JP2003243761A

JP2003243761A - 半導体パッケージ

Info

Publication number: JP2003243761A
Application number: JP2002042092A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Takigawa; 信一瀧川; Masaaki Yuri; 正昭油利
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-02-19
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2003-08-29
Anticipated expiration: 2022-02-19
Also published as: JP4129135B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パッケージ内部に発生するアウトガスを効果
的かつ確実に分解・除去することができ、かつ発光素子
の光学特性を妨げることなくアウトガス等の汚染物質を
分解・除去することができる半導体パッケージを提供す
る。【解決手段】半導体又は半導体を用いた部品を含む発
光素子を固定する半導体パッケージであって、内壁の少
なくとも一表面、又は内部に固定される半導体又は半導
体を用いた部品の少なくとも一表面に酸化チタンあるい
は酸化チタンの混合物を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体又は半導体
を用いた部品を含む発光素子を固定する半導体パッケー
ジに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体又は半導体複合部品をパッ
ケージ内において固定する方法として、いわゆる銀ペー
ストに代表される導電性接着材等の接着材が用いられる
ことが多くなってきている。これは、例えば金錫接着の
ような従来の接着方法に比べ、低温で接着を実現するこ
とが可能であり、半導体に加わる歪を低減させることが
できるからである。

【０００３】ここで、一般に接着材は液状成分を有して
いることから、製造工程において接着材が十分に固体硬
化できてない場合や、あるいは接着対象である半導体が
長期間加熱された状態で使用している場合等において
は、接着材は「アウトガス」と呼ばれるガスを発生する
ことになる。

【０００４】そして、半導体パッケージの内部で発生し
た当該アウトガスが、熱や光等の何らかの理由により分
解すると有機物を生成し、その有機物が内部に存在する
半導体あるいは半導体複合素子の表面に付着することに
なる。一般にメモリやマイコン等の半導体素子について
は、表面がパッシベーション膜により保護されているこ
とから、たとえアウトガス成分である有機物が半導体表
面に付着し、被膜を形成した場合であっても何ら問題が
生じることはない。

【０００５】しかしながら、半導体が発光素子である場
合、アウトガス成分である有機物によって発光面に被膜
が形成されてしまうと、当該被膜によって出射面の反射
率あるいは透過率が変化してしまうことになる。このた
め、例えば半導体レーザの場合であれば、しきい値電
流、光出力効率、雑音特性等、発光素子における諸特性
が変化してしまうことから、パッケージの内部に接着材
を用いた半導体パッケージにおいては、発光素子として
の信頼性を確保することが極めて困難であるという問題
点があった。

【０００６】かかる問題点を解決するために、特開２０
００−３４９３８９号公報においては、酸化チタンに青
紫光や紫外線を照射すると光触媒効果が生じ、アウトガ
スの主成分である有機物を二酸化炭素や水に分解するこ
とができるという特性を利用して、酸化チタン又は酸化
チタンの混合物を発光素子自体の出射面に形成し、発光
素子自体の強い出射青紫光を用いて、アウトガス等のパ
ッケージ内部に生じる汚染物質を取り除く方法が開示さ
れている。

【０００７】当該従来例について、図７を参照しながら
説明する。図７においては、半導体レーザ８１の出射端
面に酸化チタン膜８２が形成されている。このようにす
ることで、半導体レーザ８１からの出射青紫光８３が酸
化チタン膜８２を通過することによって光触媒作用が生
じ、付着している有機物等のパッケージ内部に生じる汚
染物質を二酸化炭素や水に分解することができるように
なる。

【０００８】さらに特開平１１−７９２５６号公報にお
いては、図８に示すように、パッケージ８４の光透過窓
８５に光触媒効果を有する材料を貼り付け、紫外線を外
部から照射することによって光触媒作用を生じさせ、ア
ウトガス等のパッケージ内部に生じる汚染物質を二酸化
炭素や水に分解する方法が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開２０００
−３４９３８９号公報に開示されている方法では、酸化
チタンの屈折率が約２であることから、反射率制御の観
点からは、酸化チタン膜８２を設けることによって、最
適な光出力特性を得ることが物理的に困難になってしま
うという問題点があった。

【００１０】また、特開平１１−７９２５６号公報にお
いて開示されている方法では、紫外線照射により、例え
ば製造工程後にパッケージ内に残留するアウトガスにつ
いては二酸化炭素や水に分解して取り除くことができる
ものの、製造工程完了後、長期間使用している間にパッ
ケージ内部に発生するアウトガスについては取り除くこ
とができないという問題点があった。

【００１１】本発明は、製造工程中に発生するアウトガ
スのみならず、完了後に発生したアウトガスに対しても
効果的に分解・除去することができ、かつ発光素子の光
学特性を妨げることなくアウトガス等の汚染物質を分解
・除去することができる半導体パッケージを提供するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかる半導体パッケージは、半導体又は半導
体を用いた部品を含む発光素子を固定する半導体パッケ
ージであって、内壁の少なくとも一表面、又は内部に固
定される半導体又は半導体を用いた部品の少なくとも一
表面に酸化チタンあるいは酸化チタンの混合物が形成さ
れていることを特徴とする。

【００１３】かかる構成により、発光素子の光学特性を
妨げることなく光触媒効果を生じさせることができるこ
とから、物理的な配置上の制約を受けることなくアウト
ガス等の汚染物質を分解・除去することが可能となる。
この場合、発光素子から出射される光が直接的又は間接
的に酸化チタンあるいは酸化チタンの混合物に照射され
ることから、発光素子を使用する限り光触媒作用が確実
に発生し、製造工程完了後に発生したアウトガス等の汚
染物質に対しても有効である。

【００１４】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、発光素子における発光波長が４５０ｎｍ以下である
ことが好ましい。これは、波長が４５０ｎｍ以下である
いわゆる青紫光又は紫外光である方が、光触媒効果がよ
り顕著だからである。

【００１５】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、波長４５０ｎｍ以下において低透過率となる波長域
を有する材料から構成される窓ガラスを少なくとも一部
に用いることが好ましい。当該窓ガラスを通じて、外部
から青紫光又は紫外光を半導体パッケージの内部へと導
入することができ、外部光によっても光触媒効果を生じ
ることができるからである。

【００１６】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、窓ガラスの内側面に酸化チタン又は酸化チタンの混
合物が形成されていることが好ましい。製造工程完了時
において強い紫外光を照射することにより、製造工程中
にパッケージ内部に蓄積されたアウトガス成分を分解で
きるのみならず、製造工程完了後においても経時的にパ
ッケージ内部に放出されるアウトガス成分についても、
窓ガラスを通過する発光素子の光と酸化チタン又は酸化
チタンの混合物による光触媒効果により分解することが
できるからである。

【００１７】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、発光素子から出射された光の一部を受ける受光素子
を内部に有し、受光素子における受光面に酸化チタン又
は酸化チタンの混合物が形成されていることが好まし
い。受光素子が製造工程において常に発光素子の光を受
けることができることから、受光素子表面の酸化チタン
等によって確実に光触媒効果を発生させることができる
からである。

【００１８】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、発光素子を固定する部品、あるいは発光素子の機能
を増幅する部品を含み、発光素子を固定する部品あるい
は発光素子の機能を増幅する部品の表面に酸化チタン又
は酸化チタンの混合物が形成されることが好ましい。酸
化チタン又は酸化チタンの混合物は、光触媒効果を有す
るだけでなく、絶縁性や強度性等にも優れていることか
ら、発光素子を固定する部品あるいは発光素子の機能を
増加させる部品についても優れた絶縁性や強度性等を付
与することができるからである。

【００１９】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、内壁の少なくとも一表面、又は内部に固定される半
導体又は半導体を用いた部品の少なくとも一表面と、一
表面に形成された酸化チタン又は酸化チタンの混合物と
の間に、光反射層が設けてあることが好ましい。酸化チ
タン又は酸化チタンの混合物を透過した光が光反射層で
反射され、再び酸化チタン又は酸化チタンの混合物を照
射することになることから、光触媒効果をより顕著に生
じさせることができるからである。

【００２０】また、本発明にかかる半導体パッケージ
は、内壁の少なくとも一表面、又は内部に固定される半
導体又は半導体を用いた部品の少なくとも一表面に、発
光素子から出射された光を反射する機能が設けられ、反
射された光路に酸化チタン又は酸化チタンの混合物が形
成されていることが好ましい。発光素子からの出射光の
一部が常にパッケージ内部の酸化チタン又は酸化チタン
の混合物に照射されることになることから、常に光触媒
効果を生じさせることができるからである。

【００２１】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１にかかる半導体パッケージについて、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１
にかかる半導体パッケージの代表例である青紫色レーザ
の断面図である。一般に、青紫色レーザは、非線形光学
効果を利用した第２次高調発生レーザ（Second Harmoni
c Generation:ＳＨＧレーザ）と呼ばれている。（例え
ばKitaoka et al., "Miniaturized Blue Laser using S
econd Harmonic Generation", Jpn. J. Appl. Phys. vo
l.39 (2000) pp.3416-3418 参照）。

【００２２】図１において、半導体レーザ１は、ガリウ
ム砒素基板上にアルミニウムガリウム砒素が形成されて
いるダブルへテロ構造を有しており、発振波長は８２０
ｎｍである。半導体レーザ１の出射側には、ＬｉＮｂＯ
₃から構成される波長変換素子２が、エポキシ系紫外線
硬化接着材５を介して、シリコン製のサブマウント３に
取り付けられている。当該サブマウント３は、銀を含有
したエポキシ系導電性接着材４を用いて銅ヒートシンク
６に接着されている。

【００２３】また、半導体レーザ１内の導波路と波長変
換素子の導波路とは、約０．５μｍの距離で隣接してお
り、半導体レーザ１の約９８％のレーザ出射光が波長変
換素子２の導波路に結合するように設計されている。

【００２４】当該波長変換素子２は、非線形光学効果に
よって、半導体レーザ１の赤外レーザ光（８２０ｎｍ）
を青紫レーザ光（４１０ｎｍ）に変換する。この時、波
長変換素子２が内部に周期的分極反転構造を有している
ことから、赤外レーザ光と青紫レーザ光とが疑似的に位
相整合し、波長変換が効率よく行われることになる。

【００２５】半導体レーザ１には二つの電極が必要であ
り、一つはサブマウント３、導電性接着材４及び銅ヒー
トシンク６により構成されており、もう一つは金ワイヤ
ー１４を介して、リードフレーム電極１３に接続されて
いる。

【００２６】また、当該青紫色レーザをパッケージング
するため、エポキシ系樹脂壁１２及びエポキシ系樹脂蓋
７が設けられている。樹脂壁１２と樹脂蓋７は、エポキ
シ系熱硬化接着剤８で固定されている。

【００２７】当該半導体パッケージには、青色レーザ光
の出射用に、ホウケイ酸から構成される窓ガラス９がエ
ポキシ系紫外線硬化接着材１０により樹脂壁１２に接着
されている。窓ガラス９の表面のうち、パッケージ内部
側には酸化チタン膜１１がスパッタ法により形成されて
いる。酸化チタン膜１１の厚みは、窓ガラス９が低反射
率になるように設計されており、本実施の形態１におい
ては約４６．６ｎｍとした。

【００２８】当該酸化チタン膜１１は二つの役割を有し
ている。一つは、当該青紫色レーザの製造工程の最終段
階において、窓ガラス９を通じて、外部から強い紫外線
を酸化チタン１１膜に照射し、光触媒作用を生じさせる
役割である。本実施の形態１においては、紫外線硬化樹
脂１０の硬化工程を併用することになる。したがって、
製造工程中に発生したアウトガス等の有機物を分解・除
去することができ、パッケージの内部をクリーンにする
ことが可能となる。

【００２９】今一つは、青紫色レーザを使用している期
間中、波長変換素子２から出射された光が直接酸化チタ
ン膜１１に照射されることにより、光触媒効果を生じさ
せる役割である。かかる構成とすることで、使用期間中
に発生したアウトガス中の有機物についても、確実に分
解・除去することができ、パッケージの内部を常にクリ
ーンな状態に維持することが可能となるる。

【００３０】図２は、酸化チタン膜１１が有る場合及び
無い場合、さらに酸化チタン膜１１がある場合について
は、最終製造工程で強い紫外光照射（波長３６５ｎｍ、
５ＭＷ／ｃｍ²、１０分）を行う場合と行わない場合と
について、発光素子の寿命試験結果を比較したものであ
る。試験条件は、初期光出力が３０ｍＷであり、６０℃
において定電流連続動作を行うものである。６０℃に保
たれることにより、各種接着材４、５、８、１０からア
ウトガスが少しづつ発生することになる。

【００３１】図２において、Ａは酸化チタン膜１１が無
い場合の光出力変動結果を、Ｂは酸化チタン膜１１が有
る場合であって、最終製造工程において紫外光照射が行
われない場合の光出力変動結果を、Ｃは酸化チタン膜１
１が有る場合であって、最終製造工程において紫外光照
射が行われる場合の光出力変動結果を、それぞれ示して
いる。

【００３２】図２の結果からも明らかなように、Ａにお
いてはアウトガス中の有機物が発光端面に付着すること
によって、光出力が著しく低下しているのに対し、Ｂ及
びｃにおいては酸化チタン１１膜が形成されていること
から、光出力が長期間に渡って安定していることがわか
る。また、ＢとＣを比較することによって明らかなよう
に、製造工程の最終段階において紫外線を照射すること
により、製造工程で発生したアウトガスを除去すること
ができ、Ｂにおいて見られる初期における不安定状態を
解消することができ、光出力を初期から長期間に渡って
安定させることが可能となる。

【００３３】以上のように本実施の形態１によれば、酸
化チタン膜への光照射による光触媒効果によって、アウ
トガスから生じた有機物等を分解・除去することがで
き、パッケージ内部における発光素子の汚染を未然に防
止することが可能となる。

【００３４】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２にかかる半導体パッケージについて、図面を参照し
ながら説明する。図３は本発明の実施の形態２にかかる
半導体パッケージの代表例である青紫色レーザの断面図
である。基本的な構成は実施の形態１と同じであるが、
図１における酸化チタン膜１１が、窓ガラス９のパッケ
ージ内部側ではなく、樹脂蓋７及び樹脂壁１２のパッケ
ージ内部側において、酸化チタン膜１５、１６、１７、
及び１８として構成されている。

【００３５】図３においては、窓ガラス９を通じて、外
部から紫外光を入射することにより、内部の酸化チタン
膜１５、１６、１７、及び１８に紫外光が照射し、実施
の形態１と同様に光触媒効果が生じ、製造工程で発生し
てパッケージの内部に残留しているアウトガス中の有機
物を分解、除去することが可能となっている。

【００３６】また、青紫色レーザを使用している間に
は、窓ガラス９で反射した一部の青紫光がパッケージ内
部に戻ることによって散乱され、酸化チタン膜１５、１
６、１７、及び１８に照射されることになる。さらに、
波長変換素子２から出射される光は広がりを有すること
から、広がりの裾部における光は、樹脂壁１２に設けら
れている酸化チタン膜１６に直接入射することになる。

【００３７】これらの酸化チタン膜１５、１６、１７、
及び１８に照射される光は、特に青紫光出力が１００ｍ
Ｗ程度と十分に大きい場合には、光触媒効果を生ずるの
に十分な照射量となる。その結果、青紫色レーザを使用
している間に発生するアウトガス中の有機物について
も、効果的に分解・除去することが可能になり、半導体
パッケージとしての信頼性を高く維持することが可能と
なる。

【００３８】なお、酸化チタン膜１５、１６、１７、及
び１８と、樹脂壁１２あるいは樹脂蓋７との間に、アル
ミニウム等の青紫光を反射する材料で形成された膜が挿
入されていても良い。かかる構成とすることにより、酸
化チタン膜１５、１６、１７、及び１８を透過した光が
反射材料で反射され、再度酸化チタン膜１５、１６、１
７、及び１８に照射されることによる光触媒効果を、よ
り増長させることが可能となる。

【００３９】なお、本実施の形態２では、酸化チタン膜
１５、１６、１７、及び１８が樹脂壁１２あるいは樹脂
蓋７の内部に形成されている場合を示しているが、必ず
しも全面に形成されている必要はなく、樹脂壁１２ある
いは樹脂蓋７の一部に形成されている構成であっても良
い。

【００４０】また、半導体パッケージとして樹脂パッケ
ージである場合について説明しているが、例えば半導体
レーザで良く用いられているＣＡＮパッケージのような
金属のパッケージについても適用することが可能であ
る。

【００４１】以上のように本実施の形態２によれば、酸
化チタン膜を、光が直接入出射される窓ガラスのパッケ
ージ内部側ではなく、樹脂蓋及び樹脂壁のパッケージ内
部側に構成されている場合であっても、酸化チタン膜へ
の光照射による光触媒効果によって、アウトガス等の有
機物を分解・除去することができ、パッケージ内部にお
ける発光素子の汚染を未然に防止することが可能とな
る。

【００４２】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３にかかる半導体パッケージについて、図面を参照し
ながら説明する。図４は本発明の実施の形態３にかかる
半導体パッケージの代表例である青紫色レーザの断面図
である。基本的な構成は実施の形態１及び２と同じであ
るが、本実施の形態３においては、酸化チタン膜１９及
び２０が、波長変換素子２の非固定面、及びサブマウン
ト３の表面に形成されている点に特徴を有する。

【００４３】また、酸化チタン膜１９とサブマウント３
との間には光反射層２１が形成されている。すなわち、
半導体レーザ１から出射された赤外光は波長変換素子２
により青紫光に変換され、通常は波長変換素子２内を導
波することになるが、一部の光が導波路の僅かな欠陥に
よって、導波中に散乱される。かかる散乱光が酸化チタ
ン膜１９及び２０に照射されることにより光触媒効果を
生じ、パッケージ内部に存在するアウトガス中の有機物
を分解する。そして、光反射層２１が設けてあることに
よって、サブマウント３方向へ進む散乱光は、酸化チタ
ン膜１９を透過した後、光反射層２１で反射されて、再
び酸化チタン膜１９に入射することになる。したがっ
て、散乱光による光触媒効果をより強く引き起こすこと
が可能となる。

【００４４】さらに、本実施の形態３においては、酸化
チタン膜１９の上に金等で構成されている導電性膜２２
を形成し、導電性膜２２の上に半導体レーザ１を固定す
る構成となっている。導電性膜２２は、金ワイヤー２３
によってリード電極２４に接続されている。

【００４５】かかる構成とすることにより、酸化チタン
膜１９が絶縁性を有するので、半導体レーザ１の電位を
銅ヒートシンク６と別個に維持することができ、光ピッ
クに接続する場合の配線自由度が増すという効果を有し
ている。半導体レーザ１が分布ブラッグ反射型レーザ
（Distributed Bragg Reflector (DBR) Laser)のように
多電極を必要とするレーザの場合には、特に有用であ
る。

【００４６】また、酸化チタン膜は比較的固い膜である
ことから、酸化チタン膜１９及び２０によって、波長変
換素子２及びサブマウント３の表面を保護することにな
り、波長変換素子２及びサブマウント３を取扱う際のカ
ケ（チッピング）等を抑制することが可能となる。

【００４７】さらに、酸化チタン膜は、一般にスパッタ
のような半導体プロセスで作製されることが多い。波長
変換素子２及びサブマウント６についても半導体プロセ
スで作製することから、各々の製造工程に容易に酸化チ
タン膜の形成工程を導入することが可能となる。

【００４８】以上のように本実施の形態３によれば、散
乱光や反射光を利用することによっても、酸化チタン膜
への光照射による光触媒効果によって、アウトガス等の
有機物を分解・除去することができ、パッケージ内部に
おける発光素子の汚染を未然に防止することが可能とな
る。

【００４９】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４にかかる半導体パッケージについて、図面を参照し
ながら説明する。図５は本発明の実施の形態４にかかる
半導体パッケージの代表例である半導体レーザのパッケ
ージ断面図である。半導体レーザ１は、窒化ガリウム基
板上に積層された窒化ガリウム・インジウムから構成さ
れており、発振波長は４０５ｎｍである。

【００５０】図５において、半導体レーザ６１は、熱膨
張係数差に起因した熱歪を緩和する導電性シリコンサブ
マウント６２を介して、銅製のステム６３に導電性接着
材７０により固定されている。半導体レーザ６１の裏面
電極は、金ワイヤー６４によりリード電極６５に接続さ
れている。半導体レーザ６１の背面には、シリコンＰＩ
Ｎフォトダイオード６６が導電性接着材７３によりステ
ム６３に取り付けられている。当該フォトダイオード６
６は、半導体レーザ６１から出射される裏面光を受光
し、光出力の制御に用いられることになる。

【００５１】ここで、裏面光の一部が反射されて前面光
と干渉しないように、フォトダイオード６６は、半導体
レーザ６１の出射端面に対して約１０゜傾けて設置され
ている。そして、フォトダイオード６６の表面には、酸
化チタン膜６７が形成されている。酸化チタン膜６７の
膜厚は、発振波長に対して低反射になるように選択され
ている。フォトダイオード６６は、金ワイヤー６８によ
りリード電極６９に接続されている。また、キャップ７
１には窓ガラス７２が取り付けてある。窓ガラス７２の
両面は、弗化マグネシウムによって、波長４０５ｎｍの
帯域で低反射になるように設定されている。

【００５２】一般に半導体レーザ６１は、光ピックの中
において、約６０℃で使われることが多い。かかる環境
下においては、導電性接着材７０及び７３から有機物で
構成されるアウトガスが発生する。発生したアウトガス
に含まれる有機物が半導体レーザ６１の出射面に付着す
れば、半導体レーザ６１の出力変動を引き起こし、信頼
性を低下させることになる。

【００５３】本実施の形態４においては、半導体レーザ
６１の裏面から出射される青紫光が酸化チタン膜６７に
照射されて光触媒効果を生ずることになる。したがっ
て、アウトガスに含まれる有機物が酸化チタン膜６７の
表面で分解されるため、半導体レーザ６１の出射面にア
ウトガスに含まれる有機物が付着することがなく、高い
信頼性を確保することが可能となる。

【００５４】（実施の形態５）以下、本発明の実施の形
態５にかかる半導体パッケージについて、図面を参照し
ながら説明する。図６は本発明の実施の形態５にかかる
半導体パッケージの代表例である青紫色レーザの断面図
である。基本的な構成は実施の形態４と同じであるが、
酸化チタン膜７５がシリコンＰＩＮフォトダイオード６
６の表面ではなく、キャップ７１の内面に形成されてい
る点に特徴を有している。また、窓ガラス７４は約３０
゜傾けてあり、窓ガラス７４の内面側には、低反射コー
トを行っていない。

【００５５】かかる構成によると、半導体レーザ６１か
ら前面（窓側）に出射した光の一部は、窓ガラス７４で
反射され、その反射光路にある酸化チタン膜７５に照射
されることになる。また、後面に出射した光のうち、一
部はフォトダイオード６６で反射されて酸化チタン膜７
５に照射されることになる。これらの照射によって光触
媒効果が生じ、アウトガス中に含まれる有機物が分解さ
れ、高い信頼性を確保することが可能となる。

【００５６】なお、上述したような各実施の形態におい
て、光触媒材料として酸化チタンを用いる場合について
説明しているが、特にこれに限定されるものではなく、
例えば酸化チタン／酸化アルミニウムの混合物、あるい
は酸化チタン／酸化ケイ素の混合物であっても同様な効
果が期待できる。

【００５７】また、上述した各実施の形態においては、
発光素子が、ＳＨＧレーザや窒化ガリウム系レーザのよ
うに青紫光を出射するレーザの場合について説明してい
るが、特にこれらに限定されるものではなく、赤色レー
ザを出射するアルミニウムインジウムガリウムリン系レ
ーザ、赤外光を出射するアルミニウムガリウム砒素系レ
ーザ、あるいはインジウムガリウム砒素リン系レーザの
ように他光を放出する他のレーザであっても、外部から
紫外光（青紫光）を入射させることによって同様な効果
が期待できる。

【００５８】さらに、上述した各実施の形態において
は、製造工程における残留アウトガス、あるいは長く使
用する間に内部に蓄積されるアウトガスに含まれる有機
物に対する光触媒効果について説明しているが、パッケ
ージの気密性が不十分な場合であって、パッケージの外
部から有機汚染物が侵入してくる場合であっても、光触
媒効果によって同様に分解・除去することができること
は言うまでも無い。

【００５９】

【発明の効果】以上のように本発明にかかる半導体パッ
ケージによれば、製造工程における残留アウトガス、あ
るいは長期間の使用中に内部に蓄積されるアウトガス、
及び外部から侵入してくる有機汚染物による信頼性の低
下を抑制することができ、高い信頼性を維持することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体パッケ
ージの構成図

【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体パッケ
ージにおける寿命試験結果の比較図

【図３】本発明の実施の形態２にかかる半導体パッケ
ージの構成図

【図４】本発明の実施の形態３にかかる半導体パッケ
ージの構成図

【図５】本発明の実施の形態４にかかる半導体パッケ
ージの構成図

【図６】本発明の実施の形態５にかかる半導体パッケ
ージの構成図

【図７】従来の発光素子における光触媒効果の説明図

【図８】従来の半導体パッケージの例示図

【符号の説明】

１、６１、８１半導体レーザ２波長変換素子３、６２サブマウント４、７０、７３導電性接着材５、１０紫外線硬化接着材６銅ヒートシンク７樹脂蓋８熱硬化接着材９、７２、７４窓ガラス１１、１５、１６、１７、１８、１９、２０、６７、７
５、８２酸化チタン膜１２樹脂壁１３、２４、６５、６９リード電極１４、２３、６４、６８金ワイヤー２１光反射層２２導電性膜６３ステム６６フォトダイオード７１キャップ８３出射青紫光８４パッケージ８５光通過窓

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G069 AA03 BA04B BA48A CA10 CA11 DA06 EA08 FB02 5F073 AB23 BA04 BA06 CA02 CA05 CA07 CB02 EA29 FA02 FA13 FA22 FA29 FA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体又は半導体を用いた部品を含む発
光素子を固定する半導体パッケージであって、内壁の少なくとも一表面、又は内部に固定される前記半
導体又は前記半導体を用いた部品の少なくとも一表面に
酸化チタンあるいは酸化チタンの混合物が形成されてい
ることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】前記発光素子における発光波長が４５０
ｎｍ以下である請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】波長４５０ｎｍ以下において低透過率と
なる波長域を有する材料から構成される窓ガラスを少な
くとも一部に用いる請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】前記窓ガラスの内側面に酸化チタン又は
酸化チタンの混合物が形成されている請求項３記載の半
導体パッケージ。
【請求項５】前記発光素子から出射された光の一部を
受ける受光素子を内部に有し、前記受光素子における受
光面に酸化チタン又は酸化チタンの混合物が形成されて
いる請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項６】前記発光素子を固定する部品、あるいは
前記発光素子の機能を増幅する部品を含み、前記発光素
子を固定する部品あるいは前記発光素子の機能を増幅す
る部品の表面に酸化チタン又は酸化チタンの混合物が形
成されている請求項１項記載の半導体パッケージ。
【請求項７】内壁の少なくとも一表面、又は内部に固
定される前記半導体又は前記半導体を用いた部品の少な
くとも一表面と、前記一表面に形成された酸化チタン又
は酸化チタンの混合物との間に、光反射層が設けてある
請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項８】内壁の少なくとも一表面、又は内部に固
定される前記半導体又は前記半導体を用いた部品の少な
くとも一表面に、前記発光素子から出射された光を反射
する機能が設けられ、反射された光路に酸化チタン又は
酸化チタンの混合物が形成されている請求項２記載の半
導体パッケージ。