JP2003257672A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- -1 polycyclic aromatic compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 13
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アモルファス性の有機材料のみからなる有機Ｅ
Ｌ素子に比べて、大幅に寿命を向上させることが可能な
有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１上に形
成された２層型陰極２と、２層型陰極２上に形成された
ペンタセン多結晶からなる電子輸送層３と、電子輸送層
３上に形成された透明陽極７とを備えている。
Ｌ素子に比べて、大幅に寿命を向上させることが可能な
有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１上に形
成された２層型陰極２と、２層型陰極２上に形成された
ペンタセン多結晶からなる電子輸送層３と、電子輸送層
３上に形成された透明陽極７とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機ＥＬ素子に
関し、特に、基板上に電極と有機層とが形成される有機
ＥＬ素子に関する。
関し、特に、基板上に電極と有機層とが形成される有機
ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴い、従来か
ら一般に使用されているＣＲＴに比べて消費電力の少な
い平面表示画素として有機エレクトロルミネッセンス素
子（以下、有機ＥＬ素子という）を用いたディスプレイ
が期待されている。この有機ＥＬ素子は、電子注入電極
とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光
層の内部へと注入することによって、電子およびホール
を発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にする。
そして、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻る
ときに蛍光を発光する。この有機ＥＬ素子では、電子輸
送層、ホール輸送層および発光層となる有機材料をそれ
ぞれ順次積層して多層構造とすることにより発光効率の
高効率化が図られている。
ら一般に使用されているＣＲＴに比べて消費電力の少な
い平面表示画素として有機エレクトロルミネッセンス素
子（以下、有機ＥＬ素子という）を用いたディスプレイ
が期待されている。この有機ＥＬ素子は、電子注入電極
とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光
層の内部へと注入することによって、電子およびホール
を発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にする。
そして、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻る
ときに蛍光を発光する。この有機ＥＬ素子では、電子輸
送層、ホール輸送層および発光層となる有機材料をそれ
ぞれ順次積層して多層構造とすることにより発光効率の
高効率化が図られている。
【０００３】また、従来では、有機ＥＬ素子の長寿命化
や耐熱性などの信頼性を向上するためには、電子輸送
層、ホール輸送層および発光層などの有機材料からなる
各層自身が、結晶化しにくい安定なアモルファス性を有
することが必要であると考えられていた。このため、従
来では、有機材料の結晶化を抑制するために、有機材料
自身のガラス転移点を高温化するための研究などが活発
に行われている。たとえば、特開平９−１８８７５６号
公報、特開平１０−２７０１６７号公報、特願平１１−
１２９５４４号公報、特開２０００−３１１７８４号公
報、特開２０００−３１１７８６号公報、特開２０００
−３４４６９１号公報および特開２００１−１６７８７
７号公報には、結晶化しにくい有機材料や素子の製造プ
ロセスなどが開示されている。
や耐熱性などの信頼性を向上するためには、電子輸送
層、ホール輸送層および発光層などの有機材料からなる
各層自身が、結晶化しにくい安定なアモルファス性を有
することが必要であると考えられていた。このため、従
来では、有機材料の結晶化を抑制するために、有機材料
自身のガラス転移点を高温化するための研究などが活発
に行われている。たとえば、特開平９−１８８７５６号
公報、特開平１０−２７０１６７号公報、特願平１１−
１２９５４４号公報、特開２０００−３１１７８４号公
報、特開２０００−３１１７８６号公報、特開２０００
−３４４６９１号公報および特開２００１−１６７８７
７号公報には、結晶化しにくい有機材料や素子の製造プ
ロセスなどが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来か
ら一般的に使用されているアモルファス性の有機材料で
は、分子間または原子間に隙間が生じるので不純物が動
きやすい。このため、電極と有機層との界面におけるキ
ャリアの注入が不安定になると考えられるので、キャリ
ア注入を均一化するのが困難になると考えられる。その
結果、アモルファス性の有機材料のみからなる従来の有
機ＥＬ素子では、寿命を向上させることが困難であると
いう問題点があった。
ら一般的に使用されているアモルファス性の有機材料で
は、分子間または原子間に隙間が生じるので不純物が動
きやすい。このため、電極と有機層との界面におけるキ
ャリアの注入が不安定になると考えられるので、キャリ
ア注入を均一化するのが困難になると考えられる。その
結果、アモルファス性の有機材料のみからなる従来の有
機ＥＬ素子では、寿命を向上させることが困難であると
いう問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の１つの目的は、
アモルファス性の有機材料のみからなる有機ＥＬ素子に
比べて、大幅に寿命を向上させることが可能な有機ＥＬ
素子を提供することである。
ためになされたものであり、この発明の１つの目的は、
アモルファス性の有機材料のみからなる有機ＥＬ素子に
比べて、大幅に寿命を向上させることが可能な有機ＥＬ
素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、鋭意検討した結果、本願発明者は、結晶性の有機層
を用いることによって、大幅に寿命を向上させることが
できることを見出した。
に、鋭意検討した結果、本願発明者は、結晶性の有機層
を用いることによって、大幅に寿命を向上させることが
できることを見出した。
【０００７】すなわち、この発明の一の局面による有機
ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極と、第１電極
上に形成された結晶性の第１有機層と、第１有機層上に
形成された第２電極とを備えている。
ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極と、第１電極
上に形成された結晶性の第１有機層と、第１有機層上に
形成された第２電極とを備えている。
【０００８】この一の局面による有機ＥＬ素子では、上
記のように、第１電極上に結晶性の第１有機層を設ける
ことによって、アモルファス層からなる第１有機層を設
ける場合に比べて、キャリア注入が均一化されると考え
られるので、大幅に寿命を向上させることができる。な
お、この効果は、実験により確認済みである。
記のように、第１電極上に結晶性の第１有機層を設ける
ことによって、アモルファス層からなる第１有機層を設
ける場合に比べて、キャリア注入が均一化されると考え
られるので、大幅に寿命を向上させることができる。な
お、この効果は、実験により確認済みである。
【０００９】上記一の局面による有機ＥＬ素子におい
て、好ましくは、結晶性の第１有機層は、第１電極に接
触するように形成されている。このように構成すれば、
キャリアの流れが不均一になりやすい第１電極（無機材
料）と第１有機層（有機材料）との界面において、キャ
リア注入を均一化することができると考えられるので、
より寿命を向上させることができる。
て、好ましくは、結晶性の第１有機層は、第１電極に接
触するように形成されている。このように構成すれば、
キャリアの流れが不均一になりやすい第１電極（無機材
料）と第１有機層（有機材料）との界面において、キャ
リア注入を均一化することができると考えられるので、
より寿命を向上させることができる。
【００１０】上記の有機ＥＬ素子において、好ましく
は、結晶性の第１有機層は、電子輸送機能を有する層を
含む。このように構成すれば、電子輸送機能を有する結
晶性の第１有機層によって電子注入の均一化を図ること
ができると考えられるので、より寿命を向上させること
ができる。この場合、結晶性の第１有機層は、縮合多環
芳香族からなる層を含むのが好ましい。このように構成
すれば、容易に、第１有機層に電子輸送機能を持たせる
ことができる。
は、結晶性の第１有機層は、電子輸送機能を有する層を
含む。このように構成すれば、電子輸送機能を有する結
晶性の第１有機層によって電子注入の均一化を図ること
ができると考えられるので、より寿命を向上させること
ができる。この場合、結晶性の第１有機層は、縮合多環
芳香族からなる層を含むのが好ましい。このように構成
すれば、容易に、第１有機層に電子輸送機能を持たせる
ことができる。
【００１１】上記の有機ＥＬ素子において、結晶性の第
１有機層と、第１電極または第２電極との間に形成され
たアモルファス性の第２有機層をさらに備える。このよ
うに構成すれば、結晶性の第１有機層上に、従来の製造
プロセスを用いて容易にアモルファス性の第２有機層を
形成することができるので、容易に多層構造の有機層を
含む有機ＥＬ素子を形成することができる。
１有機層と、第１電極または第２電極との間に形成され
たアモルファス性の第２有機層をさらに備える。このよ
うに構成すれば、結晶性の第１有機層上に、従来の製造
プロセスを用いて容易にアモルファス性の第２有機層を
形成することができるので、容易に多層構造の有機層を
含む有機ＥＬ素子を形成することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１３】（実施例）図１は、本発明の実施例により
作製した有機ＥＬ素子の構造を示した断面図である。図
２は、図１に示した実施例による有機ＥＬ素子の結晶性
の電子輸送層を構成するペンタセンの分子構造を示した
図である。図３は、図１に示した実施例による有機ＥＬ
素子のアモルファス性の電子輸送層を構成するＡｌｑ３
の分子構造を示した図である。図４は、図１に示した実
施例による有機ＥＬ素子の発光層を構成するＮＰＢの分
子構造を示した図である。図５は、図１に示した実施例
による有機ＥＬ素子の発光層に含まれるルブレンの分子
構造を示した図である。図６は、図１に示した実施例に
よる有機ＥＬ素子のホール注入層を構成する１−ＴＮＡ
ＴＡの分子構造を示した図である。
作製した有機ＥＬ素子の構造を示した断面図である。図
２は、図１に示した実施例による有機ＥＬ素子の結晶性
の電子輸送層を構成するペンタセンの分子構造を示した
図である。図３は、図１に示した実施例による有機ＥＬ
素子のアモルファス性の電子輸送層を構成するＡｌｑ３
の分子構造を示した図である。図４は、図１に示した実
施例による有機ＥＬ素子の発光層を構成するＮＰＢの分
子構造を示した図である。図５は、図１に示した実施例
による有機ＥＬ素子の発光層に含まれるルブレンの分子
構造を示した図である。図６は、図１に示した実施例に
よる有機ＥＬ素子のホール注入層を構成する１−ＴＮＡ
ＴＡの分子構造を示した図である。
【００１４】まず、図１〜図６を参照して、実施例で作
製した有機ＥＬ素子の構造を説明する。実施例による有
機ＥＬ素子では、図１に示すように、ガラス基板１上
に、２００ｎｍの膜厚を有するＡｕからなる下層と、１
０ｎｍの膜厚を有するＳｉＡｌＬｉ合金（Ａｌ：４５ｗ
ｔ％、Ｌｉ：５ｗｔ％）からなる上層とにより構成され
た２層型陰極２が形成されている。なお、ガラス基板１
は、本発明の「基板」の一例であり、２層型陰極２は、
本発明の「第１電極」の一例である。
製した有機ＥＬ素子の構造を説明する。実施例による有
機ＥＬ素子では、図１に示すように、ガラス基板１上
に、２００ｎｍの膜厚を有するＡｕからなる下層と、１
０ｎｍの膜厚を有するＳｉＡｌＬｉ合金（Ａｌ：４５ｗ
ｔ％、Ｌｉ：５ｗｔ％）からなる上層とにより構成され
た２層型陰極２が形成されている。なお、ガラス基板１
は、本発明の「基板」の一例であり、２層型陰極２は、
本発明の「第１電極」の一例である。
【００１５】ここで、本実施例では、２層型陰極２上
に、５ｎｍの膜厚の良好な結晶性を有するペンタセン多
結晶からなる電子輸送層３が形成されている。なお、電
子輸送層３は、本発明の「結晶性を有する第１有機層」
の一例である。また、電子輸送層３を構成するペンタセ
ンの分子構造は、図２に示されている。
に、５ｎｍの膜厚の良好な結晶性を有するペンタセン多
結晶からなる電子輸送層３が形成されている。なお、電
子輸送層３は、本発明の「結晶性を有する第１有機層」
の一例である。また、電子輸送層３を構成するペンタセ
ンの分子構造は、図２に示されている。
【００１６】また、電子輸送層３上には、２０ｎｍの膜
厚を有するＡｌｑ３からなるアモルファス性の電子輸送
層４が形成されている。電子輸送層４上には、３０ｎｍ
の膜厚を有するとともに、ルブレンを５ｗｔ％でドープ
したＮＰＢからなるアモルファス性の発光層５が形成さ
れている。発光層５上には、２０ｎｍの膜厚を有する１
−ＴＮＡＴＡからなる下層と１０ｎｍの膜厚を有するＣ
ｕＰｃからなる上層とにより構成されたアモルファス性
のホール注入層６が形成されている。ホール注入層６上
には、ＩＴＯからなる透明陽極７が形成されている。な
お、電子輸送層４、発光層５およびホール注入層６は、
本発明の「第２有機層」の一例であり、透明陽極７は、
本発明の「第２電極」の一例である。また、電子輸送層
４を構成するＡｌｑ３の分子構造は、図３に示されてお
り、発光層５を構成するＮＰＢの分子構造は、図４に示
されている。また、発光層５に含まれるルブレンの分子
構造は、図５に示されており、ホール注入層６を構成す
る１−ＴＮＡＴＡの分子構造は、図６に示されている。
厚を有するＡｌｑ３からなるアモルファス性の電子輸送
層４が形成されている。電子輸送層４上には、３０ｎｍ
の膜厚を有するとともに、ルブレンを５ｗｔ％でドープ
したＮＰＢからなるアモルファス性の発光層５が形成さ
れている。発光層５上には、２０ｎｍの膜厚を有する１
−ＴＮＡＴＡからなる下層と１０ｎｍの膜厚を有するＣ
ｕＰｃからなる上層とにより構成されたアモルファス性
のホール注入層６が形成されている。ホール注入層６上
には、ＩＴＯからなる透明陽極７が形成されている。な
お、電子輸送層４、発光層５およびホール注入層６は、
本発明の「第２有機層」の一例であり、透明陽極７は、
本発明の「第２電極」の一例である。また、電子輸送層
４を構成するＡｌｑ３の分子構造は、図３に示されてお
り、発光層５を構成するＮＰＢの分子構造は、図４に示
されている。また、発光層５に含まれるルブレンの分子
構造は、図５に示されており、ホール注入層６を構成す
る１−ＴＮＡＴＡの分子構造は、図６に示されている。
【００１７】次に、図１を参照して、上記した構造を有
する実施例の有機ＥＬ素子の作成方法について説明す
る。まず、真空蒸着法を用いて、ガラス基板１上に、２
００ｎｍの膜厚を有するＡｕからなる下層を形成した
後、１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＡｌＬｉ合金（Ａｌ：
４５ｗｔ％、Ｌｉ：５ｗｔ％）からなる上層をＡｌとＬ
ｉとを同時に蒸着することにより形成した。これによ
り、２層型陰極２を形成した。なお、ＳｉＡｌＬｉ合金
からなる上層は、電子注入を効率よく行うために形成し
た。
する実施例の有機ＥＬ素子の作成方法について説明す
る。まず、真空蒸着法を用いて、ガラス基板１上に、２
００ｎｍの膜厚を有するＡｕからなる下層を形成した
後、１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＡｌＬｉ合金（Ａｌ：
４５ｗｔ％、Ｌｉ：５ｗｔ％）からなる上層をＡｌとＬ
ｉとを同時に蒸着することにより形成した。これによ
り、２層型陰極２を形成した。なお、ＳｉＡｌＬｉ合金
からなる上層は、電子注入を効率よく行うために形成し
た。
【００１８】その後、２層型陰極２上に、結晶成長用の
下地層としてシクロヘキサン単分子層を形成した。そし
て、１３３×１０-7Ｐａ以下の高真空中において、５ｎ
ｍの膜厚を有するペンタセン多結晶からなる均一な結晶
性を有する電子輸送層３を形成した。均一な結晶性を有
するペンタセン多結晶薄膜の成長方法は、たとえば、Ｎ
ａｔｕｒｅ４１２号（２００１年８月２日号）ｐ５１７
〜ｐ５２０に開示されている。なお、ペンタセンの結晶
性の評価については、上記Ｎａｔｕｒｅ４１２号に開示
されているように、Ｘ線回折およびＬＥＥＭ（Ｌｏｗ
ＥｎｅｒｇｙＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）により行うことができる。具体的には、少なくと
も、アモルファス状態では、Ｘ線回折によるピークは観
察されない。
下地層としてシクロヘキサン単分子層を形成した。そし
て、１３３×１０-7Ｐａ以下の高真空中において、５ｎ
ｍの膜厚を有するペンタセン多結晶からなる均一な結晶
性を有する電子輸送層３を形成した。均一な結晶性を有
するペンタセン多結晶薄膜の成長方法は、たとえば、Ｎ
ａｔｕｒｅ４１２号（２００１年８月２日号）ｐ５１７
〜ｐ５２０に開示されている。なお、ペンタセンの結晶
性の評価については、上記Ｎａｔｕｒｅ４１２号に開示
されているように、Ｘ線回折およびＬＥＥＭ（Ｌｏｗ
ＥｎｅｒｇｙＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）により行うことができる。具体的には、少なくと
も、アモルファス状態では、Ｘ線回折によるピークは観
察されない。
【００１９】次に、２０ｎｍの膜厚を有するＡｌｑ３か
らなるアモルファス性の電子輸送層４、３０ｎｍの膜厚
を有するとともに、ルブレンを５ｗｔ％でドープしたＮ
ＰＢからなるアモルファス性の発光層５、および、２０
ｎｍの膜厚を有する１−ＴＮＡＴＡからなる下層と１０
ｎｍの膜厚を有するＣｕＰｃからなる上層とからなるア
モルファス性のホール注入層６を順次形成した。最後
に、スパッタ法を用いて、ホール注入層６上に、ＩＴＯ
からなる透明陽極７を形成した。このようにして、図１
に示した実施例による有機ＥＬ素子を作製した。
らなるアモルファス性の電子輸送層４、３０ｎｍの膜厚
を有するとともに、ルブレンを５ｗｔ％でドープしたＮ
ＰＢからなるアモルファス性の発光層５、および、２０
ｎｍの膜厚を有する１−ＴＮＡＴＡからなる下層と１０
ｎｍの膜厚を有するＣｕＰｃからなる上層とからなるア
モルファス性のホール注入層６を順次形成した。最後
に、スパッタ法を用いて、ホール注入層６上に、ＩＴＯ
からなる透明陽極７を形成した。このようにして、図１
に示した実施例による有機ＥＬ素子を作製した。
【００２０】（比較例）比較例として、図１に示したペ
ンタセン多結晶からなる電子輸送層３を形成しないこと
以外は、上記実施例と同様の有機材料および作製プロセ
スを用いて、有機ＥＬ素子を形成した。すなわち、ガラ
ス基板１上に、２層型陰極２を形成した後、２層型陰極
２上に、アモルファス性の電子輸送層４、アモルファス
性の発光層５およびアモルファス性のホール注入層６を
順次形成することによって、比較例による有機ＥＬ素子
を作製した。
ンタセン多結晶からなる電子輸送層３を形成しないこと
以外は、上記実施例と同様の有機材料および作製プロセ
スを用いて、有機ＥＬ素子を形成した。すなわち、ガラ
ス基板１上に、２層型陰極２を形成した後、２層型陰極
２上に、アモルファス性の電子輸送層４、アモルファス
性の発光層５およびアモルファス性のホール注入層６を
順次形成することによって、比較例による有機ＥＬ素子
を作製した。
【００２１】上記のように作製した実施例および比較例
による有機ＥＬ素子を、輝度の初期値が３００ｃｄ／ｍ
2となる設定で発光させて、有機ＥＬ素子の寿命（輝度
半減期）を調べた。図７は、実施例および比較例による
有機ＥＬ素子の輝度と時間との関係を示したグラフであ
る。図７の縦軸には、輝度（ｃｄ／ｍ2）がとられてお
り、横軸には、時間（ｈ）がとられている。また、図７
中の実線は、実施例による有機ＥＬ素子の輝度と時間と
の関係を示しており、破線は、比較例による有機ＥＬ素
子の輝度と時間との関係を示している。
による有機ＥＬ素子を、輝度の初期値が３００ｃｄ／ｍ
2となる設定で発光させて、有機ＥＬ素子の寿命（輝度
半減期）を調べた。図７は、実施例および比較例による
有機ＥＬ素子の輝度と時間との関係を示したグラフであ
る。図７の縦軸には、輝度（ｃｄ／ｍ2）がとられてお
り、横軸には、時間（ｈ）がとられている。また、図７
中の実線は、実施例による有機ＥＬ素子の輝度と時間と
の関係を示しており、破線は、比較例による有機ＥＬ素
子の輝度と時間との関係を示している。
【００２２】図７に示すように、アモルファス性の有機
層（４〜６）のみからなる比較例による有機ＥＬ素子で
は、初期の輝度劣化が大きく、輝度が１５０ｃｄ／ｍ2
となる輝度半減期が５００時間であった。その一方、ペ
ンタセン多結晶からなる結晶性の電子輸送層（有機層）
３を含む実施例による有機ＥＬ素子では、初期の輝度劣
化がほとんどなく、輝度半減期が比較例による有機ＥＬ
素子と比べて大幅に長い時間が得られることがわかっ
た。これにより、有機層の結晶化が寿命に悪影響を及ぼ
すという従来の考えとは異なり、結晶性の有機層を設け
ることによって、有機ＥＬ素子の寿命が大幅に向上する
ことが判明した。
層（４〜６）のみからなる比較例による有機ＥＬ素子で
は、初期の輝度劣化が大きく、輝度が１５０ｃｄ／ｍ2
となる輝度半減期が５００時間であった。その一方、ペ
ンタセン多結晶からなる結晶性の電子輸送層（有機層）
３を含む実施例による有機ＥＬ素子では、初期の輝度劣
化がほとんどなく、輝度半減期が比較例による有機ＥＬ
素子と比べて大幅に長い時間が得られることがわかっ
た。これにより、有機層の結晶化が寿命に悪影響を及ぼ
すという従来の考えとは異なり、結晶性の有機層を設け
ることによって、有機ＥＬ素子の寿命が大幅に向上する
ことが判明した。
【００２３】実施例では、上記のように、２層型陰極２
上に良好な結晶性を有するペンタセン多結晶からなる電
子輸送層３を形成することによって、アモルファス性の
有機層のみからなる場合に比べて、キャリアの流れが不
均一になりやすい２層型陰極２（無機材料）と電子輸送
層３（有機材料）との界面において、キャリア注入をよ
り均一化することができると考えられるので、大幅に寿
命を向上させることができる。
上に良好な結晶性を有するペンタセン多結晶からなる電
子輸送層３を形成することによって、アモルファス性の
有機層のみからなる場合に比べて、キャリアの流れが不
均一になりやすい２層型陰極２（無機材料）と電子輸送
層３（有機材料）との界面において、キャリア注入をよ
り均一化することができると考えられるので、大幅に寿
命を向上させることができる。
【００２４】また、上記した実施例の作製プロセスで
は、ペンタセン多結晶からなる電子輸送層３上に、従来
から知られたアモルファス性の有機層（電子輸送層４、
発光層５およびホール注入層６）を順次形成することに
よって、従来の作製プロセスを用いて容易に電子輸送層
３上に、アモルファス性の有機層（４〜６）を形成する
ことができる。その結果、作製プロセスがそれほど複雑
になることなく、多層構造の有機層（３〜６）を含む実
施例による有機ＥＬ素子を形成することができる。
は、ペンタセン多結晶からなる電子輸送層３上に、従来
から知られたアモルファス性の有機層（電子輸送層４、
発光層５およびホール注入層６）を順次形成することに
よって、従来の作製プロセスを用いて容易に電子輸送層
３上に、アモルファス性の有機層（４〜６）を形成する
ことができる。その結果、作製プロセスがそれほど複雑
になることなく、多層構造の有機層（３〜６）を含む実
施例による有機ＥＬ素子を形成することができる。
【００２５】なお、今回開示された実施例は、すべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は、上記した実施例の説明では
なく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の
範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含ま
れる。
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は、上記した実施例の説明では
なく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の
範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含ま
れる。
【００２６】たとえば、上記実施例では、結晶性を有す
るペンタセン多結晶からなる電子輸送層３を形成した
が、本発明はこれに限らず、結晶性を有する他の材料か
らなる電子輸送層を形成してもよい。この場合、結晶性
を有する縮合多環芳香族からなる電子輸送層を形成する
のが好ましい。
るペンタセン多結晶からなる電子輸送層３を形成した
が、本発明はこれに限らず、結晶性を有する他の材料か
らなる電子輸送層を形成してもよい。この場合、結晶性
を有する縮合多環芳香族からなる電子輸送層を形成する
のが好ましい。
【００２７】また、上記実施例では、電子輸送層３のみ
に結晶層を用いたが、本発明はこれに限らず、他の有機
層に結晶層を用いてもよい。ただし、基板側電極に接す
る有機層に結晶層を用いることにより、キャリア注入を
より均一化することができる。
に結晶層を用いたが、本発明はこれに限らず、他の有機
層に結晶層を用いてもよい。ただし、基板側電極に接す
る有機層に結晶層を用いることにより、キャリア注入を
より均一化することができる。
【００２８】また、上記実施例では、電子輸送層３のみ
に結晶層を用いたが、本発明はこれに限らず、全ての有
機層に良好な結晶性を有する結晶層を用いてもよい。こ
の場合、電子輸送層３のみに結晶層を用いる場合に比べ
て、有機ＥＬ素子の寿命をより向上することができる。
に結晶層を用いたが、本発明はこれに限らず、全ての有
機層に良好な結晶性を有する結晶層を用いてもよい。こ
の場合、電子輸送層３のみに結晶層を用いる場合に比べ
て、有機ＥＬ素子の寿命をより向上することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、アモル
ファス性の有機材料のみからなる有機ＥＬ素子に比べ
て、大幅に寿命を向上させることが可能な有機ＥＬ素子
を提供することができる。
ファス性の有機材料のみからなる有機ＥＬ素子に比べ
て、大幅に寿命を向上させることが可能な有機ＥＬ素子
を提供することができる。
【図１】本発明の実施例により作製した有機ＥＬ素子の
構造を示した断面図である。
構造を示した断面図である。
【図２】図１に示した実施例による有機ＥＬ素子の結晶
性の電子輸送層を構成するペンタセンの分子構造を示し
た図である。
性の電子輸送層を構成するペンタセンの分子構造を示し
た図である。
【図３】図１に示した実施例による有機ＥＬ素子のアモ
ルファス性の電子輸送層を構成するＡｌｑ３の分子構造
を示した図である。
ルファス性の電子輸送層を構成するＡｌｑ３の分子構造
を示した図である。
【図４】図１に示した実施例による有機ＥＬ素子の発光
層を構成するＮＰＢの分子構造を示した図である。
層を構成するＮＰＢの分子構造を示した図である。
【図５】図１に示した実施例による有機ＥＬ素子の発光
層に含まれるルブレンの分子構造を示した図である。
層に含まれるルブレンの分子構造を示した図である。
【図６】図１に示した実施例による有機ＥＬ素子のホー
ル注入層を構成する１−ＴＮＡＴＡの分子構造を示した
図である。
ル注入層を構成する１−ＴＮＡＴＡの分子構造を示した
図である。
【図７】実施例および比較例による有機ＥＬ素子の輝度
と時間との関係を示したグラフである。
と時間との関係を示したグラフである。
１ ガラス基板（基板）
２ ２層型陰極（第１電極）
３ 電子輸送層（第１有機層）
４ 電子輸送層（第２有機層）
５ 発光層（第２有機層）
６ ホール注入層（第２有機層）
７ 透明陽極（第２電極）
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された第１電極と、 前記第１電極上に形成された結晶性の第１有機層と、 前記第１有機層上に形成された第２電極とを備えた、有
機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記結晶性の第１有機層は、前記第１電
極に接触するように形成されている、請求項１に記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記結晶性の第１有機層は、電子輸送機
能を有する層を含む、請求項１または２に記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項４】 前記結晶性の第１有機層は、縮合多環芳
香族からなる層を含む、請求項３に記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項５】 前記結晶性の第１有機層と、前記第１電
極または前記第２電極との間に形成されたアモルファス
性の第２有機層をさらに備える、請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053080A JP2003257672A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053080A JP2003257672A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257672A true JP2003257672A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28664602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002053080A Pending JP2003257672A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003257672A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278287A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| WO2012115034A1 (ja) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| JP2015019071A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| WO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002053080A patent/JP2003257672A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278287A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| WO2012115034A1 (ja) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| JP5839027B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2016-01-06 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、照明装置及び表示装置 |
| JP2015019071A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| WO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
| JPWO2016035413A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2017-04-27 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070828 |