JPH08202020A - フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法 - Google Patents

フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法

Info

Publication number
JPH08202020A
JPH08202020A JP3422195A JP3422195A JPH08202020A JP H08202020 A JPH08202020 A JP H08202020A JP 3422195 A JP3422195 A JP 3422195A JP 3422195 A JP3422195 A JP 3422195A JP H08202020 A JPH08202020 A JP H08202020A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
margin
evaluation
light
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3422195A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Sugawara
稔 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP3422195A priority Critical patent/JPH08202020A/ja
Priority to KR1019960002009A priority patent/KR100425903B1/ko
Priority to US08/593,915 priority patent/US5698346A/en
Publication of JPH08202020A publication Critical patent/JPH08202020A/ja
Priority to US08/887,473 priority patent/US5821015A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】パターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及び
デフォーカス裕度のそれぞれの範囲内における光近接効
果に対するパターンの補正の適否を正確に評価し得る、
フォトリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクにお
けるパターン形状評価方法を提供する。 【構成】パターン形状評価方法は、（イ）フォトマスク
における評価パターンを複数設定し、且つ、上記３つの
裕度の内、２つの裕度を設定し、（ロ）他の１つの裕度
に関連する量を変化量として変化させて、評価パターン
に基づき転写パターンを求め、（ハ）評価パターン上の
予め設定された複数の測定点に対応する転写パターンの
位置において、転写パターンの大きさを求め、（ニ）求
めた転写パターンの大きさに基づき、設定された２つの
裕度の領域内における変化量の最小値を他の１つの裕度
として求め、評価パターンにおける求めた裕度を比較す
る、各工程から成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクにおける
パターン形状評価方法、各種の転写パターンの形成に適
用できるフォトマスク、かかるフォトマスクの作製方法
及びフォトマスクのパターン形成方法、並びにかかるフ
ォトマスクを用いた露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】メモリ素子、論理演算素子、ＣＣＤ素
子、ＬＣＤ駆動素子等の各種の半導体装置の製造方法に
おけるパターン転写工程、所謂フォトリソグラフィ工程
で使用されるフォトマスクは、フォトマスクに形成され
たパターンを例えばウエハから成る基体上に形成された
レジストに転写するために用いられる。尚、以下、特に
断りがない限り、ウエハ等から成る基体上に形成された
レジストを単にレジストと表現する。また、特に断りが
ない限り、転写パターンとは、フォトマスクに形成され
たパターンを例えばウエハから成る基体上に形成された
レジストに転写したとき、レジストに形成された若しく
は形成されるであろうパターンを意味する。
【０００３】近年、半導体装置の微細化に伴い、フォト
マスクに形成された微細なパターンを所望の解像度にて
レジストに転写することが困難になりつつある。そし
て、フォトマスクに形成されたパターンと転写パターン
の形状が相違する現象が顕著になっている。例えば、フ
ォトマスクに形成された正方形のパターンに基づく転写
パターンが円形形状になったり、フォトマスクに形成さ
れた長方形のパターンに基づく転写パターンが楕円形状
になったりする。あるいは又、フォトマスクに直角に曲
がるコーナー部が形成されたパターンに基づく転写パタ
ーンにおいて、コーナー部が丸い形状になったりする。
更には、フォトマスクに矩形形状のライン部と矩形形状
のスペース部が交互に規則正しく形成され、且つライン
部とスペース部が所定の大きさを有するパターンに基づ
く転写パターンにおいて、ライン部とスペース部が交互
に規則正しく転写されなかったり、ライン部とスペース
部が所定の大きさから逸脱するといった現象も生じてい
る。これらの転写パターンにおけるパターン形状劣化
は、所謂光近接効果と呼ばれる物理現象に起因する。そ
して、このような転写パターンのパターン形状劣化は、
半導体装置の性能の劣化をもたらし、甚だしい場合に
は、半導体装置の本来の性能が全く発揮できなくなる。
【０００４】従来、フォトマスクに形成すべきパターン
の形状を補正することによって、転写パターンのパター
ン形状劣化を是正する試みがなされている。例えば、転
写パターンの形状の改善をもたらすが、それ自身の形状
は転写されない微小な補助パターンを、フォトマスクの
パターンに接して若しくは近接・隣接して配置する方
法、あるいは、設計サイズよりも大きなサイズの部分及
び／又は小さなサイズの部分をフォトマスクのパターン
に適宜設ける方法を挙げることができる。フォトマスク
のパターンに対するこれらの補正は、通常、或る特定の
転写条件（露光条件）、例えば特定のレンズ開口数（Ｎ
Ａ）、特定のパーシャルコヒーレンシー（σ）、特定の
露光光波長、特定の露光量、特定のデフォーカス量、及
び特定のパターンサイズ等に基づき、行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】所謂光近接効果を補正
する従来の方法は、特定の転写条件の元で見出されるパ
ターン補正条件であるが故に、以下に述べるような問題
がある。即ち、特定の転写条件において見出されたパタ
ーン補正条件に基づき形成されたフォトマスクのパター
ンによって、かかる特定の転写条件から外れた転写条件
下で転写パターンを形成する場合に、かかる特定の転写
条件で得られた補正性能と同一若しくは若干劣る補正性
能を確保できるか否かを予想することは甚だ困難であ
る。半導体装置の製造においては、特に、露光量、デフ
ォーカス量及びフォトマスクにおけるパターンサイズ
は、転写パターンの形状や大きさに大きな影響を及ぼす
誤差（変動）を含んだ諸量である。そして、これらの諸
量の誤差量（変動量）の大きな領域において、例えば、
或る特定のレンズ開口数（ＮＡ）、特定のパーシャルコ
ヒーレンシー（σ）、特定の露光光波長、特定の露光
量、特定のデフォーカス量、及び特定のパターンサイズ
等に基づいたフォトマスクのパターン補正が、実際の半
導体装置の製造において適切であるか否かを予想するこ
とは極めて困難である。即ち、或る特定の転写条件にお
けるフォトマスクのパターン補正によって充分に転写パ
ターンを補正できると判断されたとしても、実際の半導
体装置の製造においては所望形状を有する転写パターン
を得ることができないという不都合が生じている。
【０００６】通常、フォトマスクのパターンを評価する
ために、転写パターンの形状の変化それ自体を判定して
いる。従って、転写パターンの形状や大きさに影響を及
ぼす誤差量（変動量）を含んだ上記の諸量を考慮してフ
ォトマスクのパターン補正を行おうとしても、転写パタ
ーンの形状の変化それ自体を判定しているので、フォト
マスクのパターン補正が最適であるか否かを定量的に判
定することには困難が伴う。
【０００７】従来から、マスクのパターンサイズ裕度、
露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度
の内、１つの裕度を最適化することが行われている。こ
こで、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕
度及びデフォーカス裕度とは、マスクのパターンサイ
ズ、露光光の露光量及びデフォーカス量のそれぞれの、
フォトマスク作製工程や露光工程における許容誤差量
（許容変動量）を意味する。即ち、マスクのパターンサ
イズ、露光光の露光量あるいはデフォーカス量が、マス
クのパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフ
ォーカス裕度の範囲内で変動したとしても、フォトマス
クに形成されたパターンに基づき所望の形状、大きさの
転写パターンを得ることができる。
【０００８】予め決定されたマスクのパターンサイズに
基づき、例えばデフォーカス裕度を決定する方法の概要
を、以下に説明する。露光量を一定として、デフォーカ
ス量を変化させて転写パターンの大きさを実験的に若し
くはシミュレーションにて求め、これによって、図２９
の（Ａ）に示すようなデフォーカス量と転写パターンの
大きさとの関係を求める。そして、予め決められた転写
パターンサイズ裕度に基づき、デフォーカス裕度を決定
する。
【０００９】あるいは又、マスクのパターンサイズを予
め決定しておき、デフォーカス裕度及び露光光の露光量
裕度を決定する方法（ＥＤ Ｔreeと呼ばれる方法）の概
要を、以下に説明する。即ち、露光量及びデフォーカス
量を変化させて転写パターンの大きさを実験的に若しく
はシミュレーションにて求め、これによって、図２９の
（Ｂ）に示すような露光量及びデフォーカス量と転写パ
ターンの大きさとの関係を示す複数の曲線を求める。そ
して、例えば、転写パターンサイズ裕度を±１０％と
し、露光光の露光量裕度の範囲を２０％とすると、これ
らの裕度の範囲におけるデフォーカス裕度を、図２９の
（Ｂ）に示すように求めることができる。
【００１０】このような従来の裕度決定方法において
は、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度
及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、１つの裕度を
予め決定し、残りの裕度の内の１つを最適化している。
あるいは又、３つの裕度の内、２つの裕度を予め決定
し、残りの１つの裕度を最適化しているが、この場合、
予め決定された２つの裕度の内の１つの裕度に関係する
量（例えば、上述の説明においては露光量）及び最適化
すべき裕度に関係する量（例えば、上述の説明において
はデフォーカス量）のみの関連を求めるに止まり、３つ
の裕度を相互に関連付け、３つの裕度を最適化すること
は行われていない。
【００１１】例えば、図２９の（Ａ）にて説明した方法
では、露光量のばらつきやフォトマスクに形成されたパ
ターンのサイズばらつきを考慮していない。従って、得
られたデフォーカス裕度は、実際の半導体装置の製造プ
ロセスから大きく遊離しており、得られたデフォーカス
裕度は、実際のデフォーカス裕度より大きくなるといっ
た問題がある。また、この方法では、フォトマスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を定量的に評
価することができない。
【００１２】あるいは又、図２９の（Ｂ）にて説明した
ＥＤ Ｔree 方法においても、フォトマスクに形成され
たパターンのサイズばらつきは全く考慮されていない。
従って、得られたデフォーカス裕度は、実際の半導体装
置の製造プロセスから大きく遊離している。加えて、例
えばマスクのパターンサイズ裕度を求められないといっ
た問題がある。
【００１３】従って、本発明の第１の目的は、特に転写
パターンの形状に大きな影響を及ぼす誤差（変動）を含
み得るマスクのパターンサイズ、露光量及びデフォーカ
ス量に関して、これらの諸量の許容誤差量（許容変動
量）であるマスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
量裕度及びデフォーカス裕度に基づき転写パターンの形
状を表現することにより、各裕度の範囲内における光近
接効果に対するフォトマスクに形成すべきパターンの補
正の適否を正確に評価し得る、フォトマスクにおけるパ
ターン形状評価方法を提供することにある。
【００１４】また、本発明の第２の目的は、かかるパタ
ーン形状評価方法を適用したフォトマスクを提供するこ
とにある。更に、本発明の第３、第４及び第５の目的
は、かかるパターン形状評価方法を適用したフォトマス
クの作製方法及びフォトマスクのパターン形成方法、並
びにかかるフォトマスクを用いた露光方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するための本発明のパターン形状評価方法は、フォトマ
スクに形成されたパターンを、露光光を用いて基体上に
形成されたフォトレジストに転写して、該フォトレジス
トに転写パターンを形成するフォトリソグラフィ工程に
用いられる、光透過領域と遮光領域、若しくは光透過領
域と位相シフト効果を有する半遮光領域、若しくは光透
過領域と位相シフト効果を有していない半遮光領域、若
しくは光透過領域と遮光領域と位相シフト領域から成る
パターンを有するフォトマスクにおけるパターン形状評
価方法である。そして、（イ）フォトマスクにおける評
価パターンを複数設定し、且つ、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、２つの裕度を設定し、（ロ）マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した場
合にはデフォーカス値を変化量として変化させ、マスク
のパターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定した
場合には露光光の露光量を変化量として変化させ、露光
量裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には評価パ
ターンのパターンサイズ値を変化量として変化させて、
評価パターンのそれぞれに対する転写パターンを求め、
（ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
ーンのそれぞれの大きさを求め、（ニ）該求めた転写パ
ターンの大きさに基づき、評価パターンのそれぞれに対
して、前記設定された２つの裕度の領域内における前記
変化量の最小値を前記設定されていない１つの裕度とし
て求め、それぞれの評価パターンにおけるかかる求めた
裕度を比較する、各工程から成ることを特徴とする。
【００１６】本発明のパターン形状評価方法において
は、それぞれの評価パターンにおける設定されていない
１つの裕度を、評価パターン上の予め設定された一連の
複数の測定点の位置を変数とした関数として求め、かか
る裕度の大きさを関数全体として比較することが好まし
い。
【００１７】上記の第２の目的を達成するための本発明
のフォトマスクは、フォトマスクに形成されたパターン
を、露光光を用いて基体上に形成されたフォトレジスト
に転写して、該フォトレジストに転写パターンを形成す
るフォトリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と
遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有す
る半遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を
有していない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領
域と位相シフト領域から成るパターンを有するフォトマ
スクである。そして、（イ）フォトマスクにおける評価
パターンを複数設定し、且つ、マスクのパターンサイズ
裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つ
の裕度の内、２つの裕度を設定し、（ロ）マスクのパタ
ーンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した場合
にはデフォーカス値を変化量として変化させ、マスクの
パターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定した場
合には露光光の露光量を変化量として変化させ、露光量
裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には評価パタ
ーンのパターンサイズ値を変化量として変化させて、評
価パターンのそれぞれに対する転写パターンを求め、
（ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
ーンのそれぞれの大きさを求め、（ニ）該求めた転写パ
ターンの大きさに基づき、評価パターンのそれぞれに対
して、前記設定された２つの裕度の領域内における前記
変化量の最小値を前記設定されていない１つの裕度とし
て求め、それぞれの評価パターンにおけるかかる求めた
裕度を比較して、評価パターンの内、設定されていない
１つの裕度が最も大きな裕度である評価パターンからフ
ォトマスクに形成すべきパターンが構成されていること
を特徴とする。
【００１８】本発明のフォトマスクにおいては、それぞ
れの評価パターンにおける設定されていない１つの裕度
を、評価パターン上の予め設定された一連の複数の測定
点の位置を変数とした関数として求め、かかる裕度の大
きさを関数全体として比較することが好ましい。
【００１９】上記の第３の目的を達成するための本発明
のフォトマスクの作製方法は、フォトマスクに形成され
たパターンを、露光光を用いて基体上に形成されたフォ
トレジストに転写して、該フォトレジストに転写パター
ンを形成するフォトリソグラフィ工程に用いられる、光
透過領域と遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト
効果を有する半遮光領域、若しくは光透過領域と位相シ
フト効果を有していない半遮光領域、若しくは光透過領
域と遮光領域と位相シフト領域から成るパターンを有す
るフォトマスクの作製方法である。そして、（イ）フォ
トマスクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、マ
スクのパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデ
フォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの裕度を設定
し、（ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露
光量裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量と
して変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォ
ーカス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量
として変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設
定した場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化
量として変化させて、評価パターンのそれぞれに対する
転写パターンを求め、（ハ）評価パターン上の予め設定
された複数の測定点に対応する転写パターンの位置にお
いて、かかる転写パターンのそれぞれの大きさを求め、
（ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
いない１つの裕度として求め、（ホ）評価パターンにお
けるかかる求めた裕度のそれぞれを比較して、評価パタ
ーンの内、設定されていない１つの裕度が最も大きな裕
度である評価パターンをフォトマスクに形成する、各工
程から成ることを特徴とする。
【００２０】本発明のフォトマスクの作製方法において
は、それぞれの評価パターンにおける設定されていない
１つの裕度を、評価パターン上の予め設定された一連の
複数の測定点の位置を変数とした関数として求め、かか
る裕度の大きさを関数全体として比較することが好まし
い。
【００２１】上記の第４の目的を達成するための本発明
のフォトマスクにおけるパターンの形成方法は、フォト
マスクに形成されたパターンを、露光光を用いて基体上
に形成されたフォトレジストに転写して、該フォトレジ
ストに転写パターンを形成するフォトリソグラフィ工程
に用いられる、光透過領域と遮光領域、若しくは光透過
領域と位相シフト効果を有する半遮光領域、若しくは光
透過領域と位相シフト効果を有していない半遮光領域、
若しくは光透過領域と遮光領域と位相シフト領域から成
るパターンの形成方法である。そして、（イ）フォトマ
スクにおける評価パターンを複数設定し、且つ、マスク
のパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォ
ーカス裕度の３つの裕度の内、２つの裕度を設定し、
（ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
パターンを求め、（ハ）評価パターン上の予め設定され
た複数の測定点に対応する転写パターンの位置におい
て、かかる転写パターンのそれぞれの大きさを求め、
（ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
いない１つの裕度として求め、（ホ）評価パターンにお
けるかかる求めた裕度のそれぞれを比較して、評価パタ
ーンの内、設定されていない１つの裕度が最も大きな裕
度である評価パターンをフォトマスクに形成する、各工
程から成ることを特徴とする。
【００２２】本発明のフォトマスクにおけるフォトマス
クのパターン形成方法においては、それぞれの評価パタ
ーンにおける設定されていない１つの裕度を、評価パタ
ーン上の予め設定された一連の複数の測定点の位置を変
数とした関数として求め、かかる裕度の大きさを関数全
体として比較することが好ましい。
【００２３】上記の第５の目的を達成するための本発明
のフォトマスクにおける露光方法は、光透過領域と遮光
領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半
遮光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有し
ていない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と
位相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスク
を用いて、該フォトマスクに形成されたパターンを、露
光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写
して、該フォトレジストに転写パターンを形成する露光
方法である。そして、（イ）フォトマスクにおける評価
パターンを複数設定し、且つ、マスクのパターンサイズ
裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つ
の裕度の内、２つの裕度を設定し、（ロ）マスクのパタ
ーンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した場合
にはデフォーカス値を変化量として変化させ、マスクの
パターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定した場
合には露光光の露光量を変化量として変化させ、露光量
裕度及びデフォーカス裕度を設定した場合には評価パタ
ーンのパターンサイズ値を変化量として変化させて、評
価パターンのそれぞれに対する転写パターンを求め、
（ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
ーンのそれぞれの大きさを求め、（ニ）該求めた転写パ
ターンの大きさに基づき、評価パターンのそれぞれに対
して、前記設定された２つの裕度の領域内における前記
変化量の最小値を前記設定されていない１つの裕度とし
て求め、（ホ）評価パターンにおけるかかる求めた裕度
のそれぞれを比較して、評価パターンの内、設定されて
いない１つの裕度が最も大きな裕度である評価パターン
をフォトマスクに形成する、各工程から作製されたフォ
トマスクを用いることを特徴とする。
【００２４】本発明の露光方法においては、それぞれの
評価パターンにおける設定されていない１つの裕度を、
評価パターン上の予め設定された一連の複数の測定点の
位置を変数とした関数として求め、かかる裕度の大きさ
を関数全体として比較することが好ましい。
【００２５】本発明におけるフォトマスクとして、より
具体的には、光透過領域と遮光領域から成るパターンを
有するフォトマスク、光透過領域と位相シフト効果を有
する半遮光領域から成るパターンを有する所謂ハーフト
ーン方式位相シフトマスク、光透過領域と位相シフト効
果を有していない半遮光領域から成るパターンを有する
フォトマスク、光透過領域と遮光領域と位相シフト領域
から成るパターンを有するレベンソン型、エッジ強調
型、補助パターン型等の位相シフトマスクを挙げること
ができる。
【００２６】
【作用】本発明においては、マスクのパターンサイズ裕
度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つの
裕度の内、２つの裕度を設定し、これらの２つの裕度の
領域内における変化量の最小値を、設定されていない１
つの裕度として求める。例えば、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、マスクのパターンサイズ裕度及び露光光
の露光量裕度の２つの裕度を設定した場合を想定する。
この場合には、設定されていない１つの裕度であるデフ
ォーカス裕度を求める。このとき、デフォーカス裕度
は、マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕
度の領域内におけるデフォーカス値の変化量の最小値で
ある。従って、フォトマスクの作製時にフォトマスクに
形成されたパターンの大きさにばらつきが生じたり、露
光時の露光光の露光量にばらつきが生じた場合であって
も、これらのばらつきがマスクのパターンサイズ裕度及
び露光光の露光量裕度の中に収まっているならば、或る
転写条件（露光条件）において、デフォーカスの値のば
らつきをデフォーカス裕度の範囲内とすれば、転写パタ
ーンのサイズ変動をターゲット値に対して所望の範囲内
に収めることができる。即ち、マスクのパターンサイズ
裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つ
の裕度の最適化を図ることができ、フォトマスクにおけ
るパターンにおいて、光近接効果に対する最適な補正が
施されているか否か実際に判断することができる。
【００２７】あるいは又、例えば、マスクのパターンサ
イズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の
３つの裕度の内、マスクのパターンサイズ裕度及びデフ
ォーカス裕度の２つの裕度を設定した場合を想定する。
この場合には、設定されていない１つの裕度である露光
光の露光量裕度を求める。このとき、露光光の露光量裕
度は、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカス裕
度の領域内における露光量の変化量の最小値である。従
って、フォトマスクの作製時にフォトマスクに形成され
たパターンの大きさにばらつきが生じたり、露光時のデ
フォーカスの値にばらつきが生じた場合であっても、こ
れらのばらつきがマスクのパターンサイズ裕度及びデフ
ォーカス裕度の中に収まっているならば、或る転写条件
（露光条件）において、露光量の値のばらつきを露光量
裕度の範囲内とすれば、転写パターンのサイズ変動をタ
ーゲット値に対して所望の範囲内に収めることができ
る。即ち、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の最適化を図
ることができ、フォトマスクにおけるパターンにおい
て、光近接効果に対する最適な補正が施されているか否
か実際に判断することができる。
【００２８】更には又、例えば、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、マスクの露光光の露光量裕度及びデフォ
ーカス裕度の２つの裕度を設定した場合を想定する。こ
の場合には、設定されていない１つの裕度であるマスク
のパターンサイズ裕度を求める。このとき、マスクのパ
ターンサイズ裕度は、露光光の露光量裕度及びデフォー
カス裕度の領域内における評価パターンのパターンサイ
ズ値の変化量の最小値である。従って、露光時の露光量
やデフォーカスの値にばらつきが生じた場合であって
も、これらのばらつきが露光量の露光量裕度及びデフォ
ーカス裕度の中に収まっているならば、フォトマスクの
作製時にフォトマスクに形成されたパターンの大きさに
ばらつきが生じた場合であっても、パターンサイズ値の
ばらつきをマスクのパターンサイズ裕度の範囲内とすれ
ば、転写パターンのサイズ変動をターゲット値に対して
所望の範囲内に収めることができる。即ち、マスクのパ
ターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカ
ス裕度の３つの裕度の最適化を図ることができ、フォト
マスクにおけるパターンにおいて、光近接効果に対する
最適な補正が施されているか否か実際に判断することが
できる。
【００２９】更には、本発明において、それぞれの評価
パターンにおける設定されていない１つの裕度を、評価
パターン上の予め設定された一連の複数の測定点の位置
を変数とした関数として求め、求めた関数における設定
されていない１つの裕度の大きさを関数全体として比較
すれば、評価パターンにおけるかかる求めた裕度のそれ
ぞれを、より合理的且つ定量的に比較することができ
る。
【００３０】
【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定
されるものではない。
【００３１】尚、ウエハ上に形成されたレジスト材料に
対して露光光により転写パターンを形成するとき、縮小
投影に使用されるものをレティクル、一対一投影に使用
されるものをマスクと称したり、あるいは原盤に相当す
るものをレティクル、それを複製したものをマスクと称
したりすることがあるが、本発明書においては、このよ
うな種々の意味におけるレティクルやマスクを、特にこ
とわらない限り総称してフォトマスクと呼ぶ。また、以
下の実施例においては、５倍のフォトマスク、即ち、転
写パターンの設計サイズを１とした場合、フォトマスク
に形成されたパターンの設計サイズが５であるフォトマ
スクを用いた。尚、以下の記載において、パターンに関
連する長さや大きさ、あるいは又測定点の位置は、特に
断りの無い限り、転写パターン上での長さや大きさ、あ
るいは又位置である。フォトマスクに形成されたパター
ンの大きさや位置を求める場合には、転写パターン上で
の長さや位置を、例えば５倍すればよい。
【００３２】また、以下の実施例において、特に断らな
い限り転写パターンのサイズ（例えばパターン幅）変動
の許容量を、ターゲット値に対して±１０％とした。転
写パターンは、H.H. Hopkins の提唱したパーシャルコ
ヒーレンシーの理論に基づくシミュレーション（計算）
で得られた光強度分布から求めたが、実際に転写パター
ンをレジストに形成する方法や、かかる方法とシミュレ
ーションを組み合わせて求めることもできる。
【００３３】以下の実施例において、転写パターンの形
状をパターン幅で評価する場合、図１の（Ａ）に模式的
に示すように、評価パターン上の予め設定された複数の
測定点、例えばＰ0からＰnの測定点に対応する転写パタ
ーンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれの
大きさ（転写パターンのパターン幅）を求める。また、
直線状の評価パターンの先端部分の形状、あるいは直角
に曲がったコーナー部を有する評価パターンのコーナー
部の形状を評価する場合には、図１の（Ｂ）若しくは図
１の（Ｃ）に模式的に示すように、評価パターン上の仮
想基準線に対応する転写パターン上の仮想基準線から、
評価パターンの縁部分の測定点（例えばＱ0からＱn若し
くはＱ-nからＱnの測定点）に対応する転写パターンの
位置までの距離を求める。このような態様も、評価パタ
ーン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写パ
ターンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれ
の大きさを求めることに相当する。
【００３４】（実施例１）実施例１は、光透過領域と遮
光領域から成るパターンを有する通常のフォトマスクに
おけるパターン形状評価方法に関する。かかるフォトマ
スクは、フォトマスクに形成されたパターンを、露光光
を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写し
て、フォトレジストに転写パターンを形成するフォトリ
ソグラフィ工程に用いられる。
【００３５】フォトレジストにおける各種評価パターン
を、図２の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。図２の（Ａ）に示し
た評価パターンは、幅０．４０μｍの孤立ライン形状を
有する。尚、設計上のフォトマスクにおけるパターンの
幅は２．００μｍである。図２の（Ａ）に示した評価パ
ターンに対しては光近接効果補正を施こしておらず、こ
の評価パターンは設計上の転写パターンを５倍に拡大し
たパターンに相当する。尚、以下の説明において、評価
パターンであって、且つ設計上の転写パターンを５倍に
拡大したパターンを基本パターンと呼ぶ。一方、図２の
（Ｂ）〜（Ｅ）に示した評価パターンに対しては、光近
接効果補正を施こした。即ち、図２の（Ａ）に示した基
本パターンを補正した形状を有するフォトマスクにおけ
る評価パターンを、図２の（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び
（Ｅ）に示す。図２の（Ｂ）に示した評価パターンにお
いては、基本パターンの先端部が０．０５μｍだけ延長
されている。図２の（Ｃ）に示した評価パターンにおい
ては、微小補助パターンが基本パターンの先端部から延
在して配置されている。図２の（Ｄ）に示した評価パタ
ーンにおいては、微小補助パターンが基本パターンの先
端部から延在して配置されており、且つ、別の微小補助
パターンが基本パターンの先端部から離れて配置されて
いる。図２の（Ｅ）に示した評価パターンにおいては、
基本パターンの先端部から微小補助パターンが延在し、
且つ、設計パターン幅よりも幅の広いパターン領域及び
幅の狭いパターン領域が、基本パターンの先端部分の近
傍に適宜設けられている。図２中、数字の単位はμｍで
ある。尚、図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び
（Ｅ）に示した評価パターンを、それぞれ、評価パター
ン（Ａ）、評価パターン（Ｂ）、評価パターン（Ｃ）、
評価パターン（Ｄ）及び評価パターン（Ｅ）と呼ぶ場合
がある。図２の（Ｂ）〜（Ｅ）に示した評価パターンの
形状は、種々の知見に基づき決定した。
【００３６】実施例１においては、図２の（Ａ）〜
（Ｅ）に示した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）に基づき得
られる転写パターンの専らパターン幅に着目して、フォ
トマスクにおけるパターン形状の評価を行った。
【００３７】実施例１においては、露光波長３６５ｎ
ｍ、ＮＡ＝０．５７、σ＝０．６の露光条件において、
図２の（Ａ）〜（Ｅ）に示した評価パターン（Ａ）〜
（Ｅ）に基づき、シミュレーションによって、転写パタ
ーンのパターン幅を求めた。
【００３８】また、マスクのパターンサイズ裕度、露光
光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の
内、マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕
度の２つの裕度を、それぞれ、先ず、０．００μｍ及び
０．０％に設定した。尚、マスクのパターンサイズ裕度
は、フォトマスク上での値である。以下においても同様
である。
【００３９】そして、実施例１においては、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値を、（ジャストフォーカ
ス）±ｍＸ（μｍ）に変化させた。ここで、ｍは０，
１，２・・・，８であり、Ｘは０．２５μｍである。
【００４０】次に、５種類の評価パターン上の予め設定
された複数の測定点に対応する転写パターンの位置にお
いて（図１の（Ａ）も参照）、かかる転写パターンのそ
れぞれの大きさを求めた。測定点を、Ｐ0からＰnまで１
９点、評価パターンの１．５０μｍの範囲に配置した。
そして、Ｐ0からＰnまで０．１μｍ乃至０．０５μｍ毎
（測定点が０．００〜１．２０μｍまでは０．１μｍ
毎、測定点が１．２０〜１．５０μｍまでは０．０５μ
ｍ毎）の測定点に対応する転写パターンの位置におい
て、転写パターンのそれぞれの大きさ（実施例１におい
ては、転写パターンのパターン幅）を求めた。尚、Ｐ0
は、基本パターンの先端部から１．５０μｍだけ先端部
から離れた所（図２の（Ａ）参照）に位置し、Ｐnは基
本パターンの先端部に位置すると設定した。
【００４１】一般に、図２の（Ａ）に示したフォトマス
ク上の基本パターンがレジストに転写されると、図３の
（Ａ）に実線で模式的に示すような転写パターンが得ら
れる。尚、基本パターン自体をレジスト上に縮小し射影
したときの形状を点線で示す。マスクのパターンサイズ
裕度及び露光光の露光量裕度の２つの裕度を固定したと
きの、或る測定点Ｐiに対応する転写パターンの位置に
おけるパターン幅は、デフォーカスの値が変化するに従
い変化する。このパターン幅のターゲット値からの変化
量（ΔＷ）とデフォーカス値の変化量との関係を図３の
（Ｂ）に模式的に示す。
【００４２】そして、求めた転写パターンの大きさ（実
施例１においては、パターン幅）に基づき、図２の
（Ａ）〜（Ｅ）に示した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）の
それぞれに対して、設定されていない１つの裕度（実施
例１においてはデフォーカス裕度）として、設定された
２つの裕度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の
露光量裕度）の領域内における変化量（実施例１におい
ては、デフォーカス値の変化量）の最小値を求める。
尚、以下、便宜上、設定されていない１つの裕度を未設
定裕度と呼び、設定された２つの裕度を設定裕度と呼ぶ
場合がある。
【００４３】実施例においては、転写パターンのサイズ
（例えばパターン幅）変動の許容量をターゲット値に対
し±１０％としたので、パターン幅の変化量（ΔＷ）が
ターゲット値の±１０％となるところのデフォーカス値
の変化量を各測定点において求める。そして、各測定点
におけるデフォーカス値の変化量の最小値を、各測定点
における求めるべき未設定裕度（実施例１においては、
デフォーカス裕度）とする。このような未設定裕度を、
評価パターンのそれぞれの各測定点において求めた。
【００４４】尚、実施例１においては、設定裕度である
マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度
を、それぞれ、０．００μｍ（フォトマスク上での値）
及び０．０％に設定した。この場合には、設定された２
つの裕度の領域といった概念は存在しない。従って、デ
フォーカス値の変化量の最小値は、デフォーカス値の変
化量それ自体の値となる。
【００４５】そして、それぞれの評価パターンにおい
て、各測定点における設定されていない１つの裕度（実
施例１においては、デフォーカス裕度）を、評価パター
ン上の予め設定された一連の複数の測定点の位置（Ｐ0
〜Ｐn）を変数とした関数として求めた。測定点の位置
を横軸としてデフォーカス裕度（単位：μｍ）をプロッ
トした関数（５本の曲線で示されている）を、図４の
（Ａ）に示す。尚、０．０μｍの測定点は、基本パター
ンの先端部から１．５０μｍだけ離れた所に位置し、測
定点の位置の値が大きくなる程、測定点は基本パターン
の先端部に近づく。測定点の位置を横軸としてプロット
した後述の図においても同様である。また、測定点の位
置を横軸として、（評価パターン（Ｂ）〜（Ｅ）のデフ
ォーカス裕度）／（評価パターン（Ａ）のデフォーカス
裕度）の値（デフォーカス裕度の割合と呼ぶ場合もあ
る）をプロットした関数（４本の曲線で示されている）
を、図４の（Ｂ）に示す。図４に示した関数は、マスク
のパターンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォ
ーカス裕度に基づき、転写パターンの形状を表現してい
るともいえる。以下に示す関数においても同様である。
【００４６】そして、それぞれの評価パターンにおける
かかる求めた未設定裕度を比較して、評価パターンのパ
ターン形状の評価を行う。実施例１においては、具体的
には、実際にフォトマスクに形成すべきパターンとし
て、評価パターン（Ａ）と比較して、デフォーカス裕度
の大きい評価パターンを選択する。この場合、求めた関
数における設定されていない１つの裕度の大きさを、図
４に示した関数全体として比較することが望ましい。図
４に基づきデフォーカス裕度を評価すると、下記の表１
に示すとおりとなった。
【００４７】表１において、例えば（Ａ）＜（Ｂ）と表
現する場合には、図２の（Ａ）に示した評価パターン
（Ａ）よりも図２の（Ｂ）に示した評価パターン（Ｂ）
の方が、大きな未設定裕度を有することを意味する。ま
た、例えば（Ａ）≒（Ｂ）と表現する場合には、評価パ
ターン（Ａ）と評価パターン（Ｂ）とは、同程度の未設
定裕度を有することを意味する。以下の表においても同
様である。
【００４８】次に、設定された２つの裕度であるマスク
のパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を、それ
ぞれ、±０．０５μｍ（フォトマスク上での値）及び±
５．０％に設定して、同様のパターン形状の評価を行っ
た。このように、設定された２つの裕度が或る範囲を有
する場合、設定された２つの裕度の領域といった概念が
存在する。従って、パターンサイズ裕度を０．００μｍ
から例えば０．０１μｍ（フォトマスク上での値）刻み
に変更し、露光量裕度を０．０％から例えば１％刻みに
変更する。こうして得られた各パターンサイズ裕度の値
及び露光量裕度の値の組み合わせのそれぞれにおいて、
パターン幅の変化量（ΔＷ）が１０％となるところのデ
フォーカス値の変化量を各測定点において求め、各測定
点におけるデフォーカス値の変化量の最低値ＶalMINを
求める。この作業を各評価パターンに対して行う。
【００４９】更には、このようなデフォーカス値の変化
量の最低値ＶalMINを、全てのパターンサイズ裕度の領
域内の値及び露光量裕度の領域内の値の組み合わせにお
いて求める。このような作業を行うことで、図２５に模
式的に示すように、例えばＸ軸をパターンサイズ裕度の
値、Ｙ軸を露光量裕度の値、Ｚ軸をデフォーカス値の変
化量の最低値ＶalMINの値とした３次元座標において、
各測定点毎に、デフォーカス値の変化量の最低値の絶対
値｜ＶalMIN｜が変化する曲面が得られる。一般に、か
かる曲面においては、パターンサイズ裕度の値及び／又
は露光量裕度の値が大きくなるに従い、デフォーカス値
の変化量の最低値の絶対値｜ＶalMIN｜は小さくなる傾
向にある。そして、評価パターンのそれぞれに対して、
各測定点毎に、設定された２つの裕度の領域内における
変化量（実施例１においては、デフォーカス値の変化
量）の最低値の絶対値の内、最も小さい値を求め、かか
る最低値を変化量の最小値とする。この変化量の最小値
が、各測定点における、設定されていない１つの裕度
（実施例１においては、デフォーカス裕度）に相当す
る。尚、この場合、マスクのパターンサイズ裕度の領域
は±０．０５μｍ（フォトマスク上での値）の領域であ
り、露光光の露光量裕度の領域は±５．０％の領域であ
る。
【００５０】このようにして求められた、各測定点にお
ける未設定裕度は、設定裕度の領域内において、最も小
さい裕度の値である。従って、例えばフォトマスクの作
製時にフォトマスクに形成されたパターンの大きさにば
らつきが生じたり、露光時の露光光の露光量にばらつき
が生じた場合であっても、これらのばらつきがマスクの
パターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度の中に収ま
っているならば、パターン形状の評価における転写条件
（露光条件）下において、デフォーカスの値のばらつき
を未設定裕度の範囲内とすれば、転写パターンのサイズ
（例えばパターン幅）変動をターゲット値に対して±１
０％以内に収めることができる。
【００５１】そして、それぞれの評価パターンにおい
て、各測定点における設定されていない１つの裕度（実
施例１においては、デフォーカス裕度）を、評価パター
ン上の予め設定された一連の複数の測定点（Ｐ0〜Ｐn）
の位置を変数とした関数として求めた。測定点の位置を
横軸として、求めたデフォーカス裕度（単位：μｍ）を
プロットした関数（５本の曲線で示されている）を、図
５の（Ａ）に示す。また、（評価パターン（Ｂ）〜
（Ｅ）のデフォーカス裕度）／（評価パターン（Ａ）の
デフォーカス裕度）の値であるデフォーカス裕度の割合
をプロットした関数（４本の曲線で示されている）を、
図５の（Ｂ）に示す。図５に基づきデフォーカス裕度を
評価すると、下記の表１に示すとおりとなった。
【００５２】次に、設定された２つの裕度であるマスク
のパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を、それ
ぞれ、±０．０５μｍ（フォトマスク上の値）及び±１
０．０％に設定して、同様のパターン形状の評価を行っ
た。
【００５３】そして、それぞれの評価パターンにおい
て、各測定点における設定されていない１つの裕度（実
施例１においては、デフォーカス裕度）を、評価パター
ン上の予め設定された一連の複数の測定点（Ｐ0〜Ｐn）
の位置を変数とした関数として求めた。求めたデフォー
カス裕度（単位：μｍ）を、測定点の位置を横軸として
プロットした関数（５本の曲線で示されている）を、図
６の（Ａ）に示す。また、（評価パターン（Ｂ）〜
（Ｅ）のデフォーカス裕度）／（評価パターン（Ａ）の
デフォーカス裕度）の値であるデフォーカス裕度の割合
をプロットした関数（４本の曲線で示されている）を、
図６の（Ｂ）に示す。図６に基づきデフォーカス裕度を
評価すると、下記の表１に示すとおりとなった。
【００５４】実施例１の評価結果から、図２の（Ｂ），
（Ｃ）に示した評価パターン（Ｂ）若しくは評価パター
ン（Ｃ）が、最も大きなデフォーカス裕度を有してい
る。
【００５５】
【表１】
【００５６】（実施例２）実施例１においては、図２の
（Ａ）〜（Ｅ）に示した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）に
基づき得られる転写パターンの専らパターン幅に着目し
て、フォトマスクにおけるパターン形状の評価を行っ
た。一方、実施例２においては、図２の（Ａ）〜（Ｅ）
に示した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）に基づき得られる
転写パターンの専ら先端部の形状に着目して、フォトマ
スクにおけるパターン形状の評価を行う。
【００５７】実施例２の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例２においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）
に設定した。
【００５８】そして、実施例２においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。
【００５９】５種類の評価パターン上の予め設定された
複数の測定点に対応する転写パターンの位置において、
かかる転写パターンのそれぞれの大きさを求めた。実施
例２においては、基本パターンである評価パターン
（Ａ）（図２の（Ａ）参照）の先端部を評価パターン上
の予め設定された複数の測定点とした。即ち、測定点
は、実施例１と異なり、図１の（Ｂ）に示すように、Ｑ
-nからＱnまで４１点、０．４０μｍの範囲に配置し、
Ｑ-nからＱnまで０．０１μｍ毎の測定点に対応する転
写パターンの位置において、転写パターンのそれぞれの
大きさを求めた。具体的には、それぞれの評価パターン
において、図１の（Ｂ）に模式的に示すように、評価パ
ターン上の仮想基準線に対応する転写パターン上の仮想
基準線から、基本パターンの縁部分の測定点（Ｑ-nから
Ｑnの測定点）に対応する各転写パターンの位置までの
距離を測定した。
【００６０】一般に、基本パターンである評価パターン
（Ａ）がレジストに転写されると、図３の（Ａ）に実線
で示した転写パターンが得られる。マスクのパターンサ
イズ裕度及び露光光の露光量裕度の２つの裕度を固定し
たときの、評価パターン上の仮想基準線に対応する転写
パターン上の仮想基準線から、測定点（例えばＱi）に
対応する転写パターンの位置までの距離は、デフォーカ
ス値を変化させると変化する。この距離の変化量（Δ
Ｌ）とデフォーカス値の変化量との関係は、パターン幅
の変化量を距離の変化量に置き換えれば、図３の（Ｂ）
に模式的に示したと同様の傾向となる。
【００６１】そして、求めた転写パターンの大きさ（上
述の距離が相当する）に基づき、評価パターン（Ａ）〜
（Ｅ）（図２の（Ａ）〜（Ｅ）参照）のそれぞれに対し
て、各測定点毎に、設定されていない１つの裕度（実施
例２においてはデフォーカス裕度）として、設定された
２つの裕度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の
露光量裕度）の領域内における変化量（実施例２におい
ては、デフォーカス値の変化量）の最小値を求めた。即
ち、距離の変化量（ΔＬ）がターゲット値の±１０％と
なるところのデフォーカス値の変化量を各測定点におい
て求め、デフォーカス値の変化量の最小値を、各測定点
における求める裕度（実施例２においては、デフォーカ
ス裕度）とする。このような未設定裕度を、評価パター
ン（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれに対して求めた。
【００６２】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）に
設定したときの、それぞれの評価パターンにおいて、各
測定点における設定されていない１つの裕度（実施例２
においては、デフォーカス裕度）を、評価パターン上の
予め設定された一連の複数の測定点の位置を変数とした
関数として求めた。測定点の位置を横軸として、求めた
デフォーカス裕度（単位：μｍ）をプロットした関数
（５本の曲線で示されている）を、図７の（Ａ）及び
（Ｂ）のそれぞれに示す。これらの実施例２におけるデ
フォーカス裕度の求め方は、実施例１と同様とすること
ができるので、詳細な説明は省略する。図７の（Ａ）及
び（Ｂ）に基づき、デフォーカス裕度を評価すると、下
記の表２に示すとおりとなった。
【００６３】実施例２の評価結果から、図２に示した評
価パターン中、図２の（Ｂ）に示した評価パターン
（Ｂ）が、最もデフォーカス裕度が高く、最適である。
更には、実施例１及び実施例２の評価結果を総合的に評
価すると、図２の（Ｂ）に示した評価パターン（Ｂ）
が、最も大きなデフォーカス裕度を有していることが判
った。
【００６４】
【表２】
【００６５】（実施例３）実施例３は実施例１の変形で
ある。実施例３においても、図２の（Ａ）〜（Ｅ）に示
した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）に基づき得られる転写
パターンの専らパターン幅に着目して、フォトマスクに
おけるパターン形状の評価を行った。実施例３における
露光条件は、実施例１と同様である。
【００６６】実施例１においては、マスクのパターンサ
イズ裕度及び露光光の露光量裕度の２つの裕度を設定し
た。そして、デフォーカス値を変化量として変化させ、
評価パターンのそれぞれに対する転写パターンをシミュ
レーションにて求めた。
【００６７】一方、実施例３においては、マスクのパタ
ーンサイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス
裕度の３つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕
度，デフォーカス裕度）の２つの裕度を設定した。そし
て、露光光の露光量を変化量として変化させて、評価パ
ターンのそれぞれに対する転写パターンを求めた。（マ
スクのパターンサイズ裕度，デフォーカス裕度）の２つ
の裕度を、それぞれ、（０．００μｍ，０．００μｍ）
及び（±０．０５μｍ，±０．５０μｍ）に設定した。
また、露光光の露光量を、１００±ｍ’Ｘ’（％）に変
化させた。ここで、ｍ’は０，１，２・・・，５０であ
り、Ｘ’は１．０％である。
【００６８】そして、実施例１と同様にして、評価パタ
ーン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写パ
ターンの位置において、転写パターンのそれぞれの大き
さ（実施例３においては、転写パターンのパターン幅）
を求めた。
【００６９】次に、実施例１と同様の方法で、求めた転
写パターンの大きさに基づき、評価パターン（Ａ）〜
（Ｅ）のそれぞれに対して、設定された２つの裕度（マ
スクのパターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度）の領
域内における変化量（実施例３においては、露光量の変
化量）の最小値を求め、この最小値を、設定されていな
い１つの裕度（実施例３においては露光光の露光量裕
度）とした。
【００７０】そして、それぞれの評価パターンにおい
て、各測定点（図１の（Ａ）も参照）における設定され
ていない１つの裕度（実施例３においては、露光光の露
光量裕度）を、評価パターン上の予め設定された一連の
複数の測定点（Ｐ0〜Ｐn）の位置を変数とした関数とし
て求めた。測定点の位置を横軸として、求めた露光量裕
度（単位：％）をプロットした関数（５本の曲線で示さ
れている）を、図８の（Ａ）及び図９の（Ａ）に示す。
また、（評価パターン（Ｂ）〜（Ｅ）の露光量裕度）／
（評価パターン（Ａ）の露光量裕度）の値である露光量
裕度の割合をプロットした関数（４本の曲線で示されて
いる）を、図８の（Ｂ）及び図９の（Ｂ）に示す。尚、
図８は、（マスクのパターンサイズ裕度，デフォーカス
裕度）の２つの裕度を、（０．００μｍ，０．００μ
ｍ）に設定した場合を示し、図９は、（マスクのパター
ンサイズ裕度，デフォーカス裕度）の２つの裕度を、
（±０．０５μｍ，±０．５０μｍ）に設定した場合を
示す。
【００７１】そして、評価パターンにおけるかかる求め
た裕度を比較して、評価パターンのパターン形状の評価
を行う。実施例３においては、具体的には、実際にフォ
トマスクに形成すべきパターンとして、図２の（Ａ）に
示した基本パターンと比較して、露光量裕度の大きいパ
ターンを選択する。このとき、求めた関数における設定
されていない１つの裕度の大きさを、図８若しくは図９
に示した関数全体として比較することが望ましい。図８
及び図９に基づき露光量裕度を評価すると、下記の表３
に示すとおりとなった。
【００７２】実施例３の評価結果から、図２の（Ｂ），
（Ｃ），（Ｄ）に示した評価パターン（Ｂ），（Ｃ），
（Ｄ）が、最も大きな露光量裕度を有していることが判
った。
【００７３】
【表３】
【００７４】（実施例４）実施例４は実施例１の変形で
ある。実施例４においても、図２の（Ａ）〜（Ｅ）に示
した評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）に基づき得られる転写
パターンの専らパターン幅に着目して、フォトマスクに
おけるパターン形状の評価を行った。実施例４における
露光条件は、実施例１と同様である。
【００７５】実施例４においては、マスクのパターンサ
イズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の
３つの裕度の内、（露光光の露光量裕度，デフォーカス
裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．０％，０．０
０μｍ）及び（±５．０％，±０．５０μｍ）に設定し
た。そして、実施例４においては、評価パターンのパタ
ーンサイズ値を変化量として変化させ、評価パターンの
それぞれに対する転写パターンをシミュレーションにて
求めた。尚、パターンサイズ値を、０．４０±ｍ”Ｘ”
（μｍ）に変化させた。ここで、ｍ”は０，１，２・・
・，５０であり、Ｘ”は０．０１μｍである。
【００７６】そして、実施例１と同様の方法で、評価パ
ターン上の予め設定された複数の測定点に対応する転写
パターンの位置において、転写パターンのそれぞれの大
きさ（転写パターンのパターン幅）を求めた。
【００７７】次に、実施例１と同様の方法で、求めた転
写パターンの大きさに基づき、評価パターン（Ａ）〜
（Ｅ）（図２の（Ａ）〜（Ｅ）参照）のそれぞれに対し
て、設定された２つの裕度（露光光の露光量裕度及びデ
フォーカス裕度）の領域内における変化量（実施例４に
おいては、マスクのパターンサイズ値の変化量）の最小
値を求め、各測定点におけるこの最小値を、設定されて
いない１つの裕度（実施例４においてはマスクのパター
ンサイズ裕度）とした。
【００７８】そして、それぞれの評価パターンにおい
て、各測定点（図１の（Ａ）も参照）における設定され
ていない１つの裕度（実施例４においては、マスクのパ
ターンサイズ裕度）を、評価パターン上の予め設定され
た一連の複数の測定点（Ｐ0〜Ｐn）の位置を変数とした
関数として求めた。測定点の位置を横軸として、求めた
マスクのパターンサイズ裕度（単位：μｍ）をプロット
した関数（５本の曲線で示されている）を、図１０の
（Ａ）及び図１１の（Ａ）に示す。また、（評価パター
ン（Ｂ）〜（Ｅ）のパターンサイズ裕度）／（評価パタ
ーン（Ａ）のパターンサイズ裕度）の値であるマスクの
パターンサイズ裕度の割合をプロットした関数（４本の
曲線で示されている）を、図１０の（Ｂ）及び図１１の
（Ｂ）に示す。尚、図１０は、（露光光の露光量裕度，
デフォーカス裕度）の２つの裕度を、それぞれ（０．０
％，０．００μｍ）に設定した場合を示し、図１１は、
（露光光の露光量裕度，デフォーカス裕度）の２つの裕
度を、それぞれ（±５．０％，±０．５０μｍ）に設定
した場合を示す。
【００７９】そして、評価パターンにおけるかかる求め
た裕度を比較して、評価パターンのパターン形状の評価
を行う。実施例４においては、具体的には、実際にフォ
トマスクに形成すべきパターンとして、図２の（Ａ）に
示した基本パターンと比較して、マスクのパターンサイ
ズ裕度の大きいパターンを選択する。このとき、求めた
関数における設定されていない１つの裕度の大きさを、
図１０若しくは図１１に示した関数全体として比較する
ことが望ましい。図１０及び図１１に基づきマスクのパ
ターンサイズ裕度を評価すると、下記の表４に示すとお
りとなった。
【００８０】実施例４の評価結果から、図２の（Ｂ）に
示した評価パターン（Ｂ）が、最も大きなマスクのパタ
ーンサイズ裕度を有していることが判った。
【００８１】
【表４】
【００８２】更には、マスクのパターンサイズ裕度、露
光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度を全て考慮し
て、実施例１〜実施例４の評価結果を総合的に評価する
と、図２の（Ｂ）に示した評価パターン（Ｂ）が最適で
あることが判った。
【００８３】（実施例５）実施例５及び実施例６は、光
透過領域と遮光領域から成るパターンを有する通常のフ
ォトマスクにおけるパターン形状評価方法に関する。実
施例５及び実施例６においては、図１２に示すような評
価パターンを使用した。即ち、パターン幅０．４０μｍ
の孤立ラインから離れた位置に、図２の（Ａ）に示した
基本パターンである評価パターン（Ａ）が配置されてい
る。孤立ラインの縁部から評価パターン（Ａ）の先端部
までの距離を０．４０μｍに設定し、孤立ラインの縁部
と評価パターン（Ａ）の先端部とを平行とした。実施例
５においては、更に、評価パターン（Ａ）と同じ位置
に、図２の（Ｂ）〜（Ｅ）に示した評価パターン（Ｂ）
〜（Ｅ）を配置した。こうして得られた５種類の評価パ
ターンに基づき、パターン形状の評価を行った。尚、実
施例５及び実施例６の説明においては、孤立ラインと評
価パターン（Ａ）〜（Ｅ）の組み合わせから成る評価パ
ターンに、以下の符号を付す。尚、図１２中、数字の単
位はμｍである。 評価パターン（ａ）：孤立ライン ＋ 評価パターン（Ａ） 評価パターン（ｂ）：孤立ライン ＋ 評価パターン（Ｂ） 評価パターン（ｃ）：孤立ライン ＋ 評価パターン（Ｃ） 評価パターン（ｄ）：孤立ライン ＋ 評価パターン（Ｄ） 評価パターン（ｅ）：孤立ライン ＋ 評価パターン（Ｅ）
【００８４】実施例５においては、各評価パターン
（ａ）〜（ｅ）において、評価パターン（Ａ）〜（Ｅ）
の部分から得られる転写パターンの専らスペース部の形
状に着目して、フォトマスクにおけるパターン形状の評
価を行った。
【００８５】実施例５の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例５においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）
に設定した。
【００８６】そして、実施例５においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。
【００８７】実施例２と同様の方法にて、５種類の評価
パターン（ａ）〜（ｅ）上の予め設定された複数の測定
点（Ｐ-n〜Ｐn）に対応する転写パターンの位置におい
て、かかる転写パターン（ａ）〜（ｅ）における転写パ
ターン（Ａ）〜（Ｅ）に相当する部分のそれぞれの大き
さを求めた。
【００８８】そして、実施例２と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（前述の距離が相当する）に基づ
き、転写パターン（ａ）〜（ｅ）における転写パターン
（Ａ）〜（Ｅ）に相当する部分のそれぞれに対して、各
測定点毎に、設定されていない１つの裕度（実施例５に
おいてはデフォーカス裕度）として、設定された２つの
裕度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
裕度）の領域内における変化量（実施例５においては、
デフォーカス値の変化量）の最小値を求めた。
【００８９】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）に
設定したときの、それぞれの評価パターンにおいて、各
測定点における設定されていない１つの裕度（実施例５
においては、デフォーカス裕度）を、評価パターン上の
予め設定された一連の複数の測定点（Ｐ-n〜Ｐn）の位
置を変数とした関数として求めた。測定点の位置を横軸
として、求めたデフォーカス裕度（単位：μｍ）をプロ
ットした関数（４本の曲線で示されている）を、図１３
の（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれに示す。これらの実施例
５におけるデフォーカス裕度の求め方は、実施例１と同
様とすることができるので、詳細な説明は省略する。図
１３の（Ａ）及び（Ｂ）に基づき、デフォーカス裕度を
評価すると、下記の表５に示すとおりとなった。尚、評
価パターン（ａ）においては、（マスクのパターンサイ
ズ裕度，露光光の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞ
れ、（０．００μｍ，０．０％）に設定したとき、良好
なる転写パターンが全く得られなかった。また、評価パ
ターン（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）においては、（マスク
のパターンサイズ裕度，露光光の露光量裕度）の２つの
裕度を、それぞれ、（±０．０５μｍ，±５．０％）に
設定したとき、良好なる転写パターンが全く得られなか
った。
【００９０】実施例５の評価結果から、図２の（Ｂ），
（Ｄ）に示した評価パターンを有する評価パターン
（ｂ）若しくは評価パターン（ｄ）が、大きなデフォー
カス裕度を有していることが判った。
【００９１】
【表５】
【００９２】（実施例６）実施例５においては、各評価
パターン（ａ）〜（ｅ）において、図２の（Ａ）〜
（Ｅ）に示した評価パターンの部分から得られる転写パ
ターンの専らスペース部の形状に着目して、フォトマス
クにおけるパターン形状の評価を行った。一方、実施例
６においては、各評価パターン（ａ）〜（ｅ）におい
て、孤立ラインの幅に着目して、フォトマスクにおける
パターン形状の評価を行った。
【００９３】実施例６の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例６においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）、（±０．０５μｍ，±５．０％）及
び（±０．０５μｍ，±１０．０％）に設定した。
【００９４】そして、実施例６においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。
【００９５】実施例１と同様の方法にて、５種類の評価
パターン（ａ）〜（ｅ）上の予め設定された複数の測定
点（Ｐ’0〜Ｐn）に対応する転写パターンの位置におい
て、かかる転写パターン（孤立ラインに相当する部分）
のそれぞれの大きさを求めた。尚、測定点Ｐ’0は、図
２の（Ａ）〜（Ｅ）に示した評価パターン（Ａ）〜
（Ｅ）の中心線上に位置する。測定点を、Ｐ’0から
Ｐ’nまで１６点、評価パターンの１．５０μｍの範囲
に配置し、Ｐ’0からＰ’nまで０．１μｍ毎の測定点に
対応する転写パターンの位置において、転写パターンの
それぞれの大きさ（実施例６においては、孤立ラインに
相当する転写パターンのパターン幅）を求めた。
【００９６】そして、実施例１と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（上述の転写パターンのパターン
幅）に基づき、評価パターン（ａ）〜（ｅ）における孤
立ラインに相当する転写パターンの部分のそれぞれに対
して、各測定点毎に、設定されていない１つの裕度（実
施例６においてはデフォーカス裕度）として、設定され
た２つの裕度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光
の露光量裕度）の領域内における変化量（実施例６にお
いては、デフォーカス値の変化量）の最小値を求めた。
【００９７】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）、（±０．０５μｍ，±５．０％）及び
（±０．０５μｍ，±１０．０％）に設定したときの、
それぞれの評価パターンにおいて、各測定点における設
定されていない１つの裕度（実施例６においては、デフ
ォーカス裕度）を、評価パターン上の予め設定された一
連の複数の測定点（Ｐ’0〜Ｐ’n）の位置を変数とした
関数として求めた。測定点の位置を横軸として、求めた
デフォーカス裕度（単位：μｍ）をプロットした関数
（５本の曲線で示されている）を、図１４の（Ａ）及び
（Ｂ）並びに図１５のそれぞれに示す。これらの実施例
６におけるデフォーカス裕度の求め方は、実施例１と同
様とすることができるので、詳細な説明は省略する。図
１４及び図１５に基づき、デフォーカス裕度を評価する
と、下記の表６に示すとおりとなった。
【００９８】実施例６の評価結果から、図２の（Ｄ）に
示した評価パターン（Ｄ）を有する評価パターン（ｄ）
が、最も大きなデフォーカス裕度を有していることが判
った。更には、実施例５及び実施例６の結果を総合的に
評価すると、図２の（Ｄ）に示した評価パターン（Ｄ）
を有する評価パターン（ｄ）が最適であることが判っ
た。
【００９９】
【表６】
【０１００】（実施例７）実施例７及び実施例８は、光
透過領域と遮光領域から成るパターンを有する通常のフ
ォトマスクにおけるパターン形状評価方法に関する。実
施例７及び実施例８においては、図１６に示すような評
価パターンを使用した。即ち、互いに直角の方向に延び
る幅０．４０μｍのラインパターン、及びこれらのライ
ンパターンを結ぶコーナー部から成り、コーナー部は直
角に曲がる形状に形成された評価パターンを用いた。コ
ーナー部、及びコーナー部近傍のラインパターンには、
図１６に示すように、光近接効果を補正するための広狭
のパターン幅を有する部分が設けられている。尚、図１
６中、数字の単位はμｍである。このような評価パター
ンを補正評価パターンと呼ぶ。また、光近接効果を補正
するための広狭のパターン幅部分が設けられていない評
価パターンを、未補正評価パターンと呼ぶ。即ち、未補
正評価パターンは、パターン幅０．４０μｍのラインパ
ターンがコーナー部で直角に交わった形状を有する。補
正評価パターンの形状は、種々の知見に基づき決定し
た。
【０１０１】実施例７においては、補正評価パターン及
び未補正評価パターンにおけるラインパターンの部分か
ら得られる転写パターンのパターン幅に着目して、フォ
トマスクにおけるパターン形状の評価を行った。
【０１０２】実施例７の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例７においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）、（±０．０５μｍ，±５．０％）及
び（±０．０５μｍ，±１０．０％）に設定した。
【０１０３】そして、実施例７においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。尚、測定点Ｐ0〜Ｐnを１．３０μｍの範囲に
配置した。また、測定点Ｐnは、他方のラインパターン
の内側縁部の延長線上に位置する。
【０１０４】実施例１と同様の方法にて、補正評価パタ
ーン及び未補正評価パターン上の予め設定された複数の
測定点（Ｐ0〜Ｐn）に対応する転写パターンの位置にお
いて、かかる転写パターンのそれぞれの大きさを求め
た。
【０１０５】そして、実施例１と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（パターン幅が相当する）に基づ
き、補正評価パターン及び未補正評価パターンに基づく
転写パターンのそれぞれに対して、各測定点毎に、設定
されていない１つの裕度（実施例７においてはデフォー
カス裕度）として、設定された２つの裕度（マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度）の領域内に
おける変化量（実施例７においては、デフォーカス値の
変化量）の最小値を求めた。
【０１０６】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）、（±０．０５μｍ，±５．０％）及び
（±０．０５μｍ，±１０．０％）に設定したときの、
それぞれの評価パターンにおいて、各測定点における設
定されていない１つの裕度（実施例７においては、デフ
ォーカス裕度）を、評価パターン上の予め設定された一
連の複数の測定点（Ｐ0〜Ｐn）の位置を変数とした関数
として求めた。測定点の位置を横軸として、求めたデフ
ォーカス裕度（単位：μｍ）をプロットした関数（２本
の曲線で示されている）を、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）
並びに図１８のそれぞれに示す。これらの実施例７にお
けるデフォーカス裕度の求め方は、実施例１と同様とす
ることができるので、詳細な説明は省略する。図１７の
（Ａ）及び（Ｂ）並びに図１８に基づき、デフォーカス
裕度を評価すると、下記の表７に示すとおりとなった。
【０１０７】実施例７の評価結果から、補正評価パター
ンの方が大きなデフォーカス裕度を有していることが判
った。
【０１０８】
【表７】
【０１０９】（実施例８）実施例８においても、図１６
に示した評価パターンを使用した。実施例８において
は、補正評価パターン及び未補正評価パターンに基づく
転写パターンの内の、コーナー部の外側縁部の部分の形
状に着目して、フォトマスクにおけるパターン形状の評
価を行った。
【０１１０】実施例８の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例８においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）
に設定した。
【０１１１】そして、実施例８においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。尚、測定点Ｑ0〜Ｑnを０．４０μｍの範囲に
配置した。測定点Ｑ0及びＱnは、一方のラインパターン
の内側及び外側縁部の延長線上に位置する。尚、仮想基
準線は図示していない。
【０１１２】実施例１と同様の方法にて、補正評価パタ
ーン及び未補正評価パターン上の予め設定された複数の
測定点（Ｑ0〜Ｑn）に対応する転写パターンの位置にお
いて、かかる転写パターンのそれぞれの大きさ（図１の
（Ｃ）に示した仮想基準線から測定点Ｑ0〜Ｑnまでの距
離）を求めた。尚、実施例８のみは、転写パターンのサ
イズ（距離の変化量ΔＬ）変動の許容量を、ターゲット
値に対して±５％とした。
【０１１３】そして、実施例１と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（仮想基準線からの距離）に基づ
き、補正評価パターン及び未補正評価パターンに基づく
転写パターンのそれぞれに対して、各測定点毎に、設定
されていない１つの裕度（実施例７においてはデフォー
カス裕度）として、設定された２つの裕度（マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度）の領域内に
おける変化量（実施例７においては、デフォーカス値の
変化量）の最小値を求めた。
【０１１４】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）に
設定したときの、それぞれの評価パターンにおいて、各
測定点における設定されていない１つの裕度（実施例８
においては、デフォーカス裕度）を、評価パターン上の
予め設定された一連の複数の測定点（Ｑ0〜Ｑn）の位置
を変数とした関数として求めた。測定点の位置を横軸と
して、求めたデフォーカス裕度（単位：μｍ）をプロッ
トした関数（２本の曲線で示されている）を、図１９の
（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれに示す。これらの実施例８
におけるデフォーカス裕度の求め方は、実施例１と同様
とすることができるので、詳細な説明は省略する。図１
９の（Ａ）及び（Ｂ）に基づき、デフォーカス裕度を評
価すると、下記の表８に示すとおりとなった。
【０１１５】実施例８の評価結果から、補正評価パター
ンの方が大きなデフォーカス裕度を有していることが判
った。更には、実施例７及び実施例８のデフォーカス裕
度の評価結果を総合的に評価すると、補正評価パターン
の方が大きなデフォーカス裕度を有していることが判っ
た。
【０１１６】
【表８】
【０１１７】（実施例９）実施例９は、光透過領域と遮
光領域から成るパターンを有する通常のフォトマスクに
おけるパターン形状評価方法に関する。実施例９におい
ては、パターン幅０．４０μｍの中央のラインの左右に
パターン幅０．４０μｍの中間のライン及び外側のライ
ンが形成され、中央のラインと中間のラインの間に内側
のスペース（幅０．４０μｍ）が形成され、中間のライ
ンと外側のラインの間に外側のスペース（幅０．４０μ
ｍ）から成る転写パターンが形成されるようなフォトマ
スクにおけるパターンを評価パターンとして形成する。
光近接効果を補正した補正評価パターンの形状及び大き
さを図２０に示す。尚、図２０中、数字の単位はμｍで
ある。光近接効果を補正していない未補正評価パターン
は、パターン幅０．４０μｍの中央のライン、中間のラ
イン及び外側のラインから成り、幅０．４０μｍの内側
のスペース及び外側のスペースが設けられている。補正
評価パターンの形状は、種々の知見に基づき決定した。
【０１１８】実施例９においては、補正評価パターン及
び未補正評価パターンにおける各ラインのパターン及び
スペースの部分に基づき得られる転写パターンのパター
ン幅及びスペース幅に着目して、フォトマスクにおける
パターン形状の評価を行った。
【０１１９】実施例９の露光条件を実施例１と同様とし
た。また、実施例９においては、マスクのパターンサイ
ズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３
つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光
の露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００
μｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）
に設定した。
【０１２０】そして、実施例９においても、マスクのパ
ターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定したの
で、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と同
様とした。尚、中央のライン以外のラインにおける測定
点Ｐ0〜Ｐnを１．５０μｍの範囲に配置した。一方、中
央のラインにおける測定点Ｐ’0〜Ｐ’nを２．００μｍ
の範囲に配置した。測定点Ｐ0及びＰ’0は、同一直線上
に配置した。
【０１２１】実施例１と同様の方法にて、補正評価パタ
ーン及び未補正評価パターン上の予め設定された複数の
測定点（Ｐ0〜Ｐn，Ｐ’0〜Ｐ’n）に対応する転写パタ
ーンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれの
大きさを求めた。
【０１２２】そして、実施例１と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（パターン幅及びスペース幅が相
当する）に基づき、補正評価パターン及び未補正評価パ
ターンに基づく転写パターンのそれぞれに対して、各測
定点毎に、設定されていない１つの裕度（実施例９にお
いてはデフォーカス裕度）として、設定された２つの裕
度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕
度）の領域内における変化量（実施例７においては、デ
フォーカス値の変化量）の最小値を求めた。
【０１２３】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（０．００μ
ｍ，０．０％）及び（±０．０５μｍ，±５．０％）に
設定したときの、補正評価パターンにおいて、各測定点
における設定されていない１つの裕度（実施例９におい
ては、デフォーカス裕度）を、評価パターン上の予め設
定された一連の複数の測定点の位置を変数とした関数と
して求めた。測定点の位置を横軸として、求めたデフォ
ーカス裕度（単位：μｍ）をプロットした関数（５本の
曲線で示されている）を、図２１に示す。
【０１２４】光近接効果補正を施さない未補正評価パタ
ーンにおいては、転写パターンを得ることは不可能であ
った。従って、光近接効果補正を施した補正評価パター
ンに関してのみ、図２１に示した。図２１から、補正評
価パターンにおいては、光近接効果の補正が、全評価範
囲において良好に行なわれていることが明らかである。
【０１２５】（実施例１０）実施例１〜実施例９におい
ては、フォトマスクは、通常の光透過領域と遮光領域か
ら成るパターンを有するフォトマスクから構成した。こ
れに対して、実施例１０においては、フォトマスクは、
光透過領域と半遮光領域から成るパターンを有する所謂
ハーフトーン方式位相シフトマスクから構成されてい
る。半遮光領域の透過率は、石英基板透過後の透過率を
基準として４．００％に設定されている。光透過領域を
通過する露光光の位相と半遮光領域を通過する露光光の
位相は１８０度相違する。尚、位相誤差裕度を±５．０
度に設定した。
【０１２６】実施例１０においては、スペース幅０．３
５μｍの中央のスペースの左右にスペース幅０．３５μ
ｍの中間のスペース及び外側のスペースが形成され、中
央のスペースと中間のスペースの間に内側のライン（幅
０．３５μｍ）が形成され、中間のスペースと外側のス
ペースの間に外側のライン（幅０．３５μｍ）から成る
転写パターンが形成されるようなフォトマスクにおける
パターンを評価パターンとした。光近接効果を補正した
補正評価パターンの形状及び大きさを図２２に示す。
尚、図２２中、数字の単位はμｍである。また、図２２
中、点線で囲んだ評価パターンの領域の中心線は、この
領域に隣接した領域における評価パターンの中心線より
０．００５μｍだけ中央のパターン側にずれている。光
近接効果を補正していない未補正評価パターンは、パタ
ーン幅０．３５μｍの中央のスペース、中間のスペース
及び外側のスペースから成り、幅０．３５μｍの内側の
ライン及び外側のラインが設けられている。補正評価パ
ターンの形状は、種々の知見に基づき決定した。
【０１２７】実施例１０においては、補正評価パターン
及び未補正評価パターンにおける各ラインのパターン及
びスペースの部分から得られる転写パターンのパターン
幅及びスペース幅に着目して、フォトマスクにおけるパ
ターン形状の評価を行った。
【０１２８】実施例１０の露光条件を、露光波長３６５
ｎｍ、ＮＡ＝０．５７、σ＝０．３とした。また、実施
例１０においては、マスクのパターンサイズ裕度、露光
光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の
内、（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の露光量裕
度）の２つの裕度を、それぞれ、（±０．０５μｍ，±
５．０％）に設定した。
【０１２９】そして、実施例１０においても、マスクの
パターンサイズ裕度及び露光光の露光量裕度を設定した
ので、デフォーカス値を変化量として変化させ、評価パ
ターンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーシ
ョンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例１と
同様とした。尚、中央のライン以外のラインにおける測
定点Ｐ0〜Ｐnを１．５０μｍの範囲に配置した。一方、
中央のラインにおける測定点Ｐ’0〜Ｐ’nを２．００μ
ｍの範囲に配置した。測定点Ｐ0及びＰ’0は、同一直線
上に配置した。
【０１３０】実施例１と同様の方法にて、補正評価パタ
ーン及び未補正評価パターン上の予め設定された複数の
測定点（Ｐ0〜Ｐn，Ｐ’0〜Ｐ’n）に対応する転写パタ
ーンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれの
大きさを求めた。
【０１３１】そして、実施例１と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（パターン幅及びスペース幅が相
当する）に基づき、補正評価パターン及び未補正評価パ
ターンに基づく転写パターンのそれぞれに対して、各測
定点毎に、設定されていない１つの裕度（実施例１０に
おいてはデフォーカス裕度）として、設定された２つの
裕度（マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
裕度）の領域内における変化量（実施例１０において
は、デフォーカス値の変化量）の最小値を求めた。
【０１３２】（マスクのパターンサイズ裕度，露光光の
露光量裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（±０．０５
μｍ，±５．０％）に設定したときの、補正評価パター
ンにおいて、各測定点における設定されていない１つの
裕度（実施例１０においては、デフォーカス裕度）を、
評価パターン上の予め設定された一連の複数の測定点の
位置を変数とした関数として求めた。測定点の位置を横
軸として、求めたデフォーカス裕度（単位：μｍ）をプ
ロットした関数（５本の曲線で示されている）を、図２
３に示す。
【０１３３】光近接効果補正を施さない未補正評価パタ
ーンにおいては、転写パターンを得ることは不可能であ
った。従って、光近接効果補正を施した補正評価パター
ンに関してのみ、図２３に示した。図２３から、補正評
価パターンにおいては、光近接効果の補正が、全評価範
囲において良好に行なわれていることが明らかである。
【０１３４】（実施例１１）実施例１１は実施例１０の
変形であり、実施例１０と同様の評価パターンを用い
た。実施例１１の露光条件を実施例１０と同様とした。
【０１３５】実施例１０においては、マスクのパターン
サイズ裕度、露光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度
の３つの裕度の内、（マスクのパターンサイズ裕度，露
光光の露光量裕度）の２つの裕度を設定した。一方、実
施例１１においては、マスクのパターンサイズ裕度、露
光光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の
内、（マスクのパターンサイズ裕度，デフォーカス裕
度）の２つの裕度を、それぞれ、（±０．０５μｍ，±
０．５０μｍ）に設定した。また、位相誤差裕度を、±
０．０度及び±５．０度とした。
【０１３６】実施例１１においては、補正評価パターン
及び未補正評価パターンにおける各ラインのパターン及
びスペースの部分から得られる転写パターンのパターン
幅及びスペース幅に着目して、フォトマスクにおけるパ
ターン形状の評価を行った。
【０１３７】そして、実施例１１においては、マスクの
パターンサイズ裕度及びデフォーカス裕度を設定したの
で、露光光の露光量を変化量として変化させ、評価パタ
ーンのそれぞれに対する転写パターンをシミュレーショ
ンにて求めた。デフォーカス値の変化を、実施例３と同
様とした。
【０１３８】実施例３と同様の方法にて、補正評価パタ
ーン及び未補正評価パターン上の予め設定された複数の
測定点（Ｐ0〜Ｐn，Ｐ’0〜Ｐ’n）に対応する転写パタ
ーンの位置において、かかる転写パターンのそれぞれの
大きさを求めた。
【０１３９】そして、実施例３と同様の方法で、求めた
転写パターンの大きさ（パターン幅及びスペース幅が相
当する）に基づき、補正評価パターン及び未補正評価パ
ターンに基づく転写パターンのそれぞれに対して、各測
定点毎に、設定されていない１つの裕度（実施例１１に
おいては露光光の露光量裕度）として、設定された２つ
の裕度（マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカス
裕度）の領域内における変化量（実施例１１において
は、露光量の変化量）の最小値を求めた。
【０１４０】（マスクのパターンサイズ裕度，デフォー
カス裕度）の２つの裕度を、それぞれ、（±０．０５μ
ｍ，±０．５０μｍ）に設定したときの、補正評価パタ
ーンにおいて、各測定点における設定されていない１つ
の裕度（実施例１１においては、露光光の露光量裕度）
を、評価パターン上の予め設定された一連の複数の測定
点の位置を変数とした関数として求めた。測定点の位置
を横軸として、求めたデフォーカス裕度（単位：μｍ）
をプロットした関数（５本の曲線で示されている）を、
図２４に示す。尚、図２４の（Ａ）は、位相誤差裕度が
±０．０度の場合を示し、図２４の（Ｂ）は、位相誤差
裕度が±５．０度の場合を示す。
【０１４１】光近接効果補正を施さない未補正評価パタ
ーンにおいては、転写パターンを得ることは不可能であ
った。従って、光近接効果補正を施した補正評価パター
ンに関してのみ、図２４に示した。図２４から、補正評
価パターンにおいては、光近接効果の補正が、全評価範
囲において良好に行なわれていることが明らかである。
【０１４２】実施例１〜実施例９に基づいたフォトマス
クにおいては、露光波長３６５ｎｍ、ＮＡ＝０．５７、
σ＝０．６の露光条件において、図２の（Ａ）に相似の
転写パターン（Ａ）を形成する場合には、図２の（Ｂ）
に示した評価パターン（Ｂ）からフォトマスクに形成す
べきパターンを構成すればよいし、フォトマスク作製方
法においては、評価パターン（Ｂ）にてフォトマスクに
パターンを形成すればよい。更には、フォトマスクのパ
ターン形成方法においては、評価パターン（Ｂ）にてフ
ォトマスクのパターン形成を行えばよいし、露光条件に
おいて、評価パターン（Ｂ）を有するフォトマスクを用
いて、フォトマスクに形成されたパターンを、露光光を
用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写して、
該フォトレジストに転写パターンを形成すればよい。
【０１４３】実施例１〜実施例９に基づいたフォトマス
ク作製方法若しくはフォトマスクのパターン形成方法の
概要を、以下に説明する。尚、フォトマスクは、光透過
領域と遮光領域から成るパターンを有する通常のフォト
マスクである。
【０１４４】先ず、例えば石英から成り露光光に対して
透明な基板を準備し、基板の表面に、例えばスパッタ法
にて、Ｃｒから成る遮光層を形成する。遮光層の厚さ
は、露光光がレジストを感光させず、且つ、たとえ遮光
領域を通過した光が存在したとしてもかかる光が透過領
域を通過した光に対して何等影響を及ぼさない厚さとす
る。その後、遮光層の上にレジスト材料を塗布し、例え
ば電子線描画法にてレジスト材料をパターニングした
後、レジスト材料を現像する。次に、レジスト材料をエ
ッチング用マスクとして、遮光層をエッチングして、遮
光領域を形成する。こうして、図２６に模式的な一部断
面図を示すフォトマスクを作製することができる。
【０１４５】次に、実施例１０及び実施例１１に基づい
たフォトマスク作製方法若しくはフォトマスクのパター
ン形成方法の概要を、以下に説明する。尚、フォトマス
クは、光透過領域と半遮光領域から成るパターンを有す
る所謂ハーフトーン方式位相シフトマスクである。図２
７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）にハーフトーン
方式位相シフトマスクの模式的な一部断面図を示す。図
２７の（Ａ）に示すハーフトーン方式位相シフトマスク
は所謂基板堀り込み型であり、光透過領域は基板に掘り
込まれた凹部から成る。基板に凹部を形成することによ
って、光透過領域を通過した光の位相と半遮光領域を通
過した光の位相を異ならせることができる。尚、この場
合、凹部の深さを適切に設定することによって、光透過
領域を通過した光の位相と、半遮光領域を通過した光の
位相の差が１８０度となる。図２７の（Ｂ）及び（Ｃ）
に示したハーフトーン方式位相シフトマスクにおいて
は、半遮光層の下若しくは上に位相差を生じさせる位相
シフト層が形成されている。位相シフト層の厚さを適切
に設定することによって、光透過領域を通過した光の位
相と、半遮光領域を通過した光の位相の差が、例えば１
８０度となる。図２７の（Ｄ）に示したハーフトーン方
式位相シフトマスクにおいては、半遮光領域は、半遮光
の機能、及び例えば位相シフト効果を兼ね備えている。
これによっても、光透過領域を通過した光の位相と、半
遮光領域を通過した光の位相の差が、例えば１８０度と
なる。
【０１４６】図２７の（Ａ）に示した基板掘り込み型の
ハーフトーン方式位相シフトマスクは、以下の作製工程
にて作製することができる。即ち、先ず、石英等の透明
材料から成る基板の表面上に、例えばクロムから成る半
遮光層をスパッタ法にて形成する。次に、半遮光層の上
に、例えばポジ型レジストを塗布法で形成する。そし
て、例えば電子線描画法にて、光透過領域を形成すべき
部分の上のポジ型レジストに電子線を照射し、ポジ型レ
ジストを現像する。その後、塩素及び酸素の混合ガスに
よるプラズマ中でクロムから成る半遮光層をドライエッ
チングして半遮光領域を形成し、更に、四フッ化炭素及
び酸素の混合ガスによるプラズマ中で基板のエッチング
を行い凹部から成る光透過領域を形成し、最後にポジ型
レジストを除去する。こうして、図２７の（Ａ）に示す
ハーフトーン方式位相シフトマスクを作製することがで
きる。
【０１４７】図２７の（Ｂ）に示したハーフトーン方式
位相シフトマスクは、以下の作製工程にて作製すること
ができる。即ち、先ず、石英等の透明材料から成る基板
の表面上に、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）から成る
位相シフト層を塗布法にて形成する。位相シフト層の厚
さを、半遮光層による位相差及び各層界面における位相
のずれを考慮し、光透過領域を通過した光の位相と半遮
光層を通過した光の位相の差が１８０度となるように決
定する。次に、位相シフト層上に、クロムから成る半遮
光層をスパッタ法にて形成する。次に、半遮光層の上
に、例えばポジ型レジストを塗布法で形成する。そし
て、例えば電子線描画法にて、光透過領域を形成すべき
部分の上のポジ型レジストに電子線を照射し、ポジ型レ
ジストを現像する。その後、塩素及び酸素の混合ガスに
よるプラズマ中でクロムから成る半遮光層をドライエッ
チングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによ
るプラズマ中でＳＯＧから成る位相シフト層のエッチン
グを行い半遮光領域を形成し、最後にポジ型レジストを
除去する。こうして、図２７の（Ｂ）に示すハーフトー
ン方式位相シフトマスクを作製することができる。
【０１４８】図２７の（Ｃ）に示したハーフトーン方式
位相シフトマスクを作製する工程は、基本的には、上述
の図２７の（Ｂ）に示したハーフトーン方式位相シフト
マスクの作製方法と工程順序が異なる点を除き同様とす
ることができる。即ち、先ず、石英等の透明材料から成
る基板の表面上に、クロムから成る半遮光層をスパッタ
法にて形成し、次いで、その上に、例えばＳＯＧから成
る位相シフト層を塗布法にて形成する。その後、位相シ
フト層の上に、例えばポジ型レジストを塗布法で形成す
る。そして、例えば電子線描画法にて、光透過領域を形
成すべき部分の上のポジ型レジストに電子線を照射し、
ポジ型レジストを現像する。その後、四フッ化炭素及び
酸素の混合ガスによるプラズマ中でＳＯＧから成る位相
シフト層のエッチング、塩素及び酸素の混合ガスによる
プラズマ中でクロムから成る半遮光層をドライエッチン
グを行い半遮光領域を形成し、最後にポジ型レジストを
除去する。こうして、図２７の（Ｃ）に示すハーフトー
ン方式位相シフトマスクを作製することができる。
【０１４９】図２７の（Ｄ）に示したハーフトーン方式
位相シフトマスクは、実質的には、図２６にて説明した
通常のフォトマスクと同様の方法で作製することができ
る。即ち、半遮光領域を基板表面に成膜された単層の半
遮光層から形成し、かかる単層の半遮光層を構成する材
料を、所望の振幅透過率若しくは光強度透過率を達成す
ると同時に、位相を変化させ得る材料から選択する。か
かる材料として、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯ
x、ＳｉＣ、ＣｒＯxＮy、ＭｏＳｉＯxＮy、Ｃ、ＨｆＯx
を例示することができる。
【０１５０】ハーフトーン方式位相シフトマスクにおい
ては、半遮光領域の振幅透過率は、０より大きく且つレ
ジストを解像させない程度、例えば２０〜４５％程度で
ある。尚、光強度透過率で表現すると、４〜２０％程度
である。そして、半遮光領域の厚さを制御することで所
望の振幅透過率若しくは光強度透過率を得ることができ
る。
【０１５１】光透過領域と遮光領域と位相シフト領域か
ら成るパターンを有する、所謂位相シフトマスクの作製
方法の概要を、以下に説明する。光透過領域、光を遮光
する遮光領域、及び光透過領域を通過する光の位相と異
なる位相の光を透過させる位相シフト物質から成る位相
シフト領域から構成されたパターンを有する、所謂位相
シフトマスクの作製方法の概要を、以下に説明する。
尚、典型的な従来のエッジ強調型位相シフトマスクの模
式的な一部切断図を図２８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）
に示す。位相シフト領域を設けることによって、光透過
領域を通過した光の位相と、位相シフト領域を通過した
光の位相を、例えば１８０度相違させることができる。
【０１５２】例えば図２８の（Ａ）に示す位相シフト
は、以下の方法で作製することができる。先ず、例えば
石英から成る透明基板を準備し、透明基板の表面に、例
えばスパッタ法にて、Ｃｒから成る遮光層を形成する。
遮光層の厚さは、露光光がレジストを感光させず、且
つ、たとえ遮光領域を通過した光が存在したとしてもか
かる光が光透過領域を通過した光に何等影響を及ぼさな
い厚さとする。その後、遮光層の上にレジスト材料を塗
布し、例えば電子線描画法にてレジスト材料をパターニ
ングした後、レジスト材料を現像する。次に、レジスト
材料をエッチング用マスクとして、遮光層をエッチング
する。その後、全面に、位相シフト材料層を形成した
後、位相シフト材料から成る位相シフト層上にレジスト
を塗布し、例えば電子線描画法にてレジスト材料をパタ
ーニングした後、レジスト材料を現像する。次に、レジ
スト材料をエッチング用マスクとして、位相シフト層を
エッチングして位相シフト領域を形成する。こうして、
図２８の（Ａ）に模式的な一部断面図を示す位相シフト
マスクを作製することができる。図２８の（Ｂ）及び
（Ｃ）に示した位相シフトマスクも、実質的に同様の方
法で作製することができるので、詳細な説明は省略す
る。
【０１５３】フォトマスクの作製工程で用いた各種材料
は適宜変更することができる。基板は、石英以外にも、
通常のガラス、適宜各種成分を添加したガラス等から構
成することができる。半遮光領域を構成する材料は、ク
ロム、酸化クロム、クロム上に積層された酸化クロム、
高融点金属（Ｗ、Ｍｏ、Ｂｅ等）、タンタル、アルミニ
ウムや、ＭｏＳｉ2等の金属シリサイドなど、光を適当
量遮光することができる材料を用いることができる。ま
た、位相シフト層は、ＳＯＧ、ポリメチルメタクリレー
ト、フッ化マグネシウム、二酸化チタン、ポリイミド樹
脂、二酸化珪素、酸化インジウム、ＳｉＮ、各種レジス
ト等、透明な材料であればよい。
【０１５４】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例にて説明した条件や数値は例示であり、
適宜変更することができる。
【０１５５】
【発明の効果】本発明によれば、光近接効果の補正が施
されたフォトマスクにおけるパターンにより得られる転
写パターン形状を、マスクのパターンサイズ裕度、露光
光の露光量裕度及びデフォーカス裕度の一種の関数とし
て表現することができるので、実用的なプロセス裕度を
全て反映させながら、光近接効果の補正性能の向上を図
ることができる。また、本発明により、実際の半導体装
置のフォトリソグラフィ工程における露光条件との遊離
が小さく、しかも、容易且つ精確に最適な光近接効果に
対する補正が施されたパターンをフォトマスクに形成す
ることができる。更には、本発明により、最適な光近接
効果補正によりパターンが形成されたフォトマスク、フ
ォトマスクの製造方法、パターン形成方法、及び露光方
法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】測定点の配置を示す模式図である。
【図２】評価パターンの模式的な平面図である。
【図３】基本パターンに基づく転写パターンの模式的な
平面図、及び、パターン幅のターゲット値からの変化量
とデフォーカス値の変化量との関係を模式的に示す図で
ある。
【図４】実施例１のデフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図５】実施例１のデフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図６】実施例１のデフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図７】実施例２のデフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図８】実施例３の露光量裕度の評価結果を示すグラフ
である。
【図９】実施例３の露光量裕度の評価結果を示すグラフ
である。
【図１０】実施例４のマスクのパターンサイズ裕度の評
価結果を示すグラフである。
【図１１】実施例４のマスクのパターンサイズ裕度の評
価結果を示すグラフである。
【図１２】評価パターンの模式的な平面図である。
【図１３】実施例５のデフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図１４】実施例６のデフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図１５】実施例６のデフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図１６】評価パターンの模式的な平面図である。
【図１７】実施例７のデフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図１８】実施例７のデフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図１９】実施例８デフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図２０】評価パターンの模式的な平面図である。
【図２１】実施例９デフォーカス裕度の評価結果を示す
グラフである。
【図２２】評価パターンの模式的な平面図である。
【図２３】実施例１０デフォーカス裕度の評価結果を示
すグラフである。
【図２４】実施例１１の露光量裕度の評価結果を示すグ
ラフである。
【図２５】パターンサイズ裕度の値及び露光量裕度の値
に対するデフォーカス値の変化量の最低値の変化を模式
的に示すグラフである。
【図２６】光透過領域と遮光領域から成るパターンを有
する通常のフォトマスクの模式的な一部断面図である。
【図２７】光透過領域と半遮光領域から成るパターンを
有するハーフトーン方式位相シフトマスクの模式的な一
部断面図である。
【図２８】光透過領域、半遮光領域及び位相シフト領域
から成るパターンを有する位相シフトマスクの模式的な
一部断面図である。
【図２９】従来の裕度決定方法を説明するための図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フォトマスクに形成されたパターンを、露
    光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写
    して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォ
    トリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と遮光領
    域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半遮
    光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有して
    いない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位
    相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスクに
    おけるパターン形状評価方法であって、 （イ）フォトマスクにおける評価パターンを複数設定
    し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
    量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの
    裕度を設定し、 （ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
    裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
    変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
    ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
    て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
    た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
    して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
    パターンを求め、 （ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
    対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
    ーンのそれぞれの大きさを求め、 （ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
    ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
    の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
    いない１つの裕度として求め、それぞれの評価パターン
    におけるかかる求めた裕度を比較する、各工程から成る
    ことを特徴とするパターン形状評価方法。
  2. 【請求項２】それぞれの評価パターンにおける設定され
    ていない１つの裕度を、評価パターン上の予め設定され
    た一連の複数の測定点の位置を変数とした関数として求
    め、かかる裕度の大きさを関数全体として比較すること
    を特徴とする請求項１に記載のパターン形状評価方法。
  3. 【請求項３】フォトマスクに形成されたパターンを、露
    光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写
    して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォ
    トリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と遮光領
    域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半遮
    光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有して
    いない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位
    相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスクで
    あって、 （イ）フォトマスクにおける評価パターンを複数設定
    し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
    量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの
    裕度を設定し、 （ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
    裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
    変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
    ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
    て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
    た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
    して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
    パターンを求め、 （ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
    対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
    ーンのそれぞれの大きさを求め、 （ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
    ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
    の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
    いない１つの裕度として求め、それぞれの評価パターン
    におけるかかる求めた裕度を比較して、評価パターンの
    内、設定されていない１つの裕度が最も大きな裕度であ
    る評価パターンからフォトマスクに形成すべきパターン
    が構成されていることを特徴とするフォトマスク。
  4. 【請求項４】それぞれの評価パターンにおける設定され
    ていない１つの裕度を、評価パターン上の予め設定され
    た一連の複数の測定点の位置を変数とした関数として求
    め、かかる裕度の大きさを関数全体として比較すること
    を特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。
  5. 【請求項５】フォトマスクに形成されたパターンを、露
    光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写
    して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォ
    トリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と遮光領
    域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半遮
    光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有して
    いない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位
    相シフト領域から成るパターンを有するフォトマスクの
    作製方法であって、 （イ）フォトマスクにおける評価パターンを複数設定
    し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
    量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの
    裕度を設定し、 （ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
    裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
    変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
    ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
    て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
    た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
    して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
    パターンを求め、 （ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
    対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
    ーンのそれぞれの大きさを求め、 （ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
    ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
    の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
    いない１つの裕度として求め、 （ホ）評価パターンにおけるかかる求めた裕度のそれぞ
    れを比較して、評価パターンの内、設定されていない１
    つの裕度が最も大きな裕度である評価パターンをフォト
    マスクに形成する、各工程から成ることを特徴とするフ
    ォトマスクの作製方法。
  6. 【請求項６】それぞれの評価パターンにおける設定され
    ていない１つの裕度を、評価パターン上の予め設定され
    た一連の複数の測定点の位置を変数とした関数として求
    め、かかる裕度の大きさを関数全体として比較すること
    を特徴とする請求項５に記載のフォトマスクの作製方
    法。
  7. 【請求項７】フォトマスクに形成されたパターンを、露
    光光を用いて基体上に形成されたフォトレジストに転写
    して、該フォトレジストに転写パターンを形成するフォ
    トリソグラフィ工程に用いられる、光透過領域と遮光領
    域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有する半遮
    光領域、若しくは光透過領域と位相シフト効果を有して
    いない半遮光領域、若しくは光透過領域と遮光領域と位
    相シフト領域から成るパターンの形成方法であって、 （イ）フォトマスクにおける評価パターンを複数設定
    し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
    量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの
    裕度を設定し、 （ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
    裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
    変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
    ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
    て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
    た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
    して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
    パターンを求め、 （ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
    対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
    ーンのそれぞれの大きさを求め、 （ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
    ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
    の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
    いない１つの裕度として求め、 （ホ）評価パターンにおけるかかる求めた裕度のそれぞ
    れを比較して、評価パターンの内、設定されていない１
    つの裕度が最も大きな裕度である評価パターンをフォト
    マスクに形成する、各工程から成ることを特徴とするフ
    ォトマスクのパターン形成方法。
  8. 【請求項８】それぞれの評価パターンにおける設定され
    ていない１つの裕度を、評価パターン上の予め設定され
    た一連の複数の測定点の位置を変数とした関数として求
    め、かかる裕度の大きさを関数全体として比較すること
    を特徴とする請求項７に記載のフォトマスクのパターン
    形成方法。
  9. 【請求項９】光透過領域と遮光領域、若しくは光透過領
    域位相シフト効果を有する半遮光領域、若しくは光透過
    領域と位相シフト効果を有していない半遮光領域、若し
    くは光透過領域と遮光領域と位相シフト領域から成るパ
    ターンを有するフォトマスクを用いて、該フォトマスク
    に形成されたパターンを、露光光を用いて基体上に形成
    されたフォトレジストに転写して、該フォトレジストに
    転写パターンを形成する露光方法であって、 （イ）フォトマスクにおける評価パターンを複数設定
    し、且つ、マスクのパターンサイズ裕度、露光光の露光
    量裕度及びデフォーカス裕度の３つの裕度の内、２つの
    裕度を設定し、 （ロ）マスクのパターンサイズ裕度及び露光光の露光量
    裕度を設定した場合にはデフォーカス値を変化量として
    変化させ、マスクのパターンサイズ裕度及びデフォーカ
    ス裕度を設定した場合には露光光の露光量を変化量とし
    て変化させ、露光量裕度及びデフォーカス裕度を設定し
    た場合には評価パターンのパターンサイズ値を変化量と
    して変化させて、評価パターンのそれぞれに対する転写
    パターンを求め、 （ハ）評価パターン上の予め設定された複数の測定点に
    対応する転写パターンの位置において、かかる転写パタ
    ーンのそれぞれの大きさを求め、 （ニ）該求めた転写パターンの大きさに基づき、評価パ
    ターンのそれぞれに対して、前記設定された２つの裕度
    の領域内における前記変化量の最小値を前記設定されて
    いない１つの裕度として求め、 （ホ）評価パターンにおけるかかる求めた裕度のそれぞ
    れを比較して、評価パターンの内、設定されていない１
    つの裕度が最も大きな裕度である評価パターンをフォト
    マスクに形成する、各工程から作製されたフォトマスク
    を用いることを特徴とする露光方法。
  10. 【請求項１０】それぞれの評価パターンにおける設定さ
    れていない１つの裕度を、評価パターン上の予め設定さ
    れた一連の複数の測定点の位置を変数とした関数として
    求め、かかる裕度の大きさを関数全体として比較するこ
    とを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
JP3422195A 1995-01-31 1995-01-31 フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法 Pending JPH08202020A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3422195A JPH08202020A (ja) 1995-01-31 1995-01-31 フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法
KR1019960002009A KR100425903B1 (ko) 1995-01-31 1996-01-30 포토마스크에있어서의패턴형상평가방법,포토마스크,포토마스크의제작방법,포토마스크의패턴형성방법,및노광방법
US08/593,915 US5698346A (en) 1995-01-31 1996-01-30 Photomask-pattern-shape evaluation method, photomask, photomask manufacturing method, photomask-pattern forming method, and exposure method
US08/887,473 US5821015A (en) 1995-01-31 1997-07-02 Photomask-pattern-shape evaluation method, photomask, photomask manufacturing method, photomask-pattern forming method and exposure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3422195A JPH08202020A (ja) 1995-01-31 1995-01-31 フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08202020A true JPH08202020A (ja) 1996-08-09

Family

ID=12408100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3422195A Pending JPH08202020A (ja) 1995-01-31 1995-01-31 フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5698346A (ja)
JP (1) JPH08202020A (ja)
KR (1) KR100425903B1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328459A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Dainippon Printing Co Ltd ウエーハ転写検証方法
US6567972B1 (en) 1999-06-30 2003-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for correcting mask pattern, mask having corrected mask pattern, and storage medium storing program for executing the method for correcting mask pattern
US6570174B1 (en) 1998-12-14 2003-05-27 Nec Electronics Corporation Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns
US6691297B1 (en) 1999-03-04 2004-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI
JP2005202102A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Fujitsu Ltd 露光用マスク及びそのパターン補正方法並びに半導体装置の製造方法
KR100511541B1 (ko) * 2000-08-30 2005-08-31 가부시끼가이샤 도시바 포토 마스크의 제조 방법
US7008731B2 (en) 2002-02-28 2006-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask
JP2006079117A (ja) * 2001-02-27 2006-03-23 Asml Netherlands Bv サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法
JP2008003633A (ja) * 1997-12-05 2008-01-10 Renesas Technology Corp パターン歪検出装置及び検出方法
US7353493B2 (en) 2003-05-15 2008-04-01 Seiko Epson Corporation Exposure mask, optical proximity correction device, optical proximity correction method, manufacturing method of semiconductor device, and optical proximity correction program
JP2009105453A (ja) * 2009-02-10 2009-05-14 Canon Inc 露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。
JP2011081388A (ja) * 1997-12-05 2011-04-21 Renesas Electronics Corp パターン歪検出装置及び検出方法
JP2023547622A (ja) * 2020-10-22 2023-11-13 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド 半導体又はフラットパネルディスプレイ製造のための形状を決定する方法、システム、コンピュータプログラム、コンピューティングデバイス

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0183923B1 (ko) * 1996-09-10 1999-04-01 삼성전자주식회사 위상 반전 마스크의 제조방법
JP3551660B2 (ja) * 1996-10-29 2004-08-11 ソニー株式会社 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法
US5962173A (en) * 1997-03-27 1999-10-05 Vlsi Technology, Inc. Method for measuring the effectiveness of optical proximity corrections
JP3274396B2 (ja) * 1997-11-07 2002-04-15 株式会社東芝 パターン測定方法
JPH11260697A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Fujitsu Ltd スキャン式縮小投影露光方法および装置
US6120952A (en) * 1998-10-01 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Methods of reducing proximity effects in lithographic processes
US6235434B1 (en) * 1998-12-08 2001-05-22 Euv Llc Method for mask repair using defect compensation
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6425112B1 (en) 1999-06-17 2002-07-23 International Business Machines Corporation Auto correction of error checked simulated printed images
US6704695B1 (en) 1999-07-16 2004-03-09 International Business Machines Corporation Interactive optical proximity correction design method
US6829380B1 (en) * 2000-04-28 2004-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Optimization of OPC design factors utilizing an advanced algorithm on a low voltage CD-SEM system
EP1176465A3 (en) * 2000-07-25 2002-08-07 International Business Corporation A ternary photomask and method of making the same
DE10044257A1 (de) * 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6516452B2 (en) * 2001-05-01 2003-02-04 Chipdata, Inc. Method and apparatus for verifying design data
JP4053263B2 (ja) * 2001-08-17 2008-02-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
DE10304674B4 (de) * 2003-02-05 2008-04-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Belichten eines Substrates mit einem den optischen Proximity-Effekt ausgleichenden Strukturmuster
JP5069814B2 (ja) * 2004-11-19 2012-11-07 株式会社ホロン 測定値の判定方法
US7925486B2 (en) 2006-03-14 2011-04-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout
US7873504B1 (en) 2007-05-07 2011-01-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout
US8214771B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-03 Kla-Tencor Corporation Scatterometry metrology target design optimization
JP2012141372A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp マスク判定方法、露光方法および半導体装置の製造方法
JP6039910B2 (ja) * 2012-03-15 2016-12-07 キヤノン株式会社 生成方法、プログラム及び情報処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246462A (ja) * 1988-08-06 1990-02-15 Nikon Corp 測定用パターンの形成方法
US5424154A (en) * 1993-12-10 1995-06-13 Intel Corporation Lithographic emhancement method and apparatus for randomly spaced structures
US5447810A (en) * 1994-02-09 1995-09-05 Microunity Systems Engineering, Inc. Masks for improved lithographic patterning for off-axis illumination lithography

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011081388A (ja) * 1997-12-05 2011-04-21 Renesas Electronics Corp パターン歪検出装置及び検出方法
JP2008003633A (ja) * 1997-12-05 2008-01-10 Renesas Technology Corp パターン歪検出装置及び検出方法
US6570174B1 (en) 1998-12-14 2003-05-27 Nec Electronics Corporation Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns
US6691297B1 (en) 1999-03-04 2004-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI
US7103870B2 (en) 1999-03-04 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI
US7404165B2 (en) 1999-03-04 2008-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI
US8095894B2 (en) 1999-03-04 2012-01-10 Panasonic Corporation Changing a design rule for forming LSI pattern based on evaluating effectiveness of optical proximity corrected patterns
US6567972B1 (en) 1999-06-30 2003-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for correcting mask pattern, mask having corrected mask pattern, and storage medium storing program for executing the method for correcting mask pattern
KR100511541B1 (ko) * 2000-08-30 2005-08-31 가부시끼가이샤 도시바 포토 마스크의 제조 방법
JP2006079117A (ja) * 2001-02-27 2006-03-23 Asml Netherlands Bv サブ分解能アシストフューチャとしてグレーバーを使用する光近接補正方法
JP2002328459A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Dainippon Printing Co Ltd ウエーハ転写検証方法
US7008731B2 (en) 2002-02-28 2006-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask
US7353493B2 (en) 2003-05-15 2008-04-01 Seiko Epson Corporation Exposure mask, optical proximity correction device, optical proximity correction method, manufacturing method of semiconductor device, and optical proximity correction program
JP2005202102A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Fujitsu Ltd 露光用マスク及びそのパターン補正方法並びに半導体装置の製造方法
JP2009105453A (ja) * 2009-02-10 2009-05-14 Canon Inc 露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。
JP2023547622A (ja) * 2020-10-22 2023-11-13 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド 半導体又はフラットパネルディスプレイ製造のための形状を決定する方法、システム、コンピュータプログラム、コンピューティングデバイス
US12372864B2 (en) 2020-10-22 2025-07-29 D2S, Inc. Methods and systems to determine shapes for semiconductor or flat panel display fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
US5821015A (en) 1998-10-13
US5698346A (en) 1997-12-16
KR100425903B1 (ko) 2005-02-02
KR960029897A (ko) 1996-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08202020A (ja) フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法
US10634990B2 (en) Photomask and methods for manufacturing and correcting photomask
US7501213B2 (en) Method for forming generating mask data
JP6394410B2 (ja) マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
US20160238924A1 (en) Structure and method for fixing phase effects on euv mask
US20020177050A1 (en) Phase shift mask and design method therefor
JP2004069841A (ja) マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法
JPWO2001035166A1 (ja) フォトマスク、その作成方法及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法
US20090258302A1 (en) Sub-resolution assist feature of a photomask
JP5668356B2 (ja) 転写方法
JP3164039B2 (ja) フォトマスク及びその製造方法
JP5104832B2 (ja) フォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスク
JP5104774B2 (ja) フォトマスクおよびその製造方法
JP3173314B2 (ja) 位相シフトマスクの製造方法
JP4997902B2 (ja) ハーフトーンマスク
JPH0829963A (ja) ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
JP5949877B2 (ja) マスクパターン転写方法
JP3166223B2 (ja) 位相シフト露光マスク、位相シフト露光マスクの製造方法、及び位相シフト露光マスクを使用した露光方法
JP2002229176A (ja) レベンソン型位相シフトマスク
JP2010134206A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク
JPH05150441A (ja) 露光用位相シフトマスクの製造方法