JP2003257307A

JP2003257307A - 電子源および画像形成装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003257307A
Application number: JP2002054171A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Miyazaki; 和也宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-02-28
Filing date: 2002-02-28
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程を簡略化でき、かつ、電子放出特性
の改善をも行うことのできる電子源の製造方法を提供す
る。【解決手段】基体上に一対の電極からなる電極対を複
数配置する工程と、高分子膜を、前記電極対の各々の電
極間を接続するように配置する工程と、前記高分子膜を
低抵抗化させる工程と、前記高分子膜が低抵抗化された
膜上に保護膜を配置する工程と、前記保護膜を配置後、
前記電極を接続する複数の行方向配線及び列方向配線
と、該両配線を絶縁する絶縁層を形成する工程であっ
て、前記両配線及び絶縁層のうち少なくとも一つを加熱
焼成して形成する工程と、前記両配線及び絶縁層を形成
後、前記保護膜を除去する工程と、前記高分子膜が低抵
抗化された膜に電流を流すことにより、間隙を形成する
工程と、を有する電子源の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を多
数配置してなる電子源、並びに電子源を用いて構成した
表示装置などの画像形成装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電子放出素子として表面伝導
型電子放出素子が知られている。表面伝導型電子放出素
子の構成、製造方法などは、例えば特開平８−３２１２
５４号公報などに開示されている。

【０００３】上記公報などに開示されている一般的な表
面伝導型電子放出素子の構成を図１６に模式的に示す。
図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）はそれぞれ、上記公報
などに開示されている上記電子放出素子の平面図および
断面図である。図１６において、１は基体であり、２，
３は対向する一対の電極、４は導電性膜、５は第２の間
隙、６はカーボン膜、７は第１の間隙である。

【０００４】図１６に示した構造の電子放出素子の作成
工程の一例を図１７に模式的に示す。

【０００５】先ず、基体１上に一対の電極２，３を形成
する（図１７（Ａ））。

【０００６】続いて、電極２、３間を接続する導電性膜
４を形成する（図１７（Ｂ））。

【０００７】そして、電極２，３間に電流を流し、導電
性膜４の一部に第２の間隙５を形成する“フォーミング
工程”を行う（図１７（Ｃ））。

【０００８】さらに、炭素化合物雰囲気中にて、前記電
極２，３間に電圧を印加して、第２の間隙５内の基体１
上、およびその近傍の導電性膜４上にカーボン膜６を形
成する“活性化工程”を行い、電子放出素子が形成され
る（図１７（Ｄ））。

【０００９】一方、特開平９−２３７５７１号公報に
は、表面伝導型電子放出素子の別の製造方法が開示され
ている。

【００１０】以上のような製造方法で作成された複数の
電子放出素子からなる電子源と、蛍光体などからなる画
像形成部材とを組み合わせることで、フラットディスプ
レイパネルなどの画像形成装置を構成できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の素子に
おいては、“フォーミング工程”に加えて、“活性化工
程”などを行うことで、“フォーミング工程”によって
形成した第２の間隙５の内部に、さらに狭い第１の間隙
７をもつ炭素あるいは炭素化合物からなるカーボン膜６
を配置させ、良好な電子放出特性を得る工夫が為されて
いる。

【００１２】しかしながら、このような、従来の電子放
出素子を用いた画像形成装置の製造においては、以下の
課題を有している。

【００１３】先ず、“フォーミング工程”や“活性化工
程”における度重なる通電工程や、各工程における好適
な雰囲気を形成する工程など、付加的な工程が多く、各
工程管理が煩雑化していた。

【００１４】また、上記電子放出素子をディスプレイな
どの画像形成装置に用いる場合には、装置としての消費
電力の低減のためにも電子放出特性の一層の向上が望ま
れている。

【００１５】さらには、上記電子放出素子を用いた画像
形成装置をより安価にそしてより簡易に製造することが
望まれている。

【００１６】そこで、本発明は、上記課題を解決するも
のであって、特に複数の電子放出素子からなる電子源の
製造工程を簡略化でき、かつ、電子放出特性の改善をも
行うことのできる電子源の製造方法、並びに画像形成装
置の製造方法を提供するものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は上述する課題を
解決するために鋭意検討を行ってなされたものであり、
下述する構成のものである。

【００１８】即ち、本発明の電子源の製造方法は、基体
上に一対の電極からなる電極対を複数配置する工程と、
高分子膜を、前記電極対の各々の電極間を接続するよう
に配置する工程と、前記高分子膜を低抵抗化させる工程
と、前記高分子膜が低抵抗化された膜上に酸素に対する
保護膜を配置する工程と、前記保護膜を配置後、前記電
極の各々に接続する配線を酸素雰囲気中にて加熱焼成し
て形成する工程と、前記配線を形成後、前記保護膜を除
去する工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜に電流
を流すことにより、間隙を形成する工程と、を有するこ
とを特徴とする。

【００１９】また、本発明の電子源の製造方法は、基体
上に一対の電極からなる電極対を複数配置する工程と、
高分子膜を、前記電極対の各々の電極間を接続するよう
に配置する工程と、前記高分子膜を低抵抗化させる工程
と、前記高分子膜が低抵抗化された膜上に保護膜を配置
する工程と、前記保護膜を配置後、前記電極を接続する
複数の行方向配線及び列方向配線と、該両配線を絶縁す
る絶縁層を形成する工程であって、前記両配線及び絶縁
層のうち少なくとも一つを加熱焼成して形成する工程
と、前記両配線及び絶縁層を形成後、前記保護膜を除去
する工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜に電流を
流すことにより、間隙を形成する工程と、を有すること
を特徴とする。

【００２０】更に、本発明の画像形成装置の製造方法
は、複数の電子放出素子を有する電子源と、前記電子源
から放出される電子の照射により画像を形成する画像形
成部材とを有する画像形成装置の製造方法において、前
記電子源を上記方法により製造することを特徴とする。

【００２１】前記高分子膜を低抵抗化させる工程は、各
素子に電圧を供給するために形成された行方向配線、列
方向配線及び絶縁層が形成された電子源基板に対して行
うこともできるが、高分子膜を低抵抗化させるには少な
くとも５００℃以上の熱処理を行う必要があり、低抵抗
化処理の条件によっては前記配線及び絶縁層からの金属
イオンのマイグレーションが素子特性に悪影響を及ぼす
場合や、また前記配線及び絶縁層の溶解、さらには電子
源基板にクラックが発生する場合がある。

【００２２】そこで本発明においては、前記配線及び絶
縁層を形成する前工程の電子源基板に対して、高分子膜
の低抵抗化処理を行う。

【００２３】一方、配線及び絶縁層を形成する工程の前
に、高分子膜の低抵抗化処理を行うことにより、高分子
膜が低抵抗化された炭素を主成分とする導電性膜が、配
線または絶縁層の加熱焼成により、酸化される場合があ
る。

【００２４】そこで本発明においては、配線及び絶縁層
を形成する前に、高分子膜が低抵抗化された膜上に保護
膜を配置して、酸化を防止する。また、配線、絶縁層を
印刷によって形成する場合には、さらに配線形成におけ
る印刷ペーストの付着、ペースト中の溶媒による悪影響
からも、保護されることとなる。

【００２５】尚、この保護膜は、両配線及び絶縁層形成
後に除去され、しかる後高分子膜が低抵抗化された膜に
電流を流すことにより間隙を形成して電子源とする。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を説明
するが、本発明はこれらの形態例に限定されるものでは
ない。

【００２７】図１４は、本発明の製造方法により製造さ
れる電子放出素子１０２を有する電子源を用いた画像形
成装置の一例を示す模式図である。なお、図１４では画
像形成装置（気密容器）１００内を説明するために、後
述する支持枠７２およびフェースプレート７１の一部を
取り除いた図である。

【００２８】図１４において、１は電子放出素子１０２
が多数配置されたリアプレート（基体）である。７１
は、画像形成部材７５が配置されたフェースプレートで
ある。７２は、フェースプレート７１とリアプレート１
間を減圧状態に保持するための支持枠である。１０１は
フェースプレート７１とリアプレート１間の間隔を保持
するために、配置されたスペーサである。

【００２９】画像形成装置１００がディスプレイの場合
には、画像形成部材７５は蛍光体膜７４とメタルバック
７３などの導電性膜から構成される。６２および６３は
それぞれ電子放出素子１０２に電圧を印加するために接
続された配線である。Ｄｏｙ１〜ＤｏｙｎおよびＤｏｘ
１〜Ｄｏｘｍは、画像形成装置１００の外部に配置され
る駆動回路などと、画像形成装置の減圧空間（フェース
プレート７１とリアプレート１と支持枠７２とで囲まれ
る空間）から外部に導出された配線６２および６３の端
部とを接続するための取り出し配線である。

【００３０】電子放出素子１０２をより詳細に示したの
が図１である。なお、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）
は断面図である。

【００３１】図１において、１は基体（リアプレー
ト）、２と３は電極、６’は高分子膜が低抵抗化された
膜（炭素を主成分とする導電性膜（以下、単に「導電性
膜」と称する場合がある。））、５’は間隙である。ま
た、炭素を主成分とする導電性膜６’は、電極２、３間
の基体１上に配置されている。そして、炭素を主成分と
する導電性膜６’は電極２、３の一部を覆うことによ
り、各々の電極２，３との確実な接続が可能となってい
る。

【００３２】上記炭素を主成分とする導電性膜６’は
「一部に間隙を有し、一対の電極間を電気的に繋ぐ炭素
を主成分とする導電性膜」ということもできる。また、
「一対の炭素を主成分とする導電性膜」ということもで
きる。

【００３３】上記のように構成される電子放出素子で
は、間隙５’に十分な電界が印加されたときに電子が間
隙５’をトンネルして、電極２、３間に電流が流れる。
このトンネル電子の一部が散乱により放出電子となる。

【００３４】したがって、炭素を主成分とする導電性膜
６’は必ずしも全体が導電性を有していなくても、少な
くとも一部が導電性を有していればよい。かかる膜６’
が絶縁体であると、電極２，３間に電位差を与えても、
間隙５’に電界がかからず、電子を放出せしめることが
できないためである。炭素を主成分とする導電性膜６’
は、好ましくは、少なくとも電極２（および電極３）と
間隙５’との間の領域が、導電性を有しており、この様
な構成とすることで間隙５’に十分な電界を与えること
ができる。

【００３５】図２は、本発明の電子源の製造方法の一例
を示したものである。但し、図中簡単のために電子源を
構成する単素子の拡大を示してある。

【００３６】以下に、図１及び図２を用いて、本発明の
複数の電子放出素子からなる電子源の製造方法の一例を
説明する。

【００３７】（１）ガラスなどからなる基板（基体）１
を洗剤、純水および有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、
真空蒸着法、スパッタ法等により電極材料を堆積後、例
えばフォトリソグラフィー技術を用いて基体１上に電極
２、３を形成する（図２（ａ））。

【００３８】（２）電極２、３を設けた基体１上に、電
極２，３間を繋ぐ高分子膜６”を形成する（図２
（ｂ））。高分子膜６”としてはポリイミドが好まし
い。

【００３９】高分子膜６”の形成方法は、公知の種々の
方法、すなわち、回転塗布法、印刷法、ディッピング法
等を用いることができる。特に、印刷法によれば、所望
の高分子膜６”の形状をパターニング手段を用いずに形
成できるため、好ましい手法である。中でも、インクジ
ェット方式の印刷法を用いれば、直接、数百μｍ以下の
パターンの形成も可能であるため、フラットディスプレ
イパネルに適用されるような、高密度に電子放出素子を
配置した電子源の製造に対しても有効である。

【００４０】インクジェット方式によって高分子膜６”
を形成する場合、高分子材料の溶液を液滴付与し、乾燥
させればよいが、必要に応じて、所望の高分子の前駆体
溶液を液滴付与し、加熱等により高分子化させることも
できる。

【００４１】本発明においては、上記高分子材料として
は、芳香族系高分子が好ましく用いられるが、これらの
多くは溶媒に溶けにくいため、その前駆体溶液を塗布す
る手法が有効である。一例を挙げれば、インクジェット
方式により芳香族ポリイミドの前駆体であるポリアミッ
ク酸溶液を塗布（液滴付与）して、加熱等によりポリイ
ミド膜を形成することができる。

【００４２】なお、高分子の前駆体を溶かす溶媒として
は、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシドなどが使用でき、また、ｎ−ブチルセロ
ソルブ、トリエタノールアミンなどと併用することもで
きるが、本発明が適用できれば特に制限は無く、これら
の溶媒に限定されるわけではない。

【００４３】本発明において、特に芳香族ポリイミドは
比較的低温で炭素間の結合の解離、再結合によって導電
性が発現しやすい、すなわち炭素原子間の二重結合が生
成しやすい高分子であるため、高分子膜６”として好ま
しい材料である。また、ポリフェニレンオキサジアゾー
ル、ポリフェニレンビニレンも熱分解により導電性が発
現するため本発明における高分子膜６”として好ましく
用いることができる。

【００４４】（３）次に、高分子膜６”を低抵抗化せし
める「低抵抗化処理」を行う。「低抵抗化処理」は、高
分子膜６”に導電性を発現せしめ、高分子膜６”を導電
性膜６’（高分子膜６”が低抵抗化された膜）とする処
理である。この工程では、後述の間隙形成工程の観点か
ら、高分子膜６”のシート抵抗が、１０³Ω／□以上１
０⁷Ω／□以下の範囲に下がるまで低抵抗化処理を行
う。この「低抵抗化処理」の一例としては、高分子膜
６”を加熱する事により高分子膜６”を低抵抗化するこ
とができる。加熱により高分子膜６”が低抵抗化する
（導電化する）理由としては、高分子膜６”内の炭素原
子間結合が解離、再結合を行うことで導電性を発現す
る。

【００４５】加熱による「低抵抗化処理」は、前記高分
子膜６”を構成する高分子を分解温度以上の温度で加熱
することで達成することができる。また、上記高分子膜
６”の加熱は不活性ガス雰囲気中や真空中といった酸化
抑制雰囲気下において行うことが特に好ましい。

【００４６】前述した芳香族高分子、特に芳香族ポリイ
ミドは、高い熱分解温度を有するが、その熱分解温度を
超えた温度、典型的には、７００℃から８００℃以上で
加熱することにより、高い導電性を発現せしめることが
できる。

【００４７】しかしながら、本発明のように、電子放出
素子を構成する部材である高分子膜６”が熱分解するま
での加熱を行う場合、オーブンやホットプレートなどに
よって全体を加熱する方法では、電子放出素子を構成す
る他の部材の耐熱性の観点から、制約を受ける場合があ
る。特に、基体１においては、石英ガラスやセラミック
ス基板など、特に高い耐熱性を有するものに限定され、
大面積のディスプレイパネル等への適用を考えると、非
常に高価なものになってしまう。

【００４８】そこで、本発明では、図２（ｃ）に示す様
に、より好適な低抵抗化処理の方法として、電子ビーム
またはレーザービーム照射手段１０から電子ビームまた
はレーザービームを高分子膜６”に照射することによ
り、該高分子膜６”を低抵抗化することが好ましい。こ
のようにすれば、特別な基板を用いることなく、高分子
膜６”を低抵抗化することが可能となる。

【００４９】電子ビームまたはレーザービームを照射し
て低抵抗化処理を行う過程を以下に説明する。

【００５０】（電子ビーム照射を行う場合）電子ビーム
を照射する場合は、電極２，３、高分子膜６”を形成し
た基体１を、電子銃が装着されている減圧雰囲気下（真
空容器内）にセットする。容器内に設置された電子銃か
ら高分子膜６”に対して電子ビームを照射する。この時
の電子ビームの照射条件としては、加速電圧Ｖ_ac＝０．
５ｋＶ以上１０ｋＶ以下であることが好ましい。また、
電流密度（Ｉ_d）としては、Ｉ_d＝０．０１ｍＡ／ｍｍ ²
以上１ｍＡ／ｍｍ²以下の範囲で行なうことが好まし
い。また、この電子線を照射している間、電極２、３間
の抵抗値をモニターし、所望の抵抗値が得られた時点で
電子線照射を終了することが好ましい。

【００５１】（レーザービーム照射を行う場合）レーザ
ービームを照射する場合は、電極２，３、高分子膜６”
を形成した基体１を、ステージ上に配置し、高分子膜
６”に対してレーザービームを照射する。このとき、レ
ーザーを照射する環境は、高分子膜６”の酸化（燃焼）
を抑制するため、不活性ガス中や真空中で行うのが好ま
しいが、レーザーの照射条件によっては、大気中で行う
ことも可能である。

【００５２】この時のレーザービームの照射条件として
は、例えば、パルスＹＡＧレーザの第二高調波（波長５
３２ｎｍ）を用いて照射することが好ましい。また、こ
のレーザーを照射している間、電極２、３間の抵抗値を
モニターし、所望の抵抗値が得られた時点でレーザービ
ーム照射を終了することが好ましい。

【００５３】なお、照射するレーザ光に対して、高分子
膜６”を構成する材料の方が、電極２，３を構成する材
料よりも光の吸収性が高い材料を選択することで、実質
的に高分子膜６”のみを加熱することが、より好まし
い。

【００５４】また前記電子ビームあるいはレーザービー
ム照射は、高分子膜６”全体に渡って行う必要は必ずし
もない。高分子膜６”の一部分を低抵抗化しておくこと
によっても、以後の工程を行うことができる。

【００５５】（４）次に、「低抵抗化処理」によって得
られた炭素を主成分とする導電性膜６’上に保護膜８を
形成する（図２（ｄ））。保護膜８としては、耐熱性高
分子膜、金属膜及び金属酸化物膜等種々の膜を選択でき
る。具体的には、耐熱性高分子膜としてはポリイミド、
ポリベンズイミダゾール、金属膜としてはアルミニウ
ム、スズ、亜鉛、金属酸化物膜としては酸化スズ、酸化
インジウム、酸化亜鉛あるいはそれらの複合酸化物が挙
げられる。

【００５６】（５）次に不図示の行方向配線と列方向配
線（Ｘ方向配線とＹ方向配線）を形成して、電極２，３
それぞれに対して電気的に接続をとる。なお、Ｘ，Ｙ方
向配線の交差部には絶縁層を設置する。これら配線及び
絶縁層は、スクリーン印刷法により銀ペースト及び絶縁
性ペーストをスクリーン印刷し、大気中加熱焼成して形
成する。

【００５７】しかる後、導電性膜６’上に形成した保護
膜８を除去する。

【００５８】（６）次に、前記工程により得られた導電
性膜６’（高分子膜６”が低抵抗化された膜）に、間隙
５’の形成を行う（図２（ｅ））。

【００５９】この間隙５’の形成は、電極２、３間に電
圧を印加する（導電性膜６’に電流を流す）ことによっ
て行なわれる。印加する電圧としてはパルス電圧である
ことが好ましい。この電圧印加工程により、導電性膜
６’（高分子膜６”が低抵抗化された膜）の一部に間隙
５’が形成される。

【００６０】電圧印加工程においては、導電性膜６’
（高分子膜６”が低抵抗化された膜）の抵抗値に応じた
電流が流れる。したがって、導電性膜６’の抵抗が極端
に低い状態、すなわち、低抵抗化が過剰に進んだ状態で
あると、間隙５’の形成に多大な電力が必要となる。こ
れは、例えば基体上に複数の素子を配置した電子源ある
いは画像形成装置において、複数素子の一括フォーミン
グを行う場合、共通配線の電流容量や駆動ドライバーの
電流負荷等で大きな問題になってくる。そこで、比較的
小さい電力で間隙５’の形成を行うためには、低抵抗化
の進行度合を調整することが必要である。

【００６１】図３は、前記「低抵抗化処理」により、高
分子膜６”の表面を低抵抗化した場合の間隙５’の形成
過程を示す模式図（断面図）である。図３（ａ）は電圧
印加工程前（「低抵抗化処理」後）、図３（ｂ）は電圧
印加工程終了時を示している。

【００６２】図３（ａ）において、１は基板（基体）、
６’は導電性膜、６’−１は「低抵抗化処理」により低
抵抗化された領域であり、６’−２は低抵抗化されてい
ない領域である。図３（ｂ）において５’は間隙であ
る。

【００６３】まず、低抵抗化された領域６’−１に、電
圧印加工程により電流が主に流れ、低抵抗化された領域
６’−１の一部に間隙５’の起点が形成される。そし
て、電圧印加工程を続けることで、形成された間隙５’
の起点を避け、周辺部に回り込むことによって生じる熱
によって、熱分解を起こしていなかった下層の低抵抗化
されていない領域６’−２も徐々に熱分解される。そし
て、間隙５’の起点となった部位から導電性膜６’の厚
み方向に間隙が成長し、間隙５’が形成される（図３
（ｂ））。

【００６４】なお、低抵抗化された領域６’−１が、基
体１側であったり、膜厚の中間の位置であっても、最終
的に、導電性膜６’の厚み方向に渡って、間隙５’を形
成することができる。

【００６５】図４は、高分子膜６”の基板表面に平行な
方向で、その一部を低抵抗化した場合の模式図（平面
図）を示しており、図４（ａ）は電圧印加工程前、図４
（ｂ）は電圧印加工程開始直後、図４（ｃ）は電圧印加
工程終了時である。

【００６６】まず、低抵抗化された領域６’−１に、電
圧印加工程により電流が流れ、間隙５’の起点となる狭
い間隙５”が形成される（図４（ｂ））。形成された狭
い間隙５”を避けて電流が流れるため狭い間隙５”の周
辺部が加熱され、熱分解を起こしていなかった領域も徐
々に熱分解され、最終的に、基板表面と実質的に平行な
方向における、導電性膜６’の全体に渡り、間隙５’が
形成される（図４（ｃ））。

【００６７】以上のような工程を経て得られた電子放出
素子を図５に示した測定装置によってその電圧−電流特
性を計測したところ、その特性は、図１５に示したよう
なものである。図５において、図１などで用いた符合と
同じ符号を用いた部材は、同じ部材を指す。５４はアノ
ードであり、５３は高圧電源、５２は電子放出素子から
放出された放出電流Ｉｅを測定するための電流計、５１
は電子放出素子に駆動電圧Ｖｆを印加するための電源、
５０は電極２，３間を流れる素子電流を測定するための
電流計である。

【００６８】図１５に示すように、上記電子放出素子
は、しきい値電圧Ｖｔｈを持っており、この電圧より低
い電圧を電極２，３間に印加しても、電子は実質的に放
出されないが、この電圧より高い電圧を印加することに
よって、素子からの放出電流（Ｉｅ）、電極２，３間を
流れる素子電流（Ｉｆ）が生じはじめる。この特性のた
め、同一基板上にマトリックス状に上記電子放出素子を
複数配した電子源を構成し、所望の素子を選択して駆動
する単純マトリックス駆動が可能である。

【００６９】次に、図１４に示した、上記電子放出素子
を用いた本発明の画像形成装置の製造方法の一例を図６
乃至図１３などを用いて以下に示す。

【００７０】（Ａ）まず、リアプレート（基体）１を用
意する。リアプレート１としては、絶縁性材料からなる
ものを用い、特には、ガラスが好ましく用いられる。

【００７１】（Ｂ）次に、リアプレート１上に、図１で
説明した一対の電極２，３を複数組形成する（図６）。
電極材料は、導電性材料であれば良い。また、電極２，
３の形成方法は、スパッタ法、ＣＶＤ法、印刷法など種
々の製造方法を用いることができる。なお、図６では、
説明を簡略化するために、Ｘ方向に３組、Ｙ方向に３
組、合計９組の電極対を形成した例を用いているが、こ
の電極対の数は、画像形成装置の解像度に応じて適宜設
定される。

【００７２】（Ｃ）次に、各電極対２、３間を接続する
ように、高分子膜６”を形成する（図７）。高分子膜
６”は、前述のように様々な方法で作成することができ
るが、大面積に簡易に形成するには、インクジェット法
を用いることが好ましい。

【００７３】（Ｄ）続いて、前述した様に、各高分子膜
６”を低抵抗化する「低抵抗処理」を行う。「低抵抗化
処理」については、前記した電子ビームやイオンビーム
などの粒子ビームを照射するか、レーザビームを照射す
ることにより行われる。この「低抵抗化処理」は好まし
くは減圧雰囲気中で行われる。この工程により、高分子
膜６”に導電性が付与され、導電性膜６’に変化する
（図８）。具体的には、導電性膜６’の抵抗値として
は、１０³Ω／□以上１０⁷Ω／□以下の範囲となる。

【００７４】（Ｅ）次に、「低抵抗化処理」によって得
られた炭素を主成分とする導電性膜６’上に、高分子膜
を低抵抗化した膜を酸素から保護するための保護膜８を
形成する（図９）。保護膜８としては、耐熱性高分子
膜、金属膜及び金属酸化物膜等種々の膜を選択できる。
具体的には、耐熱性高分子膜としてはポリイミド、ポリ
ベンズイミダゾール、金属膜としてはアルミニウム、ス
ズ、亜鉛、金属酸化物膜としては酸化スズ、酸化インジ
ウム、酸化亜鉛あるいはそれらの複合酸化物が挙げられ
る。

【００７５】保護膜８はフォトリソグラフィーあるいは
安価に形成できるインクジェット法によって導電性膜
６’を被覆し、かつ後工程で形成する印刷配線間を電気
的に短絡させないようにパターニングを行う。

【００７６】（Ｆ）次に、電極３の一部を覆うように、
下配線６２を加熱焼成して形成する。下配線６２の形成
方法は、様々な手法を用いることができるが、好ましく
は印刷法を用いる。印刷法のなかでもスクリーン印刷法
が大面積の基板に安価に形成できるので好ましい。

【００７７】さらに下配線６２と、次工程で形成する上
配線６３との交差部に絶縁層６４を加熱焼成して形成す
る。絶縁層６４の形成方法も様々な手法を用いることが
できるが、好ましくは印刷法を用いる。印刷法のなかで
もスクリーン印刷法が大面積の基板に安価に形成できる
ので好ましい。

【００７８】さらに下配線６２と実質的に直交する上配
線６３を加熱焼成して形成する（図１０）。上配線６３
の形成方法も様々な手法を用いることができるが、下配
線６２と同様、好ましくは印刷法を用いる。印刷法のな
かでもスクリーン印刷法が大面積の基板に安価に形成で
きるので好ましい。

【００７９】（Ｇ）次に保護膜８を除去する（図１
１）。保護膜８のエッチャントは、炭素を主成分とする
導電性膜、ガラス基板、電極および上下配線・絶縁層と
の選択比を十分とれるものを好ましく用いることができ
る。例えば、保護膜８としてポリイミドをインクジェッ
ト法により形成した場合、ＴＭＡＨの水希釈溶液によっ
て容易にポリイミドを除去することが可能である。

【００８０】（Ｈ）つぎに、前記工程（Ｇ）により得ら
れた導電性膜６’（高分子膜６”が低抵抗化された膜）
に、間隙５’の形成を行う。

【００８１】この間隙５’の形成は、各配線６２および
配線６３に電圧を印加することによって行う。これによ
り、各電極対２、３間に電圧が印加される。この電圧印
加工程により、導電性膜６’（高分子膜６”が低抵抗化
された膜）の一部に間隙５’が形成される（図１２）。

【００８２】なお、この電圧印加工程は、前述の低抵抗
化処理と同時に、すなわち、電子ビームあるいはレーザ
ービームの照射を行っている最中に、電極２、３間に電
圧パルスを連続的に印加することによっても行うことが
できる。

【００８３】（Ｉ）次に、予め用意しておいた、アルミ
ニウム膜からなるメタルバック７３と蛍光体膜７４とを
有するフェースプレート７１と、上記工程（Ａ）〜
（Ｈ）を経たリアプレート１とを、メタルバック７３と
電子放出素子が対向するように、位置合わせする（図１
３（ａ））。支持枠７２とフェースプレート７１との当
接面（当接領域）には接合部材が配置される。同様に、
リアプレート１と支持枠７２との当接面（当接領域）に
も接合部材が配置される。上記接合部材には、真空を保
持する機能と接着機能とを有するものが用いられ、具体
的にはフリットガラスやインジウム、インジウム合金な
どが用いられる。

【００８４】図１３においては、支持枠７２が、予め上
記工程（Ａ）〜（Ｈ）を経たリアプレート１上に接合部
材によって固定（接着）された例を図示しているが、必
ずしも本工程（Ｉ）時に接合されている必要はない。ま
た、同様に、図１３においてはスペーサ１０１がリアプ
レート１上に固定された例を示しているが、スペーサ１
０１も、本工程（Ｉ）時にリアプレート１に必ずしも固
定されている必要はない。

【００８５】また、図１３では、便宜上、リアプレート
１を下方に配置し、フェースプレート７１をリアプレー
ト１の上方に配置した例を示したが、どちらが上であっ
ても構わない。

【００８６】さらには、図１３では、支持枠７２および
スペーサ１０１は、予め、リアプレート１上に固定（接
着）しておいた例を示したが、次の「封着工程」時に固
定（接着）されるよう、リアプレート１上またはフェー
スプレート７１上に載置するだけでもよい。

【００８７】（Ｊ）次に、封着工程を行う。上記工程
（Ｉ）で対向して配置されたフェースプレート７１とリ
アプレート１とを、その対向方向に加圧しながら、少な
くとも前記接合部材を加熱する（図１３（ｂ））。上記
加熱は、熱的な歪を低減するために、フェースプレート
７１およびリアプレート１の全面を加熱することが好ま
しい。

【００８８】なお、本発明においては、「封着工程」
は、減圧（真空）雰囲気中あるいは非酸化雰囲気中にて
行うことが好ましい。具体的な減圧（真空）雰囲気とし
ては、１０^-5Ｐａ以下、好ましくは１０^-6Ｐａ以下の圧
力が好ましい。

【００８９】この封着工程により、フェースプレート７
１と支持枠７２とリアプレート１との当接部が気密に接
合され、同時に、内部が高真空に維持された、図１４に
示した気密容器（画像形成装置）１００が得られる。

【００９０】ここでは、減圧（真空）雰囲気中あるいは
非酸化雰囲気中にて「封着工程」を行う例を示した。し
かしながら、大気中で「封着工程」を行っても良い。こ
の場合は、別途、フェースプレート７１とリアプレート
１間の空間を排気するための排気管を、気密容器１００
に設けておき、「封着工程」後に、気密容器内部を１０
^-5Ｐａ以下に排気する。その後、排気管を封止すること
で内部が高真空に維持された気密容器（画像形成装置）
１００を得ることができる。

【００９１】「封着工程」を真空中にて行う場合には、
画像形成装置（気密容器）１００内部を高真空に維持す
るために、工程（Ｉ）と工程（Ｊ）との間に、メタルバ
ック７３上（メタルバック７３のリアプレート１と対向
する面上）にゲッター材を被覆する工程を設けることが
好ましい。この時、用いるゲッター材としては、被覆を
簡易にする理由から蒸発型のゲッターであることが好ま
しい。したがって、バリウムをゲッター膜としてメタル
バック７３上に被覆することが好ましい。また、このゲ
ッターの被覆工程は、上記工程（Ｊ）と同様に、減圧
（真空）雰囲気中で行われる。

【００９２】また、ここで説明した画像形成装置の例で
は、フェースプレート７１とリアプレート１との間に
は、スペーサ１０１を配置した。しかしながら、画像形
成装置の大きさが小さい場合には、スペーサ１０１は必
ずしも必要としない。また、リアプレート１とフェース
プレート７１との間隔が数百μｍ程度であれば支持枠７
２を用いずに、接合部材によって直接リアプレート１と
フェースプレート７１とを接合することも可能である。
そのような場合には、接合部材が支持枠７２の代替部材
を兼ねる。

【００９３】また、本発明においては、電子放出素子１
０２の間隙５’を形成する工程（工程（Ｈ））の後に、
位置合わせ工程（工程（Ｉ））および封着工程（工程
（Ｊ））を行った。しかしながら、工程（Ｈ）を、封着
工程（工程Ｊ）の後に行うこともできる。

【００９４】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に
説明する。

【００９５】［実施例１］図１、図２を用いて、本実施
例の電子源を構成する電子放出素子の作製方法を述べ
る。

【００９６】基板（基体）１として石英ガラス基板を用
い、これを純水、有機溶剤により充分に洗浄後、基体１
面上に、白金からなる素子電極２、３を形成した（図２
（ａ））。この時、素子電極間隔Ｌは１０μｍとし、素
子電極の幅Ｗを５００μｍ、その厚さを１００ｎｍとし
た。

【００９７】以上のように作製した基板に、芳香族ポリ
イミドの前駆体であるポリアミック酸（日立化成工業
（株）社製：ＰＩＸ−Ｌ１１０ＳＸ）溶液を、さらに樹
脂分３％までＮ−メチルピロリドン／トリエタノールア
ミン溶媒で希釈した溶液をインクジェット法により、直
径１００μｍで素子電極２、３に接続して塗布した。次
に真空条件下にて３５０℃まで昇温しベークして、イミ
ド化を行った。この時の、ポリイミド膜（高分子膜
６”）の膜厚は３０ｎｍであった。

【００９８】次に、素子電極２、３、高分子膜６”を形
成した基体１を電子銃の装着された真空容器中にセット
し、十分に排気を行った後、加速電圧Ｖａｃ＝１０ｋ
Ｖ、電流密度ρ＝０．１ｍＡ／ｍｍ²なる電子ビームを
高分子膜６”全面に走引照射した。この時、素子電極
２、３間の抵抗を測定し、１ｋΩまで抵抗が減少したと
ころで電子ビーム照射を止めた。

【００９９】次に保護膜８としてＩＴＯをスパッタリン
グ法によって形成し、フォトリソグラフィーによって導
電性膜６’の領域を被覆するようパターニングした。

【０１００】次にスクリーン印刷法により、銀ペースト
及び絶縁性ペーストを用いて、不図示のＸ方向、Ｙ方向
配線及び絶縁層を形成して、電極２，３それぞれに対し
て電気的に接続をとった。Ｘ方向、Ｙ方向配線及び絶縁
層は、それぞれスクリーン印刷後に大気中４８０℃加熱
焼成して形成した。

【０１０１】しかる後、塩化鉄（ＩＩ）／塩酸溶液によ
りＩＴＯ保護膜８を除去した。

【０１０２】次に、これを図５に示す真空装置内へ移し
た。

【０１０３】ここで、図５中、５１は素子に電圧を印加
するための電源、５０は素子電流Ｉｆを測定するための
電流計、５４は素子より発生する放出電流Ｉｅを測定す
るためのアノード電極、５３はアノード電極５４に電圧
を印加するための高圧電源、５２は放出電流を測定する
ための電流計である。

【０１０４】電子放出素子の上記素子電流Ｉｆ、放出電
流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極２、３に電源５１
と電流計５０とを接続し、該電子放出素子の上方に電源
５３と電流計５２とを接続したアノード電極５４を配置
している。また、本電子放出素子及びアノード電極５４
は真空装置内に設置されており、その真空装置には不図
示の排気ポンプ及び真空計等の真空装置に必要な機器が
具備されており、所望の真空下で本素子の測定評価を行
えるようになっている。なお、アノード電極と電子放出
素子間の距離Ｈを４ｍｍとしており、真空装置内の圧力
を１×１０^-6Ｐａとした。

【０１０５】図５の装置系を用いて、素子電極２、３間
に波高値２５Ｖのパルス電圧を印加することにより導電
性膜６’に間隙５’を形成した。

【０１０６】以上の工程により、本実施例の電子放出素
子を作製した。

【０１０７】次に、図５に示した１×１０^-6Ｐａの真空
装置内で、アノード電極５４に１ｋＶを印加しながら、
本実施例の電子源を構成する電子放出素子の素子電極
２、３間に２０Ｖの駆動電圧を印加し、その時に流れる
素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅを測定したところ、平均
した電子放出特性は単素子あたりＩｆ＝０．５ｍＡ、Ｉ
ｅ＝４．８μＡであり、長時間駆動しても安定に電子放
出特性を維持しており、リーク電流も極めて小さかっ
た。

【０１０８】比較のため、保護膜８を形成せずに、Ｘ方
向、Ｙ方向配線を形成後に高分子膜形成、「低抵抗化処
理」をおこなって作製した電子源を構成する電子放出素
子を同様に評価したところ、平均した電子放出特性は単
素子あたりＩｆ＝０．３ｍＡ、Ｉｅ＝１．８μＡであ
り、電子放出特性が比較的悪く、長時間駆動しても安定
に電子放出特性を維持できなかった。

【０１０９】本実施例の電子源および比較例の電子源を
構成する素子をＥＰＭＡ分析したところ、比較例の素子
は本実施例の素子と対して、素子電極および導電性膜中
に約５倍のＡｇ、Ｐｂが検出された。

【０１１０】以上、本実施例による電子源の製造方法に
より、個別の素子特性が優れ、安定で放電が生じない電
子放出素子アレイが得られた。

【０１１１】［実施例２］本実施例の電子源を構成する
電子放出素子の作製方法に関して実施例１の電子放出素
子と異なるのは、保護膜８だけである。

【０１１２】保護膜８としてアルミニウムを真空蒸着法
によって形成し、フォトリソグラフィーによって導電性
膜６’の領域を被覆するようパターニングした。

【０１１３】次にスクリーン印刷法により、銀ペースト
及び絶縁性ペーストを用いて、不図示のＸ方向、Ｙ方向
配線及び絶縁層を形成して、電極２，３それぞれに対し
て電気的に接続をとった。Ｘ方向、Ｙ方向配線及び絶縁
層は、それぞれスクリーン印刷後に大気中４８０℃加熱
焼成して形成した。

【０１１４】しかる後、塩化鉄（ＩＩ）／塩酸溶液によ
りアルミニウム／アルミナ保護膜８を除去した。

【０１１５】本実施例の電子源を構成する電子放出素子
を図５に示した１×１０^-6Ｐａの真空装置内で、アノー
ド電極５４に１ｋＶを印加しながら、本実施例の電子源
を構成する電子放出素子の素子電極２、３間に２０Ｖの
駆動電圧を印加し、その時に流れる素子電流Ｉｆ及び放
出電流Ｉｅを測定したところ、平均した電子放出特性は
単素子あたりＩｆ＝０．４５ｍＡ、Ｉｅ＝４．４μＡで
あり、長時間駆動しても安定に電子放出特性を維持して
おり、リーク電流も極めて小さかった。

【０１１６】以上、本実施例による電子源の製造方法に
より、個別の素子特性が優れ、安定で放電が生じない電
子放出素子アレイが得られた。

【０１１７】［実施例３］本実施例では図１４に模式的
に示した画像形成装置１００を作成した。電子放出素子
１０２としては、図１および図２を用いてその製造方法
を既に記した電子放出素子を用いた。図６乃至図１４を
用いて、本実施例の画像形成装置の作製方法を述べる。

【０１１８】図１２は、リアプレートと、その上に形成
された複数の電子放出素子と、および複数の電子放出素
子に信号を印加するための配線とから構成される電子源
の一部を拡大して模式的に示している。１はリアプレー
ト、２、３は電極、５’は間隙、６’は炭素を主成分と
する導電性膜、６２はＸ方向配線、６３はＹ方向配線、
６４は層間絶縁層である。

【０１１９】図１４において、図１２と同じ符号のもの
は、同じ部材を示している。７１はガラス基板上に、蛍
光体膜７４とＡｌからなるメタルバック７３とが積層さ
れたフェースプレートである。７２は支持枠であり、リ
アプレート１、フェースプレート７１、支持枠７２で真
空密閉容器が形成される。

【０１２０】（工程１）ガラス基板（基体）１上に、ス
パッタリング法により、厚さ１００ｎｍのＰｔ膜を堆積
し、フォトリソグラフィ技術を用いてＰｔ膜からなる電
極２，３を形成した（図６）。なお、電極２、３の電極
間距離は１０μｍとした。

【０１２１】（工程２）基体１の電極２、３間に跨る位
置に、インクジェット法により、ポリイミドの前駆体で
あるポリアミック酸の３％Ｎ−メチルピロリドン／トリ
エタノールアミン溶液を電極間の中央を中心として塗布
した。これを、真空下にて、３５０℃でベークし、直径
約１００μｍ、膜厚３００ｎｍの円形のポリイミド膜か
らなる高分子膜６”を得た（図７）。

【０１２２】（工程３）次に、Ｐｔからなる電極２、
３、ポリイミド膜からなる高分子膜６”を形成したリア
プレート１をステージ上（大気中）にセットし、各々の
高分子膜６”に対して、ＱスイッチパルスＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（パルス幅１００ｎｍ、繰り返し周波数１０ｋＨ
ｚ、パルスあたりのエネルギー０．５ｍＪ、ビーム径１
０μｍ）の第二高調波（ＳＨＧ）を照射した。このと
き、ステージを移動させ、各々の電極２から３の方向に
高分子膜６”に１０μｍの幅で照射し、各々の高分子膜
６”の一部に熱分解の進んだ導電性の領域を形成した。

【０１２３】（工程４）次に保護膜８としてポリイミド
をインクジェット法によって、導電性膜６’の領域を被
覆するようパターニング形成した（図９）。ここでポリ
イミド保護膜８は、以下の３回の大気焼成で酸化消失し
ないように膜厚を５００ｎｍとした。

【０１２４】（工程５）次に、スクリーン印刷法により
Ａｇペーストを印刷し、加熱焼成することにより、Ｘ方
向配線６２を形成した（図１０）。

【０１２５】（工程６）続いて、Ｘ方向配線６２とＹ方
向配線６３の交差部になる位置に、スクリーン印刷法に
より絶縁性ペーストを印刷し、加熱焼成して絶縁層６４
を形成した（図１０）。

【０１２６】（工程７）さらに、スクリーン印刷法によ
りＡｇペーストを印刷し、加熱焼成することにより、Ｙ
方向配線６３を形成し、基体１上にマトリックス配線を
形成した（図１０）。

【０１２７】（工程８）次にテトラメチルアンモニウム
ハイドレート水溶液により、ポリイミド保護膜８を除去
した（図１１）。

【０１２８】（工程９）以上のようにして作製したリア
プレート１上に、支持枠７２とスペーサ１０１とをフリ
ットガラスにより接着した。そしてスペーサ１０１と支
持枠７２が接着されたリアプレート１と、フェースプレ
ート７１とを対向させて（蛍光体膜７４とメタルバック
７３が形成された面と、配線６２，６３が形成された面
とを対向させて）、配置した（図１３（ａ））。なお、
フェースプレート７１上の支持枠７２との当接部には、
予めフリットガラスを塗付しておいた。

【０１２９】（工程１０）次に、対向させたフェースプ
レート７１とリアプレート１とを１０^-6Ｐａの真空雰囲
気中で、４００℃に加熱および加圧して封着を行った
（図１３（ｂ））。この工程により内部が高真空に維持
された気密容器が得られた。なお、蛍光体膜７４には３
原色（ＲＧＢ）の各色蛍光体がストライプ形状に配置さ
れたものを用いた。

【０１３０】最後に、真空雰囲気でＸ方向配線６２、Ｙ
方向配線６３を通じて、各々の電極２，３間に１０Ｖ、
パルス幅１ｍｓｅｃ、パルス間隔１０ｍｓｅｃの両極性
の矩形パルスを印加することにより炭素を主成分とする
導電性膜６’に間隙５’を形成し（図１２参照）、本実
施例の画像形成装置１００を作製した。

【０１３１】以上のようにして完成した画像形成装置に
おいて、Ｘ方向配線６２、Ｙ方向配線６３を通じて、所
望の電子放出素子を選択して２２Ｖの電圧を印加し、高
圧端子Ｈｖを通じてメタルバック７３に８ｋＶの電圧を
印加したところ、長時間にわたって明るい良好な画像を
形成することができた。

【０１３２】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、配線形成工
程前に「低抵抗化処理」を行うことにより、電子源を構
成する電子放出素子の特性を向上することができると共
に、電子源基板の歩留まりも上げることができ、さらに
本発明の製造方法により作製した画像形成装置において
は、長期に渡って表示品位に優れた画像形成装置を安価
に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子源を構成する電子放出素子を示す
模式的平面図及び断面図である。

【図２】本発明の電子源を構成する電子放出素子の作製
方法の一例を示す模式的断面図である。

【図３】本発明の電子源を構成する電子放出素子の作製
方法の別の例を示す模式的断面図である。

【図４】本発明の電子源を構成する電子放出素子の作製
方法のさらに別の例を示す模式的断面図である。

【図５】測定評価機能を備えた真空装置の一例を示す模
式図である。

【図６】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造工
程の一例を示す模式図である。

【図７】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造工
程の一例を示す模式図である。

【図８】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造工
程の一例を示す模式図である。

【図９】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造工
程の一例を示す模式図である。

【図１０】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造
工程の一例を示す模式図である。

【図１１】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造
工程の一例を示す模式図である。

【図１２】本発明の単純マトリクス配置の電子源の製造
工程の一例を示す模式図である。

【図１３】本発明の画像形成装置の製造工程の一例を示
す模式図である。

【図１４】本発明の画像形成装置の斜視模式図である。

【図１５】本発明による電子放出素子の電子放出特性を
示す模式図である。

【図１６】従来の電子放出素子の模式図である。

【図１７】従来の電子放出素子の製造工程の模式図であ
る。

【符号の説明】

１基体（リアプレート）２、３電極４導電性膜５第２の間隙５’ 間隙６カーボン膜６’ 高分子膜が低抵抗化された膜（炭素を主成分とす
る導電性膜）６” 高分子膜７第１の間隙８保護膜１０電子ビームまたはレーザービーム照射手段５０電極間を流れる素子電流を測定するための電流計５１電子放出素子に駆動電圧Ｖｆを印加するための電
源５２電子放出素子から放出された放出電流Ｉｅを測定
するための電流計５３高圧電源５４アノード６２下配線６３上配線６４絶縁層７１フェースプレート７２支持枠７３メタルバック７４蛍光体膜７５画像形成部材１００画像形成装置１０１スペーサ１０２電子放出素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に一対の電極からなる電極対を複
数配置する工程と、高分子膜を、前記電極対の各々の電極間を接続するよう
に配置する工程と、前記高分子膜を低抵抗化させる工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜上に酸素に対する保護
膜を配置する工程と、前記保護膜を配置後、前記電極の各々に接続する配線を
酸素雰囲気中にて加熱焼成して形成する工程と、前記配線を形成後、前記保護膜を除去する工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜に電流を流すことによ
り、間隙を形成する工程と、を有することを特徴とする
電子源の製造方法。
【請求項２】基体上に一対の電極からなる電極対を複
数配置する工程と、高分子膜を、前記電極対の各々の電極間を接続するよう
に配置する工程と、前記高分子膜を低抵抗化させる工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜上に保護膜を配置する
工程と、前記保護膜を配置後、前記電極を接続する複数の行方向
配線及び列方向配線と、該両配線を絶縁する絶縁層を形
成する工程であって、前記両配線及び絶縁層のうち少な
くとも一つを加熱焼成して形成する工程と、前記両配線及び絶縁層を形成後、前記保護膜を除去する
工程と、前記高分子膜が低抵抗化された膜に電流を流すことによ
り、間隙を形成する工程と、を有することを特徴とする
電子源の製造方法。
【請求項３】前記保護膜が耐熱性高分子膜であること
を特徴とする請求項１または２に記載の電子源の製造方
法。
【請求項４】前記耐熱性高分子がポリイミドまたはポ
リベンズイミダゾールであることを特徴とする請求項３
に記載の電子源の製造方法。
【請求項５】前記保護膜が金属膜であることを特徴と
する請求項１または２に記載の電子源の製造方法。
【請求項６】前記金属がアルミニウム、スズまたは亜
鉛であることを特徴とする請求項５に記載の電子源の製
造方法。
【請求項７】前記保護膜が金属酸化物膜であることを
特徴とする請求項１または２に記載の電子源の製造方
法。
【請求項８】前記金属酸化物が酸化スズ、酸化インジ
ウム、酸化亜鉛あるいはそれらの複合酸化物であること
を特徴とする請求項７に記載の電子源の製造方法。
【請求項９】複数の電子放出素子を有する電子源と、
前記電子源から放出される電子の照射により画像を形成
する画像形成部材とを有する画像形成装置の製造方法に
おいて、前記電子源を請求項１〜８のいずれかに記載の
方法により製造することを特徴とする画像形成装置の製
造方法。