JP2003255509A - フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 より精度の良い合否判断が可能となるフォト
マスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】 フォトマスクにマスクパターンを作成し
（ST.1）、作成されたマスクパターンの寸法を測定し
（ST.2、ST.3）、寸法測定の結果に基づき、マスクパタ
ーンを被露光体に露光する際の露光裕度を求め、求めら
れた露光裕度が所定の露光裕度を満たしているか否かを
判断し、露光裕度を満たしているか否かの判断結果に基
づき、フォトマスクの合否を判断するフォトマスクの製
造方法であって、寸法測定は、マスクパターンのうち、
このマスクパターンを被露光体に露光する際に露光裕度
が小さくなるクリティカルパターン部の寸法測定を含む
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はフォトマスクの製
造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程において、各
種パターンを半導体ウェハに形成するパターン形成工
程、いわゆるリソグラフィ工程がある。リソグラフィ工
程では、フォトマスクが用いられている。

【０００３】近年、フォトマスクに求められる寸法精度
は急速に厳しくなり、例えばフォトマスク面内の寸法均
一性は１０ｎｍ以下が必要とされている。フォトマスク
の製造工程において、良品か不良品かを判断する項目は
多数有り、従来、その項目の中の一つでも仕様を満たさ
ないものが有れば不良品、即ち不合格とされてきた。

【０００４】図８に、フォトマスク、例えばハーフトー
ン型位相シフトマスクの仕様の代表的な項目と仕様値の
例を示す。図８に示しただけでも１１項目有り、従来
は、これら１１項目のうち、１項目でも仕様値を越える
フォトマスクは、不合格としていた。フォトマスク製造
技術の高精度化は進んでいるが、フォトマスクに求めら
れる寸法精度が厳しくなる中で、良品が得られる歩留り
は悪化している。

【０００５】フォトマスクの仕様は、半導体ウェハへの
パターン露光において、所望の露光裕度を得るために必
要で、従来の仕様は各項目がすべて仕様値ぎりぎりの値
になった場合でも所望の露光裕度が得られるように決め
られていた。しかしながら、実際のフォトマスクですべ
ての項目が仕様値ぎりぎりの値になるようなことは極め
て希で、ほとんどのフォトマスクは、ある項目は仕様値
を越えていても、その他の項目は余裕を持って仕様値の
中に収まっていることが多い。このようなフォトマスク
は、従来、不合格として処分されてしまっていたが、そ
の中には所望の露光裕度を得ることができるフォトマス
ク、即ち製品を量産するにあたり問題のないフォトマス
クが存在する、という事実を、本願発明者らは見出し
た。つまり、仮に仕様値を越えてしまった項目が有って
も、その他の項目が余裕を持って仕様値に収まっている
場合、仕様値を越えてしまった項目による露光裕度の減
少分が、余裕を持って仕様値に収まっている項目の露光
裕度の増加分を下回れば、全体としては所望の露光裕度
が得ることができるのである。

【０００６】図９に不合格とされていたハーフトーン型
位相シフトマスクの従来の測定例を示す。図９に示すよ
うに、例えばパターン寸法平均値の、目標値からのずれ
が１３ｎｍで仕様値の±１０ｎｍを越えてしまっていて
も、そのマスクのパターン寸法面内均一性が４ｎｍ（３
σ）と仕様値である８ｎｍ（３σ）より余裕を持って小
さい値であった場合、このマスクを実際にウェハ露光
し、デフォーカス裕度と露光量裕度を測定すると所望の
露光裕度が得られるのである。これに関する本件出願人
による先願としては、特願２０００−２６０２８５号
（平成１２年８月３０日出願）、及び特願２００１−１
５９３８０号（平成１３年５月２８日出願）がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】特願２０００−２６０
２８５号では、フォトマスクの半導体デバイスパターン
（マスクパターン）寸法ばらつき及びその平均値を測定
し、この測定データから露光裕度を計算し、所定の露光
裕度を満たせば良品（合格）と判断する。また、フォト
マスクが位相シフトマスクである場合には、位相シフト
膜の透過率及びその位相差をさらに測定し、この測定デ
ータからも露光裕度を計算し、所定の露光裕度を満たせ
ば合格と判断する。

【０００８】特願２００１−１５９３８０号は、特願２
０００−２６０２８５号に対して、描画位置精度、欠陥
部位や欠陥修正後の修正部位等の測定データからも露光
裕度を見積もるようにし、より精度の高い合否判断を行
い得るようにしたものである。また、所望の露光裕度が
得られない場合には、このフォトマスクを使用するカス
タマーがデバイス特性の観点、又はデバイス製造の観点
から使用できるかどうかをさらに判断し、プロセス管理
条件を含んだ形で合否判定を下すようにしたものであ
る。

【０００９】しかしながら、半導体デバイスの微細化、
大規模集積化はその後も進展を続けており、フォトマス
クにおいても、より精度の良い合否判断が要求されると
ころである。

【００１０】この発明は、上記事情に鑑み為されたもの
で、その目的は、より精度の良い合否判断が可能となる
フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用い
た半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の第１態様に係
わるフォトマスクの製造方法は、フォトマスクにマスク
パターンを作成し、前記作成されたマスクパターンの寸
法を測定し、前記寸法測定の結果に基づき、前記マスク
パターンを被露光体に露光する際の露光裕度を求め、前
記求められた露光裕度が所定の露光裕度を満たしている
か否かを判断し、前記露光裕度を満たしているか否かの
判断結果に基づき、前記フォトマスクの合否を判断する
フォトマスクの製造方法であって、前記寸法測定は、前
記マスクパターンのうち、このマスクパターンを前記被
露光体に露光する際に露光裕度が小さいクリティカルパ
ターン部の寸法測定を含むことを特徴とする。

【００１２】この発明の第２態様に係わる半導体装置の
製造方法は、フォトマスクにマスクパターンを作成し、
作成されたマスクパターンの寸法を、このマスクパター
ンのうち、被露光体に露光する際に露光裕度が小さいク
リティカルパターン部の寸法測定を含んで測定し、寸法
測定の結果に基づき、前記マスクパターンを被露光体に
露光する際の露光裕度を求め、求められた露光裕度が所
定の露光裕度を満たしているか否かを判断して製造され
たフォトマスクを用いて半導体装置を製造することを特
徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を、
図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわた
り、共通する部分には共通する参照符号を付す。

【００１４】図１はこの発明の一実施形態に係わるフォ
トマスクの製造方法を示す流れ図である。本第１実施形
態は、この発明をフォトマスクとしてハーフトーン型位
相シフトマスク（以下ＨＴ型マスク）に適用した例であ
る。しかし、この発明はＨＴ型マスクに限って適用され
るものではなく、ＨＴ型マスク以外の位相シフトマスク
にも適用でき、もちろん位相シフトマスク以外のフォト
マスクにも適用できる。

【００１５】図１に示すように、マスクブランクスに、
マスクパターン、例えば半導体デバイスパターンを形成
する（ＳＴ．１）。

【００１６】本例では、ＨＴ型マスクブランクス上の感
応材、例えばレジストに、例えば電子ビーム描画装置を
用い、半導体デバイスの図形パターンを表現した描画パ
ターンデータに基づく所望の半導体デバイスパターンを
描画する。次いで、描画された半導体デバイスパターン
を基に、現像及びエッチング処理を経ることで、マスク
ブランクスのガラス基板上に、半透明膜（ハーフトーン
膜）からなる半導体デバイスパターンを作成する。本明
細書において、半導体デバイスパターンとは、素子分離
領域パターン、ゲート電極パターン、コンタクトホール
やヴィアホール、配線パターン、あるいはイオンビーム
注入用窓パターン等の半導体デバイスの製造に使用され
る様々なパターンのことを指す。また、マスクパターン
の描画には、電子ビーム描画装置以外の描画装置、例え
ばレーザービーム描画装置やイオンビーム描画装置等を
用いることができる。また、描画に限らず、例えば縮小
転写装置等を用い、転写することも可能である。

【００１７】次に、作成された半導体デバイスパターン
の寸法を測定し、その寸法が、設計値に対してどの程度
の差異で作成されているかを測定する。

【００１８】図２Ａに測定対象となるフォトマスクのパ
ターン配置の一例、及び図２Ｂにフォトマスクに配置さ
れる単位図形群の一例を示す。

【００１９】図２Ａに示すように、パターン配置の一例
では、フォトマスク２０内に、半導体デバイスの一単位
であるチップ２１が、横２列、縦４段の合計８個が配置
されている。チップ２１が半導体メモリデバイスの場
合、チップ２１の大部分は、例えば図２Ｂに示す単位図
形群をマトリクス状に繰り返し配置した領域が占める。
そのような単位図形群の中から、例えば一つの単位図形
２５を抜き出し、例えば参照符号２３、２４により示さ
れる部分の寸法を測定する。本例の単位図形２５は、基
本的に短軸、及び長軸を有した亜鈴型である。本例で
は、例えば亜鈴型の単位図形２５の短軸寸法２３及び長
軸寸法２４を、例えば１チップ当たり８点の測定ポイン
ト２２、合計６４点で測定し、寸法の平均値を算出し
て、該フォトマスクの平均寸法値とする（ＳＴ．２）。
さらに６４点の測定ポイント２２のばらつきを算出し
て、寸法ばらつき値とする（ＳＴ．３）。次いで、平均
寸法値及び寸法ばらつき値が、特定のマスク製造ライン
の管理範囲内かどうかを判定し、範囲内の場合は次の測
定工程へ進み、範囲外の場合は何らかの異常ありと判定
して不良品として再製作となる。ここでは、上記測定工
程で管理範囲内として工程を進める。

【００２０】なお、寸法測定は、半導体デバイスパター
ンのうち、半導体デバイスパターンを被露光体に露光す
る際に使用される露光装置の露光条件の最適化に利用さ
れる平均寸法モニタ部の寸法測定と、半導体デバイスパ
ターンのうち、フォトマスク内の寸法ばらつきの算出に
利用される寸法ばらつきモニタ部の寸法測定とを含んで
行われるようにしても良い。

【００２１】このように平均寸法モニタ部と寸法ばらつ
きモニタ部とは、異なるパターンでも良いが、同一パタ
ーンであっても良い。同一パターンである場合には、こ
のパターンの寸法を測定して寸法の平均値、および寸法
のばらつきをそれぞれ算出すれば良い。

【００２２】また、作成したフォトマスクの合否判断
を、ウェハ露光し、例えば合計６４点の測定ポイント２
２毎に寸法を測長して露光裕度を求めていくのは手間と
時間がかかり過ぎ現実的ではない。例えば本例では、フ
ォトマスクの合否判断を、フォトマスクの測定データか
らウェハ露光裕度を計算、または実際の露光結果より見
積もることで所望の露光裕度が得られるか否かで判断す
る。

【００２３】次に、作成するマスクがＨＴ型マスクの場
合、チップ２１内の局所パターン、又はチップ２１の外
側に配置したモニタパターンのハーフトーン膜固有の性
能となる位相差と透過率を測定し、その平均値とばらつ
きをそれぞれ算出する（ＳＴ．４）。次いで、上記寸法
と同様、マスク製造ラインの管理範囲内かどうかを判定
し、範囲内の場合は次の測定工程へ進み、範囲外の場合
は何らかの異常ありと判定して不良品として再製作とす
る。

【００２４】上記工程で合格したフォトマスクは、図３
Ａに示すように、描画装置固有の単位描画領域（ビーム
偏向手段のみで描画可能な領域）３１に分割されてい
る。その分割境界部３２には、図３Ｂに示すような分割
境界部３２におけるパターンずれ（本例ではＸ方向のみ
のずれを示しているがＹ方法にも存在）や、図３Ｃに示
すようなパターン間に微小な隙間、あるいは図には示し
ていないがパターン同士の重なり等の描画エラーが生じ
る。その結果、分割境界部３２に位置するパターンの寸
法誤差は、他の位置に作成された同一パターンに比べて
大きくなる。加えて図４Ａに示すように設計寸法が正方
形であるパターン（辺４１ｘ＝辺４１ｙ）が、描画装置
のパターン形成誤差であるＸＹ差（同一寸法のＸ値とＹ
値で微妙に誤差を発生）により、図４Ｂに示すように長
方形（辺４１ｘ≠辺４１ｙ）となってしまう誤差を生じ
る。

【００２５】このような単位描画領域３２間の繋ぎ誤差
（以下バッティング精度と呼ぶ）やＸＹ差を、チップ２
１内のパターン、又はチップ２１の外側に配置されたモ
ニタパターンを測定して得る（ＳＴ．５）。

【００２６】上記ＳＴ．２、及びＳＴ３で得られた平均
寸法値と寸法ばらつき値、上記ＳＴ．４で得られた位相
差の平均値とばらつき、透過率の平均値とばらつき、及
び上記ＳＴ．５で得られたバッティング精度とＸＹ差
と、設計パターンもしくはこのフォトマスクを使用して
露光処理する際の露光条件とから、実際の作成マスクと
理想マスクとの差異が算出される。そして、実際の露光
時に必要となる露光裕度に対して、上記理想マスクとの
差異から上述したそれぞれの誤差因子が上記露光裕度に
対してどのくらい影響するかを計算して、上記平均寸法
値と寸法ばらつき値、位相差の平均値とばらつきと透過
率の平均値とばらつき及び上記バッティング精度とＸＹ
差の露光裕度への影響が予め算出した前記実際の露光時
に必要となる露光裕度を満足しているかどうかで作成マ
スクの合否判定を行う。

【００２７】上述した一連のマスク測定結果で合格した
マスクのみが、図１に示すクリティカルパターン部寸法
測定工程（ＳＴ．６）へ進むこととなる。

【００２８】クリティカルパターン部（危険パターン
部）は、半導体デバイスを表現するパターンの形状及び
露光装置を主とする露光条件から決定される露光裕度が
小さいパターン部である。このクリティカルパターン部
は、図１中のＳＴ．７に示すように、予め抽出してお
く。クリティカルパターン部の抽出の一例は、次の通り
である。

【００２９】まず、マスクパターンの一部、又は全部に
対してプロセス変動を含めたリソグラフィシミュレーシ
ョンを行う。次に、上記マスクパターンが半導体ウェハ
上に転写された際の寸法、又は形状の計算値を求め、こ
の計算値の、設計値からの変動量を算出する。そして、
変動量が所定の変動量以上となる箇所、又は変動量が最
も大きくなる箇所を抽出し、抽出された箇所を、クリテ
ィカルパターン部とする。例えばこのようにして、クリ
ティカルパターン部が抽出される。

【００３０】リソグラフィシミュレーションにおけるプ
ロセス変動は、例えば露光装置のフォーカス変動、露光
装置の露光量変動、及び露光装置のレンズ収差の少なく
ともいずれか一つを含んで設定される。

【００３１】さらに本例では、図５に示すように、露光
裕度の小ささを段階的にクラス分けしたカテゴリー及び
抽出された局所パターン部の形状及び設計寸法に応じた
カテゴリー５１〜５４に分類されている（ＳＴ．８）。

【００３２】例えばカテゴリーの分類例としては、 （１） クリティカルパターン部の寸法からの分類 （２） クリティカルパターン部の形状からの分類 （３） クリティカルパターン部の寸法とクリティカル
パターン部の形状とのコンビネーションからの分類 のいずれか一つを含んで分類される。

【００３３】作成されたフォトマスクからクリティカル
パターン部の寸法を測定する場合、本例では、危険パタ
ーン分類を行う（ＳＴ．９）。例えば平均寸法値が理想
値に対して特定の範囲内（例えば−５ｎｍから＋５ｎ
ｍ）であれば、危険パターン分類工程で、図６Ａに示す
ようにカテゴリー５１と５２のクリティカルパターン部
のみを寸法測定し、そのカテゴリー別の理想寸法値と測
定した寸法値の差及びばらつきからクリティカルパター
ン部の露光裕度を算出して該マスクの合否判定を行う。

【００３４】また、平均寸法値が理想値に対して特定の
範囲外の場合、例えば上記理想値とのずれが−５ｎｍ以
上の場合には危険パターン分類工程で図６Ｂに示すよう
にカテゴリー５１と５２に加えて理想値からのずれによ
り露光裕度が厳しくなるカテゴリー５４を含めてクリテ
ィカルパターン部の寸法測定を行い、マスクの合否判定
を行う。また、上記理想値とのずれが＋５ｎｍ以上の場
合には危険パターン分類工程で図６Ｃに示すようにカテ
ゴリー５１と５２に加えて理想値からのずれにより露光
裕度が厳しくなるカテゴリー５３を含めてクリティカル
パターン部の寸法測定を行い、マスクの合否判定を行
う。

【００３５】このように分類されたカテゴリー毎に、ク
リティカルパターン部の寸法を測定し、カテゴリー毎に
得た寸法の測定結果を含めて、フォトマスクが露光装置
に設定される所定の露光条件で露光可能か否かを、カテ
ゴリー毎に判断する。

【００３６】フォトマスクが所定の露光条件で露光可能
か否かの判断の一例は、クリティカルパターン部の寸
法、クリティカルパターン部の形状、及び所定の露光条
件に基づきリソグラフィシミュレーションを行い、クリ
ティカルパターン部が半導体ウェハに転写された際の寸
法、及び形状を計算し、この計算の結果に基づき、フォ
トマスクが露光条件で露光可能か否かを判断することで
ある。具体的な一例は、例えば図７に参照符号７１や７
２により示すようなパターン部の寸法測定を行う。そし
て、その測定寸法値と周辺パターン及び露光条件から決
定する該フォトマスクを使用して露光処理した際に上記
パターン７１や７２の部分が近接するパターンとくっつ
いてしまわないか等をシミュレーションにより算出して
合否判定する。

【００３７】上述したマスク測定を含むマスク検査で合
格したマスクは、例えばＳＴ．２で得られた平均寸法値
が、このフォトマスクを使用して半導体デバイスパター
ンをウェハ上に露光する露光装置へ伝達されて最適露光
量が設定され（ＳＴ．１０）、露光処理に供されるもの
となっている。そして、合格したマスクを用いて、半導
体デバイスを製造する。

【００３８】上述したように、一実施形態に係わるフォ
トマスクの製造方法では、半導体デバイスを表現するパ
ターン形状及び露光装置を主とする露光条件から決定す
る露光裕度の小さいクリティカルパターン部を含んで、
所望の露光裕度が得られているか否かを判断する。

【００３９】これに対して、特願２０００−２６０２８
５号、及び特願２００１−１５９３８０号は、半導体デ
バイスを表現するパターン形状及び露光装置を主とする
露光条件から決定する露光裕度の小さいクリティカルパ
ターン部を含むマスク保証とはなっていない。

【００４０】このように一実施形態に係わるフォトマス
クの製造方法では、クリティカルパターン部を含んで、
所望の露光裕度が得られているか否かを判断するので、
特願２０００−２６０２８５号、及び特願２００１−１
５９３８０号に対して、より精度の高い合否判断が可能
となる。

【００４１】さらに一実施形態に係わるフォトマスクの
製造方法では、フォトマスクのパターン形成条件に応じ
て保証するクリティカルパターン部を選択する。

【００４２】クリティカルパターン部を選択する方法の
一例は、上述した通り、マスクパターンの一部、又は全
部に対してプロセス変動を含めたリソグラフィシミュレ
ーションを行う。次に、上記マスクパターンが半導体ウ
ェハ上に転写された際の寸法、又は形状の計算値を求
め、この計算値の、設計値からの変動量を算出する。そ
して、変動量が所定の変動量以上となる箇所、又は変動
量が最も大きくなる箇所を抽出し、抽出された箇所を、
クリティカルパターン部とする。

【００４３】このようなクリティカルパターン部は変動
量が所定の変動量以上となる箇所、又は変動量が最も大
きくなる箇所である。例えばこのような箇所からフォト
マスクの合否判断をすれば、より精度の高い合否判断が
期待できる。

【００４４】また、クリティカルパターン部の選択は、
露光装置の露光条件を最適化する際、例えば図１に示す
ＳＴ．２において得た、平均寸法モニタ部の寸法測定
値、設計値からの変動量を考慮して抽出されるようにし
ても良い。

【００４５】なお、この発明は上記一実施形態に限定さ
れるものではない。例えば所望の露光裕度は、デバイス
の作りやすさやレジストの特性などにより適宜変化する
ものである。また、例えば露光裕度を見積もる計算には
純粋に光学像から露光裕度を求めても構わないが、レジ
ストの特性や更にその先の工程であるエッチングの特性
なども含めた計算から露光裕度を求める事でより正確な
判断が可能となる事は言うまでもないし、露光裕度を求
めるパターンもセルパターンに限ったものではなく、コ
ア回路部など露光裕度が最も小さいと思われる場所を見
積もるのが望ましい。また、位相シフトマスクの場合、
位相や透過率の測定が難しい場合などは、露光裕度の計
算には位相や透過率の値の仕様値を入れて、パターン寸
法の値だけを実際のマスクの測定値を用いて露光裕度を
計算する事も可能である。

【００４６】また、上記一実施形態では対象パターンを
半導体メモリデバイスとして記述しているが繰り返しパ
ターンのないもしくは少ないロジックデバイスについて
も適用可能である。具体的には、平均寸法値を得るパタ
ーン部と寸法ばらつきを同一にしないで別々に設定する
事で本発明の要旨を逸脱することなく実施する事ができ
る。その他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種種変
形して実施することができる。

【００４７】また、上記一実施形態には、種々の段階の
発明が含まれており、実施形態において開示した複数の
構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明
を抽出することも可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
より精度の良い合否判断が可能となるフォトマスクの製
造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製
造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はこの発明の一実施形態に係わるフォトマ
スクの製造方法を示す流れ図

【図２】図２Ａはフォトマスクのパターン配置の一例を
示す平面図、図２Ｂは単位図形群の一例を示す平面図

【図３】図３Ａ〜図３Ｃはそれぞれ単位描画領域の描画
エラーの例を示す平面図

【図４】図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ描画装置のパター
ン形成誤差の例を示す平面図

【図５】図５はクリティカルパターン部の一例を示す平
面図

【図６】図６Ａ〜図６Ｃはそれぞれクリティカルパター
ン部の寸法測定の一例を示す平面図

【図７】図７はクリティカルパターン部の測定箇所の一
例を示す平面図

【図８】図８はハーフトーン型位相シフトマスクの仕様
値の一例を示す図

【図９】図１０はハーフトーン型位相シフトマスクの測
定結果の一例を示す図

【符号の説明】

２０…フォトマスク ２１…チップ ２２…測定ポイント ２５…単位図形 ３１…単位描画領域 ３２…分割境界部 ５１〜５４…カテゴリー毎に分類されたクリティカルパ
ターン部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB02 BB03 BB36 BD03 BD26 BD28

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスクにマスクパターンを作成
   し、 前記作成されたマスクパターンの寸法を測定し、 前記寸法測定の結果に基づき、前記マスクパターンを被
   露光体に露光する際の露光裕度を求め、前記求められた
   露光裕度が所定の露光裕度を満たしているか否かを判断
   し、 前記露光裕度を満たしているか否かの判断結果に基づ
   き、前記フォトマスクの合否を判断するフォトマスクの
   製造方法であって、 前記寸法測定は、前記マスクパターンのうち、このマス
   クパターンを前記被露光体に露光する際に露光裕度が小
   さいクリティカルパターン部の寸法測定を含むことを特
   徴とするフォトマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 前記寸法測定は、 前記マスクパターンのうち、前記マスクパターンを前記
   被露光体に露光する際に使用される露光装置の露光条件
   の最適化に利用される平均寸法モニタ部の寸法測定と、 前記マスクパターンのうち、前記フォトマスク内の寸法
   ばらつきの算出に利用される寸法ばらつきモニタ部の寸
   法測定とを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォ
   トマスクの製造方法。
3. 【請求項３】 前記マスクパターンの一部、又は全部に
   対してプロセス変動を含めたリソグラフィシミュレーシ
   ョンを行い、前記マスクパターンが半導体ウェハ上に転
   写された際の寸法、又は形状の計算値を求め、前記計算
   値の、設計値からの変動量を算出し、 前記変動量が所定の変動量以上となる箇所、又は前記変
   動量が最も大きくなる箇所を抽出し、 前記抽出された箇所を、前記クリティカルパターン部と
   することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの
   製造方法。
4. 【請求項４】 前記プロセス変動は、前記露光装置のフ
   ォーカス変動、前記露光装置の露光量変動、及び前記露
   光装置のレンズ収差の少なくともいずれか一つを含むこ
   とを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記クリティカルパターン部は、 前記露光装置の露光条件を最適化する際に得た、前記平
   均寸法モニタ部の寸法測定値の、設計値からの変動量を
   考慮して抽出されることを特徴とする請求項２に記載の
   フォトマスクの製造方法。
6. 【請求項６】 前記クリティカルパターン部は、 前記クリティカルパターン部の寸法、前記クリティカル
   パターン部の形状、及び前記クリティカルパターン部の
   寸法と前記クリティカルパターン部の形状とのコンビネ
   ーションのいずれか一つを含むカテゴリーに分類され、 前記カテゴリー毎に、前記クリティカルパターン部の寸
   法を測定し、 前記カテゴリー毎に得た前記寸法の測定結果を含めて、
   前記フォトマスクが前記露光装置に設定される所定の露
   光条件で露光可能か否かを、前記カテゴリー毎に判断す
   ることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製
   造方法。
7. 【請求項７】 前記フォトマスクが前記露光条件で露光
   可能か否かの判断は、 前記クリティカルパターン部の寸法、前記クリティカル
   パターン部の形状、及び前記露光条件に基づきリソグラ
   フィシミュレーションを行い、前記クリティカルパター
   ン部が半導体ウェハに転写された際の寸法、及び形状を
   計算し、 前記計算の結果に基づき、前記フォトマスクが前記露光
   条件で露光可能か否かを判断することを特徴とする請求
   項６に記載のフォトマスク製造方法。
8. 【請求項８】 フォトマスクにマスクパターンを作成
   し、作成されたマスクパターンの寸法を、このマスクパ
   ターンのうち、被露光体に露光する際に露光裕度が小さ
   いクリティカルパターン部の寸法測定を含んで測定し、
   寸法測定の結果に基づき、前記マスクパターンを被露光
   体に露光する際の露光裕度を求め、求められた露光裕度
   が所定の露光裕度を満たしているか否かを判断して製造
   されたフォトマスクを用いて半導体装置を製造すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。