート抵抗が10Ω/□未満では
効果がない理由は、完全には説明できていないが、以下
のように考えられる。メタルバック層を分断した場合、
分断された短冊状のメタルバックの抵抗RSは、 RS=ρs・L/d で表される。ここで、ρs、L、dはそれぞれメタルバ
ックのシート抵抗、長さ、幅である。今回の実験では、
L/d=2E3である。このため、ρs=10Ωの場
合、RS=20kΩとなる。
ージを完全には抑制できていなかったのが、シート抵抗
を10Ω/□以上に高めることで、放電抑制効果が高ま
ることが確認できた。シート抵抗が10Ω/□未満では
効果がない理由は、完全には説明できていないが、以下
のように考えられる。メタルバック層を分断した場合、
分断された短冊状のメタルバックの抵抗RSは、 RS=ρs・L/d で表される。ここで、ρs、L、dはそれぞれメタルバ
ックのシート抵抗、長さ、幅である。今回の実験では、
L/d=2E3である。このため、ρs=10Ωの場
合、RS=20kΩとなる。
【0032】電気回路的なシミュレーションによれば、
RSが10kΩ程度以下の場合、分断されたメタルバッ
クは、放電の時間スケールでは、ほぼ同電位であると扱
え、長さ方向の電位分布は非常に小さい。RSが高くな
ると、放電時に、メタルバックの長さ方向にも電位分布
が発生するようになり、放電電流を抑制する機能が期待
できるようになる。今回の実験結果は、このような簡易
的な検討ともほぼ対応しており、シート抵抗が10Ω/
□以上というのが放電抑制効果の点から必要なシート抵
抗であると判断できる。
RSが10kΩ程度以下の場合、分断されたメタルバッ
クは、放電の時間スケールでは、ほぼ同電位であると扱
え、長さ方向の電位分布は非常に小さい。RSが高くな
ると、放電時に、メタルバックの長さ方向にも電位分布
が発生するようになり、放電電流を抑制する機能が期待
できるようになる。今回の実験結果は、このような簡易
的な検討ともほぼ対応しており、シート抵抗が10Ω/
□以上というのが放電抑制効果の点から必要なシート抵
抗であると判断できる。
【0033】なお、今回の実験では、アルミニウムとA
l2O3の混在膜で行ったが、絶縁材料としては、Al
2O3の他にSiO2、TiO2などさまざまなものを
用いることができる。金属についても、密度の点から、
アルミニウムが好適ではあるが、この他、チタンやその
他の金属を用いることが可能である。
l2O3の混在膜で行ったが、絶縁材料としては、Al
2O3の他にSiO2、TiO2などさまざまなものを
用いることができる。金属についても、密度の点から、
アルミニウムが好適ではあるが、この他、チタンやその
他の金属を用いることが可能である。
【0034】図5に示す第2の実施の形態によれば、メ
タルバック層7は、抵抗性パターン化メタルバック層と
して形成されている。すなわち、メタルバック層7は、
細長い帯状の導電性薄膜を蛇腹状に折り返してなるジグ
ザグパターンに形成されている。このジグザグパターン
は、所定の隙間をおいて互いに平行に延びた多数の細長
いストライプ状の直線部7cと、隣合う直線部の端部同
士を連結した複数の折返し部7dとを有している。
タルバック層7は、抵抗性パターン化メタルバック層と
して形成されている。すなわち、メタルバック層7は、
細長い帯状の導電性薄膜を蛇腹状に折り返してなるジグ
ザグパターンに形成されている。このジグザグパターン
は、所定の隙間をおいて互いに平行に延びた多数の細長
いストライプ状の直線部7cと、隣合う直線部の端部同
士を連結した複数の折返し部7dとを有している。
【0035】高抵抗領域として機能する直線部7cおよ
び折返し部7dは、蛍光面6上において蛍光体層R、
G、Bに重ねて設けられている。メタルバック層7の
内、黒色遮光層22と重なる領域は隙間となり、黒色遮
光層の大部分は露出している。
び折返し部7dは、蛍光面6上において蛍光体層R、
G、Bに重ねて設けられている。メタルバック層7の
内、黒色遮光層22と重なる領域は隙間となり、黒色遮
光層の大部分は露出している。
【0036】本実施の形態において、メタルバック層7
は、アルミニウムよりも抵抗の高い材料からなる導電性
膜で形成される。アルミニウムの場合、シート抵抗は1
Ω/□程度以下であるが、本実施の形態においては10
Ω/□以上に設定される。このための材料としては、第
1の実施の形態と同様、金属と絶縁材の混在膜を用いる
ことができる。
は、アルミニウムよりも抵抗の高い材料からなる導電性
膜で形成される。アルミニウムの場合、シート抵抗は1
Ω/□程度以下であるが、本実施の形態においては10
Ω/□以上に設定される。このための材料としては、第
1の実施の形態と同様、金属と絶縁材の混在膜を用いる
ことができる。
【0037】本実施の形態においても、放電効果を高め
る上で必要なシート抵抗については、理論的に導くこと
は困難なため、以下のような実験により検討を行った。
る上で必要なシート抵抗については、理論的に導くこと
は困難なため、以下のような実験により検討を行った。
【0038】実験は、対角サイズが36インチのSED
を用いて行った。メタルバック層を蒸着する際にメタル
マスクを用いることで、ピッチ約1.2mmでジグザグ
状に形成されたメタルバック層を形成した。黒色遮光層
22の抵抗値を制御することで、分断されたメタルバッ
ク間の抵抗は20kΩになるようにした。メタルバック
層のシート抵抗を1、3、10、30、100Ω/□、
300Ω/□と変えたSEDを製作し、高圧を所定の電
圧より高めることで放電を引き起こし、その際の放電ダ
メージの有無を評価した。放電は毎回同じものが起こる
わけではないので、10回放電を起こし、そのうちエミ
ッタに放電ダメージがあった回数を放電ダメージ指数と
した。その結果を表2に示す。なお、蛍光面のダメー
ジ、回路のダメージについては、メタルバック層を分断
していることで既に放電規模はかなり小さくなっている
ため、いずれについても認められなかった。
を用いて行った。メタルバック層を蒸着する際にメタル
マスクを用いることで、ピッチ約1.2mmでジグザグ
状に形成されたメタルバック層を形成した。黒色遮光層
22の抵抗値を制御することで、分断されたメタルバッ
ク間の抵抗は20kΩになるようにした。メタルバック
層のシート抵抗を1、3、10、30、100Ω/□、
300Ω/□と変えたSEDを製作し、高圧を所定の電
圧より高めることで放電を引き起こし、その際の放電ダ
メージの有無を評価した。放電は毎回同じものが起こる
わけではないので、10回放電を起こし、そのうちエミ
ッタに放電ダメージがあった回数を放電ダメージ指数と
した。その結果を表2に示す。なお、蛍光面のダメー
ジ、回路のダメージについては、メタルバック層を分断
していることで既に放電規模はかなり小さくなっている
ため、いずれについても認められなかった。
【0039】
【表2】
【0040】このように、アルミニウムでは、放電ダメ
ージを抑制できていなかったのが、10Ω/□以上にシ
ート抵抗を高めることで、放電抑制効果が高まることが
確認できた。
ージを抑制できていなかったのが、10Ω/□以上にシ
ート抵抗を高めることで、放電抑制効果が高まることが
確認できた。
【0041】その他、この発明は上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、各構成要素の寸法、材料等は、上述の
実施の形態で示した数値、材料に限定されることなく、
必要に応じて種々選択可能である。
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、各構成要素の寸法、材料等は、上述の
実施の形態で示した数値、材料に限定されることなく、
必要に応じて種々選択可能である。
【0042】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
前面基板と背面基板との間で放電が生じた場合でもその
際の放電電流を十分に抑制できるので、放電によるダメ
ージが発生しない画像表示装置を提供することができ
る。
前面基板と背面基板との間で放電が生じた場合でもその
際の放電電流を十分に抑制できるので、放電によるダメ
ージが発生しない画像表示装置を提供することができ
る。
【図1】この発明の実施の形態に係るFEDを示す斜視
図。
図。
【図2】図1の線A−Aに沿った上記FEDの断面図。
【図3】上記FEDにおける前面基板の蛍光面およびメ
タルバック層を示す平面図。
タルバック層を示す平面図。
【図4】図3の線B−Bに沿った断面図。
【図5】この発明の第2の実施の形態に係るFEDにお
ける前面基板の蛍光面およびメタルバック層を示す平面
図。
ける前面基板の蛍光面およびメタルバック層を示す平面
図。
1…背面基板
2…前面基板
3…側壁
4…真空外囲器
6…蛍光面
7…メタルバック
7a…分割領域
7b…隙間
7c…直線部
7d…折返し部
8…電子放出素子
22…黒色遮光層
22a…ストライプ部
22b…枠状部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 原口 雄次
埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式
会社東芝深谷工場内
Fターム(参考) 5C036 BB04 EE09 EG36 EH08 EH09
Claims (3)
- 【請求項1】蛍光体層および遮光層を含む蛍光面と上記
蛍光面に重ねて設けられた導電性薄膜からなるメタルバ
ック層とを有した前面基板と、 上記前面基板と対向して配置されているとともに、上記
蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子が配
置された背面基板と、を備え、 上記メタルバック層は複数の領域に分割され、 上記メタルバック層のシート抵抗が10Ω/□以上であ
ることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項2】蛍光体層および遮光層を含む蛍光面と上記
蛍光面に重ねて設けられた導電性薄膜からなるメタルバ
ック層とを有した前面基板と、 上記前面基板と対向して配置されているとともに、上記
蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子放出素子が配
置された背面基板と、を備え、 上記メタルバック層は、所定の隙間を置いて並んだ複数
の直線部と、隣合う直線部の端部同士を連結した複数の
折返し部とを有したジグザグパターンに形成され、 上記メタルバック層のシート抵抗が10Ω/□以上であ
ることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項3】前記メタルバック層は、金属と絶縁物との
混在膜で形成されていることを特徴とする請求項1また
は2に記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043356A JP2003242911A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043356A JP2003242911A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003242911A true JP2003242911A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27783178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002043356A Pending JP2003242911A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003242911A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005081281A1 (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置およびその製造方法 |
| WO2005124814A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 平面型表示装置 |
| WO2006003834A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 表示装置 |
| JP2006202528A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| US7221085B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device that includes a metal back layer with gaps |
| KR100733854B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-06-29 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광 스크린 구조 및 화상 형성 장치 |
| US7839063B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-11-23 | Sony Corporation | Display panel and display device having color filter elements with color filter protective layer |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043356A patent/JP2003242911A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7221085B2 (en) | 2003-10-17 | 2007-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display device that includes a metal back layer with gaps |
| US7839063B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-11-23 | Sony Corporation | Display panel and display device having color filter elements with color filter protective layer |
| WO2005081281A1 (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置およびその製造方法 |
| WO2005124814A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 平面型表示装置 |
| WO2006003834A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 表示装置 |
| KR100733854B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-06-29 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광 스크린 구조 및 화상 형성 장치 |
| JP2006202528A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
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